專利名稱：Cpu供電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種供電電路，特別是一種CPU供電電路。
背景技術(shù)：
目前，許多主板均采用如圖1所示的CPU供電電路，該CPU供電電路利用一 PWM(Pulse-Width Modulation，脈寬調(diào)制)控制芯片輸出四路PWM信號，每一路PWM信號通過一個驅(qū)動IC(Integrated Circuit，集成電路)控制一對MOSFET (場效應(yīng)管)的導(dǎo)通、斷開以調(diào)整電壓輸出。這些MOSFET的開關(guān)頻率通常為220kHZ(千赫茲)，然而在CPU的溫度過高時，CPU的過熱保護(hù)引腳(PR0CH0T#)自動跳變?yōu)榈碗娖?，此時CPU的電源引腳(Vcore) 的紋波頻率約為220kHZ。該紋波頻率此時與所述MOSFET的開關(guān)頻率十分接近，易形成近似于電流諧振的現(xiàn)象，產(chǎn)生較大的沖擊電流，可導(dǎo)致燒壞MOSFET或CPU的后果。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種更加安全穩(wěn)定的CPU供電電路。一種CPU供電電路，包括一脈寬調(diào)制控制芯片及至少一對與所述脈寬調(diào)制控制芯片相連的場效應(yīng)管，所述脈寬調(diào)制控制芯片輸出信號切換所述場效應(yīng)管的開關(guān)狀態(tài)從而控制輸出至CPU的電壓，所述場效應(yīng)管的開關(guān)頻率與所述CPU的電源引腳的紋波頻率不同。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明CPU供電電路中場效應(yīng)管的開關(guān)頻率與CPU的電源引腳的紋波頻率不同，以防產(chǎn)生電流諧振現(xiàn)象，可提高CPU供電電路的安全性及穩(wěn)定性。


圖1是一傳統(tǒng)的CPU供電電路的示意圖。圖2是本發(fā)明較佳實(shí)施方式CPU供電電路的電路圖。圖3是圖2中MOSFET管Ql導(dǎo)通、Q2截止時的工作原理圖。圖4是圖2中MOSFET管Ql截止、Q2導(dǎo)通時的工作原理圖。主要元件符號說明PWM控制芯片 10RC 電路20MOSFET 管Q1、Q2電感Ll電容C1、C2、C3電阻R1、R具體實(shí)施例方式請參閱圖2，本發(fā)明CPU供電電路(單相或多相供電電路)包括一 PWM控制芯片 10，一對MOSFET管Ql、Q2，一電感Ll及一電容Cl。在該CPU供電電路中，該對MOSFET管QU Q2均為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，起到電子開關(guān)的作用；所述電感Ll和電容 Cl起到儲存電能和濾波的作用。所述MOSFET管Ql的柵極與所述PWM控制芯片10相連，所述MOSFET管Ql的漏極與一 12V電源相連，所述MOSFET管Ql源極與場效應(yīng)管Q2的漏極相連，所述MOSFET管Q2 的柵極與所述PWM控制芯片10相連，所述MOSFET管Q2的源極接地。所述MOSFET管Ql的源極及Q2的漏極共同連接至所述電感Ll的一端，所述電感Ll的另一端連接至一電壓輸出端Vout ；所述電容Cl的一端與該電壓輸出端Vout相連，另一端接地。所述PWM控制芯片10包括一電壓比較引腳COMP及一輸出電壓反饋引腳FB。所述輸出電壓反饋引腳FB可接收電壓輸出端的反饋信息，因而可實(shí)時監(jiān)控輸出電壓的大小。所述電壓比較引腳COMP將輸出電壓與一預(yù)設(shè)的電壓值作比較，以實(shí)時調(diào)節(jié)補(bǔ)償輸出電壓值。 所述PWM控制芯片10的C0MP、FB引腳之間連接有一 RC(電阻電容)電路20，所述RC電路包括一電阻Rl、一電容C2及一電容C3。所述電阻Rl與所述電容C2串聯(lián)并連接于所述PWM 控制芯片10的COMP、FB引腳之間。所述電容C3與所述電阻Rl及電容C2串接的電路并聯(lián)。所述PWM控制芯片10還包括一用于調(diào)節(jié)開關(guān)頻率的引腳FS，所述FS引腳與一電阻R2的一端相連，所述電阻R2的另一端接地。所述電阻R2的阻值與所述MOSFET管Ql、 Q2的開關(guān)頻率呈反比，電阻R2的阻值越大，MOSFET管Ql、Q2的開關(guān)頻率越低；電阻R2的阻值越小，MOSFET管Q1、Q2的開關(guān)頻率越高。在一實(shí)施例中，若將所述電阻R2的阻值設(shè)置為120k0hm(千歐姆)，所述MOSFET管Q1、Q2的開關(guān)頻率為220kHZ。增大或減小電阻R2的阻值可使所述MOSFET管Ql、Q2的開關(guān)頻率減小或增加。請參閱圖3，當(dāng)MOSFET管Ql導(dǎo)通(開關(guān)閉合)，MOSFET管Q2截止(開關(guān)斷開) 時，12V的直流電源經(jīng)過電感Ll給電容Cl充電并給CPU供電。電流經(jīng)過電感Ll的時候，由于電感Ll的阻抗，從電感Ll出來的電壓不是12V，而是從OV慢慢上升的，因而供給CPU的電壓小于12V。此時，電感Ll將一部分電能轉(zhuǎn)換成磁能存儲在電感Ll中，電容Cl也存儲有電能。請參閱圖4，當(dāng)MOSFET管Ql截止(開關(guān)斷開)，MOSFET管Q2導(dǎo)通(開關(guān)閉合) 時，所述12V供電電源斷開。電感Ll把儲存的磁能轉(zhuǎn)換成電流釋放出來，給電容Cl充電并給CPU供電。此時電感Ll成為供電電源。當(dāng)MOSFET管Ql導(dǎo)通(開關(guān)閉合)，MOSFET管Q2截止(開關(guān)斷開)時，電感Ll的電壓是從OV慢慢上升的。因此MOSFET管Ql導(dǎo)通的時間越長，供給CPU的電壓越高?？刂?MOSFET管Ql及Q2開關(guān)時間就可以把12V電壓降到適合的電壓供給CPU。MOSFET管Ql及 Q2開關(guān)時間及開關(guān)頻率由所述PWM控制芯片10輸出PWM信號控制。為了防止產(chǎn)生電流諧振現(xiàn)象，所述MOSFET管Ql、Q2的開關(guān)頻率應(yīng)不同于CPU的 Vcore引腳的紋波頻率220kHZ，兩者的差值最好在士5%以上，也即MOSFET管Ql、Q2的開關(guān)頻率大于231kHZ或小于209kHZ。在本發(fā)明一較佳實(shí)施方式中，所述電阻R2的阻值為IOOkOhm,所述MOSFET管Q1、 Q2的開關(guān)頻率為250kHZ，此時，所述MOSFET管Q1、Q2的開關(guān)頻率與CPU的Vcore引腳的紋波頻率相差較大，所述CPU供電電路可給CPU提供適當(dāng)?shù)墓ぷ麟妷?，且不會產(chǎn)生電流諧振現(xiàn)象。
權(quán)利要求
1.一種CPU供電電路，包括一脈寬調(diào)制控制芯片及至少一對與所述脈寬調(diào)制控制芯片相連的場效應(yīng)管，所述脈寬調(diào)制控制芯片輸出信號切換所述場效應(yīng)管的開關(guān)狀態(tài)從而控制輸出至CPU的電壓，其特征在于所述場效應(yīng)管的開關(guān)頻率與所述CPU的電源引腳的紋波頻率不同。
2.如權(quán)利要求1所述的CPU供電電路，其特征在于所述場效應(yīng)管的開關(guān)頻率與所述 CPU的電源引腳的紋波頻率相差5%以上。
3.如權(quán)利要求1所述的CPU供電電路，其特征在于所述脈寬調(diào)制控制芯片包括一調(diào)節(jié)開關(guān)頻率的引腳，所述調(diào)節(jié)開關(guān)頻率的引腳外接一接地電阻，所述接地電阻的阻值與所述場效應(yīng)管的開關(guān)頻率相關(guān)。
4.如權(quán)利要求3所述的CPU供電電路，其特征在于所述接地電阻的阻值為100千歐姆。
5.如權(quán)利要求4所述的CPU供電電路，其特征在于所述場效應(yīng)管的開關(guān)頻率為250千赫茲。
6.如權(quán)利要求1所述的CPU供電電路，其特征在于所述脈寬調(diào)制控制芯片包括一電壓比較引腳及一輸出電壓反饋引腳，所述電壓比較引腳與所述輸出電壓反饋引腳之間連接有一電阻電容電路。
7.如權(quán)利要求6所述的CPU供電電路，其特征在于所述電阻電容電路包括串聯(lián)連接于所述脈寬調(diào)制控制芯片的電壓比較引腳及輸出電壓反饋引腳之間的一第一電容及一電阻，所述第一電容連接于所述脈寬調(diào)制控制芯片的電壓比較引腳及所述電阻之間，所述電阻連接于所述第一電容及所述脈寬調(diào)制控制芯片的輸出電壓反饋引腳之間。
8.如權(quán)利要求7所述的CPU供電電路，其特征在于所述電阻電容電路還包括一連接于所述脈寬調(diào)制控制芯片的電壓比較引腳及輸出電壓反饋引腳之間的第二電容。
9.如權(quán)利要求1所述的CPU供電電路，其特征在于所述CPU供電電路為單相或多相供電電路。
全文摘要
一種CPU供電電路，包括一脈寬調(diào)制控制芯片及至少一對與所述脈寬調(diào)制控制芯片相連的場效應(yīng)管，所述脈寬調(diào)制控制芯片輸出信號切換所述場效應(yīng)管的開關(guān)狀態(tài)從而控制輸出至CPU的電壓，所述場效應(yīng)管的開關(guān)頻率與所述CPU的電源引腳的紋波頻率不同。本發(fā)明CPU供電電路可防止電流諧振現(xiàn)象，安全性及穩(wěn)定性較高。
文檔編號G06F1/26GK102289274SQ20101020339
公開日2011年12月21日 申請日期2010年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月18日
發(fā)明者胡可友 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司