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一種計(jì)算機(jī)及其電源控制裝置的制作方法

文檔序號(hào):6424746閱讀:193來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種計(jì)算機(jī)及其電源控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)電源管理領(lǐng)域,特別涉及一種計(jì)算機(jī)及其電源控制裝置。
背景技術(shù)
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和生活水平的提高,計(jì)算機(jī)已經(jīng)成為生活、工作必不可少的工具,而隨著環(huán)保意識(shí)的提高,如何有效的管理計(jì)算機(jī)的電能消耗也成為最為關(guān)注的領(lǐng)域。計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)后,如果還插著外接電源,由于計(jì)算機(jī)還需要維護(hù)基本的啟動(dòng)邏輯,則計(jì)算機(jī)系統(tǒng)還會(huì)消耗0. 5W至IOW的電能。為了更好的節(jié)能,現(xiàn)有技術(shù)中通常采用在關(guān)機(jī)后 拔掉外接電源插座,或者通過(guò)特制的延時(shí)關(guān)閉電源,在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后延時(shí)關(guān)閉與外接電源連接的插座。發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的過(guò)程中發(fā)現(xiàn),現(xiàn)有技術(shù)中至少存在以下缺
占-
^ \\\ 在關(guān)機(jī)后拔掉電源插座時(shí)需要用戶有意識(shí)的操作,每次都要在關(guān)閉后手動(dòng)斷開插座電源,因經(jīng)常遺忘而達(dá)不到節(jié)能效果。采用特制的延時(shí)關(guān)閉電源方案不適用于已經(jīng)安裝有普通電源的計(jì)算機(jī),如果將計(jì)算機(jī)中的普通電源更換為延時(shí)關(guān)閉電源,則成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提出一種計(jì)算機(jī)及其電源控制裝置,在計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)后,能夠達(dá)到零電能損耗或接近零電能損耗。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種計(jì)算機(jī),包括系統(tǒng)電路和提供電源供應(yīng)的電源裝置,其中,還包括連接所述電源裝置和所述系統(tǒng)電路的電源控制裝置,所述電源控制裝置用于在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)接通所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)切斷所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng)。上述的計(jì)算機(jī),其中,所述電源控制裝置包括晶體管開關(guān)電路,所述晶體管開關(guān)電路打開時(shí),接通所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),所述晶體管開關(guān)電路關(guān)閉時(shí),切斷所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng);控制邏輯電路,用于在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路打開,在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路關(guān)閉。上述的計(jì)算機(jī),其中,所述晶體管開關(guān)電路包括第四電阻;第一 PMOS晶體管,其柵極一方面連接所述控制邏輯電路的輸出端,另一方面通過(guò)所述第四電阻連接到所述電源裝置,其源極連接所述電源裝置,其漏極連接所述系統(tǒng)電路。上述的計(jì)算機(jī),其中,所述控制邏輯電路包括第一 PNP晶體管、第二 NMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第一電阻、第二電阻和第三電阻;所述第一 PNP晶體管,其基極一方面通過(guò)一開/關(guān)機(jī)裝置與系統(tǒng)地信號(hào)連接,另一方面通過(guò)所述第一電阻與所述電源裝置連接,其集電極通過(guò)所述第二電阻與所述電源裝置連接,其發(fā)射極通過(guò)所述第三電阻與系統(tǒng)地信號(hào)連接;所述第二 NMOS晶體管,其柵極與所述第一 PNP晶體管的發(fā)射極連接,其源極與系統(tǒng)地信號(hào)連接,其漏極與所述第三NMOS晶體管的漏極連接,作為所述控制邏輯電路的輸出端;所述第三NMOS晶體管,其源極與系統(tǒng)地信號(hào)連接,其柵極由所述系統(tǒng)電路提供系統(tǒng)控制信號(hào),所述系統(tǒng)控制信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí),所述第三NMOS晶體管打開,所述系統(tǒng)控制信號(hào)為低電平信號(hào)時(shí),所述第三NMOS晶體管關(guān)閉。上述的計(jì)算機(jī),其中,所述系統(tǒng)電路中包括 系統(tǒng)控制信號(hào)提供單元,用于提供系統(tǒng)控制信號(hào)到所述第三NMOS晶體管的柵極,在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),所述系統(tǒng)控制信號(hào)為高電平信號(hào),在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),所述系統(tǒng)控制信號(hào)為低電平信號(hào)。上述的計(jì)算機(jī),其中,所述系統(tǒng)控制信號(hào)提供單元為嵌入式控制器EC。一種計(jì)算機(jī)的電源控制裝置,所述計(jì)算機(jī)包括系統(tǒng)電路和提供電源供應(yīng)的電源裝置,所述電源控制裝置包括晶體管開關(guān)電路,所述晶體管開關(guān)電路打開時(shí),接通所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),所述晶體管開關(guān)電路關(guān)閉時(shí),切斷所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng);控制邏輯電路,用于在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路打開,在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路關(guān)閉。上述的電源控制裝置,其中,所述晶體管開關(guān)電路包括第四電阻;第一 PMOS晶體管,其柵極一方面連接所述控制邏輯電路的輸出端,另一方面通過(guò)所述第四電阻連接到所述電源裝置,其源極連接所述電源裝置,其漏極連接所述系統(tǒng)電路。上述的電源控制裝置,其中,所述控制邏輯電路包括第一 PNP晶體管、第二 NMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第一電阻、第二電阻和第三電阻;所述第一 PNP晶體管,其基極一方面通過(guò)一開/關(guān)機(jī)裝置與系統(tǒng)地信號(hào)連接,另一方面通過(guò)所述第一電阻與所述電源裝置連接,其集電極通過(guò)所述第二電阻與所述電源裝置連接,其發(fā)射極通過(guò)所述第三電阻與系統(tǒng)地信號(hào)連接;所述第二 NMOS晶體管,其柵極與所述第一 PNP晶體管的發(fā)射極連接,其源極與系統(tǒng)地信號(hào)連接,其漏極與所述第三NMOS晶體管的漏極連接,作為所述控制邏輯電路的輸出端;所述第三NMOS晶體管,其源極與系統(tǒng)地信號(hào)連接,其柵極由所述系統(tǒng)電路提供系統(tǒng)控制信號(hào),所述系統(tǒng)控制信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí),所述第三NMOS晶體管打開,所述系統(tǒng)控制信號(hào)為低電平信號(hào)時(shí),所述第三NMOS晶體管關(guān)閉。本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)在計(jì)算機(jī)中設(shè)置電源控制裝置,所述電源控制裝置在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)接通電源裝置對(duì)系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)切斷電源裝置對(duì)系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),使得計(jì)算機(jī)在關(guān)機(jī)后,能夠達(dá)到零電能損耗或接近零電能損耗。而且,本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案不需要改變用戶的操作習(xí)慣,也無(wú)需改變現(xiàn)有的電源結(jié)構(gòu),只需要在計(jì)算機(jī)增加一套主板電路即可,具有成本低、易于實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實(shí)施例的計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例的電源控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖3為本發(fā)明實(shí)施例的電源控制裝置的具體電路圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。參照?qǐng)D1,本發(fā)明實(shí)施例的計(jì)算機(jī)包括,電源裝置10、電源控制裝置20和系統(tǒng)電路30,其中所述電源裝置10,用于提供電源供應(yīng)。所述電源控制裝置20,用于在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)接通所述電源裝置10對(duì)所述系統(tǒng)電路30的電源供應(yīng),在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)切斷所述電源裝置10對(duì)所述系統(tǒng)電路30的電源供應(yīng)。系統(tǒng)電路30,由所述電源裝置10提供電源供應(yīng)后開始工作。在現(xiàn)有技術(shù)中,電源裝置直接與系統(tǒng)電路連接,計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)后,由于還需要維護(hù)基本的啟動(dòng)邏輯,因此電源裝置并未停止對(duì)系統(tǒng)電路提供電源供應(yīng),而是提供一個(gè)5Vstandby電壓給所述系統(tǒng)電路,以維持系統(tǒng)電路中的啟動(dòng)邏輯部分進(jìn)行工作,這樣,就會(huì)耗費(fèi)一定的電能。而本發(fā)明實(shí)施例的上述技術(shù)方案,電源裝置與系統(tǒng)電路中還連接有電源控制裝置,計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)后,所述電源控制裝置切斷了所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),達(dá)到了零電能損耗或接近零電能損耗。進(jìn)一步,計(jì)算機(jī)開機(jī)后,所述電源控制裝置接通所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),這樣,系統(tǒng)電路中的啟動(dòng)邏輯部分能夠恢復(fù)工作,完成計(jì)算機(jī)的正常啟動(dòng)。參照?qǐng)D2,本發(fā)明實(shí)施例的電源控制裝置20包括晶體管開關(guān)電路22,所述晶體管開關(guān)電路22打開時(shí),接通所述電源裝置10對(duì)所述系統(tǒng)電路30的電源供應(yīng),所述晶體管開關(guān)電路22關(guān)閉時(shí),切斷所述電源裝置10對(duì)所述系統(tǒng)電路30的電源供應(yīng);
控制邏輯電路21,用于在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路22打開,在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路22關(guān)閉。以上為電源控制裝置20的一種具體實(shí)現(xiàn)方式,在該實(shí)現(xiàn)方式中,是通過(guò)一晶體管開關(guān)電路22來(lái)控制電源裝置10與系統(tǒng)電路30之間的接通或切斷。而晶體管開關(guān)電路22的打開或關(guān)閉是由控制邏輯電路21來(lái)控制的,具體 地,控制邏輯電路21可以對(duì)系統(tǒng)的開/關(guān)機(jī)信號(hào)進(jìn)行監(jiān)控,當(dāng)監(jiān)控到開機(jī)信號(hào)時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路22打開,當(dāng)監(jiān)控到關(guān)機(jī)信號(hào)時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路22關(guān)閉。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的電源控制裝置的具體電路圖。參照?qǐng)D3,在該具體電路中,所述晶體管開關(guān)電路22包括第四電阻SR4;第一 PMOS晶體管PQ1,其柵極一方面連接控制邏輯電路21的輸出端,另一方面通過(guò)所述第四電阻SR4連接到所述電源裝置10,其源極連接所述電源裝置10,其漏極連接所述系統(tǒng)電路30。其工作原理為當(dāng)控制邏輯電路21的輸出端為低電平信號(hào)時(shí),則第一PMOS晶體管PQl的柵極被提供有低電平信號(hào),于是,第一 PMOS晶體管PQl打開(導(dǎo)通),電源裝置10開始對(duì)系統(tǒng)電路30進(jìn)行電源供應(yīng);當(dāng)控制邏輯電路21的輸出端為高電平信號(hào)時(shí),則第一 PMOS晶體管PQl的柵極被提供有高電平信號(hào),于是,第一 PMOS晶體管PQl關(guān)閉,電源裝置10停止對(duì)系統(tǒng)電路30進(jìn)行電源供應(yīng)。繼續(xù)參照?qǐng)D3,在該具體電路中,所述控制邏輯電路21包括第一 PNP晶體管SQl、第二 NMOS晶體管SQ2、第三NMOS晶體管SQ3、第一電阻SR1、第二電阻SR2和第三電阻SR3 ;所述第一 PNP晶體管SQ1,其基極一方面通過(guò)一開/關(guān)機(jī)裝置PBTN(圖中為一開關(guān),對(duì)應(yīng)于計(jì)算機(jī)的開機(jī)電源按鈕)與系統(tǒng)地信號(hào)連接,另一方面通過(guò)所述第一電阻SRl與所述電源裝置10連接,其集電極通過(guò)所述第二電阻SR2與所述電源裝置10連接,其發(fā)射極通過(guò)所述第三電阻SR3與系統(tǒng)地信號(hào)連接;所述第二 NMOS晶體管SQ2,其柵極與所述第一 PNP晶體管SQl的發(fā)射極連接,其源極與系統(tǒng)地信號(hào)連接,其漏極與所述第三NMOS晶體管SQ3的漏極連接,作為所述控制邏輯電21路的輸出端;所述第三NMOS晶體管SQ3,其源極與系統(tǒng)地信號(hào)連接,其柵極由所述系統(tǒng)電路30提供系統(tǒng)控制信號(hào)。其工作原理為當(dāng)所述系統(tǒng)控制信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí),則所述第三NMOS晶體管SQ3的柵極被提供有高電平信號(hào),于是,所述第三NMOS晶體管SQ3打開(導(dǎo)通),使得控制邏輯電路21的輸出端為低電平信號(hào);當(dāng)所述系統(tǒng)控制信號(hào)為低電平信號(hào)時(shí),則所述第三NMOS晶體管SQ3的柵極被提供有低電平信號(hào),于是,所述第三NMOS晶體管SQ3關(guān)閉,使得控制邏輯電路21的輸出端為高電平信號(hào)。其中,所述系統(tǒng)電路中30包括有系統(tǒng)控制信號(hào)提供單元(圖未示),用于提供系統(tǒng)控制信號(hào)到所述第三NMOS晶體管SQ3的柵極,當(dāng)所述系統(tǒng)控制信號(hào)提供單元監(jiān)控到開機(jī)信號(hào)時(shí),輸出高電平信號(hào)到所述第三NMOS晶體管SQ3的柵極,當(dāng)所述系統(tǒng)控制信號(hào)提供單元監(jiān)控到關(guān)機(jī)信號(hào)時(shí),輸出低電平信號(hào)到所述第三NMOS晶體管SQ3的柵極。優(yōu)選地,所述系統(tǒng)控制信號(hào)提供單兀為嵌入式控制器(Embedded Controller,EC)。計(jì)算機(jī)中的嵌入式控制器本身就有對(duì)系統(tǒng)開關(guān)機(jī)進(jìn)行監(jiān)控的功能,本發(fā)明實(shí)施例中,該嵌入式控制器監(jiān)控到開機(jī)信號(hào)時(shí),還輸出高電平信號(hào)到所述第三NMOS晶體管SQ3的柵極,監(jiān)控到關(guān)機(jī)信號(hào)時(shí),還輸出低電平信號(hào)到所述第三NMOS晶體管SQ3的柵極。另外,圖3中的PS5V_ALWAYS指的是電源裝置提供的5V standby電壓。以下參照?qǐng)D3,對(duì)采用本發(fā)明實(shí)施例的電源控制裝置后的開關(guān)機(jī)流程進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明-采用上述電源控制裝置后,系統(tǒng)電路由原先的直接與電源裝置連接,改變?yōu)橥ㄟ^(guò)D點(diǎn)與第一 PMOS晶體管PQl的漏極連接,利用所述第一 PMOS晶體管PQl來(lái)隔離電源裝置的 standby 電源。-開機(jī)時(shí),用戶按下開機(jī)電源按鈕PBTN,并持續(xù)一段時(shí)間,例如0.8s,將導(dǎo)致B點(diǎn)產(chǎn)生一個(gè)短暫的低電平。-當(dāng)B點(diǎn)為低電平時(shí),由于PS5V_ALWAY持續(xù)供電,將導(dǎo)致第一PNP晶體管SQl打開,使得C點(diǎn)產(chǎn)生高電平。-當(dāng)C點(diǎn)為高電平時(shí),將導(dǎo)致第二NMOS晶體管SQ2打開,使得A點(diǎn)產(chǎn)生低電平。-當(dāng)A點(diǎn)為低電平時(shí),將導(dǎo)致第一PMOS晶體管PQl打開,使得D點(diǎn)與電源裝置的PS5V_ALWAY接通,系統(tǒng)電路部分開始有電源供應(yīng)。-系統(tǒng)電路部分有電源供應(yīng)后開始工作,用戶按下PBTN的持續(xù)時(shí)間足以使得系統(tǒng)電路中的EC完成初始化,并檢測(cè)到開機(jī)信號(hào)。-EC檢測(cè)到開機(jī)信號(hào)后,立即發(fā)出高電平信號(hào)EC-Ke印-Power到E點(diǎn)。-當(dāng)E點(diǎn)為高電平時(shí),第三NMOS晶體管SQ3打開,使得A點(diǎn)維持為低電平,進(jìn)而維持第一 PMOS晶體管PQl持續(xù)打開,從而電源裝置能夠持續(xù)給系統(tǒng)電路供電。-用戶通過(guò)操作系統(tǒng)界面(例如Windows界面)關(guān)機(jī),EC檢測(cè)到關(guān)機(jī)信號(hào),把E點(diǎn)的EC-Keep-power信號(hào)拉到低電平。-當(dāng)E點(diǎn)為低電平時(shí),第三NMOS晶體管SQ3關(guān)閉,使得A點(diǎn)產(chǎn)生高電平。-當(dāng)A點(diǎn)為高電平時(shí),第一PMOS晶體管PQl關(guān)閉,電源裝置對(duì)系統(tǒng)電路的電源供應(yīng)斷開,系統(tǒng)電路停止工作。在具體實(shí)現(xiàn)時(shí),可以在主板的基本輸入輸出系統(tǒng)(Basic Input Output System,BIOS)中增加一個(gè)可選參數(shù)Power-down-No-power_mode,用CMOS電池維持?jǐn)?shù)據(jù)。用戶選擇Power-down-No-power-mode = Yes后,當(dāng)用戶通過(guò)Windows界面正常關(guān)閉電腦后,EC會(huì)在一個(gè)時(shí)間段內(nèi)持續(xù)檢查是否有喚醒事件或者power button按鍵事件發(fā)生,如果在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)沒(méi)有發(fā)生(例如30s),EC將把EC-Ke印-power信號(hào)拉到低電平,進(jìn)而關(guān)閉第一 PMOS晶體管PQ1,導(dǎo)致主板上系統(tǒng)電路所有的電源供應(yīng)切斷。當(dāng)圖3所示的電路不工作時(shí),由于該電路本身形成不了電源回路,除去幾乎可忽略不計(jì)的晶體管漏電損耗,這套電路本身的電源消耗也幾乎為零。由于主板向電源消耗了OA電流,將導(dǎo)致電源本體進(jìn)入no-power mode,也幾乎不產(chǎn)生能耗。當(dāng)用戶選擇power-down-No-power-mode = No 后,EC 將維持 EC-Keep-power 信號(hào)為高電平,維持第一 PMOS晶體管PQl打開,主板上系統(tǒng)電路所有的電源供應(yīng)將與現(xiàn)有的系
統(tǒng)一樣。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案可以使用通用的ATX電源,只需要將圖3中的PS5V_ALffAY與ATX電源的5V standby連接,將原本主板的系統(tǒng)電路上需要連接PS5V_ALWAY的地方接到第一 PMOS晶體管PQl的漏極即可。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案也適用于使用外部adaptor的供電系統(tǒng)或者內(nèi)置電源裝置的AIO系統(tǒng)。只需要將圖3中的PS5V_ALWAY與外部adaptor電源的輸入端連接,將原本主板的系統(tǒng)電路上需要連接PS5V_ALWAY的地方接到第一 PMOS晶體管PQl的漏極即可。綜上所述,本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)在計(jì)算機(jī)中設(shè)置電源控制裝置,所述電源控制裝置在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)接通電源裝置對(duì)系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)切斷電源裝置對(duì)系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),使得計(jì)算機(jī)在關(guān)機(jī)后,能夠達(dá)到零電能損耗或接近零電能損耗。而且,本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案不需要改變用戶的操作習(xí)慣,也無(wú)需改變現(xiàn)有的電源結(jié)構(gòu), 只需要在計(jì)算機(jī)增加一套主板電路即可,具有成本低、易于實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種計(jì)算機(jī),包括系統(tǒng)電路和提供電源供應(yīng)的電源裝置,其特征在于,還包括 連接所述電源裝置和所述系統(tǒng)電路的電源控制裝置,所述電源控制裝置用于在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)接通所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)切斷所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的計(jì)算機(jī),其特征在于,所述電源控制裝置包括 晶體管開關(guān)電路,所述晶體管開關(guān)電路打開時(shí),接通所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),所述晶體管開關(guān)電路關(guān)閉時(shí),切斷所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng);控制邏輯電路,用于在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路打開,在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路關(guān)閉。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的計(jì)算機(jī),其特征在于,所述晶體管開關(guān)電路包括 第四電阻; 第一 PMOS晶體管,其柵極一方面連接所述控制邏輯電路的輸出端,另一方面通過(guò)所述第四電阻連接到所述電源裝置,其源極連接所述電源裝置,其漏極連接所述系統(tǒng)電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的計(jì)算機(jī),其特征在于,所述控制邏輯電路包括 第一 PNP晶體管、第二 NMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第一電阻、第二電阻和第三電阻; 所述第一 PNP晶體管,其基極一方面通過(guò)一開/關(guān)機(jī)裝置與系統(tǒng)地信號(hào)連接,另一方面通過(guò)所述第一電阻與所述電源裝置連接,其集電極通過(guò)所述第二電阻與所述電源裝置連接,其發(fā)射極通過(guò)所述第三電阻與系統(tǒng)地信號(hào)連接;所述第二 NMOS晶體管,其柵極與所述第一 PNP晶體管的發(fā)射極連接,其源極與系統(tǒng)地信號(hào)連接,其漏極與所述第三NMOS晶體管的漏極連接,作為所述控制邏輯電路的輸出端;所述第三NMOS晶體管,其源極與系統(tǒng)地信號(hào)連接,其柵極由所述系統(tǒng)電路提供系統(tǒng)控制信號(hào),所述系統(tǒng)控制信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí),所述第三NMOS晶體管打開,所述系統(tǒng)控制信號(hào)為低電平信號(hào)時(shí),所述第三NMOS晶體管關(guān)閉。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的計(jì)算機(jī),其特征在于,所述系統(tǒng)電路中包括 系統(tǒng)控制信號(hào)提供單元,用于提供系統(tǒng)控制信號(hào)到所述第三NMOS晶體管的柵極,在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),所述系統(tǒng)控制信號(hào)為高電平信號(hào),在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),所述系統(tǒng)控制信號(hào)為低電平信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的計(jì)算機(jī),其特征在于 所述系統(tǒng)控制信號(hào)提供單元為嵌入式控制器EC。
7.一種計(jì)算機(jī)的電源控制裝置,所述計(jì)算機(jī)包括系統(tǒng)電路和提供電源供應(yīng)的電源裝置,其特征在于,所述電源控制裝置包括 晶體管開關(guān)電路,所述晶體管開關(guān)電路打開時(shí),接通所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),所述晶體管開關(guān)電路關(guān)閉時(shí),切斷所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng);控制邏輯電路,用于在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路打開,在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí),控制所述晶體管開關(guān)電路關(guān)閉。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電源控制裝置,其特征在于,所述晶體管開關(guān)電路包括第四電阻; 第一 PMOS晶體管,其柵極一方面連接所述控制邏輯電路的輸出端,另一方面通過(guò)所述第四電阻連接到所述電源裝置,其源極連接所述電源裝置,其漏極連接所述系統(tǒng)電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電源控制裝置,其特征在于,所述控制邏輯電路包括 第一 PNP晶體管、第二 NMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第一電阻、第二電阻和第三電阻; 所述第一 PNP晶體管,其基極一方面通過(guò)一開/關(guān)機(jī)裝置與系統(tǒng)地信號(hào)連接,另一方面通過(guò)所述第一電阻與所述電源裝置連接,其集電極通過(guò)所述第二電阻與所述電源裝置連接,其發(fā)射極通過(guò)所述第三電阻與系統(tǒng)地信號(hào)連接;所述第二 NMOS晶體管,其柵極與所述第一 PNP晶體管的發(fā)射極連接,其源極與系統(tǒng)地信號(hào)連接,其漏極與所述第三NMOS晶體管的漏極連接,作為所述控制邏輯電路的輸出端;所述第三NMOS晶體管,其源極與系統(tǒng)地信號(hào)連接,其柵極由所述系統(tǒng)電路提供系統(tǒng)控制信號(hào),所述系統(tǒng)控制信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí),所述第三NMOS晶體管打開,所述系統(tǒng)控制信號(hào)為低電平信號(hào)時(shí),所述第三NMOS晶體管關(guān)閉。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種計(jì)算機(jī)及其電源控制裝置,所述計(jì)算機(jī)包括系統(tǒng)電路、提供電源供應(yīng)的電源裝置、連接所述電源裝置和所述系統(tǒng)電路的電源控制裝置,所述電源控制裝置用于在開機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)接通所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng),在關(guān)機(jī)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)切斷所述電源裝置對(duì)所述系統(tǒng)電路的電源供應(yīng)。依照本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,在計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)后,能夠達(dá)到零電能損耗或接近零電能損耗。
文檔編號(hào)G06F1/32GK102799249SQ201110135859
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2011年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月24日
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