專利名稱：電子設(shè)備及其存儲裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種電子設(shè)備及其存儲裝置，能夠反饋壽命參數(shù)。
背景技術(shù)：
隨著固態(tài)硬盤(SSD，solid state disk)價格逐漸下降，而在筆記本中普及。但是 SSD的壽命一直是大家擔心的問題。因為閃存(flash)的擦除次數(shù)是有限制的，SLC是10 萬次，MLC是1萬次。盡管很多分析說SSD使用上5-6年沒有問題，但大家還是擔心，原因 在于SSD壽命對大家是未知數(shù)。發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中存在如下缺陷用戶無法可以直 觀了解存儲設(shè)備的壽命，從而進行數(shù)據(jù)備份。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種支持反饋使用狀態(tài)的存儲裝置，該 裝置可以給用戶一個壽命提示。本實用新型所要解決的另一個技術(shù)問題在于提供一種采用這種存儲裝置的電子 設(shè)備。根據(jù)一個方面，提供了一種存儲裝置，包括第一存儲模塊，用于存儲用戶數(shù)據(jù)； 第二存儲模塊，用于存儲該存儲裝置的存儲狀態(tài)參數(shù)；控制模塊，與第一存儲模塊和第二存 儲模塊連接，用于基于對第一存儲模塊的讀寫操作更新存儲狀態(tài)參數(shù)；讀取模塊，與第二存 儲模塊連接，用于讀取存儲狀態(tài)參數(shù)；以及，輸出模塊，與讀取模塊連接，用于輸出存儲狀態(tài) 參數(shù)。其中，存儲狀態(tài)參數(shù)包括壽命參數(shù)。其中，存儲狀態(tài)參數(shù)還包括關(guān)于第一存儲模塊的總寫入數(shù)據(jù)量、累計寫入數(shù)據(jù)量 和單位時間平均寫入數(shù)據(jù)量，壽命參數(shù)基于總寫入數(shù)據(jù)量、累計寫入數(shù)據(jù)量和單位時間平 均寫入數(shù)據(jù)量來確定。其中，控制模塊將總寫入數(shù)據(jù)量和累計寫入數(shù)據(jù)量之差除以單位時間平均寫入量 而得到壽命參數(shù)，其中，壽命參數(shù)表示剩余可用時間。其中，存儲狀態(tài)參數(shù)還包括關(guān)于第一存儲模塊的總寫入數(shù)據(jù)量和累計寫入數(shù)據(jù) 量，壽命參數(shù)基于總寫入數(shù)據(jù)量和累計寫入數(shù)據(jù)量來確定。其中，控制模塊將總寫入數(shù)據(jù)量和累計寫入數(shù)據(jù)量之差除以總寫入數(shù)據(jù)量而得到 壽命參數(shù)，其中，壽命參數(shù)表示剩余可用壽命百分比。其中，輸出模塊是smart訪問技術(shù)接口和I2C接口之一。根據(jù)另一方面，還提供了一種電子設(shè)備，其包括存儲裝置。所述存儲裝置包括第 一存儲模塊，用于存儲用戶數(shù)據(jù)；第二存儲模塊，用于存儲存儲裝置的存儲狀態(tài)參數(shù)，存儲 狀態(tài)參數(shù)包括壽命參數(shù)；控制模塊，與第一存儲模塊和第二存儲模塊連接，用于基于對第一 存儲模塊的讀寫操作更新存儲狀態(tài)參數(shù)；讀取模塊，與第二存儲模塊連接，用于讀取存儲狀態(tài)參數(shù)；以及輸出模塊，與讀取模塊連接，用于輸出存儲狀態(tài)參數(shù)。其中，存儲狀態(tài)參數(shù)包括壽命參數(shù)、關(guān)于第一存儲模塊的總寫入數(shù)據(jù)量、累計寫入 數(shù)據(jù)量和單位時間平均寫入數(shù)據(jù)量，壽命參數(shù)基于總寫入數(shù)據(jù)量、累計寫入數(shù)據(jù)量和單位 時間平均寫入數(shù)據(jù)量來確定。其中，電子設(shè)備為計算機；存儲裝置的第一存儲模塊為計算機的硬盤；存儲裝置 的輸出模塊為計算機的顯示裝置，用于顯示存儲裝置的狀態(tài)參數(shù)。本實用新型具有以下技術(shù)效果控制模塊與第一存儲模塊和第二存儲模塊連接，基于對第一存儲模塊的讀寫操作 更新存儲裝置的存儲狀態(tài)參數(shù)，包括壽命參數(shù)。這樣，本實用新型可以實現(xiàn)直觀表明存儲裝 置的使用狀態(tài)，給用戶一個壽命提示，例如，告訴用戶，壽命降低到百分之多少，計算用戶每 天寫入量的多少，計算大概還可以使用多長時間。

此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分， 本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當 限定。在附圖中圖1是根據(jù)本實用新型的實施例的固態(tài)硬盤裝置(存儲裝置)的方框圖。
具體實施方式
下面參考附圖，詳細說明本實用新型的具體實施方式
。圖1是根據(jù)本實用新型的實施例的固態(tài)硬盤裝置的功能框圖。如圖1所示，具有支 持反饋使用狀態(tài)功能的固態(tài)硬盤裝置100，包括固態(tài)硬盤(即第一存儲模塊，也即用戶數(shù) 據(jù)存儲模塊)101、狀態(tài)參數(shù)存儲模塊102、控制模塊104、讀取模塊105、以及輸出模塊106。下面，將參考圖1來詳細說明固態(tài)硬盤裝置及其支持反饋其使用狀態(tài)的實現(xiàn)方 式。其中，應當理解，固態(tài)硬盤做好之后，它的總寫入次數(shù)(例如1000次)就固定了，總寫 入數(shù)據(jù)量也就固定了，對于32GB的固態(tài)硬盤，就是32xl000xl0000B。固態(tài)硬盤裝置100中的狀態(tài)參數(shù)存儲模塊102存儲累計寫入的數(shù)據(jù)量并且控制模 塊104基于用戶對固態(tài)硬盤裝置100的讀寫操作來更新該累計寫入的數(shù)據(jù)量。固態(tài)硬盤裝 置100的控制模塊104可以具體包括一統(tǒng)計模塊(未示出)對用戶每天寫入數(shù)據(jù)量的平均 值進行統(tǒng)計，并將該平均值儲存在狀態(tài)存儲模塊102中。固態(tài)硬盤裝置100的控制模塊104 對存儲在狀態(tài)參數(shù)存儲模塊102中的累計寫入數(shù)據(jù)量進行讀取并進行如下公式計算剩余壽命百分比=(總寫入數(shù)據(jù)量-累計寫入的數(shù)據(jù)量)/總寫入數(shù)據(jù)量.......
......................................(1)和/ 或剩余可用時間=(總寫入數(shù)據(jù)量-累計寫入的數(shù)據(jù)量)/每天平均寫入數(shù)據(jù)量... .......................................(2)因此，由控制模塊104完成整個統(tǒng)計計算，并存儲在狀態(tài)參數(shù)存儲模塊102中，從 而即使在掉電情況下該統(tǒng)計數(shù)據(jù)也不會丟失。讀取模塊105與狀態(tài)參數(shù)存儲模塊102連接，用于讀取其中存儲的各狀態(tài)參數(shù)，包括總寫入數(shù)據(jù)量、累計寫入的數(shù)據(jù)量以及平均寫入數(shù)據(jù)量(單位時間平均寫入數(shù)據(jù)量)，以 及依據(jù)這些計算出的壽命參數(shù)，例如上述剩余壽命百分比和剩余可用時間。如果只需要計 算剩余壽命百分比，則狀態(tài)參數(shù)中可以不包括單位時間平均寫入數(shù)據(jù)量。接下來，由輸出模塊106將該統(tǒng)計數(shù)據(jù)輸出到外部。其中，輸出模塊106可以利用 多種方式將壽命數(shù)據(jù)讀出。例如，利用現(xiàn)有的smart接口。目前SATA，SCSI，IDE等硬盤接 □都支持smart訪問技術(shù)，(Self-Monitoring Analysis and Reporting Technology,自監(jiān) 測、分析和報告技術(shù))。這項及時會對包括磁頭、盤片、電機、電路等硬盤部件進行監(jiān)測，通過 檢測電路和主機上的監(jiān)測軟件對被監(jiān)測對象進行檢測，把其運行狀況和歷史記錄同預設(shè)的 安全值進行分析、比較，當超出了安全值的范圍，會自動向用戶發(fā)出警告，進而對硬盤潛在 故障做出有效預測，提高了數(shù)據(jù)存儲的安全性。S. M. A. R. T信息保留在硬盤的系統(tǒng)保留區(qū) (service area)內(nèi)，這個區(qū)域一般位于硬盤0物理面的最前面幾十個物理磁道，由廠商寫 入相關(guān)內(nèi)部管理程序。除了 S. M. A. R. T信息表外還包括低級格式化程序、加密解密程序、自 監(jiān)控程序、自動修復程序等。監(jiān)測軟件通過一個名為“SMART RETURN STATUS”的命令(命 令代碼為B0h)對S. M. A. R. T信息進行讀取，且不允許最終用戶對信息進行修改?？梢栽赟. M.A.R. T信息中再加入一些項，用來反饋SSD硬盤的壽命。比如剩余的 壽命百分比，累計寫入的數(shù)據(jù)量等?；蛘撸黾有碌慕涌?，比如I2C，來完成數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓ぷ?。上述固態(tài)硬盤裝置100可以進一步用于諸如計算機的電子設(shè)備中。這時，第一存 儲模塊就是設(shè)在計算機中的固態(tài)硬盤，存儲輸出模塊為計算機的顯示裝置，用于顯示存儲 裝置的狀態(tài)參數(shù)，這樣，可以直觀地向使用者呈現(xiàn)固態(tài)硬盤裝置100的剩余壽命情況。因此，由計算機的相應部分完成整個統(tǒng)計計算，并將計算結(jié)果輸出以向用戶顯示 硬盤的使用狀況。以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域 的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任 何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種存儲裝置，其特征在于，包括第一存儲模塊，用于存儲用戶數(shù)據(jù)；第二存儲模塊，用于存儲所述存儲裝置的存儲狀態(tài)參數(shù)；控制模塊，與所述第一存儲模塊和所述第二存儲模塊連接，用于基于對所述第一存儲模塊的讀寫操作更新所述存儲狀態(tài)參數(shù)；讀取模塊，與所述第二存儲模塊連接，用于讀取所述存儲狀態(tài)參數(shù)；以及輸出模塊，與所述讀取模塊連接，用于輸出所述存儲狀態(tài)參數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，第二存儲模塊用于存儲包括壽命參 數(shù)在內(nèi)的所述存儲狀態(tài)參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，第二存儲模塊用于存儲包括1)關(guān)于 所述第一存儲模塊的總寫入數(shù)據(jù)量、累計寫入數(shù)據(jù)量和單位時間平均寫入數(shù)據(jù)量、以及2) 基于所述總寫入數(shù)據(jù)量、累計寫入數(shù)據(jù)量和單位時間平均寫入數(shù)據(jù)量所確定的壽命參數(shù)在 內(nèi)的所述存儲狀態(tài)參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲裝置，其特征在于，所述控制模塊用于將所述總寫入數(shù) 據(jù)量和所述累計寫入數(shù)據(jù)量之差除以所述單位時間平均寫入量而得到所述壽命參數(shù)，其 中，所述壽命參數(shù)表示剩余可用時間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，第二存儲模塊用于存儲包括1)關(guān)于 所述第一存儲模塊的總寫入數(shù)據(jù)量和累計寫入數(shù)據(jù)量，以及2)基于所述總寫入數(shù)據(jù)量和 所述累計寫入數(shù)據(jù)量所確定壽命參數(shù)在內(nèi)的所述存儲狀態(tài)參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的存儲裝置，其特征在于，所述控制模塊用于將所述總寫入 數(shù)據(jù)量和所述累計寫入數(shù)據(jù)量之差除以所述總寫入數(shù)據(jù)量而得到所述壽命參數(shù)，其中，所 述壽命參數(shù)表示剩余可用壽命百分比。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述輸出模塊是smart訪問技術(shù)接口 和I2C接口之一。
8.一種電子設(shè)備，包括存儲裝置，其特征在于，所述存儲裝置包括 第一存儲模塊，用于存儲用戶數(shù)據(jù)；第二存儲模塊，用于存儲所述存儲裝置的存儲狀態(tài)參數(shù)；控制模塊，與所述第一存儲模塊和所述第二存儲模塊連接，用于基于對所述第一存儲 模塊的讀寫操作更新所述存儲狀態(tài)參數(shù)；讀取模塊，與所述第二存儲模塊連接，用于讀取所述存儲狀態(tài)參數(shù)；以及 輸出模塊，與所述讀取模塊連接，用于輸出所述存儲狀態(tài)參數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其特征在于所述第二存儲模塊用于存儲包括1)關(guān)于所述第一存儲模塊的總寫入數(shù)據(jù)量、累計寫 入數(shù)據(jù)量和單位時間平均寫入數(shù)據(jù)量，以及2)基于所述總寫入數(shù)據(jù)量、累計寫入數(shù)據(jù)量 和單位時間平均寫入數(shù)據(jù)量所確定的壽命參數(shù)在內(nèi)的所述存儲狀態(tài)參數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的電子設(shè)備，其特征在于 所述電子設(shè)備為計算機；所述存儲裝置的第一存儲模塊為所述計算機的硬盤；以及所述存儲裝置的輸出模塊為所述計算機的顯示裝置，用于顯示所述存儲裝置的狀態(tài)參數(shù)。
專利摘要本實用新型提出了一種支持反饋使用狀態(tài)的存儲裝置及采用該存儲裝置的電子設(shè)備。該存儲裝置包括第一存儲模塊，用于存儲用戶數(shù)據(jù)；第二存儲模塊，用于存儲該存儲裝置的存儲狀態(tài)參數(shù)，存儲狀態(tài)參數(shù)包括壽命參數(shù)；控制模塊，與第一存儲模塊和第二存儲模塊連接，用于基于對第一存儲模塊的讀寫操作更新存儲狀態(tài)參數(shù)；讀取模塊，與第二存儲模塊連接，用于讀取存儲狀態(tài)參數(shù)；以及，輸出模塊，與讀取模塊連接，用于輸出存儲狀態(tài)參數(shù)。本實用新型可以實現(xiàn)直觀表明存儲裝置的使用狀態(tài)，給用戶一個壽命提示。
文檔編號G06F11/32GK201725327SQ20092024614
公開日2011年1月26日 申請日期2009年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月9日
發(fā)明者趙謙 申請人:聯(lián)想(北京)有限公司