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第一類非線性m子序列發(fā)生器的制作方法

文檔序號:6349547閱讀:289來源:國知局
專利名稱:第一類非線性m子序列發(fā)生器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及可用于信息加密、擴(kuò)頻通信、跳頻通信、雷達(dá)、測試、測距、導(dǎo)航、聲納等領(lǐng)域的一類偽隨機(jī)序列發(fā)生器,具體涉及第一類非線性m子序列發(fā)生器。
背景技術(shù)
m序列是最大長度線性移位反饋寄存器(Maximum-length binary linear feedback shift register, MLFSR)生成的偽隨機(jī)序列,它的周期特性、平衡特性、游程特性、自相關(guān)特性都很好,在信息安全、通信、雷達(dá)、測試、導(dǎo)航等許多重要領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。 但是,它的序列數(shù)目有限,難以滿足通信系統(tǒng)需要的海量地址碼;它的線性復(fù)雜度低,在信息加密中難以抵抗敵方的攻擊。在實(shí)際應(yīng)用中,為了獲得周期長、復(fù)雜度高的偽隨機(jī)序列, 往往需要將若干個(gè)多級反饋移位寄存器產(chǎn)生的m序列進(jìn)行平移、截短、求模2加等運(yùn)算。這種生成方法改善了序列的某些特性,但同時(shí)也丟失了一些好的特性,并且增加了偽隨機(jī)序列生成的復(fù)雜性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中m序列數(shù)目不足和線性復(fù)雜度不高的缺陷,提供一種偽隨機(jī)序列發(fā)生器——第一類非線性m子序列發(fā)生器。本發(fā)明的第一類非線性 m子序列發(fā)生器所產(chǎn)生的偽隨機(jī)序列,其周期長度、平衡特性、游程特性都與m序列相相同, 自相關(guān)特性具有δ (t)函數(shù)特征,同時(shí)還具有m序列所不及的線性復(fù)雜度和互相關(guān)特性,其數(shù)目與m序列相同。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明涉及第一類非線性m子序列發(fā)生器,包括移位寄存器單元和反饋邏輯單元;所述移位寄存器單元的輸入端與反饋邏輯單元的輸出端連接,所述移位寄存器單元的輸出端是其最低位的狀態(tài)輸出端,與反饋邏輯單元的一個(gè)輸入端連接。優(yōu)選的,所述反饋邏輯單元包括線性反饋邏輯單元、非線性反饋邏輯單元和合成單元;所述線性、非線性反饋邏輯單元的輸入端分別與所述移位寄存器單元中相應(yīng)位的狀態(tài)輸出端連接,所述線性、非線性反饋邏輯單元的輸出端分別與合成單元的輸入端連接,所述合成單元的輸出端與所述移位寄存器單元的輸入端連接。優(yōu)選的,所述線性反饋邏輯單元為MLFSR反饋邏輯單元,其電路結(jié)構(gòu)由m序列反饋函數(shù)決定。優(yōu)選的,所述非線性反饋邏輯單元電路結(jié)構(gòu)由非線性函數(shù)y(x)決定,所述的非線性函數(shù)y(x)包括y。(x)和ye(x)。當(dāng)移位寄存器的位數(shù)η為奇數(shù)時(shí),非線性函數(shù)為y。(χ), 當(dāng)移位寄存器的位數(shù)η為偶數(shù)時(shí),非線性函數(shù)為le(χ),其函數(shù)式如下
ο (X)= Xn- 1Χη- 2Χη- 3Χη- 4 .-.Χ2Χ1Χ0 +Χη- 2Χη- 3Χη- 4 .'·Χ2Χ1Χ0
權(quán)利要求
1.第一類非線性m子序列發(fā)生器,其特征在于,包括移位寄存器單元和反饋邏輯單元; 所述移位寄存器單元的輸入端與反饋邏輯單元的輸出端連接,所述移位寄存器單元的輸出端是其最低位的狀態(tài)輸出端,與反饋邏輯單元的一個(gè)輸入端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第一類非線性m子序列發(fā)生器,其特征在于,所述反饋邏輯單元包括線性反饋邏輯單元、非線性反饋邏輯單元和合成單元;所述線性、非線性反饋邏輯單元的輸入端分別與所述移位寄存器單元中相應(yīng)位的的狀態(tài)輸出端連接,所述線性、非線性反饋邏輯單元的輸出端分別與合成單元的輸入端連接,所述合成單元的輸出端與所述移位寄存器單元的輸入端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的第一類非線性m子序列發(fā)生器,其特征在于,所述線性反饋邏輯單元為MLFSR反饋邏輯單元,其電路結(jié)構(gòu)由m序列反饋函數(shù)決定。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的第一類非線性m子序列發(fā)生器,其特征在于,所述非線性反饋邏輯單元電路結(jié)構(gòu)由非線性函數(shù)y(x)決定,所述的非線性函數(shù)y(x)包括y。(x)和ye(x)。
全文摘要
本發(fā)明公開了第一類非線性m子序列發(fā)生器,包括移位寄存器單元和反饋邏輯單元;移位寄存器單元的輸入端與反饋邏輯單元的輸出端連接,移位寄存器單元的輸出端是其最低位的狀態(tài)輸出端,與反饋邏輯單元的一個(gè)輸入端連接。反饋邏輯單元包括線性反饋邏輯單元、非線性反饋邏輯單元和合成單元;線性、非線性反饋邏輯單元的輸入端分別與移位寄存器單元中相應(yīng)位的狀態(tài)輸出端連接,線性、非線性反饋邏輯單元輸出端分別與合成單元的輸入端連接;合成單元的輸出端與移位寄存器單元輸入端連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的第一類非線性m子序列發(fā)生器所產(chǎn)生的偽隨機(jī)序列,其周期長度、平衡特性、游程特性都與m序列相同,自相關(guān)特性具有δ(t)函數(shù)特征,同時(shí)還具有m序列所不及的線性復(fù)雜度和互相關(guān)特性,其序列數(shù)目與m序列相同。
文檔編號G06F7/58GK102495717SQ201110379109
公開日2012年6月13日 申請日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月24日
發(fā)明者呂虹, 張愛雪, 方俊初, 朱達(dá)榮, 解建俠 申請人:呂虹, 安徽建筑工業(yè)學(xué)院
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