專(zhuān)利名稱(chēng)：一種閃存錯(cuò)誤預(yù)估模塊及其預(yù)估方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，具體涉及到一種閃存糾錯(cuò)過(guò)程的預(yù)估技術(shù)。
背景技術(shù)：
閃存器件中的存儲(chǔ)單元通過(guò)向浮柵中注入電子的方式來(lái)記錄邏輯信息，同時(shí)存儲(chǔ)單元還通過(guò)讀取閥值電壓來(lái)判斷浮柵中保存的邏輯。當(dāng)閃存器件經(jīng)過(guò)多次地擦寫(xiě)之后，其器件特性衰退，導(dǎo)致閃存的編程時(shí)間縮短，而擦除時(shí)間延長(zhǎng)。閃存器件在操作的過(guò)程中，還伴隨著各種寄生效應(yīng)，從而導(dǎo)致閃存器件保存的數(shù)據(jù)發(fā)生錯(cuò)誤。其中，最主要的錯(cuò)誤原因?yàn)榫幊虜_動(dòng)、讀擾動(dòng)、通過(guò)擾動(dòng)以及浮柵耦合效應(yīng)。 當(dāng)閃存器件進(jìn)行編程操作時(shí)，閃存控制器將抬高字線(Word line)上的電壓，這將導(dǎo)致字線上相鄰的存儲(chǔ)單元產(chǎn)生意外寫(xiě)動(dòng)作，即編程擾動(dòng)。而在位線(Bit line)方向上，同一位線上的存儲(chǔ)單元需要加上較高的通過(guò)電壓，使閃存存儲(chǔ)單元導(dǎo)通。反復(fù)的寫(xiě)操作會(huì)導(dǎo)致位線上的單元發(fā)生意外的寫(xiě)動(dòng)作，即通過(guò)擾動(dòng)。當(dāng)閃存器件進(jìn)行多次讀操作時(shí)，閃存陣列將會(huì)反復(fù)導(dǎo)通，在閃存存儲(chǔ)單元的溝道上會(huì)累積電子。若累積的電子達(dá)到閃存存儲(chǔ)單元的寫(xiě)閾值時(shí)，會(huì)使閃存的存儲(chǔ)單元發(fā)生意外寫(xiě)操作。這里，擾動(dòng)會(huì)影響固態(tài)硬盤(pán)保存的數(shù)據(jù)正確性， 嚴(yán)重的擾動(dòng)還會(huì)降低閃存器件的使用壽命。除此以外，浮柵耦合效應(yīng)也會(huì)帶來(lái)嚴(yán)重的錯(cuò)誤。 當(dāng)閃存工藝不斷進(jìn)步時(shí)，器件的密度不斷增加，從而導(dǎo)致單一存儲(chǔ)單元的浮柵閥值電壓的變化對(duì)其臨近單元的電壓產(chǎn)生影響，造成意外的電平移動(dòng)，產(chǎn)生錯(cuò)誤。閃存陣列中某一存儲(chǔ)單元的浮柵電壓變化會(huì)對(duì)周?chē)鎯?chǔ)單元的浮柵造成擾動(dòng)，從而導(dǎo)致周?chē)鎯?chǔ)單元中保存的數(shù)據(jù)發(fā)生意外翻轉(zhuǎn)。閃存器件中所存在的各種擾動(dòng)和耦合效應(yīng)嚴(yán)重干擾了閃存中所保存的數(shù)據(jù)，在實(shí)際使用的過(guò)程中需要糾錯(cuò)算法對(duì)閃存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)。然而，閃存控制器在利用諸如低密度校驗(yàn)編碼等先進(jìn)校驗(yàn)編碼技術(shù)展開(kāi)糾錯(cuò)之前，必須要對(duì)信道中的錯(cuò)誤進(jìn)行合理預(yù)估。因而，閃存控制器需要對(duì)閃存的錯(cuò)誤預(yù)估技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種閃存錯(cuò)誤預(yù)估模塊及其預(yù)估方法，為閃存的糾錯(cuò)算法提供可靠的計(jì)算依據(jù)，提高系統(tǒng)的糾錯(cuò)性能。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明首先提出了一種閃存錯(cuò)誤預(yù)估模塊，其特征在于，所述預(yù)估模塊主要由計(jì)時(shí)器、量化索引表、存儲(chǔ)頁(yè)表以及錯(cuò)誤索引表構(gòu)成，
所述計(jì)時(shí)器用于記錄閃存的編程時(shí)間或擦除時(shí)間，計(jì)時(shí)器收集的編程時(shí)間或擦除時(shí)間作為量化索引的輸入；
所述量化索引表用于記錄編程等級(jí)與編程時(shí)間之間的映射關(guān)系，擦除等級(jí)與擦除時(shí)間之間的映射關(guān)系；擦除等級(jí)代表該物理地址所對(duì)應(yīng)的閃存塊的壽命狀態(tài)，編程等級(jí)代表所述閃存塊內(nèi)部頁(yè)的壽命狀態(tài)；
所述存儲(chǔ)頁(yè)表包括若干個(gè)連續(xù)存儲(chǔ)單元，每個(gè)連續(xù)存儲(chǔ)單元用于記錄一個(gè)閃存塊的擦除等級(jí)、編程等級(jí)，其中，該閃存塊的擦除等級(jí)保存在所述連續(xù)存儲(chǔ)單元的開(kāi)頭，該閃存塊內(nèi)各個(gè)頁(yè)的編程等級(jí)依次存放在所述連續(xù)存儲(chǔ)單元內(nèi)；
所述錯(cuò)誤索引表包含塊錯(cuò)誤索引表和頁(yè)錯(cuò)誤索引表兩個(gè)部分，塊錯(cuò)誤索引表記錄擦除等級(jí)以及對(duì)應(yīng)的塊錯(cuò)誤率的映射關(guān)系，頁(yè)錯(cuò)誤索引表記錄編程等級(jí)以及對(duì)應(yīng)的頁(yè)錯(cuò)誤率的映射關(guān)系；
所述閃存錯(cuò)誤預(yù)估模塊接收閃存控制器發(fā)來(lái)的計(jì)時(shí)信息、使能信號(hào)或閃存芯片發(fā)出的 R/B信號(hào)作為輸入，輸出錯(cuò)誤預(yù)估值到錯(cuò)誤校驗(yàn)?zāi)K?；谏鲜鲩W存錯(cuò)誤預(yù)估模塊，本發(fā)明還提出了該閃存錯(cuò)誤預(yù)估模塊的閃存錯(cuò)誤預(yù)估方法，其特征在于，包括以下具體步驟
對(duì)閃存器件進(jìn)行擦除和編程操作的壓力實(shí)驗(yàn)，記錄擦除和編程的時(shí)間變化以及閃存器件的錯(cuò)誤的經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)；并建立所述量化索引表、錯(cuò)誤索引表，作為預(yù)估模塊進(jìn)行錯(cuò)誤預(yù)估的先驗(yàn)參照表；
所述預(yù)估模塊的計(jì)時(shí)器采集當(dāng)前閃存操作塊的擦除時(shí)間；在閃存進(jìn)行編程時(shí)，采集當(dāng)前閃存操作頁(yè)的編程時(shí)間；
通過(guò)查詢(xún)所述量化索引表，預(yù)估模塊將擦除時(shí)間量化為擦除等級(jí)，將編程時(shí)間量化為編程等級(jí)，
將當(dāng)前擦除等級(jí)、編程等級(jí)以及二者對(duì)應(yīng)的物理地址，保存在所述存儲(chǔ)頁(yè)表中； 在閃存控制器對(duì)閃存進(jìn)行操作時(shí)，向所述預(yù)估模塊請(qǐng)求對(duì)所操作的物理地址進(jìn)行錯(cuò)誤預(yù)估；由預(yù)估模塊從所述存儲(chǔ)頁(yè)表中讀取相應(yīng)物理地址的編程等級(jí)以及擦除等級(jí)，并通過(guò)所述錯(cuò)誤索引表轉(zhuǎn)換為相應(yīng)頁(yè)的預(yù)估錯(cuò)誤數(shù)目，從而完成預(yù)估操作。本發(fā)明利用閃存器件中特定的物理信號(hào)來(lái)預(yù)先估計(jì)閃存存儲(chǔ)器的錯(cuò)誤率，為閃存的糾錯(cuò)算法提供合適的錯(cuò)誤估計(jì)。適合應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)控制器、閃存控制器等以閃存器件為存儲(chǔ)介質(zhì)的場(chǎng)合中，大大提高了閃存器件的可靠性。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體說(shuō)明。圖1.閃存器件編程時(shí)間的變化規(guī)律。圖2.閃存器件擦除時(shí)間的變化規(guī)律。圖3.預(yù)估模塊接口示意圖。圖4.預(yù)估模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。圖5.操作時(shí)間索引表。圖6.操作時(shí)間存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)表。圖7.錯(cuò)誤查詢(xún)索引表。圖8.預(yù)估操作流程圖。
具體實(shí)施例方式閃存器件中最基本的操作單元是頁(yè)，閃存控制器可以對(duì)頁(yè)進(jìn)行編程或者讀取操作；在閃存器件內(nèi)部由多個(gè)頁(yè)又組成一個(gè)塊，擦除操作的最小單位是閃存器件中的塊。當(dāng)閃存器件中的塊進(jìn)行擦除操作時(shí)，由閃存控制器記錄擦除操作所花費(fèi)的時(shí)間；當(dāng)閃存中的頁(yè)進(jìn)行編程操作時(shí)，閃存控制器還將監(jiān)控閃存器件的編程時(shí)間。閃存中的擦除時(shí)間和編程時(shí)間與器件的操作次數(shù)存在關(guān)聯(lián)性。隨著閃存擦寫(xiě)次數(shù)的增加，其擦除時(shí)間逐漸變長(zhǎng)，如圖1所示，而編程時(shí)間則逐漸縮短，如圖2所示。造成這種現(xiàn)象的原因在于擦寫(xiě)操作造成閃存物理特性衰退，使器件的閾值電壓升高了。升高的閾值電壓會(huì)導(dǎo)致閃存在操作過(guò)程中，編程操作更加容易，而擦寫(xiě)操作更加困難。閃存塊的擦除時(shí)間和編程時(shí)間真實(shí)地反映了閃存塊的整體使用情況。升高的閾值電壓同時(shí)也意味著器件的物理寄生效應(yīng)會(huì)更加顯著，從而導(dǎo)致閃存的錯(cuò)誤增加。因而，可以通過(guò)對(duì)擦除時(shí)間和編程時(shí)間的監(jiān)控來(lái)預(yù)測(cè)閃存中的錯(cuò)誤。在閃存控制器中采用擦除時(shí)間和編程時(shí)間進(jìn)行預(yù)估之前，需要事先了解閃存器件擦除時(shí)間和編程時(shí)間的變化趨勢(shì)，以及擦除時(shí)間和編程時(shí)間與閃存的錯(cuò)誤的關(guān)聯(lián)。這個(gè)關(guān)聯(lián)可以通過(guò)對(duì)閃存器件的壓力實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)。在壓力實(shí)驗(yàn)中，對(duì)閃存器件不斷進(jìn)行擦除和編程操作，記錄擦除和編程的時(shí)間變化情況以及閃存器件的錯(cuò)誤情況。通過(guò)對(duì)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)收集、整理和分析，建立擦除和編程時(shí)間變化的表格、編程時(shí)間與錯(cuò)誤率的對(duì)應(yīng)表格，以及擦除時(shí)間與錯(cuò)誤率的對(duì)應(yīng)表格，作為預(yù)估模塊進(jìn)行預(yù)估操作的先驗(yàn)參考數(shù)據(jù)。如圖3所示的預(yù)估模塊接口示意圖，預(yù)估模塊嵌入于閃存控制器中，并將所得到的預(yù)估信息發(fā)送給閃存控制器中的校驗(yàn)?zāi)K。閃存芯片與閃存控制器之間通過(guò)數(shù)據(jù)總線進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，并由閃存控制器的閃存接口模塊進(jìn)行控制；而在閃存芯片的接口中有一組R/ B信號(hào)用來(lái)指明閃存的工作狀態(tài)。當(dāng)閃存在進(jìn)行編程以及擦除操作時(shí)，R/B信號(hào)的電平將會(huì)進(jìn)入有效狀態(tài)，表明閃存目前正處于忙碌狀態(tài)，不會(huì)響應(yīng)新的操作。當(dāng)操作結(jié)束以后，R/B信號(hào)將重新進(jìn)入無(wú)效狀態(tài)，表明閃存進(jìn)入空閑狀態(tài)。當(dāng)閃存控制器對(duì)閃存器件進(jìn)行操作時(shí)，由預(yù)估模塊對(duì)閃存器件中R/B信號(hào)的有效時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)，從而獲得閃存在編程或者擦除操作中所花費(fèi)的時(shí)間開(kāi)銷(xiāo)，以幫助預(yù)估模塊對(duì)閃存器件的錯(cuò)誤進(jìn)行預(yù)估。預(yù)估模塊作出的預(yù)估錯(cuò)誤發(fā)送到檢驗(yàn)?zāi)K，檢驗(yàn)?zāi)K對(duì)閃存的編程或者擦除操作進(jìn)行錯(cuò)誤檢驗(yàn)。除了采用R/B信號(hào)進(jìn)行直接計(jì)時(shí)的方法以外，預(yù)估模塊還可以通過(guò)與閃存控制器相配合的方式完成計(jì)時(shí)。當(dāng)閃存在進(jìn)行擦除或者編程操作時(shí)，閃存控制器可以不斷地向閃存發(fā)送“讀狀態(tài)”命令，以了解閃存的工作狀態(tài)。閃存控制器將根據(jù)查閃存完成操作前后， 工作狀態(tài)的變化狀況，統(tǒng)計(jì)出閃存在擦除或者編程操作時(shí)所花費(fèi)的時(shí)間開(kāi)銷(xiāo)，并將所得到的計(jì)時(shí)信息，發(fā)送給預(yù)估模塊，從而幫助預(yù)估模塊完成計(jì)時(shí)工作。預(yù)估模塊主要由計(jì)時(shí)器、量化索引表、存儲(chǔ)頁(yè)表以及錯(cuò)誤索引表構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)如圖 4所示。當(dāng)控制器對(duì)閃存進(jìn)行操作時(shí)，由控制器輸入使能信號(hào)，激活預(yù)估模塊中的計(jì)時(shí)器，開(kāi)始對(duì)閃存的有效工作時(shí)間進(jìn)行記錄。所記錄的編程時(shí)間或擦除時(shí)間，將在量化索引表中量化為編程等級(jí)或擦除等級(jí)，并根據(jù)物理地址保存在存儲(chǔ)頁(yè)表中。當(dāng)控制器需要進(jìn)行糾錯(cuò)操作時(shí)，從存儲(chǔ)頁(yè)表中讀取相應(yīng)物理地址的編程等級(jí)以及擦除等級(jí)，并通過(guò)錯(cuò)誤索引表轉(zhuǎn)換為相應(yīng)頁(yè)的預(yù)估錯(cuò)誤數(shù)目，從而完成預(yù)估操作。在操作中所收集的編程時(shí)間或擦除時(shí)間不便于保存，因此，預(yù)估模塊需要對(duì)編程時(shí)間以及擦除時(shí)間進(jìn)行量化操作，將連續(xù)的時(shí)間量化為離散的時(shí)間等級(jí)，以方便預(yù)估模塊將收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行索引和保存。量化過(guò)程通過(guò)量化索引表予以實(shí)現(xiàn)，如圖5所示。由計(jì)時(shí)器收集的編程時(shí)間或擦除時(shí)間作為量化索引的輸入。量化索引中記錄有編程等級(jí)與編程時(shí)間之間的映射關(guān)系，以及擦除等級(jí)與擦除時(shí)間之間的映射關(guān)系。量化索引將會(huì)查找輸入的時(shí)間所對(duì)應(yīng)的量化等級(jí)，從而對(duì)時(shí)間進(jìn)行了量化處理。量化后的編程等級(jí)和擦除等級(jí)需要以圖6所示的方式予以保存。擦除等級(jí)與編程等級(jí)同物理地址相對(duì)應(yīng)，擦除等級(jí)代表物理地址所對(duì)應(yīng)的閃存塊的使用壽命，而編程等級(jí)則表征閃存塊內(nèi)部的頁(yè)使用壽命。當(dāng)閃存的一個(gè)塊內(nèi)部包含256個(gè)頁(yè)時(shí)，則存儲(chǔ)頁(yè)表將塊的擦除等級(jí)保存在該物理地址所對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元的開(kāi)頭，接下來(lái)存儲(chǔ)頁(yè)表在該存儲(chǔ)單元依次存放各個(gè)頁(yè)的編程等級(jí)。在閃存控制器對(duì)閃存進(jìn)行操作時(shí)，向預(yù)估模塊請(qǐng)求對(duì)所操作的物理地址的錯(cuò)誤預(yù)估。預(yù)估模塊需要將該物理地址的編程等級(jí)或擦除等級(jí)轉(zhuǎn)換為塊或頁(yè)的預(yù)估錯(cuò)誤數(shù)。預(yù)估模塊錯(cuò)誤索引表實(shí)現(xiàn)時(shí)間等級(jí)到錯(cuò)誤數(shù)的轉(zhuǎn)換，如圖7所示。錯(cuò)誤索引表包含兩個(gè)部分構(gòu)成塊錯(cuò)誤索引和頁(yè)錯(cuò)誤索引。塊錯(cuò)誤索引負(fù)責(zé)將塊的擦除等級(jí)進(jìn)行轉(zhuǎn)換；頁(yè)錯(cuò)誤索引負(fù)責(zé)將頁(yè)的編程等級(jí)進(jìn)行轉(zhuǎn)換。錯(cuò)誤索引表中的內(nèi)容事先通過(guò)離線實(shí)驗(yàn)完成。閃存控制器根據(jù)需要獲取相應(yīng)的塊的預(yù)估錯(cuò)誤，或者是頁(yè)的預(yù)估錯(cuò)誤。在閃存控制器對(duì)閃存進(jìn)行操作時(shí)，向所述預(yù)估模塊請(qǐng)求對(duì)所操作的物理地址的錯(cuò)誤預(yù)估。預(yù)估模塊進(jìn)行預(yù)估操作的操作流程如圖8所示。在預(yù)估模塊開(kāi)始工作以后，進(jìn)入計(jì)時(shí)步驟，在閃存進(jìn)行擦除時(shí)，采集當(dāng)前閃存操作塊的擦除時(shí)間；在閃存進(jìn)行編程時(shí)，采集當(dāng)前閃存操作頁(yè)的編程時(shí)間。計(jì)時(shí)完成后，進(jìn)入量化步驟，預(yù)估模塊通過(guò)查詢(xún)所述量化索引表，預(yù)估模塊將擦除時(shí)間量化為擦除等級(jí)，將編程時(shí)間量化為編程等級(jí)，將當(dāng)前擦除等級(jí)、 編程等級(jí)以及二者對(duì)應(yīng)的物理地址，保存在所述存儲(chǔ)頁(yè)表中。當(dāng)控制器需要進(jìn)行糾錯(cuò)操作時(shí)，從所述存儲(chǔ)頁(yè)表中讀取相應(yīng)物理地址的編程等級(jí)以及擦除等級(jí)，并通過(guò)所述錯(cuò)誤索引表轉(zhuǎn)換為相應(yīng)頁(yè)的預(yù)估錯(cuò)誤數(shù)目，從而完成預(yù)估操作。最后所應(yīng)說(shuō)明的是，以上具體實(shí)施方式
僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種閃存錯(cuò)誤預(yù)估模塊，其特征在于，所述預(yù)估模塊主要由計(jì)時(shí)器、量化索引表、存儲(chǔ)頁(yè)表以及錯(cuò)誤索引表構(gòu)成，所述計(jì)時(shí)器用于記錄閃存的編程時(shí)間或擦除時(shí)間，計(jì)時(shí)器收集的編程時(shí)間或擦除時(shí)間作為量化索引的輸入；所述量化索引表用于記錄編程等級(jí)與編程時(shí)間之間的映射關(guān)系，擦除等級(jí)與擦除時(shí)間之間的映射關(guān)系；擦除等級(jí)代表該物理地址所對(duì)應(yīng)的閃存塊的壽命狀態(tài)，編程等級(jí)代表所述閃存塊內(nèi)部頁(yè)的壽命狀態(tài)；所述存儲(chǔ)頁(yè)表包括若干個(gè)連續(xù)存儲(chǔ)單元，每個(gè)連續(xù)存儲(chǔ)單元用于記錄一個(gè)閃存塊的擦除等級(jí)、編程等級(jí)，其中，該閃存塊的擦除等級(jí)保存在所述連續(xù)存儲(chǔ)單元的開(kāi)頭，該閃存塊內(nèi)各個(gè)頁(yè)的編程等級(jí)依次存放在所述連續(xù)存儲(chǔ)單元內(nèi)；所述錯(cuò)誤索引表包含塊錯(cuò)誤索引表和頁(yè)錯(cuò)誤索引表兩個(gè)部分，塊錯(cuò)誤索引表記錄擦除等級(jí)以及對(duì)應(yīng)的塊錯(cuò)誤率的映射關(guān)系，頁(yè)錯(cuò)誤索引表記錄編程等級(jí)以及對(duì)應(yīng)的頁(yè)錯(cuò)誤率的映射關(guān)系；所述閃存錯(cuò)誤預(yù)估模塊接收閃存控制器發(fā)來(lái)的計(jì)時(shí)信息、使能信號(hào)或閃存芯片發(fā)出的 R/B信號(hào)作為輸入，輸出錯(cuò)誤預(yù)估值到錯(cuò)誤校驗(yàn)?zāi)K。
2.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存錯(cuò)誤預(yù)估模塊的閃存錯(cuò)誤預(yù)估方法，其特征在于， 包括以下具體步驟對(duì)閃存器件進(jìn)行擦除和編程操作的壓力實(shí)驗(yàn)，記錄擦除和編程的時(shí)間變化以及閃存器件的錯(cuò)誤的經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)；并建立所述量化索引表、錯(cuò)誤索引表，作為預(yù)估模塊進(jìn)行錯(cuò)誤預(yù)估的先驗(yàn)參照表；所述預(yù)估模塊的計(jì)時(shí)器采集當(dāng)前閃存操作塊的擦除時(shí)間；在閃存進(jìn)行編程時(shí)，采集當(dāng)前閃存操作頁(yè)的編程時(shí)間；通過(guò)查詢(xún)所述量化索引表，預(yù)估模塊將擦除時(shí)間量化為擦除等級(jí)，將編程時(shí)間量化為編程等級(jí)，將當(dāng)前擦除等級(jí)、編程等級(jí)以及二者對(duì)應(yīng)的物理地址，保存在所述存儲(chǔ)頁(yè)表中；在閃存控制器對(duì)閃存進(jìn)行操作時(shí)，向所述預(yù)估模塊請(qǐng)求對(duì)所操作的物理地址的錯(cuò)誤預(yù)估；由預(yù)估模塊從所述存儲(chǔ)頁(yè)表中讀取相應(yīng)物理地址的編程等級(jí)以及擦除等級(jí)，并通過(guò)所述錯(cuò)誤索引表轉(zhuǎn)換為相應(yīng)頁(yè)的預(yù)估錯(cuò)誤數(shù)目，從而完成預(yù)估操作。
全文摘要
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，具體涉及到一種閃存糾錯(cuò)過(guò)程的預(yù)估技術(shù)。本發(fā)明提供了一種閃存錯(cuò)誤預(yù)估模塊及其錯(cuò)誤預(yù)估方法，所述預(yù)估模塊主要由計(jì)時(shí)器、量化索引表、存儲(chǔ)頁(yè)表以及錯(cuò)誤索引表構(gòu)成。所述閃存錯(cuò)誤預(yù)估方法，建立擦寫(xiě)與編程的錯(cuò)誤先驗(yàn)數(shù)據(jù)，利用閃存器件中特定的物理信號(hào)來(lái)預(yù)先估計(jì)閃存存儲(chǔ)器的錯(cuò)誤率，為閃存的糾錯(cuò)算法提供合適的錯(cuò)誤估計(jì)。本發(fā)明適合應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)控制器、閃存控制器等以閃存器件為存儲(chǔ)介質(zhì)的場(chǎng)合中，提高閃存器件的可靠性。
文檔編號(hào)G06F11/10GK102163165SQ20111013816
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月26日
發(fā)明者張 杰, 邢冀鵬, 霍文捷 申請(qǐng)人:憶正儲(chǔ)存技術(shù)(武漢)有限公司