專利名稱：與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法
與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域，尤其涉及一種與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法。背景技術(shù)：
Nand Flash(與非閃存)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域已經(jīng)得到了廣泛應(yīng)用。與非閃存的存儲(chǔ)陣列中通常包括若干個(gè)塊(block)，比如1024、2048、4096或其他數(shù)目個(gè)block，每個(gè)block包括有若干個(gè)頁(Page)，比·如128、256、512或其他數(shù)目個(gè)Page，每個(gè)page具有一定的字節(jié)數(shù)，比如256、512、1024或其他數(shù)目的字節(jié)數(shù)。
與非閃存的讀/寫操作的最小單位是page,擦除(Erage)操作的最小單位為 block。此外，與非閃存的另一個(gè)特性為同一個(gè)page如需重復(fù)寫,貝U必須擦除該page所在的整個(gè)塊。需要注意的是，此處的擦除操作不同于普通應(yīng)用中的刪除操作，刪除操作只是刪除了文件鏈表，實(shí)際在相應(yīng)的頁中的數(shù)據(jù)還是存在的，這里的擦除是指將整個(gè)塊的數(shù)據(jù)完全清除。在對(duì)與非閃存的實(shí)際寫的過程中，為了提高速度以及有些小文件，導(dǎo)致不是每次都把一個(gè)塊里面的所有頁全寫滿的，這樣過一段時(shí)間后，所有的塊都有數(shù)據(jù)了，其實(shí)可能每個(gè)塊里面還有很多的“空頁”，這樣形成了很多“碎片”，特別是對(duì)數(shù)據(jù)刪除的操作多了之后“碎片”更容易出現(xiàn)。
由于與非閃存采用的是塊擦除操作，因此需要經(jīng)常對(duì)與非閃存中的存儲(chǔ)空間進(jìn)行整理，即需要對(duì)與非閃存進(jìn)行“Merge (合并)”操作。所述合并操作的一個(gè)關(guān)鍵步驟就是將一個(gè)源頁(source page)中的數(shù)據(jù)搬運(yùn)至一個(gè)目的頁(destination page)中。這樣,經(jīng)過多次操作，可以將不同塊(block)中分布的多頁(page)零散有效數(shù)據(jù)，搬運(yùn)到同一個(gè)塊 (block)中的不同頁(page)中，從而使這幾個(gè)不同的塊空間可以被釋放。
現(xiàn)有技術(shù)中有兩種方式可以執(zhí)行實(shí)現(xiàn)上述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移的操作，第一種是讀/寫 (Read/Write，簡稱R/W)方式，第二種是內(nèi)拷貝(Copyback)方式。所述R/W方式就是先將與非閃存單元中的源頁中的數(shù)據(jù)讀取至閃存控制器中，隨后利用閃存控制器中的錯(cuò)誤校正碼(Error Correcting Code,簡稱ECC)處理電路對(duì)讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行校正，隨后所述閃存控制器再將校正后的數(shù)據(jù)寫入與非閃存單元中的目的頁中。很顯然，這種R/W方式由于需要將數(shù)據(jù)搬移至閃存控制器而操作時(shí)間較長，效率較低。所述Copyback方式就是將與非閃存單元中的源頁中的數(shù)據(jù)讀入與非閃存單元中的頁緩存(page register)，之后再將頁緩存內(nèi)的數(shù)據(jù)寫入與非閃存單元中的目的頁內(nèi)，這樣相對(duì)于R/W方式，其去掉了數(shù)據(jù)讀出至閃存控制器，再由閃存控制器寫入的時(shí)間，因此操作時(shí)間較短，效率較高。但是，用CopyBack 方式搬移數(shù)據(jù)由于沒有經(jīng)過ECC處理電路的校正，因此會(huì)累積誤碼，數(shù)據(jù)在多次CopyBack 操作后，可能會(huì)累積更多錯(cuò)誤而最終出錯(cuò)。
因此，本發(fā)明希望提出一種改進(jìn)的技術(shù)方案來克服上述技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，其可以發(fā)揮內(nèi)拷貝方式的速度快的優(yōu)勢，又能及時(shí)打斷誤碼的累積以避免錯(cuò)誤。
為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，該與非閃存單元內(nèi)記錄有其存儲(chǔ)陣列中的各個(gè)頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)， 其包括請(qǐng)求將所述存儲(chǔ)陣列中的一個(gè)源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至一個(gè)目的頁內(nèi)；獲取記錄的源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)；根據(jù)所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)判斷是采用內(nèi)拷貝方式還是采用讀/寫方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)；如果采用內(nèi)拷貝方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)，那么將所述目的頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)記錄為所述源頁的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)加一步長值，如果采用讀/寫方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)，那么將所述目的頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)記錄為一初始值。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明中，其可以根據(jù)源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)經(jīng)過內(nèi)拷貝次數(shù)來選擇讀/寫方式或內(nèi)拷貝方式中的一種對(duì)源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)行操作，可以發(fā)揮內(nèi)拷貝方式的速度快的優(yōu)勢，又能及時(shí)采用讀/寫方式打斷誤碼的累積。
關(guān)于本發(fā)明的其他目的，特征以及優(yōu)點(diǎn)，下面將結(jié)合附圖在具體實(shí)施方式
中詳細(xì)描述。

結(jié)合參考附圖及接下來的詳細(xì)描述，本發(fā)明將更容易理解，其中同樣的附圖標(biāo)記對(duì)應(yīng)同樣的結(jié)構(gòu)部件，其中
圖1為本發(fā)明中的與非閃存裝置在一個(gè)實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)框圖2為本發(fā)明中的存儲(chǔ)陣列中的一個(gè)頁的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)示例圖；
圖3為本發(fā)明中的存儲(chǔ)有各個(gè)頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)的頁表的示例圖4為本發(fā)明中的與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法在一個(gè)實(shí)施例中的流程示意圖5為圖4中的內(nèi)拷貝步驟在一個(gè)實(shí)施例中的流程示意圖；和
圖6為圖4中的讀/寫步驟在一個(gè)實(shí)施例中的流程示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
本發(fā)明的詳細(xì)描述主要通過程序、步驟、邏輯塊、過程或其他象征性的描述來呈現(xiàn)，其直接或間接地模擬本發(fā)明中的技術(shù)方案的運(yùn)作。所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員使用此處的這些描述和陳述向所屬領(lǐng)域內(nèi)的其他技術(shù)人員有效的介紹他們的工作本質(zhì)。
此處所稱的“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”是指與所述實(shí)施例相關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性至少可包含于本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”并非必須都指同一個(gè)實(shí)施例，也不必須是與其他實(shí)施例互相排斥的單獨(dú)或選擇實(shí)施例。此外，表示一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的方法、流程圖或功能框圖中的模塊順序并非固定的指代任何特定順序，也不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。
本發(fā)明既要利用內(nèi)拷貝(Copyback)方式的速度優(yōu)勢，又要及時(shí)利用讀/寫(R/W) 方式打斷誤碼的累積，從而可以提高與非閃存(NADN)裝置中合并(Merge)操作的效率，提升整體系統(tǒng)的性能。
圖1為本發(fā)明中的與非閃存(NADN FLASH)裝置I 00在一個(gè)實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)框圖。 如圖1所示，所述與非閃存裝置100包括閃存控制器110和與非閃存單元120。
所述閃存控制器110可以與主機(jī)進(jìn)行交互，并對(duì)所述與非閃存單元120進(jìn)行管理控制，所述閃存控制器110包括有錯(cuò)誤校正碼(Error Correcting Code)處理電路111。所述與非閃存單元120包括有存儲(chǔ)陣列121和頁緩存122 (pageregister)。所述存儲(chǔ)陣列121 通常包括若干個(gè)塊(block)，比如1024、2048、4096或其他數(shù)目個(gè)block，每個(gè)block包括有若干個(gè)頁(Page)，比如128、256、512或其他數(shù)目個(gè)Page，每個(gè)page具有一定的字節(jié)數(shù)，比如256、512、1024或其他數(shù)目的字節(jié)數(shù)。
圖4為本發(fā)明中的與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法400在一個(gè)實(shí)施例中的流程示意圖。所述數(shù)據(jù)處理方法400主要用于與非閃存單元120的合并(merge)操作中，其可以將存儲(chǔ)陣列121中的一個(gè)源頁(source page)內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝(copy)至一個(gè)目的頁(destination page)內(nèi)。在進(jìn)行數(shù)據(jù)搬運(yùn)時(shí)，需要搬出數(shù)據(jù)的頁被稱為源頁，需要搬入數(shù)據(jù)的頁被稱為目的頁，對(duì)于每次數(shù)據(jù)搬運(yùn)，其都對(duì)應(yīng)有自己的源頁和目的頁。
如圖4所示，所述數(shù)據(jù)處理方法400包括如下操作。
步驟410，請(qǐng)求將所述存儲(chǔ)陣列121中的一個(gè)源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至一個(gè)目的頁內(nèi)。
所述與非閃存裝置100通常與主機(jī)(比如計(jì)算機(jī)或智能手機(jī)等設(shè)備)配合使用。 在使用過程中，需要進(jìn)行合并操作或其它需要將一個(gè)頁內(nèi)的數(shù)據(jù)搬運(yùn)至另一個(gè)頁的操作時(shí)，所述閃存控制器120或主機(jī)會(huì)請(qǐng)求將所述存儲(chǔ)陣列121中的一個(gè)源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至一個(gè)目的頁內(nèi)。
步驟420，獲取記錄的源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)。
在本發(fā)明中，為了了解數(shù)據(jù)進(jìn)行內(nèi)拷貝的次數(shù)情況，可以對(duì)存儲(chǔ)陣列121中的可能進(jìn)行數(shù)據(jù)搬運(yùn)的頁都記錄其 內(nèi)數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)。
圖2示出了存儲(chǔ)陣列121中的一個(gè)頁的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)示例圖，每個(gè)頁都包括有有效負(fù)荷區(qū)(payload Bytes)和冗余區(qū)(Redundant Bytes),所述有效負(fù)荷區(qū)可以存儲(chǔ)有效負(fù)荷數(shù)據(jù)，所述冗余區(qū)可以存儲(chǔ)冗余數(shù)據(jù)，所述冗余數(shù)據(jù)包括錯(cuò)誤校正碼數(shù)據(jù)、頁/塊映射數(shù)據(jù)和擦除/合并數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)頁的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)可以記錄在擦除/合并數(shù)據(jù)中，在使用所述與非閃存裝置100時(shí)，可以將從各個(gè)頁中的冗余區(qū)中讀取出相應(yīng)的數(shù)據(jù)以形成一個(gè)頁表，該頁表中存儲(chǔ)有各個(gè)頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)，這樣從該頁表中可以獲取其記錄的任意一個(gè)頁的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)。
在另一個(gè)實(shí)施例中，也可以直接建立頁表，并將該表存儲(chǔ)到存儲(chǔ)陣列的某個(gè)位置， 在使用所述與非閃存裝置100時(shí)，可以讀出該頁表，這樣從該頁表中可以獲取其記錄的任意一個(gè)頁的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)。如圖3所示，其示意性的示出了該頁表，該列表有記錄有η 個(gè)塊(分別為Β1、Β2、Βη)每個(gè)塊的m個(gè)頁(分別為P1、P2、Pm)內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)。
步驟430，判斷所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)是否小于一預(yù)定閾值，如果是，則進(jìn)入步驟440，否則，則進(jìn)入步驟450。
由于與非閃存的特性，每次在一個(gè)頁內(nèi)寫數(shù)據(jù)都會(huì)有一定的誤碼率(BitEiror，單位為bit/page)，這個(gè)誤碼率總是存在于一定的范圍內(nèi)，這里可以將最大誤碼率記為Y，而 ECC處理電路111的容錯(cuò)能力(bit/page)通常是一定的，其可以記為X。在一個(gè)實(shí)施例中， 可以根據(jù)ECC處理電路111的容錯(cuò)能力X和頁的誤碼率Y計(jì)算得到所述預(yù)定閾值N。
具體的，N為小于X/Y-1的整數(shù)，比如X=48bit/page, Y=5bit/page,那么N可以為 小于等于8的整數(shù)。假如Y=5bit/page,那么經(jīng)過10次copyback之后,頁的誤碼率就累積 至少50bit/page,再加上第一次寫入一個(gè)頁(不計(jì)算在copyback次數(shù)內(nèi))的誤碼率5bit, 那么將高達(dá)55bit/page，超出了 ECC處理電路111的容錯(cuò)能力48bit/page，因此需要限定 copyback次數(shù)。假如經(jīng)過8次copyback之后，頁的誤碼率就累積至少Y*8=40bit/page, 再加上第一次寫入一個(gè)頁(不計(jì)算在copyback次數(shù)內(nèi))的誤碼率5bit，那么達(dá)到45bit/ page，如果再經(jīng)過一次copyback之后那么將超出ECC處理電路111的容錯(cuò)能力，因此在內(nèi) 拷貝次數(shù)等于8時(shí)則需要采用R/W方式操作。
在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，預(yù)定閾值N等于X/Y-1的整數(shù)。
步驟440，采用內(nèi)拷貝方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)，其也可以簡 稱為內(nèi)拷貝操作。
在一個(gè)實(shí)施例中，如圖5所示，所述內(nèi)拷貝操作包括如下操作。
步驟441，閃存控制器110發(fā)送內(nèi)拷貝命令給所述與非閃存單元120，該內(nèi)拷貝命 令包括有源頁的地址和目的頁的地址。
步驟442，所述與非閃存單元120根據(jù)所述內(nèi)拷貝命令將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)讀出 至頁緩存122中。步驟443，所述與非閃存單元120再將所述頁緩存中的數(shù)據(jù)寫入所述目的頁中。 這樣就完成了一次讀/寫操作，可以采用同樣的方法來完成多個(gè)讀/寫操作。 步驟450，采用讀/寫方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)，其也可以簡 寫操作。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖6所示，所述讀/寫操作包括如下操作。步驟451，閃存控制器110發(fā)送讀命令給所述與非閃存單元120，該讀命令包括有步驟452，所述與非閃存單元120根據(jù)所述讀命令將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)讀出至頁 步驟453，所述與非閃存單元120將所述頁緩存中的數(shù)據(jù)讀出至所述閃存控制器
稱為讀
源頁的地址。
緩存中，
110 中。
步驟454，所述閃存控制器110中的錯(cuò)誤校正碼處理電路11對(duì)讀入所述閃存控制 器內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)行校正。
步驟455，所述閃存控制器110發(fā)送寫命令給所述與非閃存單元120，該寫命令包 括有目的頁的地址。
步驟456，所述閃存控制器110將校正后的數(shù)據(jù)寫入至所述頁緩存中。
步驟457，所述閃存控制器110再將所述頁緩存中的數(shù)據(jù)寫入至所述目的頁中。
這樣就完成了一次讀/寫操作，可以采用同樣的方法來完成多個(gè)讀/寫操作。
所述方法經(jīng)過步驟440后，進(jìn)入步驟460，更新目的頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)，具 體為將所述目的頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)記錄為所述源頁的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)加一步長 值S。典型的，該步長值S為I。舉例來說，假如數(shù)據(jù)采用內(nèi)拷貝方式由Pagel (源頁)拷貝 到Page2 (目的頁)，記錄的Pagel內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)為Zps，那么目的頁P(yáng)age2內(nèi)的數(shù) 據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)將被記錄為Zpd=Zps+S。
所述方法經(jīng)過步驟450后，進(jìn)入步驟470，更新目的頁內(nèi)數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)，具體為將所述目的頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)記錄為一初始值Z0，即表示目前該目的頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)為零。典型的，所述初始值為O。
綜上所述，本發(fā)明可以追蹤每個(gè)頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)，從而可以充分利用內(nèi)拷貝操作的優(yōu)勢，同時(shí)也不會(huì)利用讀/寫操作及時(shí)打斷內(nèi)拷貝操作累積的誤碼率，從而可以避免過多次的內(nèi)拷貝操作而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)出錯(cuò)的問題。
在一個(gè)示例中，Copyback操作的實(shí)測的處理時(shí)間Tc=L lms/Page,R/W實(shí)測的處理時(shí)間Trw=L 56ms/Page，兩者相差還是較大的，因此更多次的利用內(nèi)內(nèi)拷貝操作可以提升整個(gè)系統(tǒng)的性能和效率。
上文對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了足夠詳細(xì)的具有一定特殊性的描述。所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，實(shí)施例中的描述僅僅是示例性的，在不偏離本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍的前提下做出所有改變都應(yīng)該屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍是由所述的權(quán)利要求書進(jìn)行限定的，而不是由實(shí)施例中的上述描述來限定的。
權(quán)利要求
1.一種與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，該與非閃存單元內(nèi)記錄有其存儲(chǔ)陣列中的各個(gè)頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)，其包括 請(qǐng)求將所述存儲(chǔ)陣列中的一個(gè)源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至一個(gè)目的頁內(nèi)； 獲取記錄的源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)； 根據(jù)所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)判斷是采用內(nèi)拷貝方式還是采用讀/寫方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)； 如果采用內(nèi)拷貝方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)，那么將所述目的頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)記錄為所述源頁的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)加一步長值，如果采用讀/寫方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)，那么將所述目的頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)記錄為一初始值。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，根據(jù)所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)判斷是采用內(nèi)拷貝方式還是采用讀/寫方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)包括 判斷所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)是否大于或等于一預(yù)定閾值，如果是，則采用采用讀/寫方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)，否則，則采用內(nèi)拷貝方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，根據(jù)錯(cuò)誤校正碼處理電路的容錯(cuò)能力和與非閃存單元的頁的誤碼率計(jì)算得到所述預(yù)定閾值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述步長值為I，所述初始值為O。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)陣列中的每個(gè)頁包括有效負(fù)荷數(shù)據(jù)和冗余數(shù)據(jù)，所述冗余數(shù)據(jù)中記錄有該對(duì)應(yīng)頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，在存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)有一個(gè)頁表，該頁表中記錄有各個(gè)頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述以內(nèi)拷貝方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)包括 閃存控制器發(fā)送內(nèi)拷貝命令給所述與非閃存單元，該內(nèi)拷貝命令包括有源頁的地址和目的頁的地址； 所述與非閃存單元根據(jù)所述內(nèi)拷貝命令將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)讀出至頁緩存中，之后再將所述頁緩存中的數(shù)據(jù)寫入所述目的頁中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述以讀/寫方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)包括 閃存控制器發(fā)送讀命令給所述與非閃存單元，該讀命令包括有源頁的地址； 所述與非閃存單元根據(jù)所述讀命令將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)讀出至頁緩存中，之后將所述頁緩存中的數(shù)據(jù)讀出至所述閃存控制器中； 所述閃存控制器中的錯(cuò)誤校正碼處理電路對(duì)讀入所述閃存控制器內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)行校正； 所述閃存控制器發(fā)送寫命令給所述與非閃存單元，該寫命令包括有目的頁的地址；和所述閃存控制器將校正后的 數(shù)據(jù)寫入至所述頁緩存中，之后再將所述頁緩存中的數(shù)據(jù)寫入至所述目的頁中。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種與非閃存單元的數(shù)據(jù)處理方法，其包括請(qǐng)求將所述存儲(chǔ)陣列中的一個(gè)源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至一個(gè)目的頁內(nèi)；獲取記錄的源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)；根據(jù)所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)判斷是采用內(nèi)拷貝方式還是采用讀/寫方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)；如果采用內(nèi)拷貝方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)，那么將所述目的頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)記錄為所述源頁的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)加一步長值，如果采用讀/寫方式將所述源頁內(nèi)的數(shù)據(jù)拷貝至所述目的頁內(nèi)，那么將所述目的頁內(nèi)的數(shù)據(jù)的內(nèi)拷貝次數(shù)記錄為一初始值。這樣，既可以發(fā)揮內(nèi)拷貝方式的速度快的優(yōu)勢，又能及時(shí)采用讀/寫方式打斷誤碼的累積。
文檔編號(hào)G06F11/08GK102981780SQ20121048077
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月21日
發(fā)明者付建云, 奚靖, 盧丹華, 徐建輝, 麻偉建 申請(qǐng)人:杭州華瀾微科技有限公司