專利名稱：觸控面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸控面板，尤其涉及一種具有高光線穿透率及低面阻抗的觸控面板。
背景技術(shù)：
為了達(dá)到更便利、體積更輕巧化以及更人性化的目的，許多信息產(chǎn)品的輸入方式已由傳統(tǒng)的鍵盤或鼠標(biāo)等裝置，轉(zhuǎn)變?yōu)槭褂糜|控式裝置作為輸入的方式。觸控式裝置可組裝在諸多種類的平面顯示器上，以使平面顯示器兼具有顯示畫面以及輸入操作信息的功能。就目前常見的觸控式裝置而言，電容式觸控面板以及電阻式觸控面板最為普及。 尤其是，使用者僅需輕觸電容式觸控面板表面即可進(jìn)行觸控操作而使電容式觸控面板更為使用者所熱愛。值得一提的是，無論電容式觸控面板或是電阻式觸控面板，都需要采用整層銦錫氧化物andium Tin Oxide，簡稱為ΙΤ0)薄膜作為感測用的導(dǎo)電薄膜。然而，銦錫氧化物薄膜沉積于可撓性基板上時(shí)，僅能采用制程溫度較低的制程。低溫制程使得銦錫氧化物薄膜的光線穿透率與面阻值呈現(xiàn)相反的變化趨勢(shì)。所以，銦錫氧化物薄膜的使用無法兼顧電性與光穿透性，而無法達(dá)到理想的品質(zhì)。另外，銦錫氧化物薄膜的可撓性不佳而容易造成產(chǎn)品的損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種觸控面板，其具有良好的電性與光穿透性。本發(fā)明提供一種觸控面板，包括一可撓性基板以及一導(dǎo)電薄膜。導(dǎo)電薄膜配置于可撓性基板上，其中導(dǎo)電薄膜的面阻值介于10_4歐姆/平方(Ω / □)至200歐姆/平方， 且導(dǎo)電薄膜的光穿透率至少為87%。基于上述，本發(fā)明采用交織的金屬絲段或是金屬網(wǎng)作為觸控面板的導(dǎo)電薄膜以使導(dǎo)電薄膜兼具有高光線穿透率、低面阻值與良好的可撓曲性。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖1是本發(fā)明觸控面板的局部剖面示意圖。圖2Α與圖2Β是本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)電薄膜在顯微鏡下的示意圖。圖2C是圖2Α的導(dǎo)電薄膜被圖案化的示意圖。圖3是本發(fā)明一實(shí)施例中采用金屬絲段所構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜在面阻抗、分布密度與光穿透率之間的關(guān)系。圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例的導(dǎo)電薄膜在顯微鏡下的示意圖。
圖5是觸控面板的可 §曲性質(zhì)的測量方法。
主要元件符號(hào)說明
100 觸控面板；110 可撓性基板
120U20A 導(dǎo)電薄膜；120Β 金屬網(wǎng)；
122Α 金屬絲段；122Β 封閉孔洞；
200 治具；d 直徑；
D 菱形圖案；1、2:分布線；
W:線寬。
具體實(shí)施例方式圖1是本發(fā)明觸控面板的局部剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，觸控面板100包括一可撓性基板110以及一導(dǎo)電薄膜120。導(dǎo)電薄膜120配置于可撓性基板110上。在本實(shí)施例中， 為了使觸控面板100具有良好的光穿透性質(zhì)以及良好的感測精確度，導(dǎo)電薄膜120的面阻值須介于10_4歐姆/平方至200歐姆/平方，且導(dǎo)電薄膜120的光穿透率至少為87%。也就是說，本發(fā)明的導(dǎo)電薄膜120必須兼具有高光線穿透率以及低面阻抗以使觸控面板100 具有理想的品質(zhì)。為了實(shí)現(xiàn)光線穿透率以及低面阻抗的特性，以下說明將具體地提出多個(gè)導(dǎo)電薄膜的實(shí)施方式，不過以下的實(shí)施方式并非用以限定本發(fā)明。圖2A與圖2B是本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)電薄膜在顯微鏡下的示意圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1與圖2A，導(dǎo)電薄膜120A例如由多條金屬絲段122A交織而成。也就是說，金屬絲段122A散布(scattered)于可撓性基板110上并彼此交錯(cuò)以構(gòu)成觸控面板100上的導(dǎo)電薄膜120。由圖2A與圖2B可知，一條金屬絲段 122A的長度可以由5微米(ym)至150微米，而線寬W則由5納米(nm)至20納米。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電薄膜120A的制作方式可以是將金屬絲段122A均勻混合于一透明膠體(或溶液)中。接著，將混有金屬絲段122A的透明膠體(或溶液)涂布于圖1的可撓性基板110，待透明膠體(或溶液)凝固后即可形成金屬絲段122A所交織而成的導(dǎo)電薄膜120A。在實(shí)際的應(yīng)用中，導(dǎo)電薄膜120A形成于可撓性基板110后可以隨設(shè)計(jì)所需而圖案化。圖2C是圖2A的導(dǎo)電薄膜被圖案化的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2C，假設(shè)導(dǎo)電薄膜120A預(yù)定要被切割成多個(gè)菱形圖案D。導(dǎo)電薄膜120A在菱形圖案D以外的部分可以通過微影蝕刻制程、激光切割制程等方式移除即可獲得所需的圖案。由于金屬絲段122A彼此交錯(cuò)且實(shí)質(zhì)上具有均勻的分布密度，每一個(gè)菱形圖案D內(nèi)的金屬絲段122A彼此可電性連接。因此，圖案化后的導(dǎo)電薄膜120A應(yīng)用于觸控面板100時(shí)，每一個(gè)菱形圖案D可以視為一個(gè)感測電極。由此可知，導(dǎo)電薄膜120A可以是完整連續(xù)地配置于可撓性基板110上，也可以通過微影蝕刻制程、激光切割及印刷制程等圖案化制程構(gòu)成不同的圖案設(shè)計(jì)。當(dāng)然，導(dǎo)電薄膜 120A的圖案設(shè)計(jì)不限于此，其也可以是多個(gè)條狀電極、多個(gè)感測串列、或是其他形狀的電極圖案等。換句話說，本發(fā)明的觸控面板100可以是各種電阻式觸控面板或各種電容式觸控面板。具體而言，圖3是本發(fā)明一實(shí)施例中采用金屬絲段所構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜在面阻抗、 分布密度與光穿透率之間的關(guān)系，其中橫軸表示為面阻抗(單位歐姆/平方)，左側(cè)縱軸為分布密度(單位條/微米平方)，而右側(cè)縱軸則為光穿透率(單位％ )。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2A與圖3，由金屬絲段122A所構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜120A中，金屬絲段122A分布密度隨著面阻抗的增加而減少，其如分布線1所示；而光穿透率隨著面阻抗的增加而增加，其如分布線 2所示。由圖3可知，金屬絲段122A的分布密度在0. 09條/微米平方至0. 16條/微米平方時(shí)，光穿透率都可以維持在90%以上，且面阻抗都維持在200歐姆/平方以下。因此，導(dǎo)電薄膜120A具良好的光穿透性質(zhì)以及良好的導(dǎo)電性質(zhì)。換句話說，細(xì)長的金屬絲段122A所占面積微小，即使細(xì)長的金屬絲段122A的分布密度大于0. 09條/微米平方(pes/μ m2)，導(dǎo)電薄膜120A的光穿透率也可大于87%。另外，金屬材質(zhì)具有良好的導(dǎo)電性，且相鄰的金屬絲段122A之間彼此交錯(cuò)迭置以構(gòu)成電性連接的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。因此，導(dǎo)電薄膜120A的面阻值可以維持在200歐姆/平方以下，例如介于 10_4歐姆/平方至200歐姆/平方。因此，金屬絲段122A即使所占面積微小仍可以達(dá)到理想的導(dǎo)電性質(zhì)而使導(dǎo)電薄膜120A符合觸控面板100的需求。值得一提的是，設(shè)計(jì)者更可以依照不同的需求調(diào)整金屬絲段122A的分布密度以獲得所需的導(dǎo)電薄膜120A的性質(zhì)。另外，本發(fā)明也可以采用其他的方式是來實(shí)現(xiàn)高光線穿透性質(zhì)以及低面阻抗的導(dǎo)電薄膜。舉例而言，圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例的導(dǎo)電薄膜在顯微鏡下的示意圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1與圖4，導(dǎo)電薄膜120可以由圖4所示的一金屬網(wǎng)120B所構(gòu)成，其中金屬網(wǎng) 120B具有多個(gè)不規(guī)則分布的封閉孔洞122B。金屬網(wǎng)120B例如是金屬與有機(jī)材料經(jīng)自組織 (self-organization)作用而形成的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。也就是說，金屬網(wǎng)120B實(shí)質(zhì)上由同平面的金屬材料來構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，其與圖2A的金屬絲段122A交織迭置成的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)不完全相同。封閉孔洞122B的分布使得金屬網(wǎng)120B具有足夠的光穿透率而可作為圖1的觸控面板100的導(dǎo)電薄膜120。值得一提的是，設(shè)計(jì)者可以依照不同的需求調(diào)整封閉孔洞122B 的分布密度及尺寸大小以獲得所需的導(dǎo)電薄膜120的性質(zhì)。當(dāng)然，設(shè)計(jì)者可以依照不同的需求將金屬網(wǎng)120B圖案化以獲得所需的電極形狀，例如條狀、菱形圖案、串列狀等。整體而言，圖1的觸控面板100中，導(dǎo)電薄膜120主要由細(xì)微狀結(jié)構(gòu)(例如絲狀結(jié)構(gòu)、網(wǎng)狀結(jié)構(gòu))的金屬材料所構(gòu)成，其中細(xì)微狀結(jié)構(gòu)所占面積比例小，而金屬材料具有不錯(cuò)的導(dǎo)電性。因此，觸控面板100可具有高光線穿透率以及良好的導(dǎo)電性。另外，金屬材料具有延展性，所以觸控面板100還可具有良好的可撓曲的性質(zhì)。圖5是觸控面板的可撓曲性質(zhì)的測量方法。請(qǐng)參照?qǐng)D5，一般來說，觸控面板100 的可撓曲性質(zhì)可以通過以下的步驟來測量。將觸控面板100放置于一圓形的治具200上， 并沿著治具200彎折觸控面板100。隨后，觀察彎折過的觸控面板100。若觸控面板100上未產(chǎn)生裂痕則表示觸控面板100可撓曲性良好，而若觸控面板100上產(chǎn)生裂痕則表示觸控面板100可撓曲性不佳。此外，當(dāng)治具200的直徑d越小，而觸控面板100仍未產(chǎn)生裂痕則表示觸控面板100的可撓曲性質(zhì)越好。以觸控面板100而言，可撓性基板110本身具有相當(dāng)不錯(cuò)的可撓性，所以觸控面板 100整體的可撓性主要受限于導(dǎo)電薄膜120。因此，以下將本發(fā)明的導(dǎo)電薄膜120與現(xiàn)有的銦錫氧化物薄膜進(jìn)行比較?，F(xiàn)有采用銦錫氧化物薄膜作為感測電極的觸控面板中，在治具200的直徑d小于 20毫米(mm)時(shí)，銦錫氧化物薄膜就會(huì)在可撓性的測量過程中產(chǎn)生裂痕。因此，即使采用可撓性的承載基板，現(xiàn)有的觸控面板仍有可撓性不佳的問題。不過，本發(fā)明的觸控面板100以細(xì)微狀結(jié)構(gòu)的金屬材料作為導(dǎo)電薄膜120。金屬材料具有較好的延展性，所以在治具200的直徑d小于20毫米(mm)時(shí)，導(dǎo)電薄膜120仍不會(huì)有裂痕。由此可知，觸控面板100相比于現(xiàn)有設(shè)計(jì)而言具有更優(yōu)越的可撓曲性質(zhì)。此外，本發(fā)明的導(dǎo)電薄膜120也比銦錫氧化物薄膜具有更優(yōu)越的抗化學(xué)藥劑腐蝕能力。綜上所述，本發(fā)明采用細(xì)微狀結(jié)構(gòu)的金屬材料作為觸控面板的導(dǎo)電薄膜，其中金屬材料具有良好導(dǎo)電性與延展性，而細(xì)微狀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)所占面積比例小。因此，觸控面板的導(dǎo)電薄膜的面阻抗可有效降降低，而光線穿透率可有效提高。此外，觸控面板的可撓性也可大幅提升。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作適當(dāng)更改或等同替換，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種觸控面板，其特征在于，包括一可撓性基板；以及一導(dǎo)電薄膜，配置于所述可撓性基板上，其中所述導(dǎo)電薄膜的面阻值介于10_4歐姆/平方至200歐姆/平方，且所述導(dǎo)電薄膜的光穿透率至少為87%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜包括多條金屬絲段，所述多條金屬絲段散布于所述可撓性基板上，且所述多條金屬絲段彼此交錯(cuò)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控面板，其特征在于，各所述金屬絲段的長度由5微米至 150微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控面板，其特征在于，各所述金屬絲段的線寬由5納米至 20納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控面板，其特征在于，所述多條金屬絲段的分布密度大于 0. 09條/微米平方。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜包括一金屬網(wǎng)，所述金屬網(wǎng)具有多個(gè)不規(guī)則分布的封閉孔洞。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種觸控面板，包括一可撓性基板以及一導(dǎo)電薄膜。導(dǎo)電薄膜配置于可撓性基板上，其中導(dǎo)電薄膜的面阻值介于10-4歐姆/平方(Ω/□)至200歐姆/平方，且導(dǎo)電薄膜的光穿透率至少為87％。導(dǎo)電薄膜可包括多條金屬絲段，也可包括一金屬網(wǎng)。采用細(xì)微狀結(jié)構(gòu)的金屬材料作為導(dǎo)電薄膜使得導(dǎo)電薄膜兼具有高光線穿透率、低面阻值與良好的可撓曲性，從而使得觸控面板的可撓性大幅提升。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102298459SQ20101021329
公開日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2010年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月23日
發(fā)明者吳明坤, 林怡君, 黃炳文 申請(qǐng)人:東莞萬士達(dá)液晶顯示器有限公司, 勝華科技股份有限公司