專利名稱：Rfid標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及射頻識(shí)別技術(shù)(Radio Frequency Identification,縮寫RFID),特別涉及是一種RFID標(biāo)簽。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別技術(shù)(Radio Frequency Identification,縮寫RFID)是一項(xiàng)利用射頻信號(hào)通過(guò)空間耦合(交變磁場(chǎng)或電磁場(chǎng))實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸信息傳遞并通過(guò)所傳遞的信息達(dá)到識(shí)別目的的技術(shù)。與傳統(tǒng)識(shí)別技術(shù)(二維碼、條形碼等)相比，RFID技術(shù)具有標(biāo)示唯一、信息容量大、讀取快捷方便、多標(biāo)簽讀取、可進(jìn)行數(shù)據(jù)加密的特點(diǎn)。經(jīng)過(guò)多年發(fā)展已廣泛應(yīng)用于物品跟蹤、航空行李分揀、工廠裝配流水線、汽車防盜、電子票證、動(dòng)物管理、商品防偽等領(lǐng)域。RFID由于載波頻段不同，可以劃分為低頻(3(T300kHz)、中頻(300kHz 3MHz)、高頻(3 30MHz)和超高頻(300MHC3GHZ)。其中，超高頻(UHF)頻段的有效作用距離最大，可以達(dá)到8 20m，可廣泛應(yīng)用于商業(yè)物流和交通運(yùn)輸領(lǐng)域。超高頻射頻識(shí)別系統(tǒng)的協(xié)議目前有很多種，主要可以分為兩大協(xié)議制定者:一是ISO(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織)；二是EPC Global。ISO組織目前針對(duì)UHF頻段制定了射頻識(shí)別協(xié)議IS018000-6，而EPC Global組織則制定了針對(duì)產(chǎn)品電子編碼超高頻射頻識(shí)別系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)EPC C1G2UHF RFID。RFID系統(tǒng)包括讀寫器、標(biāo)簽，一個(gè)完整RFID標(biāo)簽包括標(biāo)簽天線和標(biāo)簽芯片及將它們模塑的外部樹(shù)脂，RFID標(biāo)簽芯片具有發(fā)送接收部、控制部和存儲(chǔ)器。在存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有固有的識(shí)別代碼(唯一 ID)，讀寫器對(duì)RFID標(biāo)簽的唯一 ID的讀出，借助RFID標(biāo)簽用天線通過(guò)無(wú)線通信(無(wú)線信息交換)進(jìn)行，該無(wú)線信息交換有電波方式和電磁感應(yīng)方式?，F(xiàn)有的一種RFID標(biāo)簽如圖1所示，標(biāo)簽芯片21、標(biāo)簽天線22和阻抗調(diào)節(jié)部23形成在基板12上，基板12利用PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)材料或紙等構(gòu)成。標(biāo)簽芯片21形成于基板12的表面的大致中央，標(biāo)簽天線22是偶極天線，形成于標(biāo)簽芯片21的兩側(cè)，標(biāo)簽天線22通過(guò)在基板12的表面上實(shí)施蝕刻和焊膏印刷等形成，阻抗調(diào)節(jié)部23是導(dǎo)體，是為了調(diào)節(jié)標(biāo)簽天線22的阻抗特性而設(shè)置的。在RFID標(biāo)簽I對(duì)應(yīng)于UHF頻帶等高頻電波時(shí)，其阻抗成分可以利用環(huán)狀導(dǎo)體形成，因此阻抗調(diào)節(jié)部23與左右的標(biāo)簽天線22連接，形成為上述結(jié)構(gòu)的RFID標(biāo)簽，體積較大，無(wú)法用作家畜(豬、牛、羊)的標(biāo)簽，并且制造工藝復(fù)雜、成本高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題提供一種RFID標(biāo)簽，體積小，增益高，能用作家畜的標(biāo)簽，并且制造工藝簡(jiǎn)單。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供的RFID標(biāo)簽，其包括標(biāo)簽部、殼體；所述標(biāo)簽部，包括絕緣膜、標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片；所述標(biāo)簽天線，附著在所述絕緣膜的上表面；[0011]所述標(biāo)簽天線，包括左矩形金屬貼片、左容性彎折線、右容性彎折線、右矩形金屬貼片；所述左矩形金屬貼片的右端接所述左容性彎折線的左端；所述右矩形金屬貼片的左端接所述右容性彎折線的右端；所述標(biāo)簽芯片與所述左容性彎折線的右端及所述右容性彎折線的左端焊接在一起;所述左容性彎折線、右容性彎折線，上部及下部的寬度大于中部的寬度；所述殼體，為硬質(zhì)絕緣材質(zhì)，內(nèi)腔為長(zhǎng)方體形狀；所述標(biāo)簽部的絕緣膜下表面粘貼于所述殼體的內(nèi)腔的下表面，從而將所述標(biāo)簽部容置固定在所述殼體中。較佳的，所述左容性彎折線、右容性彎折線的上部及下部的寬度大于中部的寬度的1.5倍。較佳的，所述標(biāo)簽天線，還包括一輻射加強(qiáng)片；所述輻射加強(qiáng)片，位于所述標(biāo)簽芯片的下方；所述輻射加強(qiáng)片為倒“U”形。較佳的，所述RFID標(biāo)簽為超高頻RFID標(biāo)簽；所述標(biāo)簽天線為偶極振子天線；所述標(biāo)簽芯片以倒扣的方式與所述左容性彎折線的右端及所述右容性彎折線的
左端焊接在一起；所述絕緣膜為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜或聚酰亞胺膜；所述左矩形金屬貼片、左容性彎折線、右容性彎折線、右矩形金屬貼片為鋁貼片或銅貼片。較佳的，所述絕緣膜厚度為10 200 μ m，鋁貼片或銅貼片厚度為0.01 0.1mm。本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽，整個(gè)標(biāo)簽天線包括矩形金屬貼片、容性彎折線、輻射增強(qiáng)片，體積小，調(diào)節(jié)容性彎折線長(zhǎng)度以及上部及下部的寬度、中部的寬度，調(diào)節(jié)矩形金屬貼片的尺寸，都可改變?cè)撎炀€的阻抗特性和增益性能，容性彎折線上部及下部的寬度大于中部的寬度，可以增強(qiáng)標(biāo)簽天線的輻射特性，進(jìn)而改善標(biāo)簽天線的增益性能。整個(gè)標(biāo)簽部密封固定在一殼體中，不易損壞，可以用作家畜(豬、牛、羊)的標(biāo)簽，并且本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽制造工藝簡(jiǎn)單、精確度高、成本低。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面對(duì)本實(shí)用新型所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現(xiàn)有的一種RFID標(biāo)簽不意圖；圖2是實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽一實(shí)施例的標(biāo)簽部示意圖；圖3是本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽的制造方法示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一RFID標(biāo)簽，包括標(biāo)簽部、殼體；所述標(biāo)簽部，如圖2所示，包括絕緣膜1、標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片3 ；所述標(biāo)簽天線，附著在所述絕緣膜I的上表面；所述標(biāo)簽天線，包括左矩形金屬貼片21、左容性彎折線22、右容性彎折線52、右矩形金屬貼片51 ；所述左矩形金屬貼片21的右端接所述左容性彎折線22的左端；所述右矩形金屬貼片51的左端接所述右容性彎折線52的右端；所述標(biāo)簽芯片3與所述左容性彎折線22的右端及所述右容性彎折線52的左端焊
接在一起；所述左容性彎折線22、右容性彎折線52，上部及下部的寬度Wl大于中部的寬度W2 ；所述殼體，為硬質(zhì)絕緣材質(zhì)，內(nèi)腔為長(zhǎng)方體形狀；所述標(biāo)簽部的絕緣膜I下表面粘貼于所述殼體的內(nèi)腔的下表面，從而將所述標(biāo)簽部容直固定在所述殼體中。較佳的，所述左容性彎折線22、右容性彎折線52的上部及下部的寬度Wl大于中部的寬度W2的1.5倍；實(shí)施例二基于實(shí)施例一，標(biāo)簽天線還包括一輻射增強(qiáng)片4 ；所述輻射增強(qiáng)片4，位于所述標(biāo)簽芯片3的下方；較佳的，所述輻射增強(qiáng)片4為倒“U”形。實(shí)施例三基于實(shí)施例一，所述RFID標(biāo)簽為超高頻(UHF) RFID標(biāo)簽；所述標(biāo)簽天線2為偶極振子天線；所述標(biāo)簽芯片以倒扣的方式與所述左容性彎折線22的右端及所述右容性彎折線52的左端焊接在一起；所述絕緣膜I為PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)膜或PI (聚酰亞胺)膜；所述左矩形金屬貼片21、左容性彎折線22、右容性彎折線52、右矩形金屬貼片51為鋁貼片或銅貼片。較佳的，所述絕緣膜I厚度為10 200 μ m,鋁貼片或銅貼片厚度為0.01 0.1mm。實(shí)施例四RFID標(biāo)簽的制造方法，如圖3所示，包括以下步驟:一.在軟性的絕緣膜的上表面形成金屬貼片；較佳的，所述絕緣膜為PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)或PI (聚酰亞胺)膜，厚度為10 200 μ m ；較佳的，所述金屬貼片為鋁貼片或銅貼片，厚度為0.01 0.1mm ;二.刻蝕所述金屬貼片，在所述絕緣膜I的上表面形成標(biāo)簽天線；三.將標(biāo)簽芯片與所述標(biāo)簽天線焊接在一起，形成加工好的軟性標(biāo)簽部；四.將所述絕緣膜(附著有標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片)的下表面粘貼于硬質(zhì)絕緣材質(zhì)殼體的長(zhǎng)方體形狀內(nèi)腔的下表面，將所述標(biāo)簽部容置固定在所述硬質(zhì)絕緣材質(zhì)殼體中，形成RFID標(biāo)簽。實(shí)施例五基于實(shí)施例四，所述RFID標(biāo)簽為超高頻(UHF) RFID標(biāo)簽；所述標(biāo)簽天線為偶極振子天線；所述標(biāo)簽天線，包括左矩形金屬貼片、左容性彎折線、右容性彎折線、右矩形金屬貼片；所述左矩形金屬貼片的右端接所述左容性彎折線的左端；所述右矩形金屬貼片的左端接所述右容性彎折線的右端；所述標(biāo)簽芯片以倒扣的方式與所述左容性彎折線的右端及所述右容性彎折線的左端焊接在一起；所述左容性彎折線、右容性彎折線，上部及下部的寬度大于中部的寬度。較佳的，所述左容性彎折線、右容性彎折線的上部及下部的寬度大于中部的寬度的1.5倍；實(shí)施例六基于實(shí)施例五，所述標(biāo)簽天線還包括一輻射增強(qiáng)片；所述輻射增強(qiáng)片，位于所述標(biāo)簽芯片的下方。較佳的，所述輻射增強(qiáng)片為倒“U”形。本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽，整個(gè)標(biāo)簽天線包括矩形金屬貼片、容性彎折線、輻射增強(qiáng)片，體積小，調(diào)節(jié)容性彎折線長(zhǎng)度以及上部及下部的寬度、中部的寬度，調(diào)節(jié)矩形金屬貼片的尺寸，都可改變?cè)撎炀€的阻抗特性和增益性能，容性彎折線上部及下部的寬度大于中部的寬度，可以增強(qiáng)標(biāo)簽天線的輻射特性，進(jìn)而改善標(biāo)簽天線的增益性能。整個(gè)標(biāo)簽部密封固定在一殼體中，不易損壞，可以用作家畜(豬、牛、羊)的標(biāo)簽，并且本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽制造工藝簡(jiǎn)單、精確度高、成本低。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種RFID標(biāo)簽，其特征在于，包括標(biāo)簽部、殼體； 所述標(biāo)簽部，包括絕緣膜、標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片； 所述標(biāo)簽天線，附著在所述絕緣膜的上表面； 所述標(biāo)簽天線，包括左矩形金屬貼片、左容性彎折線、右容性彎折線、右矩形金屬貼片; 所述左矩形金屬貼片的右端接所述左容性彎折線的左端； 所述右矩形金屬貼片的左端接所述右容性彎折線的右端； 所述標(biāo)簽芯片與所述左容性彎折線的右端及所述右容性彎折線的左端焊接在一起； 所述左容性彎折線、右容性彎折線，上部及下部的寬度大于中部的寬度； 所述殼體，為硬質(zhì)絕緣材質(zhì)，內(nèi)腔為長(zhǎng)方體形狀； 所述標(biāo)簽部的絕緣膜下表面粘貼于所述殼體的內(nèi)腔的下表面，從而將所述標(biāo)簽部容置固定在所述殼體中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于， 所述左容性彎折線、右容性彎折線的上部及下部的寬度大于中部的寬度的1.5倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于， 所述標(biāo)簽天線，還包括一輻射加強(qiáng)片； 所述輻射加強(qiáng)片，位于所述標(biāo)簽芯片的下方； 所述輻射加強(qiáng)片為倒“U”形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于， 所述RFID標(biāo)簽為超高頻RFID標(biāo)簽； 所述標(biāo)簽天線為偶極振子天線； 所述標(biāo)簽芯片以倒扣的方式與所述左容性彎折線的右端及所述右容性彎折線的左端焊接在一起； 所述絕緣膜為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜或聚酰亞胺膜； 所述左矩形金屬貼片、左容性彎折線、右容性彎折線、右矩形金屬貼片為鋁貼片或銅貼片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于， 所述絕緣膜厚度為10 200 μ m,鋁貼片或銅貼片厚度為0.01 0.1mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種RFID標(biāo)簽，其包括標(biāo)簽部、殼體；標(biāo)簽部包括絕緣膜、標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片；標(biāo)簽天線附著在所述絕緣膜的上表面；標(biāo)簽天線包括左矩形金屬貼片、左容性彎折線、右容性彎折線、右矩形金屬貼片；左矩形金屬貼片接左容性彎折線的左端；右矩形金屬貼片接右容性彎折線的右端；標(biāo)簽芯片焊接在左容性彎折線的右端右容性彎折線的左端之間；左容性彎折線、右容性彎折線,上部及下部的寬度大于中部的寬度；標(biāo)簽部的絕緣膜下表面粘貼于殼體的內(nèi)腔。本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽，體積小，增益性高，能用作家畜的標(biāo)簽，并且制造工藝簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)G06K19/077GK203012769SQ201220717678
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月24日
發(fā)明者張志勇 申請(qǐng)人:上海中科高等研究院