專(zhuān)利名稱：一種結(jié)合電池和dram的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)，特別涉及一種結(jié)合電池DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的硬 盤(pán)存儲(chǔ)方法及裝置。
背景技術(shù)：
縱觀硬盤(pán)十年來(lái)的發(fā)展，傳統(tǒng)硬盤(pán)的容量經(jīng)歷了百兆級(jí)到太級(jí)的發(fā)展，傳統(tǒng)硬盤(pán) 的接口方式也經(jīng)歷了從UDMA33(并行硬件驅(qū)動(dòng)器接口的一種)到SATA2(第二代串行硬件 驅(qū)動(dòng)器接口)的幾代更替，存儲(chǔ)方式更是進(jìn)行了由縱向記錄技術(shù)到垂直記錄技術(shù)的革新。 這說(shuō)明，傳統(tǒng)硬盤(pán)無(wú)論在容量上還是在讀寫(xiě)速度上都有了相當(dāng)大的進(jìn)步。但是，由于傳統(tǒng)硬 盤(pán)的工作原理始終是磁頭以機(jī)械運(yùn)動(dòng)的方式在磁介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的，所以，即使硬盤(pán)經(jīng)歷 的幾代的發(fā)展，也難以規(guī)避其在存儲(chǔ)容量和讀寫(xiě)速度上遇到的瓶頸。固態(tài)硬盤(pán)的出現(xiàn)，改善 了傳統(tǒng)硬盤(pán)在啟動(dòng)速度、讀取延遲、噪音、抗震性、壽命上的缺點(diǎn)，但由于其生產(chǎn)成本高、容 量低等問(wèn)題，造成了固態(tài)硬盤(pán)難以在市場(chǎng)上普及。并且，即使固態(tài)硬盤(pán)較之傳統(tǒng)硬盤(pán)有讀 取延遲小的優(yōu)勢(shì)，但與主板與內(nèi)存之間的讀寫(xiě)訪問(wèn)速度相比，尤其是寫(xiě)入速度，仍然沒(méi)有優(yōu) 勢(shì)。現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高傳統(tǒng)硬盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度，采用了將DRAM內(nèi)存與固態(tài)硬 盤(pán)結(jié)合的方式。以DRAM內(nèi)存作為臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)部件，并通過(guò)第二電源來(lái)維持DRAM內(nèi)存中 的數(shù)據(jù)，當(dāng)?shù)诙娫措娏坎蛔銜r(shí)，才將DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到固態(tài)硬盤(pán)中。發(fā)明人在實(shí)施本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)至少存在如下缺陷由于DRAM內(nèi)存 僅作為臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)部件，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)依然以固態(tài)硬盤(pán)為主，因此，仍然需要對(duì)固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)行 頻繁的讀寫(xiě)操作來(lái)獲取所需數(shù)據(jù)，造成了整體裝置讀寫(xiě)速度的提高遇到了瓶頸。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種結(jié)合電池和DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法及裝置，用 以解決現(xiàn)有技術(shù)中以DRAM內(nèi)存為臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)，固態(tài)硬盤(pán)為主要存儲(chǔ)介質(zhì)而造成了整體 系統(tǒng)提高讀寫(xiě)速度的瓶頸問(wèn)題。一種結(jié)合DRAM內(nèi)存的硬盤(pán)存儲(chǔ)的方法，包括把DRAM內(nèi)存與傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)結(jié)合，使用充電電池供電，并以傳統(tǒng)硬盤(pán)或固 態(tài)硬盤(pán)作為后備存儲(chǔ)部件，平時(shí)采用DRAM內(nèi)存作為主要存儲(chǔ)部件，當(dāng)電源斷電或DRAM內(nèi)存 容量達(dá)到預(yù)先設(shè)定的閾值時(shí)，依靠充電電池供電將DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固 態(tài)硬盤(pán)中；讀取數(shù)據(jù)時(shí)，先檢查DRAM內(nèi)存中是否存在所需數(shù)據(jù)，如果命中則直接從DRAM內(nèi)存 中讀取該數(shù)據(jù)，否則從傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中讀??；一種電源管理方案，在電腦正常關(guān)機(jī)時(shí)，主板依然對(duì)硬盤(pán)供電，只有在徹底切斷電 源時(shí)，才依靠充電電池供電保存DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)；在使用充電電池進(jìn)行供電時(shí)，由電池 剩余電量動(dòng)態(tài)決定所述閾值，將所述閾值范圍外的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中，而系 統(tǒng)一旦恢復(fù)電源供電，可根據(jù)所述動(dòng)態(tài)變化的閾值恢復(fù)DRAM中的數(shù)據(jù)量。
本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種結(jié)合DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)裝置，包括DRAM內(nèi)存，作為本發(fā)明中的主要存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的部件，并由所述動(dòng)態(tài)變化的閾值來(lái)決 定DRAM中留存的數(shù)據(jù)量；傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)，作為本發(fā)明中的備用存儲(chǔ)部件，當(dāng)DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)量超 出所述閾值的范圍時(shí)，才將超出所述閾值范圍的數(shù)據(jù)以整塊的方式寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬 盤(pán)中；充電電池，用于保存DRAM內(nèi)存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并由充電電池的余量決定所述閾 值，在電腦正常關(guān)機(jī)的情況下，主板依然對(duì)硬盤(pán)供電，充電電池處于充電狀態(tài)，當(dāng)電腦徹底 斷開(kāi)電源時(shí)，充電電池才對(duì)DRAM供電；讀寫(xiě)控制電路，用于主板對(duì)DRAM內(nèi)存、傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)的訪問(wèn)，其中傳統(tǒng)硬 盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)分別對(duì)應(yīng)不同的讀寫(xiě)控制電路，本發(fā)明能夠根據(jù)掛載硬盤(pán)是傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài) 硬盤(pán)自動(dòng)切換到對(duì)應(yīng)的讀寫(xiě)控制電路。本發(fā)明實(shí)施例提供的結(jié)合電池DRAM內(nèi)存的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法及裝置，通過(guò)把DRAM內(nèi) 存與傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)結(jié)合，使用充電電池供電，并以傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)作為后備存 儲(chǔ)部件，平時(shí)采用DRAM內(nèi)存作為主要存儲(chǔ)部件，使得電腦與硬盤(pán)之間的數(shù)據(jù)交換以主板和 DRAM內(nèi)存為主。且只有當(dāng)DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)量超過(guò)預(yù)先設(shè)定的閾值時(shí)，才依靠電源或充電 電池供電將超出閾值部分的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中；讀取數(shù)據(jù)時(shí)，先檢查DRAM內(nèi) 存中是否存在所需數(shù)據(jù)，如果命中則直接從DRAM內(nèi)存中讀取該數(shù)據(jù)，否則從傳統(tǒng)硬盤(pán)或固 態(tài)硬盤(pán)中讀取。由于極大的減少了對(duì)傳統(tǒng)硬盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)的讀寫(xiě)操作，轉(zhuǎn)而以主板對(duì)DRAM 內(nèi)存的讀寫(xiě)操作為主，所以能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的瓶頸，提高了對(duì)硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法一個(gè)實(shí)施例寫(xiě)入數(shù)據(jù)的流程示意 圖；圖2為本發(fā)明結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法另一個(gè)實(shí)施例讀取數(shù)據(jù)的流程示意 圖；圖3為本發(fā)明結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法一個(gè)實(shí)施例電源管理方案的流程示 意圖；圖4為本發(fā)明結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)裝置一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)裝置另一個(gè)實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。圖1為本發(fā)明結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖，如圖1所 示，本發(fā)明實(shí)施例包括如下步驟步驟101、讀寫(xiě)控制電路依據(jù)掛載硬盤(pán)是傳統(tǒng)硬盤(pán)還是固態(tài)硬盤(pán)自動(dòng)切換對(duì)應(yīng)電 路；步驟102、操作系統(tǒng)向硬盤(pán)控制器發(fā)出寫(xiě)入數(shù)據(jù)指令；步驟103、由讀寫(xiě)控制電路執(zhí)行操作系統(tǒng)指令向DRAM中寫(xiě)入數(shù)據(jù)；步驟104、寫(xiě)入算法根據(jù)電源或充電電池剩余電量計(jì)算閾值；步驟105、判斷DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)量是否超過(guò)上述閾值，如果是，則執(zhí)行步驟106 ； 否則，執(zhí)行步驟108;步驟106、將DRAM內(nèi)存超出閾值范圍的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中；步驟107、根據(jù)硬盤(pán)文件分配表維護(hù)一張數(shù)據(jù)請(qǐng)求頻率表，并返回步驟104 ；步驟108、將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于DRAM內(nèi)存中，并維護(hù)DRAM內(nèi)存中的文件分配表，并返回步 驟 104。圖2為本發(fā)明結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法另一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖，如圖2 所示，本發(fā)明實(shí)施例包括如下步驟步驟201、操作系統(tǒng)向硬盤(pán)控制器發(fā)送讀取操作指令；步驟202、讀寫(xiě)控制電路根據(jù)DRAM內(nèi)存中的文件分配表請(qǐng)求數(shù)據(jù)；步驟203、查詢?cè)贒RAM內(nèi)存中是否存在所需數(shù)據(jù)，如果是，則執(zhí)行步驟204 ；否則， 執(zhí)行步驟206 ；步驟204、產(chǎn)生中斷請(qǐng)求，通知操作系統(tǒng)讀取數(shù)據(jù)成功；步驟205、操作系統(tǒng)從本裝置中讀取請(qǐng)求數(shù)據(jù)，跳出本流程；步驟206、DRAM內(nèi)存向傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)請(qǐng)求數(shù)據(jù)；步驟207、查詢硬盤(pán)中是否存在請(qǐng)求的數(shù)據(jù)，如果是，則執(zhí)行步驟208 ；否則，執(zhí)行 步驟209 ；步驟208、將請(qǐng)求的數(shù)據(jù)讀入到DRAM內(nèi)存中，同時(shí)更新數(shù)據(jù)請(qǐng)求頻率表，并返回步 驟 204 ；步驟209、產(chǎn)生中斷請(qǐng)求，通知操作系統(tǒng)未能讀取所請(qǐng)求的數(shù)據(jù)，跳出本流程。圖3為本發(fā)明結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法一個(gè)實(shí)施例電源管理方案的流程示 意圖，如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例包括如下步驟步驟301、判斷是否可采用主板供電，如果是，則執(zhí)行步驟305;否則，執(zhí)行步驟 302 ；步驟302、依靠充電電池進(jìn)行供電；步驟303、寫(xiě)入算法根據(jù)充電電池剩余電量計(jì)算動(dòng)態(tài)閾值；步驟304、將DRAM內(nèi)存中超出閾值范圍的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)，并返回 步驟301 ；步驟305、依靠主板進(jìn)行供電；步驟306、寫(xiě)入算法計(jì)算閾值為恒量；步驟307、根據(jù)數(shù)據(jù)請(qǐng)求頻率表從傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中讀取數(shù)據(jù)，直至達(dá)到閾值范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供的結(jié)合電池DRAM內(nèi)存的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法及裝置，通過(guò)把DRAM內(nèi) 存與傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)結(jié)合，使用充電電池供電，并以傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)作為后備存 儲(chǔ)部件，平時(shí)采用DRAM內(nèi)存作為主要存儲(chǔ)部件，使得電腦與硬盤(pán)之間的數(shù)據(jù)交換以主板和 DRAM內(nèi)存為主。且只有當(dāng)DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)量超過(guò)預(yù)先設(shè)定的閾值時(shí)，才依靠電源或充電 電池供電將超出閾值部分的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中；讀取數(shù)據(jù)時(shí)，先檢查DRAM內(nèi) 存中是否存在所需數(shù)據(jù)，如果命中則直接從DRAM內(nèi)存中讀取該數(shù)據(jù)，否則從傳統(tǒng)硬盤(pán)或固 態(tài)硬盤(pán)中讀取。由于極大的減少了對(duì)傳統(tǒng)硬盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)的讀寫(xiě)操作，轉(zhuǎn)而以主板對(duì)DRAM 內(nèi)存的讀寫(xiě)操作為主，所以能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的瓶頸，提高了對(duì)硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度。圖4為本發(fā)明結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)裝置一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所 示，本實(shí)施例包括DRAM內(nèi)存41、固態(tài)硬盤(pán)42、充電電池43、讀寫(xiě)控制電路44。其中，DRAM內(nèi)存41與固態(tài)硬盤(pán)42結(jié)合，使用充電電池43供電，并以固態(tài)硬盤(pán)42 作為后備存儲(chǔ)部件，平時(shí)采用DRAM內(nèi)存41作為主要存儲(chǔ)部件。在依靠主板供電時(shí)，寫(xiě)入算 法計(jì)算閾值為恒量，DRAM內(nèi)存41根據(jù)數(shù)據(jù)讀取頻率表從固態(tài)硬盤(pán)42中恢復(fù)數(shù)據(jù)直至達(dá)到 閾值范圍。當(dāng)徹底切斷電源時(shí)，依靠充電電池43供電，并由寫(xiě)入算法計(jì)算動(dòng)態(tài)閾值，將DRAM 內(nèi)存41中超出閾值的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到固態(tài)硬盤(pán)42中；讀取數(shù)據(jù)時(shí)，先檢查DRAM內(nèi)存41中是否 存在所需數(shù)據(jù)，如果命中則直接從DRAM內(nèi)存41中讀取該數(shù)據(jù)，否則從固態(tài)硬盤(pán)42中讀取。本發(fā)明實(shí)施例提供的結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)裝置，通過(guò)把DRAM內(nèi)存41與固態(tài) 硬盤(pán)42結(jié)合，使用充電電池43供電，并以固態(tài)硬盤(pán)42作為后備存儲(chǔ)部件，平時(shí)采用DRAM 內(nèi)存41作為主要存儲(chǔ)部件，使得電腦與固態(tài)硬盤(pán)42之間的數(shù)據(jù)交換以主板和DRAM內(nèi)存41 為主。且只有當(dāng)DRAM內(nèi)存41中的數(shù)據(jù)量超過(guò)預(yù)先設(shè)定的閾值時(shí)，才依靠電源或充電電池 43供電將超出閾值部分的數(shù)據(jù)寫(xiě)入固態(tài)硬盤(pán)42中；讀取數(shù)據(jù)時(shí)，先檢查DRAM內(nèi)存41中是 否存在所需數(shù)據(jù)，如果命中則直接從DRAM內(nèi)存41中讀取該數(shù)據(jù)，否則從固態(tài)硬盤(pán)42中讀 取。由于極大的減少了對(duì)固態(tài)硬盤(pán)42的讀寫(xiě)操作，轉(zhuǎn)而以主板對(duì)DRAM內(nèi)存41的讀寫(xiě)操作 為主，所以能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的瓶頸，提高了對(duì)硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度。圖5為本發(fā)明結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)裝置另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5 所示，本實(shí)施例包括=DRAM內(nèi)存51、傳統(tǒng)硬盤(pán)52、充電電池53、讀寫(xiě)控制電路54。其中，DRAM內(nèi)存51與傳統(tǒng)硬盤(pán)52結(jié)合，使用充電電池53供電，并以傳統(tǒng)硬盤(pán)52 作為后備存儲(chǔ)部件，平時(shí)采用DRAM內(nèi)存51作為主要存儲(chǔ)部件。在依靠主板供電時(shí)，寫(xiě)入算 法計(jì)算閾值為恒量，DRAM內(nèi)存51根據(jù)數(shù)據(jù)讀取頻率表從傳統(tǒng)硬盤(pán)52中恢復(fù)數(shù)據(jù)直至達(dá)到 閾值范圍。當(dāng)徹底切斷電源時(shí)，依靠充電電池53供電，并由寫(xiě)入算法計(jì)算動(dòng)態(tài)閾值，將DRAM 內(nèi)存51中超出閾值的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到傳統(tǒng)硬盤(pán)52中；讀取數(shù)據(jù)時(shí)，先檢查DRAM內(nèi)存51中是否 存在所需數(shù)據(jù)，如果命中則直接從DRAM內(nèi)存51中讀取該數(shù)據(jù)，否則從傳統(tǒng)硬盤(pán)52中讀取。本發(fā)明實(shí)施例提供的結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)裝置，通過(guò)把DRAM內(nèi)存51與傳統(tǒng) 硬盤(pán)52結(jié)合，使用充電電池53供電，并以傳統(tǒng)硬盤(pán)52作為后備存儲(chǔ)部件，平時(shí)采用DRAM內(nèi) 存51作為主要存儲(chǔ)部件，使得電腦與傳統(tǒng)硬盤(pán)52之間的數(shù)據(jù)交換以主板和DRAM內(nèi)存51為 主。且只有當(dāng)DRAM內(nèi)存51中的數(shù)據(jù)量超過(guò)預(yù)先設(shè)定的閾值時(shí)，才依靠電源或充電電池53 供電將超出閾值部分的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)52中；讀取數(shù)據(jù)時(shí)，先檢查DRAM內(nèi)存51中是否 存在所需數(shù)據(jù)，如果命中則直接從DRAM內(nèi)存51中讀取該數(shù)據(jù)，否則從傳統(tǒng)硬盤(pán)52中讀取。由于極大的減少了對(duì)傳統(tǒng)硬盤(pán)52的讀寫(xiě)操作以及讀寫(xiě)尋道時(shí)間，轉(zhuǎn)而以主板對(duì)DRAM內(nèi)存 51的讀寫(xiě)操作為主，所以能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的瓶頸，提高了對(duì)硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度。上述結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法及裝置僅為本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)示例，并不 構(gòu)成對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限制，本發(fā)明實(shí)施例同樣可以應(yīng)用于臺(tái)式機(jī)硬盤(pán)、筆記本硬盤(pán)、移動(dòng) 硬盤(pán)中。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序 指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí) 行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤(pán) 等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種結(jié)合電池和DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)方法，其特征在于，該方法包括把DRAM內(nèi)存與傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)結(jié)合，使用充電電池供電，并以傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬 盤(pán)作為后備永久存儲(chǔ)部件，平時(shí)采用DRAM內(nèi)存作為主要存儲(chǔ)部件，當(dāng)電源斷電或DRAM內(nèi)存 中的數(shù)據(jù)量超過(guò)預(yù)先設(shè)定的閾值時(shí)，則將DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)先設(shè)定的閾值通過(guò)充電電池剩余電 量動(dòng)態(tài)計(jì)算獲得，特別的，當(dāng)充電電池的電量完全耗盡時(shí)，所述閾值為零。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或 固態(tài)硬盤(pán)的方法具體包括如果電源不斷電，允許DRAM內(nèi)存中保留所述閾值范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)；DRAM內(nèi)存中超出所述閾值范圍的數(shù)據(jù)以數(shù)據(jù)成塊的形式寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中；頻繁讀寫(xiě)的數(shù)據(jù)以高優(yōu)先級(jí)保留在DRAM內(nèi)存中，只有當(dāng)電源斷電，充電電池剩余電量 不足時(shí)，才將頻繁讀寫(xiě)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法包括讀取數(shù)據(jù)時(shí)，先檢查DRAM內(nèi)存中是否存在所需數(shù)據(jù)，如果命中則直接從DRAM內(nèi)存中讀 取該數(shù)據(jù)，否則從傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中讀取。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在使用充電電池進(jìn)行供電時(shí)，由充電電池剩余電量動(dòng)態(tài)決定所述閾值，將超出所述閾 值范圍的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中，所述閾值范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)依靠充電電池供電保存 在DRAM內(nèi)存中；一旦恢復(fù)電源供電，可根據(jù)所述動(dòng)態(tài)變化的閾值恢復(fù)DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)，頻繁讀寫(xiě)的 數(shù)據(jù)優(yōu)先恢復(fù)到DRAM內(nèi)存中。
6.一種結(jié)合DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)的裝置，其特征在于，該裝置包括DRAM內(nèi)存，作為本發(fā)明中的主要存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的部件，并由所述動(dòng)態(tài)變化的閾值來(lái)決定 DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)量；傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)，作為本發(fā)明中的備用存儲(chǔ)部件，當(dāng)DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)量超出 所述閾值的范圍時(shí)，才將超出所述閾值范圍的數(shù)據(jù)以整塊的方式寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán) 中；充電電池，用于保存DRAM內(nèi)存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并由充電電池剩余電量決定所述閾值， 在電腦正常關(guān)機(jī)的情況下，主板依然對(duì)傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)供電，充電電池處于充電狀態(tài)， 當(dāng)電腦徹底斷開(kāi)電源時(shí)，充電電池才對(duì)DRAM內(nèi)存供電；讀寫(xiě)控制電路，用于主板對(duì)DRAM內(nèi)存、傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)的訪問(wèn)，傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài) 硬盤(pán)分別對(duì)應(yīng)不同的讀寫(xiě)控制電路，本發(fā)明能夠根據(jù)掛載硬盤(pán)是傳統(tǒng)硬盤(pán)還是固態(tài)硬盤(pán)自 動(dòng)切換到對(duì)應(yīng)的讀寫(xiě)控制電路。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，主板對(duì)DRAM內(nèi)存、傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)的讀 寫(xiě)順序包括讀取數(shù)據(jù)順序，主板通過(guò)讀寫(xiě)控制電路首先訪問(wèn)DRAM內(nèi)存來(lái)讀取所需數(shù)據(jù)，如果未能 在DRAM內(nèi)存中命中所需數(shù)據(jù)，則從傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中讀取數(shù)據(jù)。寫(xiě)入數(shù)據(jù)順序，主板通過(guò)讀寫(xiě)控制電路將數(shù)據(jù)首先寫(xiě)入DRAM內(nèi)存中，當(dāng)DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)超出所述閾值的范圍時(shí)，再由DRAM將超出所述閾值范圍的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài) 硬盤(pán)中。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種結(jié)合電池和DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)設(shè)備，該方法包括把DRAM內(nèi)存(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)與傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)結(jié)合，使用充電電池供電，并以傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)作為后備永久存儲(chǔ)部件，平時(shí)采用DRAM內(nèi)存作為主要存儲(chǔ)部件。當(dāng)電源斷電或DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)量超過(guò)預(yù)先設(shè)定的閾值時(shí)，則將DRAM中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有讀寫(xiě)數(shù)據(jù)速度快、可延長(zhǎng)硬盤(pán)壽命、避免因中途斷電而造成的硬盤(pán)數(shù)據(jù)丟失和物理?yè)p毀的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明同時(shí)公開(kāi)了一種結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)裝置。
文檔編號(hào)G06F12/16GK102110034SQ20091024425
公開(kāi)日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2009年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月28日
發(fā)明者包一兵, 李揚(yáng), 杜曉峰, 辛陽(yáng) 申請(qǐng)人:北京安碼科技有限公司