專利名稱：：一種讀數(shù)據(jù)的方法、裝置和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及存儲(chǔ)
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種讀數(shù)據(jù)的方法、裝置和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：與非門閃存(NANDFlash)是一種非易失性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)介質(zhì)，其特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。NANDFlash分為S單層式儲(chǔ)存單元(SingleLevelCell,SLC)和多層式儲(chǔ)存單元(MultiLevelCell,MLC)。SLC芯片中，每個(gè)存儲(chǔ)單元只存放1比特(Bit)的數(shù)據(jù)，MLC芯片中，每個(gè)儲(chǔ)存單元可以存放2Bit或更多Bit的數(shù)據(jù)。對(duì)NANDFlash的操作最主要有讀、寫和刪除。NANDFlash的讀、寫或刪除，都需要命令來(lái)指示，這些命令都是以比特(Byte)為單位發(fā)布；命令是不同于數(shù)據(jù)的，所以命令要有使能信號(hào)；基于NANDFlash只有一組數(shù)據(jù)總線，并且總線的幅度只有8位或16位，地址和數(shù)據(jù)要共用這一組數(shù)據(jù)總線，所以就會(huì)有地址使能信號(hào)；另外，數(shù)據(jù)讀寫要有讀寫控制信號(hào)，所以會(huì)有讀使能信號(hào)和寫使能信號(hào)，NANDFlash的主要引腳及說(shuō)明如表1所示表1<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>NANDFlash器件通常由內(nèi)部寄存器和存儲(chǔ)矩陣組成，以一種NANDFlash器件為例存儲(chǔ)矩陣包含1024個(gè)塊(Block),每個(gè)Block包含16頁(yè)(Page)，每個(gè)Page包含512+16個(gè)比特(byte)，其中的16byte為專有數(shù)據(jù)；每種NANDFlash芯片的存儲(chǔ)矩陣大小定義可以不同，上述NANDFlash以528個(gè)byte組成一個(gè)Page,16個(gè)Page組成一個(gè)Block,由1024個(gè)Block組成Flash存儲(chǔ)器。在每頁(yè)中512bytes用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，16bytes用于存放糾錯(cuò)碼(ErrorCorrectionCode,ECC)數(shù)據(jù)校驗(yàn)碼。由于NANDFlash地址、命令和數(shù)據(jù)的輸入輸出(Input/Output,I/O)通道是復(fù)用的，從NANDFlash中讀取數(shù)據(jù)的過(guò)程為先發(fā)送一個(gè)時(shí)鐘周期的讀命令i,然后發(fā)送五個(gè)時(shí)鐘周期的讀地址，然后發(fā)送一個(gè)時(shí)鐘周期的讀命令2，然后經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的潛伏期(tR),最后讀出數(shù)據(jù)(data)。如圖1所示，為單片NANDFlash讀取過(guò)程示意圖，橫向?yàn)闀r(shí)間軸，表示了R/B端口，I/O端口，RE弁端口的信息發(fā)送狀況，單片NANDFlash讀速率=數(shù)據(jù)量/(發(fā)命令時(shí)間tCMD+發(fā)地址時(shí)間tADDR+讀潛伏期tR+讀出數(shù)據(jù)時(shí)間tDATA),以讀時(shí)鐘周期為30ns為例SLC器件單片讀速率=4224Bytes/(7*30ns+25ms+4224*30ns)=27.7MB/s;MLC器件單片讀速率=4224Bytes/(7*30ns+60jus+4224*30ns)=22.5MB/s。為了提高NANDFlash的讀寫速度，通常可以采用現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列器件(FieldProgrammableGatesArray,FPGA)連接4個(gè)通道的NANDFlash控制器，每個(gè)控制器控制完成4片NANDFlash的讀寫。在讀數(shù)據(jù)的時(shí)候4片NANDFlash對(duì)I/O通道使用是串行的，即第一片讀數(shù)據(jù)完成之后，再讀第二片數(shù)據(jù)；讀完第二片數(shù)據(jù)后，再讀第三片數(shù)據(jù)；讀完第三片數(shù)據(jù)后，再讀第四片數(shù)據(jù)，依此類推。多片NANDFlash的讀取流程，如圖2所示，橫向?yàn)闀r(shí)間軸，從上到下依次表示，#端口，1/0端口，RE弁端口的信息發(fā)送狀況。假設(shè)FPGA使用高級(jí)技術(shù)附加裝置(AdvancedTechnologyAttachment,ATA)接口(外部接口速度最大為133MB/s)的數(shù)據(jù)輸入速率為133MB/s，典型的SLC器件單通道讀速率為27.7MB/s,如果四個(gè)通道一起讀數(shù)據(jù)，則讀速率為27.7MB/s*4=110MB/s;典型的MLC器件單通道讀速率為22.5MB/s，如果四個(gè)通道一起讀數(shù)據(jù)，則讀速率為22.5MB/s*4=90MB/s。用了較長(zhǎng)的時(shí)間，I/O通道傳輸數(shù)據(jù)時(shí)兩次讀數(shù)據(jù)之間，也會(huì)等待潛伏期，導(dǎo)致i/o通道利用率較低，讀取速率低。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種讀數(shù)據(jù)的方法、裝置和系統(tǒng)，提高讀取速率。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所提供的讀數(shù)據(jù)方法實(shí)施例可以通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例提供一種讀數(shù)據(jù)方法，包括向第一閃存片發(fā)送第一讀命令，接收到所述第一讀命令的響應(yīng)后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；在所述向第一閃存片發(fā)送第一讀命令之后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，向第二閃存片發(fā)送第二讀命令；接收到所述第二讀命令的響應(yīng)，且所述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)完成后，讀所述第二讀命令指向的數(shù)據(jù)。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種讀數(shù)據(jù)裝置，包括讀命令發(fā)送單元，用于向第一閃存片發(fā)送第一讀命令，在所述向第一閃存片發(fā)送第一讀命令之后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，向第二閃存片發(fā)送第二讀命令；響應(yīng)接收單元，用于接收所述第一讀命令的響應(yīng)，接收第二讀命令的響應(yīng)；數(shù)據(jù)讀取單元，用于接收到所述第一讀命令的響應(yīng)后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；接收到所述第二讀命令的響應(yīng)，且所述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)完成后，讀所述第二讀命令指向的數(shù)據(jù)。本發(fā)明實(shí)施例再提供一種讀數(shù)據(jù)系統(tǒng)，包括讀取控制器、與非門閃存存儲(chǔ)器，所述與非門閃存存儲(chǔ)器包括第一閃存片，第二閃存片；其特征在于，所述讀取控制器，用于向第一閃存片發(fā)送第一讀命令，接收到所述第一讀命令的響應(yīng)后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；在所述向第一閃存片發(fā)送第一讀命令之后，所述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，向第二閃存片發(fā)送第二讀命令；接收到所述第二讀命令的響應(yīng)，且所述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)完成后，讀所述第二讀命令指向的數(shù)據(jù)。上述技術(shù)方案具有如下有益效果通過(guò)在第一讀命令與讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之間，發(fā)送第二讀命令，復(fù)用了讀潛伏期，兩次讀數(shù)據(jù)之間不再有讀潛伏期，提高了I/0通道利用率，從而提高讀取速率。為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖l為現(xiàn)有技術(shù)讀一片閃存片流程示意圖2為現(xiàn)有^l支術(shù)讀四片閃存片流程示意圖3為本發(fā)明方法實(shí)施例一流程示意圖4為本發(fā)明方法實(shí)施例二流程示意圖5為本發(fā)明方法實(shí)施例二讀閃存片流程示意圖6為本發(fā)明方法實(shí)施例二的一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景示意圖7為本發(fā)明實(shí)施例三裝置結(jié)構(gòu)示意圖8為本發(fā)明實(shí)施例四系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種讀數(shù)據(jù)的方法、裝置和系統(tǒng)，提高讀取速率。實(shí)施例一，如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種讀數(shù)據(jù)的方法，包括步驟301:向第一閃存片發(fā)送第一讀命令；接收上述第一讀命令的響應(yīng)；第一讀命令可以為發(fā)送的讀取請(qǐng)求消息，該讀取請(qǐng)求消息包括讀命令和讀地址；步驟302:在上述向第一閃存片發(fā)送第一讀命令之后，讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，向第二閃存片發(fā)送第二讀命令；接收到上述第二讀命令的響應(yīng)；上述向第二閃存片發(fā)送第二讀命令可以是連續(xù)向三片第二閃存片分別發(fā)送第二讀命令；7步驟303:接收到上述第一讀命令的響應(yīng)后，讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；上述接收到上述第一讀命令的響應(yīng)后，讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；的具體方法可以為第一閃存片接收到第一讀命令后，發(fā)送R/B^信號(hào)來(lái)響應(yīng)第一讀命令，R/B弁信號(hào)為就緒(ready)狀態(tài)，則可以發(fā)送RE弁信號(hào)讀出該片F(xiàn)lash中的數(shù)據(jù)；步驟304:接收到上述第二讀命令的響應(yīng)，且上述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)完成后，讀第二讀命令指向的數(shù)據(jù)。第二閃存片中數(shù)據(jù)的讀取方法與第一閃存片的讀取方法是相同的。上述方法的執(zhí)行主體可以為控制數(shù)據(jù)讀取的各種設(shè)備，或者設(shè)備中負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)讀取控制的模塊；為了表述方便，稱一次讀取過(guò)程中，發(fā)送的一條讀命令為第一讀命令，其指向的閃存片為第一閃存片；上述第一讀命令的下一條讀命令為第二讀命令，第二讀命令指向的閃存片為第二閃存片；可以理解的是，第二讀命令可以有多條，第二閃存片可以有與第二讀命令一樣多的片數(shù)。上述方法，通過(guò)在第一讀命令與讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之間，發(fā)送第二讀命令，復(fù)用了讀潛伏期，兩次讀數(shù)據(jù)之間不再有讀潛伏期，提高了I/0通道利用率，從而提高讀取速率。實(shí)施例二，作為應(yīng)用實(shí)施例一方法的一個(gè)例子，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種讀數(shù)據(jù)的方法，本實(shí)施例中，將從四片閃存片(第一閃存片l、第二閃存片2、第三閃存片3、第四閃存片4)中依次讀數(shù)據(jù)；如圖4所示，包括以下步驟步驟401:向閃存片l發(fā)第一讀命令和第一讀地址，然后等待閃存片l的R/B^J信號(hào)響應(yīng)；步驟402:在等待閃存片1的R/B弁—l信號(hào)響應(yīng)期間，依次向閃存片2、閃存片3、閃存片4分別發(fā)送讀命令和讀地址(這些讀命令可以依次分別為第二讀命令、第三讀命令和第四讀命令；這些讀地址可以標(biāo)記為第二讀地址、第三讀地址和第四讀地址)，然后等待閃存片2、閃存片3、閃存片4的R/B弁—2、R/B#_3、R/B#—4信號(hào)響應(yīng)；由于tR的時(shí)間遠(yuǎn)大于發(fā)讀命令和讀地址的時(shí)間，所以4片閃存片發(fā)送讀命令和讀地址完成后，tR應(yīng)該還沒有完成(tR—般為20000ns左右而發(fā)送讀命令和讀地址200ns左右，也就是說(shuō)理論上一般可以連續(xù)向100片閃存片發(fā)送讀命令和讀地址)當(dāng)然由于讀數(shù)據(jù)的控制裝置的型號(hào)不同，tR也可以有很多種，但是一般都遠(yuǎn)大于發(fā)送讀命令和讀地址所需要的時(shí)間。一次連續(xù)發(fā)送多少個(gè)讀命令和讀地址可以根據(jù)本次讀取數(shù)據(jù)需要讀取的片數(shù)來(lái)確定，如果需要讀取的閃存片有非常多個(gè)，一次連續(xù)發(fā)送讀命令和讀地址的時(shí)間超過(guò)了潛伏期的時(shí)間，也可以分成幾次來(lái)讀取，每次讀取的方法，與本實(shí)施例的方法相同。步驟403:接收到閃存片1返回的R/B弁一1信號(hào)為就緒(ready)狀態(tài)時(shí)，向第一閃存片發(fā)送RE弁—l信號(hào)讀出該片F(xiàn)lash中的數(shù)據(jù)；步驟404:閃存片2返回R/B弁—2信號(hào)的時(shí)間可能在讀閃存片l的數(shù)據(jù)的時(shí)候，此時(shí)不發(fā)RE弁信號(hào)，直到閃存片l的數(shù)據(jù)讀取完成后，向閃存片2發(fā)送RE弁信號(hào)讀出該片F(xiàn)lash中的數(shù)據(jù)；同理，讀取閃存片3、閃存片4的數(shù)據(jù)；上述方法實(shí)現(xiàn)過(guò)程還可以一并參閱圖5，圖5中顯示前三片閃存的讀取過(guò)程，在上述方法實(shí)施例中，一片的RE弁信號(hào)發(fā)送完成后再發(fā)送下一片的RE弁信號(hào)；由于復(fù)用了讀潛伏期，這樣從總體來(lái)看，1/0輸出的數(shù)據(jù)基本可以占滿I/0帶寬，從而提高了讀速率。如圖6所示，以上述方法的一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景為例，!/沒系統(tǒng)的主才幾601(HOST)通過(guò)高級(jí)4支術(shù)附加裝置(AdvancedTechnologyAttachment,ATA)接口和與非門閃存控制器602(NANDFlashControler)連接，來(lái)讀取與非門閃存603(NANDFlash)的數(shù)據(jù)，由于ATA接口最大的傳輸速率是133MB/s，每片與非門閃存603(NANDFlash)的最大讀寫帶寬為40MB/s,當(dāng)NANDFlash采用30ns的讀周期和寫周期讀寫數(shù)據(jù)的時(shí)候，帶寬就是33.33MB/s。為了提高系統(tǒng)的速率，采用4個(gè)NANDFlash通道并行處理，每個(gè)通道的NANDFlash相互獨(dú)立，因此NANDFlash端的理論最大帶寬即33.33舉4二133MB/s?；贔PGA的NANDFlash控制器用于接收ATA端的指令來(lái)控制NANDFlash。如果采用現(xiàn)有技術(shù)的方式讀NANDFlash,根據(jù)前面的介紹，對(duì)于典型的SLC器件四個(gè)通道一起讀數(shù)據(jù)，理論讀速率為27.7^48/3*4=110,/8;對(duì)于典型的MLC器件四個(gè)通道一起讀凝:據(jù)，理論讀速率為22.5MB/s5^4=90MB/s。-使用上述實(shí)施例的方法后每個(gè)通道NANDFlash讀速率-數(shù)據(jù)量/(發(fā)命令時(shí)間tCMD+發(fā)地址時(shí)9間tADDR+讀潛伏期tR+讀出數(shù)據(jù)時(shí)間tDATA),對(duì)于典型的SLC器件讀速率=4片*4224Bytes/(7*30ns+25jas+4224承30ns承4片)=31.75MB/s,那么四個(gè)通道一起讀數(shù)據(jù)，理論讀速率為31.75MBW4427MB/s;對(duì)于典型的MLC器件讀速率=4片*4224Bytes/(7*30ns+60jas+4224*30ns*4#)=29.7MB/s,那么四個(gè)通道一起讀數(shù)據(jù)，理論讀速率為29.7MB/s+4418MB/s。使用本發(fā)明實(shí)施例的方法，提高了數(shù)據(jù)的讀取速度。實(shí)施例三，如圖7所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種數(shù)據(jù)讀取裝置，包括讀命令發(fā)送單元701,用于向第一閃存片發(fā)送第一讀命令，在上述向第一閃存片發(fā)送讀命令之后，讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，向第二閃存片發(fā)送第二讀命令；響應(yīng)接收單元702,用于接收上述第一讀命令的響應(yīng)，接收第二讀命令的響應(yīng)；數(shù)據(jù)讀取單元703,用于接收到上述第一讀命令的響應(yīng)后，讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；接收到上述第二讀命令的響應(yīng)，且上述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)完成后，讀第二讀命令指向的數(shù)據(jù)。可選地，上述讀命令發(fā)送單元702向第二閃存片發(fā)送第二讀命令后，讀命令發(fā)送單元702還可以繼續(xù)向第三閃存片分別發(fā)送第三讀命令。上述裝置，通過(guò)在第一讀命令與讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之間，發(fā)送第二讀命令，復(fù)用了讀潛伏期，兩次讀數(shù)據(jù)之間不再有讀潛伏期，提高了I/0通道利用率，從而提高讀取速率。實(shí)施例四，如圖8所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種數(shù)據(jù)讀取系統(tǒng)，包括讀取控制器801、與非門閃存存儲(chǔ)器802，上述與非門閃存存儲(chǔ)器802包括第一閃存片，第二閃存片；其中，讀取控制器801，用于向第一閃存片發(fā)送第一讀命令，接收到上述第一讀命令的響應(yīng)后，讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；在上述向第一閃存片發(fā)送讀命令之后，上述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，向第二閃存片發(fā)送第二讀命令；接收到上述第二讀命令的響應(yīng)，且上述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)完成后，讀第二讀命令指向的數(shù)據(jù)?？蛇x地，上述讀取控制器801向第二閃存片發(fā)送第二讀命令后，還包括繼續(xù)向第三閃存片分別發(fā)送第三讀命令。上述系統(tǒng)，通過(guò)在第一讀命令與讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之間，發(fā)送第二讀命令，復(fù)用了讀潛伏期，兩次讀數(shù)據(jù)之間不再有讀潛伏期，提高了I/0通道利用率，從而提高讀取速率。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分步驟是可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是存儲(chǔ)器(RAM)、內(nèi)存、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、電可編程ROM、電可擦除可編程ROM、寄存器、硬盤、可移動(dòng)磁盤、CD-ROM、或
技術(shù)領(lǐng)域：
內(nèi)所公知的任意其它形式的存儲(chǔ)介質(zhì)中。以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種讀數(shù)據(jù)的方法、裝置和系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。權(quán)利要求1、一種讀數(shù)據(jù)方法，其特征在于，包括向第一閃存片發(fā)送第一讀命令，接收到所述第一讀命令的響應(yīng)后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；在所述向第一閃存片發(fā)送第一讀命令之后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，向第二閃存片發(fā)送第二讀命令；接收到所述第二讀命令的響應(yīng)，且所述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)完成后，讀所述第二讀命令指向的數(shù)據(jù)。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述方法，其特征在于，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，還向第三閃存片發(fā)送第三讀命令。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述方法，其特征在于，所述第一閃存片和第二閃存片是與非門閃存NANDFlash片。4、一種數(shù)據(jù)讀取裝置，其特征在于，包括讀命令發(fā)送單元，用于向第一閃存片發(fā)送第一讀命令，在所述向第一閃存片發(fā)送第一讀命令之后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，向第二閃存片發(fā)送第二讀命令；響應(yīng)接收單元，用于接收所述第一讀命令的響應(yīng)，接收第二讀命令的響應(yīng)；數(shù)據(jù)讀取單元，用于接收到所述第一讀命令的響應(yīng)后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；接收到所述第二讀命令的響應(yīng)，且所述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)完成后，讀所述第二讀命令指向的數(shù)據(jù)。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述裝置，其特征在于，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，所述讀命令發(fā)送單元還向第三閃存片發(fā)送第三讀命令。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述第一閃存片和所述第二閃存片是與非門閃存NANDFlash片。7、一種數(shù)據(jù)讀取系統(tǒng)，包括讀取控制器、與非門閃存存儲(chǔ)器，所述與非門閃存存儲(chǔ)器包括第一閃存片，第二閃存片；其特征在于，所述讀取控制器，用于向第一閃存片發(fā)送第一讀命令，接收到所述第一讀命令的響應(yīng)后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；在所述向第一閃存片發(fā)送第一讀命令之后，所述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，向第二閃存片發(fā)送第二讀命令；接收到所述第二讀命令的響應(yīng)，且所述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)完成后，讀所述第二讀命令指向的數(shù)據(jù)。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述系統(tǒng)，其特征在于，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，所述讀取控制器還向第三閃存片發(fā)送第三讀命令。9、根據(jù)權(quán)利要求8所述系統(tǒng)，其特征在于，所述第一閃存片和所述第二閃存片是與非門閃存NANDFlash片。全文摘要本發(fā)明實(shí)施例公開了一種讀數(shù)據(jù)的方法、裝置和系統(tǒng)；其中讀數(shù)據(jù)方法的實(shí)現(xiàn)可以為向第一閃存片發(fā)送第一讀命令，接收到所述第一讀命令的響應(yīng)后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)；在所述向第一閃存片發(fā)送第一讀命令之后，讀所述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之前，向第二閃存片發(fā)送第二讀命令；接收到所述第二讀命令的響應(yīng)，且所述讀第一讀命令指向的數(shù)據(jù)完成后，讀所述第二讀命令指向的數(shù)據(jù)。上述實(shí)施方式具有如下有益效果通過(guò)在第一讀命令與讀上述第一讀命令指向的數(shù)據(jù)之間，發(fā)送第二讀命令，復(fù)用了讀潛伏期，兩次讀數(shù)據(jù)之間不再有讀潛伏期，提高了I/O通道利用率，從而提高讀取速率。文檔編號(hào)G06F13/20GK101515221SQ200910119499公開日2009年8月26日申請(qǐng)日期2009年3月17日優(yōu)先權(quán)日2009年3月17日發(fā)明者周建華申請(qǐng)人:成都市華為賽門鐵克科技有限公司