專利名稱：制作觸控面板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種制作觸控面板的方法，尤指一種利用網(wǎng)印制造工藝形成觸控面板的感測墊圖案層、圖案化絕緣層與橋接線圖案層的方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)今各式消費性電子產(chǎn)品的市場中，行動電話(mobile phone)、衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng) (GPS)與數(shù)字影音播放器等可攜式電子產(chǎn)品已廣泛的使用觸控面板(touch panel)作為人機(jī)數(shù)據(jù)溝通接口。由于目前消費性電子產(chǎn)品的設(shè)計講求輕薄短小，在產(chǎn)品設(shè)計上希望能節(jié)省占空間的按鍵與鼠標(biāo)等傳統(tǒng)輸入裝置，故采用觸控方式輸入，因此觸控面板已成為關(guān)鍵的零組件之一。以觸控原理來作區(qū)分，現(xiàn)行觸控面板主要可區(qū)分為電阻/接觸式觸控面板 (resistance/contact touch panel)與電容式角蟲控面板(capacitive touch panel)兩禾中類型，而其中電容式觸控面板為目前市場上的主流產(chǎn)品。現(xiàn)有的電容式觸控面板的感測墊、 絕緣層與橋接線等膜層以黃光微影方式加以形成，因此使得制作成本昂貴而影響了電容式觸控面板的普及度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種制作觸控面板的方法，以節(jié)省觸控面板的制作成本。本發(fā)明的一較佳實施例提供一種制作觸控面板的方法，包括下列步驟。提供一底材，所述的底材包括一感測區(qū)；于所述的底材的所述的感測區(qū)內(nèi)形成一第一透明導(dǎo)電層；進(jìn)行所述的第一網(wǎng)印制造工藝，于所述的第一透明導(dǎo)電層上形成所述的第一犧牲圖案層，并利用所述的第一犧牲圖案層圖案化所述的第一透明導(dǎo)電層，以形成所述的橋接線圖案層，所述的橋接線圖案層包括復(fù)數(shù)個橋接線；進(jìn)行一第一回火制造工藝，對所述的橋接線圖案層進(jìn)行回火；進(jìn)行一第二網(wǎng)印制造工藝，于所述的底材的所述的感測區(qū)內(nèi)形成一圖案化絕緣層，所述的圖案化絕緣層包括復(fù)數(shù)個島狀絕緣結(jié)構(gòu)，且各所述的橋接線分別對應(yīng)各所述的島狀絕緣結(jié)構(gòu)；于所述的底材的所述的感測區(qū)內(nèi)形成一第二透明導(dǎo)電層；以及進(jìn)行所述的第三網(wǎng)印制造工藝，于所述的第二透明導(dǎo)電層上形成所述的第二犧牲圖案層，并利用所述的第二犧牲圖案層圖案化所述的第二透明導(dǎo)電層，以形成所述的感測
墊圖案層。
由于本發(fā)明制作觸控面板的方法利用網(wǎng)印制造工藝形成用以定義感測墊圖案層與橋接線圖案層的犧牲圖案層，因此相較于現(xiàn)有使用黃光微影制造工藝的方法，本發(fā)明制作觸控面板的方法可大幅節(jié)省成本。


圖1至圖9繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的制作觸控面板的方法的示意圖。圖10至圖13繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的圖案化第一透明導(dǎo)電層與圖案化第二透明導(dǎo)電層的步驟的另一實施樣態(tài)。圖14至圖20繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的制作觸控面板的方法的示意圖。圖21與圖22繪示了本發(fā)明制作觸控面板的方法的另兩較佳實施例的示意圖。附圖標(biāo)號
10底材IOS感測區(qū)
IOP周邊區(qū)12第一透明導(dǎo)電層
14第一犧牲圖案層16感測墊圖案層
161第一感測墊162第二感測墊
163連接線18圖案化絕緣層
181島狀絕緣結(jié)構(gòu)20第二透明導(dǎo)電層
22第二犧牲圖案層24橋接線圖案層
241橋接線26連接導(dǎo)線
27保護(hù)層28第一犧牲圖案層
30第二犧牲圖案層50底材
50S感測區(qū)50P周邊區(qū)
52第二透明導(dǎo)電層54第二犧牲圖案層
56橋接線圖案層561橋接線
58圖案化絕緣層581島狀絕緣結(jié)構(gòu)
60第一透明導(dǎo)電層62第一犧牲圖案層
64感測墊圖案層641第一感測墊
642第二感測墊643連接線
66連接導(dǎo)線67保護(hù)層
80顯示面板
具體實施例方式為使熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。另外，在下文中，”第一”、”第二”、”第三”與”第四”等用語是用以區(qū)分不同的元件或制造工藝，并不表示對其順序的限制。請參考圖1至圖9。圖1至圖9繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的制作觸控面板的方法的示意圖，其中為清楚顯示本發(fā)明的特征，圖3與圖8為上視示意圖，圖1、圖2、圖4 至圖7以及圖9是沿圖3的剖線A-A’方向繪示的剖面示意圖。如圖1所示，首先提供一底材10，且底材10至少包括一感測區(qū)IOS用以設(shè)置感測元件，以及一周邊區(qū)IOP用以設(shè)置連接導(dǎo)線。接著，于底材10的感測區(qū)IOS內(nèi)形成一第一透明導(dǎo)電層12。第一透明導(dǎo)電層12可為各式透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，并利用各式薄膜技術(shù)例如物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積加以形成。舉例而言，在本實施例中，第一透明導(dǎo)電層12是選用非晶氧化銦錫(amorphous ΙΤ0)， 并利用濺鍍方式形成，但不以此為限。如圖2所示，隨后進(jìn)行一第一網(wǎng)印制造工藝，于第一透明導(dǎo)電層12上形成一第一犧牲圖案層14，并利用第一犧牲圖案層14圖案化第一透明導(dǎo)電層12，以形成一感測墊圖案層16。在本實施例中，第一犧牲圖案層14包括一圖案化蝕刻阻障層(etching resistance)，因此圖案化第一透明導(dǎo)電層12的步驟包括利用圖案化蝕刻阻障層作為蝕刻屏蔽進(jìn)行一第一蝕刻制造工藝，以去除未被圖案化蝕刻阻障層覆蓋的第一透明導(dǎo)電層12 而形成感測墊圖案層16。第一蝕刻制造工藝可為例如使用草酸作為蝕刻液的濕式蝕刻制造工藝，但不以此為限，而可視第一透明導(dǎo)電層12的材料選擇不同而選用其它蝕刻溶液，或使用干式蝕刻制造工藝。此外，為了避免感測墊圖案層16于后續(xù)的蝕刻制造工藝中受損， 于形成感測墊圖案層16后，可選擇性地進(jìn)行一改質(zhì)制造工藝，例如一第一回火制造工藝， 以改變感測墊圖案層16的型態(tài)。舉例而言，本實施例的感測墊圖案層16的材料原本為非晶氧化銦錫，而透過第一回火制造工藝可將感測墊圖案層16的材料改質(zhì)為多晶氧化銦錫 (poly ΙΤ0)。如圖3與圖4所示，接著移除第一犧牲圖案層14，以曝露出感測墊圖案層16。感測墊圖案層16包括復(fù)數(shù)個感測墊，例如復(fù)數(shù)個第一感測墊161與復(fù)數(shù)個第二感測墊162，以及復(fù)數(shù)個連接線163，其中第一感測墊161沿一第一方向(例如圖3的垂直方向)排列，且位于同一行的兩相鄰第一感測墊161通過連接線163而彼此連接，而第二感測墊162沿一第二方向(例如圖3的水平方向)排列，且位于同一列的第二感測墊162彼此未連接。此外，在本實施例中，相鄰的兩感測墊，例如相鄰的第一感測墊161與第二感測墊162具有一間隙G，且間隙G大體上介于30微米與500微米之間，但不以此為限。如圖5所示，隨后進(jìn)行一第二網(wǎng)印制造工藝，以于底材10的感測區(qū)IOS內(nèi)形成一圖案化絕緣層18，其中圖案化絕緣層18包括復(fù)數(shù)個島狀絕緣結(jié)構(gòu)(insulating island) 181，大體上分別對應(yīng)于位于同一列的兩相鄰第二感測墊162之間的位置，并且包覆對應(yīng)的連接線163。如圖6所示，接著于底材10的感測區(qū)IOS內(nèi)形成一第二透明導(dǎo)電層20。第二透明導(dǎo)電層20可為各式透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，并利用各式薄膜技術(shù)例如物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積加以形成。舉例而言，在本實施例中，第一透明導(dǎo)電層12是選用非晶氧化銦錫，并利用濺鍍方式形成，但不以此為限。如圖7所示，隨后進(jìn)行一第三網(wǎng)印制造工藝，于第二透明導(dǎo)電層20上形成一第二犧牲圖案層22，并利用第二犧牲圖案層22圖案化第二透明導(dǎo)電層20，以形成一橋接線圖案層對。在本實施例中，第二犧牲圖案層22包括一圖案化蝕刻阻障層，因此圖案化第二透明導(dǎo)電層20的步驟包括利用圖案化蝕刻阻障層作為蝕刻屏蔽進(jìn)行一第二蝕刻制造工藝， 以去除未被圖案化蝕刻阻障層覆蓋的第二透明導(dǎo)電層20而形成橋接線圖案層M。值得說明的是，由于本實施例的感測墊圖案層16在經(jīng)歷了第一回火制造工藝后，其材料已轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑а趸熷a，因此第二蝕刻制造工藝僅會針對由非晶氧化銦錫構(gòu)成的第二透明導(dǎo)電層20進(jìn)行蝕刻，而不會對由多晶氧化銦錫構(gòu)成的第一透明導(dǎo)電層16進(jìn)行蝕刻，故可有效避免第一透明導(dǎo)電層16于第二蝕刻制造工藝的過程中受到損傷。如圖8與圖9所示，接著移除第二犧牲圖案層22，以曝露出橋接線圖案層M，其中橋接線圖案層M包括復(fù)數(shù)個橋接線M1，分別對應(yīng)各島狀絕緣結(jié)構(gòu)181并突出于島狀絕緣結(jié)構(gòu)181而與兩相鄰第二感測墊162接觸，藉此兩相鄰第二感測墊162可經(jīng)由橋接線241 電性連接。在本實施例中，各橋接線Ml的線寬大體上介于50微米與500微米之間，但不以此為限。另外，各島狀絕緣結(jié)構(gòu)181的側(cè)邊與相對應(yīng)的橋接線241的對應(yīng)的側(cè)邊的距離D 大體上介于50微米與500微米之間，但不以此為限。此外，于形成橋接線圖案層M之后， 可選擇性地進(jìn)行一第二回火制造工藝，以改變橋接線圖案層M的型態(tài)，例如將橋接線圖案層M的材料由非晶氧化銦錫改質(zhì)為多晶氧化銦錫。隨后，進(jìn)行一第四網(wǎng)印制造工藝，以于底材10的周邊區(qū)IOP內(nèi)形成復(fù)數(shù)條與感測墊圖案層16電性連接的連接導(dǎo)線沈，藉此將感測墊圖案層16所感測到的輸入信號傳遞至感測電路(圖未示)。在本實施例中，連接導(dǎo)線 26可為例如銀導(dǎo)線，且連接導(dǎo)線沈的線寬大體上介于10微米與300微米之間，而厚度大體上介于1微米與10微米之間，但不以此為限。連接導(dǎo)線沈亦可為其它導(dǎo)電材質(zhì)構(gòu)成的單層或復(fù)合層導(dǎo)線，且其寬度與厚度亦可作適度調(diào)整。之后，于底材10上形成一保護(hù)層27 (圖 7未示)。在本發(fā)明制作觸控面板的方法中，圖案化第一透明導(dǎo)電層12與圖案化第二透明導(dǎo)電層20的步驟并不限定于使用圖案化蝕刻阻障層，而可有其它實施樣態(tài)。請參考圖10至圖13，并請一并參考圖1至圖9。圖10至圖13繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的圖案化第一透明導(dǎo)電層與圖案化第二透明導(dǎo)電層的步驟的另一實施樣態(tài)。圖案化第一透明導(dǎo)電層的制造工藝可依下列步驟進(jìn)行。如圖10所示，于形成第一透明導(dǎo)電層12之后，進(jìn)行第一網(wǎng)印制造工藝，于第一透明導(dǎo)電層12上形成一第一犧牲圖案層觀。不同于圖2的第一犧牲圖案層14，本實施樣態(tài)的第一犧牲圖案層觀是選用一圖案化蝕刻漿料層(etching paste)。 如圖11所示，接著利用圖案化蝕刻漿料層蝕刻位于圖案化蝕刻漿料層下方的第一透明導(dǎo)電層12，以定義出第一感測墊161、第二感測墊162與連接線163。隨后再去除第一犧牲圖案層觀。另外，圖案化第二透明導(dǎo)電層的制造工藝可依下列步驟進(jìn)行。如圖12所示，于形成第二透明導(dǎo)電層20之后，進(jìn)行第三網(wǎng)印制造工藝，于第二透明導(dǎo)電層20上形成一第二犧牲圖案層30。不同于圖7的第二犧牲圖案層22，本實施樣態(tài)的第二犧牲圖案層30是選用圖案化蝕刻漿料層。如圖13所示，接著利用圖案化蝕刻漿料層蝕刻位于圖案化蝕刻漿料層下方的第二透明導(dǎo)電層20，以定義出橋接線圖案層M。隨后再去除第二犧牲圖案層30。請參考圖14至圖20。圖14至圖20繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的制作觸控面板的方法的示意圖。為了簡化說明，對于第二實施例與第一實施例的相同部分不再作重復(fù)贅述，且為清楚顯示本發(fā)明的特征，圖15與圖19為上視示意圖，圖14、圖16至圖18，以及圖20是沿圖15的剖線B-B’方向繪示的剖面示意圖。如圖14所示，首先提供一底材50，且底材50至少包括一感測區(qū)50S用以設(shè)置感測元件，以及一周邊區(qū)50P用以設(shè)置連接導(dǎo)線。 接著，于底材50的感測區(qū)50S內(nèi)形成一第二透明導(dǎo)電層52。隨后，進(jìn)行一第三網(wǎng)印制造工藝，于第二透明導(dǎo)電層52上形成一第二犧牲圖案層54，并利用第二犧牲圖案層M圖案化第二透明導(dǎo)電層52，以形成一橋接線圖案層56。在本實施例中，第二犧牲圖案層M是選用圖案化蝕刻阻障層，并利用圖案化蝕刻阻障層作為蝕刻屏蔽進(jìn)行一第二蝕刻制造工藝，以去除未被圖案化蝕刻阻障層覆蓋的第二透明導(dǎo)電層52而形成橋接線圖案層56。然而第二犧牲圖案層M不限于選用圖案化蝕刻阻障層，亦可選用圖案化蝕刻漿料層。如圖15與圖16所示，接著移除第二犧牲圖案層54，以曝露出橋接線圖案層56，其中橋接線圖案層56包括復(fù)數(shù)個橋接線561。另外，于形成橋接線圖案層56之后，可選擇性地進(jìn)行一第二回火制造工藝。隨后，進(jìn)行一第二網(wǎng)印制造工藝，以于底材50的感測區(qū)50S 內(nèi)形成一圖案化絕緣層58，其中圖案化絕緣層58包括復(fù)數(shù)個島狀絕緣結(jié)構(gòu)581，大體上分別對應(yīng)各橋接線561，且島狀絕緣結(jié)構(gòu)581的長度小于橋接線561的長度，因此橋接線561 的兩端會曝露于島狀絕緣結(jié)構(gòu)581之外。如圖17所示，接著于底材50的感測區(qū)50S內(nèi)形成一第一透明導(dǎo)電層60。如圖18 所示，隨后進(jìn)行一第一網(wǎng)印制造工藝，于第一透明導(dǎo)電層60上形成一第一犧牲圖案層62， 并利用第一犧牲圖案層62圖案化第一透明導(dǎo)電層60。在本實施例中，第一犧牲圖案層62 是選用圖案化蝕刻阻障層，并利用圖案化蝕刻阻障層作為蝕刻屏蔽進(jìn)行一第一蝕刻制造工藝，以去除未被圖案化蝕刻阻障層覆蓋的第一透明導(dǎo)電層60而形成感測墊圖案層64。第一犧牲圖案層62不限于選用圖案化蝕刻阻障層，亦可選用圖案化蝕刻漿料層。如圖19與圖20所示，接著移除第一犧牲圖案層62，以曝露出一感測墊圖案層64。 感測墊圖案層64包括復(fù)數(shù)個感測墊，例如復(fù)數(shù)個第一感測墊641與復(fù)數(shù)個第二感測墊642， 以及復(fù)數(shù)個連接線643，其中第一感測墊641是沿一第一方向(例如圖19的垂直方向)排列，且位于同一行的兩相鄰第一感測墊641通過連接線643而彼此連接，而第二感測墊642 是沿一第二方向(例如圖19的水平方向)排列，且位于同一列的兩相鄰第二感測墊642通過相對應(yīng)的橋接線561而彼此連接。橋接線561被感測墊圖案層64所完全包覆，藉此可避免橋接線561在蝕刻感測墊圖案層64時被蝕刻到。此外，于形成感測墊圖案層64之后，可選擇性地進(jìn)行一第一回火制造工藝。隨后，進(jìn)行一第四網(wǎng)印制造工藝，以于底材50的周邊區(qū)50P內(nèi)形成復(fù)數(shù)條與感測墊圖案層64電性連接的連接導(dǎo)線66。之后，于底材50上形成一保護(hù)層67(圖17未示)。本發(fā)明制作觸控面板的方法所使用的底材可為各式軟質(zhì)基板，或硬質(zhì)基板例如玻璃基板、塑料基板或石英基板等。另外，本發(fā)明制作觸控面板的方法亦可與顯示面板整合以制作出觸控顯示面板。請參考圖21與圖22。圖21與圖22繪示了本發(fā)明制作觸控面板的方法的另兩較佳實施例的示意圖。如圖21所示，觸控面板的底材50可為一輔助基板，并于觸控面板制作完成后貼附至一顯示面板80 (例如一液晶顯示面板)上。在另一實施例中， 如第22圖所示，觸控面板可與顯示面板80共享同一底材(基板)，亦即觸控面板的底材50 即為顯示面板80的基板，例如一彩色濾光玻璃基板。于觸控面板制作完成后，再將玻璃基板與其它元件組裝成一觸控顯示面板。綜上所述，本發(fā)明制作觸控面板的方法利用網(wǎng)印制造工藝形成用以定義感測墊圖案層與橋接線圖案層的犧牲圖案層，因此相較于現(xiàn)有使用黃光微影制造工藝的方法，本發(fā)明制作觸控面板的方法可大幅節(jié)省成本。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種制作觸控面板的方法，其特征在于，所述的方法包括提供一底材，所述的底材包括一感測區(qū)；于所述的底材的所述的感測區(qū)內(nèi)形成一第一透明導(dǎo)電層；進(jìn)行所述的第一網(wǎng)印制造工藝，于所述的第一透明導(dǎo)電層上形成所述的第一犧牲圖案層，并利用所述的第一犧牲圖案層圖案化所述的第一透明導(dǎo)電層，以形成所述的橋接線圖案層，所述的橋接線圖案層包括復(fù)數(shù)個橋接線；進(jìn)行一第一回火制造工藝，對所述的橋接線圖案層進(jìn)行回火；進(jìn)行一第二網(wǎng)印制造工藝，于所述的底材的所述的感測區(qū)內(nèi)形成一圖案化絕緣層，所述的圖案化絕緣層包括復(fù)數(shù)個島狀絕緣結(jié)構(gòu)，且各所述的橋接線分別對應(yīng)各所述的島狀絕緣結(jié)構(gòu)；于所述的底材的所述的感測區(qū)內(nèi)形成一第二透明導(dǎo)電層；以及進(jìn)行所述的第三網(wǎng)印制造工藝，于所述的第二透明導(dǎo)電層上形成所述的第二犧牲圖案層，并利用所述的第二犧牲圖案層圖案化所述的第二透明導(dǎo)電層，以形成所述的感測墊圖案層。
2.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中所述的第一犧牲圖案層包括一圖案化蝕刻阻障層，且圖案化所述的第一透明導(dǎo)電層的步驟包括進(jìn)行一第一蝕刻制造工藝，去除未被所述的圖案化蝕刻阻障層覆蓋的所述的第一透明導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中所述的第一犧牲圖案層包括一圖案化蝕刻漿料層，且圖案化所述的第一透明導(dǎo)電層的步驟包括利用所述的圖案化蝕刻漿料層去除位于所述的圖案化蝕刻漿料層下方的所述的第一透明導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中所述的第二犧牲圖案層包括一圖案化蝕刻阻障層，且圖案化所述的第二透明導(dǎo)電層的步驟包括進(jìn)行一第二蝕刻制造工藝，去除未被所述的圖案化蝕刻阻障層覆蓋的所述的第二透明導(dǎo)電層。
5.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中所述的第二犧牲圖案層包括一圖案化蝕刻漿料層，且圖案化所述的第二透明導(dǎo)電層的步驟包括利用所述的圖案化蝕刻漿料層去除位于所述的圖案化蝕刻漿料層下方的所述的第二透明導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中感測墊圖案層包括復(fù)數(shù)個第一感測墊、復(fù)數(shù)個第二感測墊以及復(fù)數(shù)個連接線。
7.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中感測墊圖案層的材質(zhì)包括多晶氧化銦錫。
8.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，所述的方法另包括于形成所述的橋接線圖案層之后，進(jìn)行一第二回火制造工藝。
9.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中所述的感測墊圖案層包括復(fù)數(shù)個感測墊，相鄰的兩感測墊具有一間隙，且所述的間隙大體上介于30微米與500 微米之間。
10.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中各所述的橋接線的一線寬大體上介于50微米與500微米之間。
11.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中各所述的島狀絕緣結(jié)構(gòu)具有一側(cè)邊，且各所述的橋接線具有一側(cè)邊，且各所述的島狀絕緣結(jié)構(gòu)的所述的側(cè)邊與相對應(yīng)的所述的橋接線的對應(yīng)的所述的側(cè)邊的一距離大體上介于50微米與500微米之間。
12.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中所述的底材另包括一周邊區(qū)，且所述的方法另包括進(jìn)行一第四網(wǎng)印制造工藝，以于所述的底材的所述的周邊區(qū)內(nèi)形成復(fù)數(shù)條與所述的感測墊圖案層電性連接的連接導(dǎo)線。
13.如權(quán)利要求12所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中各所述的連接導(dǎo)線的一線寬大體上介于10微米與300微米之間，且各所述的連接導(dǎo)線的一厚度大體上介于1 微米與10微米之間。
14.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中所述的底材包括一輔助基板。
15.如權(quán)利要求14所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，所述的方法另包括將所述的輔助基板貼附至一顯示面板上。
16.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中所述的底材包括一顯示面板。
17.如權(quán)利要求1所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，其中所述的底材包括一玻璃基板。
18.如權(quán)利要求17所述的制作觸控面板的方法，其特征在于，所述的方法另包括將所述的玻璃基板組裝成一觸控顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種制作觸控面板的方法，包括下列步驟。提供一底材。于底材上形成第一透明導(dǎo)電層，且進(jìn)行第一網(wǎng)印制造工藝，于第一透明導(dǎo)電層上形成第一犧牲圖案層，并利用第一犧牲圖案層圖案化第一透明導(dǎo)電層以形成一感測墊圖案層。進(jìn)行第二網(wǎng)印制造工藝，于底材上形成圖案化絕緣層。于底材上形成第二透明導(dǎo)電層，且進(jìn)行第三網(wǎng)印制造工藝，于第二透明導(dǎo)電層上形成第二犧牲圖案層，并利用第二犧牲圖案層圖案化第二透明導(dǎo)電層，以形成橋接線圖案層。
文檔編號G06F3/041GK102566811SQ20111029413
公開日2012年7月11日 申請日期2009年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月28日
發(fā)明者呂英齊, 周詩博, 李錫烈, 黃淑惠 申請人:友達(dá)光電股份有限公司