專利名稱：靜電電容式輸入裝置以及帶輸入功能的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠檢測(cè)手指的接近位置來作為靜電電容的變化的靜電電 容式輸入裝置、以及具備該靜電電容式輸入裝置的帶輸入功能的顯示裝置。
背景技術(shù)：
就便攜電話機(jī)、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、售票機(jī)及銀行的終端等
電子設(shè)備而言，近年來存在著在液晶裝置等的表面配置平板型的輸入裝 置，能通過一邊參照液晶裝置的圖像顯示區(qū)域上所顯示的指示圖像、 一邊 用手指等接觸顯示出該指示圖像的部位，來執(zhí)行與指示圖像對(duì)應(yīng)的信息的 輸入的裝置。
在這種輸入裝置(觸摸面板)中，有電阻膜式、靜電電容式等，但是 電阻膜式的輸入裝置因?yàn)槭窃谀ず筒ＡУ?片結(jié)構(gòu)中按下膜而使之短路的 結(jié)構(gòu)，所以具有工作溫度范圍窄、耐老化性能差這樣的缺點(diǎn)。
與^M目對(duì)，靜電電容式的輸入裝置具有在1片M形成透光性導(dǎo)電膜 即可這樣的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于該靜電電容式的輸入裝置來說，例如存在下述類型 的裝置按相互交叉的方向使電極圖形延伸，當(dāng)手指等接觸時(shí)，檢測(cè)電極 間的靜電電容變化，4M^測(cè)出輸入位置(例如，專利文獻(xiàn)l)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開平11-154053號(hào)公報(bào)
在輸入裝置中，在與液晶裝置等重疊配置的情況下，從輸入裝置的輸 入面?zhèn)韧敢曉谝壕аb置上所顯示的圖像，因此M以及電極圖形使用透光 性優(yōu)異的材料。盡管如此，如果在形成有透光性電極圖形等的區(qū)域、和沒 有形成透光性電極圖形等的區(qū)域之間反射率大為不同，則透光性電極圖形 等的存在變得很明顯，這并不優(yōu)選。圖形分別形成于透 光性基tl的表面以及背面，則透光性M介于第1透光性電極圖形和第2 透光性電極圖形之間，所以在形成有第1透光性電極圖形的區(qū)域、形成有 第2透光性電極圖形的區(qū)域和沒有形成這些透光性電極圖形的區(qū)域，光學(xué) 構(gòu)成大為不同，其結(jié)果為，在各區(qū)域之間反射率相差很大，存在透光性電 極圖形的存在很明顯這樣的問題。
還有，即便是在透光性M的同一面?zhèn)刃纬捎械趌透光性電極圖形以 及第2透光性電極圖形的情況下，在通常用于透光性基板的玻璃基板和通 常用于透光性電極圖形的ITO膜(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)之間折 射率有很大差別，所以在形成有透光性電極圖形的區(qū)域和沒有形成有透光 性電極圖形的區(qū)域之間在反射率方面產(chǎn)生差別，透光性電極圖形的存在很 明顯，這并不優(yōu)選。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上面的問題，本發(fā)明的目的在于提供靜電電容式輸入裝置以及帶 輸入功能的顯示裝置，能夠以簡(jiǎn)單的構(gòu)成使得透光性M上的透光性電極 圖形變得不明顯。
為了解決上述問題，在本發(fā)明中，靜電電容式輸入裝置在透光性141 的輸入?yún)^(qū)域形成有多個(gè)第1透光性電極，按第1方向延伸；和多個(gè)第2 透光性電極，按與上述第1方向交叉的笫2方向延伸；其特征為，在俯視 上述透光性基板時(shí)，在由上述第1透光性電極和上述第2透光性電極所夾 著的區(qū)域，形成有由具備與上述第l透光性電極和上述第2透光性電極相 等的折射率的透光膜形成的冗余圖形。
在靜電電容式輸入裝置中，如果在俯視透光性M時(shí)，在輸入?yún)^(qū)域內(nèi) 具備存在構(gòu)成笫1透光性電極和第2透光性電極的透光性導(dǎo)電膜的區(qū)域 和不存在該透光性導(dǎo)電膜的區(qū)域，則在這些區(qū)域之間存在反射率之差，第 1透光性電極和第2透光性電極的存在很明顯，但在本發(fā)明中，在不存在 構(gòu)成第1透光性電極和第2透光性電極的透光性導(dǎo)電膜的區(qū)域形成有由與第1透光性電極和第2透光性電極相同的透光性導(dǎo)電膜形成的冗余圖形。 因此，根據(jù)本發(fā)明，由于不存在第l透光性電極、第2透光性電極以及冗 余圖形中的任一的區(qū)域極其狹窄，所以第1透光性電極和第2透光性電極 的存在并不明顯。因此，即便是在靜電電容式輸入裝置中的與輸入面相反 一側(cè)重疊配置圖像生成裝置，仍能夠?qū)Ω糁o電電容式輸入裝置觀察圖像 生成裝置的使用者提供高品質(zhì)的圖像。
在本發(fā)明中，優(yōu)選，上述第1透光性電極和上述第2透光性電極，由 單層膜形成。作為使第1透光性電極和第2透光性電極的存在變得不明顯 的構(gòu)成，可以考慮由多層膜形成第l透光性電極和第2透光性電極，但在 采用這樣的構(gòu)成時(shí)，大多情況下多層膜中不得不含有絕緣膜，導(dǎo)致第l透 光性電極和笫2透光性電極的電阻增大，而根據(jù)本發(fā)明，即使笫l透光性 電極和第2透光性電極由單層膜形成，第1透光性電極和第2透光性電極 的存在也變得不明顯。因此，能夠降低第1透光性電極和第2透光性電極 的電阻。還有，能夠使制造工序簡(jiǎn)化，所以也能夠降低成本。
在本發(fā)明中，優(yōu)選，上述第l透光性電極、上述第2透光性電極以及 上述冗余圖形，在上述透光性M的同 一面?zhèn)扔赏?一透光性導(dǎo)電膜構(gòu)成， 上述冗佘圖形，按與上述笫1透光性電極和上述第2透光性電極雙方絕緣 的狀態(tài)形成。如果這樣構(gòu)成，則透光性基仗不介于第1透光性電極和第2 透光性電極之間，所以在形成有第l透光性電極的區(qū)域、形成有第2透光 性電極的區(qū)域和沒有形成這些透光性電極的區(qū)域，光學(xué)構(gòu)成差別不大，所 以在各區(qū)域之間反射率之差小。因此，第l透光性電極和第2透光性電極 的存在并不明顯。
在本發(fā)明中，優(yōu)選，上述第l透光性電極、上述第2透光性電極以及 上述冗余圖形，在上述透光性基板的同 一面?zhèn)仍谕?一絕緣層上由同 一透光 性導(dǎo)電膜形成。如果這樣構(gòu)成，則能夠同時(shí)形成第l透光性電極、第2透 光性電極以及冗余圖形，能夠簡(jiǎn)化制造工序，所以也能夠降低成本。
在本發(fā)明中，存在下述情況上述第1透光性電極以及上述第2透光 性電極分別在由上述第1透光性電極和上述第2透光性電極的交叉部分所夾的區(qū)域中具有大面積部分，在這樣的情況下，能夠采用下述構(gòu)成在上 述第1透光性電極和上述第2透光性電極之間，形成有多個(gè)由相互的上述 大面積部分所夾的縫隙狀的間隙，上述冗余圖形形成于上述間隙內(nèi)。
在本發(fā)明中，優(yōu)選，上述冗余圖形按上述多個(gè)間隔中的每個(gè)而獨(dú)立形 成。如果這樣構(gòu)成，則即便冗余圖形是透光性導(dǎo)電膜，由冗余圖形造成的 電影響不會(huì)波及周圍。因此，具有能夠提高對(duì)于輸入位置的檢測(cè)靈敏度這 樣的優(yōu)點(diǎn)。
在本發(fā)明中，優(yōu)選，上述冗余圖形，以在上述間隙內(nèi)按該間隙的寬度 方向并列的狀態(tài)按該間隙的長(zhǎng)度方向延伸有多個(gè)。如果這樣構(gòu)成，則在冗 余圖形為透光性導(dǎo)電膜的情況下，與在笫1透光性電極和第2透光性電極 之間存在1個(gè)冗余圖形的情況相比較，通過冗余圖形在第1透光性電極和 第2透光性電極之間寄生的電^_小。
在本發(fā)明中，上述冗余圖形能夠采用在1個(gè)上述縫隙狀間隙內(nèi)在該間 隙的長(zhǎng)度方向上被分割而配置多個(gè)的構(gòu)成。如果這樣構(gòu)成，則在冗余圖形 為透光性導(dǎo)電膜的情況下，與冗余圖形在第1透光性電極和第2透光性電 極之間延伸的情況相比較，由冗余圖形造成的電影響小，所以具有能夠提 高對(duì)于輸入位置的檢測(cè)靈敏度這樣的優(yōu)點(diǎn)。
在本發(fā)明中，優(yōu)選，在上述間隙的寬度方向上，在上述大面積區(qū)域和 上述冗余圖形之間形成的空間的寬度尺寸為3(Him以下且空間的寬度尺寸 的總和為50nm以下。如果這樣構(gòu)成，則在間隙內(nèi)不存在第1透光性電極、 第2透光性電極以及冗余圖形中的任一的區(qū)域并不明顯。
在本發(fā)明中，優(yōu)選，在上述交叉部分，上述第1透光性電極以及上述 第2透光性電極中的一方的透光性電極相互相連，而另一方的透光性電極 相互斷開，至少在上述交叉部分處的上述一方的透光性電極的上層側(cè)或下 層側(cè)形成有透光性的層間絕緣膜，并且在相對(duì)于該層間絕緣膜的上層側(cè)以 及下層側(cè)中的、與形成有上述第1透光性電極以及上述第2透光性電極的 一側(cè)相反一側(cè)，形成有電連接在上述交叉部分處斷開的上述另一方的透光 性電極彼此的透光性的中繼電極。如果笫l透光性電極以及笫2透光性電極形成于透光性基板的同一面?zhèn)?，則必須使第1透光性電極和第2透光性 電極交叉，該交叉部分的膜構(gòu)成與第1透光性電極以及第2透光性電極不 同。因此，以使得當(dāng)從輸入裝置的輸入面?zhèn)扔^察在液晶裝置等上所顯示的 圖像時(shí)、形成有透光性電極等的區(qū)域和沒有形成透光性電極等的區(qū)域之間 的反射率之差變小的方式形成透光性電極，即使透光性電極變得不明顯但 交叉部分變得明顯。而在本發(fā)明中，在交叉部分處透光性電極斷開，該斷
繼電極電連接。因此，交叉部分所占面積狹小。因此，當(dāng)從輸入面?zhèn)扔^察 時(shí)，交叉部分的存在并不明顯。
采用本發(fā)明的靜電電容式輸入裝置，有時(shí)被用于帶輸入功能的顯示裝 置，此時(shí)在上述靜電電容式輸入裝置中的與輸入面相反一側(cè)重疊配置圖像 生成裝置。


圖1 (a) 、 (b)分別是示意地表示使用本發(fā)明的帶輸入裝置的顯示 裝置的構(gòu)成的說明圖，和示意地表示該帶輸入裝置的顯示裝置的俯視構(gòu)成 的+兌明圖。
圖2 U) 、 (b)分別是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的輸入裝置中形 成的透光性電極圖形的俯視構(gòu)成的說明圖，和放大表示第l透光性電極圖 形和第2透光性電極圖形的間隙的放大俯視圖。
圖3 (a) 、 (b)分別是本發(fā)明的實(shí)施方式l中的輸入裝置的A1-A1， 剖面圖，和表示透光性電極圖形與金屬布線的連接結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的輸入裝置的制造方法的工序剖面圖。
圖5是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式2中的輸入裝置中形成的笫l透光性 電極圖形以及第2透光性電極圖形的俯視構(gòu)成的說明圖。
圖6 ( a ) 、 ( b )分別是本發(fā)明的實(shí)施方式2中的輸入裝置的A2-A2， 剖面圖，和表示透光性電極圖形與金屬布線的連接結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2中的輸入裝置的制造方法的工序剖面圖。
圖8是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式3中的輸入裝置中形成的第l透光性 電極圖形以及第2透光性電極圖形的俯視構(gòu)成的說明圖。
圖9 ( a ) 、 ( b )分別是本發(fā)明的實(shí)施方式3中的輸入裝置的A3-A3， 剖面圖，和表示透光性電極圖形與金屬布線的連接結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖10是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式3中的輸入裝置的制造方法的工序剖 面圖。
圖11 (a) 、 (b)分別是表示在采用本發(fā)明的輸入裝置中形成的冗余 圖形的其他構(gòu)成例的俯一見圖。
圖12是使用本發(fā)明中的帶輸入裝置的顯示裝置的電子設(shè)備的說明圖。 符號(hào)說明
l"ITO膜，4a、 4b"層間絕緣膜，5a"中繼電極，IO"輸入裝置，ll..第 l透光性電極圖形，12"第2透光性電極圖形，13"冗余圖形，14..由墊狀部 所夾的間隙，15"透光性基板，18"交叉部分，lla、 12a"墊狀部(大面積部 分)，50"液晶裝置(圖像生成裝置)，100"帶輸入裝置的顯示裝置
具體實(shí)施例方式
參照附圖，來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。還有，在下面的說明中參照的 附圖內(nèi)，為了將各層和各部件設(shè)為可在附圖上辨認(rèn)的程度的大小，所以按 各層、各部件的每個(gè)都使比例尺不同。
(實(shí)施方式1)
(整體構(gòu)成)
圖1 (a) 、 (b)分別是示意地表示使用本發(fā)明的帶輸入裝置的顯示 裝置的構(gòu)成的說明圖，和示意地表示該帶輸入裝置的顯示裝置的俯視構(gòu)成 的說明圖。還有，在圖l(b)中，對(duì)于第l透光性電極圖形及第2透光性 電極圖形以實(shí)線簡(jiǎn)化表示，也減少它們的數(shù)目進(jìn)行表示。
在圖1 (a)中，本方式的帶輸入裝置的顯示裝置100大體具有作為圖像生成裝置的液晶裝置50;和面板狀的輸入裝置IO (觸摸面板)，其在 該液晶裝置50上重疊配置于出射顯示光一側(cè)的面上。液晶裝置50具備透 射型、反射型或者半透射反射型的有源矩陣型液晶面板50a，在透射型或 者半透射反射型液晶面板的場(chǎng)合，在與顯示光的出射側(cè)相反一側(cè)配置背光 源裝置(未圖示)。另外，在液晶裝置50中，對(duì)液晶面板50a重疊配置相 位差板、偏振板(未圖示)。液晶面板50a具備元件基板51;對(duì)向g 52，相對(duì)于元件14151對(duì)向配置；以及液晶層，被保持于對(duì)向基板52和 元件14151之間；在元件基板51，在從對(duì)向M52的邊緣伸出的區(qū)域連 接柔性基板53。在元件基板51也有時(shí)以COG的方式安裝驅(qū)動(dòng)用IC。在 任一場(chǎng)合下，液晶裝置50都能夠顯示動(dòng)態(tài)圖像、靜止圖像，當(dāng)進(jìn)行對(duì)帶輸 入裝置的顯示裝置IOO的輸入時(shí)，顯示與輸入信息對(duì)應(yīng)的指示圖像。從而， 利用者只要用手指接觸或者使手指靠近帶輸入裝置的顯示裝置100所顯示 的指示圖像，就可以進(jìn)行信息的輸入。
輸入裝置10是一種靜電電容式的觸摸面板，具備透光性基板15; 透光性的罩蓋14140，通過下述的粘接劑層(透光性樹脂層)貼合于該透 光性I4115;以及柔性基tl19，連接于透光性J4115的端部。在柔性基 板19上，連接著用來在輸入裝置10中執(zhí)行輸入位置檢測(cè)的驅(qū)動(dòng)電路(未 圖示)。在輸入裝置10中，由罩蓋基板40的上表面構(gòu)成輸入面10b，透 光性基板15的大致中央?yún)^(qū)域成為被執(zhí)行利用指尖實(shí)現(xiàn)的輸入的輸入?yún)^(qū)域 10a,
如圖1 (b)所示，在透光性基板15的輸入面10b中的輸入?yún)^(qū)域10a， 形成有多列第l透光性電極圖形11，按用箭頭X所示的第l方向延伸； 和多列第2透光性電極圖形12，按用箭頭Y所示的與笫l方向交叉的第2 方向延伸。在這種構(gòu)成的輸入裝置10中，由于當(dāng)對(duì)多個(gè)第l透光性電極圖 形ll及多個(gè)第2透光性電極圖形12依次施加電壓、供給了電荷時(shí)，若作 為導(dǎo)電體的手指接觸或靠近某一部位，則在第1透光性電極圖形11及第2 透光性電極圖形12、與手指之間也具有電容，作為其結(jié)果是使靜電電容下 降，因而可以檢測(cè)出手指接觸了哪個(gè)部位。(輸入裝置IO的具體構(gòu)成)
圖2 (a) 、 (b)分別是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的輸入裝置中形 成的透光性電極圖形(第1透光性電極圖形以及第2透光性電極圖形)的 俯視構(gòu)成的說明圖，和放大表示第1透光性電極圖形和第2透光性電極圖 形的間隙的放大俯視圖。圖3 (a) 、 (b)分別是本發(fā)明的實(shí)施方式1中 的輸入裝置的圖2 (a)中的A1-A1，剖面圖，和表示透光性電極圖形和金 屬布線的連接結(jié)構(gòu)的剖面圖，還有在圖2 (a)中摘要式示出第l透光性電 極圖形和第2透光性電極圖形的一部分。
如圖1 ( b )、圖2 ( a )及圖3 ( a )所示，在本方式的輸入裝置10中， 第1透光性電極圖形11和第2透光性電極圖形12在透光性基板15的同一 面?zhèn)扔蒊TO膜等的透光性導(dǎo)電膜形成。另外，因?yàn)樵诒痉绞街?，在透光? 15的輸入?yún)^(qū)域10a，第1透光性電極圖形11和第2透光性電極圖形 12在透光性Ml5的同一面?zhèn)鹊耐唤^緣層上(透光性基板15上)由同 一透光性導(dǎo)電膜形成，所以第1透光性電極圖形11和第2透光性電極圖形 12的交叉部分18存在多個(gè)。
因此，在本方式中，在多個(gè)交叉部分18的任一個(gè)中其構(gòu)成都是第l 透光性電極圖形ll及第2透光性電極圖形12之中的一方的電極圖形在交 叉部分18處也是相連的，另一方面，另一方的電極圖形斷開。在本方式中， 在多個(gè)交叉部分18的任一個(gè)處其構(gòu)成也都是第1透光性電極圖形11相 連，另一方面，第2透光性電極圖形12斷開。
另外，在交叉部分18的第1透光性電極圖形11的上層側(cè)，形成有透 光性的層間絕緣膜4a，并且在該層間絕緣膜4a的上層，形成有電連接在 交叉部分18處斷開的第2透光性電極圖形12彼此的透光性中繼電極5a。 因此，第2透光性電極圖形12在第2方向上被電連接。
在此，第1透光性電極圖形11及笫2透光性電極圖形12分別在由交 叉部分18所夾著的區(qū)域具備棱形形狀的大面積墊狀(pad)部lla、 12a (大面積部分)，在笫1透光性電極圖形11中位于交叉部分18的連接部 分llc為與墊狀部lla相比寬度較窄的窄幅形狀。另外，中繼電極5a也按與墊狀部12a相比寬度較窄的窄幅形狀形成為長(zhǎng)方形狀。
對(duì)于這樣構(gòu)成的輸入?yún)^(qū)域10a，通過粘接劑層30層疊透光性的罩蓋基 板40。
在該構(gòu)成的輸入裝置10中，M件的材質(zhì)、厚度(t)、折射率(n) 如下
透光性基板10:玻璃(t=0.5mm、 n=1.52) 第l透光性電極圖形ll: ITO膜(t=10~100nm、 n=1.8 ~ 1.9 ) 第2透光性電極圖形12: ITO膜(t=10~100nm、 n=1.8 ~ 1.9 ) 層間絕緣膜4a:丙烯酸樹脂(t=1.5nm、 n=1.52) 中繼電極ITO膜(t=10~50nm、 n=1.8~1.9) 粘接劑層30:丙烯酸樹脂(t=200nm、 n=1.48) 罩蓋14140:玻璃(t=0.5mm、 n=1.52)。
如圖1 (a) 、 (b)以及圖3(b)所示，在透光性I^L 15上在輸入 區(qū)域10a的外側(cè)區(qū)域，延伸有來自第l透光性電極圖形11及第2透光性電 極圖形12的各自的布線用引出部分la，在該布線用引出部分la的上層形 成有金屬布線9a。金屬布線9a的端部，構(gòu)成用于連接柔性1^板19的端子 19a。
(冗余圖形的構(gòu)成)
如圖2 (a) 、 (b)以及圖3(a)所示，在本實(shí)施方式的輸入裝置10 中，在俯視透光性基板15時(shí)，在由第1透光性電極圖形11及第2透光性 電極圖形12所夾著的區(qū)域中，形成有由具有與第l透光性電極圖形11及 第2透光性電極圖形12相等的折射率的透光膜形成的冗余圖形13。
更加具體而言，第1透光性電極圖形11及笫2透光性電極圖形12， 由交叉部分18所夾著的區(qū)域分別都變?yōu)槔庑涡螤畹拇竺娣e的墊狀部lla、 12a(大面積部)，在該墊狀部lla、 12a之間形成有縫隙狀的間隙14。因 此，在本實(shí)施方式中，冗余圖形13，形成在由墊狀部lla、 12a所夾的間 隙14中。
在此，第1透光性電極圖形11及第2透光性電極圖形12,在透光性基板15上由ITO膜(透光性導(dǎo)電膜)的單層膜形成，冗余圖形13也是在 透光性14115上與第l透光性電極圖形ll及第2透光性電極圖形12同時(shí) 形成、并由ITO膜形成。其中，冗余圖形13，以通過間隙14的寬度方向 的中央的方式，在間隙14的長(zhǎng)度方向上延伸，使得其相對(duì)墊狀部lla、 12a 隔開相等的距離。因此，冗余圖形13，不與第l透光性電極圖形ll及第2 透光性電極圖形12中的任何一個(gè)接觸，處于電浮置狀態(tài)。在此，多個(gè)間隙 14沿大致同一直線上并排，但冗余圖形13按多個(gè)間隙14中的每個(gè)而獨(dú)立 形成。
另外，如圖2 (b)所示，在間隙14中，將構(gòu)成第1透光性電極圖形 11、第2透光性電極圖形12以及冗余圖形13的ITO膜的空間Sl、 S2的 寬度尺寸WS1 、 WS2分別設(shè)定為30jim以下，而且將ITO膜的空間Sl、 S2的寬度尺寸WS1、 WS2的總和WS設(shè)定為50nm以下。
(輸入裝置IO的制造方法)
圖4 (a) ~ (e)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的輸入裝置的制造方 法的工序剖面圖。另外，在圖4(a) ~ (e)中， 一并示出透光性電極圖 形、交叉部以及金屬布線，在左側(cè)示出與圖3 (a)相當(dāng)?shù)牟糠?，在右?cè)示 出與圖3 (b)相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 在制造本實(shí)施方式的輸入裝置10時(shí)，首先，如圖4 (a)所示，在透 光性J^！ 15 (玻璃基板)的一方的面的整個(gè)面上形成膜厚為10 ~ 100nm的 多晶的第IITO膜I，之后形成金屬膜9。
接著，在金屬膜的表面在形成有包含感光性樹脂等的蝕刻掩模的狀態(tài) 下，對(duì)金屬膜進(jìn)行蝕刻，如圖4(b)所示，圖形化形成金屬布線9a之后， 去掉蝕刻掩;漠。
接著，在金屬布線9a以及ITO膜1的上層側(cè)形成有包含感光性樹脂 等的蝕刻掩模的狀態(tài)下，對(duì)ITO膜l進(jìn)行蝕刻，如圖4(c)所示，圖形化 形成第1透光性電極圖形11、第2透光性電極圖形12以及冗余圖形13， 并且在形成了來自第l透光性電極圖形ll及第2透光性電極圖形12的布 線用引出部分la之后，去掉蝕刻掩模。在這樣一來形成的第1透光性電極圖形11及第2透光性電極圖形12的交叉部分18處，第1透光性電極圖形 11，其墊狀部lla通過連接部分llc而相連，另一方面，第2透光性電極 圖形12斷開。
接著，在第1透光性電極圖形11、第2透光性電極圖形12以及冗余 圖形13的表面?zhèn)韧坎急┧針渲?，啄光顯影，如圖4 (d)所示，以 覆蓋第1透光性電極圖形11的連接部分llc的方式形成層間絕緣膜4a。
接著，在層間絕緣膜4a的上層側(cè)形成非晶的ITO膜之后，在ITO膜 的表面形成有包含感光性樹脂等的蝕刻掩模的狀態(tài)下，對(duì)ITO膜進(jìn)行蝕刻， 如圖4 ( e )所示，在層間絕緣膜4a的上層以連接笫2透光性電極圖形12 的斷開部分的方式形成中繼電極5a。而且，之后，在溫度為200'C以上的 條件下，例如溫度為220'C、時(shí)間為20~30分鐘的條件下進(jìn)行燒制，使構(gòu) 成中繼電極5a的ITO膜成為多晶的ITO膜。如果是非晶的ITO膜則能夠 用草酸等蝕刻，如果是草酸則不能蝕刻多晶的ITO膜，所以在圖形化形成 中繼電極5a時(shí)，不會(huì)損傷第1透光性電極圖形11、第2透光性電極圖形 12以及冗余圖形13。另外，通過燒制，使構(gòu)成中繼電極5a的ITO膜成為 多晶的ITO膜，所以也能夠降低中繼電極5a的電阻。 (本實(shí)施方式的主要效果)
如上所述，在本實(shí)施方式的輸入裝置10中，在俯#見透光性14115時(shí)， 在輸入?yún)^(qū)域10a內(nèi)具有存在構(gòu)成第1透光性電極圖形11以及第2透光性 電極圖形12的透光性導(dǎo)電膜的區(qū)域、和不存在該透光性導(dǎo)電膜的區(qū)域，在 這些區(qū)域之間在反射率方面有差別。因此，笫1透光性電極圖形11以及第 2透光性電極圖形12的存在變得明顯，但在本實(shí)施方式中，在不存在構(gòu)成 第1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12的透光性導(dǎo)電膜的間 隙14中，形成有由具有與第l透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖 形12相等的折射率的透光膜形成的冗余圖形13。因此，才艮據(jù)本實(shí)施方式， 第1透光性電極圖形11、第2透光性電極圖形12以及冗余圖形13中的任 何一個(gè)都不存在的區(qū)域變得極其狹窄，所以第1透光性電極圖形11以及第 2透光性電極圖形12的存在變得不明顯。而且，在本實(shí)施方式中，第l透光性電極圖形ll、第2透光性電極圖 形12以及冗余圖形13在同一絕緣層上(透光性ai5上)由同一透光性 導(dǎo)電膜形成，所以形成有第l透光性電極圖形11、第2透光性電極圖形12 以及冗余圖形13的各區(qū)域中的層結(jié)構(gòu)同樣，反射率沒有差別。因此，即便 是在輸入裝置10中的與輸入面相反一側(cè)重疊配置液晶裝置50時(shí)，也能夠 對(duì)隔著輸入裝置IO觀察液晶裝置50的畫面的使用者提供高品質(zhì)的圖像。
尤其是在本實(shí)施方式中，第1透光性電極圖形U以及笫2透光性電極 圖形12具有大面積的墊狀部lla、 12a，所以是比較顯眼的形狀，但只要 使用本發(fā)明，即便在形成有該形狀的第1透光性電極圖形11以及第2透光 性電極圖形12時(shí)，也能夠可靠地防止這些電極圖形變得明顯。
另外，在本實(shí)施方式中，在間隙14中，將構(gòu)成第1透光性電極圖形 11、第2透光性電極圖形12以及冗余圖形13的ITO膜的空間Sl、 S2的 寬度尺寸WS1、 WS2分別設(shè)定為30nm以下，而且將ITO膜的空間Sl、 S2的寬度尺寸WS1、 WS2的總和WS設(shè)定為50fim以下 因此，在間隙 14中，不存在構(gòu)成第1透光性電極圖形11、第2透光性電極圖形12以及 冗余圖形13的ITO膜的區(qū)域變得不明顯。
另夕卜，在本實(shí)施方式中，冗余圖形13處于電浮置狀態(tài)，并且冗余圖形 13按多個(gè)間隙14中的每個(gè)而獨(dú)立形成。因此，即便在第l透光性電極圖 形11與第2透光性電極圖形12之間設(shè)置冗余圖形13，冗余圖形13的電 影響也不會(huì)波及周圍。因此，在輸入裝置10中，對(duì)于輸入位置的檢測(cè)靈敏 度高。
而且，在本實(shí)施方式中，第1透光性電極圖形11以及笫2透光性電極 圖形12由ITO膜的單層膜形成。作為使第1透光性電極圖形11以及第2 透光性電極圖形12的存在變得不明顯的構(gòu)成，可以考慮使第1透光性電極 圖形11以及第2透光性電極圖形12由多層膜形成，但在采用該構(gòu)成時(shí)， 大多情況下多層膜中不得不包括絕緣膜，相應(yīng)地導(dǎo)電膜變薄，所以第l透 光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12的電阻增大，樹艮據(jù)本實(shí)施 方式，即便第1透光性電極圖形11以及笫2透光性電極圖形12由單層膜形成，第1透光性電極圖形11以及笫2透光性電極圖形12的存在也不明 顯。因此，能夠降低第1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12 的電阻。另外，能夠筒化制造工序，所以能夠降低成本。
另夕卜，在本實(shí)施方式中，在透光性基板15的同一面上形成有第l透光 性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12，所以與分別在透光性^ 15 的表面以及背面形成第1透光性電極圖形11以及笫2透光性電極圖形12 的情況相比，能夠簡(jiǎn)化制造工藝。而且，第l透光性電極圖形ll、第2透 光性電極圖形12以及冗余圖形13在同一絕緣層上(透光性14^15上)由 同一透光性導(dǎo)電膜形成，所以與第l透光性電極圖形11、第2透光性電極 圖形12以及冗余圖形13由不同的層形成的情況相比，能夠簡(jiǎn)化制造工藝。
在此，如果將第1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12在 透光性M 15的同一面?zhèn)扔赏粚有纬?，則必須使第1透光性電極圖形 11以及笫2透光性電極圖形12交叉，該交叉部分18的膜構(gòu)成，與第1透 光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12不同。因此，即便第l透光 性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12的存在不明顯，交叉部分18 的存在也很明顯。而在本實(shí)施方式中，對(duì)于笫2透光性電極圖形12的斷開 部分，采用通過形成于層間絕緣膜4a的上層的中繼電極5a電連接的構(gòu)成， 而且在第1透光性電極圖形11中使得位于交叉部分18的連接部分llc以 及中繼電極5a窄幅化，所以交叉部分18所占的面積也窄。因此，根據(jù)本 發(fā)明，當(dāng)從輸入裝置10的輸入面10b側(cè)觀察時(shí)，交叉部分18的存在并不 明顯，因此當(dāng)從輸入裝置10的輸入面10b側(cè)觀察在液晶裝置50等上顯示 的圖像時(shí)，圖像的品質(zhì)高。 (實(shí)施方式2)
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2中的輸入裝置中所形成的笫1透光性 電極圖形以及第2透光性電極圖形的俯視構(gòu)成的說明圖。圖6(a)、 (b) 分別是本發(fā)明的實(shí)施方式2中的輸入裝置的圖5中的A2-A2，剖面圖，和表 示透光性電極圖形和金屬布線的連接結(jié)構(gòu)的剖面圖。另外，本實(shí)施方式的 基本構(gòu)成與實(shí)施方式l同樣，所以對(duì)于共用部分標(biāo)注同一符號(hào)進(jìn)行圖示，省略它們的說明。
在圖5以及圖6 (a)中，本實(shí)施方式的輸入裝置IO也與實(shí)施方式1 一樣，是靜電電容式的觸摸面板，在透光性M 15的輸入面10b中的輸入 區(qū)域10a中，形成有按第1方向延伸的多列第l透光性電極圖形11;和按 與第1方向相交叉的笫2方向延伸的多列第2透光性電極圖形12。
還有，在本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式l同樣，第l透光性電極圖形ll 以及第2透光性電極圖形12，由交叉部分18所夾的區(qū)域分別為棱形形狀 的大面積的墊狀部lla、 12a (大面積部分)，在該墊狀部lla、 12a所夾 的間隙14中，形成有與第1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形 12同時(shí)形成的由ITO膜形成的冗余圖形13。
在本實(shí)施方式中，在笫1透光性電極圖形11與第2透光性電極圖形 12的交叉部分18，第l透光性電極圖形ll相互連接，而第2透光性電極 圖形12相互斷開。
在此，在第1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12的上層 側(cè)，在輸入?yún)^(qū)域10a的大致整個(gè)區(qū)域中形成有透光性層間絕緣膜4b，在該 層間絕緣膜4b的上層，形成有通過層間絕緣膜4b的接觸孔4c、電連接在 交叉部分18處斷開的第2透光性電極圖形12彼此的透光性的中繼電極5a。 因此，第2透光性電極圖形12在第2方向上電連接。該中繼電極5a也與 實(shí)施方式1 一樣，以比第2透光性電極圖形12的墊狀部12a寬度窄的窄幅 形狀形成為長(zhǎng)方形狀。
另外，如圖6(b)所示，即便在本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式l同樣， 在透光性基板15上在輸入?yún)^(qū)域10a的外側(cè)區(qū)域，延伸有來自第1透光性電 極圖形11以及笫2透光性電極圖形12的各自的布線用引出部分la，在該 布線用引出部分la的上層形成有金屬布線9a。金屬布線9a的端部，構(gòu)成 用于連接柔性基敗19的端子19a。 (輸入裝置IO的制造方法)
圖7 (a) ~ (e)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2中的輸入裝置的制造方 法的工序剖面圖。另外，在圖7(a) ~ (e)中， 一并示出透光性電極圖形、交叉部以及金屬布線，在左側(cè)示出與圖6 (a)相當(dāng)?shù)牟糠?，在右?cè)示 出與圖6 (b)相當(dāng)?shù)牟糠郑?br> 在制造本實(shí)施方式的輸入裝置10時(shí)，首先，如圖7 (a)所示，在透 光性14115(玻璃M)的一方的面的整個(gè)面上形成膜厚為10~100nm的 多晶ITO膜l之后，形成金屬膜9。
接著，在金屬膜9的表面在形成了包含感光性樹脂等的蝕刻掩模的狀 態(tài)下，蝕刻金屬膜，如圖7 (b)所示，在圖形化形成金屬布線9a之后， 去掉蝕刻掩模。
接著，在金屬布線9a等的上層側(cè)在形成有包含感光性樹脂等的蝕刻掩 模的狀態(tài)下，對(duì)ITO膜1進(jìn)行蝕刻，如圖7 (c)所示，圖形化形成第1 透光性電極圖形ll、第2透光性電極圖形12、冗余圖形13以及布線用引 出部分la之后，去掉蝕刻掩模。
接著，在笫1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12的表面 側(cè)涂敷丙烯酸樹脂之后，曝光顯影，如圖7(d)所示，以與第l透光性電 極圖形11、第2透光性電極圖形12以及交叉部分18重疊的方式形成層間 絕緣膜4b。此時(shí)，在層間絕緣膜4b同時(shí)形成接觸孔4c。
接著，在層間絕緣膜4b的上層側(cè)形成多晶的ITO膜之后，在ITO膜 的表面在形成有包含感光性樹脂等的蝕刻掩模的狀態(tài)下，對(duì)ITO膜進(jìn)行蝕 刻，如圖7 (e)所示，形成中繼電極5a。此時(shí)，第1透光性電極圖形11 以及第2透光性電極圖形12由層間絕緣膜4b覆蓋，所以不會(huì)損傷第1透 光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12。另外，可以取代多晶的ITO 膜，形成非晶的ITO膜，在形成有包含感光性樹脂等的蝕刻掩模的狀態(tài)下， 通過草酸進(jìn)行蝕刻，圖形形成之后進(jìn)行退火而使之成為多晶的ITO膜。 (本實(shí)施方式的主要效果)
如上所述，在本實(shí)施方式中與實(shí)施方式l同樣，在不存在構(gòu)成第l透 光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12的透光性導(dǎo)電膜的間隙14 中，形成有由具有與第1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12 相等的折射率的透光膜形成的冗余圖形13。因此，第1透光性電極圖形11、笫2透光性電極圖形12以及冗余圖形13中的任何一個(gè)都不存在的區(qū)域變 得極其狹窄，所以能達(dá)到第1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形 12的存在變得不明顯等的與實(shí)施方式1同樣的效果。 (實(shí)施方式3)
圖8是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式3中的輸入裝置中形成的第l透光性 電極圖形以及第2透光性電極圖形的俯視構(gòu)成的說明圖。圖9(a)、 (b) 分別是本發(fā)明的實(shí)施方式3中的輸入裝置的圖8中的A3-A3，剖面圖，和表 示透光性電極圖形和金屬布線的連接結(jié)構(gòu)的剖面圖。另外，本實(shí)施方式的 基本構(gòu)成與實(shí)施方式l同樣，所以對(duì)于共用部分標(biāo)注同一符號(hào)進(jìn)行圖示， 省略它們的說明。
在圖8以及圖9 (a)中，本實(shí)施方式的輸入裝置10也與實(shí)施方式1 一樣，是靜電電容式的觸摸面板，在透光性基敗15的輸入面10b中的輸入 區(qū)域10a中，形成有按第l方向延伸的多列第l透光性電極圖形11;和按 與第1方向相交叉的第2方向延伸的多列第2透光性電極圖形12。
還有，在本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式l同樣，第l透光性電極圖形ll 以及第2透光性電極圖形12，由交叉部分18所夾的區(qū)域分別為棱形形狀 的大面積的墊狀部lla、 12a (大面積部分)，在該墊狀部lla、 12a所夾 的間隙14中，形成有與第l透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形 12同時(shí)形成的由ITO膜形成的冗余圖形13。
在本實(shí)施方式中，在笫1透光性電極圖形11與第2透光性電極圖形 12的交叉部分18處，第l透光性電極圖形ll相連，而第2透光性電極圖 形12斷開。
在此，在第1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12的下層 側(cè)，在輸入?yún)^(qū)域10a的大致整個(gè)區(qū)域中形成有透光性層間絕緣膜4b，在該 層間絕緣膜4b的下層，形成有通過層間絕緣膜4b的接觸孔4c電連接在交 叉部分18處斷開的笫2透光性電極圖形12彼此的透光性的中繼電極5a。 因此，第2透光性電極圖形12在第2方向上電連接。該中繼電極5a也與 實(shí)施方式1 一樣，按照比第2透光性電極圖形12的墊狀部12a寬度窄的窄幅形狀形成為長(zhǎng)方形狀。
另外，如圖9(b)所示，即《更在本實(shí)施方式中，在透光性Ml5上 在輸入?yún)^(qū)域10a的外側(cè)區(qū)域，延伸有來自第1透光性電極圖形11以及第2 透光性電極圖形12的各自的布線用引出部分la,在該布線用引出部分la 的下層形成有金屬布線9a。在金屬布線9a的下層，形成與中繼電極5a同 時(shí)形成的由ITO膜形成的布線5b。 (輸入裝置IO的制造方法)
圖10(a) ~ (e)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3中的輸入裝置的制造方 法的工序剖面圖。另外，在圖10(a) ~ (e)中， 一并示出透光性電極圖 形、交叉部分以及金屬布線，在左側(cè)示出與圖9 (a)相當(dāng)?shù)牟糠郑谟覀?cè) 示出與圖9 (b)相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 在制造本實(shí)施方式的輸入裝置10時(shí)，首先，如圖10(a)所示，在透 光性J4！ 15 (玻璃基板)的一方的面的整個(gè)面上形成膜厚為10 ~ 100nm的 多晶ITO膜5之后，形成金屬膜9。
接著，在金屬膜9的表面在形成了包含感光性樹脂等的蝕刻掩模的狀 態(tài)下，蝕刻金屬膜，如圖10(b)所示，在圖形化形成金屬布線9a之后， 去掉蝕刻掩模。
接著，在金屬布線9a等的上層側(cè)在形成有包含感光性樹脂等的蝕刻掩 模的狀態(tài)下，對(duì)ITO膜5進(jìn)行蝕刻，如圖10(c)所示，形成中繼電極5a。 此時(shí)，也圖形化形成布線5b。隨后去掉蝕刻掩才莫。
接著，在中繼電極5a的表面?zhèn)韧糠蟊┧針渲?，膝光顯影，如圖 10(d)所示，形成層間絕緣膜4b。此時(shí)，在層間絕緣膜4b同時(shí)形成接觸 孔4c。另外，在透光性基板15上在輸入?yún)^(qū)域10a的外側(cè)區(qū)域，沒有形成 層間絕緣膜4b。
接著，在層間絕緣膜4a的上層側(cè)形成多晶的ITO膜之后，在ITO膜 的表面在形成有包含感光性樹脂等的蝕刻掩模的狀態(tài)下，對(duì)ITO膜進(jìn)行蝕 刻，如圖10(e)所示，圖形化形成第l透光性電極圖形11、第2透光性 電極圖形12、冗余圖形13以及布線用引出部分la之后，去掉蝕刻掩模。另外，可以取代多晶的ITO膜，形成非晶的ITO膜，在形成有包含感光 性樹脂等的蝕刻掩模的狀態(tài)下，由草酸蝕刻，圖形化形成之后退火而成為 多晶ITO膜。
(本實(shí)施方式的主要效果)
如上所述，在本實(shí)施方式中與實(shí)施方式1同樣，在不存在構(gòu)成第l透 光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12的透光性導(dǎo)電膜的間隙14 中，形成有由具有與笫1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12 相等的折射率的透光膜形成的冗余圖形13。因此，第l透光性電極圖形11、 第2透光性電極圖形12以及冗余圖形13中的任何一個(gè)都不存在的區(qū)域變 得極其狹窄，所以能夠得到第1透光性電極圖形11以及笫2透光性電極 圖形12的存在變得不明顯等的與實(shí)施方式1同樣的效果。 (冗余圖形13的其他構(gòu)成例)
圖11 (a) 、 (b)是表示應(yīng)用本發(fā)明的輸入裝置10中所形成的冗余 圖形13的其他構(gòu)成例的俯視圖。
在實(shí)施方式1至3中的任意一個(gè)中，對(duì)在由第1透光性電極圖形11 以及第2透光性電極圖形12的墊狀部lla、 12a所夾的間隙14中，冗余圖 形13作為1根線狀圖形而形成的例子進(jìn)行了說明，但也可以采用如圖11 (a)所示，在間隙14中，2根冗余圖形13以在間隙14的寬度方向上并 列的狀態(tài)沿間隙14的長(zhǎng)度方向延伸的構(gòu)成。如果采用該構(gòu)成，在間隙14 的寬度方向上，能夠容易地將在墊狀部lla、 12a和冗余圖形13之間所形 成的空間的寬度尺寸設(shè)定為30nm以下，而且也能夠容易地將空間的寬度 尺寸的總和設(shè)定為50nm以下。還有，在間隙14內(nèi)排列有多根冗余圖形 13的情況下，與冗余圖形13為1根的情況相比，在第1透光性電極圖形 ll和第2透光性電極圖形12之間寄生的電容小。因此，在輸入裝置10中 能夠提高對(duì)于輸入位置的檢測(cè)靈敏度。另外，在圖11 (a)中，示出了在 間隙14內(nèi)并排有2根冗余圖形13的構(gòu)成，但也可以采用并排有3根以上 的冗余圖形13的構(gòu)成。
在實(shí)施方式l至3中的任意一個(gè)中，都對(duì)在由第1 光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12的墊狀部lla、 12a所夾的間隙14中，冗余圖 形13作為線狀圖形而形成的例子進(jìn)行了說明，但也可以采用如圖11 (b) 所示，在l個(gè)間隙14中將冗余圖形13在間隙14的長(zhǎng)度方向上分割的構(gòu)成。 如果采用這樣的構(gòu)成，則與冗余圖形13延伸的情況相比，因冗余圖形13 造成的電影響小，所以能夠提高對(duì)于輸入位置的檢測(cè)靈敏度。在該情況下， 也優(yōu)選，在間隙14的寬度方向上，將在墊狀部lla、 12a和冗余圖形13 之間所形成的空間的寬度尺寸設(shè)定為30fiin以下，而且將空間的寬度尺寸 的總和設(shè)定為50pm以下。還有，關(guān)于被分割的冗余圖形13的間隔，也優(yōu) 選為3(Vm以下。如果這樣構(gòu)成，則在間隙14中，不存在構(gòu)成第1透光性 電極圖形11、第2透光性電極圖形12以及冗余圖形13的ITO膜的區(qū)域不 明顯。
(其他實(shí)施方式)
在上述實(shí)施方式l、 2中，將金屬布線9a的端部直接作為端子19a利 用，但也可以在金屬布線9a的端部的上層與中繼電極5a同時(shí)形成ITO層， 作為端子19a。還有，在實(shí)施方式2、 3中，僅在輸入?yún)^(qū)域10a形成層間絕 緣膜4b，但也可以在除端子19a的表面之外的大致整個(gè)面形成層間絕緣膜 4b。
在上述實(shí)施方式1~3中，第l透光性電極圖形ll、第2透光性電極 圖形12以及冗余圖形13由ITO膜構(gòu)成，但也可以由IZO (Indium Zinc Oxide,氧化銦鋅)等的透光性的導(dǎo)電性金屬氧化膜構(gòu)成。
在上述實(shí)施方式1~3中，冗余圖形13與第l透光性電極圖形11、第 2透光性電極圖形12—樣是由ITO膜構(gòu)成的，但關(guān)于冗余圖形13，只要 是具有與第1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12相等的折射 率的透光材料即可，可以使用與第l透光性電極圖形11以及第2透光性電 極圖形12的材料種類、膜厚不同的透光性導(dǎo)電膜，而且也可以使用透光性 絕緣膜。在采用透光性絕緣膜的情況下，冗余圖形13不會(huì)與第1透光性電 極圖形11、第2透光性電極圖形12短路，所以在俯視時(shí)，也能夠由冗余 圖形13完全填埋間隙14。即，能夠使冗余圖形13的端部、與第1透光性電極圖形11以及笫2透光性電極圖形12的端部一致。如果這樣構(gòu)成，則 在間隙14中不存在第l透光性電極圖形11、第2透光性電極圖形12的ITO 膜的區(qū)域幾乎不明顯。
在上述實(shí)施方式1 ~3中，是第1透光性電極圖形11、第2透光性電 極圖形12以及冗余圖形13，在透光性基板15的同一面?zhèn)仍谕唤^緣層上 由同一透光性導(dǎo)電膜形成的構(gòu)成，但本發(fā)明也適用于，在透光性基板15 的同一面?zhèn)热哂鄨D形13與第1透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖 形12在不同的絕緣層上形成的情況、在透光性基敗15的同一面?zhèn)鹊趌透 光性電極圖形11與第2透光性電極圖形12在不同的絕緣層上形成的情況。 進(jìn)而，本發(fā)明也適用于第1透光性電極圖形11與第2透光性電極圖形12 形成在透光性基^ 15的不同面?zhèn)鹊那闆r。在冗余圖形13，與第1透光性 電極圖形11以及第2透光性電極圖形12隔著絕緣層配置的情況下，冗余 圖形13不會(huì)與第l透光性電極圖形11、第2透光性電極圖形12短路，所 以在俯視時(shí)能夠由冗余圖形13完全填埋間隙14。即，能夠使冗余圖形13 的端部、與第l透光性電極圖形11以及第2透光性電極圖形12的端部一 致。如果這樣構(gòu)成，則在間隙14中不存在第1透光性電極圖形11、第2 透光性電極圖形12的ITO膜的區(qū)域幾乎不明顯。此時(shí)，在間隙14內(nèi)，冗 余圖形13與第l透光性電極圖形ll和第2透光性電極圖形12俯視接近， 所以在第1透光性電極圖形11和第2透光性電極圖形12之間寄生的電容 增大，但因?yàn)閵A著絕緣層，所以能確保距離，能夠減小寄生電容。因此， 在輸入裝置10中能夠提高對(duì)于輸入位置的檢測(cè)靈敏度。
在上述實(shí)施方式中，使用作為圖像生成裝置的液晶裝置50，但也可以 將有機(jī)電致發(fā)光裝置、等離子體顯示裝置作為圖像生成裝置使用。
[對(duì)電子設(shè)備的裝栽例l
下面，對(duì)于^f吏用上述實(shí)施方式所涉及的帶輸入裝置的顯示裝置100的 電子設(shè)備，進(jìn)行說明。圖12 (a)表示具備帶輸入裝置的顯示裝置100的 便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)的構(gòu)成。個(gè)人計(jì)算機(jī)2000具備作為顯示單元的帶輸入裝 置的顯示裝置100和主體部2010。在主體部2010， i殳置有電源開關(guān)2001及鍵盤2002。圖12 (b)表示具備帶輸入裝置的顯示裝置100的便攜電話 機(jī)的構(gòu)成。便攜電話機(jī)3000具備多個(gè)操作^; 3001、滾動(dòng)按鈕3002及作 為顯示單元的帶輸入裝置的顯示裝置100。通過操作滾動(dòng)按鈕3002，使顯 示于帶輸入裝置的顯示裝置100的畫面滾動(dòng)。圖12 (c)表示使用帶輸入 裝置的顯示裝置100的信息便攜終端(PDA: Personal Digital Assistants, 個(gè)人數(shù)字助理)的構(gòu)成。信息便攜終端4000具備多個(gè)^Mt掩建4001、電 源開關(guān)4002及作為顯示單元的帶輸入裝置的顯示裝置100。若操作了電源 開關(guān)4002，則地址錄、日程本之類的各種信息顯示于帶輸入裝置的顯示裝 置100。
還有，作為使用帶輸入裝置的顯示裝置100的電子設(shè)備，除了圖12 所示的設(shè)備之外，還能舉出數(shù)字靜止相機(jī)、液晶電視機(jī)、取景器型/監(jiān)視直 視型磁帶錄像機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本、臺(tái)式電子計(jì)算器、 文字處理機(jī)、工作站、電視電話機(jī)、POS終端、具備觸摸面板的設(shè)備等。 而且，作為這些各種電子設(shè)備的顯示部，可以采用上述的帶輸入裝置的顯 示裝置100。
權(quán)利要求
1.一種靜電電容式輸入裝置，其在透光性基板的輸入?yún)^(qū)域形成有按第1方向延伸的多個(gè)第1透光性電極；和按與上述第1方向交叉的第2方向延伸的多個(gè)第2透光性電極；其特征為，在沿俯視方向看上述透光性基板時(shí)，在由上述第1透光性電極和上述第2透光性電極所夾著的區(qū)域，形成有由與上述第1透光性電極和上述第2透光性電極相同的透光性導(dǎo)電膜形成的冗余圖形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所記載的靜電電容式輸入裝置，其特征為， 上述第1透光性電極以及上述第2透光性電極，由單層膜形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所記栽的靜電電容式輸入裝置，其特征為， 上述第l透光性電極、上述第2透光性電極以及上述冗余圖形，在上述透光性皿的同 一面?zhèn)扔赏?一透光性導(dǎo)電膜構(gòu)成，上述冗余圖形被形成為，與上述第1透光性電極以及上述第2透光性 電極雙方絕緣的狀態(tài)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所記載的靜電電容式輸入裝置，其特征為， 上述第l透光性電極、上述第2透光性電極以及上述冗余圖形，在上述透光性基板的同 一 面?zhèn)仍谕?一絕緣層上由同 一透光性導(dǎo)電膜形成，
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所記載的靜電電容式輸入裝置，其 特征為，上述第1透光性電極以及上述第2透光性電極分別在由上述第1透光 性電極和上述第2透光性電極的交叉部分所夾著的區(qū)域具有大面積部分，在上述第1透光性電極和上述第2透光性電極之間，形成有多個(gè)由相 互的上述大面積部分所夾著的縫隙狀的間隙，上述冗余圖形形成于上述間隙內(nèi)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所記載的靜電電容式輸入裝置，其特征為， 上述冗余圖形按上述多個(gè)間隔的每個(gè)而獨(dú)立形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所記載的靜電電容式輸入裝置，其特征為，上述冗余圖形，以在上述間隙內(nèi)按該間隙的寬度方向并列的狀態(tài)在該 間隙的長(zhǎng)度方向上延伸有多個(gè)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所記載的靜電電容式輸入裝置，其特征為， 上述冗余圖形，在1個(gè)上述縫隙狀的間隙內(nèi)，在該間隙的長(zhǎng)度方向上被分割而配置有多個(gè)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5至9中的任一項(xiàng)所記載的靜電電容式輸入裝置，其 特征為，在上述間隙的寬度方向上，在上述大面積區(qū)域與上述冗余圖形之間所 形成的空間的寬度尺寸為3(Him以下且空間的寬度尺寸的總和為50nm以 下。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所記載的靜電電容式輸入裝置， 其特征為，在上述交叉部分，上述第1透光性電極以及上述第2透光性電極中的 一方的透光性電極相互相連，另一方面，另一方的透光性電極相互斷開， 至少在上述交叉部分處的上述一方的透光性電極的上層側(cè)或下層側(cè)形成有透光性的層間絕緣膜，并且在相對(duì)于該層間絕緣膜的上層側(cè)以及下層側(cè)之中的、與形成上述 第1透光性電極以及上述第2透光性電極的一側(cè)相反的一側(cè)，形成有對(duì)在 上述交叉部分處斷開的上述另一方的透光性電極彼此進(jìn)行電連接的透光性 的中繼電極。
11. 一種帶輸入功能的顯示裝置，其具備權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng) 所記載的靜電電容式輸入裝置，其特征為，在上述靜電電容式輸入裝置的與輸入面相反的一側(cè)重疊配置有圖像生 成裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供靜電電容式輸入裝置以及帶輸入功能的顯示裝置，能夠以簡(jiǎn)單的構(gòu)成使得透光性基板上的透光性電極圖形變得不明顯。在本發(fā)明中，帶輸入裝置的顯示裝置(100)的輸入裝置(10)，是靜電電容式的觸摸面板，在由第1透光性電極圖形(11)以及第2透光性電極圖形(12)的墊狀部(11a、12a)所夾的間隙(14)中，形成有與第1透光性電極圖形(11)以及第2透光性電極圖形(12)同時(shí)形成的冗余圖形(13)。該冗余圖形(13)，與第1透光性電極圖形(11)以及第2透光性電極圖形(12)絕緣，處于電浮置狀態(tài)。
文檔編號(hào)G06F3/044GK101609384SQ20091014597
公開日2009年12月23日 申請(qǐng)日期2009年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月18日
發(fā)明者松尾睦 申請(qǐng)人:愛普生映像元器件有限公司