專利名稱：抗撕裂電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及柔性電路、由這樣的電路制造的微型組件以及包含這樣的電路的裝置。本發(fā)明一般地涉及包含嵌入式電子電路的裝置，包括但不限于墨盒。
背景技術：
諸如打印機墨盒的不同產(chǎn)品一般裝備有包含管理和驗證數(shù)據(jù)并且用于與系統(tǒng)用 戶通信的集成電路。該集成電路以安裝到膠合于墨盒的外殼中或上的互連電路上的半導體 芯片的形式存在?；ミB電路可以包括柔性聚合物薄膜和導電軌跡，把該電路的接觸墊片連 接到集成電路的接觸上。該集成電路所包含的數(shù)據(jù)可能對與之相關聯(lián)的并且特別是被系統(tǒng)用戶所接受的 產(chǎn)品的良好使用來說是必不可少的。于是，該集成電路的回收可能對例如制造代用品具有 技術或商業(yè)意義。為此，可能對其上固定有集成電路的互連電路進行分離，并將其膠合到循 環(huán)使用的或甚至偽造的外殼上。于是，可能希望把包含可能不可回收的集成電路的產(chǎn)品商業(yè)化。

發(fā)明內(nèi)容
按照一個實施例，本發(fā)明提供一種電路，該電路包含柔性襯底和至少一個固定到 襯底上并具有電氣特性的電氣元件，其中該襯底包括至少一個空腔，該至少一個空腔被布 置在該電氣元件或該電氣元件的一部分的附近，并促進該電氣元件響應于襯底的彎曲或拉 伸而斷裂或變形，其中該斷裂或變形導致該電氣元件的電氣特性的改變。按照一個實施例，該襯底包括至少一個布置在該電氣元件附近的空腔。按照一個實施例，該襯底包括至少兩個布置在該電氣元件的每一側的空腔，以便 在這兩個空腔之間形成襯底優(yōu)選的彎曲線或拉伸線，并促進該電氣元件響應于襯底的彎曲 或拉伸而斷裂或變形。按照一個實施例，該襯底包括至少一個布置在該電氣元件下面的空腔，使得該電 氣元件在該空腔延伸的區(qū)域中不被襯底支承，并在該區(qū)域中具有優(yōu)選的斷裂或變形點。按照一個實施例，該空腔是完全穿過襯底的孔。按照一個實施例，該空腔具有大于該電氣元件的寬度的寬度或直徑。按照一個實施例，該電路包括至少一個形成穿過該襯底的孔的空腔并包括電氣元 件，該電氣元件的一部分被限制在穿過該孔的部件的遠端，以引起該電氣元件響應于襯底 相對于穿過該空腔的部件的移動而斷裂。按照一個實施例，該襯底由聚合材料制成。按照一個實施例，該襯底包括至少三個沿著襯底優(yōu)選的彎曲線或拉伸線排列的空腔。按照一個實施例，襯底的背面覆蓋有粘合層，并在基本上與正面上空腔和電氣元件所位于的區(qū)域對應的區(qū)域中具有沒有粘合層的留空區(qū)域。按照一個實施例，該電氣元件是導電軌跡或導電軌跡的一段。按照一個實施例，該電氣元件是電阻、電容或電感元件。本發(fā)明的一個實施例還涉及一種微型組件，包含按照本發(fā)明的電路和至少一個安 裝在該電路上的電子元器件，該電子元器件包含至少一個電連接到該電氣元件的電接觸。按照一個實施例，該電氣元件形成天線。本發(fā)明的一個實施例還涉及一種裝置，其包含按照本發(fā)明的電路和接納該電路的 支承體。按照一個實施例，該支承體具有至少一個穿過設置在電路中的孔的凸出部分，并 且該電路包括至少一個被限制在該凸出部分的電氣元件。按照一個實施例，該裝置采取墨盒的形式，該墨盒具有外殼，該外殼的一部分形成 該支承體。本發(fā)明的一個實施例還涉及用于制造電路的方法，包括在柔性襯底中或上形成至 少一個具有一種電氣特性的電氣元件的步驟；和在該襯底中在該電氣元件或該電氣元件的 一部分附近形成至少一個空腔，以促進該電氣元件響應于襯底的彎曲或拉伸而斷裂或變形 的步驟，其中該斷裂或變形導致該電氣元件的電氣特性的改變。按照一個實施例，該方法包括在該電氣元件附近形成至少一個空腔的步驟。按照一個實施例，該方法包括在該電氣元件的每一側形成至少兩個空腔以便在這 兩個空腔之間形成襯底優(yōu)選的彎曲線或拉伸線并且促進該電氣元件響應于襯底的彎曲或 拉伸而斷裂或變形的步驟。按照一個實施例，該方法包括在該電氣元件的下面形成至少一個空腔使得在該空 腔延伸的區(qū)域中該電氣元件不被襯底支承并且在這個區(qū)域中具有優(yōu)選的斷裂或變形點的步驟。按照一個實施例，該空腔以完全穿過襯底的孔的形式形成。按照一個實施例，該方法包括在該襯底中形成至少三個沿著襯底優(yōu)選的彎曲線或 拉伸線排列的空腔的步驟。按照一個實施例，該方法包括用粘合層覆蓋襯底的背面、在基本上與正面上該空 腔和該電氣元件所位于的區(qū)域對應的區(qū)域中設置沒有粘合層的留空區(qū)域的步驟。按照一個實施例，形成電氣元件的步驟包括切割導電圖案的步驟和通過層壓或膠 合把導電圖案固定在襯底的正面上的步驟。按照一個實施例，該電氣元件是導電軌跡或者導電軌跡的一段。按照一個實施例，該電氣元件是電阻、電容或電感元件。本發(fā)明的一個實施例還涉及一種用于制造裝置的方法，包括按照上述方法制造電 路的步驟和把電路的背面膠合在支承體上的步驟。按照一個實施例，該方法包括在襯底的背面上設置沒有粘合劑的留空區(qū)域以便促 進該電氣元件響應于把電路從支承體撕離的企圖而斷裂或變形的步驟。按照一個實施例，該方法包括以下步驟設置至少一個固定到支承體上的凸出部 分，在該電路中形成至少一個相應的孔，把該電路固定在該支承體上，以便該凸出部分穿過 相應的孔，并把電氣元件的一部分限制在該凸出部分中，以引起該電氣元件響應于襯底相對于支承體的移動而斷裂。按照一個實施例，嵌入段的步驟包括合并該凸出部分的兩個元件的步驟。按照一個實施例，該方法被應用于制造包括外殼的墨盒，并包括利用墨盒的外殼 的壁作為支承體的步驟。


下面是本發(fā)明的實施示例的描述。這些示例是作為非限制性示例結合附圖來描述 的。-圖1A是按照本發(fā)明的電路的一個實施例的部分頂視圖；-圖1B是圖1A的電路的部分仰視圖；-圖2A，2B是圖1A的電路沿著不同的剖面線的部分剖面圖；-圖3A是按照本發(fā)明的電路的另一個實施例的部分頂視圖；-圖3B是圖3A的電路的部分剖面圖；-圖4A是按照本發(fā)明的微型組件的一個實施例的部分頂視圖；-圖4B是圖4A的微型組件的剖面圖；-圖4C表示固定到支承體上的圖4A的微型組件；-圖5A是安裝到支承體上的、按照本發(fā)明的微型組件的另一個實施例的部分頂視 圖；-圖5B是圖5A的微型組件和支承體的部分剖面圖；-圖6舉例說明把圖5A的微型組件裝配到支承體上的步驟；-圖7示意性地表示包括按照本發(fā)明的微型組件的墨盒；-圖8舉例說明按照本發(fā)明的微型組件集體制造方法的一個實施例；以及-圖9是按照本發(fā)明的微型組件的再一個實施例的頂視圖。
具體實施例方式下面將要描述的本發(fā)明的實施例基本上針對導電軌跡形式的電氣元件的斷裂。但 是，本發(fā)明的應用范圍不限于導電軌跡的斷裂。本發(fā)明可以被應用于電阻、電容或電感類型 的電氣元件的破壞或簡單的變形。尤其可以針對電阻、電容或電感元件由于其上布置有該 元件的襯底的變形而導致的純粹而簡單的破壞或者僅僅該元件的電氣特性(電阻、電容或 電感)的改變。這樣的元件的變形在視覺上可以察覺到。同樣，這樣的元件的電阻、電容或 電感的變化以及斷路的出現(xiàn)在電氣上可以被檢測出來，并被識別為施加到相關產(chǎn)品上的異 常應力的代表?？梢栽谶@樣的檢測之后提供一些動作，例如，連接到已遭受異常變形的電氣 元件的集成電路的硬件或軟件阻斷。圖1A和1B是按照本發(fā)明的電路1的一個實施例的部分視圖。該電路在圖1A中 是頂視的，而在圖1B中是仰視的。圖2A是該電路沿著剖面線AA的剖面圖，而圖2B是該電 路沿著剖面線BB的剖面圖。電路1包括襯底2和至少一個在襯底2的正面上延伸的導電軌跡3。襯底2是柔 性類型的，并且例如用諸如環(huán)氧樹脂或聚酯樹脂等聚合材料制成。該軌跡優(yōu)選地是非柔性 類型或者弱柔性類型，并可以是例如銅的金屬或是金屬合金。該導電軌跡若遭受超過其構成材料的彈性閾值的彎曲或拉伸，則易于斷裂。本發(fā)明在這里規(guī)定，促進軌跡3響應于襯底的彎曲或拉伸而斷裂，以便防止該電 路在其被膠合到支承體上之后被撕裂。換句話說，在這里希望使該電路從原來的支承體上 被撕下來就變?yōu)闊o用電路。為此，按照本實施方式，在襯底2中在軌跡3的每一側，例如，在襯底的軌跡3形成 基本上筆直的段3a的區(qū)域中設置空腔4a。空腔4a被布置在段3a的附近，而空腔的存在導 致降低襯底沿著在兩個空腔之間延伸并在導電軌跡3下面通過的(對應于圖1A中的軸線 BB)線的抗彎曲或抗拉伸強度。襯底的抗彎曲或抗拉伸強度的這樣的降低意味著促進該軌 跡的彎曲或者拉伸，因而促進它在所考慮的區(qū)域中發(fā)生斷裂。該空腔4a在這里是通向襯底的背面的孔。其寬度或直徑可以大于段3a的寬度， 并且在任何情況下都彼此足夠接近，以便局部削弱襯底的彎曲或拉伸。這些空腔4a被布置 成彼此相距幾百微米，例如，200至500微米，這個距離可以根據(jù)導電軌跡的段3a的寬度和 所采用的制造技術(機械切割、激光等)而改變。在例如通過蝕刻進行制造的情況下，該導電軌跡3例如具有大約10至80微米的 厚度和大約20至100微米的寬度，在利用導電材料或電阻材料沉積技術的情況下，這些值 可以小得多(例如，幾百毫微米)。例如，襯底2具有幾微米至幾百微米的厚度，例如在15 至200微米之間的厚度。不言而喻，襯底越薄，越迅速地達到期望的斷裂效果。但是，為了 襯底具有柔性和適當?shù)目估鞆姸?，以便在處理襯底時或在襯底的制造過程中導電軌跡3 不至于無意中斷裂，應該作出折衷。可以利用材料由于時間或環(huán)境作用而導致的自然退化， 材料的老化特征和接近空腔允許材料自然弱化。軌跡段3a在這里具有與導電軌跡3的剩 余部分相同的寬度，但是同樣可以采用較小的寬度，以便促進其斷裂。如圖1B中所示，襯底2的背面被粘合層5覆蓋，該粘合層允許襯底被膠合到支承 體上(支承體的實施例將在下面描述)。例如，粘合層5是對壓力敏感的雙面粘合膜(PSA 粘合劑，即“壓敏粘合劑”)，氰基丙烯酸酯類型的膠或以商標Hotmelt 商品化類型的技術 膠。例如，該粘合層具有大約幾微米至大約一百微米的厚度。按照本發(fā)明的一個方面，襯底2的背面具有沒有粘合層的留空區(qū)域5。該留空區(qū)域 在圖1A中用虛線標記，與襯底的正面上軌跡段3a和空腔4a延伸的區(qū)域重合。該留空區(qū)域 在它以下面將清楚顯現(xiàn)的方式從支承體被剝離時促進襯底的局部彎曲或拉伸。各種不同的傳統(tǒng)技術可以被用來將導電軌跡3附著到襯底2上。該軌跡可以通過 熱層壓被裝配到襯底上，或借助于粘合層固定到襯底上。若使用利用粘合劑的固定技術，則 應保證粘合劑不阻礙本發(fā)明所希望的斷裂作用。但是，微電子技術中所使用的粘合層一般 都非常薄，并且不提供能夠延遲或防止導電軌跡3響應于襯底的彎曲或拉伸而斷裂的任何 增強動作。圖3A，3B分別以頂視圖和剖面圖部分地表示按照本發(fā)明的電路1 ‘的另一個實施 例。在該示例中，襯底2具有空腔4b，其在導電軌跡3的段3b下面，在其正下方延伸。于 是，軌跡段3b在空洞上面延伸而不被襯底支持。該空腔4b形成襯底優(yōu)選的彎曲點或拉伸 點，因而形成導電軌跡3優(yōu)選的斷裂點。圖4A是按照本發(fā)明的微型組件50的一個實施例的部分頂視圖。圖4B是微型組 件50沿著剖面線DD的剖面圖。微型組件50包括在其上安裝有半導體芯片20的電路10。芯片20的正面具有接觸21和嵌入有集成電路(未詳細表示)的有效區(qū)域22。電路10包括襯底2、導電軌跡3、空腔4a、導電墊片7和導電墊片8。墊片7形成 從外部可到達的表面接觸，并允許把微型組件50連接至外部電路。每個墊片7在這里都通 過導電軌跡3電連接至墊片8。另外，墊片8電連接至芯片20的接觸21。芯片在這里按照 “倒裝芯片”安裝技術被直接焊接在墊片8上，芯片20的正面指向電路10。作為替代方案， 接觸21可以利用導電膠被膠合在墊片8上。正如上面聯(lián)系圖1A，1B所描述的，空腔4a被布置在軌跡3的每一側，優(yōu)選地在軌 跡基本上形成筆直的段3a的區(qū)域中。在這里，該空腔沿著襯底優(yōu)選的彎曲或拉伸線F布置， 促進軌跡段3a的全部或部分響應于襯底的整體彎曲和/或其拉伸而斷裂。如上所述，襯底 2的背面用粘合層5覆蓋，并有留空區(qū)域，該留空區(qū)域對應于在襯底的正面上空腔4a和段 3a延伸的區(qū)域，即與襯底優(yōu)選的彎曲或拉伸線F重合的區(qū)域。圖4C以沿著剖面線DD的剖面圖表示膠合到支承體30上的微型組件50。剖面線 DD在這里與導電軌跡3之一對齊，并垂直于襯底優(yōu)選的彎曲或拉伸線F。于是，這里在剖面 圖中看到的線F形成用箭頭標記的一個點。從支承體30撕下電路10的企圖導致彎曲和拉 伸作用，其導致空腔4a附近較大幅度的變形，這導致軌跡段3a的全部或部分斷裂。于是， 撕下電路10的企圖部分地破壞該電路。段3a正下方?jīng)]有粘合劑層5同樣促進軌跡的斷裂。事實上，在剝離襯底的過程中， 必須施加某種強度的力以使粘合層5斷裂。當?shù)竭_留空區(qū)域時，撕離運動加速并且釋放的 能量導致襯底的劇烈的拉伸和導電軌跡的斷裂。圖5A是按照本發(fā)明的微型組件60的另一個實施例的部分頂視圖，該微型組件60 被示出為被布置在支承體40上。圖5B是微型組件沿著剖面線EE的剖面圖。和微型組件 50 一樣，微型組件60包括電路11，在其上安裝有包括接觸21和有效區(qū)域22的半導體芯片 20。如上所述，電路11包括襯底2、導電軌跡3、空腔4a和借助于導電軌跡3連接至導電墊 片8的導電墊片7。芯片20的接觸21以與上述方式相同的方式(“倒裝芯片”安裝)連接 到墊片8。同樣，該空腔4a沿著襯底優(yōu)選的彎曲或拉伸線F被布置在軌跡段3a的兩側。按照本發(fā)明的另一方面，孔4c被設置在襯底2中在導電軌跡3的正下方在其形成 不同于段3a的段3c的區(qū)域中。固定到支承體40上的凸出部分41穿過孔4c，并在其遠端 具有限制段3c的凸起42，如圖5B中所示。該支承體40還包括設置在凸出部分41附近的 塊43，襯底2的背面靠在該塊上。圖6舉例說明在微型組件60裝配在支承體40上的過程中凸起42的形成。每個 41凸出部分的遠端最初都包括兩個平行壁42-1和42-2，其限定凹槽，在該凹槽中裝入軌跡 段3c。接著借助于加熱工具(熱電極)或任何其他手段(例如，熱空氣流)把壁42-1，42-2 軟化并使其融合以形成凸起42。于是，該凸出部分及其凸起42形成鉚釘，其不可逆地限制 該軌跡段3c，使得任何把襯底2從支承體40撕離的企圖都馬上導致該軌跡段3c的破壞。在襯底2的背面上，可以設置上述粘合層5，用以把微型組件60維持在支承體40 上。若該襯底不是堅固地被維持在該支承體上，則它同樣可以消除可能施加在該軌跡段3c 上的機械應力。如上所述，粘合層5可以有留空區(qū)域，特別是在對應于正面上包括空腔4a 和段3a的區(qū)域中，以及在孔4c延伸的區(qū)域中。本領域技術人員會注意到，在此可以設置其他用于把微型組件60維持在支承體40上的裝置。例如，可以推廣上述“鉚釘”的利用，包括在導電軌跡不經(jīng)過的襯底區(qū)域中?？偠灾?，按照本發(fā)明的構思和原理的抗撕裂電路或微型組件可具有下列特征中 的至少一個-至少一個在導電軌跡附近延伸的空腔4a、或者幾個布置在幾條導電軌跡附近的 空腔，可能沿著襯底優(yōu)選的一條或多條彎曲或拉伸線，-至少一個在導電軌跡下面延伸的構成襯底優(yōu)選的彎曲或拉伸點的空腔，或幾個 在同一導電軌跡下面或在幾條導電軌跡下面延伸的空腔，可能沿著一條或幾條襯底優(yōu)選的 彎曲或拉伸線，-被限制在穿過襯底的凸出部分41中的至少一個軌跡段3c，_在襯底優(yōu)選的彎曲或拉伸區(qū)域中有留空區(qū)域的粘合層。本發(fā)明可以被應用于包括柔性襯底的任何類型的電路。按照本發(fā)明的微型組件可 以包括幾個其他的半導體芯片或者可以不包括任何半導體芯片。例如，按照本發(fā)明的微型 組件可以只包括安裝在該電路上的諸如電阻器、電容器、晶體管等的分立元件。另一方面，在圖4A，4B，5A，5B中示意性地表示的支承體30，40可以是任何類型的 支承體，并且特別是接納電子微型組件并希望該微型組件不被第三者再使用的電子裝置、 機械裝置、電機裝置、氣動裝置的外殼的內(nèi)壁或外壁。作為應用的示例，圖7以仰視圖示意性地表示噴墨打印機的墨盒100，其上固定有 按照本發(fā)明的任一實施例的微型組件70。墨盒100有外殼101，該外殼包括油墨容器。外 殼101設有下壁102，在該下壁中形成有開口 103，以允許油墨向打印頭流動。微型組件70 借助于上述粘合層被固定到壁102上。微型組件的導電墊片7形成外部接觸，允許該微型組 件電連接至該打印頭。外殼101以及特別是壁102例如用諸如聚丙烯等的合成材料制成。圖8舉例說明按照本發(fā)明的微型組件70制造方法的一個實施例。微型組件在這 里是集體地由在生產(chǎn)線上行進的帶110 ( "tape")形式的共同的襯底制造的。同時，切割、 蝕刻或沖壓金屬帶，以便形成稱為“引線框架(leadframe)”的導電圖案111，導電圖案通過 熱層壓或膠合與帶110裝配在一起，以便形成導電軌跡和接觸墊片。在裝配了帶110和導 電圖案111之后，半導體芯片20被安裝在帶110上處于倒轉的位置(“倒裝芯片”技術)， 而其接觸與導電圖案111的接觸墊片連接。該制造方法包括形成上述空腔或孔4a，4b，4c的步驟。該步驟可以在裝配帶110 和導電圖案111之前實施。該空腔或孔4a，4b，4c通過對襯底進行沖壓、化學蝕刻、激光鉆 孔或者例如借助于旋轉工具的任何其他已知的鉆孔方法來形成?？涨?a，4b同樣可以是盲 孔，并通過導致襯底局部蠕變的襯底的塑性變形而形成。該方法還可以被應用于電路制造，消除安裝集成回路20 (或者其他電子元器件) 的步驟，集成回路可以隨后被安裝。在制造過程結束時，粘合層可以被沉積在帶110的背面上。但是，該步驟可以在帶 110被封裝并運輸?shù)阶罱K產(chǎn)品的制造位置之后隨后被執(zhí)行。在這種情況下，該帶110在最終 產(chǎn)品的制造位置上覆蓋有粘合層，接著被切割成各個微型組件70，接著這些微型組件被安 裝在最終產(chǎn)品上。對于本領域技術人員來說將清楚的是，本發(fā)明可以有各種其他的實施例和應用。 特別是，盡管前面已經(jīng)描述了本發(fā)明在制造“接觸式”類型的微型組件方面的應用，但本發(fā)
10明同樣可以應用于“非接觸式”類型的微型組件、例如RFID(射頻識別)微型組件或者非接 觸式電子標簽的制造。 非接觸式微型組件的一個實施例在圖9中示出。微型組件80包括電路12和半導 體芯片20，后者包括接觸21-1，21-2和有效區(qū)域22，在該有效區(qū)域中嵌入有通過電感耦合 或電耦合工作的“非接觸式”集成電路。電路12包括襯底2和天線(在這里是天線線圈) 形式的導電軌跡81。第一接觸墊片82延伸至軌跡81的第一端，而第二接觸墊片83借助 于在電絕緣墊片85上形成的導電橋84連接至軌跡81的第二端。半導體芯片20被倒轉安 裝，其接觸21-1，21-2分別被焊接或膠合在墊片82，83上。襯底2包括兩個空腔4a，其被布 置在軌跡81的第一段81a的每一側，而另外兩個空腔4b被布置在軌跡81的第二段和第三 段81b的正下方。微型組件被膠合在支承體(未示出)上。把微型組件80從其支承體撕 離引起在撕離過程中軌跡81隨著襯底彎曲和拉伸在段81a，81b之一的水平處的分裂。于 是，天線不再工作，而微型組件變得無法使用。本發(fā)明同樣可以被應用于具有調諧頻率的天 線電路的電容元件，使得襯底的變形破壞這些元件或者簡單地改變其電容值，以便使天線 電路失調并使得在調諧頻率附近的工作頻率范圍內(nèi)變得無法使用。最后，當在埋入式電氣 元件下面或其附近形成的空腔使得可以導致對電氣特性有明顯影響的變形或響應于襯底 的變形而引起的斷裂時，本發(fā)明同樣可以被應用于該埋入式電氣元件。
權利要求
電路(1，1′，10，11，12)，包括-柔性襯底(2)；-至少一個固定到襯底上并具有電氣特性的電氣元件(3，81)，其特征在于，該襯底(2)包括至少一個空腔(4a，4b，4c)，該至少一個空腔被布置在該電氣元件或該電氣元件的一部分(3a，3b，3c，81a，81b)的附近，并促進該電氣元件響應于襯底的彎曲或拉伸而斷裂或變形，其中該斷裂或變形導致該電氣元件的電氣特性的改變。
2.按照權利要求1的電路，其中該襯底包括至少一個布置在電氣元件(3a，81a)附近的 空腔(4a)。
3.按照權利要求1的電路，其中該襯底包括至少兩個布置在電氣元件(3a，81a)的每一 側的空腔(4a)，以便在這兩個空腔之間形成襯底優(yōu)選的彎曲線或拉伸線，并且促進該電氣 元件響應于襯底的彎曲或拉伸而斷裂或變形。
4.按照權利要求1至3之一的電路，其中該襯底包括至少一個布置在電氣元件(3b， 81b)下面的空腔(4b)，使得該電氣元件在空腔(4b)延伸的區(qū)域中不被襯底支承，并在該區(qū) 域中具有優(yōu)選的斷裂或變形點。
5.按照權利要求1至4之一的電路，其中該空腔(4a，4b)是完全穿過襯底的孔。
6.按照權利要求1至5之一的電路，其中空腔(4a，4b)具有大于電氣元件(3a)的寬度 的寬度或直徑。
7.按照權利要求1至6之一的電路，包括至少一個構成穿過該襯底的孔的空腔(4c) 并且包括電氣元件，該電氣元件的一部分(3c)被限制在穿過孔(4c)的部件(41)的遠端 (42)，以便引起該電氣元件響應于該襯底相對于穿過該空腔的部件(41)的移動而斷裂。
8.按照權利要求1至7之一的電路，其中該襯底(2)是由聚合材料制成的。
9.按照權利要求1至8之一的電路，其中該襯底(2)包括至少三個沿著該襯底優(yōu)選的 彎曲線或拉伸線排列的空腔(4a)。
10.按照權利要求1至9之一的電路，其中襯底(2)的背面被粘合層(5)覆蓋，并在基 本上與正面上該空腔(4a，4b，4c)和該電氣元件(3a，3b，3c，81a，81b)所位于的區(qū)域對應的 區(qū)域中具有沒有粘合層的留空區(qū)域。
11.按照權利要求1至10之一的電路，其中該電氣元件是導電軌跡或導電軌跡的一段。
12.按照權利要求1至10之一的電路，其中該電氣元件是電阻、電容或電感元件。
13.微型組件(50，60，70，80)，包括:-按照權利要求1至12之一的電路(1,1'，10，11，12)，和-至少一個安裝在該電路上的電子元器件(20)，包括至少一個電連接至該電氣元件 (3，81)的電接觸(21，21-1，21-2)。
14.按照權利要求13的微型組件(80)，其中該電氣元件(81)形成天線。
15.裝置(100)，其特征在于，包括按照權利要求1至12之一的電路(1，1',10,11,12) 和接納該電路的支承體(30，40，102)。
16.按照權利要求15的裝置，其中-該支承體(40)具有至少一個穿過設置在該電路中的孔(4c)的凸出部分(41)，和_該電路包括至少一個被限制在該凸出部分(41)中的電氣元件(3)。
17.按照權利要求15和16之一的裝置，采取墨盒(100)的形式，該墨盒具有外殼，該外殼的一部分形成該支承體(102)。
18.用于制造電路(1，1'，10，11，12)的方法，包括在柔性襯底(2，110)中或上形成至 少一個具有電氣特性的電氣元件(3，81)的步驟，其特征在于，包括以下步驟在該襯底中在該電氣元件或該電氣元件的一部分(3a， 3b, 3c, 81a, 81b)的附近形成至少一個空腔(4)，促進該電氣元件響應于該襯底的彎曲或拉 伸而斷裂或變形，其中該斷裂或變形導致該電氣元件的電氣特性的改變。
19.按照權利要求18的方法，包括在電氣元件(3a，81a)附近形成至少一個空腔(4a) 的步驟。
20.按照權利要求18的方法，包括以下步驟在電氣元件(3a，81a)的每一側形成至少 兩個空腔(4a)，以便在這兩個空腔之間形成該襯底優(yōu)選的彎曲線或拉伸線，從而促進電氣 元件響應于該襯底的彎曲或者拉伸而斷裂或變形。
21.按照權利要求18至20之一的方法，包括以下步驟在電氣元件(3b，81b)的下面 形成至少一個空腔(4b)，使得電氣元件在空腔(4b)延伸的區(qū)域中不被襯底支承，并在該區(qū) 域中具有優(yōu)選的斷裂或變形點。
22.按照權利要求18至21之一的方法，其中該空腔(4a，4b)以完全穿過襯底的形式形成。
23.按照權利要求18至22之一的方法，包括在襯底中形成至少三個沿著襯底優(yōu)選的彎 曲線或者拉伸線排列的空腔(4a)的步驟。
24.按照權利要求18至23之一的方法，包括以下步驟用粘合層(5)覆蓋襯底(2，110) 的背面，在基本上與正面上該空腔(4a，4b，4c)和該電氣元件(3a，3b，3c，81a，81b)所位于 的區(qū)域對應的區(qū)域中設置沒有粘合層的留空區(qū)域。
25.按照權利要求18至24之一的方法，其中形成電氣元件(3)的步驟包括切割導電圖 案(111)的步驟和通過層壓或膠合把導電圖案固定在襯底(2，110)的正面上的步驟。
26.按照權利要求18至25之一的方法，其中該電氣元件是導電軌跡或導電軌跡的一段。
27.按照權利要求18至25之一的方法，其中該電氣元件是電阻、電容或電感元件。
28.用于制造裝置(100)的方法，其特征在于，該方法包括-按照權利要求18至27之一制造電路(1，1' ,10,11,12)的步驟，和 -借助于粘合劑(5)把電路的背面膠合在支承體(30，40，102)上的步驟。
29.按照權利要求28的方法，包括在襯底的背面(2)上設置沒有粘合劑(5)的留空區(qū) 域以便促進該電氣元件響應于將該電路從支承體撕離的企圖而斷裂或變形的步驟。
30.按照權利要求28或29之一的方法，包括以下步驟 -設置至少一個固定到支承體(40)上的凸出部分(41)； -在該電路中形成至少一個相應的孔(4c)，-把該電路固定在該支承體上，以便該凸出部分(41)穿過相應的孔(4c)；和 -把電氣元件的一部分(3c)限制在該凸出部分(41)中，以引起電氣元件響應于襯底相 對于支承體(40)的移動而斷裂。
31.按照權利要求30的方法，其中嵌入段(3c)的步驟包括合并凸出部分(41)的兩個 元件(42-1，42-2)的步驟。
32.按照權利要求28至31之一的方法，被應用于制造包括外殼的墨盒(100)，并且包 括利用墨盒的外殼的壁作為支承體(102)的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包含柔性襯底(2)和至少一個與襯底連接的電氣元件(3)的電路(1)。按照本發(fā)明，該襯底包括至少一個空腔(4a)，其被布置在電氣元件附近，并促進電氣元件響應于襯底的彎曲或拉伸而斷裂或變形。本發(fā)明尤其可用于制造抗撕裂的電子微型組件。
文檔編號G06K19/073GK101874252SQ200880101041
公開日2010年10月27日 申請日期2008年7月14日 優(yōu)先權日2007年7月31日
發(fā)明者F·斯蒂芬, G·阿索德 申請人:意法半導體魯塞有限公司