專利名稱：用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)，特別涉及一種用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，基于NAND FLASH (與非閃存)的SSD (Solid State Disk，固態(tài)硬盤)數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)得益于高吞吐、低耗電、耐震、穩(wěn)定性高、耐低溫、發(fā)熱量小、工作噪音低等眾多優(yōu)勢，在企業(yè)高性能計算機、軍事及產(chǎn)業(yè)、個人電腦、超低價個人電腦以及企業(yè)電腦等領域有著廣闊的應用前景。
然而，隨著NAND FLASH工藝尺寸的縮小以及MLC (Multi-Level Cell，多層單元) 技術(shù)的運用，使得NAND FLASH出現(xiàn)嚴重的可靠性問題。因此，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用糾錯碼技術(shù)來解決NAND FLASH數(shù)據(jù)存儲的可靠性問題。糾錯碼技術(shù)主要分為兩個階段，其中
在數(shù)據(jù)寫入NAND FLASH的階段中，糾錯碼技術(shù)通過相應算法為每一個page(頁)的數(shù)據(jù)增加對應的冗余位、以使數(shù)據(jù)的原始信息能夠更加分散地被存儲，數(shù)據(jù)寫入NANDFLASH 的階段也可稱為編碼階段；
在數(shù)據(jù)讀出NAND FLASH的階段中，糾錯碼技術(shù)利用冗余位找出對應page的數(shù)據(jù)的錯誤位置并進行糾正，從而正確地恢復得到數(shù)據(jù)的原始信息，數(shù)據(jù)讀出NAND FLASH的階段也可稱為解碼階段。
基于上述說明可見，糾錯碼技術(shù)需要為每一個page的數(shù)據(jù)進一步增加冗余位，相應地，就增加了一個page的數(shù)據(jù)所要占用的存儲空間容量。而且，糾錯碼技術(shù)的糾錯性能越高，其添加的冗余位也就越多，相應地，一個page的數(shù)據(jù)所要占用的存儲空間容量就越大。
對于某些可靠性相對較高的NAND FLASH來說，使用糾錯能力較弱的糾錯碼既可以滿足要求，編碼后數(shù)據(jù)容量增加的比例基本在數(shù)據(jù)的原始信息的3%以下，可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的原始信息及對應的冗余位均存儲于NAND FLASH的一頁中。
但對于某些可靠性相對較低、或者對于數(shù)據(jù)可靠性有更高要求的NAND FLASH來說，需要更多的冗余位才能夠?qū)崿F(xiàn)相應的可靠性要求，在這種情況下，NAND FLASH中每一個 page中就不足以存儲一個page的數(shù)據(jù)的原始信息和所有冗余位。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法。
本發(fā)明提供的一種用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法，在應用該訪問控制方法的存儲架構(gòu)中包含至少兩個封裝體，每個封裝體中劃分有數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)；并且，該訪問控制方法包括
al、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行寫操作時，將數(shù)據(jù)的原始信息向其中一個封裝體內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)寫入、并同時將數(shù)據(jù)的冗余位向另一個封裝體內(nèi)的冗余存儲區(qū)寫入；
bl、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行讀操作時，從一個封裝體內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)中讀取數(shù)據(jù)的原始信息、并同時從另一個封裝體內(nèi)的冗余存儲區(qū)讀取數(shù)據(jù)的冗余位。
優(yōu)選地，所述封裝體為NAND FLASH封裝體。
可選地，所述數(shù)據(jù)為系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)，所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)包括信息數(shù)據(jù)段和冗余數(shù)據(jù)段， 所述步驟al從所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)的信息數(shù)據(jù)段中提取得到原始信息、從所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)的冗余數(shù)據(jù)段中提取得到冗余位，所述步驟bl將原始信息和冗余位分別填入至信息數(shù)據(jù)段和冗余數(shù)據(jù)段中、以得到所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)。
可選地，所述數(shù)據(jù)為非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)，所述步驟al以預先設置的截取位置將所述非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)截取為原始信息和冗余位，所述步驟bl將原始信息和冗余位拼接形成所述非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)。
本發(fā)明提供的另一種用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法，在應用該訪問控制方法的存儲架構(gòu)中包含至少一個封裝體，該封裝體中封裝有至少兩個存儲單元，每個存儲單元中劃分有數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)；并且，該訪問控制方法包括
a2、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行寫操作時，將數(shù)據(jù)的原始信息向其中一個存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)寫入、并同時將數(shù)據(jù)的冗余位向另一個存儲單元內(nèi)的冗余存儲區(qū)寫入；
b2、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行讀操作時，從一個存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)中讀取數(shù)據(jù)的原始信息、并同時從另一個存儲單元內(nèi)的冗余存儲區(qū)讀取數(shù)據(jù)的冗余位。
優(yōu)選地，所述封裝體為NAND FLASH封裝體。
更優(yōu)地，所述存儲單元為LUN、或為TARGET。
可選地，所述數(shù)據(jù)為系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)，所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)包括信息數(shù)據(jù)段和冗余數(shù)據(jù)段， 所述步驟a2從所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)的信息數(shù)據(jù)段中提取得到原始信息、從所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)的冗余數(shù)據(jù)段中提取得到冗余位，所述步驟b2將原始信息和冗余位分別填入至信息數(shù)據(jù)段和冗余數(shù)據(jù)段中、以得到所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)；
可選地，所述數(shù)據(jù)為非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)，所述步驟a2以預先設置的截取位置將所述非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)截取為原始信息和冗余位，所述步驟b2將原始信息和冗余位拼接形成所述非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)。
本發(fā)明提供的又一種用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法，在應用該訪問控制方法的存儲架構(gòu)中包含至少一個封裝體，該封裝體中封裝有至少一個存儲單元，該存儲單元中包含有至少兩個BANK，每個BANK中劃分有數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)；并且，該訪問控制方法包括
a3、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行寫操作時，將數(shù)據(jù)的原始信息向其中一個BANK內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)寫入、并同時將數(shù)據(jù)的冗余位向另一個BANK內(nèi)的冗余存儲區(qū)寫入；
b3、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行讀操作時，從一個BANK內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)中讀取數(shù)據(jù)的原始信息、并同時從另一個BANK內(nèi)的冗余存儲區(qū)讀取數(shù)據(jù)的冗余位。
由此可見，本發(fā)明在封裝體、或存儲單元、或BANK中劃分出專用于存放數(shù)據(jù)原始信息的數(shù)據(jù)存儲區(qū)、以及專用于存放數(shù)據(jù)冗余位的冗余存儲區(qū)，因此，數(shù)據(jù)的原始信息和冗余位就能夠以分布式的存儲方式分別存放在對應的數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)、而無需集中存儲在一個page中，從而，對于需要更多的冗余位的情況，就能夠有足夠的存儲空間來存放數(shù)據(jù)的原始信息和冗余位；而且，在本發(fā)明中，同一數(shù)據(jù)的原始信息及冗余位所分別對應的數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)位于不同封裝體、或不同存儲單元、或不同BANK中，因此，借助于封裝體、或存儲單元、或BANK可被并行訪問的特性，對同一數(shù)據(jù)的讀寫訪問可通過對不同封裝體、或不同存儲單元、或不同BANK的同時讀寫來實現(xiàn)，從而能夠節(jié)省讀寫訪問所需的時間，以確保存儲性能不會由于采用分布式存儲而被降低。


圖1a和圖1b為本發(fā)明實施例一中用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法的原理示意圖2a和圖2b為本發(fā)明實施例二中用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法的原理示意圖3a和圖3b為本發(fā)明實施例三中用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法的原理示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下參照附圖并舉實施例，對本發(fā)明進一步詳細說明。
在如圖1a和圖1b所示的實施例一中，存儲架構(gòu)包含至少兩個NAND FLASH封裝體 Γη (實施例一中的η為大于等于2的正整數(shù))，每個NAND FLASH封裝體中均劃分有數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)；并且，實施例一中用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法包括
當對上述存儲架構(gòu)執(zhí)行寫操作時，參見圖la，將數(shù)據(jù)的原始信息向其中一個 NANDFLASH封裝體i (實施例一中的i為大于等于I且小于等于η的正整數(shù))內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)寫入、并同時將數(shù)據(jù)的冗余位向另一個NAND FLASH封裝體j (實施例一中的j為大于等于I且小于等于η的正整數(shù)、實施例一中的j不等于實施例一中的i)內(nèi)的冗余存儲區(qū)寫 A ；
當對上述存儲架構(gòu)執(zhí)行讀操作時，參見圖1b，從一個NAND FLASH封裝體i內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)中讀取數(shù)據(jù)的原始信息、并同時從另一個NAND FLASH封裝體j內(nèi)的冗余存儲區(qū)讀取數(shù)據(jù)的冗余位。
可見，實施例一在各NAND FLASH封裝體中劃分出專用于存放數(shù)據(jù)原始信息的數(shù)據(jù)存儲區(qū)、以及專用于存放數(shù)據(jù)冗余位的冗余存儲區(qū)，因此，數(shù)據(jù)的原始信息和冗余位就能夠以分布式的存儲方式分別存放在對應的數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)、而無需集中存儲在一個 page中，從而，對于需要更多的冗余位的情況，就能夠有足夠的存儲空間來存放數(shù)據(jù)的原始信息和冗余位。
而且，在實施例一中，同一數(shù)據(jù)的原始信息及冗余位所分別對應的數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)位于不同NAND FLASH封裝體i和j中，因此，借助于NAND FLASH封裝體可被并行訪問的特性，對同一數(shù)據(jù)的讀寫訪問可通過對不同NAND FLASH封裝體i和j同時發(fā)起的讀寫操作來實現(xiàn)，從而能夠節(jié)省讀寫訪問所需的時間，以確保存儲性能不會由于采用分布式存儲而被降低。
在如圖2a和圖2b所示的實施例二中，存儲架構(gòu)中包含至少一個NAND FLASH封裝體，該封裝體中封裝有至少兩個存儲單元f η (實施例二中的η為大于等于2的正整數(shù))，每個存儲單元中劃分有數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)，實際應用中，實施例二所述的存儲單元可以為LUN (LogicalUnitNumber，邏輯單元號)或TARGET (目標);并且，實施例二中用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法包括
當對上述存儲架構(gòu)執(zhí)行寫操作時，參見圖2a，將數(shù)據(jù)的原始信息向其中一個存儲單元i (實施例二中的i為大于等于I且小于等于η的正整數(shù))內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)寫入、并同時將數(shù)據(jù)的冗余位向另一個存儲單元j (實施例二中的j為大于等于I且小于等于η的正整數(shù)、實施例二中的j不等于實施例二中的i)內(nèi)的冗余存儲區(qū)寫入；
當對上述存儲架構(gòu)執(zhí)行讀操作時，參見圖2b，從一個存儲單元i內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)中讀取數(shù)據(jù)的原始信息、并同時從另一個存儲單元j內(nèi)的冗余存儲區(qū)讀取數(shù)據(jù)的冗余位。
可見，實施例二在NAND FLASH封裝體的各存儲單元中劃分出專用于存放數(shù)據(jù)原始信息的數(shù)據(jù)存儲區(qū)、以及專用于存放數(shù)據(jù)冗余位的冗余存儲區(qū)，因此，數(shù)據(jù)的原始信息和冗余位就能夠以分布式的存儲方式分別存放在對應的數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)、而無需集中存儲在一個page中，從而，對于需要更多的冗余位的情況，就能夠有足夠的存儲空間來存放數(shù)據(jù)的原始信息和冗余位。
而且，在實施例二中，同一數(shù)據(jù)的原始信息及冗余位所分別對應的數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)位于不同存儲單元i和j中，因此，借助于存儲單元可被并行訪問的特性，對同一數(shù)據(jù)的讀寫訪問可通過對不同存儲單元同時發(fā)起的讀寫操作來實現(xiàn)，從而能夠節(jié)省讀寫訪問所需的時間，以確保存儲性能不會由于采用分布式存儲而被降低。
在如圖3a和圖3b所示的實施例三中，存儲架構(gòu)中包含至少一個NAND FLASH封裝體，該封裝體中封裝有 至少一個存儲單元，一個存儲單元中包括至少兩個BANK (存儲體)l"n (實施例三中的η為大于等于2的正整數(shù))，每個BANK中劃分有數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)， 實際應用中，實施例三所述的存儲單元可以為LUN或TARGET ;并且，實施例三中用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法包括
當對上述存儲架構(gòu)執(zhí)行寫操作時，參見圖3a，將數(shù)據(jù)的原始信息向其中一個 BANKi (實施例三中的i為大于等于I且小于等于η的正整數(shù))內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)寫入、并同時將數(shù)據(jù)的冗余位向另一個BANKj (實施例三中的j為大于等于I且小于等于η的正整數(shù)、 實施例三中的j不等于實施例三中的i)內(nèi)的冗余存儲區(qū)寫入；
當對上述存儲架構(gòu)執(zhí)行讀操作時，參見圖3b，從一個BANKi內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)中讀取數(shù)據(jù)的原始信息、并同時從另一個BANKj內(nèi)的冗余存儲區(qū)讀取數(shù)據(jù)的冗余位。
可見，實施例三在各BANK中劃分出專用于存放數(shù)據(jù)原始信息的數(shù)據(jù)存儲區(qū)、以及專用于存放數(shù)據(jù)冗余位的冗余存儲區(qū)，因此，數(shù)據(jù)的原始信息和冗余位就能夠以分布式的存儲方式分別存放在對應的數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)、而無需集中存儲在一個page中，從而，對于需要更多的冗余位的情況，就能夠有足夠的存儲空間來存放數(shù)據(jù)的原始信息和冗余位。
而且，在實施例三中，同一數(shù)據(jù)的原始信息及冗余位所分別對應的數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)位于不同BANKi和j中，因此，借助于BANK可被并行訪問的特性，對同一數(shù)據(jù)的讀寫訪問可通過對不同存儲單元同時發(fā)起的讀寫操作來實現(xiàn)，從而能夠節(jié)省讀寫訪問所需的時間，以確保存儲性能不會由于采用分布式存儲而被降低。
實際應用中，某些NAND FLASH封裝體的存儲單元會對不同BANK的并行訪問存在一定的限制，即，在同一個存儲單元中并行訪問的不同BANK的塊地址必須滿足一定的邏輯關(guān)系，例如并行訪問的不同BANK的塊地址的地址之差只能為I。此時，在同一個存儲單元中對不同BANK的并行訪問就會被嚴格限制在很小的范圍內(nèi)，相應地，會導致實施例三會受到相應的約束。
因此，在具體實現(xiàn)實施例三時，需要盡可能選取存儲單元不存在上述限制的 NANDFLASH封裝體、或考慮存儲單元存在的上述限制是否適用于實現(xiàn)實施例三的應用環(huán)境。 而對于實施例一和實施例二來說，就不會存在實施例三所涉及的限制。
另外，對于上述的實施例一、實施例二、以及實施例三來說，所涉及的數(shù)據(jù)既可以是系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)、也可以是非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)。
系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)會明確地劃分為信息數(shù)據(jù)段和冗余數(shù)據(jù)段，因此，若讀寫訪問的數(shù)據(jù)為系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)，則當發(fā)起寫訪問時，可以從系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)的信息數(shù)據(jù)段中直接提取得到原始信息、從系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)的冗余數(shù)據(jù)段中直接提取得到冗余位；當發(fā)起讀訪問時，將原始信息和冗余位分別填入至信息數(shù)據(jù)段和冗余數(shù)據(jù)段中、即可得到系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)。
而非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)則沒有通過字段明確劃分出原始信息和冗余位，因此，若讀寫訪問的數(shù)據(jù)為非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)，則當發(fā)起寫訪問時，可以按照預先設置的截取位置將非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)截取為原始信息和冗余位，而當發(fā)起讀訪問時，可以將原始信息和冗余位直接拼接形成非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)。
此外，上述的實施例一、實施例二、以及實施例三均以NAND FLASH為例，但實際應用中，對于除NAND FLASH之外的其他存儲介質(zhì)同樣適用，本文對此就不再一一列舉。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法，其特征在于，在應用該訪問控制方法的存儲架構(gòu)中包含至少兩個封裝體，每個封裝體中劃分有數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)；并且，該訪問控制方法包括 al、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行寫操作時，將數(shù)據(jù)的原始信息向其中一個封裝體內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)寫入、并同時將數(shù)據(jù)的冗余位向另一個封裝體內(nèi)的冗余存儲區(qū)寫入； bl、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行讀操作時，從一個封裝體內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)中讀取數(shù)據(jù)的原始信息、并同時從另一個封裝體內(nèi)的冗余存儲區(qū)讀取數(shù)據(jù)的冗余位。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的訪問控制方法，其特征在于，所述封裝體為NANDFLASH封裝體。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的訪問控制方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)為系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)，所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)包括信息數(shù)據(jù)段和冗余數(shù)據(jù)段，所述步驟al從所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)的信息數(shù)據(jù)段中提取得到原始信息、從所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)的冗余數(shù)據(jù)段中提取得到冗余位，所述步驟bl將原始信息和冗余位分別填入至信息數(shù)據(jù)段和冗余數(shù)據(jù)段中、以得到所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的訪問控制方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)為非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)，所述步驟al以預先設置的截取位置將所述非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)截取為原始信息和冗余位，所述步驟bl將原始信息和冗余位拼接形成所述非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)。
5.一種用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法，其特征在于，在應用該訪問控制方法的存儲架構(gòu)中包含至少一個封裝體，該封裝體中封裝有至少兩個存儲單元，每個存儲單元中劃分有數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)；并且，該訪問控制方法包括 a2、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行寫操作時，將數(shù)據(jù)的原始信息向其中一個存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)寫入、并同時將數(shù)據(jù)的冗余位向另一個存儲單元內(nèi)的冗余存儲區(qū)寫入； b2、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行讀操作時，從一個存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)中讀取數(shù)據(jù)的原始信息、并同時從另一個存儲單元內(nèi)的冗余存儲區(qū)讀取數(shù)據(jù)的冗余位。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的訪問控制方法，其特征在于，所述封裝體為NANDFLASH封裝體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的訪問控制方法，其特征在于，所述存儲單元為LUN、或為TARGET。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6或7所述的訪問控制方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)為系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)，所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)包括信息數(shù)據(jù)段和冗余數(shù)據(jù)段，所述步驟a2從所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)的信息數(shù)據(jù)段中提取得到原始信息、從所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)的冗余數(shù)據(jù)段中提取得到冗余位，所述步驟b2將原始信息和冗余位分別填入至信息數(shù)據(jù)段和冗余數(shù)據(jù)段中、以得到所述系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或6或7所述的訪問控制方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)為非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)，所述步驟a2以預先設置的截取位置將所述非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)截取為原始信息和冗余位，所述步驟b2將原始信息和冗余位拼接形成所述非系統(tǒng)碼數(shù)據(jù)。
10.一種用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法，其特征在于，在應用該訪問控制方法的存儲架構(gòu)中包含至少一個封裝體，該封裝體中封裝有至少一個存儲單元，該存儲單元中包含有至少兩個BANK，每個BANK中劃分有數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)；并且，該訪問控制方法包括 a3、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行寫操作時，將數(shù)據(jù)的原始信息向其中一個BANK內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)寫入、并同時將數(shù)據(jù)的冗余位向另一個BANK內(nèi)的冗余存儲區(qū)寫入； b3、當對所述存儲架構(gòu)執(zhí)行讀操作時，從一個BANK內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)中讀取數(shù)據(jù)的原始信息、并同時從另一個BANK內(nèi)的冗余存儲區(qū)讀取數(shù)據(jù)的冗余位。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于數(shù)據(jù)存儲的訪問控制方法。本發(fā)明在封裝體、或存儲單元、或BANK中劃分出數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)，因此，數(shù)據(jù)的原始信息和冗余位就能夠以分布式的存儲方式分別存放在對應的數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)、而無需集中存儲在一個page中，從而能夠提供足夠的存儲空間來存放數(shù)據(jù)的原始信息和冗余位；而且，在本發(fā)明中，同一數(shù)據(jù)的原始信息及冗余位所分別對應的數(shù)據(jù)存儲區(qū)和冗余存儲區(qū)位于不同封裝體、或不同存儲單元、或不同BANK中，因此，對同一數(shù)據(jù)的讀寫訪問可通過對不同封裝體、或不同存儲單元、或不同BANK的同時讀寫來實現(xiàn)，從而能夠節(jié)省讀寫訪問所需的時間，以確保存儲性能不會由于采用分布式存儲而被降低。
文檔編號G06F12/06GK102981976SQ20121051606
公開日2013年3月20日 申請日期2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月5日
發(fā)明者潘立陽, 麻昊志, 鄒宏飛 申請人:清華大學