專利名稱：一種防誤觸控的單片式電容觸摸屏及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸摸屏，尤其涉及一種防誤觸控的單片式電容觸摸屏，以及這種防誤觸控的單片式電容觸摸屏的制造方法。
背景技術(shù)：
目前，單片式電容觸摸屏，一般包括透明基板、設(shè)置在透明基板一側(cè)面上的感測(cè)電極層、遮掩層和周邊線路，遮掩層處于感測(cè)電極層的周邊，周邊線路設(shè)置在遮掩層上，周邊線路與感測(cè)電極的邊緣電連接，感測(cè)電極層包括多個(gè)沿著第一方向延伸的第一感測(cè)電極、多個(gè)沿著第二方向延伸的第二感測(cè)電極、以及跳線結(jié)構(gòu)，跳線結(jié)構(gòu)包括依次疊合設(shè)置的底部連接、絕緣墊塊和頂部連接橋，跳線結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極的交叉處。上述單片式電容觸摸屏的遮掩層都是采用黑色樹脂等絕緣材料，以達(dá)到遮掩周邊 線路的目的。由于周邊線路設(shè)置在遮掩層上，當(dāng)手指從透明基板的另一側(cè)面在電容觸摸屏表面觸摸時(shí)，某個(gè)周邊線路與手指之間具有電容C2，而感測(cè)電極與手指之間具有電容Cl，某個(gè)周邊線路通過C2、Cl與感測(cè)電極構(gòu)成一個(gè)電容回路時(shí)，則系統(tǒng)會(huì)認(rèn)為該周邊線路所連接的感測(cè)電極與該感測(cè)電極產(chǎn)生互電容感應(yīng)，由此導(dǎo)致了誤判斷。也就是說，當(dāng)手指在這種電容觸摸屏的周邊觸摸時(shí)，常常會(huì)出現(xiàn)“跳躍式”的誤感應(yīng)，導(dǎo)致對(duì)觸摸的定位不準(zhǔn)確。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種防誤觸控的單片式電容觸摸屏，以及這種防誤觸控的單片式電容觸摸屏的制造方法，這種單片式電容觸摸屏能夠防止周邊電路對(duì)觸摸感應(yīng)的干擾，使得觸摸的定位更加準(zhǔn)確。采用的技術(shù)方案如下
一種防誤觸控的單片式電容觸摸屏，包括透明基板、設(shè)置在透明基板一側(cè)面上的感測(cè)電極層、遮掩層和周邊線路，遮掩層處于感測(cè)電極層的周邊，周邊線路設(shè)置在遮掩層上，感測(cè)電極層包括多個(gè)沿著第一方向延伸的第一感測(cè)電極、多個(gè)沿著第二方向延伸的第二感測(cè)電極、以及跳線結(jié)構(gòu)，跳線結(jié)構(gòu)包括依次疊合設(shè)置的底部連接、絕緣墊塊和頂部連接橋，跳線結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一感測(cè)電極與第二感測(cè)電極的交叉處，周邊線路與各個(gè)第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極的邊緣電連接，其特征是還包括阻擋絕緣層；所述遮掩層為不透明導(dǎo)電層，遮掩層構(gòu)成周邊線路的感應(yīng)電場(chǎng)阻擋層；阻擋絕緣層設(shè)于遮掩層與周邊線路之間，并沿遮掩層的斜面延伸到透明基板上，阻擋絕緣層使得遮掩層與周邊線路之間、遮掩層與感測(cè)電極層的邊緣之間均絕緣。上述第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極均由透明導(dǎo)電膜圖形化而成，而底部連接和頂部連接橋則可采用金屬層或透明導(dǎo)電膜圖形化而成。本發(fā)明的單片式電容觸摸屏，由于遮掩層為不透明導(dǎo)電層，并且設(shè)置了阻擋絕緣層，從而使得遮掩層既起到遮掩作用，又起到屏蔽手指與周邊線路之間感應(yīng)電場(chǎng)的作用。手指在透明基板的另一面進(jìn)行觸控操作，當(dāng)手指接觸感測(cè)電極層的邊緣附近區(qū)域時(shí)，由于遮掩層(感應(yīng)電場(chǎng)阻擋層)的阻擋作用，手指與周邊線路之間不會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電容，而只有在手指與感測(cè)電極層之間產(chǎn)生感應(yīng)電容，因此避免了互電容感應(yīng),避免對(duì)觸摸的錯(cuò)誤判斷,避免了周邊電路對(duì)觸摸感應(yīng)的干擾，使得觸摸的定位更加準(zhǔn)確。另外，由于阻擋絕緣層對(duì)遮 掩層形成了完全覆蓋，因此可以隔絕遮掩層與外界的接觸，使得遮掩層允許采用在外界環(huán)境(如空氣)中化學(xué)性質(zhì)比較不穩(wěn)定的材料。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，其特征是所述遮掩層與感測(cè)電極層之間有間隙；所述周邊線路設(shè)有自遮掩層往感測(cè)電極層方向延伸的延伸部，延伸部覆蓋在感測(cè)電極層的邊緣上。由于周邊線路是覆蓋在感測(cè)電極層的邊緣上，即是周邊線路覆蓋在處于感測(cè)電極層邊緣的第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極上，周邊線路在形成第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極后才進(jìn)行制作，可采用同一金屬層形成周邊線路和跳線結(jié)構(gòu)的頂部連接橋，因此，這種結(jié)構(gòu)適合于頂部連接橋?yàn)榻饘贅虻闹谱鳎喕酥圃旃ば?。在這種結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選在形成阻擋絕緣層的過程中，對(duì)阻擋絕緣層進(jìn)行平坦化處理，即是阻擋絕緣層與透明基板相接觸的一端設(shè)有緩沖部，以減小阻擋絕緣層斜面的坡度，使得在沉積金屬層形成周邊線路時(shí)，周邊線路的延伸部能夠保持應(yīng)有的厚度，使延伸部的電流承受能力更強(qiáng)，避免被熔斷，從而提高了電容觸摸屏的穩(wěn)定性。作為本發(fā)明的另一種優(yōu)選方案，其特征是所述感測(cè)電極層的邊緣設(shè)有由透明導(dǎo)電膜圖形化而成的連接線，連接線自感測(cè)電極層往周邊線路方向延伸并覆蓋在阻擋絕緣層上，周邊線路覆蓋在連接線上。感測(cè)電極層通過連接線與周邊線路連接，連接線由透明導(dǎo)電膜形成，可在采用同一透明導(dǎo)電膜形成第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極和頂部連接橋，適于頂部連接橋?yàn)橥该鲗?dǎo)電橋的制作，簡化制造工序，同時(shí)由于連接線、頂部連接橋均由透明導(dǎo)電膜形成，提高了透過電容觸摸屏觀賞顯示畫面的質(zhì)量。作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案，其特征是所述遮掩層接地。遮掩層接地，避免在遮掩層上累積電荷而影響阻擋感應(yīng)電場(chǎng)的效果。作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案，其特征是所述不透明導(dǎo)電層為金屬膜層或低反射率膜層。金屬膜層的反射率較高，可采用如鋁、鑰、鉻、鈦、金、銀、銅等各種金屬或合金材料，圖形化為遮掩層時(shí)，具有較高的金屬光澤，美感更好。低反射率膜層，是指反射率在80%以下的膜層，由低反射率材料鍍膜形成的薄膜層。低反射率材料包括含有石墨態(tài)的碳、以及氮化物、氧化物、氮氧化物、碳化物、硅化物、硼化物的其中一種構(gòu)成的單層膜或多種構(gòu)成的多層膜。進(jìn)一步優(yōu)選所述氮化物包括鑰、鉻、鈦、鋯、的氮化物，所述的氧化物包括鑰、鉻、鈦、鋯的氧化物，所述的碳化物包括硅的碳化物；所述的硅化物鑰的硅化物、所述的硼化物包括鈦、鋯的硼化物。上述各種化合物的組分，可以是符合化學(xué)配比的，也可以是偏離化學(xué)配比的，例如，氮化鉻可以為符合化學(xué)配比的CrN，也可以為偏離化學(xué)配比的CrNO. 8 ;通過調(diào)節(jié)化學(xué)配比，可以調(diào)節(jié)該化合物的反射率與導(dǎo)電性。上述各種化合物，還可以是摻雜的，譬如，在Mo的氮化物中摻雜了鈮等雜質(zhì)。作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案，其特征是所述不透明導(dǎo)電層由低反射率膜層和至少一透明導(dǎo)電層相結(jié)合而成。一種防誤觸控的單片式電容觸摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步驟
(I)、在透明基板的感應(yīng)區(qū)域上沉積透明導(dǎo)電層，并圖形化為第一感測(cè)電極、第二感測(cè)
電極和底部連接；(2)、在透明基板的周邊區(qū)域上形成不透明導(dǎo)電層，并將不透明導(dǎo)電層圖形化為遮掩層，遮掩層與第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極的邊緣之間有間隙；
(3)、涂布透明絕緣層，在跳線結(jié)構(gòu)的相應(yīng)位置上圖形化為跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊，在遮掩層的相應(yīng)位置上圖形化為阻擋絕緣層，阻擋絕緣層完全覆蓋在遮掩層上；
(4)、沉積金屬層，并且在跳線結(jié)構(gòu)的相應(yīng)位置上圖形化為跳線結(jié)構(gòu)的頂部連接，在遮掩層的相應(yīng)位置上圖形化為周邊線路及周邊線路的延伸部，延伸部覆蓋在第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極的邊緣上而構(gòu)成電連接。另一種防誤觸控的單片式電容觸摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步驟
(1)、在透明基板上沉積第一透明導(dǎo)電層，并在跳線結(jié)構(gòu)的位置圖形化為跳線結(jié)構(gòu)的底部連接； (2)、在透明基板的周邊區(qū)域上形成不透明導(dǎo)電層，并圖形化為遮掩層；
(3)、涂布透明絕緣層，在跳線結(jié)構(gòu)的相應(yīng)位置上圖形化為跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊，在遮掩層的相應(yīng)位置上圖形化為阻擋絕緣層，阻擋絕緣層完全覆蓋在遮掩層上；
(4)、在透明基板的感應(yīng)區(qū)域上沉積第二透明導(dǎo)電層，并圖形化為第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極和頂部連接，以及自第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極的邊緣延伸到阻擋絕緣層上的連接線；
(5)、沉積金屬層，在遮掩層的相應(yīng)位置上圖形化為周邊線路。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，其特征在于上述遮掩層的形成包括如下步驟
(1)、采用金屬材料并通過真空鍍膜方式在透明基板上鍍制一層不透明導(dǎo)電層；
(2 )、采用光刻法或印刷保護(hù)膠蝕刻法形成遮掩層。遮掩層采用上述方法形成，具有厚度小于Ium的優(yōu)點(diǎn)，不會(huì)形成遮掩層邊緣較高臺(tái)階，因此，因?yàn)楸ＷC線路爬坡的質(zhì)量。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，其特征在于上述遮掩層的形成包括如下步驟
(I )、采用碳并通過濺射方法沉積在透明基板上形成碳膜；
(2)、500°C高溫退火，對(duì)碳膜進(jìn)行石墨化；
(3)、采用光掩膜結(jié)合等離子體蝕刻法形成遮掩層。遮掩層采用上述方法形成，由于碳膜本身的導(dǎo)電性良好，并且可以使得遮掩層獲得更加自然的黑色光澤。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意 圖2a 圖2d是本發(fā)明實(shí)施例一制造方法的示意 圖3是本發(fā)明實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意 圖4a 圖4e是本發(fā)明實(shí)施例二制造方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式做進(jìn)一步的說明。實(shí)施例一
如圖I所示，這種防誤觸控的單片式電容觸摸屏，包括透明基板I、設(shè)置在透明基板I 一側(cè)面上的感測(cè)電極層2、遮掩層3、周邊線路4和阻擋絕緣層5 ;遮掩層3處于感測(cè)電極層2的周邊，周邊線路4設(shè)置在遮掩層3上；感測(cè)電極層2包括多個(gè)沿著第一方向延伸的第一感測(cè)電極201、多個(gè)沿著第二方向延伸的第二感測(cè)電極202、以及跳線結(jié)構(gòu)203 ;跳線結(jié)構(gòu)203包括依次疊合設(shè)置的底部連接2031、絕緣墊塊2032和頂部連接橋2033，跳線結(jié)構(gòu)203設(shè)置在第一感測(cè)電極201與第二感測(cè)電極202的交叉處；周邊線路4與各個(gè)第一感測(cè)電極201、第二感測(cè)電極202的邊緣電連接；遮掩層3為不透明導(dǎo)電層，遮掩層3構(gòu)成周邊線路4的感應(yīng)電場(chǎng)阻擋層并接地；阻擋絕緣層5設(shè)于遮掩層3與周邊線路4之間，并沿遮掩層3的斜面延伸到透明基板I上，阻擋絕緣層5使得遮掩層3與周邊線路4之間、遮掩層3與感測(cè)電極層2的邊緣之間均絕緣。上述周邊線路4與各個(gè)第一感測(cè)電極201、第二感測(cè)電極202的邊緣電連接，通過在遮掩層3與感測(cè)電極層2之間設(shè)有間隙；周邊線路4設(shè)有自遮掩層3往感測(cè)電極層2方 向延伸的延伸部6，延伸部6覆蓋在感測(cè)電極層2的邊緣上。上述這種防誤觸控的單片式電容觸摸屏的制造方法如下
(1)、如圖2a所示，在透明基板I的感應(yīng)區(qū)域上沉積透明導(dǎo)電層，并圖形化為第一感測(cè)電極201、第二感測(cè)電極202和底部連接2031 ；
(2)、如圖2b所示，采用金屬材料并通過真空鍍膜方式在透明基板I的周邊區(qū)域上鍍制一層不透明導(dǎo)電層；采用光刻法形成遮掩層3，遮掩層3與第一感測(cè)電極201、第二感測(cè)電極202的邊緣之間有間隙；
(3)、如圖2c所示，涂布透明絕緣層，在跳線結(jié)構(gòu)203的相應(yīng)位置上圖形化為跳線結(jié)構(gòu)203的絕緣墊塊2032，在遮掩層3的相應(yīng)位置上圖形化為阻擋絕緣層5，阻擋絕緣5層完全覆蓋在遮掩層3上；
(4)、如圖2d所示，沉積金屬層，并且在跳線結(jié)構(gòu)203的相應(yīng)位置上圖形化為跳線結(jié)構(gòu)203的頂部連接2033，在遮掩層3的相應(yīng)位置上圖形化為周邊線路4及周邊線路4的延伸部6，延伸部6覆蓋在第一感測(cè)電極201、第二感測(cè)電極202的邊緣上而構(gòu)成電連接。實(shí)施例二
如圖3所示，在其它部分均與實(shí)施例一相同的情況下，其區(qū)別在于上述周邊線路4與各個(gè)第一感測(cè)電極201、第二感測(cè)電極202的邊緣電連接，是通過在感測(cè)電極層2的邊緣設(shè)有由透明導(dǎo)電膜圖形化而成的連接線7，連接線7自感測(cè)電極層2往周邊線路4方向延伸并覆蓋在阻擋絕緣層5上，周邊線路4覆蓋在連接線7上。上述這種防誤觸控的單片式電容觸摸屏的制造方法如下
(1)、如圖4a所示，在透明基板I上沉積第一透明導(dǎo)電層，并在跳線結(jié)構(gòu)203的位置圖形化為跳線結(jié)構(gòu)203的底部連接2031 ；
(2)、如圖4b所示，采用碳并通過濺射方法沉積在透明基板I上形成碳膜(不透明導(dǎo)電層)；500°C高溫退火，對(duì)碳膜進(jìn)行石墨化；采用光掩膜結(jié)合等離子體蝕刻法形成遮掩層3。(3)、如圖4c所示，涂布透明絕緣層，在跳線結(jié)構(gòu)203的相應(yīng)位置上圖形化為跳線結(jié)構(gòu)203的絕緣墊塊2032，在遮掩層3的相應(yīng)位置上圖形化為阻擋絕緣層5，阻擋絕緣層5完全覆蓋在遮掩層3上；
(4)、如圖4d所示，在透明基板I的感應(yīng)區(qū)域上沉積第二透明導(dǎo)電層，并圖形化為第一感測(cè)電極201、第二感測(cè)電極202和頂部連接2033，以及自第一感測(cè)電極201、第二感測(cè)電極202的邊緣延伸到阻擋絕緣層5上的連接線7 ；
(5)、如圖4e所示，沉積金屬層，在遮掩層3的相應(yīng)位置上圖形化為周邊線路4。 在其它實(shí)施方式中，不透明導(dǎo)電層由低反射率膜層和至少一透明導(dǎo)電層相結(jié)合而成。
權(quán)利要求
1.ー種防誤觸控的單片式電容觸摸屏，包括透明基板、設(shè)置在透明基板ー側(cè)面上的感測(cè)電極層、遮掩層和周邊線路，感測(cè)電極層處于感應(yīng)區(qū)域，遮掩層處于周邊區(qū)域，周邊線路設(shè)置在遮掩層上，感測(cè)電極層包括多個(gè)沿著第一方向延伸的第一感測(cè)電極、多個(gè)沿著第二方向延伸的第二感測(cè)電極、以及跳線結(jié)構(gòu)，跳線結(jié)構(gòu)包括依次疊合設(shè)置的底部連接、絕緣墊塊和頂部連接橋，跳線結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一感測(cè)電極與第二感測(cè)電極的交叉處，周邊線路與第ー感測(cè)電極、第二感測(cè)電極的邊緣電連接，其特征是還包括阻擋絕緣層；所述遮掩層為不透明導(dǎo)電層，遮掩層構(gòu)成周邊線路的感應(yīng)電場(chǎng)阻擋層；阻擋絕緣層設(shè)于周邊區(qū)域并處于遮掩層與周邊線路之間，并沿遮掩層的邊緣斜面延伸到透明基板上，阻擋絕緣層使得遮掩層與周邊線路之間、遮掩層與感測(cè)電極層的邊緣之間均絕緣。
2.如權(quán)利要求I所述的單片式電容觸摸屏，其特征是所述遮掩層與感測(cè)電極層之間 有間隙；所述周邊線路設(shè)有自遮掩層往感測(cè)電極層方向延伸的延伸部，延伸部覆蓋在感測(cè)電極層的邊緣上。
3.如權(quán)利要求I所述的單片式電容觸摸屏，其特征是所述感測(cè)電極層的邊緣設(shè)有由透明導(dǎo)電膜圖形化而成的連接線，連接線自感測(cè)電極層往周邊線路方向延伸并覆蓋在阻擋絕緣層上，周邊線路覆蓋在連接線上。
4.如權(quán)利要求I或2或3所述的單片式電容觸摸屏，其特征是所述遮掩層接地。
5.如權(quán)利要求I或2或3所述的單片式電容觸摸屏，其特征是所述不透明導(dǎo)電層為金屬膜層或低反射率膜層。
6.如權(quán)利要求I或2或3所述的單片式電容觸摸屏，其特征是所述不透明導(dǎo)電層由低反射率膜層和至少一透明導(dǎo)電層相結(jié)合而成。
7.如權(quán)利要求2所述的單片式電容觸摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步驟 (1)、在透明基板的感應(yīng)區(qū)域上沉積透明導(dǎo)電層，并圖形化為第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極和底部連接； (2)、在透明基板的周邊區(qū)域上形成不透明導(dǎo)電層，并將不透明導(dǎo)電層圖形化為遮掩層，遮掩層與第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極的邊緣之間有間隙； (3)、涂布透明絕緣層，在跳線結(jié)構(gòu)的相應(yīng)位置上圖形化為跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊，在遮掩層的相應(yīng)位置上圖形化為阻擋絕緣層，阻擋絕緣層完全覆蓋在遮掩層上； (4)、沉積金屬層，并且在跳線結(jié)構(gòu)的相應(yīng)位置上圖形化為跳線結(jié)構(gòu)的頂部連接，在遮掩層的相應(yīng)位置上圖形化為周邊線路及周邊線路的延伸部，延伸部覆蓋在第一感測(cè)電扱、第二感測(cè)電極的邊緣上而構(gòu)成電連接。
8.如權(quán)利要求3所述的單片式電容觸摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步驟 (1)、在透明基板上沉積第一透明導(dǎo)電層，并在跳線結(jié)構(gòu)的位置圖形化為跳線結(jié)構(gòu)的底部連接； (2)、在透明基板的周邊區(qū)域上形成不透明導(dǎo)電層，并圖形化為遮掩層； (3)、涂布透明絕緣層，在跳線結(jié)構(gòu)的相應(yīng)位置上圖形化為跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊，在遮掩層的相應(yīng)位置上圖形化為阻擋絕緣層，阻擋絕緣層完全覆蓋在遮掩層上； (4)、在透明基板的感應(yīng)區(qū)域上沉積第二透明導(dǎo)電層，并圖形化為第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極和頂部連接，以及自第一感測(cè)電極、第二感測(cè)電極的邊緣延伸到阻擋絕緣層上的連接線；(5)、沉積金屬層，在遮掩層的相應(yīng)位置上圖形化為周邊線路。
9.如權(quán)利要求7或8所述的制造方法，其特征在于所述遮掩層的形成包括如下步驟(1)、采用金屬材料并通過真空鍍膜方式在透明基板上鍍制ー層不透明導(dǎo)電層；(2 )、采用光刻法或印刷保護(hù)膠蝕刻法形成遮掩層。
10.如權(quán)利要求7或8所述的制造方法，其特征在于上述遮掩層的形成包括如下步驟(I )、采用碳并通過濺射方法沉積在透明基板上形成碳膜；(2)、500°C高溫退火，對(duì)碳膜進(jìn)行石墨化；(3)、采用光掩膜結(jié)合等離子體蝕刻法形成遮掩層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種防誤觸控的單片式電容觸摸屏及其制造方法，這種防誤觸控的單片式電容觸摸屏包括透明基板、設(shè)置在透明基板一側(cè)面上的感測(cè)電極層、遮掩層和周邊線路，其特征是還包括阻擋絕緣層；所述遮掩層為不透明導(dǎo)電層，遮掩層構(gòu)成周邊線路的感應(yīng)電場(chǎng)阻擋層；阻擋絕緣層設(shè)于遮掩層與周邊線路之間，并沿遮掩層的斜面延伸到透明基板上，阻擋絕緣層使得遮掩層與周邊線路之間、遮掩層與感測(cè)電極層的邊緣之間均絕緣。由于遮掩層為不透明導(dǎo)電層，既起到遮掩作用，又起到屏蔽手指與周邊線路之間感應(yīng)電場(chǎng)的作用。手指與周邊線路之間不會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電容，避免互電容感應(yīng)，避免對(duì)觸摸的錯(cuò)誤判斷，避免周邊電路對(duì)觸摸感應(yīng)的干擾，使得觸摸的定位更加準(zhǔn)確。
文檔編號(hào)G06F3/044GK102707859SQ201210200608
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月18日
發(fā)明者吳少芳, 吳永俊, 孫楹煌, 林鋼, 沈奕, 詹前賢, 高嘉桐 申請(qǐng)人:汕頭超聲顯示器(二廠)有限公司