專利名稱：一種乘法器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種使用在半導體集成電路等處的乘法器，尤其涉及用MOS晶體 管構(gòu)成的乘法器。
技術(shù)背景 模擬乘法器是根據(jù)模擬輸入信號的大小，產(chǎn)生一個與輸入信號呈比例關(guān)系的輸出 信號。模擬乘法器所接受的輸入信號一般為電壓信號，因此模擬乘法器也稱為電壓模擬乘 法器。模擬乘法器可應用于許多不同的裝置中，例如，調(diào)幅器、相位比較器、適應性濾波 器、以及正弦/余弦合成器等等。由于乘法器的廣泛使用，對乘法器的性能，精度的要求也 越來越高。而由于CMOS器件本身的物理特性，其域值和電遷移率易受溫度影響而導致了乘 法器的性能降低；乘法器的輸出會隨著溫度的升高而降低，這樣的乘法器具有負溫度系數(shù) 特性。

實用新型內(nèi)容本實用新型解決的現(xiàn)有技術(shù)問題是乘法器輸出會隨溫度的升高而降低。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供如下技術(shù)方案一種乘法器電路，包括，第一電流產(chǎn)生裝置，第二電流產(chǎn)生裝置，第三電流產(chǎn)生裝 置，第四電流產(chǎn)生裝置，第一電阻，第二電阻，減法器；其中，所述第一電流產(chǎn)生裝置包含第 一輸入端、連接相應外部輸入信號的第二輸入端、第一輸出端、第二輸出端，第二電流產(chǎn)生 裝置包括第一輸入端、第二輸入端、輸出端，第三電流產(chǎn)生裝置包括第一輸入端、第二輸入 端、輸出端，第四電流產(chǎn)生裝置包含第一輸入端、連接相應外部輸入信號的第二輸入端、第 一輸出端、第二輸出端；所述第一電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端與第四電流產(chǎn)生裝置的第一 輸入端連接，第二電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端與第三電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端連接，第 一電流產(chǎn)生裝置的第一輸出端與第二電流產(chǎn)生裝置的第二輸入端連接，第四電流產(chǎn)生裝置 的第一輸出端與第三電流產(chǎn)生裝置的第二輸入端連接，第一電流產(chǎn)生裝置的第二輸出端與 第三電流產(chǎn)生裝置的輸出端連接后分別與第一電阻的一端和減法器的第一輸入端連接，第 二電流產(chǎn)生裝置的輸出端與第四電流產(chǎn)生裝置的第二輸出端連接后分別與第二電阻的一 端和減法器的第二輸入端連接，第一電阻的另一端和第二電阻的另一端均與電源信號連 接，減法器的輸出為乘法器電路的輸出；所述第一電阻和第二電阻均具有正溫度系數(shù)特性。本實用新型中采用的第一電阻和第二電阻均具有正溫度系數(shù)特性，這樣與現(xiàn)有技 術(shù)中的乘法器具有負溫度系數(shù)的特性而相抵消，使得乘法器的最終輸出不隨溫度的變化而 改變。

圖1是本實用新型實施例的原理框圖；[0009]圖2是本實用新型實施例的具體電路示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施 例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。圖1是本實用新型實施例的原理框圖；一種乘法器電路，包括，第一電流產(chǎn)生裝置 1，第二電流產(chǎn)生裝置2，第三電流產(chǎn)生裝置3，第四電流產(chǎn)生裝置4，第一電阻R1，第二電阻 R2,減法器5 ；其中，所述第一電流產(chǎn)生裝置1包含第一輸入端11、連接相應外部輸入信號的 第二輸入端12、第一輸出端13、第二輸出端14，第二電流產(chǎn)生裝置2包括第一輸入端21、第 二輸入端22、輸出端23，第三電流產(chǎn)生裝置3包括第一輸入端31、第二輸入端32、輸出端 33，第四電流產(chǎn)生裝置4包含第一輸入端41、連接相應外部輸入信號的第二輸入端42、第一 輸出端43、第二輸出端44 ；所述第一電流產(chǎn)生裝置1的第一輸入端11與第四電流產(chǎn)生裝置 的第一輸入端41連接，第二電流產(chǎn)生裝置2的第一輸入端21與第三電流產(chǎn)生裝置3的第 一輸入端31連接，第一電流產(chǎn)生裝置1的第一輸出端13與第二電流產(chǎn)生裝置2的第二輸 入端22連接，第四電流產(chǎn)生裝置4的第一輸出端43與第三電流產(chǎn)生裝置3的第二輸入端 32連接，第一電流產(chǎn)生裝置1的第二輸出端14與第三電流產(chǎn)生裝置3的輸出端33連接后 分別與第一電阻R1的一端和減法器5的第一輸入端連接，第二電流產(chǎn)生裝置2的輸出端23 與第四電流產(chǎn)生裝置4的第二輸出端44連接后分別與第二電阻R2的一端和減法器5的第 二輸入端連接，第一電阻的另一端和第二電阻的另一端均與電源信號連接，減法器5的輸 出為乘法器電路的輸出；所述第一電阻和第二電阻均具有正溫度系數(shù)特性。圖中第一電阻R1和第二電阻R2是由NMOS晶體管的二極管連接方式形成。其中 第一電阻R1和第二電阻R2的參數(shù)特性大體相同。其參數(shù)特性一般指C。x 該二極管連接的 NMOS管單位面積的柵氧化層電容，Vgs =NMOS管的柵極和源極的電壓差，W =NMOS管的寬，L NMOS管的長等。由于由NMOS晶體管的二極管連接方式形成的電阻具有正溫度系數(shù)的特性， 這樣與現(xiàn)有技術(shù)中的乘法器具有負溫度系數(shù)的特性而相抵消，使得乘法器的最終輸出不隨 溫度的變化而改變。圖2所示是本實用新型實施例的具體電路示意圖；圖中第一電流產(chǎn)生裝置1包括 第一匪OS管M1，第二匪OS管M2，第三匪OS管M5，第一 PMOS管M3，第二 PMOS管M4 ；所述 第一 NMOS管Ml的柵極是第一電流產(chǎn)生裝置1的第二輸入端12，其源極與地信號連接，其漏 極連接第二 NMOS管M2的源極；第二 NMOS管M2的柵極和漏極均與電源連接；第一 PMOS管 M3的源極與電源連接，其柵極與第二 NMOS管M2的源極連接，其漏極與第二 PMOS管M4的源 極連接，第一 PMOS管M3的柵極是第一電流產(chǎn)生裝置的第一輸出端13 ；第PMOS管M4的漏 極與地信號連接，其柵極是第一電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端11 ；第三NMOS管M5的柵極與 第二 PMOS管M4的源極連接，第三NMOS管M5的源極與地信號連接，第三NMOS管M5的漏極 為第一電流產(chǎn)生裝置1的第二輸出端14。由圖中可以看出，第二 NMOS管M2的柵極和漏極電壓相同，此時第二 NMOS管M2是 二極管方式連接的，第二 NMOS管M2可以認為是第一 NMOS管Ml的負載；第一 NMOS管Ml的 柵極是第一電流產(chǎn)生裝置1的第二輸入端12，輸入電壓假設為(V3+VQ)，其中Vq為偏置直流電壓，V3為輸入交流電壓；第二 NMOS管M2的柵極與源極之間的電壓差用Vbi表示；第一電 流產(chǎn)生裝置1主要用來產(chǎn)生第一電流II，Il的產(chǎn)生是由第一電流產(chǎn)生裝置1的第二輸出端 14輸出的；由于第一 NMOS管MI和第二 NMOS管M2的電流相等，假設所有MOS管互相匹配， 工作于飽和區(qū)，并且忽略體效應，于是由MOS管工作在飽和區(qū)時的電流公式有1/2 μ nC0Xff/L (VWn)2 = 1/2 μ nC0Xff/L (VB1-VTn)2其 中μ 為電子遷移率，VTn為NMOS管的域值電壓，可以得到VQ+VVSS = VB1(1)同樣對于匹配的第一 PMOS管M3和第二 PMOS管M4，由于M3和M4的電流相等，于 是有1/2 μ pC0Xff/L (Vx-V1-Vtp) 2 = 1/2 μ pC0Xff/L (Vbi-Vtp) 2其中μ ρ為空穴遷移率，Vtp為PMOS管的域值電壓?？梢缘玫絍bi = Vx-V1(2)其中Vx是第PMOS管Μ4的源極電壓，V1是第二 PMOS管Μ4的柵極輸入電壓，也即 是第一電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端電壓。由第三匪OS管Μ5產(chǎn)生的電流Il為I1 = K(Vx-Vss-Vln)2(3)其中K = 1/2 μ nC0X0ff0/L0(4)Coxo是匹配的NMOS管的單位面積的柵氧化層電容，對于給定的NMOS管，這個參數(shù) 是一個固定的值；Wtl是匹配的NMOS管的寬，Ltl是匹配的NMOS管的長，對給定的NMOS管，它 們都是定值。圖中第二電流產(chǎn)生裝置2包括第三PMOS管M6，第四PMOS管M7，第四NMOS管M8 ； 所述第三PMOS管M6的柵極是第二電流產(chǎn)生裝置2的第二輸入端22，所述第三PMOS管M6 的源極與電源連接，其漏極與第四PMOS管M7的源極連接；第四PMOS管M7的柵極是第二電 流產(chǎn)生裝置2的第一輸入端21，第四PMOS管M7的源極與第四NMOS管M8的柵極連接，第四 PMOS管M7的漏極與地信號連接；所述第四NMOS管M8的源極與地信號連接，其漏極是第二 電流產(chǎn)生裝置2的輸出端23。由于匹配的第三PMOS管M6和第四PMOS管M7的電流相等，于是有1/2 μ pC0Xff/L (Vw-V2-Vtp) 2 = 1/2 μ pC0Xff/L (Vbi-Vtp) 2其中Vw是第四PMOS管M7的源極電壓，V2是第四PMOS管M7的柵極輸入電壓，也 即是第二電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端電壓?？梢缘玫絍B1= Vff-V2(5)由(1)，(2)，(5)可得VQ+V3-VSS = Vbi = Vx-V1 = Vff-V2(6)由匪OS管M8產(chǎn)生的電流12為I2 = K(Vff-Vss-Vln)2(7)圖中第三電流產(chǎn)生裝置3包括第七PMOS管M14，第八PMOS管M15，第八匪OS管 M16 ；所述第七PMOS管M14的柵極是第三電流產(chǎn)生裝置3的第二輸入端32，所述第七PMOS 管M14的源極與電源連接，其漏極與第八PMOS管M15的源極連接；第八PMOS管M15的柵極 是第三電流產(chǎn)生裝置3的第一輸入端31，第八PMOS管M15的源極與第八NMOS管M16的柵極連接，第八PMOS管M15的漏極與地信號連接；所述第八NMOS管M16的源極與地信號連 接，其漏極是第三電流產(chǎn)生裝置3的輸出端33。由于第七PMOS管M14和第八PMOS管M15的電流相等，于是由MOS管工作在飽和 區(qū)時的電流公式有1/2 μ p Coxff/L (Vz-V2-Vtp) 2 = 1/2 μ pC0Xff/L (VB2-VTp)2其中Vz是第八PMOS管M15的源極電壓，第七PMOS管M14的柵極與源極之間的電 壓差用Vb2表示，V2是第八PMOS管M15的柵極輸入電壓，也即是第三電流產(chǎn)生裝置3的第一 輸入端電壓。可以得到:VB2= Vz-V2(8) 那么由第八NMOS管M16產(chǎn)生的電流13為I3 = K(Vz-Vss-Vln)2(9)圖中第四電流產(chǎn)生裝置4包括第五NMOS管M9，第六NMOS管M10，第七NMOS管 M13，第五PMOS管M11，第六PMOS管M12 ；所述第五NMOS管M9的柵極是第四電流產(chǎn)生裝 置4的的第二輸入端42，其源極與地信號連接，其漏極連接第六NMOS管MlO的源極 ’第六 NMOS管MlO的柵極和漏極均與電源連接；第五PMOS管Mll的源極與電源連接，其柵極與第 六NMOS管MlO的源極連接，其漏極與第六PMOS管M12的源極連接，第五PMOS管Mll的柵 極是第四電流產(chǎn)生裝置4的第一輸出端43 ；第六PMOS管M12的漏極與地信號連接，其柵極 是第四電流產(chǎn)生裝置4的第一輸入端41 ；第七NMOS管M13的柵極與第六PMOS管M12的源 極連接，第七NMOS管M13的源極與地信號連接，第七NMOS管M13的漏極為第四電流產(chǎn)生裝 置4的第二輸出端44。由圖中可以看出，第六NMOS管MlO的柵極和漏極電壓相同，此時第六NMOS管MlO 是二極管方式連接的，第六NMOS管MlO可以認為是第五NMOS管M9的負載；第五NMOS管M9 的柵極是第四電流產(chǎn)生裝置4的第二輸入端42，輸入電壓假設為(V4+VQ)，其中Vq為直流偏 置電壓，V4為輸入交流電壓；第六NMOS管MlO的柵極與源極之間的電壓差用Vb2表示；第四 電流產(chǎn)生裝置4主要用來產(chǎn)生第四電流14，14的產(chǎn)生是由第四電流產(chǎn)生裝置4的第二輸出 端44輸出的；由于第五NMOS管M9和第六NMOS管MlO的電流相等，假設所有MOS管互相匹 配，工作于飽和區(qū)，并且忽略體效應，于是由MOS管工作在飽和區(qū)時的電流公式有1/2 μ nC0Xff/L (VQ+V4-Vss-VTn)2 = 1/2 μ nC0Xff/L (VB2~VTn)2可以得到VQ+V4_VSS= VB2(10)同樣對于匹配的第五PMOS管Mil和第六PMOS管M12，由于Mll和M12的電流相
等，于是有1/2 μ pC0Xff/L (Vy-V1-Vtp) 2 = 1/2 μ p Coxff/L (VB2-VTp)2其中Vy是第六PMOS管Ml2的源極電壓?？梢缘玫?Vy-V1= Vb2(11)由(8)，(10)，(11)可得VWss = Vb2 = Vy-V1 = Vz-V2(12)由第七NMOS管M13產(chǎn)生的電流14為I4 = K (Vy-Vss-VJ 2(13)由公式(3)，(6)，(7)得出第三NMOS管M5的電流Il為[0056]I1 = K (Vx-Vss-Vln)2 = K (VB1+VVss-VTn)2= K (VQ+V3-Vss+VrVss-VTn)2所以I1 = K(VQ+V3-2Vss+V「_VTn)2(14)第四匪OS管M8的電流12為I2 = K (Vff-Vss-Vln)2 = K (VB1+V2-Vss-VTn)2= K(VQ+V3-2Vss+V2-VTn)2所以I2 = (VQ+V3-2Vss+V2-VTn)2(15)由公式(9)，(12)，(13)有第八NMOS管M16的電流為I3 = K (Vz-Vss-Vln)2 = K (VQ+V4-Vss+V2-Vss-VTn)2所以I3 = K(VQ+V4-2Vss+V2_VTn)2(16)第七NMOS管M13的電流為；I4 = K (Vy-Vss-Vln)2 = K (VQ+VfVss+VfVss-Vj2所以I4 = K(VQ+V4-2Vss+V「VTn)2(17)通過圖2可以看出，乘法器的輸出V0= (V+)-(V-) = [VDD- (I2+I4) *R2] - [VDD- (I^I3) ^R1]其中第一電阻R1和第二電阻R2均由NMOS晶體管的二極管連接方式形成，并且完 全相同，令 R1 = R2 = R0，I0 = IJI3-I2-I4,于是有V0 = (I^I3-I2-I4, )*Rq = I0R0(18)由于I0 = I^I3-I2-I4,由公式(14)，(15)，(16)，(17)可得I0 = VI3-I2-I4 = (I1-I2)+ (I3-I4)= [K (VQ+V3-2Vss+VrVTn)2- (VQ+V3-2Vss+V2-VTn)2] +[K (VQ+V4-2Vss+V2-VTn) 2_K (VQ+V4-2VSS +Y1-Yj2]= [K (2VQ+2V3-4Vss+V1+V2-2VTn) (V1-V2)]+ [K (2VQ+2V4-2Vss+V2+Vr2VTn) (V2-V1)]= K (V1-V2) [ (2VQ+2V3-4Vss+V1+V2-2VTn) - (2VQ+2V4-2Vss+V2+V「2VTn)]= K (V1-V2) (2V3-2V4)于是有I。= ZK(V1-V2) (V3-V4)(19)由(18) (19)兩式可得V0 = I0R0 = 2KR0 (V1-V2) (V3-V4)(20)由于K是與電子遷移率μ 有關(guān)的量，所以Vtl是一個與μη有關(guān)的量。在實際的 電路應用中μ 是一個負溫度系數(shù)當量，所以乘法器的輸出Vtl會隨溫度的升高而降低，即Vtl 是一個負溫度系數(shù)量。從而使得乘法器的實際輸出結(jié)果與理論值產(chǎn)生誤差，從而進一步影 響到整體電路的工作性能。本實用新型利用NMOS晶體管的二極管連接方式來形成電阻R。。由MOS管等效模 型可知，此時的MOS管的等效電阻為R0 = l/gm = 1/(μ nc。x(Vgs-Vln)*W/L)(21)其中C。x是該二極管連接的NMOS管單位面積的柵氧化層電容，對于給定的這個 NMOS管，該值是一個固定值，Vgs是這個NMOS管的柵極和源極的電壓差，W是這個NMOS管的寬，L是這個NMOS管的長，對于給定的該NMOS管，W和L都是固定值。由于μη具有負的溫度系數(shù)，所以該電阻Rtl具有正的溫度系數(shù)。由公式⑷，(20)，(21)可得， V0 = 2*1/2 μ nC0X0ff0/L0*l/( μ nC。x (Vgs-Vln) *W/L) * (V1-V2) (V3-V4)= C0X0ff0L0*l/Cox (Vgs-Vln) *W/L) * (V1-V2) (V3-V4) (22)通過(22)式可以明顯地看出NM0S晶體管的二極管連接方式來形成的電阻Rtl，與 μη成反比，而、與μη成正比，因而得到的Vtl值剛好將μ η消掉，所以改進后的乘法器從理 論上消除了由于μ 存在而導致乘法器輸出Vtl受溫度影響這一特性。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本 實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型 的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種乘法器電路，包括，第一電流產(chǎn)生裝置，第二電流產(chǎn)生裝置，第三電流產(chǎn)生裝置，第四電流產(chǎn)生裝置，第一電阻，第二電阻，減法器；其特征在于所述第一電流產(chǎn)生裝置包含第一輸入端、連接相應外部輸入信號的第二輸入端、第一輸出端、第二輸出端，第二電流產(chǎn)生裝置包括第一輸入端、第二輸入端、輸出端，第三電流產(chǎn)生裝置包括第一輸入端、第二輸入端、輸出端，第四電流產(chǎn)生裝置包含第一輸入端、連接相應外部輸入信號的第二輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述第一電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端與第四電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端連接，第二電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端與第三電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端連接，第一電流產(chǎn)生裝置的第一輸出端與第二電流產(chǎn)生裝置的第二輸入端連接，第四電流產(chǎn)生裝置的第一輸出端與第三電流產(chǎn)生裝置的第二輸入端連接，第一電流產(chǎn)生裝置的第二輸出端與第三電流產(chǎn)生裝置的輸出端連接后分別與第一電阻的一端和減法器的第一輸入端連接，第二電流產(chǎn)生裝置的輸出端與第四電流產(chǎn)生裝置的第二輸出端連接后分別與第二電阻的一端和減法器的第二輸入端連接，第一電阻的另一端和第二電阻的另一端均與電源信號連接，減法器的輸出為乘法器電路的輸出；所述第一電阻和第二電阻均具有正溫度系數(shù)特性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的乘法器電路，其特征在于所述第一電阻和第二電阻均由 NMOS晶體管的二極管連接方式形成，并且第一電阻和第二電阻的參數(shù)特性大體相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的乘法器電路，其特征在于所述第一電流產(chǎn)生裝置包括第一NMOS管，第二 NMOS管，第三NMOS管，第一 PMOS管，第二 PMOS管；所述第一 NMOS管的柵 極是第一電流產(chǎn)生裝置的第二輸入端，其源極與地信號連接，其漏極連接第二 NMOS管的源 極；第二 NMOS管的柵極和漏極均與電源連接；第一 PMOS管的源極與電源連接，其柵極與第二NMOS管的源極連接，其漏極與第二 PMOS管的源極連接，第一 PMOS管的柵極是第一電流 產(chǎn)生裝置的第一輸出端；第二 PMOS管的漏極與地信號連接，其柵極是第一電流產(chǎn)生裝置的 第一輸入端；第三NMOS管的柵極與第二 PMOS管的源極連接，第三NMOS管的源極與地信號 連接，第三NMOS管的漏極為第一電流產(chǎn)生裝置的第二輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的乘法器電路，其特征在于所述第二電流產(chǎn)生裝置包括第三 PMOS管，第四PMOS管，第四NMOS管；所述第三PMOS管的柵極是第二電流產(chǎn)生裝置的第二 輸入端，所述第三PMOS管的源極與電源連接，其漏極與第四PMOS管的源極連接；第四PMOS 管的柵極是第二電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端，第四PMOS管的源極與第四NMOS管的柵極連 接，第四PMOS管的漏極與地信號連接；所述第四NMOS管的源極與地信號連接，其漏極是第 二電流產(chǎn)生裝置的輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的乘法器電路，其特征在于所述第三電流產(chǎn)生裝置包括第七 PMOS管，第八PMOS管，第八NMOS管；所述第七PMOS管的柵極是第三電流產(chǎn)生裝置的第二 輸入端，所述第七PMOS管的源極與電源連接，其漏極與第八PMOS管的源極連接；第八PMOS 管的柵極是第三電流產(chǎn)生裝置的第一輸入端，第八PMOS管的源極與第八NMOS管的柵極連 接，第八PMOS管的漏極與地信號連接；所述第八NMOS管的源極與地信號連接，其漏極是第 三電流產(chǎn)生裝置的輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的乘法器電路，其特征在于所述第四電流產(chǎn)生裝置包括第五 NMOS管，第六NMOS管，第七NMOS管，第五PMOS管，第六PMOS管；所述第五NMOS管的柵極 是第四電流產(chǎn)生裝置的的第二輸入端，其源極與地信號連接，其漏極連接第六NMOS管的源極；第六NMOS管的柵極和漏極均與電源連接 ’第五PMOS管的源極與電源連接，其柵極與第 六NMOS管的源極連接，其漏極與第六PMOS管的源極連接，第五PMOS管的柵極是第四電流 產(chǎn)生裝置的第一輸出端；第六PMOS管的漏極與地信號連接，其柵極是第四電流產(chǎn)生裝置的 第一輸入端；第七NMOS管的柵極與第六PMOS管的源極連接，第七NMOS管的源極與地信號 連接，第七NMOS管的漏極為第四電流產(chǎn)生裝置的第二輸出端。
專利摘要本實用新型提供了一種乘法器電路，包括，第一電流產(chǎn)生裝置，第二電流產(chǎn)生裝置，第三電流產(chǎn)生裝置，第四電流產(chǎn)生裝置，第一電阻，第二電阻，減法器；其中第一電阻和第二電阻是由NMOS晶體管的二極管連接方式形成并且完全相同；由于由NMOS晶體管的二極管連接方式形成的電阻具有正溫度系數(shù)的特性，這樣與現(xiàn)有技術(shù)中的乘法器具有負溫度系數(shù)的特性而相抵消，使得乘法器的最終輸出不隨溫度的變化而改變。
文檔編號G06G7/16GK201622572SQ20092026089
公開日2010年11月3日 申請日期2009年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月28日
發(fā)明者尹輝, 徐坤平, 李海, 楊云, 汪兵 申請人:比亞迪股份有限公司