專利名稱：觸控面板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于ー種觸控面板及其制作方法，且特別是有關(guān)于ー種觸控單元的側(cè)邊與基板側(cè)邊之間具有間距的觸控面板。
背景技術(shù)：
觸控面板為目前相當(dāng)普及的人機(jī)接口裝置。觸控的基本原理為當(dāng)使用者觀察觸控面板后方屏幕中的文字或圖形而觸控對(duì)應(yīng)位置時(shí)，觸控面板會(huì)感測這些觸控信號(hào)，并傳送到控制器進(jìn)行處理，以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)位置的輸出信號(hào)。常見的感測方式有電阻式、電容式、紅外線式和超音波式等。常見的觸控面板包括ー層或多層的感測電極、一片支撐感測電極用的基板、導(dǎo)電線路、遮蔽元件和可提供防刮、防炫光或反射等功能的另一片基板。制造此類觸控面板吋，需于兩片基板上分別制造部分的元件再予以結(jié)合。然而，使用兩片基板的制造方式不但會(huì)產(chǎn)生厚度較厚的觸控面板，且觸控面板的重量也會(huì)増加。此外，使用兩片基板的觸控面板在制造的過程中，需要進(jìn)行多次的貼合エ藝，因而增加生產(chǎn)時(shí)的復(fù)雜度。有鑒于此，單一基板的觸控面板(One Glass Solution Touch Panel,簡稱OGSTouch Panel)因應(yīng)而生，此類型的觸控面板的特色在于單片基板同時(shí)具有支撐與保護(hù)的作用，適用于各種不同的顯示器。為達(dá)成薄型化的觸控面板設(shè)計(jì)，也有將上述感測電極、導(dǎo)電線路、遮蔽元件和其它元件制造于單ー的基板的作法，并可直接此種單一基板的觸控面板直接與顯示器結(jié)合，如此可省略一片基板的厚度與成本，亦可省略接合兩片基板的生產(chǎn)步驟而更有效率。請參照圖1，其為習(xí)知単一基板的觸控面板上視示意圖。從圖中可以清楚看出，觸控面板I主要是在基板10上透過半導(dǎo)體エ藝而形成觸控區(qū)11以及周邊區(qū)12。由于基板10為具有一定透明度的非導(dǎo)電基材，因此，觸控區(qū)11為具有透明的可視區(qū)域，用以觀看其下方的顯示器所顯示的信息。而位于觸控區(qū)11與基板10邊緣100之間的周邊區(qū)12為具有遮光層(如黒色樹脂層)的不可透視區(qū)域，一般會(huì)將容易遮蔽視線的元件設(shè)置在周邊區(qū)12。請同時(shí)參照圖I與圖2，其中，圖2為沿圖I的A-A線所見的觸控面板I的周邊區(qū)12的剖面示意圖。從圖中可以清楚看出，周邊區(qū)12的結(jié)構(gòu)為在基板10上依照順序迭置有緩沖層101、遮光層102以及絕緣層103、104、105。在習(xí)知單一基板的觸控面板I的周邊區(qū)12結(jié)構(gòu)中，基板10邊緣100會(huì)與遮光層102切齊，因此，習(xí)知觸控面板I在進(jìn)行后續(xù)切割エ藝時(shí)(例如是為了調(diào)整周邊區(qū)12形狀的異形切割エ藝)，會(huì)對(duì)周邊區(qū)12結(jié)構(gòu)中的遮光層102造成直接的傷害，而使得遮光層102會(huì)有剝落(Peeling)的現(xiàn)象，進(jìn)而造成觸控面板I的周邊區(qū)12遮光不完全的情況。而如何對(duì)此ー缺失進(jìn)行改善，為發(fā)展本案的目的之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一就是在提供一種觸控面板，其包括基板與觸控單元，且基板側(cè)、邊與觸控單元側(cè)邊之間具有間距，用以防止觸控單元在エ藝中遭受破壞，進(jìn)而提高良率。本發(fā)明的再一目的是提供一種觸控面板制作方法，使得觸控面板的基板側(cè)邊與觸控單元側(cè)邊之間具有間距的構(gòu)造，以利于觸控面板的基板進(jìn)行切割，以避免觸控單元在エ藝中遭受破壞，進(jìn)而提聞良率。為達(dá)上述優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明提出一種觸控面板包括基板以及觸控單元。基板具有至少一第一側(cè)邊。觸控單元配置于基板上，且該觸控單元具有至少ー第二側(cè)邊。至少ー第二側(cè)邊面對(duì)于至少一第一側(cè)邊，且至少第一側(cè)邊與至少ー第二側(cè)邊之間具有間距。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述之間距的范圍為介于25微米至500微米之間。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的觸控單元包括第一緩沖層，設(shè)置于基板上；第一遮光層，設(shè)置于第一緩沖層上；第一絕緣層，設(shè)置于第一遮光層上 ，第一導(dǎo)電層，設(shè)置于第一 絕緣層上；第二絕緣層，設(shè)置于第一絕緣層、第一緩沖層與第一導(dǎo)電層上，并覆蓋第一絕緣層與第一遮光層的側(cè)緣；第二導(dǎo)電層，設(shè)置于第二絕緣層上并電性連接于第一導(dǎo)電層；以及第三絕緣層，設(shè)置于第二絕緣層與第二導(dǎo)電層上。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的觸控面板更包括至少ー標(biāo)記，配置于基板上并位于至少ー第一側(cè)邊與至少ー第二側(cè)邊之間，并且至少ー標(biāo)記至少部份不與觸控結(jié)構(gòu)接觸，至少ー標(biāo)記包括第二緩沖層，設(shè)置于基板上；第二遮光層，設(shè)置于第二緩沖層上；第四絕緣層，設(shè)置于第二遮光層上；第五絕緣層，設(shè)置于第四絕緣層上，井覆蓋于第四絕緣層、該第二遮光層與該第二緩沖層的側(cè)緣；以及第六絕緣層，設(shè)置于第五絕緣層上井覆蓋于該第五絕緣層的側(cè)緣。本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的第六絕緣層與觸控單元之間具有間隔。本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的第二緩沖層與第一緩沖層同層，第二遮光層與第一遮光層同層，第四絕緣層與第一絕緣層同層，第五絕緣層與第二絕緣層同層，第六絕緣層與第三絕緣層同層。本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的觸控面板更包括至少ー標(biāo)記，配置于基板上并位于至少ー第一側(cè)邊與至少ー第二側(cè)邊之間，其中至少ー標(biāo)記與觸控單元之間具有間隔。本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的觸控單元包括有周邊區(qū)與觸控區(qū)，周邊區(qū)環(huán)繞于觸控區(qū)。本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的基板為強(qiáng)化玻璃基板。為達(dá)上述優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明提出一種觸控面板制作方法，包括下列步驟提供基板；于基板上形成觸控單元，且觸控単元包括第一區(qū)與第二區(qū)；移除第二區(qū)的觸控單元，并暴露出基板，并且使觸控單元形成第一側(cè)邊；以及切割第二區(qū)下的基板，使基板具有至少一切割邊緣，其中至少一切割邊緣與第一側(cè)邊具有間距。本發(fā)明的另ー實(shí)施例中，上述的觸控面板制作方法，更包括下列步驟保留部分第ニ區(qū)的觸控單元，進(jìn)而形成至少ー標(biāo)記。
本發(fā)明的另ー實(shí)施例中，上述的觸控面板制作方法，更包括下列步驟以至少ー標(biāo)記為研磨界線來對(duì)基板進(jìn)行研磨エ藝。本發(fā)明的另ー實(shí)施例中，上述的至少ー標(biāo)記的形成方法包括下列步驟于該基板 上形成緩沖層；于緩沖層上形成遮光層，遮光層為圖案化遮光層，圖案化遮光層露出部分緩沖層；于緩沖層與遮光層上形成第一絕緣層；于第一絕緣層上形成第二絕緣層；以光罩于第二絕緣層定義出圖形；根據(jù)圖形對(duì)第二絕緣層進(jìn)行蝕刻エ藝而去除部分第二絕緣層而形成第一圖案化絕緣層；以及持續(xù)對(duì)緩沖層與第一絕緣層進(jìn)行蝕刻エ藝而定義出間距與至少
一懷I己O本發(fā)明的另ー實(shí)施例中，上述的間距的范圍介于25微米至500微米之間。在本發(fā)明中，觸控面板包括基板以及觸控單元。觸控單元的側(cè)邊面對(duì)于基板的側(cè)邊，且觸控單元的側(cè)邊與基板的側(cè)邊之間具有間距。在這樣的結(jié)構(gòu)下，本發(fā)明的觸控面板在進(jìn)行后續(xù)的切割或研磨的エ藝時(shí)，可以有效避免觸控單元遭受到破壞。另外，本發(fā)明提出一種觸控面板制作方法，使得觸控面板的基板側(cè)邊與觸控單元側(cè)邊之間具有間距的構(gòu)造，以利于觸控面板的基板進(jìn)行切割，以避免觸控單元在エ藝中遭受破壞，進(jìn)而提高良率。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖I繪示為現(xiàn)有單一基板的觸控面板上視示意圖。圖2繪示為沿圖I的A-A線所見的觸控面板的周邊區(qū)的剖面示意圖。圖3繪示為本發(fā)明的一實(shí)施例所述的觸控面板上視示意圖。圖4繪示為沿圖3的B-B線所見的觸控面板的周邊區(qū)的剖面示意圖。圖5繪示為沿圖3的C-C線所見的觸控面板的剖面示意圖。圖6繪示為本發(fā)明的另ー實(shí)施例所述的觸控面板的周邊區(qū)剖面示意圖。圖7A繪示為其為圖6所示的觸控面板周邊區(qū)的上視示意圖。圖7B繪示為本發(fā)明實(shí)施例所述的標(biāo)記的另ー實(shí)施例示意圖。圖8A至圖8D繪示為本發(fā)明的一實(shí)施所述的觸控面板制作方法示意圖。圖9A至圖9G繪示為圖8所示的形成觸控單元以及移除第二區(qū)的觸控單元的詳細(xì)制作流程示意圖。圖IOA至圖IOD繪示為本發(fā)明的另ー實(shí)施例所述的觸控面板制作方法示意圖。其中，附圖標(biāo)記1、2:觸控面板10、20、30、40 :基板11,21 :觸控區(qū)12、22、22a :周邊區(qū)100 :基板邊緣101 :緩沖層102 :遮光層103、104、105 :絕緣層23,33,43 :觸控單元24、25、24a、25a :標(biāo)記201 :第一側(cè)邊202 :表面230 :第二側(cè)邊200:間距
231 :第一緩沖層232 :第一遮光層233 :第一絕緣層234:第一導(dǎo)電層235 :第二絕緣層236:第二導(dǎo)電層
237 :第三絕緣層241 :第二緩沖層242 :第二遮光層243:第四絕緣層244:第五絕緣層245 :第六絕緣層200a:最大容許切割寬度范圍200b :最大容許研磨寬度范圍200c :最大容許切割寬度范圍200d :最大容許研磨寬度范圍300、300a、300b、300c、300d :間隔3000、4000:間距330U4301 :第一區(qū)3302、4302 :第二區(qū)330、430 :側(cè)邊301、401 :切割邊緣331 :緩沖層332 :遮光層333 :第一絕緣層334:第一導(dǎo)電層335 :第二絕緣層336:第二導(dǎo)電層337 :第三絕緣層338 :貫穿孔
具體實(shí)施例方式請參照圖3，其為本發(fā)明的一實(shí)施例所述的觸控面板上視示意圖。從圖3中可以清楚看出，本實(shí)施例所述的觸控面板2例如是單片式基板觸控面板。如圖3所示，觸控面板2包括基板20，例如是強(qiáng)化玻璃基板。觸控面板2的基板20上具有觸控區(qū)21與周邊區(qū)22。由于基板20為具有一定透明度的非導(dǎo)電基材，因此，觸控區(qū)21為具有透明的可視區(qū)域，用以觀看其下方的顯示器所顯示的信息。而位于觸控區(qū)21與基板20邊緣之間的周邊區(qū)22為具有遮光層(如黒色樹脂層)的不可透視區(qū)域，一般會(huì)將容易遮蔽視線的元件設(shè)置在周邊區(qū)22。
請參照圖4，其為沿圖3的B-B線所見的觸控面板2的周邊區(qū)22的剖面示意圖。從圖4中可以清楚看出，本實(shí)施例所述的周邊區(qū)22包括基板20的一部分以及觸控單元23的一部分?；?0具有至少ー第一側(cè)邊201。觸控單元23配置于基板20上，且觸控単元23具有至少ー第二側(cè)邊230。觸控單元23的第二側(cè)邊230面對(duì)于基板20的第一側(cè)邊201，且基板20的第一側(cè)邊201與觸控單元23的第二側(cè)邊230之間具有間距200，而此間距200范圍中例如是不具有觸控單元23而曝露出基板20表面202的區(qū)域，也就是說基板20的第ー側(cè)邊201是沒有切齊觸控單元23的第二側(cè)邊230。承上述，如圖4所示，在本實(shí)施例中，基板20曝露出的表面202的寬度范圍例如是介于25微米至500微米之間。舉例來說，基板20曝露出的表面202的寬度范圍，也就是基板20的第一側(cè)邊201與觸控單元23的第二側(cè)邊230的間距200例如是設(shè)定在500微米。而本實(shí)施例中所述的觸控面板2在進(jìn)行切割與研磨(異形切割加工)エ藝時(shí)，一般來說，將基板20切割與研磨去除的寬度范圍例如是介于270微米至320微米之間，也就是切割基板20時(shí)最佳去除的寬度范圍例如是70微米左右，而研磨基板20時(shí)最佳去除的寬度范圍例如是介于200微米至250微米之間。因此，在間距200的寬度范圍為500微米時(shí)，在進(jìn)行切割エ藝時(shí)的最大容許切割寬度范圍200a例如是設(shè)定在100微米。而在進(jìn)行研磨エ藝時(shí)的最大容許研磨寬度范圍200b例如是設(shè)定在375微米，如此ー來，可確保切割刀與研磨刀具不會(huì)接觸到觸控單元23。以下再就本實(shí)施例所述的觸控面板2的觸控單元23詳細(xì)的結(jié)構(gòu)做進(jìn)ー步的說明。請參照圖5，其為沿圖3的C-C線所見的觸控面板的剖面示意圖。從圖5中可以清楚看出，本實(shí)施例所述的觸控單元23設(shè)置于如圖3所示的觸控區(qū)21與周邊區(qū)22中。觸控單兀23包括第一緩沖層231、第一遮光層232、第一絕緣層233、第一導(dǎo)電層234、第二絕緣層235、第二導(dǎo)電層236以及第三絕緣層237。第一緩沖層231設(shè)置于基板20上。第一遮光層232設(shè)置于第一緩沖層231上。第一絕緣層233設(shè)置于第一遮光層232上。第一導(dǎo)電層234設(shè)置于第一絕緣層233上。第二絕緣層235設(shè)置于第一絕緣層233、第一緩沖層231與第一導(dǎo)電層234上,且第二絕緣層235覆蓋第一絕緣層233與第一遮光層232的側(cè)緣。第二導(dǎo)電層236設(shè)置于第二絕緣層235上，且第二導(dǎo)電層236電性連接于第一導(dǎo)電層234。第三絕緣層237設(shè)置于第二絕緣層235與第二導(dǎo)電層236上。其中第一導(dǎo)電層234例如是金屬導(dǎo)電層，金屬導(dǎo)電層的材料選自鋁金屬、鑰金屬、鈦金屬、鎢金屬、氮化鋁、氮化鑰及ー氮化鈦至少其中之一。第二導(dǎo)電層236例如是透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層的材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)或透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。第一緩沖層231、第一絕緣層233、第二絕緣層235與該第三絕緣層237的材料包括氮化合物、氧化合物、氮氧化合物或有機(jī)復(fù)合物。而第一遮光層232例如是采用不同透明度的材料包括黒色或其它顏色不透明的光阻、樹脂或油墨等材料。于ー實(shí)施例中，基板20的第一側(cè)邊201與觸控單元23的第二側(cè)邊230的間距200，也就是基板20曝露出的表面202上也可以設(shè)置第一遮光層232。而上述觸控單元23的結(jié)構(gòu)僅為本發(fā)明其中的ー實(shí)施例，本發(fā)明所述的觸控單元23結(jié) 構(gòu)不限于此。請參照圖6，其為本發(fā)明的另ー實(shí)施例所述的觸控面板的周邊區(qū)剖面示意圖。本實(shí)施例所述的觸控面板的周邊區(qū)22a類似于圖4所述的觸控面板的周邊區(qū)22，現(xiàn)針對(duì)不同處進(jìn)行說明。從圖6中可以清楚看出，本實(shí)施例所述的的周邊區(qū)22a結(jié)構(gòu)包括基板20、觸控單元23以及標(biāo)記24、25。標(biāo)記24、25配置于基板20的第一側(cè)邊201與觸控單元23的第二側(cè)邊230之間，也就是位在不具有觸控單元23而曝露出基板20表面202的間距200區(qū)域的中。而標(biāo)記24與觸控單元23之間具有間隔300，標(biāo)記24與標(biāo)記25之間也同樣具有間隔300a。承上述，如圖6所示，在本實(shí)施例中，基板20曝露出的表面202寬度范圍例如是介于25微米至500微米之間。舉例來說，基板20曝露出的表面202寬度范圍，也就是基板20的第一側(cè)邊201與觸控單元23的第二側(cè)邊230的間距200例如是設(shè)定在500微米。而本實(shí)施中例所述的觸控面板2在進(jìn)行切割與研磨(異形切割加工)エ藝時(shí)，一般來說，將基板20切割與研磨去除的寬度范圍例如是介于270微米至320微米之間，也就是切割基板20時(shí)最佳去除的寬度范圍例如是70微米左右，而研磨基板20時(shí)最佳去除的寬度范圍例如是介于200微米至250微米之間。因此，在間距200的寬度范圍為500微米時(shí)，在進(jìn)行切割エ藝時(shí)的最大容許切割寬度范圍200c例如是設(shè)定在100微米。而在進(jìn)行研磨エ藝時(shí)的最大容許研磨寬度范圍200d例如是設(shè)定在350微米。標(biāo)記24與觸控單元23之間的間隔300、標(biāo)記24與標(biāo)記25之間的間隔300a以及標(biāo)記25與最大容許切割寬度范圍200c的邊界之間的間隔300b例如是設(shè)定在50微米。如圖6所示,標(biāo)記24、25例如是設(shè)置在最大容許研磨范圍200d的中，因此，本實(shí)施例中所述的標(biāo)記24、25結(jié)構(gòu)例如是制作成125微米的寬度范圍W1，且標(biāo)記25位于標(biāo)記24與第一側(cè)邊201之間，如此一來，在基板20進(jìn)行研磨エ藝時(shí)，便能夠以標(biāo)記24、25為監(jiān)控的基準(zhǔn)來進(jìn)行研磨，例如當(dāng)基板20在進(jìn)行切割エ藝時(shí)，倘若標(biāo)記25在切割的過程中完全被切除，則代表在切割基板20時(shí)的下刀位置已偏差約175微米的寬度范圍W2，由于最大容許切割寬度范圍200c設(shè)定為100微米(理想寬度范圍為70微米內(nèi))，此時(shí)若再繼續(xù)進(jìn)行研磨エ藝有絕大機(jī)會(huì)會(huì)破壞觸控単元23，則判定已超過最大的容許切割范圍，此基板20作廢。當(dāng)基板20在進(jìn)行研磨エ藝時(shí)，倘若標(biāo)記24在研磨的過程中已被完全磨除，則代表基板20已有約350微米被磨除(如圖6中200d的寬度范圍)，由于最大容許研磨范圍200d設(shè)定為350微米，此時(shí)，應(yīng)立即停止研磨，以防止觸控單元23被破壞。承上述，如圖6所示，標(biāo)記24與標(biāo)記25的結(jié)構(gòu)包括第二緩沖層241、第二遮光層242、第四絕緣層243、第五絕緣層244以及第六絕緣層245。第二緩沖層241設(shè)置于基板20上。第二遮光層242設(shè)置于該第二緩沖層241上。第四絕緣層243設(shè)置于第二遮光層242上。第五絕緣層244設(shè)置于第四絕緣層243上，且第五絕緣層244覆蓋第四絕緣層243、第ニ遮光層242與第二緩沖層241的側(cè)緣。第六絕緣層245設(shè)置于第五絕緣層244上，且第六絕緣層245覆蓋于第五絕緣層244的側(cè)緣。再請參照圖5與圖6。在本實(shí)施例中，圖6所示的觸控單元23結(jié)構(gòu)與圖5所示的觸控單元23結(jié)構(gòu)相同。由于間隔300、300a、300b (也就是基板20的表面202曝露出的區(qū)域)是透過微影蝕刻エ藝將部分的觸控單元23進(jìn)行蝕刻后形成，因此，圖6所示的標(biāo)記24、25的結(jié)構(gòu)中，第二緩沖層241例如是與第一緩沖層231同層。第二遮光層242例如是與第一遮光層232同層。第四絕緣層243例如是與第一絕緣層233同層。第五絕緣層244例如是與第二絕緣層235同層。第六絕緣層245例如是與第三絕緣層237同層。而上述標(biāo)記24、25的結(jié)構(gòu)僅為本發(fā)明其中的ー實(shí)施例，本發(fā)明所述的標(biāo)記24、25結(jié)構(gòu)不限于此。此外，由于標(biāo)記24、25具有第二遮光層241，在監(jiān)控系統(tǒng)的攝影鏡頭攝影下，可由監(jiān)控系統(tǒng)的屏幕中清楚看出標(biāo)記24、25在基板20上的位置，藉此，當(dāng)基板20進(jìn)行切割研磨エ藝時(shí)，可根據(jù)標(biāo)記24、25的位置來進(jìn)ー步設(shè)定出最大容許切割寬度范圍200c以及最大容許研磨寬度范圍200d。請參照圖7A,其為圖6所示的觸控面板周邊區(qū)22a的上視示意圖。從圖7A中可以清楚看出，標(biāo)記24、25例如是連續(xù)不斷而環(huán)繞于觸控単元23進(jìn)行設(shè)置。此外，也可以如圖7B所示，在觸控單元23的周圍設(shè)置多個(gè)標(biāo)記24a與多個(gè)標(biāo)記25a，而各個(gè)標(biāo)記24a與各個(gè)標(biāo)記25a之間都具有間隔300c、300d。請參照圖8A至圖8D，其為本發(fā)明的一實(shí)施所述的觸控面板制作方法示意圖。從圖中可以清楚看出，本實(shí)施例所述的觸控面板制作方法包括下列步驟首先，提供基板30(如圖8A所示)。接著，于基板30上形成觸控單元33，觸控單元33包括第一區(qū)3301與第二區(qū)3302(如圖8B所示)。然后，移除位在第二區(qū)3302的觸控單元33并曝露出基板30，同時(shí)使觸控單元33形成側(cè)邊330 (如圖8C所示)。的后，切割基板30的第二區(qū)3302，使得基板30具有至少一切割邊緣301，且基板30的切割邊緣301與觸控單元33的側(cè)邊330之間具有間距3000 (如圖8D所示)。而圖8D中所示的結(jié)構(gòu)為觸控面板的周邊區(qū)結(jié)構(gòu)，類似于圖4所示的觸控面板的周邊區(qū)結(jié)構(gòu)。以下再就形成觸控單元33以及移除第二區(qū)3302的觸控單元33的詳細(xì)制作流程做進(jìn)ー步的描述。
請參照圖9A至圖9G，其為圖8所示的形成觸控單元33以及移除第二區(qū)3302的觸控單元33的詳細(xì)制作流程示意圖。從圖可以清楚看出，首先，于基板30上形成緩沖層331 (如圖9A所示)。接著，于緩沖層331上形成一遮光層332，遮光層332例如是使用光掩膜于遮光層上332定義出所需的圖形，再透過蝕刻エ藝將部分遮光層332移除而形成圖案化遮光層，圖案化遮光層露出部分緩沖層331 (如圖9B所示)。接著，于緩沖層331與遮光層332上形成一第一絕緣層333 (如圖9C所不)。接著,于第一絕緣層333上形成第一導(dǎo)電層334，第一導(dǎo)電層334例如是使用光掩膜于第一導(dǎo)電層上334定義出所需的圖形，再透過蝕刻エ藝將部分第一導(dǎo)電層334移除而形成第一圖案化導(dǎo)電層，第一圖案化導(dǎo)電層露出部分第一絕緣層333 (如圖9D所不)。接著,于第一絕緣層333與第一導(dǎo)電層334上形成第二絕緣層335，第二絕緣層335例如是使用光掩膜于第二絕緣層上335上定義出所需的圖形，再透過蝕刻エ藝將部分第二絕緣層335移除而形成第一圖案化絕緣層，在透過蝕刻エ藝將部分第二絕緣層335移除的同時(shí)，會(huì)ー并將下方部分的第一絕緣層333以及部分的緩沖層331移除進(jìn)而定義出間距3000 (如圖9E所示)。接著，于第二絕緣層335上形成第二導(dǎo)電層336，第二導(dǎo)電層336例如是使用光掩膜于第二導(dǎo)電層上336上定義出所需的圖形，再透過蝕刻エ藝將部分第二導(dǎo)電層336移除而形成第二圖案化導(dǎo)電層，第二圖案化導(dǎo)電層露出部分第二絕緣層335，且第二導(dǎo)電層336藉由第一圖案化絕緣層定義出的貫穿孔338與第一導(dǎo)電層334完成電性連接(如圖9F所示)。之后，于第二絕緣層335、第二導(dǎo)電層上形成第三絕緣層337，第三絕緣層例如是使用光掩膜于第三絕緣層上337上定義出所需的圖形，再透過蝕刻エ藝將部分第三絕緣層337移除而形成第二圖案化絕緣層(如圖9G所示)。而圖9G中所示的結(jié)構(gòu)為觸控面板的周邊區(qū)結(jié)構(gòu)，類似于圖5所示的觸控面板的周邊區(qū)結(jié)構(gòu)，也就是圖5所示的觸控面板的周邊區(qū)結(jié)構(gòu)同樣可以透過如圖9A至圖9G的エ藝來制作。請參照圖IOA至圖10D，其為本發(fā)明的另ー實(shí)施例所述的觸控面板制作方法示意圖。從圖中可以清楚看出，本實(shí)施例所述的觸控面板制作方法包括下列步驟首先，提供基板40 (如圖IOA所示)。接著，于基板40上形成觸控單元43，觸控單元43包括第一區(qū)4301與第二區(qū)4302 (如圖IOB所示)。然后，移除位在第二區(qū)4302的部分觸控單元43曝露出部分基板40，進(jìn)而形成標(biāo)記44、45，并使觸控單元43形成側(cè)邊430 (如圖IOC所示)。之后，切割基板40的第二區(qū)4302，使得基板40具有至少一切割邊緣401，且基板40的切割邊緣401與觸控單元43的側(cè)邊430之間具有間距4000(如圖IOD所示)。而圖IOD中所示的結(jié)構(gòu)為觸控面板的周邊區(qū)結(jié)構(gòu)，類似于圖5所示的觸控面板的周邊區(qū)結(jié)構(gòu)。而在本實(shí)施例中，形成觸控單元43與移除第二區(qū)4302的觸控單元43的詳細(xì)制作流程與圖9所示的制作流程類似，故在本段不詳述。
綜上所述，在本發(fā)明實(shí)施例所述的觸控面板包括基板以及觸控單元。觸控單元的側(cè)邊面對(duì)于基板的側(cè)邊，且觸控單元的側(cè)邊與基板的側(cè)邊之間具有間距，而在此間距區(qū)域中可設(shè)置標(biāo)記。在這樣的結(jié)構(gòu)下，本發(fā)明的觸控面在進(jìn)行后續(xù)的切割或研磨的エ藝時(shí)，可以有效避免觸控單元中的遮光層遭受到破壞。另外，本發(fā)明提出一種觸控面板制作方法，使得觸控面板的基板側(cè)邊與觸控單元側(cè)邊之間具有間距的構(gòu)造，以利于觸控面板的基板進(jìn)行切害わ來對(duì)觸控面板的基板進(jìn)行切割，以避免觸控單元中的遮光層在エ藝中遭受破壞，進(jìn)而提高良率。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種觸控面板，其特征在于，包括 一基板，具有至少ー第一側(cè)邊；以及 一觸控單元，配置于該基板上，且該觸控單元具有至少ー第二側(cè)邊，其中該至少一第二側(cè)邊面對(duì)于該至少ー第一側(cè)邊，且該至少第一側(cè)邊與該至少一第二側(cè)邊之間具有一間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控面板，其特征在于，該間距的范圍為介于25微米至500微米之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控面板，其特征在于，該觸控單元包括 一第一緩沖層，設(shè)置于該基板上； 一第一遮光層，設(shè)置于該第一緩沖層上； 一第一絕緣層,設(shè)置于該第一遮光層上； 一第一導(dǎo)電層，設(shè)置于該第一絕緣層上； 一第二絕緣層，設(shè)置于該第一絕緣層、該第一緩沖層與該第一導(dǎo)電層上，井覆蓋該第一絕緣層與該第一遮光層的側(cè)緣； 一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該第二絕緣層上并電性連接于該第一導(dǎo)電層；以及 一第三絕緣層，設(shè)置于該第二絕緣層與該第二導(dǎo)電層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸控面板，其特征在于，更包括至少ー標(biāo)記，配置于該基板上并位于該至少一第一側(cè)邊與該至少一第二側(cè)邊之間，并且該至少一標(biāo)記至少部份不與該觸控單元接觸，該至少ー標(biāo)記包括 一第二緩沖層，設(shè)置于該基板上； 一第二遮光層，設(shè)置于該第二緩沖層上； 一第四絕緣層，設(shè)置于該第二遮光層上； 一第五絕緣層，設(shè)置于該第四絕緣層上，井覆蓋于該第四絕緣層、該第二遮光層與該第ニ緩沖層的側(cè)緣；以及 一第六絕緣層，設(shè)置于該第五絕緣層上井覆蓋于該第五絕緣層的側(cè)緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸控面板，其特征在干，該第六絕緣層與該觸控単元之間具有一間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸控面板，其特征在于，該第二緩沖層與該第一緩沖層同層，該第二遮光層與該第一遮光層同層，該第四絕緣層與該第一絕緣層同層，該第五絕緣層與該第二絕緣層同層，該第六絕緣層與該第三絕緣層同層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控面板，其特征在于，更包括至少ー標(biāo)記，配置于該基板上并位于該至少一第一側(cè)邊與該至少一第二側(cè)邊之間，其中該至少一標(biāo)記與該觸控単元之間具有一間隔。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控面板，其特征在于，該觸控單元包括有一周邊區(qū)與一觸控區(qū)，該周邊區(qū)環(huán)繞于該觸控區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控面板，其特征在于，該基板為ー強(qiáng)化玻璃基板。
10.一種觸控面板制作方法，其特征在于，包括下列步驟 提供一基板； 于該基板上形成一觸控單元，且該觸控單元包括一第一區(qū)與一第二區(qū)； 移除該第二區(qū)的該觸控単元，并暴露出該基板，并且使該觸控単元形成一第一側(cè)邊；以及 切割該第二區(qū)下的該基板，使該基板具有至少一切割邊緣，其中該至少一切割邊緣與該第一側(cè)邊具有一間距。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控面板制作方法，其特征在于，更包括下列步驟 保留部分該第二區(qū)的該觸控単元，進(jìn)而形成至少ー標(biāo)記。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸控面板制作方法，其特征在于，更包括下列步驟 以該至少ー標(biāo)記為研磨界線來對(duì)該基板進(jìn)行ー研磨エ藝。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸控面板制作方法，其特征在干，該至少一標(biāo)記的形成方法包括下列步驟 于該基板上形成一緩沖層； 于該緩沖層上形成一遮光層，該遮光層為ー圖案化遮光層，該圖案化遮光層露出部分該緩沖層； 于該緩沖層與該遮光層上形成一第一絕緣層； 于該第一絕緣層上形成一第二絕緣層； 以一光掩膜于該第二絕緣層定義出ー圖形； 根據(jù)該圖形對(duì)該第二絕緣層進(jìn)行ー蝕刻エ藝而去除部分該第二絕緣層而形成一第一圖案化絕緣層；以及 持續(xù)對(duì)該緩沖層與該第一絕緣層進(jìn)行該蝕刻エ藝而定義出該間距與該至少一標(biāo)記。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控面板制作方法，其特征在于，該間距的范圍介于25微米至500微米之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種觸控面板及其制作方法，該觸控面板包括基板以及觸控單元?；寰哂兄辽僖坏谝粋?cè)邊。觸控單元配置于基板上，且該觸控單元具有至少一第二側(cè)邊。至少一第二側(cè)邊面對(duì)于至少一第一側(cè)邊，且至少一第一側(cè)邊與至少一第二側(cè)邊之間具有間距。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102662519SQ201210108720
公開日2012年9月12日 申請日期2012年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月20日
發(fā)明者劉柏源, 葉家駿, 吳佩蓉, 莊文奇 申請人:友達(dá)光電股份有限公司