專利名稱：多點觸控檢測模塊、多點觸控檢測方法及電腦程序產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本揭示內(nèi)容是有關(guān)于一種觸控面板，且特別是有關(guān)于一種電容式觸控檢測器陣列。
背景技術(shù)：
根據(jù)維基百科所述，電容式觸控檢測是依電容耦合效應(yīng)而進(jìn)行觸控物位置的技術(shù)。由行列排列的檢測器矩陣實現(xiàn)的二維(或雙向)電容表面(surface)掃瞄方法為已知的技術(shù)。根據(jù)維基百科，電容觸控屏幕的面板包括絕緣物質(zhì)如玻璃，并以透明導(dǎo)電物質(zhì)如氧化銦錫(indium tin oxide ;ΙΤ0)覆蓋于其上。由于人體亦可導(dǎo)電，因此在觸碰到屏幕的表面后會造成屏幕靜電場的扭曲，并以電容變化的程度被測量出。在判斷觸控位置時可應(yīng)用不同的技術(shù)進(jìn)行。而判斷出的觸控位置將被送至控制器以進(jìn)行處理。觸控檢測模塊為可通過連接至位于觸控面板上的觸面表面的觸控檢測器進(jìn)行電容值的測量。觸控面板可置于移動裝置或是平板電腦的屏幕上。于本揭示內(nèi)容的說明書中提及的公開文件與專利文件，以及直接或間接引用的公開文件與專利文件，在此做為參考文獻(xiàn)進(jìn)行引述
發(fā)明內(nèi)容
·以下所述的名詞是由已知技術(shù)文件中的敘述定義亦或由本說明書的敘述定義。主動區(qū)為觸控面板上經(jīng)碰觸后會據(jù)而產(chǎn)生觸控檢測結(jié)果的區(qū)域。主動區(qū)端點設(shè)置于主動區(qū)周邊的端點以及并連接主動區(qū)與觸控面板端點的走線(trace)ο電容檢測器、觸控檢測器或檢測器對僅一個觸控表面進(jìn)行電感值的測量的單元，如取樣邏輯(sampling logic)元件。導(dǎo)電形狀單元請參見觸控形狀單元。液晶顯示器利用液晶顯示技術(shù)的顯示器，市面上的液晶顯示器廠商主要有三星、樂金及菲利浦。線性矩陣沿著部分或整體維度(如X軸、y軸或斜對角線)成一列、一行或是一斜對角線排列的菱形單元(或其他導(dǎo)電形狀單元)。主要處理單元系統(tǒng)的主要處理單元，位于觸控模塊、面板或屏幕。以個人電腦為例，處理單元的制造商有英特爾(Intel)，以智能型手機(jī)及平板電腦為例，處理單元的制造商有三星、德州儀器、輝達(dá)及高通。鄰接(neighbors):與觸控面板上的一個特定觸控表面相鄰接,不論是垂直、水平或是斜角方向，的觸控表面。覆蓋(overlies)、觸碰(touches)、與…相接觸(comeinto contact)、觸發(fā)(activates)等詞匯可交替使用以描述手指連接或接近至少一部分(即部分或全部)的觸控表面或菱形單元。峰值位置根據(jù)一觸控物產(chǎn)生觸控的大略位置，舉例來說，可由圖17的步驟2040來計算。間距(pitch) :二鄰接物體的間距，一般來說是二物體的中心的距離。表面間距二鄰接的觸控表面間沿一軸線的中心距離。列距二鄰接且同行的觸控表面間的中心距離。行距二相鄰行的觸控表面間的中心距離。原始數(shù)據(jù)(raw data):與觸控面板上的觸控表面相連接的檢測器的檢測讀數(shù)。 檢測讀數(shù)由電容檢測器的取樣邏輯元件所測量的數(shù)值，代表觸控強(qiáng)度。形狀單元集合不需要緊鄰配置的菱形單元或其他形狀單元。交錯分布(staggered layout):如圖13所示,觸控表面的分布形式為大部分或全部的觸控表面均排列為線性陣列如多個行，并且各行觸控表面間質(zhì)心的垂直位置交錯，以使各行間的觸控表面的質(zhì)心的垂直位置較其鄰接行的線性陣列中的最接近的觸控表面的質(zhì)心為略高(或略低)。因此，舉例來說，于一觸控表面行中的大部分觸控表面的任一者的質(zhì)心的垂直位置(如y軸上)較其鄰接行的線性陣列中的最接近的觸控表面的質(zhì)心可能相差至半個觸控表面的高度。舉例來說，圖Ia及圖Ib為拉鏈?zhǔn)椒植嫉挠|控表面，其中E觸控表面即為交錯分布。交錯級數(shù)目各觸控表面行(假設(shè)所有觸控表面行均為互相交錯)可能具有的不同偏移數(shù)。舉例來說，在二級交錯(圖5a及圖5b)中，于一個觸控表面行中第一個完整的觸控表面(如由底部)可自觸控表面底部或是一個觸控表面高度的二分之一開始。另一方面,三級交錯中(圖5c)，于一個觸控表面行中第一個完整的觸控表面(如由底部)可自觸控表面底部、觸控表面高度的三分之一或高度的三分之二開始。一個完整的觸控表面為一個具有完整尺寸的觸控表面，與和觸控面板邊緣相鄰接而需被裁切掉一部分的觸控表面不同。一般來說，觸控面板上大部分的觸控表面均為完整的。觸控表面的高度在此是指一個完整的觸控表面的最低點與其上的觸控表面的最低點間的垂直距離。儲存裝置用以儲存電腦數(shù)據(jù)的裝置，例如，但不限于，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)0基板絕緣物如玻璃，觸控表面與走線可分布于其上。電容式觸控裝置電容測量裝置，一組電容檢測器，以分布于整體觸控面板上。觸控控制器觸控檢測裝置以及處理單元。如觸控控制器位于一個芯片中，則用以控制觸控面板的整體處理單元可分布于芯片以及主要處理單元間。制造商有賽普拉斯(Cypress)、愛特梅爾(Atmel )、義隆(ELAN)、新思(Synaptics)與美法思(Melfas)。觸控布局或布局觸控面板中的觸控表面的地域位置。無框(frameless)布局一種觸控布局,其觸控表面的至少于觸控面板主動區(qū)的三側(cè)具有邊界，而其連接走線僅由一側(cè)延伸至主動區(qū)外。觸控模塊觸控面板、控制器及連接件(如軟板)的總稱。市面上的制造商包括三星、WTK、TPK、YFO、AUO 及 HSD。觸控物件一個觸碰至觸控面板的物體(例如手指、觸控筆或銅桿)。
觸控面板或電容表面觸控墊、軌跡墊或觸控屏幕，包含多個導(dǎo)電形狀單元如多角形(例如為四邊形，可為具90度角且四邊等長的菱形)，或甚至是圓形。市面上的制造商包括三星、WTK、TPK、YFO、AUO 及 HSD。觸控表面裝置觸控面板觸控面板元件一個觸控表面以及將此觸控表面連接至一個觸控檢測器、一個觸控檢測裝置或一個觸控面板端點的走線。在觸控屏幕上的應(yīng)用，觸控面板元件一般是由透明導(dǎo)電物的圖樣實現(xiàn)。觸控面板端點觸控面板上的觸控墊，觸控檢測器通過觸控墊連接至觸控面板元件。觸控形狀單元一個導(dǎo)電的形狀單元，可以一個或以上的單元形成觸控表面。需注意的是任何適合的幾何形狀都可以用以實現(xiàn)，例如，但不限于圖Ia至圖4b所示的菱形·(diamond),或是圖13所示為交錯分布的矩形,或是其他如圖31a至圖31c所示的其他形狀。各菱形通常包括一個四邊形如方形，其側(cè)邊的延伸方向與矩形的觸控面板的延伸方向為斜向。各矩形通常包括一個四邊形如方形，其側(cè)邊的延伸方向與矩形的觸控面板的延伸方向為平行。觸控表面或E表面一個或多個導(dǎo)電形狀單元(又稱為觸控形狀)的集合，如菱形單元連接為單一單元以測量電容值。需注意的是本發(fā)明于此及其他本說明書中，加上適當(dāng)修正后，可適用任何三角形、四邊形或其他形狀的單元以取代本發(fā)明圖示及文字描述的實施例中所舉例的菱形單元。走線電性連接線，用以連接觸控形狀單元、觸控表面、觸控面板端點以及觸控檢測器。自電容(self-capacitance)或表面電容(surface-capacitance)一種電容值測量方法，以測量一個物體的電容，且不需要其他的驅(qū)動及感測電極，與互電容(mutualcapacitance)測量方法不相同。本發(fā)明的部分實施例欲提供結(jié)合單層觸控面板布局以及多點觸控檢測裝置的裝置。本發(fā)明的部分實施例欲提供多點觸控模塊，包括觸控面板、包括觸控檢測器的觸控檢測裝置以及處理單元。觸控面板包括一個絕緣基板如玻璃以及各包括一觸控表面及將觸控表面連接至觸控檢測裝置或觸控面板端點的一走線的觸控面板元件。處理單元用以初始化觸控檢測裝置的測量運(yùn)作過程，其中此測量運(yùn)作過程將取得檢測器讀數(shù)，并執(zhí)行一個計算檢測方法以推導(dǎo)出觸碰到觸控面板的多個觸控物體的位置。一般來說，觸控面板元件均位于單一層中，而非如已知系統(tǒng)中位于不同層，因此可減少制造成本。處理單元一般執(zhí)行部分或全部下列的程序(I)初始化由觸控檢測裝置的觸控表面進(jìn)行的電容測量運(yùn)作過程。(2)自觸控檢測裝置接收檢測器讀數(shù)。(3)計算觸控物體的位置。本揭示內(nèi)容更提供一個電容表面的設(shè)計，可結(jié)合利用排列成行列的觸控檢測器及多個平均分布于觸控表面裝置上的獨立表面，又稱為封裝(encapsulated)表面或封裝感測器，來檢測多個觸控物體的位置。一個計算于觸控表面裝置上的多個觸控位置的裝置及方法。此方法包括檢測位于觸控表面裝置上的多個觸控動作，并計算位于觸控表面裝置上的多個觸控位置。此裝置可包括設(shè)置于二維表面上的一組檢測器元件，以及連接至額外設(shè)置的檢測器的一組封裝獨立表面。一個觸控表面裝置模糊計算方法，包括檢測位于觸控表面裝置上不同位置的多個實質(zhì)且同時進(jìn)行的觸控動作的存在，并計算這些位于觸控表面裝置上不同位置的多個實質(zhì)且同時進(jìn)行的觸控動作的位置。一個上述的觸控表面裝置模糊計算方法，其中計算位置的步驟更包括檢測位于二維表面上多個導(dǎo)電觸控物的存在；檢測接近觸控表面裝置的覆蓋(encapsulated)表面 的多個導(dǎo)電觸控物的存在；以及根據(jù)二維表面及覆蓋表面的檢測判斷導(dǎo)電觸控物的存在位置。一個上述的觸控表面裝置模糊計算方法，其中計算位置的步驟更包括檢測位于二維表面上多個導(dǎo)電觸控物的存在；檢測接近觸控表面裝置中一組，如一個陣列的覆蓋表面的多個導(dǎo)電觸控物的存在；以及根據(jù)二維表面及覆蓋表面的檢測判斷導(dǎo)電觸控物的存在位置。一個上述的觸控表面裝置模糊計算方法，其中可通過測量的檢測器權(quán)重進(jìn)行加權(quán)平均、二次拋物線方程式逼近計算觸控位置?！獋€上述的觸控表面裝置模糊計算方法，其中可通過測量的檢測器權(quán)重進(jìn)行加權(quán)平均計算觸控位置。一個上述的觸控表面裝置模糊計算方法，其中計算實質(zhì)觸控的數(shù)目的步驟包括檢測位于觸控表面裝置的覆蓋表面的多個導(dǎo)電觸控物的存在。—個以表面電容為基礎(chǔ)的多點觸控面板裝置,包括(a) 一個觸控面板，在第一軸線及第二軸線分別具有L維及K維，并包括多個導(dǎo)電形狀單元，此觸控面板更包括(i)至少一列觸控表面，包括該些導(dǎo)電形狀單元的一個子集合，沿第一軸線排列成一列，其中在此子集合中的所有導(dǎo)電形狀單元連接至一列向電容檢測器；以及(ii)多個概略位置提示觸控表面，其中各概略位置提示觸控表面沿第一軸線及第二軸線的維度分別小于L及K，且其中該些概略位置提示觸控表面各分別與多個概略位置提示電容檢測器連接；以及(b) 一個回應(yīng)信號分析器，用以根據(jù)由至少一個概略位置提示觸控表面得到的至少一回應(yīng)信號辨識沿兩個軸線上的各觸控動作發(fā)生的概略位置、用以根據(jù)至少一列觸控表面得到的至少一回應(yīng)信號修正概略位置沿第一軸線及第二軸線的至少一分量，以及據(jù)以輸出兩軸線上經(jīng)修正后的觸控位置。本發(fā)明包括至少下列實施例實施例I :一種多點觸控檢測模塊，包括多個導(dǎo)電的觸控表面，分別連接至至少一走線，其中觸控表面是排列為數(shù)目大于二的多個觸控表面行，且各觸控表面行包括數(shù)目大于二的觸控表面，其中觸控表面于觸控表面行的多個對應(yīng)位置形成多個交錯列，且觸控表面均位于單一導(dǎo)電物質(zhì)層中。
實施例2 :如實施例I所述的多點觸控檢測模塊,其中大部分觸控表面各具有第一維度長度及第二維度長度，且第一維度長度大于第二維度長度。實施例3 :如實施例I所述的多點觸控檢測模塊，其中大部分走線穿越于觸控表面間而非穿越觸控表面。實施例4 :如實施例2所述的多點觸控檢測模塊，其中觸控表面具有多個平面軸且觸控表面是相交錯，以使至少大部分的觸控表面的平面軸間定義出一比例，其中比例的數(shù)量級等于依觸控表面定義的交錯級數(shù)目(staggering level)。實施例5 :如實施例2所述的多點觸控檢測模塊，其中導(dǎo)電的觸控表面的交錯級數(shù)目滿足下列式子O. 6* {交錯級數(shù)目}■ (stagger level)〈={列距(row pitch)}/{行距((3011111111pitch)} <=1. 8* {交錯級數(shù)目}。 實施例6 :如實施例I或2或3所述的多點觸控檢測模塊，其中交錯列具有等于2的一交錯級數(shù)目。實施例7 :如實施例I或2或3所述的多點觸控檢測模塊，其中觸控表面為矩形。實施例8 :如實施例I或2或3所述的多點觸控檢測模塊，更包括觸控檢測裝置，包括多個觸控檢測器以檢測觸控物與至少一導(dǎo)電的觸控表面間的觸控；以及一處理單元，與觸控檢測裝置相連接，以讀取觸控檢測裝置的多個自電容(self-capacitance)測量值并根據(jù)自電容測量值計算與觸控表面接觸的多個物體相對應(yīng)的多個觸控位置。實施例9 :如實施例8所述的多點觸控檢測模塊，其中處理單元對觸控檢測裝置產(chǎn)生的多個觸控測量值進(jìn)行調(diào)整使觸控測量值分組依序產(chǎn)生，以使多個觸控面板元件間相容性率禹合(capacitively coupled)不同時被測量。實施例10 :如實施例8所述的多點觸控檢測模塊，其中處理單元對至少一觸控檢測器讀數(shù)進(jìn)行調(diào)整，以對觸控檢測器讀數(shù)中，相鄰的多個觸控面板元件間的多個已知容性耦合效應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)償。實施例11 :如實施例8所述的多點觸控檢測模塊，其中處理單元計算觸控位置更包括對根據(jù)形成多個線性陣列的觸控表面間的交錯排列可能產(chǎn)生的信號失真(distortion)，通過轉(zhuǎn)換與觸控表面相連接的觸控檢測器的多個讀數(shù)為由觸控表面切割出的多個虛擬平面的多個計算理論(computed theoretical)電容讀數(shù)形成的讀數(shù)矩陣，以形成多個列非交錯平面來進(jìn)行補(bǔ)償。實施例12 :如實施例8所述的多點觸控檢測模塊，其中處理單元計算觸控位置更包括辨識多個觸控面板感測峰值位置。實施例13 :如實施例12所述的多點觸控檢測模塊，其中辨識觸控面板感測峰值更包括尋找代表可能根據(jù)多個觸控動作產(chǎn)生的多個感測峰值位置以及執(zhí)行峰值位置移除測試程序以濾除并非對應(yīng)至真實的觸控動作的該等感測峰值位置。實施例14 :如實施例12所述的多點觸控檢測模塊，更包括執(zhí)行峰值位置分離程序。實施例15 :如實施例12所述的多點觸控檢測模塊，其中辨識觸控面板感測峰值位置更包括計算分別對應(yīng)至一特定峰值位置的多個坐標(biāo)，且坐標(biāo)分別沿X軸及I軸定義，計算等坐標(biāo)更包括根據(jù)由鄰接于特定峰值位置的觸控檢測器產(chǎn)生的多個觸控檢測器讀數(shù)計算加權(quán)平均值，其中各觸控檢測器讀數(shù)對應(yīng)的權(quán)重包括對應(yīng)于X軸及I軸上的觸控檢測器中心坐標(biāo)。實施例16 :如實施例8所述的多點觸控檢測模塊，其中處理單元計算觸控位置更包括辨識多個觸控面板感測峰值位置，且處理單元根據(jù)由觸控表面切割出的多個虛擬平面形成形成多個列非交錯平面來計算觸控面板感測峰值位置對應(yīng)的X坐標(biāo)以及I坐標(biāo)，其中用以計算X坐標(biāo)的虛擬平面的第一列數(shù)大于用以計算X坐標(biāo)的虛擬平面的第一行數(shù)，用以計算y坐標(biāo)的虛擬平面的第二行數(shù)大于用以計算y坐標(biāo)的虛擬平面的第二列數(shù)。實施例17 :如實施例16所述的多點觸控檢測模塊，其中用以計算X坐標(biāo)及y坐標(biāo)的虛擬平面中，于峰值位置周圍的至少一幾乎鄰接虛擬平面僅在幾乎鄰接虛擬平面的表面值小于或等于峰值位置周圍的較直接鄰接虛擬平面的表面值時用以計算X坐標(biāo)及y坐標(biāo)。 實施例18 :如實施例I所述的多點觸控檢測模塊，其中走線僅于觸控面板主動區(qū)的一側(cè)延伸至觸控面板主動區(qū)外且不于其他側(cè)延伸至觸控面板主動區(qū)外。實施例19 :如實施例I所述的多點觸控檢測模塊，其中走線中與各至少大部分觸控表面以對應(yīng)主動區(qū)端點相連接，是以非一直線的形式設(shè)置。其中非一直線的形式包括相連接的多個直線段。實施例20 :如實施例I所述的多點觸控檢測模塊，其中走線中與各至少大部分觸控表面以對應(yīng)主動區(qū)端點相連接，是以一一直線的形式設(shè)置。實施例21 一多點觸控檢測方法,應(yīng)用于觸控面板,包括提供多個導(dǎo)電的觸控表面，分別連接至至少一走線，其中觸控表面是排列為數(shù)目大于二的多個觸控表面行，且各觸控表面行包括數(shù)目大于二的觸控表面，其中觸控表面于觸控表面行的多個對應(yīng)位置形成多個交錯列，且觸控表面均位于單一導(dǎo)電物質(zhì)層中；以及使處理單元根據(jù)自電容測量以計算與觸控面板接觸的多個物體相對應(yīng)的多個觸控位置。實施例22 :如實施例21所述的多點觸控檢測方法，其中大部分觸控表面各具有第一維度長度及第二維度長度，且第一維度長度大于第二維度長度。實施例23 :如實施例21所述的多點觸控檢測方法，其中走線穿越于觸控表面間而非穿越觸控表面。實施例24 :—種電腦程序產(chǎn)品，包括非易失性電腦可讀取紀(jì)錄媒體，用以儲存電腦可讀取程序碼，電腦可讀取程序碼使多點觸控檢測模塊執(zhí)行一種多點觸控檢測方法，其中多點觸控檢測模塊包括多個導(dǎo)電的觸控表面，分別連接至至少一走線，其中觸控表面是排列為數(shù)目大于二的多個觸控表面行，且各觸控表面行包括數(shù)目大于二的觸控表面，其中觸控表面于觸控表面行的多個對應(yīng)位置形成多個交錯列，且觸控表面均位于單一導(dǎo)電物質(zhì)層中，多點觸控檢測方法包括下列步驟讀取多個自電容測量值并根據(jù)自電容測量值計算與觸控表面接觸的多個物體相對應(yīng)的多個觸控位置；其中根據(jù)自電容測量值計算觸控位置的步驟更包括
由觸控表面切割出的多個虛擬平面，以形成多個列非交錯平面；以及通過轉(zhuǎn)換與觸控表面相連接的觸控檢測器的多個讀數(shù)為虛擬平面的多個計算理論電容讀數(shù)形成的讀數(shù)矩陣，以對根據(jù)形成陣列的觸控表面間的交錯排列可能產(chǎn)生的信號失真進(jìn)行補(bǔ)償。實施例25 :如實施例24所述的電腦程序產(chǎn)品，其中根據(jù)自電容測量值計算等觸控位置的步驟是由處理單元進(jìn)行。實施例26 :如實施例21所述的多點觸控檢測方法，其中至少大部分觸控表面具有第一軸線以及長度大于第一軸線的第二軸線，當(dāng)排除姆指或巨大單一物體時所檢測到的觸控檢測圖形顯示為沿第二軸線且具大斜率的長直線以及沿第一軸線的較短直線，峰值位置將被判斷為依據(jù)平行第二軸線的單一觸控表面行上的二相近觸控物體產(chǎn)生，而非依據(jù)單一觸控物體產(chǎn)生。實施例27 :如實施例13所述的多點觸控檢測模塊，其中當(dāng)至少一第一峰值位置鄰 接至第二峰值位置且第二峰值位置的值高于第一峰值位置的值，第一峰值位置被濾除。實施例28 :如實施例8所述的多點觸控檢測模塊，其中處理單元計算該等觸控位置更包括進(jìn)行影像處理。實施例29 :如實施例8所述的多點觸控檢測模塊，其中處理單元計算該等觸控位置更包括進(jìn)行多項式逼近法。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，分布有多個形狀單元，以定義鄰近的形狀單元間的邊界區(qū)且其中部分概略位置提示觸控表面覆蓋至少部分的邊界區(qū)。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例更提供一個裝置，其中對應(yīng)至多個概略位置提示電容檢測器其中之一的各概略位置提示觸控表面包括多個導(dǎo)電形狀單元中的一個子集合，且僅此子集合中的所有形狀單元連接于此些對應(yīng)的概略位置提示電容檢測器。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，其中概略位置提示觸控表面的分布，使任何于觸控面板上進(jìn)行的觸控至少部分碰觸到各個形狀單元集合的至少一部分。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，其中在觸控表面列外沒有任何形狀單元連接至列向電容檢測器。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，包括至少一行觸控表面，其包括多個形狀單元的一個子集合，且此子集合中的形狀單元沿第二軸線排列成一行，且所有此子集合中的形狀單元連接至一行向電容感測器。其中回應(yīng)信號分析器用以根據(jù)由至少一個概略位置提示觸控表面得到的至少一回應(yīng)信號辨識沿兩個軸線上的各觸控動作發(fā)生的概略位置、用以根據(jù)至少一列觸控表面得到的至少一回應(yīng)信號修正概略位置沿第一軸線及第二軸線的分量，以及據(jù)以輸出兩軸線上經(jīng)修正后的觸控位置。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，其中至少一列觸控表面包括至少二列觸控表面與多個概略位置提示觸控表面交相分布。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個多點觸控方法，以檢測一個觸控面板上同時產(chǎn)生的多個觸控，此方法更包括提供一個以表面電容為基的觸控面板，以支援多點觸控應(yīng)用，并且此方法包括使用表面電容觸控面板來實現(xiàn)多點觸控應(yīng)用。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個多點觸控方法，其中觸控面板用以實現(xiàn)具有一個特殊應(yīng)用需求解析度的至少一個多點觸控應(yīng)用，其中此方法包括沿X軸及I軸以較特殊應(yīng)用需求解析度更高的解析度對觸控動作定位，以提供近似的X軸及I軸坐標(biāo)，并修正X軸及I軸至少其中之一的坐標(biāo)至滿足特殊應(yīng)用需求解析度。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個多點觸控方法，其中觸控面板包括電容檢測器，且其中從鄰接的多個檢測器讀取的強(qiáng)度組合可用以準(zhǔn)確地對觸控面板上的觸控動作定位，而非僅對產(chǎn)生區(qū)域最大強(qiáng)度值的電容讀數(shù)的各個電容感測器進(jìn)行辨識來定位。各個強(qiáng)度值通常包括測得電容值與在未觸碰情形下的基礎(chǔ)電容值的差距。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，其中各概略位置提示觸控表面包括的形狀單元數(shù)目恰可共同產(chǎn)生一個總觸控表面，其尺寸位于沿觸控面板的至少一軸線定義的特殊應(yīng)用需求解析度范圍內(nèi)。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，其中各概略位置提示觸控表 面包括多個形狀單元。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個方法，其中觸控面板沿第一軸線及第二軸線分別具有L維及K維，并包括多個導(dǎo)電形狀單元，此觸控面板更包括(i)至少一列觸控表面，包括該些導(dǎo)電形狀單元的一個子集合，沿第一軸線排列成一列，其中在此子集合中的所有導(dǎo)電形狀單元連接至一列向電容檢測器；以及(ii)多個概略位置提示觸控表面，其中各概略位置提示觸控表面沿第一軸線及第二軸線的維度分別小于L及K，且其中該些概略位置提示觸控表面各分別與多個概略位置提示電容檢測器連接。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個方法，其中更包括對概略位置提示電容檢測器進(jìn)行掃瞄，以辨識至少一被同時產(chǎn)生的多多個觸控動作觸發(fā)的概略位置提示電容檢測器、根據(jù)已知的各概略位置提示電容檢測器計算此多多個觸控動作的概略位置以及利用來自電容檢測器而非概略位置提示電容檢測器的信息修正此概略位置以得到此多多個觸控動作的精確位置。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個方法，其中概略位置的計算是根據(jù)至少一鄰接概略位置提示電容檢測器的已知位置，其中此鄰接概略位置提示電容檢測器與連接至概略位置提示電容檢測器的一形狀單元鄰接的至少一形狀單元相連。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，其中概略位置提示觸控表面密集地分布于觸控面板上以確保觸控面板內(nèi)在當(dāng)手指觸控至各具手指尺寸大小的區(qū)域時，均觸發(fā)一組具手指尺寸大小的電容檢測器以產(chǎn)生一組對應(yīng)且獨特的強(qiáng)度值，此強(qiáng)度值與其他部分的觸控面板被觸控時觸發(fā)的強(qiáng)度值不相等。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個方法，更包括根據(jù)由至少一個概略位置提示觸控表面得到的至少一回應(yīng)信號辨識沿兩個軸線上的各觸控動作發(fā)生的概略位置、用以根據(jù)至少一列觸控表面得到的至少一回應(yīng)信號修正概略位置沿第一軸線及第二軸線的至少一分量，以及據(jù)以輸出兩軸線上經(jīng)修正后的觸控位置。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，其中概略位置提示觸控表面的分布，使任何于觸控面板上進(jìn)行的觸控至少部分碰觸到各個形狀單元集合的至少一部分。
于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，其中形狀單元包括菱形單
J Li ο于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個裝置，其中概略位置提示觸控表面的間距至少為一個人類手指的尺寸大小。本發(fā)明更提供(a) —個多點觸控模塊，包括一觸控檢測裝置，包括多個觸控檢測器；一觸控面板，包括
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一電性隔離基板； 多個導(dǎo)電觸控形狀單元，大部分導(dǎo)電觸控形狀單元各具有第一維度長度及第二維度長度，且第一維度長度大于第二維度長度，導(dǎo)電觸控形狀單元是排列為數(shù)目大于二的多個行，且各行包括數(shù)目大于二的導(dǎo)電觸控形狀單元，其中各行導(dǎo)電觸控形狀單元形成多個交錯列；多個走線，使導(dǎo)電觸控表面與觸控檢測裝置相電性連接；以及一處理單元，連接于觸控檢測裝置，用以讀取由觸控檢測裝置產(chǎn)生的觸控檢測器測量結(jié)果，并由觸控檢測器測量結(jié)果計算與觸控表面接觸的多個觸控物體的多個觸控位置。(b) —個多點觸控模塊，包括一個觸控面板，包括多個導(dǎo)電的觸控表面，其中觸控表面是排列為數(shù)目大于二的多個觸控表面行，且各觸控表面行包括數(shù)目大于二的觸控表面，其中觸控表面于觸控表面行的多個對應(yīng)位置形成多個交錯列；以及一觸控檢測裝置，包括多個觸控檢測器以檢測一個觸控物體與導(dǎo)電的觸控表面中至少一者間的觸碰。(C)如上所述的多點觸控模塊，更包括多個走線，使導(dǎo)電觸控表面與觸控檢測裝置相電性連接。(d)如上所述的多點觸控模塊，更包括一電性隔離基板。(e)如上所述的多點觸控模塊，其中觸控表面為交錯分布，以使形狀單元具有的多個平面軸間定義出一比例，其中比例的數(shù)量級等于依觸控表面定義的交錯級數(shù)目。(f) 一個多點觸控模塊，包括一個觸控面板，包括多個導(dǎo)電的觸控表面，其中觸控表面較佳但非必需地排列為數(shù)目大于二的多個觸控表面行，且各觸控表面行包括數(shù)目大于二的觸控表面，其中觸控表面于觸控表面行的多個對應(yīng)位置形成多個交錯列；以及一觸控檢測裝置，包括多個觸控檢測器以檢測一個觸控物體與導(dǎo)電的觸控表面中至少一者間的觸碰；其中觸控檢測測量值以群組方式由觸控檢測裝置，以使電容耦合的觸控面板元件不會同時被測量。(g) 一個模塊，其處理單元利用峰值位置的第一鄰近區(qū)計算峰值位置的X軸坐標(biāo)，以及利用峰值位置異于第一鄰近區(qū)的第二鄰近區(qū)計算峰值位置的y軸坐標(biāo)。(h) 一個模塊，具有多個主動區(qū)端點，且其中于包括大部分主動區(qū)端點的一個主動區(qū)端點子集合中的各主動區(qū)端點是與單一觸控面板端點相連接。各峰值位置起初包括由觸控檢測裝置檢測得到的一個區(qū)域最大值，舉例來說，如由觸控檢測裝置所讀取的一個觸控表面的電容值不低于其直接相鄰的觸控表面的電容值。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個電腦程序產(chǎn)品，包括一非易失性電腦可讀取紀(jì)錄媒體，用以儲存電腦可讀取程序碼，電腦可讀取程序碼使多點觸控檢測模塊執(zhí)行一種多點觸控檢測方法，以檢測觸控面板上同時進(jìn)行的多個觸控動作。多點觸控檢測方法包括提供一提供一個以表面電容為基的觸控面板，以支援多點觸控應(yīng)用，并且此方法包括使用表面電容觸控面板來實現(xiàn)多點觸控應(yīng)用。于此更根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例提供一個電腦程序產(chǎn)品，包括一非易失性電腦可用或可讀取紀(jì)錄媒體，通常為一實體，用以儲存電腦可讀取程序碼，電腦可讀取程序碼 可被執(zhí)行以實現(xiàn)任何或全部本發(fā)明所述的方法。需注意的是，任何或全部所述的計算步驟可由電腦實現(xiàn)。本發(fā)明所教示的運(yùn)作過程可由為特定目的建構(gòu)的電腦，或具有儲存于非易失性電腦可讀取紀(jì)錄媒體中為特定目的設(shè)置的電腦程序的一般電腦執(zhí)行。任何合適的處理器、顯示器及輸入裝置可用以處理、顯示(如于一電腦屏幕或其他電腦輸出裝置)、儲存及接收任何本發(fā)明所述的方法與裝置所使用或所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)。上述的處理器、顯示器及輸入裝置包括根據(jù)本發(fā)明部分或所有實施例中所述的電腦程序。本發(fā)明所述的任何或全部功能可由已知的個人電腦處理器、工作站或其他可程序裝置、電腦或電子運(yùn)算裝置，無論是通用亦或特別建構(gòu)的，來進(jìn)行處理，由電腦顯示屏幕及/或印表機(jī)及/或揚(yáng)聲器以顯示或播放，由機(jī)器可讀取存儲器如光學(xué)磁碟片、光碟、磁光碟片或其他磁片、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(random access memory ;RAM)、只讀存儲器(read only memory ；ROM)、抹除式可復(fù)寫只讀存儲器(electrically-erasable programmable read only ；EEPROM)以及電子抹除式可復(fù)寫只讀存儲器(electrically-erasable programmable readonly ;EEPR0M)、磁或光或其他儲存卡來儲存，以及由鍵盤或鼠標(biāo)來接收。上述的“處理”意指包括對數(shù)據(jù)進(jìn)行任何形式的計算、運(yùn)用或轉(zhuǎn)換，此數(shù)據(jù)可以物理現(xiàn)象如電子表現(xiàn)，并發(fā)生或儲存于如電腦的寄存器及/或存儲器中。上述的“處理器”意指包括單處理器單元或是多個分散式或遠(yuǎn)端處理單元。上述的裝置可通過任何有線或無線數(shù)字通信裝置進(jìn)行通信，如通過有線或是無線電話網(wǎng)絡(luò)或是電腦網(wǎng)絡(luò)如網(wǎng)際網(wǎng)絡(luò)。本發(fā)明的裝置根據(jù)本發(fā)明部分實施例可包括機(jī)器可讀取存儲器包括或儲存程序指令，當(dāng)由機(jī)器執(zhí)行時可實現(xiàn)本發(fā)明所述的部分或全部的裝置、方法、特征及功能。本發(fā)明的裝置根據(jù)本發(fā)明部分實施例可另包括或是額外包括以任何已知程序語言撰寫的上述程序碼，并選擇性地包括一個執(zhí)行上述程序碼的機(jī)器，例如但不限于一個通用電腦，可選擇性地根據(jù)本發(fā)明教示的內(nèi)容建構(gòu)或驅(qū)動。任何本發(fā)明的教示內(nèi)容在合適的情形下以不同的實體物質(zhì)產(chǎn)生的信號運(yùn)作。上述的實施例與其他實施例將在下個段落中有更詳細(xì)的敘述。任何本文中的文字及附圖中出現(xiàn)的商標(biāo)為其擁有者所有，并僅為了解釋或描述本發(fā)明的實施例如何實現(xiàn)而出現(xiàn)。
除特別敘述，下列于說明書討論過程中現(xiàn)在的詞匯如“處理”、“計算”、“預(yù)估”、“選擇”、“排序”、“分類”、“運(yùn)算”、“判斷”、“產(chǎn)生”、“評估”、“分類”、“產(chǎn)出”、“立體匹配”、“記錄”、
“檢測”、“關(guān)聯(lián)”、“疊加”、“取得”等，將如以下討論清楚的所描述的，意指一個電腦、電腦系統(tǒng)、處理器或是類似的電子計算裝置的處理過程或是行為，以對數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)用或轉(zhuǎn)換，此數(shù)據(jù)可以物理現(xiàn)象如電子表現(xiàn)，并發(fā)生于如電腦的寄存器、存儲器、其他信息儲存媒介、通信或是顯示裝置中?！彪娔X”一詞可廣義的涵蓋任何具有數(shù)據(jù)處理能力的電子裝置，包括，但不限于，個人電腦、服務(wù)器、計算系統(tǒng)、通信裝置、處理器(如數(shù)字信號處理器、微控制器、現(xiàn)場可編程門陣列、特殊應(yīng)用整合電路等)及其他電子計算裝置。本發(fā)明為求清楚，可能會以專指特定程序語言、作業(yè)系統(tǒng)、瀏覽器、系統(tǒng)版本、特殊產(chǎn)品等的術(shù)語進(jìn)行描述。需注意的是，此術(shù)語僅是為了清楚而簡短地表達(dá)一般的運(yùn)作原則，而非用以將本發(fā)明的范圍限制在特定的程序語言、作業(yè)系統(tǒng)、瀏覽器、系統(tǒng)版本或特殊產(chǎn)品上。各種于此列出的元件不必然各為獨立的元件，而可能是屬于同一結(jié)構(gòu)。 任何合適的輸入裝置，例如但不限于一檢測器，可用以產(chǎn)生或提供本發(fā)明所述的方法或裝置接收到的數(shù)據(jù)。任何合適的輸出裝置或顯示器可用以顯示或輸出本發(fā)明所述的方法或裝置接產(chǎn)生的數(shù)據(jù)。任何合適的處理器可用以計算或產(chǎn)生本發(fā)明所述的數(shù)據(jù)，如提供一個或多個模塊以執(zhí)行所述的功能。任何合適的電腦數(shù)據(jù)儲存裝置如電腦存儲器可用以儲存所述的系統(tǒng)所產(chǎn)生或接收的數(shù)據(jù)。所述的功能可以分配至服務(wù)器電腦以及多個用戶端電腦。所述的這些或任何其他電腦元件可在其間通過合適的電腦網(wǎng)絡(luò)彼此進(jìn)行溝通。


為讓本揭示內(nèi)容的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下圖la、圖Ib及圖2a為繪示本發(fā)明一實施例中，各連接至一檢測器的封裝群組觸控表面的示意圖；圖2b是繪示本發(fā)明一實施例中，位于一人類使用者的手指下的區(qū)域的示意圖，其比例是依圖la、圖Ib及圖2a繪制；圖3a及圖3b為本發(fā)明部分實施例中，實現(xiàn)觸控面板中的封裝觸控表面圖樣的布局圖；需注意的是任何合適的工具如Alegro可用以產(chǎn)生任何所述的圖樣的布局；圖4a為用以解釋下述的圖4c的方法的范例布局圖；圖4b為定義應(yīng)用于圖4c的鄰近者的圖示；圖4c為本發(fā)明部分實施例中一個簡化的流程圖，以繪示一個對位于電容表面為基的多點觸控屏幕裝置進(jìn)行多點觸控定位的范例實現(xiàn)方法；圖4d為本發(fā)明部分實施例中一個簡化的流程圖，以繪示一個對位于電容表面為基的多點觸控屏幕裝置進(jìn)行多點觸控定位的泛用方法；圖5a至圖6繪示本發(fā)明部分實施例中，于電容表面為基的多點觸控屏幕裝置上用以檢測多個觸控點的布局圖，以及提供其使用此布局的方法；圖7a至圖8繪示于電容表面為基的多點觸控屏幕裝置上用以檢測多個觸控點的布局圖，以及提供其使用此布局的方法；
圖9至圖Ilb繪示本發(fā)明部分實施例中，于電容表面為基的多點觸控屏幕裝置上用以檢測多個觸控點的布局圖，以及提供其使用此布局的方法；圖12為圖27中的觸控面板部分的一個簡化范例氧化銦錫圖樣(布局)；圖13繪示交錯觸控面板布局的簡化范例附圖，包括根據(jù)本發(fā)明部分實施例排列、建構(gòu)及運(yùn)作的觸控表面；圖14繪示本發(fā)明部分實施例中，包括區(qū)分為多個測量群組并使用第一群組形式的觸控表面的觸控面板；圖15繪示圖14中的測量群組；
圖16a繪示本發(fā)明部分實施例中，包括區(qū)分為多個測量群組并使用第二群組形式的觸控表面的觸控面板；圖16b繪示圖16a中的測量群組；圖17繪示依本發(fā)明部分實施例運(yùn)作的觸控位置檢測方法的簡化流程圖；圖18及圖19繪示本發(fā)明部分實施例中，用以解釋圖17的步驟2020的示意圖；圖20繪示本發(fā)明部分實施例中，用以解釋圖17的步驟2030的示意圖；圖21a繪示本發(fā)明部分實施例中，一個可能用以實現(xiàn)圖17的步驟2040的簡化流程圖；圖21b繪示本發(fā)明部分實施例中，一個可能用以實現(xiàn)圖17的步驟2020的簡化流程圖；圖22a繪示本發(fā)明部分實施例中，用以解釋圖21b的步驟2310中的鄰近者關(guān)系的示意圖；圖22b繪示本發(fā)明部分實施例中，用以解釋圖21b的步驟2310的示意圖；圖23繪示本發(fā)明部分實施例中，原始矩陣片斷及尋找區(qū)域陣列的示意圖；圖24繪示本發(fā)明部分實施例中，尋找區(qū)域陣列的示意圖；圖25a至圖25d繪示本發(fā)明部分實施例中，用以解釋圖17的步驟2050中，計算X軸及Y軸坐標(biāo)的5x3的虛擬表面的動態(tài)窗；圖26a至圖26c —同繪示依據(jù)本發(fā)明部分實施例運(yùn)作的觸控定位方法的簡化流程圖；圖27繪示本發(fā)明部分實施例中，形成單層觸控面板的主動區(qū)的走線及觸控表面的示意圖，其中所繪示的觸控表面及走線形成部分圖13中的觸控面板；圖28及圖29繪示依本發(fā)明部分實施例建構(gòu)及運(yùn)作，用以形成單層觸控面板的主動區(qū)的觸控表面的兩個范例示意圖；圖30繪示依本發(fā)明部分實施例建構(gòu)及運(yùn)作，用以形成單層觸控面板的主動區(qū)的觸控表面的示意圖；圖31a至圖31c繪示依本發(fā)明部分實施例建構(gòu)及運(yùn)作，亦可用以實現(xiàn)圖30的實施例的其他觸控表面形狀單元；圖32繪示本發(fā)明部分實施例中，圖31中的其中一個觸控表面的可能尺寸；圖33繪示依本發(fā)明部分實施例建構(gòu)及運(yùn)作的無框布局圖；圖34繪示依本發(fā)明部分實施例建構(gòu)及運(yùn)作的鋸齒狀交錯布局的示意圖，其中走線在觸控表面間以非直線繞線；
圖35繪示依本發(fā)明部分實施例運(yùn)作的插入排序流程，可用以執(zhí)行圖21b的步驟2320 ；圖36繪示本發(fā)明部分實施例中，圍繞欲進(jìn)行處理且最有區(qū)域最大值的觸控表面的一群觸控表面；以及圖37繪示依本發(fā)明部分實施例建構(gòu)及運(yùn)作的系統(tǒng)的簡化方塊圖，其中此系統(tǒng)包括依本發(fā)明任何實施例建構(gòu)及運(yùn)作，且通常為觸控屏幕的一觸控面板。附圖標(biāo)號1110、1115、1120、1125、1130、2000、2010、2020、2030、2040、2050 :步驟1135、1140、1150、1155、1160、2110、2120、2130、2140、2150 :步驟1170、1180、1190、1200 :步驟2610、2620、2630、2640、2650、2660、 2670、2310、2320、2330、2340 :步驟2680、2690 :步驟2700,2710 :步驟3710 :觸控面板3700 :系統(tǒng)3730 :主板3720:軟性電路板3750:連接器3740 :控制器芯片3760 :屏幕主動區(qū)
具體實施例方式本發(fā)明的部分實施例是用以解決電容表面上的多個觸控點的未知位置。圖Ia-圖Ib以及圖2a繪示一實施例中的觸控表面的示意圖，觸控表面區(qū)分為多個封裝的群組。各組封裝的觸控表面，如以El標(biāo)識或以E6標(biāo)識，是分別與一個獨立的檢測器相連接。需注意的是，一般的表面電容或是自電容觸控面板并不支援多點觸控應(yīng)用。本發(fā)明的部分實施例欲尋求使表面電容或是自電容觸控面板進(jìn)行支援多點觸控應(yīng)用的運(yùn)作模式。部分本發(fā)明的實施例欲尋求提供多個E型觸控表面，其中一個菱形單元僅在其位于一特定觸控表面時可觸發(fā)對應(yīng)觸控表面的電容檢測器。且其中各觸控表面的菱形單元為了特殊應(yīng)用，被設(shè)計成使兩個觸控動作在觸壓或觸發(fā)部分或全部的同一觸控表面時為等值的。部分本發(fā)明的實施例欲尋求提供用以修正E型觸控表面所取得的概略X與y軸坐標(biāo)的X型或Y型觸控表面，且其中X型或Y型觸控表面的特性在于其于觸控面板上部分或全部的其中一軸線延伸，并于部分的另一軸線上延伸，小于觸控面板提供的特殊應(yīng)用需求解析度。部分本發(fā)明的實施例欲尋求解決的一個問題是如何在不以不實際的作法如使觸控檢測器連接至每個獨立的菱形單元而增加裝置的復(fù)雜度，以及不用不適合的尺寸的菱形單元的情形下，在以絕對電容或表面電容技術(shù)為基的觸控表面上對多個同時進(jìn)行的觸控動作進(jìn)行定位。如上所述，一個解決的方法為提供分布于觸控面板上的封裝(encapsulated)菱形單元，亦在本文中表示為E菱形單元。E觸控表面指的是一個或多個共連至一個檢測器的鄰接菱形單元，且具有預(yù)先定義并已知的X軸與I軸坐標(biāo)。較佳地,觸控面板上不存在有無效區(qū)(dead area)。任何部分的觸控面板上施以任何的觸控動作均可由被特定組合(pattern)觸發(fā)的特定集合的檢測器進(jìn)行定位。通常，觸控面板提供的整體E菱形單元可被分為η個鄰接的E菱形單元的集合。這些集合可以緊鄰形成如圖Ia-圖Ib的實施例所示的拉鏈型，但彼此間并不電性連接至其他E菱形單元集合。并且，所有特定集合內(nèi)的菱形單元均連接至一個對應(yīng)此特定集合的單一連接的檢測器，以使連接至E菱形單元的檢測器總數(shù)目為η。根據(jù)本發(fā)明一些實施例，E菱形單元外的各菱形單元連接至單一檢測器，此檢測器用以檢測此菱形單元所位在的整列菱形單元。如此列菱形單元存在，則此種菱形單元稱為X菱形單元。根據(jù)本發(fā)明一些實施例，E菱形單元外的各菱形單元連接至單一檢測器，此檢測器用以檢測此菱形單元所位在的整行菱形單元。如此列菱形單元存在，則此種菱形單元稱為Y菱形單元。E菱形單元通常遍布于觸控面板上以對觸控表面上任何位置的觸控點進(jìn)行檢測，避免無效區(qū)的存在。通常，E菱形單元的分布使任何觸控面板上的觸控動作可觸發(fā)至少一E菱形單元。更特別的是，圖Ia-圖Ib以及圖2a根據(jù)本發(fā)明的不同實施例繪示一個以表面電容為基的多點觸控面板裝置的菱形單元分布方式。需注意的是，圖中所示的圖樣可不同地 重復(fù)，并分布于觸控面板上直至其整體長寬處。通常(a)所有的X菱形單元，即沿X軸線重復(fù)出現(xiàn)，連接至一單一檢測器；(b)所有的Y菱形單元，即沿y軸線重復(fù)出現(xiàn)，連接至一單一檢測器。(c)所有標(biāo)識為同一數(shù)字的E菱形單元，以其特有的方式重復(fù)出現(xiàn)，連接至一個單一的檢測器，其中觸控表面(一個序列的E菱形單元，或是通稱為一個集合的E菱形單元)上標(biāo)識為其他同一數(shù)字并以其他方式重復(fù)出現(xiàn)，連接至另一個不同的單一檢測器。于圖Ia-圖Ib及圖2a的實施例中，一方面由于不具有任何無效區(qū)，且因為相當(dāng)多的非E菱形單元及/或依序提供E菱形單元均分別連接至一單一檢測器，因此不需要大量的檢測器，故表現(xiàn)相當(dāng)良好。圖Ia-圖Ib及圖2a的實施例的特征在于其獨特性(uniqueness),意即如圖2b所示的觸控動作的尺寸(手指的尺寸)施加于任何位置均可位于一個特定集合的菱形單元，包括至少一個E菱形單元，因此可以據(jù)以定位。需注意的是如圖2b所繪示的特定手指尺寸僅為繪示說明的目的而非用以限制。舉例來說，于圖Ia中，ylO、yll、E2及E4在包括重復(fù)圖樣的整體觸控面板中僅有在一處是相鄰接的。類似地，于圖Ia中，yl、y2及E3在包括重復(fù)圖樣的整體觸控面板中僅有在一處是相鄰接的。而這情形對所有相鄰的菱形單元集合來說都是一樣的，意即各種組合的相鄰菱形單元均僅在整體觸控面板中出現(xiàn)一次(ylO、yll、E2及E4在圖Ia中每個重復(fù)的圖樣中出現(xiàn)，然而每個重復(fù)圖樣中的E2及E4是連接至不同的檢測器)。需注意的是，結(jié)合由Y檢測器及E檢測器收集的強(qiáng)度信息，可以對手指觸控動作進(jìn)行定位。舉例來說，于圖Ia的實施例中，連接到El菱形單元的檢測器是特別(適用于整個觸控面板)用以連接九個垂直鄰接的El菱形單元，并以對應(yīng)YO至Y8的Y檢測器所檢測到超過一特定準(zhǔn)位的強(qiáng)度值輔助，以對九個E菱形單元所占的區(qū)域進(jìn)行垂直的定位。對觸控點進(jìn)行定位的一個方法范例在稍后將參照圖4c-圖4d進(jìn)行說明。通常，各個圖Ia-圖Ib及圖2a中的圖樣是由兩層排列方式實現(xiàn)。通常，E及X菱形單元是實現(xiàn)于上層，而Y菱形單元則實現(xiàn)于下層，通常較不靈敏。需注意的是，于所繪示的實施例中，E及Y菱形單元由于可能導(dǎo)致短路而不能在同一層中并存。而E及X菱形單元由于其與檢測器間的走線可相互平行，因此可并存于同一層中。
需注意的是在此所用的X及Y并不成為限制。舉例來說，在特定需求下，X菱形單元亦可稱為Y菱形單元，反之亦然。在特定的觸控面板中，當(dāng)圖Ia-圖Ib及圖2a中的圖樣沿著面板的X軸線與y軸線分別自我重復(fù)出現(xiàn)，如K’及L’次，則重復(fù)出現(xiàn)K次的Xl菱形單元均連接至分配予Xl菱形單元所位于的第一行的單一電容檢測器，而對X2及X3的菱形單元的情形亦同，X2及X3的菱形單元將分別連接至分配予第2行及第3行的電容檢測器。類似地，重復(fù)出現(xiàn)K’次的Yl菱形單元均連接至分配予Yl菱形單元所位于的第一列的單一電容檢測器，而對Y2及Y3的菱形單元的情形亦同，Y2及Y3的菱形單元將分別連接至分配予第2列及第3列的電容檢測器。相反的，重復(fù)出現(xiàn)K’次的El菱形單元將連接至不同的K’個電容檢測器而非單一檢測器。而對E2及E3菱形單元的情形亦同。需注意的是，各菱形單元的尺寸相對于一個預(yù)設(shè)手指對菱形單元電容的影響及其如圖2b所示的尺寸，通常使當(dāng)手指對正于一個菱形單元時將總是部分或是全部壓在三個沿X軸線及三個沿y軸線延伸的菱形單元上。而在圖Ia及圖Ib所繪示的拉鏈型實施例中，其特征在于不會有兩個手指位置觸壓至同一個菱形單元的集合。需注意的是，手指可以通過下列方式進(jìn)行精確定位(a)記錄手指所按壓(即觸發(fā))的菱形單元集合；以及(b)記錄各個被觸發(fā)的菱形單元的相對強(qiáng)度，并考慮一般所述的觸發(fā)強(qiáng)度與有效手指電容(與手指和菱形單元接觸的范圍大小相關(guān))及菱形單元電容所組成的方程式。通常，被觸發(fā)的各個菱形單元的強(qiáng)度與手指電容對菱形單元電容造成的影響成正比。舉例來說，如果一根手指觸壓至圖Ia中的一個E2菱形單元，從被觸發(fā)的菱形單元所讀取的強(qiáng)度組合通常包括來自E2菱形單元的高強(qiáng)度讀數(shù)以及從周圍環(huán)繞的Y菱形單元所得大致彼此相同的但較低的強(qiáng)度讀數(shù)。相反的，如果一根手指觸壓至兩個E菱形單元及兩個Y菱形單元的頂點，則強(qiáng)度組合將包括由鄰接于此頂點的四個菱形單元而得的四個大致相等的強(qiáng)度。如果手指觸壓于E菱形單元及Y菱形單元的邊界，則此兩個菱形單元所得到的強(qiáng)度將為高強(qiáng)度，而自鄰接的菱形單元中將得到較低的強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明部分實施例，自一些鄰接的檢測器得到的一個強(qiáng)度讀數(shù)的圖樣(map)或組合，可用以如本發(fā)明所述對觸控面板上的一個觸控動作進(jìn)行準(zhǔn)確的定位，而非僅是通過辨識產(chǎn)生區(qū)域最大強(qiáng)度的一個檢測器的坐標(biāo)達(dá)到定位。圖3a為本發(fā)明部分實施例中，用以實現(xiàn)觸控面板中的覆蓋表面的圖樣的布局圖。特別地是，圖3a為依據(jù)本發(fā)明一實施例所運(yùn)作及建構(gòu)的裝置的上層布局圖。圖3b為圖3a中的部分布局圖，以繪示一個或多個覆蓋菱形單元(于圖中分別標(biāo)識為E菱形單元，并以灰色圖樣繪示)。X菱形單元由水平細(xì)線繪示，而Y菱形單元位于底層，因此繪示于圖3a及圖3b的白色部分。如圖所示，不同集合的E菱形單元各分別連接至其對應(yīng)的檢測器，如圖中繪示的檢測器El及E2等，各與對應(yīng)的E菱形單元集合相連接。底部的Y層于圖3a繪示白色區(qū)域內(nèi)。通常，Y菱形單元形成布局圖的底層(舉例來說)。其中包括X及E菱形單元的為上層，因此得到較佳的檢測靈敏度。X及E菱形單元間可能通過充填物的設(shè)置，以使第二層對手指電容的影響有較靈敏的檢測。充填物，意即一個不連接至任何檢測器的導(dǎo)電表面，將在第二層僅于上下層絕緣的情形下受觸控影響時才設(shè)置。圖4a繪示拉鏈型布局圖，以描述用以對多多個同時進(jìn)行的觸控動作進(jìn)行定位的方法。需住意的是，圖4a中所描述的方法僅為一個范例，且圖4a的方法可通用于各種布局形式，包括但不限于各種本發(fā)明繪示的布局形式。并且，幾乎有無限多可能的布局形式可包括如圖所示的菱形單元，并且此處所繪示的布局形式僅為一個范例。舉例來說，可對本發(fā)明所述的不同的排列形式，如圖2a，進(jìn)行結(jié)合。于圖4a中，各個Y觸控表面包括成一個水平線菱形單元，例如第一條水平線上的菱形單元或是其他于其下的水平線上的菱形單元。各個E觸控表面包括一組以橢圓形標(biāo)識出(于圖4b中)，成垂直分布的菱形單元。一個對X方向進(jìn)行檢測的垂直線包括一組E菱形單元。圓圈是表示E菱形單元的中心，并將于下面進(jìn)行相關(guān)敘述。每個(未被截斷)E菱形單元的中心被定義為其表面形狀的質(zhì)心。然而，在觸控面板的最低或最高側(cè)，部分的菱形單元由于觸控面板的矩形設(shè)計而被截斷。對這些菱形單元來說，中心仍被定義為其未被截斷前的形狀的質(zhì)心。 質(zhì)心通常被用來計算觸控點的X及Y坐標(biāo)。需注意的是各E菱形單元集合通常只具有一組預(yù)先定義的特定坐標(biāo)。圖4c為用以自一個如圖4a或其他繪示的觸控面板中擷取同時進(jìn)行的多個觸控點的坐標(biāo)的方法的一個簡化而易懂的流程圖。圖4c繪示本方法所包括部分或全部，并以如其所示適當(dāng)順序的步驟。圖4c的方法可周期性或是持續(xù)地進(jìn)行。于圖4c中，”可能的觸控表面清單”是指E觸控表面中所測量的電容值大于已知的觸控面板的觸控檢測閾值。閾值可由已知方式?jīng)Q定，通常依特定的應(yīng)用及/或用以制造的物質(zhì)而定。根據(jù)本發(fā)明部分實施例，此清單將持續(xù)被檢查，直到清單里所有的內(nèi)容均被清空為止。在步驟1125中被標(biāo)記的主要的觸控表面的位置，是于步驟1140進(jìn)行判斷。接著將判斷具有次高強(qiáng)度的觸控表面，并依續(xù)判斷下去，直到所有的觸控動作都被定位為止(或是沒有找到任何觸控動作)，方法的流程將回至步驟1110中的電容值測量步驟。步驟1140中可通過任何合適的計算方式進(jìn)行。舉例來說，如上所述，覆蓋檢測器(已1)、化2)、￥檢測器(￥6)、(￥7)及乂檢測器《5) (X6)及(X7)的坐標(biāo)是由表面矩陣的分布形式預(yù)先定義(即已知)。覆蓋檢測器、Y檢測器及X檢測器測量得的權(quán)重(如電容值)可表不為[wl, w2, ..., wn]。觸控點的X坐標(biāo)可由三個點的二次拋物線方程式或是由所有X及E檢測器中(例如)加權(quán)平均的方式計算得。Y坐標(biāo)則可由Y及E檢測器以類似的方式計算。合適的X坐標(biāo)計算方法可使用加權(quán)平均方程式I或是使用二次拋物線方程式II。在檢測到觸控點的初步或概略位置后，可通過考慮鄰近的X檢測器EX-1、EX及EX+1…等的二次拋物線方程式進(jìn)行更精確的計算。各觸控點的Y軸坐標(biāo)可用上述的二次拋物線方式及加權(quán)平均計算?！爸饕|控表面”一詞是指自可能觸控表面清單中被選擇以標(biāo)記一個觸控點的E觸控表面?！班徑砻妗币辉~是指位于所選的E觸控表面附近的觸控表面。舉例來說，圖4b繪示一個被選擇的檢測器的六個鄰近表面。通常，如圖4b所示，每個E觸控表面具有最多鄰近觸控表面為上、左上、右上、左下、右下及下?！坝行о徑|控表面清單” 一詞是指具有有效的鄰近觸控表面的清單，其中有效是指對一個主要觸控表面找到的觸控位置造成影響。一個鄰近觸控表面通常在下列情形被視為有效(圖4c中的步驟1155)(I)如果此鄰近觸控表面在可能的觸控表面清單中；(2)如果此鄰近觸控表面加入有效鄰近觸控表面清單時不會違反下列準(zhǔn)則(a)上鄰近觸控表面不能與下、右下或左下鄰近觸控表面包括在同一個集合中；(b)下鄰近觸控表面不能與上、右上或左上鄰近觸控表面包括在同一個集合中。需注意的是圖4c中的方法只是更泛用的圖4d的方法的其中一個實施方式，其中圖4d的方法將對E檢測器(測量E菱形單元的電容檢測器)進(jìn)行掃瞄，以辨識被一個或多個觸控點觸發(fā)的檢測器。觸控點的概略位置將依據(jù)如被觸發(fā)的E檢測器對應(yīng)的菱形單元的X及Y軸坐標(biāo)，以及與鄰近于被觸發(fā)的E檢測器對應(yīng)的菱形單元的至少一鄰近E菱形單元相關(guān)的至少一 E檢測器進(jìn)行計算，并利用為觸控點所觸發(fā)的X檢測器及Y檢測器的信息對概 略位置，通過如上述的方程式I及方程式II進(jìn)行修正，以得到精確位置。在部分應(yīng)用中，手指可觸發(fā)其下的菱形單元的范圍約是10厘米(孩童約為5厘米)。參考圖9中以灰影繪示的矩形，圓圈的Y軸位置可結(jié)合三個灰影觸控表面的電容檢測器讀數(shù)進(jìn)行判斷。各個圓圈(代表一個觸控手指)的印跡在其下的觸控表面有不同的分布形式(I)約一半的上半圓圈印跡是位于左側(cè)灰影觸控表面，且約一半是位于上側(cè)灰影觸控表面；(2)約一半的中央圓圈印跡是位于左側(cè)灰影觸控表面，另一半則實質(zhì)上平均分布于另兩個觸控表面；(3)約一半的下半圓圈印跡是位于左側(cè)灰影觸控表面，且約一半是位于下側(cè)灰影觸控表面。各個圓圈將產(chǎn)生不同組合的電容檢測器讀數(shù)。這與圖8所示對齊的灰影觸控表面的情形不同。部分實施例中繪示的虛線是代表觸控表面與周邊的連接。為求簡化，在部分實施例中，僅繪示出一個連接線，但其可代表多個連接線(一條線對應(yīng)至各個觸控表面)。拉鏈型布局與上述的單層結(jié)構(gòu)有類似之處。然而，二者間的不同在于拉鏈形布局更包括列(Y)觸控表面。單層檢測演算法可由圖IOa以及下列的段落解釋下一段將敘述如何自觸控面板擷取多個觸控點的坐標(biāo)，部分方法與上述的類似。于圖IOa :各E觸控表面由橢圓形所標(biāo)識。以點線繪不的圓圈代表各個E觸控表面的中心，將在稍后的敘述中被提及。E觸控表面中心定義(圓圈)各觸控表面的中心是由此觸控表面形狀的質(zhì)心所定義。在下側(cè)及上側(cè)的觸控面板，由于觸控面板的矩形設(shè)計，可能有部分觸控表面因而被截斷，對這些觸控表面來說，中心仍被定義為其未被截斷前的形狀的質(zhì)心?？赡鼙挥|發(fā)的E觸控表面清單包括E觸控表面中所測量的電容值大于觸控檢測閾值。主要E觸控表面是指自可能觸控表面清單中被選擇以標(biāo)記一個觸控點的E觸控表面?！班徑麰觸控表面” 一詞是指位于所選的E觸控表面附近的E觸控表面。各個E觸控表面具有最多八個鄰近的E觸控表面上、左上、遠(yuǎn)左、遠(yuǎn)右、右上、左下、右下及下(如圖IOa所示)。有效鄰近E觸控表面清單指具有有效的鄰近觸控表面的清單，其中有效是指對一個主要E觸控表面找到的觸控位置造成影響。一個鄰近E觸控表面通常在下列情形被視為有效( I)如果此鄰近觸控表面在可能被觸發(fā)的E觸控表面清單中；(2)如果此鄰近觸控表面加入有效鄰近觸控表面清單時不會違反下列準(zhǔn)則
·
(a)上鄰近觸控表面不能與下、右下或左下鄰近觸控表面包括在同一個集合中；(b)下鄰近觸控表面不能與上、右上或左上鄰近觸控表面包括在同一個集合中。圖4c為一個檢測流程圖。在另一個演算法中，鄰近E觸控表面是根據(jù)其電容檢測器讀數(shù)及其與主要E觸控表面或是已確認(rèn)的鄰近E觸控表面的距離來選擇。在另一實施例中，如果檢測器電容讀數(shù)符合兩個主要E觸控表面的鄰近規(guī)則，則此檢測器電容讀數(shù)可被歸類至兩個主要E觸控表面中。根據(jù)主要觸控點及有效鄰近觸控表面來判斷觸控位置，可通過下列方法達(dá)成(I)加權(quán)平均(2) 二次方程式(3)多項式逼近(4)影像處理加權(quán)平均的范例I.根據(jù)每個參與計算的E觸控表面(主要E觸控表面及其有效鄰近觸控表面)的X軸坐標(biāo)，對各表面的電容檢測器讀數(shù)進(jìn)行加權(quán)平均，以判斷觸控X坐標(biāo)。2.對Y軸線重復(fù)上述步驟以擷取Y坐標(biāo)。二次方程式的范例I.對各行參與計算的E觸控表面的電容檢測器讀數(shù)進(jìn)行加總以得到各行的一個
讀數(shù)值。2.定義一個二次方程式，以描述每個X軸坐標(biāo)的行讀數(shù)值。3.找到最符合各行中每個參與計算的E觸控表面的電容檢測器讀數(shù)的加總值的一個方程式。4.當(dāng)X產(chǎn)生最高值時判斷X軸坐標(biāo)。5.對Y軸線重復(fù)上述步驟以擷取Y軸坐標(biāo)。由于E觸控表面在Y軸向上為交錯排列，因此可通過邊界E觸控表面(如圖4b中以橢圓形標(biāo)記)的電容檢測器讀數(shù)的加總做為二次方程式的輸入。多項式逼近的范例I.進(jìn)行許多測試，以記錄測量值與X軸向位置的關(guān)系。2.依據(jù)電容讀數(shù)測量值尋找預(yù)測X軸向位置的最佳多項式。3.對Y軸坐標(biāo)重復(fù)上述步驟。影像處理的范例
I.準(zhǔn)備屏幕圖樣的附圖。2.根據(jù)附圖中各E觸控表面的電容讀數(shù)，對附圖中各E觸控表面設(shè)定一個值(高于其預(yù)設(shè)電容值)。3.對附圖進(jìn)行空間低通濾波。4.尋找具有最大值的區(qū)域。5.判斷此區(qū)域的中心的X軸與Y軸坐標(biāo)。下述為依檢測進(jìn)行影像處理及低通濾通的范例在進(jìn)行空間低通濾波前，觸控表面的電容檢測器讀數(shù)的附圖范例是如圖Ila所
/Jn ο在經(jīng)過空間低通濾波后，觸控表面的電容檢測器讀數(shù)的附圖范例是如圖Ilb所
/Jn ο在表面電容式觸控面板用以檢測多個觸控點的布局圖以及提供及使用此布局圖的方法將在此參照圖5a至圖Ilb進(jìn)行敘述。圖5a_圖5c繪示觸控表面布局及連接線繞線的范例示意圖。E觸控表面與電容測量單元間的繞線可由一側(cè)、兩側(cè)(如圖5a-圖5c所示)、三側(cè)或四側(cè)進(jìn)行。 請參照美國申請案案號13/042，965 的 “Systems and methods for detectingmultiple touch points in surface-capacitance type touch panels，，，其公開號為20110216038。圖5a至圖lib所述的裝置及方法可與此申請案中的系統(tǒng)與方法搭配使用。二層交錯的范例如圖5a及圖5b所示,而三層交錯的范例則如圖5c所示。四層或更多交錯層級可由類似的方式實現(xiàn)。于此，”飛彈”一詞是用以指稱如圖6所繪示的布局形狀。將觸控面板填入多個觸控表面最基本的方法即使置入一個對齊的矩形或菱形觸控表面以形成整齊的陣列，分別如圖7a及圖7b所示。此基本配置產(chǎn)生的問題包括(I)將所有的觸控表面繞線至邊緣(至電容檢測器)的困難度高。觸控表面繞線至邊緣將占有觸控面板上難以忽略的面積，并將影響檢測品質(zhì)。(2)所需要覆蓋觸控面板的觸控表面數(shù)相當(dāng)多。僅使用長且對齊的觸控表面由于將對Y軸檢測造成難度而不太可行。舉例來說，圖8中模擬手指的圓圈可能會由于其對同一個觸控表面造成同樣的影響，而被判斷為在同一個觸控位置。利用長且交錯排列的觸控表面，如圖9所繪示的幾種可能性，可以減輕上述的問題。長是指觸控表面的第一軸向的長度大于第二軸向的長度。圖9繪示了幾種布局形式的范例。圖9中所示的三個圓圈(各代表一個觸控手指)，其個別的Y軸位置可結(jié)合由三個通常為矩形的灰影觸控表面的電容檢測器讀數(shù)進(jìn)行判斷。各三個圓圈的印跡在其下的觸控表面上有不同的分布形式第一個圓圈約一半的上半圓圈印跡是位于左側(cè)灰影觸控表面，且約一半是位于上側(cè)灰影觸控表面；第二個圓圈約一半的中央圓圈印跡是位于左側(cè)灰影觸控表面,另一半則實質(zhì)上平均分布于另兩個觸控表面；第三個圓圈約一半的下半圓圈印跡是位于左側(cè)灰影觸控表面，且約一半是位于下側(cè)灰影觸控表面。各個圓圈將由于交錯分布的觸控表面產(chǎn)生不同組合的電容檢測器讀數(shù)，因此可沿y軸線得到較佳的定位結(jié)果。這與圖8所示對齊(非交錯)的灰影觸控表面的情形不同。圖9中繪示的虛線是代表觸控表面與周邊的連接。為求簡化，在部分實施例中，僅繪示出一個連接線，但其可代表多個連接線(一條線對應(yīng)至各個觸控表面)。圖Ia-圖Ib中的拉鏈型布局與上述的單層結(jié)構(gòu)有類似之處。然而，二者間的不同在于拉鏈形布局更包括列(Y)觸控表面，如圖5a-圖5c、圖9、圖12、圖13及圖27-圖30所
/Jn ο單層檢測演算法可由圖4c以及下列的段落解釋下一段將敘述如何自觸控面板擷取多個觸控點的坐標(biāo)，部分方法與圖IOa所述的類似。 于圖IOa :各E觸控表面由橢圓形所標(biāo)識。以點線繪不的圓圈代表各個E觸控表面的中心。各觸控表面的中心是由此觸控表面形狀的質(zhì)心所定義(意即此形狀的面積由此點往兩個軸向為平均分布)。在下側(cè)及上側(cè)的觸控面板，由于觸控面板的矩形設(shè)計，可能有部分觸控表面因而被截斷，對這些觸控表面來說，中心仍被定義為其未被截斷前的形狀的質(zhì)心?？赡鼙挥|發(fā)的E觸控表面清單包括E觸控表面中所測量的電容值大于觸控檢測閾值。通常，閾值可依面板類型于面板初始化階段或是在系統(tǒng)(如觸控面板所位于的智能型手機(jī))研發(fā)階段時決定。主要E觸控表面是指自可能觸控表面清單中被選擇以標(biāo)記一個觸控點的E觸控表面。“鄰近E觸控表面”一詞是指位于所選的E觸控表面附近的E觸控表面。通常如圖IOa所不，各個E觸控表面具有最多八個鄰近的E觸控表面上、左上、遠(yuǎn)左、遠(yuǎn)右、右上、左下、右下及下。一個有效鄰近E觸控表面清單是指具有有效的鄰近觸控表面的清單，其中有效是指對一個主要E觸控表面找到的觸控位置造成影響。一個鄰近E觸控表面通常在下列情形被視為有效(I)如果此鄰近觸控表面在可能被觸發(fā)的E觸控表面清單中；(2)如果此鄰近觸控表面加入有效鄰近觸控表面清單時不會違反下列準(zhǔn)則(e)上鄰近觸控表面不能與下、右下或左下鄰近觸控表面包括在同一個集合中；(f)下鄰近觸控表面不能與上、右上或左上鄰近觸控表面包括在同一個集合中。在異于圖4c的檢測流程圖的另一個演算法中，鄰近E觸控表面是根據(jù)其電容檢測器讀數(shù)及其與主要E觸控表面或是已確認(rèn)的鄰近E觸控表面的距離來選擇。在另一實施例中，如果檢測器電容讀數(shù)符合兩個主要E觸控表面的鄰近規(guī)則，則此檢測器電容讀數(shù)可被歸類至兩個主要E觸控表面中。圖4c中的步驟1140 (根據(jù)主要觸控點及有效鄰近觸控表面判斷觸控位置)可以至少一下列方式進(jìn)行a.圖4c中的步驟1140以加權(quán)平均進(jìn)行的范例根據(jù)每個參與計算的E觸控表面(主要E觸控表面及其有效鄰近觸控表面)的X軸坐標(biāo)，對各表面的電容檢測器讀數(shù)(超過其預(yù)設(shè)未接觸的電容值的量，例如減去此觸控表面對應(yīng)的觸控檢測器未被觸碰時的檢測器讀數(shù))進(jìn)行加權(quán)平均，以判斷觸控X坐標(biāo)。舉例來說，假設(shè)三個E觸控表面的X坐標(biāo)為XE1、XE2及XE3，且對應(yīng)的檢測器讀數(shù)為RE1、RE2及RE3，則觸控動作的X坐標(biāo)可根據(jù)下式計算X 坐標(biāo)=(XE1*RE1+XE2*RE2+XE3*RE3) / (RE1+RE2+RE3)對Y軸線重復(fù)上述步驟，并以參與計算的E觸控表面的Y軸坐標(biāo)為根基的權(quán)重而非X坐標(biāo)的權(quán)重來擷取Y坐標(biāo)。b.圖4c中的步驟1140以二次方程式進(jìn)行的范例I.對各行參與計算的E觸控表面的電容檢測器讀數(shù)進(jìn)行加總以得到各行的一個讀數(shù)值Colval (例如遠(yuǎn)左C-2、左上及左下C-1、上、下與主要觸控行C、右上及右下C+1及遠(yuǎn)右C+2，以于各行得到一個向量)。 2.定義一個二次方程式，以描述每個X軸坐標(biāo)的行讀數(shù)值，如X=a* (Colval) 2+b* (Colval) +C。3.找到最符合各行中每個參與計算的E觸控表面的電容檢測器讀數(shù)的加總值的一個方程式(例如找到上述步驟中的參數(shù)a、b及C)。4.當(dāng)X產(chǎn)生最高值時判斷X軸坐標(biāo)。5.對Y軸線重復(fù)上述步驟以擷取Y軸坐標(biāo)。由于E觸控表面在Y軸向上為交錯排列，因此可通過邊界E觸控表面(如圖4b中以橢圓形標(biāo)記)的電容檢測器讀數(shù)的加總，或是利用圖17步驟2030所述經(jīng)過濾波的像素倍增(upscaling)矩陣，做為二次方程式的輸入。c.圖4c中的步驟1140以多項式逼近進(jìn)行的范例I.進(jìn)行許多測試，以記錄測量值與X軸向位置的關(guān)系。2.依據(jù)電容讀數(shù)測量值尋找預(yù)測X軸向位置的最佳多項式。3.對Y軸坐標(biāo)重復(fù)上述步驟。d.圖4c中的步驟1140以影像處理進(jìn)行的范例I.準(zhǔn)備屏幕圖樣的附圖。2.根據(jù)附圖中各E觸控表面的電容讀數(shù)，對附圖中各E觸控表面設(shè)定一個值(高于其預(yù)設(shè)電容值)。3.對附圖進(jìn)行像素倍增，如圖Ila所示。4.對像素倍增的附圖進(jìn)行空間低通濾波。圖Ilb為圖Ila像素倍增的附圖經(jīng)過低通濾波的范例圖。5.尋找具有最大值的區(qū)域，例如一群像素加總后與同樣尺寸的其他群像素加總后相較下產(chǎn)生最大值的區(qū)域。6.判斷此區(qū)域的中心的X軸與Y軸坐標(biāo)。本發(fā)明中于不同實施例所敘述的特征亦可相結(jié)合以單一實施例實現(xiàn)。相反地，本發(fā)明中為簡化而以單一實施例敘述或是依一特定順序的特征，包括方法的步驟，亦可分別實施、以其他合適的子組合實施或是以不同順敘實施。任何或全部的電腦檢測器、輸出裝置或顯示器、處理器、數(shù)據(jù)儲存裝置及網(wǎng)絡(luò)可適當(dāng)?shù)厥褂靡詫崿F(xiàn)本發(fā)明所述的任何方法或裝置。本發(fā)明包括但不限于下列實施例I. 一個交錯式的分布形式，例如本發(fā)明說明書所述或是提供或使用其的方法。
2.具有長形狀的觸控表面的布局形式，例如本發(fā)明說明書所述或是提供或使用其的方法。3.如實施例2所述的布局或方法，其中觸控表面的形狀維度滿足Y X。4.如實施例2所述的布局或方法，其中觸控表面的形狀維度滿足Υ〈〈Χ。5.如任何前述實施例的所述的布局或方法，且具有兩層交錯級。6.如任何前述實施例的所述的布局或方法，且具有三層交錯級。7.如任何前述實施例的所述的布局或方法，其中至少兩個E觸控表面是位于其中一軸向，且至少兩個E觸控表面位于另一軸向。8.如任何前述實施例的所述的布局或方法，且是應(yīng)用于自電容式觸控屏幕應(yīng)用。 一般來說，圖Ia-圖Ib根據(jù)本發(fā)明一實施例繪示一個單層的觸控表面裝置，其特征在于觸控表面是由兩層形成，其中觸控表面E觸控表面位于一單層的導(dǎo)電物質(zhì)中，且可僅通過E觸控表面進(jìn)行觸控定位。相反地，舉例來說，圖5a-圖5c、圖12-圖14及圖27-圖30根據(jù)本發(fā)明一實施例繪示一個單層的觸控表面裝置，其特征在于觸控表面是由單層形成。圖4c為一個簡化的流程圖，繪示出一個可能的運(yùn)作方法，包括觸控位置檢測，并可應(yīng)用于圖Ia-圖4b中的雙層觸控表面裝置中。圖4d為運(yùn)作方法更泛用的形式，包括觸控位置檢測，并可應(yīng)用于圖Ia-圖4b中的雙層觸控表面裝置(亦可應(yīng)用于,舉例來說，圖5a-圖5c、圖12-圖14及圖27-圖30中的單層觸控表面裝置)。因此，圖4c的獨特性并非用以限制本發(fā)明的范圍。一般來說，步驟1110 ;步驟1115 ;步驟1120、1125、1130、1135、1150、1155及1160可合并執(zhí)行，而圖4c中惪步驟1140可分別與圖4d中的步驟1170、1180、1190及1200平行執(zhí)行。圖17為一個簡化的流程圖，繪示出一個可能的運(yùn)作方法，包括觸控位置檢測，并可應(yīng)用于，舉例來說，圖5a-圖5c、圖12-圖14及圖27-圖30中的單層觸控表面裝置。圖21a為實現(xiàn)圖17中的步驟2040可能的一種方法的簡化流程圖。第21b為實現(xiàn)圖21a中的步驟2120可能的一種方法的簡化流程圖。需注意的是，圖4c中的步驟1110及圖4d中的步驟1170可平行于圖17中的測量步驟2000。通常，測量步驟是在觸控位置檢測步驟如圖17的步驟2010-2050前執(zhí)行。圖4c的步驟1115-1160可平行于圖17的步驟2010-2040執(zhí)行。根據(jù)一實施例，步驟2010-2030更可省略。圖4d的步驟1180及1190可平行于圖17的步驟2040執(zhí)行。圖4c的步驟1140及圖4d中的步驟1200可分別平行于圖17中的步驟2050執(zhí)行。需注意的是，此步驟可能如圖4c所示,于流程中間執(zhí)行,如反復(fù)地回圈執(zhí)行或是如圖17所示于回圈終結(jié)后于最后一步驟執(zhí)行。圖27為形成一單層觸控面板的一主動區(qū)的觸控表面的示意圖。于此繪示的實施例中，各觸控表面包括僅一個觸控形狀單元，且所有的走線均繞線至面板的底側(cè)。圖28及圖29為形成一單層觸控面板的一主動區(qū)的觸控表面于兩個范例中的不意圖。在這些實施例中，部分觸控表面包括兩個觸控形狀單元，分別通過走線相連。形成這些觸控表面的觸控形狀單元標(biāo)識為SI及S2。圖30為形成一單層觸控面板的一主動區(qū)的觸控表面的不意圖。于此實施例,如同圖27的實施例般，各觸控表面包括僅一個觸控形狀單元，且所有的走線均繞線至面板的底偵U。然而，于此實施例中，奇數(shù)行及偶數(shù)行中的觸控表面為相交錯，因此于這樣的各行間包括共屬于兩者的區(qū)域。圖30的布局形式較矩形布局為佳的優(yōu)點在于可采用較寬間距的觸控表面，因此將降低用以覆蓋給定尺寸的觸控面板的觸控表面數(shù)目。缺點則在于，觸控定位的精確度可能較差，特別是當(dāng)兩個觸控物體相當(dāng)靠近時。圖31a-圖31c繪示其他可能用以實現(xiàn)圖30的實施例中觸控表面的形狀。特別的是，圖31b繪示圖30的一部分，且圖31a及圖31c雖繪示同樣的部分，但其觸控表面形狀已經(jīng)過修改。圖32繪示圖31a中所繪示的觸控表面一個可能的尺寸，與下列數(shù)字相關(guān)(單位為毫米)Xl=4毫米，各左右行的堅固部分的寬度；X2=0毫米,觸控表面間的間距,可忽略； X3=5. 5毫米，行間的交錯區(qū)；X4=13. 5毫米，兩個交錯行的寬度；X5=l. 5毫米，估測所需的總走線寬；X6=15毫米，兩個行距；Yl=Il毫米，觸控表面行間距。需注意的是其他尺寸亦可適用。舉例來說，yl可調(diào)整為使觸控面板間距一半的整數(shù)值可與觸控面板主動區(qū)高度相符。Y1、X1及X3可更短，雖需加入更多的觸控表面以覆蓋觸控面板，但其坐標(biāo)檢測精確度將提高，更能辨識兩個緊接的觸控物體。X5 —般來說與下列因素部分或全部相關(guān)觸控面板最小走線間距、氧化銦錫阻抗、觸控檢測器的技術(shù)、各列中的觸控表面數(shù)、以及觸控表面的繞線方向數(shù)。X5 —般維持于滿足上述限制的最小值。通常X1-X6及Yl被設(shè)定為在任何觸控位置時，觸控動作可被至少兩個觸控檢測器所檢測到。下面列出更簡化而未顯示尺寸與走線繞線的布局圖做參考。特別的是，圖12為一個簡化的觸控面板布局方式，適用于如圖27的觸控面板。圖12繪示觸控表面的連接方式，其中圖13繪示出觸控表面的區(qū)域分布。需注意的是圖12尤其不需要成比例。黑線是表示氧化銦錫層的切線。以下是上述的觸控面板的尺寸范例Ax=5 毫米 Ay=12 毫米Bx=4. 2 毫米 By=6 毫米Cx=O. 8 毫米 Cy=102 毫米Dx=O. 5 毫米 Dy=O. 5 毫米Ex=55 毫米 Ey=O. I 毫米Fx=O. I 毫米在上述的例子裝，所有的檢測器走線是繞線至面板的底側(cè)。觸控表面走線將由連接器(未繪示)連接至觸控控制器，以執(zhí)行參照圖17及圖21所示，于下將進(jìn)行敘述的方法。請繼續(xù)參照圖12。需注意的是，其他維度亦可能適用。舉例來說，Ay及By可以改為使觸控表面間距(By) —半的整數(shù)值與觸控面板的主動區(qū)域高度相符。Ay、By及Ax的長度可以更短，以使觸控面板由更多數(shù)目的觸控表面覆蓋，但其坐標(biāo)檢測的精確度將提高，對兩個緊鄰的觸控物體間的辨識度也愈佳。通常，Ac+Cx將保持小于7毫米，Ay則保持小于16毫米。Ey及Fx—般來說與下列因素部分或全部相關(guān)觸控面板最小走線間距、氧化銦錫阻抗、觸控檢測器的技術(shù)、各列中的觸控表面數(shù)、以及觸控表面的繞線方向數(shù)，且一般維持于滿足上述限制的最小值。Dx及Dy的值是選擇性的，并且可以適度調(diào)整，通常最多達(dá)O. 2毫米。Dx及Dy使觸控面板的主動區(qū)與其他觸控面板上的浮接導(dǎo)電物相隔離。另外亦或除此之外，圍繞的導(dǎo)電物質(zhì)可以移除或是進(jìn)行接地。圖12在未繪示走線繞線下繪示了觸控面板的布局圖。于所繪示的范例中，面板包括72個觸控表面，以數(shù)字0-71標(biāo)識，并排列為9行(行數(shù)=9)及15列(列數(shù)-15)。其中，不同列間是由各觸控表面的一半長度界定。觸控表面是以行的順序指定數(shù)字。由于各觸控表面延伸超過兩列，因此這個布局方式稱為二層交錯布局。三層或更多層的交錯布局亦可能實現(xiàn)。圖12的布局的觸控表面的特征在于長度，其長度約為對應(yīng)的寬的兩倍。然而此數(shù)據(jù)并非用以限制本發(fā)明。如此的特殊布局可由如左上角開始，可能為全長表面(部分起始參數(shù)=0)或是半長表面(部分起始參數(shù)=1)。于圖13的例子，第一觸控表面為半長(部分起始參數(shù)=1)。在此布局形式的觸控表面數(shù)目可由例如下列式子計算 觸控表面數(shù)=[(行數(shù)X (列數(shù)+1) +部分起始參數(shù))]/2觸控表面數(shù)=[(9x(16)+1]/2=72測量步驟-圖17步驟2000 :檢測器可周期性地測量對應(yīng)觸控表面的電容值。所得的測量值在此可稱為檢測器讀數(shù)。通常，當(dāng)一個觸控物體接近或接觸到觸控表面，而使其電容值增加。因此，觸控動作可藉此被檢測。在一個實現(xiàn)方法的范例中，未進(jìn)行觸碰的觸控表面的檢測器讀數(shù)代表其對應(yīng)的觸控表面的電容值，可保留做為參考，以使當(dāng)觸控動作產(chǎn)生時，代表對應(yīng)的觸控表面由于觸控動作而增加的電容值的檢測器讀數(shù)將被記錄。未觸控的觸控表面測得的電容值可能會隨時間產(chǎn)生變化，因此觸控檢測器需要常常在如觸控面板未被觸控，即閑置時，進(jìn)行校正。校正可周期性地進(jìn)行如一小時一次，可依需求進(jìn)行，亦或依外部事件觸發(fā)進(jìn)行，例如當(dāng)主機(jī)(手機(jī)、平板電腦等)的屏幕亮度改變時。在一個例子中，校正程序執(zhí)行時，將對各個檢測器進(jìn)行數(shù)次測量，且各檢測器的值將進(jìn)行過濾，例如用中位數(shù)法、平均法或是結(jié)合二者。各檢測器的過濾結(jié)果將被記錄以做為未觸控的觸控表面的參考值。在另一個校正程序的例子中，各個檢測器只被測量一次，且其產(chǎn)生的值將直接被記錄以做為未觸控的觸控表面的參考值。這樣的校正方法耗費的時間和功率較少，但準(zhǔn)確度亦較低。在另一個校正程序的例子中，所實施的是部分校正程序，僅對部分的檢測器進(jìn)行測量以得到結(jié)果。根據(jù)此結(jié)果，將對全部的檢測器的參考值進(jìn)行校正。舉例來說，如果在所測量的檢測器中平均得到上升的一個特定值，則此值將加至所有檢測器的參考值。上述的校正方法亦可以部分結(jié)合的方式實施，例如以部分校正結(jié)果為根基進(jìn)行。舉例來說，如果檢測器參考值的差距大于對一般施加觸控時造成參考值上升的影響的5%，則將需要實施更精確的校正方法。許多適合本發(fā)明的實施例所述的觸控面板的觸控檢測方法的自電容測量方法是已知的技術(shù)。其中一種如上述的自電容測量方法揭露于本申請人所有的美國專利案號為7797115的內(nèi)容。觸控表面的檢測器所進(jìn)行的測量可獨立進(jìn)行或是以測量群組的方式進(jìn)行，測量群組意指同時被測量的一組觸控表面。當(dāng)使用上述美國專利案號為7797115所述的電容測量方法時，建議不要同時測量彼此間具有大電容耦合效應(yīng)的觸控表面A及觸控表面B。大電容耦合效應(yīng)可能在兩個觸控表面或是其走線相當(dāng)接近時發(fā)生。為驗證其電容耦合效應(yīng)是否位于合理的范圍內(nèi)，亦即不致于太大，需要建立二者間的標(biāo)準(zhǔn)，以測試當(dāng)一個觸控動作施加于觸控表面A時，此觸控動作對觸控表面B的影響夠小。另一個方法是建立觸控面板及檢測器的電路模型，并使用適合的模擬工具如Spice進(jìn)行評估。圖14的例子繪示一個具有72個觸控表面的觸控屏幕，并分為如圖中所述的多個測量群組。舉例來說，觸控表面I及17的圖樣表示它們是屬于同一個測量群組，即圖15中的群組2。并且，觸控表面2及18的圖樣也表示它們是屬于同一個測量群組，即圖15中的群組4。圖14-圖15繪示一個可能的群組區(qū)分方式，稱為群組I其中觸控表面1、17、23、49及65形成單一群組，且這些觸控表面將不會出現(xiàn)在同一行中。在此范例中，整個觸控屏幕 包括如圖15所示的16個測量群組。另一個可能的群組區(qū)分方式如圖16A-圖16B所示，稱之為群組2。其中屬于同一群組中的觸控表面可能出現(xiàn)在同一行中，如觸控表面I及5或是2及6或是40及44，但其絕不會相鄰接。在所繪示的范例中，共有如圖16b所示的8個群組。通常觸控表面的測量是周期性的，例如一個循環(huán)。通常，每隔一循環(huán)周期即獲得一個測量值，亦在此稱為檢測器讀數(shù)，其中一個循環(huán)周期可為5至20厘秒。為消除系統(tǒng)雜訊，在上述的測量循環(huán)周期中每個觸控表面將進(jìn)行超過一次的測量。消除雜訊的方式包括如平均法、中位數(shù)法或其組合。消除的方式可依符合系統(tǒng)的需求與限制來選擇。上述的消除方式的一個范例為在一個測量循環(huán)周期中對每個觸控表面進(jìn)行15次測量，對各五個測量值進(jìn)行平均，以產(chǎn)生三個平均值，在對三個平均值取中位數(shù)來產(chǎn)生最終的檢測器讀數(shù)。舉例來說測量群組I :33、35、32、38、35平均值=34測量群組II :38、37、32、35、36平均值=35測量群組III :22、28、23、23、23平均值=23三個平均值的中位數(shù)為34，因此檢測器讀數(shù)將決定為34。中位數(shù)可由總體(aggregating)式或依序(in-line)式取得，其中依序式是指中位數(shù)是由目前循環(huán)周期平均與前兩次循環(huán)周期的平均結(jié)果得到，因此每個循環(huán)周期僅需測量五次。而總體式則是在同一個循環(huán)周期中取得15個測量值。上述的范例即為總體式的中位數(shù)取法。在給定如圖14所述的布局形式后，即可運(yùn)作如圖17所示的觸控位置檢測方法以于每個循環(huán)周期執(zhí)行步驟2010-2050的部分或全部，并以適當(dāng)?shù)捻樞驁?zhí)行，如圖17中的順序。通常，此方法由測量步驟2000得到觸控表面測量讀數(shù)，并做為輸入以計算觸控面板上的觸控物體的位置。
圖17的觸控位置檢測步驟2010-2050將于此進(jìn)行詳細(xì)的描述。于步驟2010，代表觸控面板上各個觸控表面的觸控強(qiáng)度的原始數(shù)據(jù)在必要時經(jīng)過修正后，以補(bǔ)償相臨的觸控元件間的電容耦合效應(yīng)。此步驟可選擇性地實施。觸控表面與其對應(yīng)的走線(觸控元件)可能與其他觸控表面及其對應(yīng)的走線間具有交越耦合(電容耦合)的效應(yīng)。通常，這樣的交越耦合效應(yīng)更可能在同一測量群組中的相近走線間發(fā)生。舉例來說，部分實施例中，將對觸控疊加值的精確度影響達(dá)5%至10%，意即，在未進(jìn)行觸控的觸控表面上，可能表現(xiàn)出錯誤的疊加讀數(shù)，其數(shù)值為實際進(jìn)行觸控而與未觸控耦合的觸控表面的讀數(shù)的5%至10%。在這樣的情形下，錯誤的疊加測量值通常將在系統(tǒng)(如觸控面板所位于的智能型手機(jī))研發(fā)階段時被記錄下來。測量值的記錄可能在如每個觸控表面被觸控時或是記錄依未觸控表面的檢測器讀數(shù)反映出的觸控表面的觸控強(qiáng)度的百分比所影響。此百分比視為錯誤疊加百分比。錯誤疊加百分比可存在電腦存儲器中的交越耦合表中，其中各個檢測器具有其影響的檢測器的清單以及對應(yīng)的錯誤疊加百分比。錯誤疊加百分比可在系統(tǒng)運(yùn)作時進(jìn)行補(bǔ)償。通常，微小的錯誤疊加百分比如小于2%時，將不會記錄于表中，以減少存儲器儲存量與進(jìn)行計算耗費的功率。
步驟2010的輸出為檢測器讀數(shù)的清單。于步驟2020及2030，如圖13所示的觸控表面在每循環(huán)周期中測得的72個檢測器讀數(shù)的清單將被轉(zhuǎn)換為整齊的矩形的二維陣列，又在此被稱為像素倍增矩陣，以補(bǔ)償由交錯布局產(chǎn)生的失真。因此，各觸控表面可進(jìn)行分割。例如，可由如稱為像素倍增的程序分割為多個虛擬表面。各觸控面板分割成的虛擬表面數(shù)目可等于交錯級的數(shù)目。各虛擬表面可指定為其原始的觸控表面相同的檢測器讀數(shù)值。因此，虛擬表面可用以指稱(a)由各觸控表面分割而得；(b)各行間相對齊而非交錯；以及(c)具有與原始觸控表面相同檢測器讀數(shù)值的一個觸控屏幕區(qū)集合。舉例來說，由圖13中的觸控表面中所得如圖18左側(cè)所示的五個觸控表面的檢測器數(shù)值定為A、B、C、D及E。圖18的右側(cè)繪示將像素倍增矩陣處理所產(chǎn)生的虛擬表面的分配位置。圖19繪示觸控表面更大部分的區(qū)域，同樣地，右側(cè)顯示的是像素倍增矩陣的一部分。圖17的步驟2030將使用所產(chǎn)生的像素倍增矩陣。因此，步驟2020及2030用以將有效率的交錯檢測器結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為一般檢測方法常用的高解析度像素倍增矩陣，以進(jìn)行觸控物體位置的檢測。由步驟2020產(chǎn)生的像素倍增矩陣可能由于交錯布局的形式而產(chǎn)生失真。因此，于步驟2030，可實施濾波動作以移除失真情形，并產(chǎn)生濾波后的像素倍增矩陣，以進(jìn)行圖17中的步驟2040及2050的觸控檢測以及坐標(biāo)計算。濾波后的像素倍增矩陣中的元素為虛擬表面的范例。舉例來說，步驟2030可對圖20進(jìn)行一個可能的失真修正濾波，以根據(jù)虛擬表面hi及h2的原始值及其鄰近虛擬表面Il、I2、rl及r2的值決定圖20中虛擬表面hi及h2的濾波值ffl=min (LI, Rl) /a+max (LI, Rl) /b ；W2=min (L2, R2) /a+max (L2, R2) /b ；HlF= (H*ffl)/(ffl+W2)；H1=2F= (H*W2)/(ffl+W2)；
其中LI為步驟2020中計算的虛擬表面11的值；L2為步驟2020中計算的虛擬表面12的值；Rl為步驟2020中計算的虛擬表面rl的值；R2為步驟2020中計算的虛擬表面r2的值；H為步驟2020中計算的虛擬表面hi及h2的值；HlF為步驟2030中計算的虛擬表面hi的濾波結(jié)果值；·
H2F為步驟2030中計算的虛擬表面h2的濾波結(jié)果值；且其中a及b可視情形有所不同。舉例來說，a可為I而b可為4。需注意的是，任意兩個值如a為I及b為2可通過經(jīng)驗或是已知情形決定，以得到良好的觸控檢測結(jié)果。隨系統(tǒng)的不同，最佳的a及b數(shù)值也將不同。可對多組的a及b數(shù)值進(jìn)行考慮，并使用能產(chǎn)生最佳觸控檢測結(jié)果的一組。虛擬表面(如HlF及H2F)經(jīng)過計算后的理論電容讀數(shù)被稱為濾波后虛擬讀數(shù)。圖17的步驟2040包括檢測峰值位置的數(shù)目以及概略位置，以對坐標(biāo)進(jìn)行計算。圖21a繪示一個執(zhí)行步驟2040的范例方法。于圖21a中的步驟2110中，此方法找出所有超過一個閾值的濾波后虛擬讀數(shù)，因此這些讀數(shù)大致上可能為峰值位置。此閾值可例如設(shè)為一個有效觸控峰值位置具有的最小可能濾波后虛擬讀數(shù)。此值可依不同的裝置而有不同。圖21a的步驟2120通常包括一個應(yīng)用于各峰值位置的認(rèn)證方法，以舍棄部分峰值位置，留下滿足預(yù)先設(shè)定的峰值位置情形，因此可去除圖21a的步驟2110所產(chǎn)生的清單中，大部分不合理的峰值位置。第21b繪示以一個范例中的滿足預(yù)先設(shè)定的峰值位置情形進(jìn)行的認(rèn)證方法，并將于下進(jìn)行詳細(xì)敘述。圖21b的方法可包括部分或全部所述的步驟，并以如圖中所示的合適順序執(zhí)行。于圖21b中的步驟2310，峰值位置經(jīng)比較后以下降順序進(jìn)行排序，例如成為峰值的適格性。適格性的判斷可由以下合適的條件進(jìn)行其中一個判斷適格性的條件可由依據(jù)濾波后虛擬讀數(shù)的大小進(jìn)行分級產(chǎn)生，例如較高的濾波后虛擬讀數(shù)表示較高的適格性。另一個條件可由考慮鄰近峰值位置產(chǎn)生。舉例來說，如圖22a中的Pl及P2為可能峰值位置，且其上下鄰近峰值位置為Plh、Pll、P2h及P21。假設(shè)Pl的濾波后虛擬讀數(shù)為RPl ；假設(shè)P2的濾波后虛擬讀數(shù)為RP2 ；假設(shè)Plh的濾波后虛擬讀數(shù)為RPlh ；假設(shè)Pll的濾波后虛擬讀數(shù)為RPll ；假設(shè)P2h的濾波后虛擬讀數(shù)為RP2h ；假設(shè)P21的濾波后虛擬讀數(shù)為RP21 ；如果(Pl+Pll+Plh+ABS (Plh-Pll)) > (P2+P12+P2h+ABS (P2h_P21))，則 Pl 為較適格，反之則為P2較適格。請繼續(xù)參照圖22a其上述的代號，以下的虛擬碼代表另一個在判斷適格性時將鄰近峰值位置納入考慮的范例If (RP2>RP1) {If (((RP2h+RP21)<(RPlh+RPll))AND (ABS(RP2h-RP21)〈ABS (RPlh-RPll)))；Pl為較適格；ELSEP2為較適格；ELSE {·If (((RP2h+RP21)<(RPlh+RPll))OR(ABS(RP2h-RP21)〈ABS (RPlh-RPll)))；Pl為較適格；ELSEP2為較適格；圖22b繪示一個對應(yīng)至上述虛擬碼的實際數(shù)字范例，顯示出P2在即使其值小于Pl的情形下仍可能被選擇為適格性較高。于圖22b的范例中，當(dāng)P2要被選擇時，下列式子將為錯誤If (((RP2h+RP21)<(RPlh+RPll))OR(ABS(RP2h-RP21)〈ABS (RPlh-RPll)))；設(shè)定數(shù)字于適當(dāng)?shù)奈恢茫瑢a(chǎn)生(((95+50) <(90+50))OR(ABS(95-50)〈ABS (90-50)))；ο ((145<140)0R(45<40))φ 錯誤ο P2為較適格于圖21b中的步驟2320，排序后的峰值位置清單是藉合適的排序方法如圖35中的插入排序流程，由最適格排列至最不適格。于圖35中所繪示的流程，DETECTION,PeakCompare O可包括上述適格性條件的使用。于圖21b的步驟2330中，如果峰值位置讀數(shù)小于檢測閾值(觸控閾值)，則可將此峰值位置讀數(shù)自清單移除。于圖21b中的步驟2340，對每個峰值位置讀數(shù)進(jìn)行判斷，以判斷各峰值位置讀數(shù)的值中哪一個是小于目前讀數(shù)，并測試具有較小值是否需要被移除。一個用以決定較小值是否需要被移除的合適情形(亦稱為峰值位置移除測試)可如下所述(i)如果兩個比較的峰值位置為垂直或水平鄰接，如圖22中Pl與Plh及Pll垂直鄰接，與P2h及P21為斜對角鄰接，與P2則水平鄰接；及/或(ii)其中一個或兩個峰值位置代表寬廣觸控動作，例如觸控動作的寬度在X軸線上至少有25毫米以及在Y軸線上至少有50毫米，則較小值的移除情形為DeltaX= | X (Pl) -X (P2)DeltaY= | Y (Pl) —Y (P2)(DeltaX〈=2AND DeltaY〈=l)AND
(WidtlX(Pl)) > =25AND WidtlY(Pl) > =50)僅在上述情形滿足時，具較小值的峰值位置才被移除。于部分實施例中，兩個緊接的觸控物體可能只產(chǎn)生一個峰值位置。有兩個觸控物體產(chǎn)生的一個單一峰值位置的特征在于沿一軸線上具有長且平的大斜率，通常是沿著觸控表面較長的軸，以及沿著另一垂直軸較短且平的線，排除掉姆指或?qū)挻髥我晃矬w的可能性。舉例來說，請參考圖IOa的實施例，主要E觸控表面及其鄰近表面在當(dāng)其上及下鄰近表面大于其遠(yuǎn)左及遠(yuǎn)右鄰近表面時，代表兩個緊鄰的觸控物體。在這樣的情形下，將可實施一個峰值位置分尚程序，如圖21a所不的步驟2130及2140。圖21a中的步驟2130包括一個Y軸修正程序，其中峰值位置將往上或往下移動。在各剩下的峰值位置(未在如圖21a的步驟2340中的認(rèn)證過程中被移除)中，可選擇性的實施如圖21a的步驟2130所示的Y修正程序，峰值位置將往上或下的虛擬表面移 動。為實施此步驟，對各剩下的峰值位置進(jìn)行下列步驟建立次要峰值位置的尋找區(qū)域。( I)將峰值位置所在的行與二鄰接行進(jìn)行加總(如具有左行及右行)(2)取加總行中未與同一行或是左右行中的峰值位置重疊。舉例來說，請參照圖23，如r3、m3及13為剩下的峰值位置，則m2及m3所在的列將不會被取為加總行的一部分。原始的矩陣片斷及尋找區(qū)域陣列繪示圖23中。此方法旨在決定峰值位置是否位于原始位置y (P)、其上一個虛擬表面或是其下一個虛擬表面中(圖23的尋找矩陣中黑色框線所示的區(qū)域)，并可通過執(zhí)行部分或全部下述的步驟由最大等級條件修正峰值位置的Y軸位置其中z為尋找區(qū)域矩陣，且η的值可為y(P)、y⑵-I或y(P)+l其中之一。P峰值位置的Y虛擬表面位置是由y (P)、y (P)-I或y (P)+1中獲得最高等級選出。舉例來說，請參照圖23:Grade(y(P))=10+p+r0-(11+ml+rl+Ll+Ml+Rl)/2Grade (y(P)+1)=L1+M1+R1_(10+P+r0+L2+M2+R2)/2因此,如Grade (y (P))為最大,則峰值位置仍位于同樣的位置。如Grade (y (P)-I)為最大，則峰值位置將修正于ml。如Grade (y (P)+1)為最大,則峰值位置將修正于Ml。圖21a的步驟2140包括實施于各剩下的峰值位置的Y軸向分離測試，以決定是否將現(xiàn)存的峰值位置沿Y軸向分離為兩個峰值位置。有時，兩個接近的觸控物體將大約落在同一或鄰接的行上(如圖23的ml及Ml)，并只造成一個峰值位置。步驟2140定義了一個檢測額外峰值位置的方法，此方法稱為Y軸向分離測試。在Y軸向分離測試中，將使用次要峰值位置的尋找區(qū)域(如步驟2130)。圖21a的步驟2150包括一個認(rèn)證過程，類似于前述步驟2120中的認(rèn)證過程。一個圖21a的運(yùn)作范例尋找區(qū)域矩陣片斷繪示于圖24中。圖21a的運(yùn)作過程將在此敘述在圖24的范例中，E2為現(xiàn)存的峰值位置。步驟2140的Y軸向分離測試將檢查E4是否為一個峰值位置。舉例來說，如符合下列情形，E4將被判定為一個峰值位置
E5*3+E$4>E2E3>=E4E4>=E5E3*(E4-E5)/(E4-E5+E2-E1)<E4步驟2150 :在每個峰值位置對步驟2130及2140的輸出重復(fù)進(jìn)行步驟2120的驗證過程。圖17的步驟2050將在此進(jìn)行敘述。在此，所有的峰值位置已進(jìn)入最終確認(rèn)階段，所有可能的峰值位置已被確定為是峰值位置，且各個找到的峰值位置已計算出其X及Y坐標(biāo)。坐標(biāo)可由如加權(quán)平均法進(jìn)行計算 X = ν；;=0 Xj / U0 W1-
y = ^v'=0 W/ y；i / Σ/=0 Wi請參考上述的公式，xi表示各用以計算觸控X坐標(biāo)的虛擬觸控表面的中心的X坐標(biāo)。yi表示各用以計算觸控Y坐標(biāo)的虛擬觸控表面的中心的Y坐標(biāo)。wi表示對應(yīng)的虛擬觸控表面的濾波后虛擬讀數(shù)。圖36繪示對應(yīng)圖17的步驟2030所述的像素倍增矩陣的多個濾波后虛擬讀數(shù)，可用以計算位于中間，其值為90的峰值位置濾波后虛擬讀數(shù)的X及Y軸坐標(biāo)。在此范例中，通過上述的峰值位置定位過程，峰值位置的X坐標(biāo)可計算為30. 6，而Y坐標(biāo)則為30. 3。
y^n_ WiXiX =
> w.
30^10 + 80^20 + 89^30 + 80^40 + 40^50 + 27^10 + 75^20 + 90^30 + 85^40 + 30^50 + 19^10+60^20 + 75^30 + 70^40 + 24^50_30 + 80+89 + 80 + 40+27 + 75 + 90 + 85 + 30 + 19 + 60+75 + 70 + 24=30.6
* ηy=^^
65*20 + 70*30+ 75 *40 + 80*20 + 89 ^30 + 80^40+ 75*20 + 90*30 + 85*40 + 60820 + 75*30 + 70*40 + 51*20 + 58*30 + 54*40_65 + 70 + 75 + 80 + 89 + 80 + 75 + 90 - 85 + 60 + 75 + 70 + 51 + 58 + 54=30.3在上述的范例中，由于未有鄰接的峰值位置，且所有濾波后虛擬讀數(shù)中較遠(yuǎn)的鄰近者均低于較近的鄰近者，因此15個寬及短，以黑框繪示的虛擬觸控表面均用以計算X坐標(biāo)，且15個窄及高，以黑框繪示的虛擬觸控表面均用以計算Y坐標(biāo)。然而，需注意的是，在并非上述的情形下，例如部分濾波后虛擬讀數(shù)中較遠(yuǎn)的鄰近者并不小于較近的鄰近者，則僅部分的虛擬觸控表面用以計算X軸及Y軸坐標(biāo)。需注意的是，上述的方法與僅認(rèn)定90為區(qū)域最大值而直接判斷峰值位置的坐標(biāo)為(30，30)的方式比起來，對峰值位置的判斷有較精準(zhǔn)的定位結(jié)果。需注意的是，可使用一個虛擬觸控表面的動態(tài)窗來進(jìn)行觸控坐標(biāo)的檢測。特別的是，不同的虛擬觸控表面可應(yīng)用于加權(quán)平均的計算，以進(jìn)一步計算X軸及Y軸坐標(biāo)。對X軸坐標(biāo)計算來說，可使用如圖25a所示的一個3x5的虛擬表面的動態(tài)窗。對Y軸坐標(biāo)計算來說，可使用如圖25b所示的一個5x3的虛擬觸控表面的動態(tài)窗。一般來說，用以計算X軸坐標(biāo)的動態(tài)窗包括的列數(shù)多于行數(shù)，例如5多于3，用以計算Y軸坐標(biāo)的動態(tài)窗包括的行數(shù)則多于列數(shù)。當(dāng)一個虛擬觸控表面的X及Y維度實質(zhì)相等時，X動態(tài)窗及Y動態(tài)窗為相同尺寸但旋轉(zhuǎn)方向不同。當(dāng)X及Y維度不相等時，X動態(tài)窗及Y動態(tài)窗可選擇為經(jīng)旋轉(zhuǎn)后具相等的面積。圖25a-圖25d繪示部分由圖17的方法的步驟2030產(chǎn)生的濾波后像素倍增矩陣。請再次參照用以計算峰值位置的X軸及Y軸坐標(biāo)的動態(tài)窗，峰值位置旁的各個幾乎鄰接(如 圖25c繪示的圖樣)虛擬觸控表面，即使位于上述定義的動態(tài)窗內(nèi)，僅在其具有下降圖樣(gp如僅有在目標(biāo)圖樣的虛擬觸控表面的值小于或等于以白色繪示的直接鄰接的虛擬觸控表面的值)時才用以計算X軸及Y軸坐標(biāo)。通常，如果部分幾乎鄰接觸控表面的值小于或等于而部分為否，則小于或等于將用以計算X軸及Y軸坐標(biāo)，非小于或等于則不會納入考慮。通常，如果在單一動態(tài)窗中找到兩個峰值位置I及2，則在計算峰值位置I時將不會把峰值位置2納入考量，反之亦然。附近的虛擬觸控表面的濾波后虛擬讀數(shù)的值將分配或分割與兩個峰值位置。舉例來說，兩個峰值位置的位置計算將分別依據(jù)一半上述的濾波后虛擬讀數(shù)進(jìn)行。濾波后虛擬讀數(shù)可由其他方式進(jìn)行分配或區(qū)隔，例如依各峰值位置的值的比例來分配或分割。舉例來說，圖25d繪示峰值位置Pl與峰值位置P2鄰接于兩者，以圖樣繪示的虛擬觸控表面，以及用以計算X軸坐標(biāo)的動態(tài)窗。于圖25d的范例中，圖樣繪示的虛擬觸控表面在峰值位置Pl及P2間被分割。因此，通常在計算Pl的位置時，僅一部分圖樣繪示的虛擬觸控表面的值用以計算，對P2位置的計算亦同。用以計算各峰值位置的部分可以與各峰值位置的值成相同比例。舉例來說，如果Pl的虛擬讀數(shù)為100且P2的虛擬讀數(shù)為200，則計算Pl的X軸坐標(biāo)時，僅使用三分之一的圖樣繪示的虛擬觸控表面的值計算。檢測過程產(chǎn)生的輸出包括觸控面板上一個或多個觸控物體的X軸及Y軸坐標(biāo)?！按我逯滴恢谩?一詞是指由于檢測到兩個緊靠的觸控物體以增加的峰值位置，以做為步驟2140的Y軸分離測試的結(jié)果?！睂挻笥|控”是指一個具有如寬度超過25毫米及高度大于50毫米的相關(guān)尺寸(指物體實際碰觸到屏幕的部分)的觸控物體。需注意的是，圖17所示的定位方法并非用以限制本發(fā)明的范圍，其他合適的定位方法如圖4d的方法或其他合適，混合部分圖4d及圖17的特征的混合方法亦可用以定位。另一個觸控動作定位方法的范例繪示于圖26a-26c中。圖33繪示一個觸控面板的無框布局方式的范例，包括數(shù)(如四)行觸控表面，各行包括多個(如四)個觸控表面。于本實施例中，走線可僅由一側(cè)繞線(如所繪示的實施例中，觸控面板的底側(cè))。更進(jìn)一步地，除了底側(cè)，觸控面板的主動區(qū)外均未有繞線，以產(chǎn)生無框觸控面板。通常，如圖33所示，每個走線通道的走線數(shù)均相等，以使各行間的距離整齊，以將走線通道的最壞情形(最寬)降至最小。圖34為觸控面板一部分的鋸齒狀(zig-zag)布局的示意圖，包括數(shù)(如四)行觸控表面，各行包括多個(如五)個觸控表面。通常，各中間的行(未于邊界)與其左右的行相交錯。于此范例中，走線通常較如圖27-30中矩形為主的布局方式的走線為長。因此，走線可由各行間的鋸齒狀空間繞線。這樣的布局形式的優(yōu)點在于觸控表面可由較寬的方式實現(xiàn)，以用較少的觸控表面數(shù)目覆蓋觸控面板。另一個優(yōu)點在于觸控表面的中心平均地在觸控面板的主動區(qū)分布，與如冠狀或城堡狀中，各行是成對排列的實施例相對。如冠狀檢測器的實施例，其他類似蜂巢及城堡實施例中的觸控表面形狀亦可應(yīng)用于圖33及圖34中。圖37為依本發(fā)明部分實施例建構(gòu)與運(yùn)作的系統(tǒng)3700的簡化方塊圖。系統(tǒng)3700包括觸控面板3710，通常為觸控屏幕，并可根據(jù)本發(fā)明所述的任何實施例建構(gòu)及運(yùn)作。觸控面板通常置于屏幕主動區(qū)3760上，以使觸控面板的主動區(qū)可完全重疊于屏幕的主動區(qū)。通常，觸控面板3710包括位于顯示器所置之處之下的主動區(qū)。觸控面板3710連接至一個具有多個導(dǎo)電線路的軟板，于此稱為軟性電路板(flexible printed circuit ;FPC) 3720。軟性電路板3720通常將觸控面板3710與一個主板3730通過合適的連接器3750相連接。用以執(zhí)行部分或全部本發(fā)明所述的方法的控制器芯片3740可設(shè)置于軟性電路板3720上。 通常，控制器芯片3740包括如前述的觸控檢測裝置，以及執(zhí)行部分或全部所述的觸控表面測量及觸控檢測運(yùn)作的處理單元?？刂破餍酒?740將處理后的數(shù)據(jù)傳送至主處理器(未繪示)以進(jìn)行如前所述的進(jìn)一步處理。通常，主板3730具有至少一個主處理器、主系統(tǒng)存儲器以及顯示器控制器，并可能更包括其他裝置。需注意的是于本說明書及專利申請范圍中，行及列的名詞并非限定于行列分別平行于觸控屏幕的水平軸與垂直軸的線性陣列。行及列的名詞亦可相對其他組軸線，于一實施例即為觸控屏幕的水平軸與垂直軸。當(dāng)沿觸控表面的長軸(在此為Y軸)的兩個相近觸控物體接觸到觸控面板，可能在大部分技術(shù)中會僅有一個峰值位置被檢測到而產(chǎn)生錯誤。因此，根據(jù)本發(fā)明任何實施例，在結(jié)合與寬大觸控形式相關(guān)的峰值位置移除程序(如圖21b步驟2340的段落ii)、如圖21a步驟2130的Y軸修正程序以及圖21a步驟2140的Y軸分離測試后，可用以辨識沿Y軸具有長且平的大斜率及沿X軸具較短且平的線的圖樣，以排除掉姆指或?qū)挻髥我晃矬w的可能性。這樣的濾波后虛擬讀數(shù)圖樣不太可能是由單一觸控物體形成。舉例來說，請參照圖24，當(dāng)觸控表面的長軸為10毫米至15毫米時，兩個觸控物體產(chǎn)生一個單一峰值位置時，將在E2、E3及E4產(chǎn)生高卻相近的值，反之則在El及E5產(chǎn)生較低的值。需注意的是，“被指派以”、“需要”、“需求”與“必需”所指的，僅是為清楚描述在特定實施情形或應(yīng)用下的選擇，而非用以限制。在其他實施方式中，同一個元件可能并非必
需，甚至可省略。需注意的是,本發(fā)明的軟件元件可能包括實現(xiàn)在只讀存儲器(read only memory ；ROM)、光碟片(Compact Disc Read Only Memory ;CD_R0M)、抹除式可復(fù)寫只讀存儲器(electrically-erasable programmable read only ;EEPR0M)以及電子抹除式可復(fù)寫只讀存儲器(electrically-erasable programmable read only ;EEPR0M)的程序或數(shù)據(jù)，或儲存于但不限定于不同的非易失性可讀取記錄媒體及動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(random accessmemory ；RAM)中。本發(fā)明所述軟件的元件在需要時可部分或全部以已知技術(shù)的硬體實現(xiàn)。相反地，本發(fā)明所述硬體的元件在需要時可部分或全部以已知技術(shù)的軟件實現(xiàn)。
在本發(fā)明的范圍中包括由電磁信號所傳遞的電腦可讀取指令，并以任何合適的順序執(zhí)行任何或全部本發(fā)明所述的方法中的任何步驟；包括機(jī)器可讀指令，并以任何合適的順序執(zhí)行任何或全部本發(fā)明所述的方法中的任何步驟；包括可由機(jī)器讀取的程序儲存裝置，以實體形式儲存可由機(jī)器執(zhí)行的程序指令，并以任何合適的順序執(zhí)行任何或全部本發(fā)明所述的方法中的任何步驟；包括具有電腦 可用媒體且內(nèi)含電腦可讀取程序碼如可執(zhí)行碼的電腦程序產(chǎn)品，其具有電腦可讀取程序碼，并以任何合適的順序執(zhí)行任何或全部本發(fā)明所述的方法中的任何步驟；包括任何合適的順序執(zhí)行任何或全部本發(fā)明所述的任何方法中的任何步驟所產(chǎn)生的任何技術(shù)功效；包括被組態(tài)以任何合適的順序執(zhí)行任何或全部本發(fā)明所述的任何方法中的任何步驟的任何合適的裝置或器件或是其組合；包括具有處理器及相配的輸入及/或輸出裝置的電子裝置，并以軟件執(zhí)行任何或全部本發(fā)明所述的步驟；包括信息儲存裝置或?qū)嶓w記錄裝置如碟片或硬碟，以使一個電腦或其他裝置被組態(tài)以任何合適的順序執(zhí)行任何或全部本發(fā)明所述的方法中的任何步驟；包括一個預(yù)先儲存的程序碼，儲存于如存儲器或是于一個信息網(wǎng)絡(luò)如網(wǎng)際網(wǎng)絡(luò)，不論是在下載前或下載后，此程序碼包括任何合適的順序的任何或全部本發(fā)明所述的方法中的任何步驟，用以上傳或下載此程序碼的方法以及包括使用此程序碼的服務(wù)器及用戶端的系統(tǒng)；以及包括以任何合適的順序執(zhí)行任何或全部本發(fā)明所述的方法中的任何步驟的硬體，不論是單獨運(yùn)作或搭配軟件運(yùn)作。任何本發(fā)明所述的電腦可讀取或機(jī)器可讀取媒體意指非易失性電腦或機(jī)器可讀媒體。任何本發(fā)明所述的計算或其他形式的分析，可由合適的電腦化方法。任何本發(fā)明所述的步驟可由電腦實現(xiàn)。本發(fā)明所述的技術(shù)包括(a)使用一個電腦化方法，以實現(xiàn)任何所述的問題與標(biāo)的的解決方法，此解決方法可選擇性地包括至少一個決定、一個動作、一個產(chǎn)物、一個服務(wù)或其他所述的信息，以對問題或標(biāo)的造成正面的影響；以及(b)輸出這個解決方法。本發(fā)明各實施例所述的各種特征可能結(jié)合于單一實施例中。相反地，本發(fā)明中為簡化而以單一實施例敘述或是依一特定順序的特征，包括方法的步驟，亦可分別實施、以其他合適的子組合實施或是以不同順序?qū)嵤！崩纭币辉~是指一個特定的范例，而非用以限定本發(fā)明的范圍。任何圖示中所繪示相連接的裝置、器件或系統(tǒng)可能在部分實施例中整合在單一個平臺中，也可能經(jīng)過任何合適的有線或是無線形式相連接，例如但不限于光纖、以太網(wǎng)絡(luò)、無線區(qū)域網(wǎng)絡(luò)、家用電話網(wǎng)絡(luò)聯(lián)盟(Home Person Network Access ；Home PNA)、電力線通信(Power Line Communication ;PLC)、手機(jī)、個人數(shù)字移動助理、黑莓機(jī)通用分組無線服務(wù)技術(shù)(General Packet Radio Service ;GPRS)、包括全球定位系統(tǒng)的衛(wèi)星或其他的移動通信技術(shù)。需注意的是，在本發(fā)明所述的任何敘述及附圖中，繪示為系統(tǒng)及次單元的功能，亦可由方法及步驟實現(xiàn)。在本發(fā)明所述的任何敘述及附圖中，繪示為方法及步驟的功能，亦可由系統(tǒng)及次單元實現(xiàn)。附圖中各元件的繪示比例僅為一個范例及/或是適度地表達(dá)清楚，并非用以限定本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述多點觸控檢測模塊包括 多個導(dǎo)電的觸控表面，分別連接至至少一走線，其中所述多個觸控表面是排列為數(shù)目大于二的多個觸控表面行，且各所述多個觸控表面行包括數(shù)目大于二的所述多個觸控表面，其中所述多個觸控表面于所述多個觸控表面行的多個對應(yīng)位置形成多個交錯列，且所述多個觸控表面均位于單一導(dǎo)電物質(zhì)層中。
2.如權(quán)利要求I所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，超過一特定部分所述多個觸控表面各具有一第一維度長度及一第二維度長度，且所述第一維度長度大于所述第二維度長度。
3.如權(quán)利要求I所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，超過一特定部分所述多個走線穿越于所述多個觸控表面間而非穿越所述多個觸控表面。
4.如權(quán)利要求2所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述多個觸控表面具有多個平面軸且所述多個觸控表面是相交錯，以使至少超過所述特定部分的所述多個觸控表面的所述多個平面軸間定義出一比例，其中所述比例的數(shù)量級等于依所述多個觸控表面定義的一交錯級數(shù)目。
5.如權(quán)利要求2所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述多個導(dǎo)電的觸控表面的一交錯級數(shù)目滿足下列式子 .O.6* {交錯級數(shù)目}〈= {列距}/ {行距}〈=1·8* {交錯級數(shù)目}。
6.如權(quán)利要求I所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述多個交錯列具有等于2的一交錯級數(shù)目。
7.如權(quán)利要求I所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述多個觸控表面為矩形。
8.如權(quán)利要求I所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述的多點觸控檢測模塊更包括 一觸控檢測裝置，觸控檢測裝置包括多個觸控檢測器以檢測一觸控物與至少一所述多個導(dǎo)電的觸控表面間的觸控；以及 一處理單元，與所述觸控檢測裝置相連接，以讀取所述觸控檢測裝置的多個自電容測量值并根據(jù)所述多個自電容測量值計算與所述多個觸控表面接觸的多個物體相對應(yīng)的多個觸控位置。
9.如權(quán)利要求8所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述處理單元對所述觸控檢測裝置產(chǎn)生的多個觸控測量值進(jìn)行調(diào)整使所述多個觸控測量值分組依序產(chǎn)生，以使多個觸控面板元件間相電容性耦合不同時被測量。
10.如權(quán)利要求8所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述處理單元對至少一觸控檢測器讀數(shù)進(jìn)行調(diào)整，以對所述觸控檢測器讀數(shù)中，相鄰的多個觸控面板元件間的多個已知電容性耦合效應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)償。
11.如權(quán)利要求8所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述處理單元計算所述多個觸控位置更包括對根據(jù)形成多個線性陣列的所述多個觸控表面間的一交錯排列可能產(chǎn)生的一信號失真，通過轉(zhuǎn)換與所述多個觸控表面相連接的所述多個觸控檢測器的多個讀數(shù)為由所述多個觸控表面切割出的多個虛擬平面的多個計算理論電容讀數(shù)形成的一讀數(shù)矩陣，以形成多個列非交錯平面來進(jìn)行補(bǔ)償。
12.如權(quán)利要求8所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述處理單元計算所述多個觸控位置更包括辨識觸控面板上的多個感測峰值位置。
13.如權(quán)利要求12所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，辨識所述多個感測峰值位置更包括尋找代表可能根據(jù)多個觸控動作產(chǎn)生的多個峰值位置以及執(zhí)行一峰值位置移除測試程序以濾除并非對應(yīng)至真實的所述多個觸控動作的所述多個峰值位置。
14.如權(quán)利要求12所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述的多點觸控檢測模塊更包括執(zhí)行一峰值位置分離程序。
15.如權(quán)利要求12所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，辨識所述觸控面板感測峰值位置更包括計算分別對應(yīng)至一特定峰值位置的多個坐標(biāo)，且所述多個坐標(biāo)分別沿一 X軸及一 I軸定義，計算所述多個坐標(biāo)更包括 根據(jù)由鄰接于所述特定峰值位置的所述多個觸控檢測器產(chǎn)生的多個觸控檢測器讀數(shù)計算一加權(quán)平均值，其中各所述多個觸控檢測器讀數(shù)對應(yīng)的一權(quán)重包括對應(yīng)于所述X軸及所述I軸上的一觸控檢測器中心坐標(biāo)。
16.如權(quán)利要求8所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述處理單元計算所述多個觸控位置更包括辨識多個觸控面板感測峰值位置，且所述處理單元根據(jù)由所述多個觸控表面切割出的多個虛擬平面形成形成多個列非交錯平面來計算所述多個觸控面板感測峰值位置對應(yīng)的一 X坐標(biāo)以及一 y坐標(biāo)，其中用以計算所述X坐標(biāo)的所述多個虛擬平面的一第一列數(shù)大于用以計算所述X坐標(biāo)的所述多個虛擬平面的一第一行數(shù)，用以計算所述I坐標(biāo)的所述多個虛擬平面的一第二行數(shù)大于用以計算所述y坐標(biāo)的所述多個虛擬平面的一第二列數(shù)。
17.如權(quán)利要求16所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，用以計算所述X坐標(biāo)及所述y坐標(biāo)的所述多個虛擬平面中，于一峰值位置周圍的至少一幾乎鄰接虛擬平面僅在所述幾乎鄰接虛擬平面的一表面值小于或等于所述峰值位置周圍的一較直接鄰接虛擬平面的所述表面值時用以計算所述X坐標(biāo)及所述I坐標(biāo)。
18.如權(quán)利要求I所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述多個走線僅于一觸控面板主動區(qū)的一側(cè)延伸至所述觸控面板主動區(qū)外且不于其他側(cè)延伸至所述觸控面板主動區(qū)外。
19.如權(quán)利要求I所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述多個走線中與超過一特定部分的所述多個觸控表面以一對應(yīng)主動區(qū)端點相連接，是以一非一直線的形式設(shè)置。
20.如權(quán)利要求19所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述非一直線的形式包括相連接的多個直線段。
21.如權(quán)利要求I所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述多個走線中與超過一特定部分的所述多個觸控表面以一對應(yīng)主動區(qū)端點相連接，是以一一直線的形式設(shè)置。
22.一多點觸控檢測方法，應(yīng)用于一觸控面板，其特征在于，所述的多點觸控檢測方法包括 提供多個導(dǎo)電的觸控表面，分別連接至至少一走線，其中所述多個觸控表面是排列為數(shù)目大于二的多個觸控表面行，且各所述多個觸控表面行包括數(shù)目大于二的所述多個觸控表面，其中所述多個觸控表面于所述多個觸控表面行的多個對應(yīng)位置形成多個交錯列，且所述多個觸控表面均位于單一導(dǎo)電物質(zhì)層中；以及 使一處理單元根據(jù)一自電容測量以計算與所述觸控面板接觸的多個物體相對應(yīng)的多個觸控位置。
23.如權(quán)利要求22所述的多點觸控檢測方法，其特征在于，超過一特定部分所述多個觸控表面各具有一第一維度長度及一第二維度長度，且所述第一維度長度大于所述第二維度長度。
24.如權(quán)利要求22所述的多點觸控檢測方法，其特征在于，超過一特定部分的所述多個走線穿越于所述多個觸控表面間而非穿越所述多個觸控表面。
25.一種電腦程序產(chǎn)品，其特征在于，一種電腦程序產(chǎn)品包括一非易失性電腦可讀取紀(jì)錄媒體，用以儲存一電腦可讀取程序碼，所述電腦可讀取程序碼使一多點觸控檢測模塊執(zhí)行一種多點觸控檢測方法，其中所述多點觸控檢測模塊包括多個導(dǎo)電的觸控表面，分別連接至至少一走線，其中所述多個觸控表面是排列為數(shù)目大于二的多個觸控表面行，且各所述多個觸控表面行包括數(shù)目大于二的所述多個觸控表面，其中所述多個觸控表面于所述多個觸控表面行的多個對應(yīng)位置形成多個交錯列，且所述多個觸控表面均位于單一導(dǎo)電物質(zhì)層中，所述多點觸控檢測方法包括下列步驟 讀取多個自電容測量值并根據(jù)所述多個自電容測量值計算與所述多個觸控表面接觸的多個物體相對應(yīng)的多個觸控位置； 其中根據(jù)所述多個自電容測量值計算所述多個觸控位置的步驟更包括 由所述多個觸控表面切割出的多個虛擬平面，以形成多個列非交錯平面；以及通過轉(zhuǎn)換與所述多個觸控表面相連接的所述多個觸控檢測器的多個讀數(shù)為所述多個虛擬平面的多個計算理論電容讀數(shù)形成的一讀數(shù)矩陣，以對根據(jù)形成一陣列的所述多個觸控表面間的一交錯排列可能產(chǎn)生的一信號失真進(jìn)行補(bǔ)償。
26.如權(quán)利要求25所述的電腦程序產(chǎn)品，其特征在于，所述電腦程序位于一處理單元中。
27.如權(quán)利要求22所述的多點觸控檢測方法，其特征在于，超過一特定部分的所述多個觸控表面具有一第一軸線以及長度大于所述第一軸線的一第二軸線，當(dāng)排除一姆指或一巨大單一物體時所檢測到的一觸控檢測圖形顯示為沿所述第二軸線且具一大斜率的一長直線以及沿所述第一軸線的一較短直線，一峰值位置將被判斷為依據(jù)沿所述第二軸線的一單一觸控表面行上的二相近觸控物體產(chǎn)生，而非依據(jù)一單一觸控物體產(chǎn)生。
28.如權(quán)利要求13所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，當(dāng)至少一第一峰值位置鄰接至一第二峰值位置且所述第二峰值位置的值高于所述第一峰值位置的值，所述第一峰值位置被濾除。
29.如權(quán)利要求8所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述處理單元計算所述多個觸控位置更包括進(jìn)行一影像處理。
30.如權(quán)利要求8所述的多點觸控檢測模塊，其特征在于，所述處理單元計算所述多個觸控位置更包括進(jìn)行一多項式逼近法。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供一種多點觸控檢測模塊、多點觸控檢測方法及電腦程序產(chǎn)品。所述多點觸控檢測模塊，包括多個導(dǎo)電的觸控表面，分別連接至至少一走線，其中等觸控表面是排列為數(shù)目大于二的多個觸控表面行，且各觸控表面行包括數(shù)目大于二的觸控表面，其中觸控表面于觸控表面行的多個對應(yīng)位置形成多個交錯列，且觸控表面均位于單一導(dǎo)電物質(zhì)層中。
文檔編號G06F3/044GK102929458SQ20121028096
公開日2013年2月13日 申請日期2012年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月8日
發(fā)明者Z·赫爾沙曼, 伊里亞·史多洛夫, 艾納·諾維斯基 申請人:新唐科技股份有限公司