專(zhuān)利名稱(chēng)：新型ito過(guò)橋一體式電容觸摸屏及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電容觸摸屏技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種通過(guò)ITO過(guò)橋設(shè)計(jì)的一體式電容觸摸屏及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子科技的發(fā)展，目前手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、掌上游戲機(jī)、車(chē)載DVD、MP3、儀表儀器等的鍵盤(pán)或鼠標(biāo)逐漸被觸摸屏替代。觸摸屏的產(chǎn)品在幾年前并不是十分火熱，而隨著人們對(duì)于觸屏產(chǎn)品的接觸越來(lái)越多，近兩年也被更多人所認(rèn)可，發(fā)展速度逐漸加快。觸摸屏迅速的成長(zhǎng)，不僅激起了更加激烈的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，也間接推動(dòng)了技術(shù)的發(fā)展，其多點(diǎn)觸控的操作方式更是把觸摸屏產(chǎn)品的影響力提升到了一個(gè)新的高度，也逐漸被人們所關(guān)注起來(lái)。
觸摸屏主要由觸摸檢測(cè)部件和觸摸屏控制器組成，觸摸檢測(cè)部件安裝在顯示器屏幕前面，用于檢測(cè)用戶(hù)觸摸位置，接收后送觸摸屏控制器；而觸摸屏控制器的主要作用是從觸摸點(diǎn)檢測(cè)裝置上接收觸摸信息，并將它轉(zhuǎn)換成觸點(diǎn)坐標(biāo)，再送給CPU，它同時(shí)能接收CPU發(fā)來(lái)的命令并加以執(zhí)行。按照觸摸屏的工作原理和傳輸信息的介質(zhì)，觸摸屏可分為四種，分別為電阻式、電容感應(yīng)式、紅外線(xiàn)式以及表面聲波式，當(dāng)前被廣泛使用的是電阻式觸摸屏，它是利用壓力感應(yīng)進(jìn)行電阻控制的；電阻式觸摸屏是一種多層的復(fù)合薄膜，它的主要部分是一塊與顯示器表面非常配合的電阻薄膜屏。電阻薄膜屏是以一層玻璃或硬塑料平板作為基層，表面涂有一層透明氧化金屬(透明的導(dǎo)電電阻)ITO (氧化銦錫)導(dǎo)電層，上面再蓋有一層外表面硬化處理光滑防擦的塑料層，它的內(nèi)表面也涂有一層ITO涂層，在它們之間有許多細(xì)小的(小于1/1000英寸)的透明隔離點(diǎn)把兩層導(dǎo)電層隔開(kāi)絕緣，當(dāng)手指觸摸屏幕時(shí)，兩層導(dǎo)電層在觸摸點(diǎn)位置就有了接觸，電阻發(fā)生變化，在X和Y兩個(gè)方向上產(chǎn)生信號(hào)，然后送觸摸屏控制器，控制器偵測(cè)到這一接觸并計(jì)算出(X，Y)的位置，再根據(jù)模擬鼠標(biāo)的方式運(yùn)作。電容式觸摸屏的基本原理是利用人體的電流感應(yīng)進(jìn)行工作的，電容式觸摸屏是一塊二層復(fù)合玻璃屏，玻璃屏的內(nèi)表面夾層涂有ITO (氧化銦錫)導(dǎo)電膜(鍍膜導(dǎo)電玻璃)，最外層是一薄層矽土玻璃保護(hù)層，ITO涂層作為工作面，四個(gè)角上引出四個(gè)電極，當(dāng)手指觸摸在屏幕上時(shí)，由于人體電場(chǎng)，用戶(hù)和觸摸屏表面形成一個(gè)耦合電容，對(duì)于高頻電流來(lái)說(shuō)，電容是直接導(dǎo)體，于是手指從接觸點(diǎn)吸走一個(gè)很小的電流，這個(gè)電流分別從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個(gè)電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過(guò)對(duì)這四個(gè)電流比例的精確計(jì)算，得出觸摸點(diǎn)的位置。在電容式觸摸屏中，投射式電容觸摸屏是當(dāng)前應(yīng)用較為廣泛的一種，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，透光率高等特點(diǎn)。投射式電容觸摸屏的觸摸感應(yīng)部件一般為多個(gè)行電極和列電極交錯(cuò) 形成感應(yīng)矩陣。通常采用的設(shè)計(jì)方式包括將行電極和列電極分別設(shè)置在同一透明基板的兩面，防止在交錯(cuò)位置出現(xiàn)短路；或者將行電極和列電極設(shè)置在同一透明基板的同側(cè)，形成于同一導(dǎo)電膜(通常為ITO導(dǎo)電膜)上，在行電極和列電極交錯(cuò)的位置通過(guò)設(shè)置絕緣層并架導(dǎo)電橋的方式隔開(kāi)，將行電極和列電極隔開(kāi)并保證在各自的方向上導(dǎo)通，可以有效的防止其在交錯(cuò)位置短路。通常采用的設(shè)計(jì)方案為行電極或者列電極之一在導(dǎo)電膜上連續(xù)設(shè)置，則另一個(gè)電極在導(dǎo)電膜上以連續(xù)設(shè)置的電極為間隔設(shè)置成若干電極塊，在交錯(cuò)點(diǎn)的位置通過(guò)導(dǎo)電橋?qū)⑾噜彽碾姌O塊電連接，從而形成另一方向上的連續(xù)電極；導(dǎo)電橋與連續(xù)設(shè)置的電極之間由絕緣層分隔，從而有效的阻止行電極和列電極在交錯(cuò)點(diǎn)短路。通常采用的設(shè)計(jì)方案為(I)層疊結(jié)構(gòu)依次為透明基板、第一方向電極、絕緣層、導(dǎo)電橋；或者(2)層疊結(jié)構(gòu)依次為透明基板、導(dǎo)電橋、絕緣層、第一方向電極。但采用傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案的電容式觸摸屏?xí)嬖谕腹饴什桓咭约肮ぷ鞣€(wěn)定性差的缺陷，傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案的電容式觸摸屏透光率很難突破80%，且整體受力彎曲變形時(shí)，容易在界面出現(xiàn)分離，導(dǎo)致電極斷路觸摸失效，觸摸感應(yīng)部件損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏，通過(guò)對(duì)電容觸摸屏的層疊結(jié)構(gòu)以及架橋?qū)ǚ绞竭M(jìn)行合理的設(shè)計(jì)，有效的提高電容式觸摸屏的透過(guò)率，降低了 ITO圖案的可視性，觸摸屏的可靠性進(jìn)一步提升。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
一種新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏，包括透明基板，依次層疊于透明基板的二氧化硅層、五氧化二鈮層、黑色樹(shù)脂層、ITO過(guò)橋電極、第一絕緣層、ITO電極、金屬電極和第二絕緣層；所述的ITO電極包括電容屏驅(qū)動(dòng)(IT0電極I)和感應(yīng)電極(IT0電極2)，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；IT0電極I與ITO電極2在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣，垂直設(shè)計(jì)；所述透明基板包括視窗區(qū)和非視窗區(qū)，黑色樹(shù)脂層分布在顯示屏非視窗區(qū)；所述的二氧化硅層厚度為100^1000埃米，所述的五氧化二鈮層，其厚度為50飛00埃米。所述的金屬電極線(xiàn)路布線(xiàn)僅在黑色樹(shù)脂區(qū)域，視窗區(qū)無(wú)金屬電極。所述的新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏，其層疊結(jié)構(gòu)也可采用包括透明基板，依次層疊于透明基板的黑色樹(shù)脂層、二氧化硅層、五氧化二鈮層、ITO過(guò)橋電極、第一絕緣層、ITO電極、金屬電極和第二絕緣層；所述的ITO電極包括電容屏驅(qū)動(dòng)(IT0電極I)和感應(yīng)電極(IT0電極2)，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；IT0電極I與ITO電極2在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣，垂直設(shè)計(jì)；所述透明基板包括視窗區(qū)和非視窗區(qū)，黑色樹(shù)脂層分布在顯示屏非視窗區(qū)；所述的二氧化硅層厚度為10(T1000埃米，所述的五氧化二鈮層，其厚度為50飛00埃米。所述的金屬電極線(xiàn)路布線(xiàn)僅在黑色樹(shù)脂區(qū)域，視窗區(qū)無(wú)金屬電極。優(yōu)選的是所述的透明基板為厚度在厚度0. 5^2. 0毫米之間的化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板或樹(shù)脂材料基板；所述ITO電極規(guī)則結(jié)構(gòu)為菱形，或條形，或方塊形，或雪花型，或十字型等圖形。所述的黑色樹(shù)脂層可有效遮擋非可視區(qū)的圖層，可以遮光，以及遮擋金屬線(xiàn)等產(chǎn)品下方的可見(jiàn)物。ITO過(guò)橋電極包括顯示屏視窗區(qū)的過(guò)橋電極I和黑色樹(shù)脂層邊緣過(guò)橋電極2，兩者具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；過(guò)橋電極I連接導(dǎo)通ITO電極的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)(IT0電極I左右端)或感應(yīng)線(xiàn)(IT0電極2上下端一圖中未顯示)；過(guò)橋電極2連接導(dǎo)通金屬電極與ITO電極的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)(IT0電極I)或感應(yīng)線(xiàn)(IT0電極2)和防止ITO電極的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)(IT0電極I)或感應(yīng)線(xiàn)(IT0電極2)在黑色樹(shù)脂層斜坡處斷裂。第一絕緣層使ITO電極I與ITO電極2處于絕緣狀況，互不導(dǎo)通。ITO電極信號(hào)導(dǎo)通的柔性線(xiàn)路板邦定區(qū)域通過(guò)金屬電極實(shí)現(xiàn)。第二絕緣層保護(hù)金屬電極與ITO導(dǎo)線(xiàn)，使之與空氣絕緣。本發(fā)明的目的之二在于提供一種新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏的制造方法，采用如下技術(shù)方案
二氧化硅層的形成經(jīng)過(guò)二氧化硅鍍膜，使在透明基板上形成一層透明及厚度均勻的二氧化硅膜層，其厚度為100 1000埃米；
五氧化二鈮層的形成經(jīng)過(guò)五氧化二鈮鍍膜，使在二氧化硅層上形成一層透明及厚度均勻的五氧化二鈮膜層，其厚度為5(T500埃米；
黑色樹(shù)脂層的形成將黑色樹(shù)脂經(jīng)過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布方式或刮式涂布方式均勻涂布在透明基板上，涂布厚度為0. 3MflT5Mffl，經(jīng)過(guò)加熱器預(yù)烤，曝光，顯影，使之形成所需的黑色樹(shù)脂區(qū)域；黑色樹(shù)脂區(qū)域呈梯形結(jié)構(gòu)，中間厚度為0. 3MflT5Mffl，其邊緣斜角為6飛0度之間，角度平緩，目的為ITO電極(驅(qū)動(dòng)線(xiàn)ITO電極I和感應(yīng)線(xiàn)ITO電極2)通過(guò)斜坡時(shí)不會(huì)由于厚度差異大導(dǎo)致ITO電極斷裂。黑色樹(shù)脂區(qū)域?yàn)轱@示屏非視窗區(qū)，目的為遮擋金屬電極；所述黑色樹(shù)脂是感光性保護(hù)層光阻劑(商品為臺(tái)灣永光化學(xué)所生產(chǎn)EK410)，是一種黑色負(fù)性光阻材料，主要成分為亞克力樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂，負(fù)性感光劑，乙酸丙二醇單甲基醚酯及黑色顏料，具體比例為樹(shù)脂類(lèi)乙酸丙二醇單甲基醚酯黑色顏料及負(fù)性感光劑=15 30 :6(T80 =TlO0ITO過(guò)橋電極的形成對(duì)形成黑色樹(shù)脂層的透明基板，再經(jīng)過(guò)ITO鍍膜，使在玻璃基板上形成一層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米 2000埃米(面電阻為10^430 歐姆)；
經(jīng)過(guò)ITO鍍膜的透明基板，在其ITO表面涂布一層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為；
經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為5(T2000埃米(面電阻為10^430歐姆)及規(guī)則ITO圖案或電極。所述的ITO過(guò)橋電極包括顯示屏視區(qū)的過(guò)橋電極和黑色樹(shù)脂層邊緣搭接電極，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)，兩者在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣。第一絕緣層的形成
經(jīng)過(guò)ITO過(guò)橋電極后的透明基板，在其ITO膜面涂布一層厚度均勻的負(fù)性光阻材料，光阻涂布厚度為0. 5MnT3Mm ；
經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，最終形成厚度為0. 和規(guī)則的絕緣層圖案(如長(zhǎng)方形，正方形，菱形，橢圓形等圖案)。ITO電極層的形成
形成第一絕緣層的透明基板，再次經(jīng)過(guò)ITO鍍膜，使在玻璃基板上形成一層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米 2000埃米(面電阻為1(T430歐姆)；
經(jīng)過(guò)ITO鍍膜的透明基板，在其ITO表面涂布一層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為；
經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為5(T2000埃米(面電阻為10^430歐姆)及規(guī)則ITO圖案或電極；
所述的ITO電極包括電容屏驅(qū)動(dòng)(IT0電極I)和感應(yīng)電極(IT0電極2)，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；IT0電極I與ITO電極2在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣，垂直設(shè)計(jì)。
ITO電極I導(dǎo)通是通過(guò)ITO過(guò)橋電極I左右搭接，使ITO電極I形成驅(qū)動(dòng)通路；IT0電極2的導(dǎo)通是自身ITO通過(guò)第一絕緣層的底部到頂部的爬升，再?gòu)牡谝唤^緣層的頂部到底部的下降，使ITO電極2形成感應(yīng)通路。金屬電極層的形成
形成ITO電極層的透明基板，經(jīng)過(guò)金屬鍍膜，使之在透明基板上形成一層厚度均勻的金屬膜層，其厚度為500埃米 4000埃米。經(jīng)過(guò)金屬鍍膜的透明基板，在其金屬表面涂布一層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為lMnT5Mm ；
經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為5001000埃米及規(guī)則金屬圖案或電極。第二絕緣層的形成
經(jīng)過(guò)金屬電極后的透明基板，在其金屬膜面涂布一層厚度均勻的負(fù)性光阻材料，光阻涂布厚度為0. 5MnT3Mm ；
經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，最終形成厚度為0. 和規(guī)則的絕緣層圖案。優(yōu)選的所述的透明基板為厚度在厚度0. 5mnT2. Omm之間毫米的化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板；所述的ITO由In203和Sn02組成，其質(zhì)量比為85 95 :5 15。ITO鍍膜的方式可以采用真空磁控濺鍍，化學(xué)氣相沉積法，熱蒸鍍，溶膠凝膠。所述的正性光阻材料主成分為乙酸丙二醇單甲基醚酯，環(huán)氧樹(shù)脂及正性感光劑(商品名為臺(tái)灣新應(yīng)材公司生產(chǎn)的TR400);負(fù)性光阻材料主成分為乙酸丙二醇單甲基醚酯，亞克力樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂及負(fù)性感光劑(商品名為臺(tái)灣達(dá)興公司生產(chǎn)POC A46)涂布光阻材料方式有滾涂，旋涂，刮涂等方式。金屬鍍膜的金屬膜層為MoNb，AlNd, MoNb堆積而成的三明治結(jié)構(gòu)，厚度按50埃米 500埃米500埃米 3000埃米50埃米 500埃米比例搭配，其中MoNb合金材料中Mo和Nb質(zhì)量比為85 95 :5 15，AlNd合金材料中Al和Nd質(zhì)量比為95 98 :2 5。。金屬材料選型也可由銀合金或銅合金組成，成分按一定比例組合而成。金屬膜層鍍膜為真空磁控濺鍍。或者采用工藝
黑色樹(shù)脂層的形成將黑色樹(shù)脂經(jīng)過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布方式或刮式涂布方式均勻涂布在透明基板上，涂布厚度為0. 3MflT5Mffl，經(jīng)過(guò)加熱器預(yù)烤，曝光，顯影，使之形成所需之黑色樹(shù)脂區(qū)域；
二氧化硅層的形成經(jīng)過(guò)二氧化硅鍍膜，使在黑色樹(shù)脂層上形成一層透明及厚度均勻的二氧化硅膜層，其厚度為10(T1000埃米；
五氧化二鈮層的形成經(jīng)過(guò)五氧化二鈮鍍膜，使在二氧化硅層上形成一層透明及厚度均勻的五氧化二鈮膜層，其厚度為5(T500埃米；
所述黑色樹(shù)脂是感光性保護(hù)層光阻劑(商品為臺(tái)灣永光化學(xué)所生產(chǎn)EK410)，是一種黑色負(fù)性光阻材料，主要成分為亞克力樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂，負(fù)性感光劑，乙酸丙二醇單甲基醚酯及黑色顏料，具體比例為樹(shù)脂類(lèi)乙酸丙二醇單甲基醚酯黑色顏料及負(fù)性感光劑=15 30 60 80 :1 10。ITO過(guò)橋電極的形成對(duì)形成黑色樹(shù)脂層的透明基板，再經(jīng)過(guò)ITO鍍膜，使在玻璃基板上形成一層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米 2000埃米(面電阻為1(T430 歐姆)；
經(jīng)過(guò)ITO鍍膜的透明基板，在其ITO表面涂布一層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為；
經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為5(T2000埃米(面電阻為10^430歐姆)及規(guī)則ITO圖案或電極。所述的ITO過(guò)橋電極包括顯示屏視區(qū)的過(guò)橋電極和黑色樹(shù)脂層邊緣搭接電極，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)，兩者在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣。第一絕緣層的形成
經(jīng)過(guò)ITO過(guò)橋電極后的透明基板，在其ITO膜面涂布一層厚度均勻的負(fù)性光阻材料，光
阻涂布厚度為0. 5MnT3Mm ；
經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，最終形成厚度為0. 和規(guī)則的絕緣層圖案(如長(zhǎng)方形，正方形，菱形，橢圓形等圖案)。ITO電極層的形成
形成第一絕緣層的透明基板，再次經(jīng)過(guò)ITO鍍膜，使在玻璃基板上形成一層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米 2000埃米(面電阻為1(T430歐姆)；
經(jīng)過(guò)ITO鍍膜的透明基板，在其ITO表面涂布一層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為；
經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為5(T2000埃米(面電阻為10^430歐姆)及規(guī)則ITO圖案或電極；
所述的ITO電極包括電容屏驅(qū)動(dòng)(IT0電極I)和感應(yīng)電極(IT0電極2)，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；IT0電極I與ITO電極2在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣，垂直設(shè)計(jì)。ITO電極I導(dǎo)通是通過(guò)ITO過(guò)橋電極I左右搭接，使ITO電極I形成驅(qū)動(dòng)通路；IT0電極2的導(dǎo)通是自身ITO通過(guò)第一絕緣層的底部到頂部的爬升，再?gòu)牡谝唤^緣層的頂部到底部的下降，使ITO電極2形成感應(yīng)通路。金屬電極層的形成
形成ITO電極層的透明基板，經(jīng)過(guò)金屬鍍膜，使之在透明基板上形成一層厚度均勻的金屬膜層，其厚度為500埃米 4000埃米。經(jīng)過(guò)金屬鍍膜的透明基板，在其金屬表面涂布一層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為lMnT5Mm ；
經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為5001000埃米及規(guī)則金屬圖案或電極。第二絕緣層的形成
經(jīng)過(guò)金屬電極后的透明基板，在其金屬膜面涂布一層厚度均勻的負(fù)性光阻材料，光阻涂布厚度為0. 5MnT3Mm ；
經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，最終形成厚度為0. 和規(guī)則的絕緣層圖案。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)和有益效果
本發(fā)明通過(guò)對(duì)層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行合理的設(shè)置，在一層透明基板上完成觸摸功能信號(hào)電極和黑色樹(shù)脂覆蓋層，優(yōu)化層疊ITO過(guò)橋電極層等順序和圖案的方式，大幅提升了產(chǎn)品的良率，降低成本，提升產(chǎn)品可靠性。本發(fā)明中基板厚度0.5mnT2. Omm之間，具有厚度薄，質(zhì)量輕等優(yōu)勢(shì)；通過(guò)對(duì)各層的合理設(shè)計(jì)，有效的提高電容式觸摸屏的透過(guò)率，降低了 ITO圖案的可視性，觸摸屏的可靠性進(jìn)一步提升。 本發(fā)明采用ITO過(guò)橋的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，使得觸摸屏在顯示區(qū)視窗區(qū)域看不到金屬過(guò)橋點(diǎn)，大幅提升了產(chǎn)品透過(guò)率。


圖I為本發(fā)明所述的ITO過(guò)橋電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意 圖2為本發(fā)明實(shí)施例所述的玻璃基板結(jié)構(gòu)示意 圖3為ITO過(guò)橋局部放大結(jié)構(gòu)示意 圖4為ITO過(guò)橋剖面結(jié)構(gòu)示意 圖5為本發(fā)明所述的ITO過(guò)橋電容一體式觸摸屏的剖面結(jié)構(gòu)示意 圖6為實(shí)施例產(chǎn)品透過(guò)率對(duì)比試驗(yàn)結(jié)果 圖7為實(shí)施例圖案可視性對(duì)比試驗(yàn)結(jié)果圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明。如圖I及圖2所示，所述的ITO過(guò)橋電容觸摸屏，包括厚度在O. 5mnT2. Omm之間的化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板或樹(shù)脂材料基板11，依次層疊于玻璃基板的ニ氧化硅層12、五氧化ニ鈮層13、黒色樹(shù)脂層14、IT0過(guò)橋電極15、第一絕緣層16、ΙΤ0電極17、金屬電極18和第二絕緣層19 ;所述的ITO過(guò)橋電極15包括顯示屏視區(qū)的過(guò)橋電極和黑色樹(shù)脂層邊緣搭接電極，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)，可以是菱形，或條形，或方塊形，或雪花型，或十字型等圖形。玻璃基板包括視窗區(qū)21和非視窗區(qū)22，黒色樹(shù)脂層12分布在顯示屏非視窗區(qū)22。所述的黑色樹(shù)脂層可有效遮擋非可視區(qū)的圖層，可以遮光，以及遮擋金屬線(xiàn)等產(chǎn)品下方的可見(jiàn)物。圖3至圖6所示為本實(shí)施例所述ITO過(guò)橋電容觸摸屏的局部結(jié)構(gòu)放大示意圖或者剖面結(jié)構(gòu)示意圖=ITO過(guò)橋電極45包括顯示屏視窗區(qū)的過(guò)橋電極I和黒色樹(shù)脂層51邊緣過(guò)橋電極2，兩者具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)，可以是菱形，或條形，或方塊形，或雪花型，或十字型等圖形；過(guò)橋電極I連接導(dǎo)通ITO電極17的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)(ΙΤ0電極I左右端)44或感應(yīng)線(xiàn)(ΙΤ0電極2上下端一圖中未顯示)47 ;過(guò)橋電極2連接導(dǎo)通金屬電極48與ITO電極的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)(ΙΤ0電極1)44或感應(yīng)線(xiàn)(ΙΤ0電極2)47和防止ITO電極的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)(ΙΤ0電極1)44或感應(yīng)線(xiàn)(ΙΤ0電極2)47在黒色樹(shù)脂層51斜坡處斷裂。第一絕緣層46使ITO電極的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)(ΙΤ0電極1)44與感應(yīng)線(xiàn)(ΙΤ0電極2)47處于絕緣狀況，互不導(dǎo)通。ITO電極信號(hào)導(dǎo)通的柔性線(xiàn)路板邦定區(qū)域通過(guò)金屬電極實(shí)現(xiàn)。第二絕緣層49保護(hù)金屬電極48與ITO導(dǎo)線(xiàn)，使之與空氣絕緣。其制備エ藝如下
ニ氧化硅層的形成經(jīng)過(guò)ニ氧化硅鍍膜，使在玻璃基板上形成ー層透明及厚度均勻的ニ氧化硅膜層，其厚度分別選擇0、50、100、300、400、700、1000和1500埃米；
五氧化ニ鈮層的形成經(jīng)過(guò)五氧化ニ鈮鍍膜，使在ニ氧化硅鍍膜層上形成ー層透明及厚度均勻的五氧化ニ鈮膜層，其厚度分別選擇0、20、50、150、200、400、500和1000埃米；將黑色樹(shù)脂經(jīng)過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布方式或刮式涂布方式均勻涂布在透明基板41( 11)上，涂布厚度為O.，經(jīng)過(guò)加熱器預(yù)烤，曝光，顯影，使之形成所需的黑色樹(shù)脂區(qū)域；黑色樹(shù)脂區(qū)
域呈梯形結(jié)構(gòu)，中間厚度為O. 3MnT5Mm，其邊緣斜角為6飛O度之間，角度平緩，目的為ITO電極(驅(qū)動(dòng)線(xiàn)ITO電極I和感應(yīng)線(xiàn)ITO電極2)通過(guò)斜坡時(shí)不會(huì)由于厚度差異大導(dǎo)致ITO電極斷裂。黑色樹(shù)脂區(qū)域?yàn)轱@示屏非視窗區(qū)，目的為遮擋金屬電極；所述黑色樹(shù)脂是感光性保護(hù)層光阻劑(商品為臺(tái)灣永光化學(xué)所生產(chǎn)EK410)，是ー種黑色負(fù)性光阻材料，主要成分為亞克カ樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂，負(fù)性感光劑，こ酸丙ニ醇單甲基醚酯及黑色顏料，具體比例為樹(shù)脂類(lèi)こ酸丙ニ醇單甲基醚酯黑色顏料及負(fù)性感光劑=15 30 60^80 Γ 0ο預(yù)烤溫度及時(shí)間范圍為60度 150度，50秒到200秒，曝光能量采用IOOmj到500mj，顯影液采用Na系或Ka系堿性溶液，顯影之溫度采用20 40度恒溫作業(yè)。再經(jīng)過(guò)黑色樹(shù)脂層硬烤，條件為200度到300度，時(shí)間為半小時(shí)到3小吋，經(jīng)過(guò)上述制程后，最終形成厚度為O. 3MflT5Mm，圖形規(guī)則的黑色樹(shù)脂層51 (12)。ITO過(guò)橋電極的形成對(duì)透明玻璃基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化，再經(jīng)過(guò)ITO鍍膜，使在玻璃基板上形成ー層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米 2000埃米(面電阻為10 430歐姆);ΙΤ0材料由Ιη203和Sn02組成，其質(zhì)量比為85 95 :5 15。ITO鍍膜的方式有真空磁控濺鍍，化學(xué)氣相沉積法，熱蒸鍍，溶膠凝膠。經(jīng)過(guò)ITO鍍膜的透明玻璃基板，在其ITO表面涂布ー層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為正性光阻材料主成分為こ酸丙ニ醇單甲基醚酷，環(huán)氧樹(shù)脂及感光材料。光阻涂布厚度為 μπΓδμπι。涂布光阻材料方式有滾涂，旋涂，刮涂等方式。經(jīng)過(guò)上述制程之后產(chǎn)品經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為5(Γ2000埃米(面電阻為1(Γ430歐姆)及規(guī)則ITO圖案或電極。預(yù)烤溫度及時(shí)間范圍為60度 150度，50秒到200秒，曝光能量采用IOOmj到500mj，顯影液采用Na系或Ka系堿性溶液，顯影之溫度采用2(Γ40度恒溫作業(yè)。ITO蝕刻液采用鹽酸及硝酸按ー定比例混合而成的藥液，使其酸的PH值落在廣3之間，蝕刻溫度在4(Γ50度之間作業(yè)。脫光阻膜液采用ニ甲亞砜和こ醇胺按一定的比例混合而成，百分比為70% :30%，脫膜溫度在4(Γ80度之間作業(yè)。第一絕緣層的形成
經(jīng)過(guò)ITO過(guò)橋電極后的透明玻璃基板，在其ITO膜面涂布ー層厚度均勻的負(fù)性光阻材料，負(fù)性光阻材料主成分為こ酸丙ニ醇單甲基醚酯，亞克カ樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂及負(fù)性感光劑，光阻涂布厚度為O.;涂布負(fù)性光阻材料方式有旋涂，刮涂等方式。經(jīng)過(guò)上述制程之后產(chǎn)品經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，最終形成厚度為O. 和規(guī)則的絕緣層圖案。預(yù)烤溫度及時(shí)間范圍為60度 150度，50秒到200秒，曝光能量采用IOOmj到500mj，顯影液采用Na系或Ka系堿性溶液，顯影之溫度采用20 40度恒溫作業(yè)。再經(jīng)過(guò)絕緣層硬烤，條件為200度到300度，時(shí)間為半小時(shí)到3小吋，經(jīng)過(guò)上述制程后，最終形成厚度為O. 5MnT3Mm，圖形規(guī)則的絕緣層I。
ITO電極層的形成
形成第一絕緣層的透明玻璃基板，再次經(jīng)過(guò)ITO鍍膜，使在玻璃基板上形成ー層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米 2000埃米(面電阻為1(Γ430歐姆)；ITO材料由In203和Sn02組成，其質(zhì)量比為85、5 :5 15。ITO鍍膜的方式有真空磁控濺鍍，化學(xué)氣相沉積法，熱蒸鍍，溶膠凝膠。經(jīng)過(guò)ITO鍍膜的玻璃基板，在其ITO表面涂布ー層厚度均勻的正性光阻材料，正性光阻材料主成分為こ酸丙ニ醇單甲基醚酷，環(huán)氧樹(shù)脂及感光材料；光阻涂布厚度為IMnT5Mm。涂布光阻材料方式有滾涂，旋涂，刮涂等方式。經(jīng)過(guò)上述制程之后產(chǎn)品經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為5(Γ2000埃米(面電阻為1(Γ430歐姆)及規(guī)則ITO圖案或電極。預(yù)烤溫度及時(shí)間范圍為60度 150度，50秒到200秒，曝光能量采用IOOmj到500mj，顯影液采用Na系或Ka系堿性溶液，顯影之溫度采用2(Γ40度恒溫作業(yè)。ITO蝕刻液采用鹽酸及硝酸按ー定比例混合而成的藥液，使其酸的PH值落在廣3之間，蝕刻溫度在4(Γ50度之間作業(yè)。脫光阻膜液采用ニ甲亞砜和こ醇胺按一定的比例混合而成，百分比為70% :30%，脫膜溫度在4(Γ80度之間 作業(yè)。所述的ITO電極包括電容屏驅(qū)動(dòng)(ΙΤ0電極I)和感應(yīng)電極(ΙΤ0電極2)，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；ΙΤ0電極I與ITO電極2在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣，垂直設(shè)計(jì)。金屬電極層的形成
形成ITO電極層的玻璃基板，再經(jīng)過(guò)金屬鍍膜，使在玻璃基板上形成一層厚度均勻的金屬膜層，其厚度為500埃米 4000埃米。金屬膜層材料為MoNb，AlNd, MoNb堆積而成的三明治結(jié)構(gòu)，厚度按50埃米 500埃米500埃米 3000埃米50埃米 500埃米比例搭配，其中MoNb合金材料中Mo和Nb質(zhì)量比為85 95 :5 15，AlNd合金材料中Al和Nd質(zhì)量比為95^98 :2飛。金屬材料選型也可由銀合金或銅合金組成，成分按ー定比例組合而成。金屬鍍膜為真空磁控濺鍍。經(jīng)過(guò)金屬鍍膜的玻璃基板，在其金屬表面涂布ー層厚度均勻的正性光阻材料，正性光阻材料主成分為こ酸丙ニ醇單甲基醚酷，環(huán)氧樹(shù)脂及感光材料；光阻涂布厚度為
涂布光阻材料方式有滾涂，旋涂，刮涂等方式。經(jīng)過(guò)上述制程之后產(chǎn)品經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為50(Γ4000埃米及規(guī)則金屬圖案或電極。預(yù)烤溫度及時(shí)間范圍為60度 150度，50秒到200秒，曝光能量采用IOOmj到500mj，顯影液采用Na系或Ka系堿性溶液，顯影之溫度采用2(Γ40度恒溫作業(yè)。金屬蝕刻液采用磷酸、醋酸及硝酸按ー定比例混合而成的藥液，蝕刻溫度在4(Γ50度之間作業(yè)。脫光阻膜液采用ニ甲亞砜和こ醇胺按一定的比例混合而成，百分比為70% :30%，脫膜溫度在4(Γ80度之間作業(yè)。所述的金屬電極線(xiàn)路布線(xiàn)僅在黑色樹(shù)脂區(qū)域，視窗區(qū)無(wú)金屬電極。第二絕緣層的形成
經(jīng)過(guò)金屬電極后的玻璃基板，在其金屬膜面涂布ー層厚度均勻的負(fù)性光阻材料，負(fù)性光阻材料主成分為こ酸丙ニ醇單甲基醚酯，亞克カ樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂及負(fù)性感光劑(商品名為臺(tái)灣達(dá)興公司生產(chǎn)POC A46);光阻涂布厚度為O. 5MflT3Mm。涂布負(fù)性光阻材料方式有旋涂，刮涂等方式。經(jīng)過(guò)上述制程之后產(chǎn)品經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，最終形成厚度為O. 和規(guī)則的絕緣層圖案。預(yù)烤溫度及時(shí)間范圍為60度 150度，50秒到200秒，曝光能量采用IOOmj到500mj，顯影液采用Na系或Ka系堿性溶液，顯影之溫度采用20 40度恒溫作業(yè)。再經(jīng)過(guò)絕緣層硬烤，條件為200度到300度，時(shí)間為O. 5小時(shí)到3小吋，經(jīng)過(guò)上述制程后，最終形成厚度為O. 5MflT3Mffl，圖形規(guī)則的第二絕緣層。隨著時(shí)代的進(jìn)步，電子產(chǎn)品越來(lái)越強(qiáng)調(diào)品質(zhì)，精益求精，一體式觸摸屏也不例外。消費(fèi)者越來(lái)越青睞高透過(guò)率，低反射率，ITO圖案不可見(jiàn)性，可靠性更高的產(chǎn)品。這樣對(duì)我們?cè)O(shè)計(jì)一體式觸摸屏提出的要求越來(lái)越高。本發(fā)明使用ニ氧化硅材料和五氧化ニ鈮材料，合理搭配其厚度(實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖6及圖7所示)篩選出制作觸摸屏的合適厚度，使其在產(chǎn)品的透過(guò)率和圖案的可視度有了顯著的提升。尤其是ニ氧化硅膜層厚度選擇在100-1000埃米之間，五氧化ニ鈮膜層厚度選擇在50-500埃米之間，有著極優(yōu)的效果，產(chǎn)品透過(guò)率可以穩(wěn)定在93%以上，圖案可視性的等級(jí)可以穩(wěn)定在2級(jí)以?xún)?nèi)(圖案可視性分級(jí)定義為O級(jí)ー完全看不到，10級(jí)非常明顯可見(jiàn)，依次遞加ITO圖案越可視與明顯)。
ニ氧化硅材料有抗反射、減輕底影的功能。由于在不同偏振態(tài)的光在膜層和空氣及膜層和襯底界面上反射后相位和振幅的變化不同，因此ニ氧化硅層會(huì)經(jīng)過(guò)膜層反射后改變偏振態(tài)，會(huì)降低產(chǎn)品反射率，減輕圖案可視性。隨著ニ氧化硅膜層的增加，膜層的干涉效果會(huì)產(chǎn)生一定的增透效果。普通玻璃的反射率大約5%，鍍有ニ氧化硅材料的玻璃其反射率大約2%。人眼某一視角看有ITO圖案的普通玻璃，能顯著的看到玻璃上ITO圖案。人眼某一視角看有ITO圖案的鍍有ニ氧化硅的玻璃，其不能顯著的看到玻璃上ITO圖案。如果采用黒色樹(shù)脂層、ニ氧化硅層、五氧化ニ鈮層的布層順序，制造エ藝則調(diào)整為
黒色樹(shù)脂層的形成將黑色樹(shù)脂經(jīng)過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布方式或刮式涂布方式均勻涂布在透明基板上，涂布厚度為O. 3MflT5Mffl，經(jīng)過(guò)加熱器預(yù)烤，曝光，顯影，使之形成所需之黑色樹(shù)脂區(qū)域；
ニ氧化硅層的形成經(jīng)過(guò)ニ氧化硅鍍膜，使在黒色樹(shù)脂層上形成ー層透明及厚度均勻的ニ氧化硅膜層，其厚度為10(Γ1000埃米；
五氧化ニ鈮層的形成經(jīng)過(guò)五氧化ニ鈮鍍膜，使在ニ氧化硅層上形成ー層透明及厚度均勻的五氧化ニ鈮膜層，其厚度為5(Γ500埃米；
其余的エ藝，并不需要作出過(guò)多的調(diào)整。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在 不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.ー種新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏，其特征是包括透明基板，依次層疊于透明基板的ニ氧化硅層、五氧化ニ鈮層、黒色樹(shù)脂層、ITO過(guò)橋電極、第一絕緣層、ITO電極、金屬電極和第二絕緣層；所述的ITO電極包括電容屏驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)電極，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；電容屏驅(qū)動(dòng)與感應(yīng)電極在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣，垂直設(shè)計(jì)；所述透明基板包括視窗區(qū)和非視窗區(qū)，黒色樹(shù)脂層分布在顯示屏非視窗區(qū)；所述的金屬電極線(xiàn)路布線(xiàn)僅在黑色樹(shù)脂層區(qū)域；所述的ニ氧化硅層厚的度為100 1000埃米，所述的五氧化ニ鈮層的厚度為50 500埃米。
2.ー種新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏，其特征是包括透明基板，依次層疊于透明基板的黒色樹(shù)脂層、ニ氧化硅層、五氧化ニ鈮層、ITO過(guò)橋電極、第一絕緣層、ITO電極、金屬電極和第二絕緣層；所述的ITO電極包括電容屏驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)電極，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；電容屏驅(qū)動(dòng)與感應(yīng)電極在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣，垂直設(shè)計(jì)；所述透明基板包括視窗區(qū)和非視窗區(qū)，黒色樹(shù)脂層分布在顯示屏非視窗區(qū)；所述的金屬電極線(xiàn)路布線(xiàn)僅在黑色樹(shù)脂層區(qū)域；所述的ニ氧化硅層厚的度為100 1000埃米，所述的五氧化ニ鈮層的厚度為50 500埃米。
3.如權(quán)利要求I或2所述的新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏，其特征是所述的透明基板為厚度在O. 5mm 2. Omm的化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板或樹(shù)脂材料基板；所述ITO電極規(guī)則結(jié)構(gòu)為菱形，或條形，或方塊形，或十字型。
4.如權(quán)利要求3所述的新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏，其特征是所述的黑色樹(shù)脂層厚度為O. 3 μ m 5 μ m ;ΙΤ0過(guò)橋電極厚度為50埃米 2000埃米；第一絕緣層的厚度為O.5 3 μ m ;ΙΤ0電極層厚度為50 2000埃米 ，金屬電極層的厚度為500 4000埃米；第ニ絕緣層厚度為O. 5 3μπι。
5.如權(quán)利要求4所述的新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏，其特征是所述的金屬鍍膜的金屬膜層為MoNb，AlNd, MoNb堆積而成的三明治結(jié)構(gòu)，三者厚度按50埃米 500埃米500埃米 3000埃米50埃米 500埃米比例搭配，其中MoNb合金材料中Mo和Nb質(zhì)量比為85 95 5 15，AlNd合金材料中Al和Nd質(zhì)量比為95 98 : 2 5。
6.如權(quán)利要求5所述的新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏，其特征是所述的ITO包括In2O3和SnO2，其質(zhì)量比為85 95 5 15。
7.一種制備新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏的方法，包括步驟 ニ氧化硅層的形成經(jīng)過(guò)ニ氧化硅鍍膜，使在透明基板上形成ー層透明及厚度均勻的ニ氧化硅膜層，其厚度為100 1000埃米； 五氧化ニ鈮層的形成經(jīng)過(guò)五氧化ニ鈮鍍膜，使在ニ氧化硅層上形成ー層透明及厚度均勻的五氧化ニ鈮膜層，其厚度為50 500埃米； 黒色樹(shù)脂層的形成 將黑色樹(shù)脂經(jīng)過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布方式或刮式涂布方式均勻涂布在透明基板的非視窗區(qū)，涂布厚度為O. 3 μ m 5 μ m，經(jīng)過(guò)加熱器預(yù)烤，曝光，顯影，使之形成所需的黑色樹(shù)脂區(qū)域；所述黒色樹(shù)脂是感光性保護(hù)層光阻劑，所述光阻劑包括亞克カ樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂，負(fù)性感光劑，乙酸丙ニ醇單甲基醚酯及黑色顏料；其比例為樹(shù)脂類(lèi)こ酸丙ニ醇單甲基醚酯黑色顏料及負(fù)性感光劑=15 30 60 80 I 10 ; ITO過(guò)橋電極的形成對(duì)形成黒色樹(shù)脂層的透明基板，再經(jīng)過(guò)ITO鍍膜，使在透明基板上形成ー層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米 2000埃米； 經(jīng)過(guò)ITO鍍膜的透明基板，在其ITO表面涂布ー層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為I μ m 5 μ m ; 經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為50 2000埃米及規(guī)則ITO圖案或電極； 所述的ITO過(guò)橋電極包括視窗區(qū)的過(guò)橋電極I和黒色樹(shù)脂層邊緣搭接電極2，兩者具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；過(guò)橋電極I連接導(dǎo)通ITO電極的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)或感應(yīng)線(xiàn)；過(guò)橋電極2連接導(dǎo)通金屬電極與ITO電極的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)或感應(yīng)線(xiàn)； 第一絕緣層的形成 經(jīng)過(guò)ITO過(guò)橋電極后的透明基板，在其ITO膜面涂布ー層厚度均勻的負(fù)性光阻材料，光阻涂布厚度為0·5μηι 3μηι; 經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，最終形成厚度為O. 5 3μπι和規(guī)則的絕緣層圖案； ITO電極層的形成 形成第一絕緣層的透明基板，再次經(jīng)過(guò)ITO鍍膜，使在玻璃基板上形成ー層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米 2000埃米； 經(jīng)過(guò)ITO鍍膜的透明基板，在其ITO表面涂布ー層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為I μ m 5 μ m ; 經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為50 2000埃米及規(guī)則ITO圖案或電極； 所述的ITO電極包括ITO電極I和ITO電極2，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；ΙΤ0電極I與ITO電極2在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣，垂直設(shè)計(jì)； 金屬電極層的形成 形成ITO電極層的透明基板，經(jīng)過(guò)金屬鍍膜，使之在透明基板上形成一層厚度均勻的金屬膜層，其厚度為500埃米 4000埃米； 經(jīng)過(guò)金屬鍍膜的透明基板，在其金屬表面涂布ー層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為I μ m 5 μ m ; 經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為500 4000埃米及規(guī)則金屬圖案或電極； 第二絕緣層的形成 經(jīng)過(guò)金屬電極后的透明基板，在其金屬膜面涂布ー層厚度均勻的負(fù)性光阻材料，光阻涂布厚度為0·5μηι 3μηι; 經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，最終形成厚度為O. 5 3μπι和規(guī)則的絕緣層圖案。
8.一種制備新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏的方法，包括步驟 黒色樹(shù)脂層的形成將黑色樹(shù)脂經(jīng)過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布方式或刮式涂布方式均勻涂布在透明基板上，涂布厚度為O. 3 μ m 5 μ m，經(jīng)過(guò)加熱器預(yù)烤，曝光，顯影，使之形成所需之黑色樹(shù)脂區(qū)域； ニ氧化硅層的形成經(jīng)過(guò)ニ氧化硅鍍膜，使在黒色樹(shù)脂層上形成ー層透明及厚度均勻的ニ氧化硅膜層，其厚度為100 1000埃米；五氧化ニ鈮層的形成經(jīng)過(guò)五氧化ニ鈮鍍膜，使在ニ氧化硅層上形成ー層透明及厚度均勻的五氧化ニ鈮膜層，其厚度為50 500埃米； 所述黑色樹(shù)脂是感光性保護(hù)層光阻劑，所述光阻劑包括亞克カ樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂，負(fù)性感光劑，こ酸丙ニ醇單甲基醚酯及黑色顏料；其比例為樹(shù)脂類(lèi)こ酸丙ニ醇單甲基醚酯黑色顏料及負(fù)性感光劑=15 30 60 80 I 10 ; ITO過(guò)橋電極的形成 對(duì)形成黒色樹(shù)脂層的透明基板，再經(jīng)過(guò)ITO鍍膜，使在透明基板上形成ー層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米 2000埃米； 經(jīng)過(guò)ITO鍍膜的透明基板，在其ITO表面涂布ー層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為I μ m 5 μ m ; 經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為50 2000埃米及規(guī)則ITO圖案或電極； 所述的ITO過(guò)橋電極包括視窗區(qū)的過(guò)橋電極I和黒色樹(shù)脂層邊緣搭接電極2，兩者具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；過(guò)橋電極I連接導(dǎo)通ITO電極的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)或感應(yīng)線(xiàn)；過(guò)橋電極2連接導(dǎo)通金屬電極與ITO電極的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)或感應(yīng)線(xiàn)； 第一絕緣層的形成 經(jīng)過(guò)ITO過(guò)橋電極后的透明基板，在其ITO膜面涂布ー層厚度均勻的負(fù)性光阻材料，光阻涂布厚度為0·5μηι 3μηι; 經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，最終形成厚度為O. 5 3μπι和規(guī)則的絕緣層圖案； ITO電極層的形成 形成第一絕緣層的透明基板，再次經(jīng)過(guò)ITO鍍膜，使在玻璃基板上形成ー層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米 2000埃米； 經(jīng)過(guò)ITO鍍膜的透明基板，在其ITO表面涂布ー層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為I μ m 5 μ m ; 經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為50 2000埃米及規(guī)則ITO圖案或電極； 所述的ITO電極包括ITO電極I和ITO電極2，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；ΙΤ0電極I與ITO電極2在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣，垂直設(shè)計(jì)； 金屬電極層的形成 形成ITO電極層的透明基板，經(jīng)過(guò)金屬鍍膜，使之在透明基板上形成一層厚度均勻的金屬膜層，其厚度為500埃米 4000埃米； 經(jīng)過(guò)金屬鍍膜的透明基板，在其金屬表面涂布ー層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為I μ m 5 μ m ; 經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為500 4000埃米及規(guī)則金屬圖案或電極； 第二絕緣層的形成 經(jīng)過(guò)金屬電極后的透明基板，在其金屬膜面涂布ー層厚度均勻的負(fù)性光阻材料，光阻涂布厚度為0·5μηι 3μηι; 經(jīng)過(guò)光阻預(yù)烤，曝光，顯影，最終形成厚度為O. 5 3 μ m和規(guī)則的絕緣層圖案。
9.如權(quán)利要求7或者8所述的制備新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏的方法，其特征是所述的透明基板為厚度在O. 5 2. O毫米的化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板；所述的ITO包括In2O3和SnO2，其質(zhì)量比為85 95 5 15。
10.如權(quán)利要求9所述的制備新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏的方法，其特征是所述的正性光阻材料主成分為こ酸丙ニ醇單甲基醚酷，環(huán)氧樹(shù)脂及正性感光劑；負(fù)性光阻材料主成分為こ酸丙ニ醇單甲基醚酯，亞克カ樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂及負(fù)性感光劑；所述的金屬鍍膜的金屬膜層為MoNb，AlNd, MoNb堆積而成的三明治結(jié)構(gòu)，其厚度按50埃米 500埃米500埃米 3000埃米50埃米 500埃米比例搭配，其中MoNb合金材料中Mo和Nb質(zhì)量比為85 95 5 15，AlNd合金材料中Al和Nd質(zhì)量比為95 98 2 5 ;所述的ニ氧化硅、五氧化ニ鈮、ITO鍍膜的方式為真空磁控濺鍍，或者為化學(xué)氣相沉積法，或者為熱蒸鍍，或者為溶膠凝膠。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏及其制造方法，所述新型ITO過(guò)橋一體式電容觸摸屏包括透明基板，依次層疊于透明基板的二氧化硅層、五氧化二鈮層、黑色樹(shù)脂層、ITO過(guò)橋電極、第一絕緣層、ITO電極、金屬電極和第二絕緣層；所述的二氧化硅層為整面覆蓋玻璃，五氧化二鈮層為整面覆蓋住二氧化硅層；所述的ITO電極包括電容屏驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)電極，具有規(guī)則圖形結(jié)構(gòu)；電容屏驅(qū)動(dòng)與感應(yīng)電極在同一層面，相互獨(dú)立，相互絕緣，垂直設(shè)計(jì)。本發(fā)明通過(guò)對(duì)電容觸摸屏的層疊結(jié)構(gòu)以及架橋?qū)ǚ绞竭M(jìn)行合理的設(shè)計(jì)，有效的提高電容式觸摸屏的透過(guò)率，降低了ITO圖案的可視性，觸摸屏的可靠性進(jìn)一步提升。
文檔編號(hào)G06F3/044GK102662543SQ20121008478
公開(kāi)日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2012年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月27日
發(fā)明者曹曉星 申請(qǐng)人:深圳市寶明科技股份有限公司