專利名稱：電容式觸摸屏及其制備工藝的制作方法
電容式觸摸屏及其制備工藝
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及觸摸屏領(lǐng)域，特別涉及一種電容式觸摸屏及其制備工藝。
背景技術(shù)：
電容式觸摸屏是一種新的觸摸屏技術(shù)。其構(gòu)造主要是在玻璃屏幕上鍍一層透明的薄膜導(dǎo)體層，再在導(dǎo)體層外加上一塊保護玻璃，雙玻璃設(shè)計能徹底保護導(dǎo)體層及感應(yīng)器。電容式觸摸屏在觸摸屏四邊均鍍上狹長的電極，在導(dǎo)電體內(nèi)形成一個低電壓交流電場。在觸摸屏幕時，由于人體電場，手指與導(dǎo)體層間會形成一個耦合電容，四邊電極發(fā)出的電流會流向觸點，而電流強弱與手指到電極的距離成正比，位于觸摸屏幕后的控制器便會計算電流的比例及強弱，準確算出觸摸點的位置。電容式觸摸屏的雙玻璃不但能保護導(dǎo)體及感應(yīng)器，更有效地防止外在環(huán)境因素對觸摸屏造成影響，就算屏幕沾有污穢、塵?；蛴蜐?，電容式觸摸屏依然能準確算出觸摸位置。電容式觸摸屏是在玻璃表面貼上一層透明的特殊金屬導(dǎo)電物質(zhì)。當手指觸摸在金屬層上時，觸點的電容就會發(fā)生變化，使得與之相連的振蕩器頻率發(fā)生變化，通過測量頻率變化可以確定觸摸位置獲得信息。因此，功能片玻璃的鍍膜是電容式觸摸屏的關(guān)鍵技術(shù)之一。一般的功能片玻璃為雙面鍍膜結(jié)構(gòu)，即感應(yīng)層與驅(qū)動層分別位于玻璃的兩個面。由于電容式觸摸屏在加工過程中，鍍膜次數(shù)繁多，需要分別對玻璃的正反兩面進行頻繁的清洗，因此，在清洗一面的時候，另一面會受到污染，嚴重影響了電容式觸摸屏的功能片的良品率，增加了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種具有較聞良品率的電容式觸摸屏。一種電容式觸摸屏，包括:玻璃基底；阻擋層，層疊于所述玻璃基底上，所述阻擋層的材料為二氧化硅；驅(qū)動層，層疊于所述阻擋層上，所述驅(qū)動層的材料為氧化銦錫；電橋?qū)樱瑢盈B于所述驅(qū)動層上，所述電橋?qū)影▽盈B于所述驅(qū)動層上的第一 Mo膜、層疊于所述第一 Mo膜上的Al膜及層疊于所述Al膜上的第二 Mo膜；絕緣層，層疊于所述電橋?qū)由?，所述絕緣層的材料為OC絕緣膠；感應(yīng)層，層疊于所述絕緣層上，所述感應(yīng)層的材料為氧化銦錫；及保護層，層疊于所述感應(yīng)層上，所述保護層的材料為二氧化硅。在優(yōu)選的實施例中，所述阻擋層的厚度為18納米 22納米。在優(yōu)選的實施例中，所述電橋?qū)拥暮穸葹?15納米 385納米，其中所述第一 Mo膜的厚度為30納米 55納米；所述Al膜的厚度為255納米 275納米；所述第二 Mo膜的厚度為30納米 55納米。在優(yōu)選的實施例中，所述絕緣層的厚度為I微米 2微米。
在優(yōu)選的實施例中，所述感應(yīng)層的材料為氧化銦錫，所述感應(yīng)層的厚度為18納米 22納米。在優(yōu)選的實施例中，所述保護層的厚度為45納米 55納米。此外，還有必要提供上述電容式觸摸屏的制備工藝。一種電容式觸摸屏的制備工藝，包括如下步驟:在玻璃基底上真空濺鍍第一二氧化硅膜形成阻擋層；在所述阻擋層上真空濺鍍第一氧化銦錫膜，并在所述第一氧化銦錫膜上蝕刻線路形成驅(qū)動層；在所述驅(qū)動層上依次真空濺鍍第一 Mo膜、Al膜及第二 Mo膜，并在形成的Mo-Al-Mo膜上蝕刻線路，形成電橋?qū)?；在所述電橋?qū)由贤扛睴C絕緣膠形成絕緣層；在所述絕緣層上真空濺鍍第二氧化銦錫膜，并在所述第二氧化銦錫膜上蝕刻線路形成感應(yīng)層；及在所述感應(yīng)層上真空濺鍍第二二氧化硅膜形成保護層。在優(yōu)選的實施例中，真空濺鍍所述第一二氧化硅膜及所述第一氧化銦錫膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為75°C 85°C，第二室的加熱溫度為115°C 125°C，第三室的加熱溫度為175°C 185°C，第四室的加熱溫度為235°C 245°C，第五室的加熱溫度為275°C 285°C，第六室的加熱溫度為295°C 305°C，第七室與第八室的加熱溫度均為315°C 325°C，總加熱時間為500秒 700秒，所述玻璃基板的傳送速度為40毫米/秒 60毫米/秒，真空度為2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;真空濺鍍所述第一二氧化硅膜的濺射功率為4000W 5000W ;真空濺鍍所述第一氧化銦錫膜的濺射功率為2700W 3700W ；真空濺鍍所述第一 Mo膜、Al膜及第二 Mo膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為55 °C 65 °C，第二室的加熱溫度為65 °C 75 °C，第三室的加熱溫度為75 °C 85 °C，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加熱溫度均為75°C 85°C，總加熱時間為800秒 1000秒，所述玻璃基板的傳送速度為25毫米/秒 35毫米/秒，真空度為2.0X KT1Pa
3.0X KT1Pa,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;所述第一 Mo膜的濺射功率為2000W 3000W ;所述Al膜的濺射功率為10000W 14000W ;所述第二 Mo膜的濺射功率為2000W 3000W ；真空濺鍍所述第二氧化銦錫膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為55°C 65°C，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加熱溫度均為75°C 85°C，總加熱時間為620秒 820秒，所述玻璃基板的傳送速度為32.5毫米/秒 42.5毫米/秒，真空度為2.5 X KT1Pa 3.5 X KT1Pa,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;真空濺鍍所述第二氧化銦錫膜的濺射功率為3350W 4350W ;及真空濺鍍所述第二二氧化硅膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為55°C 65°C，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加熱溫度均為75°C 85°C，總加熱時間為800秒 1000秒，所述玻璃基板的傳送速度為25毫米/秒 35毫米/秒，真空度為2.5 X KT1Pa 3.5 X KT1Pa,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;真空濺鍍所述第二二氧化硅膜的濺射功率為6750W 7750W。上述電容式觸摸屏包括依次層疊的玻璃基底、阻擋層、驅(qū)動層、電橋?qū)?、絕緣層、感應(yīng)層及保護層。感應(yīng)層及驅(qū)動層均位于玻璃基底的同一側(cè)，從而避免了電容式觸摸屏在生產(chǎn)清洗過程中被污染，提高了良品率。另外，采用絕緣層將電橋?qū)优c感應(yīng)層隔開，而實現(xiàn)電容式觸摸屏的功能，比雙面結(jié)構(gòu)的電容式觸摸屏減少了一層，從而降低了生產(chǎn)成本。且上述電容式觸摸屏的制備工藝簡單，生產(chǎn)效率提高了 20%，生產(chǎn)成本降低了 10%以上。

圖1為一實施方式的電容式觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一實施方式的電容式觸摸屏的制備工藝流程圖。
具體實施方式下面主要結(jié)合附圖及具體實施例對電容式觸摸屏及其制備工藝作進一步詳細的說明。如圖1所示，一實施方式的電容式觸摸屏100，包括依次層疊的玻璃基底10、阻擋層20、驅(qū)動層30、電橋?qū)?0、絕緣層50、感應(yīng)層60及保護層70。玻璃基底10可以為任意玻璃，優(yōu)選為半鋼化玻璃。阻擋層20層疊于玻璃基底10上。阻擋層20的材料為二氧化硅(SiO2)。阻擋層20的厚度為18納米 22納米。在本實施例中，阻擋層20的厚度優(yōu)選為20納米。驅(qū)動層30層疊于阻擋層20上。驅(qū)動層30的材料為氧化銦錫(ITO)。驅(qū)動層30的厚度為18納米 22納米。在本實施例中，驅(qū)動層30的厚度優(yōu)選為20納米。電橋?qū)?0層疊于驅(qū)動層30上。電橋?qū)?0包括層疊于驅(qū)動層30上的第一 Mo膜、層疊于第一 Mo膜上的Al膜及層疊于Al膜上的第二 Mo膜。其中，第一 Mo膜的厚度為30納米 55納米；A1膜的厚度為255納米 275納米；第二 Mo膜的厚度為30納米 55納米。電橋?qū)?0的厚度為315納米 385納米。在本實施例中，電橋?qū)?0的厚度優(yōu)選為350納米。絕緣層50層疊于電橋?qū)?0上。絕緣層50的材料為OC絕緣膠(0CA光學(xué)膠的簡稱)。OC絕緣膠具有無色透明、光透過率在90%以上、膠結(jié)強度良好，可在室溫或中溫下固化，且有固化收縮小等特點。絕緣層50的厚度為I微米 2微米。在優(yōu)選的實施例中，絕緣層50的厚度優(yōu)選為1.5微米。感應(yīng)層60層疊于絕緣層50上。感應(yīng)層60的材料為氧化銦錫(ITO)。感應(yīng)層60的厚度為18納米 22納米。在本實施例中，感應(yīng)層60的厚度優(yōu)選為20納米。保護層70層疊于感應(yīng)層60上。保護層70的材料為二氧化硅(SiO2)。保護層70的厚度為45納米 55納米。在本實施例中，保護層70的厚度優(yōu)選為50納米。上述電容式觸摸屏100包括依次層疊的玻璃基底10、阻擋層20、驅(qū)動層30、電橋?qū)?0、絕緣層50、感應(yīng)層60及保護層70。感應(yīng)層60及驅(qū)動層30均位于玻璃基底10的同一偵牝且采用絕緣層50將電橋?qū)?0與感應(yīng)層60隔開，而實現(xiàn)電容式觸摸屏100的功能，從而避免了電容式觸摸屏100在生產(chǎn)清洗過程中被污染，提高了良品率；且結(jié)構(gòu)上比雙面結(jié)構(gòu)的電容式觸摸屏減少了一層，從而降低了生產(chǎn)成本。
如圖2所示，上述電容式觸摸屏100的制備工藝，包括如下步驟:步驟S1:在玻璃基底10上真空濺鍍第一二氧化硅膜形成阻擋層20，在阻擋層20上真空濺鍍第一氧化銦錫膜，并在第一氧化銦錫膜上蝕刻線路形成驅(qū)動層30。在本實施例中，在玻璃基底10上真空濺鍍第一二氧化硅膜之前，先將玻璃基底10進行清洗，經(jīng)冷風(fēng)吹去玻璃基底10表面的水，再用熱風(fēng)吹玻璃基底10，將玻璃基底10進行干燥，然后將干燥后的玻璃基底10進行質(zhì)量檢查，若玻璃基底10的表面無贓物，且無劃痕，則玻璃基底10合格，最后將合格的玻璃基底10上架裝片，準備鍍膜。在本實施例中，真空濺鍍第一二氧化硅膜及第一氧化銦錫膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為75°C 85°C，第二室的加熱溫度為115°C 125°C，第三室的加熱溫度為175°C 185°C，第四室的加熱溫度為235°C 245°C，第五室的加熱溫度為275°C 285°C，第六室的加熱溫度為295°C 305°C，第七室與第八室的加熱溫度均為315°C 325°C，總加熱時間為500秒 700秒，玻璃基板10的傳送速度為40毫米/秒 60毫米/秒，真空度為2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;真空濺鍍第一二氧化硅膜的濺射功率為4000W 5000W ;真空濺鍍第一氧化銦錫膜的濺射功率為2700W 3700W。其中，真空濺鍍第一二氧化硅膜的靶材為多晶硅；真空濺鍍第一氧化銦錫膜的靶材優(yōu)選為質(zhì)量百分比為90: 10的氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2),純度為99.99% ;氣氛均為氧氣與氬氣。在優(yōu)選的實施例中，真空濺鍍第一二氧化硅的濺射功率優(yōu)選為4500W ;真空濺鍍第一氧化銦錫膜的濺射功率優(yōu)選為3200W。測試形成的阻擋層20的厚度及第一氧化銦錫膜的厚度，并檢查阻擋層20及第一氧化銦錫膜的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格，然后在第一氧化銦錫膜上蝕刻線路形成驅(qū)動層30，并對形成有阻擋層20及驅(qū)動層30的玻璃基底10進行清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，然后進行質(zhì)量檢查，若驅(qū)動層30的表面均無贓物，無劃痕，且采用分光計(550納米波長)測試SiOJi擋層與ITO驅(qū)動層的透過率>89.0%，則合格，最后將合格的形成有阻擋層20及驅(qū)動層30的玻璃基底10上架裝片，準備下一步鍍膜。在本實施例中，采用黃光蝕刻驅(qū)動層30的線路。步驟S2:在驅(qū)動層30上依次真空濺鍍第一 Mo膜、Al膜及第二 Mo膜，并在形成的Mo-Al-Mo膜上蝕刻線路，形成電橋?qū)?0。在本實施例中，真空濺鍍第一 Mo膜、Al膜及第二 Mo膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為55°C 65°C，第二室的加熱溫度為65°C 75°C，第三室的加熱溫度為75°C 85°C，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加熱溫度均為75°C 85°C，總加熱時間為800秒 1000秒，玻璃基板10的傳送速度為25毫米/秒 35毫米/秒，真空度為2.0X KT1Pa 3.0X KT1Pa,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa。第一 Mo膜的濺射功率為2000W 3000W ；A1膜的濺射功率為10000W 14000W ;第二 Mo膜的濺射功率為2000W 3000W。其中，真空濺鍍第一 Mo膜及第二 Mo膜的靶材為鑰與鈮的質(zhì)量百分比為90: 10的鑰鈮合金(MoNb)，純度為99.9% ;真空濺鍍Al膜的靶材為釹鋁合金(AlNd);氣氛均為氧氣與氬氣。在優(yōu)選的實施例中，第一 Mo膜的濺射功率為2500W，A1膜的濺射功率為12000W，第二 Mo膜的濺射功率為2500W。分別測試第一 Mo膜、Al膜及第二 Mo膜的厚度及表面方阻，若表面方阻為0.2 Ω / □ 0.4 Ω / 口，且表面無劃痕及贓物，則合格，然后在形成的Mo-Al-Mo膜上采用黃光蝕刻線路形成電橋?qū)?0。步驟S3:在電橋?qū)?0上涂覆OC絕緣膠形成絕緣層50。絕緣層50的厚度為I微米 2微米。絕緣層50為OC絕緣膠。將形成有阻擋層20、驅(qū)動層30、電橋?qū)?0、絕緣層50的玻璃基底10進行清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，然后進行質(zhì)量檢查，若驅(qū)動層30的表面均無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有阻擋層20、驅(qū)動層30、電橋?qū)?0、絕緣層50的玻璃基底10上架裝片，準備下一步鍍膜。步驟S4:在絕緣層50上真空濺鍍第二氧化銦錫膜，并在第二氧化銦錫膜上蝕刻線路形成感應(yīng)層60。在本實施例中，真空濺鍍第二氧化銦錫膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為55°C 65°C，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加熱溫度均為75°C 85°C，總加熱時間為620秒 820秒，玻璃基板10的傳送速度為32.5毫米/秒 42.5毫米/秒，真空度為2.5 X KT1Pa 3.5 X KT1Pa,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;真空濺鍍感應(yīng)層60的濺射功率為3350W 4350W。其中，真空濺鍍第二氧化銦錫膜的靶材優(yōu)選為質(zhì)量百分比為90: 10的氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2),純度為99.99% ;氣氛為氧氣與氬氣。在優(yōu)選的實施例中，鍍第二氧化銦錫膜的濺射功率為3850W。在真空濺鍍第二氧化銦錫膜后，測試第二氧化銦錫膜的厚度，并檢查第二氧化銦錫膜表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格，然后在第二氧化銦錫膜上蝕刻線路形成感應(yīng)層60，然后進行清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，進行質(zhì)量檢查，若表面均無贓物，無劃痕，且采用分光計(550納米波長)測試ITO驅(qū)動層的透過率彡89.0%，則合格，最后將合格的形成有阻擋層20、驅(qū)動層30、電橋?qū)?0、絕緣層50及感應(yīng)層60的玻璃基底10上架裝片，準備下一步鍍膜。在本實施例中，采用黃光蝕刻第二氧化銦錫膜的線路。步驟S5:在感應(yīng)層60上真空濺鍍第二二氧化硅膜形成保護層70。在本實施例中，真空濺鍍第二二氧化硅膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為55°C 65°C，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加熱溫度均為75°C 85°C，總加熱時間800秒 1000秒，傳送速度為25毫米/秒 35毫米/秒，真空度為2.5 X KT1Pa 3.5 X KT1Pa,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;鍍保護層的濺射功率為6750W 7750W。其中，真空濺鍍第二二氧化硅膜的靶材優(yōu)選 為多晶硅，氣氛為氧氣與氬氣。在優(yōu)選的實施例中，真空濺鍍第二二氧化硅膜的濺射功率優(yōu)選為7250W。在形成保護層70后，測試保護層70的厚度，且采用分光計(550納米波長)測試SiO2的透過率彡90.0%，并檢查保護層70的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格。由于絕緣層50為OC絕緣膠，則第二氧化銦錫膜與第二二氧化硅膜的鍍膜溫度在60°C 80°C，從而防止高溫破壞電橋?qū)?0上的絕緣層50。上述電容式觸摸屏100的制備工藝簡單，生產(chǎn)效率提高了 20%，生產(chǎn)成本降低了10%以上。以下為具體實施例部分，下述實施例中用鍍膜的WG真空磁控濺射鍍膜機(YFZK-TFT-1100X1300);用于清洗的WG清洗機(HKD-TFT-1100X 1300);用于測試厚度的膜厚儀(XP-2)、測試電阻的電阻儀(XY)及用于測試透過率的分光計(7230G)。實施例1電容式觸摸屏結(jié)構(gòu)玻璃/Si02/IT0/Mo-Al-Mo/0C絕緣層/IT0/Si02。(I)在玻璃基底上形成SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層。采用WG清洗機清洗玻璃基底，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)將玻璃基底干燥，然后將干燥后的玻璃基底進行質(zhì)量檢查，若玻璃基底的表面無贓物，且無劃痕，則玻璃基底合格，最后將合格的玻璃基底上架裝片，準備鍍膜。在玻璃基底上采用WG真空磁控濺射鍍膜機真空濺鍍SiO2膜形成SiO2阻擋層，并在SiO2阻擋層上真空濺鍍ITO膜，其中，SiO2膜的靶材為多晶硅；ΙΤ0膜的靶材為質(zhì)量百分比為90: 10的氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2),純度為99.99% ;氣氛均為氧氣與氬氣。在真空濺鍍膜過程中，第一室80°C、第二室120°C、第三室180°C、第四室240°C、第五室280°C、第六室300°C、第七室與第八室320°C，加熱時間為600S，鍍膜室中玻璃基板傳送速度為50mm/S，鍍膜時間90S，濺射鍍膜的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，SiO2膜的濺射功率4500W，ITO膜濺射功率3200W。然后，采用膜厚儀測試SiO2膜的厚度為21納米，ITO膜的厚度為21納米，采用分光計(550納米波長)測試SiO2膜與ITO膜的透過率為89.3%，并檢查SiO2膜及ITO膜的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格，在合格的ITO膜上采用黃光蝕刻線路形成ITO驅(qū)動層，并對形成有SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層的玻璃基底采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，然后進行質(zhì)量檢查，若ITO膜表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(2)在ITO驅(qū)動層上形成Mo-Al-Mo電橋?qū)?采用WG真空磁控濺射鍍膜機在ITO驅(qū)動層上依次鍍Mo膜、Al膜及Mo膜，其中，Mo膜的靶材為鑰與鈮的質(zhì)量百分比為90: 10的鑰鈮合金(MoNb)，純度為99.9%；A1膜的靶材為釹鋁合金(AlNd);氣氛均為氧氣與氬氣。在真空鍍膜過程中:第一室60°C、第二室70°C、第三室80°C、第四室到第八室為80°C，加熱時間為900S，鍍膜室鍍有SiO2膜及ITO膜的玻璃基底的傳送速度為30mm/S，鍍膜時間150S，真空濺鍍的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，其中，第一層MO鍍膜濺射功率2500W，第二層Al鍍膜濺射功率為12000W，第三層MO濺射功率為2500W ;然后測試得第一層MO膜的厚度為50納米，第二層Al膜的厚度為260納米，第三層MO膜的厚度為55納米，即Mo-Al-Mo膜的厚度為365納米，且采用電阻儀測試得方阻為
0.3 Ω / □，且Mo-Al-Mo膜的表面無劃痕及贓物，則合格，然后在Mo-Al-Mo膜上采用黃光蝕刻線路形成Mo-Al-Mo電橋?qū)印?3)在Mo-Al-Mo電橋?qū)由贤扛残纬蒓C絕緣層。其中，OC絕緣層的厚度為1.5微米，然后采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥，并進行質(zhì)量檢查，若表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層、ITO驅(qū)動層、Mo-Al-Mo電橋?qū)蛹癘C絕緣層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(4)采用WG真空磁控濺射鍍膜機在OC絕緣層上形成ITO感應(yīng)層。其中，真空濺鍍ITO膜的靶材為質(zhì)量百分比為90: 10的氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2)，純度為99.99%;氣氛為氧氣與氬氣。在真空濺鍍ITO膜過程中，第一室60°C、第二室80°C、第三室 第八室80°C，加熱時間為720S，鍍膜室中玻璃基板傳送速度為37.5mm/S，鍍膜時間120S，真空濺鍍的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，ITO鍍膜濺射功率3850W;采用膜厚儀測試ITO膜的厚度為19納米，采用分光計(550納米波長)測試ITO膜的透過率為89.5%，并檢查ITO膜的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格，在ITO膜上采用黃光蝕刻線路形成ITO感應(yīng)層，采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，然后進行質(zhì)量檢查，若ITO感應(yīng)層表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層、ITO驅(qū)動層、Mo-Al-Mo電橋?qū)印C絕緣層及ITO感應(yīng)層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(5)采用WG真空磁控濺射鍍膜機在ITO驅(qū)動層上形成SiO2保護層，其中，靶材為多晶硅，氣氛為氧氣與氬氣。在真空濺鍍過程中，第一室60°C、第二室80°C、第三室80°C、第四室到第八室為80°C，加熱時間為900S，鍍膜室中玻璃基板的傳送速度為30mm/S，鍍膜時間150S，真空濺鍍的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，SiO2膜濺射功率7250W ;采用膜厚儀測試形成的SiO2保護層的厚度為48納米，采用分光計(550納米波長)測試SiO2保護層的透過率為90.2%，并檢查SiO2保護層的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格。實施例2電容式觸摸屏結(jié)構(gòu)玻璃/Si02/IT0/Mo-Al-Mo/0C絕緣層/IT0/Si02。(I)在玻璃基底上形成SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層。采用WG清洗機清洗玻璃基底，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)將玻璃基底干燥，然后將干燥后的玻璃基底進行質(zhì)量檢查，若玻璃基底的表面無贓物，且無劃痕，則玻璃基底合格，最后將合格的玻璃基底上架裝片，準備鍍膜。在玻璃基底上采用WG真空磁控濺射鍍膜機真空濺鍍SiO2膜形成SiO2阻擋層，并在SiO2阻擋層上真空濺鍍ITO膜，其中，SiO2膜的靶材為多晶硅；ΙΤ0膜的靶材為質(zhì)量百分比為90: 10的氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2),純度為99.99% ;氣氛均為氧氣與氬氣。在真空濺鍍膜過程中，第一室80°C、第二室120°C、第三室180°C、第四室240°C、第五室280°C、第六室300°C、第七室與第八室320°C，加熱時間為600S，鍍膜室中玻璃基板傳送速度為50mm/S，鍍膜時間90S，濺射鍍膜的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，SiO2膜的濺射功率4500W，ITO膜的濺射功率3200W。然后，采用膜厚儀測試SiO2膜的厚度為20納米，ITO膜的厚度為20納米，采用分光計(550納米波長)測試SiO2膜與ITO膜的透過率為89.5%，并檢查SiO2膜及ITO膜的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格，在合格的ITO膜上采用黃光蝕刻線路形成ITO驅(qū)動層，并對形成有SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層的玻璃基底采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，然后進行質(zhì)量檢查，若ITO膜表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(2)在ITO驅(qū)動層上形成Mo-Al-Mo電橋?qū)?采用WG真空磁控濺射鍍膜機在ITO驅(qū)動層上依次鍍Mo膜、Al膜及Mo膜，其中，Mo膜的靶材為鑰與鈮的質(zhì)量百分比為90: 10的鑰鈮合金(MoNb)，純度為99.9%；A1膜的靶材為釹鋁合金(AlNd);氣氛均為氧氣與氬氣。在真空鍍膜過程中:第一室60°C、第二室70°C、第三室80°C、第四室到第八室80°C，加熱時間為800S，鍍膜室鍍的玻璃基底的傳送速度為25mm/S，鍍膜時間150S，真空濺鍍的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，其中，第I層MO鍍膜濺射功率2500W，第2層Al鍍膜濺射功率為12000W，第3層MO濺射功率為2500W ;然后測試得第一層MO膜的厚度為45納米，第二層Al膜的厚度為255納米，第三層MO膜的厚度為50納米，即測試得Mo-Al-Mo膜的厚度為350納米，且采用電阻儀測試得方阻為0.2 Ω / 口，且Mo-Al-Mo膜的表面無劃痕及贓物，則合格，然后在Mo-Al-Mo膜上采用黃光蝕刻線路形成Mo-Al-Mo電橋?qū)印?3)在Mo-Al-Mo電橋?qū)由贤扛残纬蒓C絕緣層。其中，OC絕緣層的厚度為I微米，然后采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥，并進行質(zhì)量檢查，若表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層、ITO驅(qū)動層、Mo-Al-Mo電橋?qū)蛹癘C絕緣層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(4)采用WG真空磁控濺射鍍膜機在OC絕緣層上形成ITO感應(yīng)層。其中，真空濺鍍ITO膜的靶材為質(zhì)量百分比為90: 10的氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2)，純度為99.99%;氣氛為氧氣與氬氣。在真空濺鍍ITO膜過程中，第一室60°C、第二室80°C、第三室到第八室80°C，加熱時間為720S，鍍膜室中玻璃基板傳送速度為37.5mm/S，鍍膜時間120S，真空濺鍍的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，ITO鍍膜濺射功率3850W;采用膜厚儀測試ITO膜的厚度為20納米，采用分光計(550納米波長)測試ITO膜的透過率為89.3%，并檢查ITO膜的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格，在ITO膜上采用黃光蝕刻線路形成ITO感應(yīng)層，采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，然后進行質(zhì)量檢查，若ITO感應(yīng)層表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層、ITO驅(qū)動層、Mo-Al-Mo電橋?qū)?、OC絕緣層及ITO感應(yīng)層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(5)采用WG真空磁控濺射鍍膜機在ITO驅(qū)動層上形成SiO2保護層，其中，靶材為多晶硅，氣氛為氧氣與氬氣。在真空濺鍍膜過程中，第一室60°C、第二室80°C、第三室80°C、第四室到第八室80°C，加熱時間為900S，鍍膜室中玻璃基板的傳送速度為30mm/S，鍍膜時間150S，真空濺鍍的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，SiO2濺射功率7250W ;采用膜厚儀測試形成的SiO2保護層的厚度為50納米，采用分光計(550納米波長)測試SiO2保護層的透過率為90.4%，并檢查SiO2保護層的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格。實施例3電容式觸摸屏結(jié)構(gòu)玻璃/Si02/IT0/Mo-Al-Mo/0C絕緣層/IT0/Si02。(I)在玻璃基底上形成SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層。采用WG清洗機清洗玻璃基底，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)將玻璃基底干燥，然后將干燥后的玻璃基底進行質(zhì)量檢查，若玻璃基底的表面無贓物，且無劃痕，則玻璃基底合格，最后將合格的玻璃基底上架裝片，準備鍍膜。在玻璃基底上采用WG真空磁控濺射鍍膜機真空濺鍍SiO2膜形成SiO2阻擋層，并在SiO2阻擋層上真空濺鍍ITO膜，其中，Si02膜的靶材為多晶硅；ITO膜的靶材為質(zhì)量百分比為90: 10的氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2),純度為99.99% ;氣氛均為氧氣與氬氣。在真空濺鍍膜過程中，第一室75°C、第二室115°C、第三室175°C、第四室235°C、第五室275°C、第六室295°C、第七室與第八室315°C，加熱時間為500秒，鍍膜室中玻璃基板傳送速度為40mm/S，鍍膜時間90S，真空濺鍍的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，SiO2膜的濺射功率4000W，ITO膜的濺射功率2700W。然后，采用膜厚儀測試SiO2膜的厚度為18納米，ITO膜的厚度為18納米，采用分光計(550納米波長)測試SiO2膜與ITO膜的透過率為89.8%，并檢查SiO2膜及ITO膜的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格，在合格的ITO膜上采用黃光蝕刻線路形成ITO驅(qū)動層，并對形成有SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層的玻璃基底采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，然后進行質(zhì)量檢查，若ITO膜表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(2)在ITO驅(qū)動層上形成Mo-Al-Mo電橋?qū)?采用WG真空磁控濺射鍍膜機在ITO驅(qū)動層上依次鍍Mo膜、Al膜及Mo膜，其中，Mo膜的靶材為鑰與鈮的質(zhì)量百分比為90: 10的鑰鈮合金(MoNb)，純度為99.9%；A1膜的靶材為釹鋁合金(AlNd);氣氛均為氧氣與氬氣。在真空鍍膜過程中:第一室55°C、第二室65°C、第三室75°C、第四室到第八室75°C，加熱時間為800S，鍍膜室的玻璃基底的傳送速度為25mm/S，鍍膜時間150S，真空濺鍍膜的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，其中，第I層MO鍍膜濺射功率2000W，第2層Al鍍膜濺射功率為10000W，第3層MO濺射功率為2000W ;然后測試得第I層MO膜的厚度為30納米，第二層Al膜的厚度為255納米，第三層MO膜的厚度為30納米，即測試得Mo-Al-Mo膜的厚度為315納米，且采用電阻儀測試得方阻為0.4 Ω / 口，且Mo-Al-Mo膜的表面無劃痕及贓物，則合格，然后在Mo-Al-Mo膜上采用黃光蝕刻線路形成Mo-Al-Mo電橋?qū)印?3)在Mo-Al-Mo電橋?qū)由贤扛残纬蒓C絕緣層。其中，OC絕緣層的厚度為I微米，然后采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥，并進行質(zhì)量檢查，若表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層、ITO驅(qū)動層、Mo-Al-Mo電橋?qū)蛹癘C絕緣層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(4)采用WG真空磁控濺射鍍膜機在OC絕緣層上形成ITO感應(yīng)層。其中，真空濺鍍ITO膜的靶材為質(zhì)量百分比為90: 10的氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2)，純度為99.99%;氣氛為氧氣與氬氣。在真空濺鍍ITO膜過程中，第一室55°C、第二室75°C、第三室到第八室75°C，加熱時間為720S，鍍膜室中玻璃基板傳送速度為32.5mm/S，鍍膜時間120S，真空濺鍍膜的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，ITO鍍膜濺射功率3350W ;然后，在濺射鍍完ITO膜后，采用膜厚儀測試ITO膜的厚度為18納米，采用分光計(550納米波長)測試ITO膜的透過率為89.7%，并檢查ITO膜的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格，在ITO膜上采用黃光蝕刻線路形成ITO感應(yīng)層，采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，然后進行質(zhì)量檢查，若ITO感應(yīng)層表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層、ITO驅(qū)動層、Mo-Al-Mo電橋?qū)?、OC絕緣層及ITO感應(yīng)層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(5)采用WG真空磁控濺射鍍膜機在ITO膜上形成SiO2保護層，其中，靶材為多晶硅，氣氛為氧氣與氬氣。在真空濺鍍膜過程中，第一室55°C、第二室75°C、第三室75°C、第四室到第八室75°C，加熱時間為900S，鍍膜室中玻璃基板的傳送速度為25mm/S，鍍膜時間150S，真空濺鍍的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，SiO2濺射功率6750W ;然后，采用膜厚儀測試形成的SiO2保護層的厚度為45納米，采用分光計(550納米波長)測試SiO2保護層的透過率為90.0%，并檢查SiO2保護層的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格。實施例4電容式觸摸屏結(jié)構(gòu)玻璃/Si02/IT0/Mo-Al-Mo/0C絕緣層/IT0/Si02。(I)在玻璃基底上形成SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層。采用WG清洗機清洗玻璃基底，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)將玻璃基底干燥，然后將干燥后的玻璃基底進行質(zhì)量檢查，若玻璃基底的表面無贓物，且無劃痕，則玻璃基底合格，最后將合格的玻璃基底上架裝片，準備鍍膜。在玻璃基底上采用WG真空磁控濺射鍍膜機真空濺鍍SiO2膜形成SiO2阻擋層，并在SiO2阻擋層上真空濺鍍ITO膜，其中，SiO2膜的靶材為多晶硅；ΙΤ0膜的靶材為質(zhì)量百分比為90: 10的氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2),純度為99.99% ;氣氛均為氧氣與氬氣。在真空濺鍍膜過程中，第一室85°C、第二室125°C、第三室1805°C、第四室245°C、第五室285°C、第六室305°C、第七室與第八室325°C，加熱時間為700S，鍍膜室中玻璃基板傳送速度為60毫米/秒，鍍膜時間90S，濺射鍍膜的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，SiO2膜的濺射功率5000W，ITO膜的濺射功率3700W。然后，采用膜厚儀測試SiO2膜的厚度為22納米，ITO膜的厚度為22納米，采用分光計(550納米波長)測試SiO2膜與ITO膜的透過率為89.0 %，并檢查SiO2膜及ITO膜的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格，在合格的ITO膜上采用黃光蝕刻線路形成ITO驅(qū)動層，并對形成有SiO2絕緣層及ITO驅(qū)動層的玻璃基底采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，然后進行質(zhì)量檢查，若ITO膜表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層及ITO驅(qū)動層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(2)在ITO驅(qū)動層上形成Mo-Al-Mo電橋?qū)?采用WG真空磁控濺射鍍膜機在ITO驅(qū)動層上依次鍍Mo膜、Al膜及Mo膜，其中，Mo膜的靶材為鑰與鈮的質(zhì)量百分比為90: 10的鑰鈮合金(MoNb)，純度為99.9%；A1膜的靶材為釹鋁合金(AlNd);氣氛均為氧氣與氬氣。在真空鍍膜過程中:第一室65°C、第二室75°C、第三室85°C、第四室到第八室85°C，加熱時間為1000秒，鍍膜室的玻璃基底的傳送速度為35毫米/秒，鍍膜時間150S，真空濺鍍膜的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5X KT1Pa 3.50X KT1Pa之間，其中，第I層MO鍍膜濺射功率3000W，第2層Al鍍膜濺射功率為14000W，第3層MO濺射功率為3000W ；然后測試得第一層MO膜的厚度為55納米，第二層Al膜的厚度為275納米，第三層MO膜的厚度為55納米，即測試得Mo-Al-Mo膜的厚度為385納米，且采用電阻儀測試得方阻為
0.2 Ω / □，且Mo-Al-Mo膜的表面無劃痕及贓物，則合格，然后在Mo-Al-Mo膜上采用黃光蝕刻線路形成Mo-Al-Mo電橋?qū)印?3)在Mo-Al-Mo電橋?qū)由贤扛残纬蒓C絕緣層。其中，OC絕緣層的厚度為2微米，然后采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥，并進行質(zhì)量檢查，若表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層、ITO驅(qū)動層、Mo-Al-Mo電橋?qū)蛹癘C絕緣層的玻璃基底上架裝片，準備下一步 鍍膜。 (4)采用WG真空磁控濺射鍍膜機在OC絕緣層上形成ITO感應(yīng)層。其中，真空濺鍍ITO膜的靶材為質(zhì)量百分比為90: 10的氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2)，純度為99.99%;氣氛為氧氣與氬氣。在真空濺鍍ITO膜過程中，第一室65°C、第二室85°C、第三室到第八室85°C，加熱時間為720S，鍍膜室中玻璃基板傳送速度為42.5毫米/秒，鍍膜時間120S，真空濺鍍的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5 X KT1Pa 3.50 X KT1Pa之間，ITO鍍膜濺射功率4350W ;然后，在濺射鍍完ITO膜后，采用膜厚儀測試ITO膜的厚度為22納米，采用分光計(550納米波長)測試ITO膜的透過率為89.1%，并檢查ITO膜的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格，在ITO膜上采用黃光蝕刻線路形成ITO感應(yīng)層，采用WG清洗機清洗，經(jīng)冷風(fēng)、熱風(fēng)進行干燥，然后進行質(zhì)量檢查，若ITO膜表面無贓物，且無劃痕，則合格，最后將合格的形成有SiO2阻擋層、ITO驅(qū)動層、Mo-Al-Mo電橋?qū)?、OC絕緣層及ITO感應(yīng)層的玻璃基底上架裝片，準備下一步鍍膜。(5)采用WG真空磁控濺射鍍膜機在ITO驅(qū)動層上形成SiO2保護層，其中，靶材為多晶硅，氣氛為氧氣與氬氣。在真空濺鍍膜過程中，第一室65°C、第二室85°C、第三室85°C、第四室到第八室85°C，加熱時間為900S，鍍膜室中玻璃基板的傳送速度為35毫米/秒，鍍膜時間150S,真空濺鍍的總氣壓為0.3Pa 0.35Pa，鍍膜室真空度2.5X 10
3.50X KT1Pa之間，SiO2濺射功率7750W ;采用膜厚儀測試形成的SiO2保護層的厚度為55納米，采用分光計(550納米波長)測試SiO2膜與ITO膜的透過率為90.6%，并檢查SiO2保護層的表面質(zhì)量，若表面無劃痕及贓物，則合格。以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求
1.一種電容式觸摸屏，其特征在于，包括: 玻璃基底； 阻擋層，層疊于所述玻璃基底上，所述阻擋層的材料為二氧化硅； 驅(qū)動層，層疊于所述阻擋層上，所述驅(qū)動層的材料為氧化銦錫； 電橋?qū)?，層疊于所述驅(qū)動層上，所述電橋?qū)影▽盈B于所述驅(qū)動層上的第一 Mo膜、層疊于所述第一 Mo膜上的Al膜及層疊于所述Al膜上的第二 Mo膜； 絕緣層，層疊于所述電橋?qū)由希鼋^緣層的材料為OC絕緣膠； 感應(yīng)層，層疊于所述絕緣層上，所述感應(yīng)層的材料為氧化銦錫；及 保護層，層疊于所述感應(yīng)層上，所述保護層的材料為二氧化硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述阻擋層的厚度為18納米 22納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述驅(qū)動層的厚度為18納米 22納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述電橋?qū)拥暮穸葹?15納米 385納米，其中所述第一 Mo膜的厚度為30納米 55納米；所述Al膜的厚度為255納米 275納米；所述第二 Mo膜的厚度為30納米 55納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏，其特征在于，所述絕緣層的厚度為I微米 2微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電 容式觸摸屏，其特征在于，所述感應(yīng)層的厚度為18納米 22納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏，其特征在于所述保護層的厚度為45納米 55納米。
8.一種電容式觸摸屏的制備工藝，其特征在于，包括如下步驟: 在玻璃基底上真空濺鍍第一二氧化硅膜形成阻擋層；在所述阻擋層上真空濺鍍第一氧化銦錫膜，并在所述第一氧化銦錫膜上蝕刻線路形成驅(qū)動層； 在所述驅(qū)動層上依次真空濺鍍第一 Mo膜、Al膜及第二 Mo膜，并在形成的Mo-Al-Mo膜上蝕刻線路，形成電橋?qū)樱? 在所述電橋?qū)由贤扛睴C絕緣膠形成絕緣層； 在所述絕緣層上真空濺鍍第二氧化銦錫膜，并在所述第二氧化銦錫膜上蝕刻線路形成感應(yīng)層；及在所述感應(yīng)層上真空濺鍍第二二氧化硅膜形成保護層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式觸摸屏的制備工藝，其特征在于，真空濺鍍所述第一二氧化硅膜及所述第一氧化銦錫膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為75°C 85°C，第二室的加熱溫度為115°C 125°C，第三室的加熱溫度為175°C 185°C，第四室的加熱溫度為235 °C 245 °C，第五室的加熱溫度為275 °C 285 °C，第六室的加熱溫度為.295 °C 305°C，第七室與第八室的加熱溫度均為31 5 °C 325 °C，總加熱時間為500秒 700秒，所述玻璃基板的傳送速度為40毫米/秒 60毫米/秒，真空度為2.5 X KT1Pa .3.50X 10 ,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;真空濺鍍所述第一二氧化硅膜的濺射功率為.4000W 5000W ;真空濺鍍所述第一氧化銦錫膜的濺射功率為2700W 3700W ； 真空濺鍍所述第一 Mo膜、Al膜及第二 Mo膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為.55°C 65 °C，第二室的加熱溫度為65 V 75°C，第三室的加熱溫度為75 °C 85°C，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加熱溫度均為75°C 85°C，總加熱時間為800秒 .1000秒，所述玻璃基板的傳送速度為25毫米/秒 35毫米/秒，真空度為2.0X KT1Pa .3.0X KT1Pa,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;所述第一 Mo膜的濺射功率為2000W 3000W ;所述Al膜的濺射功率為10000W 14000W ;所述第二 Mo膜的濺射功率為2000W 3000W ； 真空濺鍍所述第二氧化銦錫膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為55°C 65°C，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加熱溫度均為75°C 85°C，總加熱時間為620秒 820秒，所述玻璃基板的傳送速度為32.5毫米/秒 42.5毫米/秒，真空度為2.5 X KT1Pa 3.5 X KT1Pa,總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;真空濺鍍所述第二氧化銦錫膜的濺射功率為3350W 4350W ;及 真空濺鍍所述第二二氧化硅膜的工藝條件為:第一室的加熱溫度為55°C 65°C，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加熱溫度均為75°C 85°C，總加熱時間為800秒 1000秒，所述玻璃基板的傳送速度為25毫米/秒 35毫米/秒，真空度為2.5 X KT1Pa 3.5 X KT1Pa, 總氣壓為0.3Pa 0.35Pa ;真空濺鍍所述第二二氧化硅膜的濺射功率為6750W 7750W。
全文摘要
一種電容式觸摸屏，包括依次層疊的玻璃基底、阻擋層、驅(qū)動層、電橋?qū)印⒔^緣層、感應(yīng)層及保護層。上述電容式觸摸屏的感應(yīng)層及驅(qū)動層均位于玻璃基底的同一側(cè)，且采用絕緣層將電橋?qū)优c感應(yīng)層隔開，而實現(xiàn)電容式觸摸屏的功能，從而避免了電容式觸摸屏在生產(chǎn)清洗過程中被污染，提高了良品率，且結(jié)構(gòu)上比雙面結(jié)構(gòu)的電容式觸摸屏減少了一層，從而降低了生產(chǎn)成本。且上述電容式觸摸屏的制備工藝簡單，生產(chǎn)效率提高了20％，生產(chǎn)成本降低了10％以上。此外，還提供了一種電容式觸摸屏的制備工藝。
文檔編號G06F3/044GK103207712SQ201210011560
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月13日
發(fā)明者易偉華, 張芙嘉, 楊會良, 劉文高 申請人:江西沃格光電科技有限公司