專(zhuān)利名稱(chēng)：襯底模型參數(shù)計(jì)算方法、光刻設(shè)備及控制光刻過(guò)程的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及計(jì)算襯底的模型參數(shù)的方法、光刻設(shè)備以及用于控制光刻設(shè)備的光刻過(guò)程的設(shè)備。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖 案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱(chēng)為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。所述圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過(guò)將圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)的層上。通常，單個(gè)襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。為了相繼地將被曝光的目標(biāo)部分精確地曝光在彼此之上，襯底將設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、以便在襯底上提供參考部位。通過(guò)測(cè)量對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的部位，可以計(jì)算先前曝光的目標(biāo)部分的位置，并可以控制光刻設(shè)備、使其曝光先前曝光過(guò)的目標(biāo)部分之上的后續(xù)目標(biāo)部分。為了以所需的精確度確定先前曝光的目標(biāo)部分的位置，估計(jì)襯底的模型參數(shù)是有利的。過(guò)去，僅使用線性模型來(lái)以所需的重疊規(guī)格相繼曝光彼此之上的目標(biāo)部分就已經(jīng)足夠了。然而，非線性項(xiàng)可以是對(duì)覆蓋誤差的最大的貢獻(xiàn)者。最近的發(fā)展也允許測(cè)量每個(gè)襯底的更多的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。線性模型的精確度在更多的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的情況下不能提高。因此，需要更加復(fù)雜精密的模型。

發(fā)明內(nèi)容
期望計(jì)算襯底的模型參數(shù)。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種計(jì)算設(shè)備內(nèi)襯底的模型參數(shù)的方法，所述方法包括步驟測(cè)量所述設(shè)備內(nèi)的襯底上的多個(gè)標(biāo)記的部位(location);使用所測(cè)量的多個(gè)標(biāo)記的部位以生成徑向基函數(shù)；和使用所生成的徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來(lái)計(jì)算在所述設(shè)備內(nèi)的所述襯底的模型參數(shù)。使用計(jì)算的模型參數(shù)，襯底臺(tái)上的襯底上的部位可以通過(guò)插值更精確地確定，以最小化在設(shè)備內(nèi)曝光的襯底的重疊誤差。所述方法還可以用于計(jì)算在設(shè)備內(nèi)的第一和第二襯底臺(tái)的模型參數(shù)，以最小化重疊誤差，例如用于所謂的卡盤(pán)至卡盤(pán)的校準(zhǔn)。所述方法還用于計(jì)算在制造場(chǎng)所內(nèi)第一和第二設(shè)備的模型參數(shù)，例如用于所謂的機(jī)器至機(jī)器的校準(zhǔn)，其中在制造場(chǎng)所內(nèi)的第一和第二設(shè)備被校準(zhǔn)以便最小化重疊誤差。所述方法還用于機(jī)器設(shè)置。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種光刻設(shè)備，布置成跨經(jīng)襯底執(zhí)行光刻過(guò)程和控制光刻過(guò)程，所述設(shè)備包括處理器，所述處理器配置成接收在光刻設(shè)備中的襯底上的多個(gè)標(biāo)記的測(cè)量部位；使用所測(cè)量的標(biāo)記部位生成徑向基函數(shù)；用所述徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來(lái)計(jì)算在所述光刻設(shè)備內(nèi)所述襯底的模型參數(shù)；和使用所述模型參數(shù)控制所述光刻設(shè)備的光刻過(guò)程。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種設(shè)備，布置用以控制光刻設(shè)備的光刻過(guò)程和跨經(jīng)襯底執(zhí)行光刻過(guò)程，所述設(shè)備包括處理器，所述處理器配置成接收在所述設(shè)備內(nèi)襯底上的多個(gè)標(biāo)記的測(cè)量部位；使用所測(cè)量的標(biāo)記部位生成徑向基函數(shù)；用所述徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來(lái)計(jì)算在所述設(shè)備內(nèi)所述襯底的模型參數(shù)；和使用所述模型參數(shù)控制所述光刻設(shè)備的光刻過(guò)程。本發(fā)明可以應(yīng)用于光刻設(shè)備或應(yīng)用于可以用于控制光刻設(shè)備的光刻過(guò)程和跨經(jīng)襯底執(zhí)行光刻過(guò)程的設(shè)備，例如軌道(通常將抗蝕劑層應(yīng)用至襯底并將曝光的抗蝕劑顯影 的工具)、量測(cè)工具和/或檢查工具(例如，SEM/TEM)。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中圖I示出光刻設(shè)備；圖2示出襯底布局和襯底上若干個(gè)點(diǎn)相對(duì)于中心的徑向距離；和圖3示出具有5、9以及25個(gè)定位點(diǎn)的曝光場(chǎng)的若干個(gè)布局。
具體實(shí)施例方式圖I不意地不出了一光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo)(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；-襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造成用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PL，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類(lèi)型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類(lèi)型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)支撐，即承載圖案形成裝置的重量。支撐結(jié)構(gòu)以依賴(lài)于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來(lái)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩模”都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類(lèi)型、交替型相移掩模類(lèi)型、衰減型相移掩模類(lèi)型和各種混合掩模類(lèi)型之類(lèi)的掩模類(lèi)型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類(lèi)型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類(lèi)的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái))的類(lèi)型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。所述光刻設(shè)備還可以是這種類(lèi)型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對(duì)高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便填滿投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒(méi)液體還可以施加到光刻設(shè)備的其他空間中，例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒(méi)技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知的，用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒(méi)”并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底)浸入到液體中，而僅意味著在曝光過(guò)程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱(chēng)作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱(chēng)為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái)MT)上的所述圖案形成裝置、(例如，掩模MA)上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PL，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類(lèi)似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖I中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)MT的移動(dòng)。類(lèi)似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，掩模臺(tái)MT可以?xún)H與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定 的。可以使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專(zhuān)用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類(lèi)似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中I.在步進(jìn)模式中，在將掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(B卩，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PL的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺(tái)MT保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。為了使光刻設(shè)備曝光的多個(gè)襯底被正確地且一致地曝光，期望確定襯底上的預(yù)曝光標(biāo)記的位置。因此，需要測(cè)量設(shè)備內(nèi)的襯底上例如N個(gè)預(yù)曝光標(biāo)記的部位。為了獲得每個(gè)標(biāo)記的位移，可以從標(biāo)記的所測(cè)量的部位減去預(yù)定的標(biāo)記部位(在襯底上預(yù)曝光層的曝光條件下被確定)。這些標(biāo)記的位移可以用于預(yù)測(cè)襯底上每個(gè)點(diǎn)的位移。因此，該位移可以用線性的6參數(shù)模型中每個(gè)標(biāo)記的平移、放大率以及轉(zhuǎn)動(dòng)來(lái)描述。對(duì)于(一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的)每個(gè)測(cè)量值，可以形成下式Mwx · xc-Rwy · yc+Cwx = dxRwx · Xc+Mwy · yc+Cwy = dy
其中xc和yc是實(shí)施測(cè)量的名義位置，w是在此具有恒定值的加權(quán)系數(shù)，以及Cx(沿X方向的平移)、Cy (沿y方向的平移)、Mx(沿x方向的放大率)、My (沿y方向的放大率)、Rx(x軸線圍繞z軸線的旋轉(zhuǎn))和Ry (y軸線圍繞z軸線的旋轉(zhuǎn))是要擬合的模型參數(shù)，dx、dy是測(cè)量的位移(偏差)(測(cè)量的位置減去預(yù)期位置)。對(duì)襯底上的每個(gè)標(biāo)記列出這些等式得出下面的系統(tǒng)

權(quán)利要求
1.一種計(jì)算設(shè)備內(nèi)襯底的模型參數(shù)的方法，所述方法包括步驟 測(cè)量所述設(shè)備內(nèi)的襯底上的標(biāo)記的部位； 使用所測(cè)量的標(biāo)記的部位生成徑向基函數(shù)；和 使用所生成的徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來(lái)計(jì)算在所述設(shè)備內(nèi)的所述襯底的模型參數(shù)。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，使用所測(cè)量的標(biāo)記的部位的步驟包括使用所述標(biāo)記的預(yù)定部位和所測(cè)量的部位。
3.如權(quán)利要求I或2所述的方法，其中，所述徑向基函數(shù)是高斯基函數(shù)、逆基函數(shù)、多重二次基函數(shù)、逆二次基函數(shù)、樣條度k基函數(shù)或薄板樣條基函數(shù)。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，計(jì)算在所述設(shè)備內(nèi)的所述襯底的模型參數(shù)的步驟包括步驟 使用所述徑向基函數(shù)和所述預(yù)定的標(biāo)記部位構(gòu)造矩陣。
5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，優(yōu)化所述預(yù)定的標(biāo)記部位以提高所計(jì)算的模型參數(shù)的精確度。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，使用包括沃羅諾伊圖的算法來(lái)優(yōu)化所述預(yù)定的標(biāo)記部位。
7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述徑向基函數(shù)包括松弛參數(shù)。
8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述設(shè)備是光刻設(shè)備并且所述方法還包括步驟 使用所述光刻設(shè)備跨經(jīng)襯底執(zhí)行光刻過(guò)程，和 通過(guò)所述光刻設(shè)備、使用所計(jì)算的模型參數(shù)來(lái)控制所述光刻過(guò)程。
9.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述設(shè)備是包括第一和第二襯底臺(tái)的光刻設(shè)備并且所述方法還包括步驟 測(cè)量在所述設(shè)備內(nèi)的第一和第二襯底臺(tái)上的襯底上的標(biāo)記的部位。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述方法還包括 使用在第一和第二襯底臺(tái)上的襯底上的標(biāo)記的所測(cè)量的部位為在第一和第二襯底臺(tái)上的襯底生成徑向基函數(shù)；和 使用所生成的徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來(lái)計(jì)算在所述設(shè)備中的第一和第二襯底臺(tái)上的所述襯底的模型參數(shù)。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述方法還包括步驟 使用在第一襯底臺(tái)上的襯底上的標(biāo)記的所測(cè)量的部位和在第二襯底臺(tái)上的標(biāo)記的所測(cè)量的部位為在第一和第二襯底臺(tái)上的襯底之間的差異生成徑向基函數(shù)；和 使用所生成的徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來(lái)計(jì)算在所述設(shè)備內(nèi)的第一或第二襯底臺(tái)上的襯底之間的所述差異的模型參數(shù)。
12.如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述設(shè)備位于包括具有第一和第二襯底部位的第一和第二設(shè)備的制造場(chǎng)所內(nèi)，所述方法包括步驟 測(cè)量在第一和第二襯底部位上的襯底上的標(biāo)記的部位； 使用在第一襯底部位上的襯底上的標(biāo)記的所測(cè)量的部位和在第二襯底部位上的標(biāo)記的所測(cè)量的部位為在第一或第二襯底部位上的襯底之間的差異生成徑向基函數(shù)；和使用所生成的徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來(lái)計(jì)算在所述制造場(chǎng)所內(nèi)的第一或第二襯底部位上襯底之間的差異的模型參數(shù)。
13.ー種光刻設(shè)備，布置成跨經(jīng)襯底執(zhí)行光刻過(guò)程并控制所述光刻過(guò)程，所述設(shè)備包括處理器，所述處理器配置成 接收在光刻設(shè)備內(nèi)的襯底上的標(biāo)記的測(cè)量部位； 使用所測(cè)量的標(biāo)記部位生成徑向基函數(shù)； 使用所述徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來(lái)計(jì)算在所述光刻設(shè)備內(nèi)所述襯底的模型參數(shù)；和 使用所述模型參數(shù)來(lái)控制由所述光刻設(shè)備執(zhí)行的光刻過(guò)程。
14.ー種布置用以控制由光刻設(shè)備執(zhí)行的光刻過(guò)程和跨經(jīng)襯底執(zhí)行光刻過(guò)程的設(shè)備，所述設(shè)備包括處理器，所述處理器配置成 接收在所述設(shè)備內(nèi)的襯底上的標(biāo)記的測(cè)量部位； 使用所測(cè)量的標(biāo)記部位生成徑向基函數(shù)； 使用所述徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來(lái)計(jì)算在所述設(shè)備內(nèi)的所述襯底的模型參數(shù)；和 使用所述模型參數(shù)來(lái)控制由所述光刻設(shè)備執(zhí)行的光刻過(guò)程。
15.如權(quán)利要求13或14所述的設(shè)備，其中，所述徑向基函數(shù)是高斯基函數(shù)、逆基函數(shù)、多重二次基函數(shù)、逆二次基函數(shù)、樣條度k基函數(shù)或薄板樣條基函數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種計(jì)算襯底的模型參數(shù)的方法、光刻設(shè)備和用于控制光刻設(shè)備的光刻過(guò)程的設(shè)備。具體地，本發(fā)明涉及估計(jì)光刻設(shè)備的模型參數(shù)和控制光刻設(shè)備的光刻過(guò)程。使用光刻設(shè)備跨經(jīng)晶片執(zhí)行曝光。測(cè)量一組預(yù)定的晶片測(cè)量部位。標(biāo)記的預(yù)定的和測(cè)量的部位被用于生成徑向基函數(shù)。使用所生成的徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來(lái)計(jì)算所述襯底的模型參數(shù)。最后，使用所估計(jì)的模型參數(shù)來(lái)控制光刻設(shè)備以曝光襯底。
文檔編號(hào)G06F19/00GK102650832SQ20121004120
公開(kāi)日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月25日
發(fā)明者D·M·斯勞特布姆, H·J·G·西蒙斯, I·里尤利納, M·G·田納, M·范柯莫納德, P·J·赫利斯, S·C·T·范德山登 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司