專利名稱：觸控結(jié)構(gòu)的成形方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本 發(fā)明是有關(guān)于一種觸控結(jié)構(gòu)的成形方法，特別是有關(guān)于一種可減少一道掩膜工藝的觸控結(jié)構(gòu)的成形方法。
背景技術(shù)：
請參考圖I所示，圖I揭示一種現(xiàn)有的電容式觸控結(jié)構(gòu)的側(cè)面示意圖，其依堆迭順序?yàn)橐徊ＡЩ?0、一金屬線路層81、一光阻層82、一透明導(dǎo)電層83、一保護(hù)層84。請參考圖2、圖3a 3f及圖4a 4d所示，揭示前述的觸控結(jié)構(gòu)的制作流程，其主要先于玻璃基板80上透過濺鍍形成一金屬層90’(如圖3a所示)，再形成一光阻層，其經(jīng)過曝光顯影后形成圖案化的光阻層900 (如圖3b所示)，再透過蝕刻工藝移除所述金屬層90’未被所述光阻層900覆蓋的部分(如圖3c所示)，移除剩余光阻層900后而形成預(yù)定線路圖案的金屬線路層90 (如圖3d所示)。接著再于所述金屬線路層90上涂布一架橋光阻層91 (如圖3e所示)；跟著涂布一透明導(dǎo)電層92’及一光阻層920 (如圖3f及圖4a所示)；經(jīng)過蝕刻及去光阻后即形成預(yù)定圖案的觸控導(dǎo)電層92 (如圖4b及圖4c所示)，所述圖案化后的觸控導(dǎo)電層92包含X軸與Y軸的觸控單元，其中，X軸觸控單元彼此之間是透過所述金屬線路層90電性連接，Y軸觸控單元?jiǎng)t是一體串接并透過所述架橋光阻層91而與所述多個(gè)X軸觸控單元隔開；最后再涂布一完整的保護(hù)層93，即完成前述的電容式觸控結(jié)構(gòu)(如圖4d所示)。前述觸控結(jié)構(gòu)的制造過程需經(jīng)過多道掩膜工藝來形成圖案化光阻，其中用以做為架橋的光阻層91需要經(jīng)過去掉形成金屬線路用的光阻層900，再涂布新的光阻層以構(gòu)成所述架橋光阻層91，其中包含了兩道掩膜工藝。然而，若能透過一道掩膜工藝即可構(gòu)成架橋用的光阻層，將可大為提升前述觸控結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率。故，有必要提供一種觸控結(jié)構(gòu)的成形方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種觸控結(jié)構(gòu)的成形方法，其較現(xiàn)有觸控結(jié)構(gòu)的制造方法，在導(dǎo)電線路與架橋結(jié)構(gòu)的制備過程中減少了一道掩膜工藝，而相對具有更快速的生
產(chǎn)效率。為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明提供一種觸控結(jié)構(gòu)的成形方法，其包含下列步驟于一基板上形成一導(dǎo)電層；于所述導(dǎo)電層上形成一圖案化的架橋光阻層，其中架橋光阻層局部覆蓋所述導(dǎo)電層，且所述架橋光阻層包含一第一部分及一第二部分，所述第二部分的厚度較第一部分的
厚度?。灰瞥鰧?dǎo)電層未被所述架橋光阻層覆蓋的部分以圖案化所述導(dǎo)電層，其中所述架橋光阻層的側(cè)邊與所述導(dǎo)電線路層的邊緣幾乎切齊；
移除所述架橋光阻層的第二部分而成一架橋?qū)硬⑹顾鰣D案化的導(dǎo)電層部分裸露而成一導(dǎo)電線路層；透過烘烤程序使所述架橋?qū)榆浕?；于所述基板上形成一透明?dǎo)電層以覆蓋所述架橋?qū)蛹八鰧?dǎo)電線路層；于所述透明導(dǎo)電層上形成一圖案化的光阻層；移除所述透明導(dǎo)電層未被所述光阻層覆蓋的部分；移除所述光阻層，使所述透明導(dǎo)電層圖案化而成為一觸控導(dǎo)電層；以及 于所述基板上形成一保護(hù)層以覆蓋所述觸控導(dǎo)電層及所述架橋?qū)?。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述架橋光阻層是透過一半色調(diào)掩膜曝光技術(shù)所制成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述架橋?qū)优c所述導(dǎo)電線路層的表面之間的夾角小于所述架橋?qū)釉诤婵境绦蚝蟮牡酌媾c頂面之間的夾角。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在移除所述導(dǎo)電層未被所述架橋光阻層覆蓋的部分而形成一導(dǎo)電線路層的步驟中，所述架橋光阻層的側(cè)邊與所述導(dǎo)電線路層的邊緣之間的間距小于 5 u m0


圖I是現(xiàn)有的電容式觸控結(jié)構(gòu)的側(cè)面示意圖。圖2是現(xiàn)有的觸控結(jié)構(gòu)的制作流程的概要示意圖。圖3a 圖3f是現(xiàn)有的觸控結(jié)構(gòu)的制作流程的詳細(xì)示意圖。圖4a 圖4d是接續(xù)圖3f的制作流程的詳細(xì)示意圖。圖5是本發(fā)明一較佳實(shí)施例觸控結(jié)構(gòu)的成形方法的流程概要示意圖。圖6a 圖6e是本發(fā)明一較佳實(shí)施例觸控結(jié)構(gòu)的成形方法的詳細(xì)流程圖。圖7a 圖7d是接續(xù)圖6e的成形方法的詳細(xì)流程圖。圖8a 圖8d是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的加入烘烤程序的流程示意圖。圖9是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的架橋?qū)优c導(dǎo)電線路層的俯視圖。圖10是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的架橋?qū)优c導(dǎo)電線路層之間的夾角示意圖。圖11是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的架橋?qū)釉诤婵境绦蚯暗牡酌媾c頂面夾角的示意圖。圖12是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的架橋?qū)釉诤婵境绦蚝蟮牡酌媾c頂面夾角的示意圖。
具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」或「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。請參考圖5所示，圖5揭示本發(fā)明一較佳實(shí)施例觸控結(jié)構(gòu)的成形方法的流程概要示意圖。本發(fā)明的觸控結(jié)構(gòu)的成形過程主要包含形成導(dǎo)電線路層10、形成架橋?qū)?0以及形成觸控導(dǎo)電層30。
進(jìn)一步參考圖6a 圖6e跟圖7a 圖7d所示，是揭示本發(fā)明一較佳實(shí)施例的詳細(xì)流程圖。本發(fā)明的觸控結(jié)構(gòu)的成形方法包含下列步驟
先于一基板40上形成一導(dǎo)電層10’，其成形方式可為金屬濺鍍(如圖6a所示)；于所述導(dǎo)電層10’上形成一圖案化的架橋光阻層20’，所述架橋光阻層20’是透過一半色調(diào)(Half Tone)掩膜曝光技術(shù)所制成，其主要透過一半色調(diào)掩膜，經(jīng)過曝光顯影后，形成厚薄不一的架橋光阻層20’。其中，所述架橋光阻層20’包含一第一部分及一第二部分，所述第二部分的厚度較第一部分的厚度薄(如圖6b所示)；移除所述導(dǎo)電層10’上未被所述架橋光阻層20’覆蓋的部分而圖案化所述導(dǎo)電層10’，其主要是利用所述架橋光阻層20’透過金屬蝕刻等方式，使所述導(dǎo)電層10’圖案化(如圖6c所示)，其中所述架橋光阻層20’的側(cè)邊與所述圖案化的導(dǎo)電層10’的邊緣幾乎切齊，其中所述架橋光阻層20’的側(cè)邊與所述圖案化的導(dǎo)電層10’的邊緣之間的間距優(yōu)選是小于5 u m ；接著進(jìn)行去光阻步驟，將一定厚度的架橋光阻層20’移除，使所述架橋光阻層20’較薄的第二部分被移除掉，而讓所述圖案化的導(dǎo)電層10’部分裸露出而形成一導(dǎo)電線路層10，且使架橋光阻層20’留存較厚的第一部分而成為一架橋?qū)?0 (如圖6d所示)；接著于所述基板40上形成一透明導(dǎo)電層30’以覆蓋所述架橋?qū)?0及所述導(dǎo)電線路層10(如圖6e所示)；于所述透明導(dǎo)電層30’上形成一圖案化的光阻層300 (如圖7a所示)；移除所述透明導(dǎo)電層30 ’未被所述光阻層300覆蓋的部分，使所述透明導(dǎo)電層30 ’圖案化而成為一觸控導(dǎo)電層30 (如圖7b所不)；移除所述光阻層300 (如圖7c所示)；以及于所述基板40上形成一保護(hù)層50以覆蓋所述觸控導(dǎo)電層30及所述架橋?qū)?0，完成本發(fā)明觸控結(jié)構(gòu)的制造流程(如圖7d所示)。再者，進(jìn)一步參考圖8a 圖8d所示，其中圖8a跟圖8b為移除前述架橋光阻層20 ’的第二部分之前跟之后的剖面圖，由于所述架橋?qū)?0的側(cè)邊幾乎切齊所述導(dǎo)電線路層10的部分邊緣，隨后形成所述透明導(dǎo)電層30’時(shí)，將可能導(dǎo)致所述透明導(dǎo)電層30’受所述架橋?qū)?0與所述導(dǎo)電線路層10共同的邊緣斷差影響而產(chǎn)生斷裂或是與所述導(dǎo)電線路層10接觸而短路，因而本發(fā)明于移除前述架橋光阻層20’的第二部分之后(即形成一透明導(dǎo)電層30’之前),進(jìn)一步包含下列步驟透過一烘烤程序(或稱熱回流，thermal reflow)使所述架橋?qū)?0軟化，使其側(cè)邊掩蓋原先切齊所述導(dǎo)電線路層10的邊緣(如圖Sc所示)。透過上述烘烤程序后，所述透明導(dǎo)電層30’可較為平順地成形于所述架橋?qū)?0與所述導(dǎo)電線路層10上(如圖8d所示)。進(jìn)一步參考圖9所示，為所述架橋?qū)?0與所述導(dǎo)電線路層10的俯視圖，其中進(jìn)一步參考圖10所示,所述架橋?qū)?0與所述導(dǎo)電線路層10之間的夾角為a ;再參考圖11及圖12所示，為所述架橋?qū)?0在烘烤程序前后的底面與頂面夾角的示意圖。由于烘烤后的所述架橋?qū)?0在其底面與頂面之間的夾角會變陡，因此所述架橋?qū)?0在烘烤程序后的底面與頂面之間的夾角b2將會大于在烘烤程序前的底面與頂面之間的夾角bl，且所述架橋?qū)?0與所述導(dǎo)電線路層10的表面之間的夾角a會小于前述bl與b2。由于本發(fā)明在形成所述導(dǎo)電線路層10與所述架橋?qū)?0的過程中只需使用一道半色調(diào)掩膜曝光工藝，用以制作架橋光阻層20’，因此相較于現(xiàn)有觸控結(jié)構(gòu)的制造方法需要兩道掩膜工藝才能完成導(dǎo)電線路與架橋結(jié)構(gòu)的制備，本發(fā)明減少一道掩膜工藝，而相對具有更快速的生產(chǎn)效率。
本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已公開的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種觸控結(jié)構(gòu)的成形方法，其特征在于所述觸控結(jié)構(gòu)的成形方法包含下列步驟 于一基板上形成一導(dǎo)電層； 于所述導(dǎo)電層上形成一圖案化的架橋光阻層，其中架橋光阻層局部覆蓋所述導(dǎo)電層，且所述架橋光阻層包含一第一部分及一第二部分，所述第二部分的厚度較第一部分的厚度??； 移除所述導(dǎo)電層未被所述架橋光阻層覆蓋的部分以圖案化所述導(dǎo)電層，其中所述架橋光阻層的側(cè)邊與所述圖案化的導(dǎo)電層的邊緣幾乎切齊； 移除所述架橋光阻層的第二部分而成一架橋?qū)樱⑹顾鰣D案化的導(dǎo)電層部分裸露而形成一導(dǎo)電線路層； 透過烘烤程序使所述架橋?qū)榆浕? 于所述基板上形成一透明導(dǎo)電層以覆蓋所述架橋?qū)蛹八鰧?dǎo)電線路層； 于所述透明導(dǎo)電層上形成一圖案化的光阻層； 移除所述透明導(dǎo)電層未被所述光阻層覆蓋的部分； 移除所述光阻層，使所述透明導(dǎo)電層圖案化而成為一觸控導(dǎo)電層；以及 于所述基板上形成一保護(hù)層以覆蓋所述觸控導(dǎo)電層及所述架橋?qū)印?br> 2.如權(quán)利要求I所述的觸控結(jié)構(gòu)的成形方法，其特征在于所述架橋光阻層是透過一半色調(diào)掩膜曝光技術(shù)所制成。
3.如權(quán)利要求2所述的觸控結(jié)構(gòu)的成形方法，其特征在于所述架橋?qū)优c所述導(dǎo)電線路層的表面之間的夾角小于所述架橋?qū)釉诤婵境绦蚝蟮牡酌媾c頂面之間的夾角。
4.如權(quán)利要求2所述的觸控結(jié)構(gòu)的成形方法，其特征在于于移除所述架橋光阻層的第二部分而成一架橋?qū)?，并使所述圖案化的導(dǎo)電層部分裸露而形成一導(dǎo)電線路層的步驟中，所述架橋?qū)拥膫?cè)邊與所述圖案化的導(dǎo)電層的邊緣之間的間距小于5 ym。
全文摘要
本發(fā)明公開一種觸控結(jié)構(gòu)的成形方法，其于一基板上形成一導(dǎo)電層；于所述導(dǎo)電層上透過半色調(diào)掩膜曝光技術(shù)形成一圖案化的架橋光阻層，其中架橋光阻層局部覆蓋所述導(dǎo)電層，且所述架橋光阻層包含一第一部分及一相對較薄的第二部分；移除所述導(dǎo)電層未被所述架橋光阻層覆蓋的部分以圖案化所述導(dǎo)電層；移除所述架橋光阻層的第二部分而成一架橋?qū)硬⑹顾鰣D案化的導(dǎo)電層部分裸露而形成一導(dǎo)電線路層。藉此在導(dǎo)電線路與架橋結(jié)構(gòu)的制備過程中可減少一道掩膜工藝，而具有更快速的生產(chǎn)效率。
文檔編號G06F3/041GK102654800SQ201110053208
公開日2012年9月5日 申請日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月4日
發(fā)明者吳健豪 申請人:瀚宇彩晶股份有限公司