專利名稱：矩形波導低通濾波器的參數(shù)確定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電器元件技術(shù)領(lǐng)域，特別是矩形波導低通濾波器的參數(shù)確定方法，用于 指導高性能矩形波導低通濾波器的設(shè)計。
背景技術(shù)：
矩形波導低通濾波器設(shè)計，首先由濾波器電性能指標得到低通原型電路，再進行電 路變換得到廣義阻抗變換器《，最后用波導微波結(jié)構(gòu)實現(xiàn)電路的阻抗變換器和支路元 件，其中包括耦合電容膜片設(shè)計和傳輸段波導設(shè)計。對于采用電容膜片實現(xiàn)耦合的矩形 波導低通濾波器來說，根據(jù)廣義阻抗變換系數(shù)K設(shè)計電容膜片參數(shù)是非常關(guān)鍵的一步。
圖1矩形波導低通濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖，其中電容膜片實現(xiàn)并聯(lián)電容，波導段實現(xiàn) 串聯(lián)電感。
圖2所示為矩形波導中電容膜片結(jié)構(gòu)及其等效電路。矩形波導中傳輸?shù)?^。模電磁
波，在不連續(xù)性膜片處要激勵起高次模，這些高次模在波導中是截止的，離膜片不遠的 地方就會很快地被衰減掉。由于r五,。模電場只有y分量，沒有x分量，而不連續(xù)性又只
在y方向上，x方向是連續(xù)的，故電力線在膜片兩邊以邊緣電場形式分布著。這樣一來， 在膜片附近存儲了凈電能，同時膜片極薄，且無損耗，因此，該不連續(xù)性膜片可以等效 為一個集總電容元件，用容納^B表示。
對于已有的濾波器，在工程中常用測量反射系數(shù)的方法確定相應(yīng)的電納值。在波導
終端接匹配負載，則由電納y丑所引起的^射系數(shù)是 r二K-ft-刑—w 二 ；5—
式中^ = |_是歸一電納。求解上式可得=-JL 。
王欣穩(wěn)、李萍在《微波技術(shù)與天線》第二章第七節(jié)中對此進行了詳細敘述。然而， 此方法的不能給出電納與膜片尺寸的關(guān)系，不能直接應(yīng)用于濾波器的設(shè)計。
目前在波導濾波器設(shè)計時，主要有以下幾種計算容性膜片的電納方法 1準靜態(tài)場法
準靜場法是解決波導不連續(xù)性的一種常用的方法。靜電場的特征是工作波長
;l—oc，對于波導而言，工作波長雖然不會無限大。但是，對于波導中的消失波而言， 有義—4，且消失波的階數(shù)越高，截止波長4越小，既有;i》;ie，因此，對于4而言，
就好像工作波長變長了，這樣消失波的場就可以近似用靜電場來表示。保角變換是直接 從解靜場問題入手獲得準靜場解的一種方法，可利用多種函數(shù)來進行變換。張鈞在《導波的不連續(xù)性問題》 一書第四章第二節(jié)中對此進行了詳細分析。對于圖1 (a)的含有
csc〖嘗)sin〖(y +力)變換，
對稱電容膜片的平行板波導，經(jīng)過函數(shù)^ = " + > = arcsin
變成單純的平行板波導，求出等效電容C,再利用5 = <yC，從而可求出等效網(wǎng)絡(luò)的并聯(lián) 電納S，其歸一化電納值為
<formula>formula see original document page 6</formula>
式中義。是波導波長，6是波導高度，c/是兩膜片間的間距(
2變分法
變分法是處理泛函極值的一種方法，最終尋求的是極值函數(shù)，使得泛函取得極大或 極小值。其關(guān)鍵定理是歐拉一拉格朗日方程，它對應(yīng)于泛函的臨界點。在實際工程問題 中，如果一個實際待求問題可表示成<formula>formula see original document page 6</formula>的泛函形式，那么
要求的真實值就是泛函的極值，我們又稱為穩(wěn)定值。在解波導不連續(xù)性的問題時，常將 等效網(wǎng)絡(luò)的參量表示成為不連續(xù)處的未知切向電場或電流的積分式，而實際電場或電流 就是使這個積分式取極值，并滿足不連續(xù)處的邊界條件，等效網(wǎng)絡(luò)的參量可以通過變分 法來確定。SangsterA.J等發(fā)表于《Progress In Electromagnetics Research正E》1965年第112 巻的"Variational method for the analysis Of waveguide coupling"。采用變分法對波導耦合
進行了分析，對于對稱性容性膜片歸一化電納的一次近似值為<formula>formula see original document page 6</formula>
3模式匹配法
模式匹配法考慮不連續(xù)處的高次模，將有厚度的膜片部分當作一個小波導處理， 含對稱性容性膜片的波導可看作兩個波導雙面階梯與一段長度為t的小波導的級連，其 中t為膜片的厚度。在分析時將所研究區(qū)域內(nèi)的場視做無窮多個模式的疊加，利用在兩 區(qū)的分界面上電場和磁場連續(xù)的邊界條件，應(yīng)用模式函數(shù)的正交性可求出界面上的散射 矩陣。模式匹配主要是分析具有規(guī)則幾何結(jié)構(gòu)的微波器件。R.Safavi-Naini和R.H.Macphie. 等發(fā)表于《正EE Transactions on MTT》1982年第82巻第ll期的"Scattering at rectangular-to-rectangular waveguide junctions"中應(yīng)用模式匹配分析波導不連續(xù)性。
現(xiàn)行方法存在以下不足
1) 準靜場法中的保角變換采用函數(shù)變換求解等效電納B，并沒有將膜片的厚度和 加工傾角等因素考慮在內(nèi)，如果將厚度和傾角因素加入，很難直接通過變換函數(shù)實現(xiàn)含 有對稱電容膜片的矩形波導向單純的平行板波導變換。
2) 變分法沒有將膜片厚度和加工傾角等因素考慮在內(nèi)。
3) 模式匹配主要是分析具有規(guī)則幾何結(jié)構(gòu)的微波器件，對于出現(xiàn)傾角等不規(guī)則變形情況目前沒有進行準確分析。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是避免上述已有方法的不足，提供一種矩形波導低通濾波器的參數(shù)確
定方法，以提高矩形波導低通濾波器的設(shè)計精度。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的矩形波導低通濾波器的參數(shù)確定方法，包括如下步驟-
參數(shù)預確定步驟根據(jù)矩形波導低通濾波器的頻率要求選擇矩形波導型號；根據(jù)矩形 波導低通濾波器的相對帶寬S『，確定兩電容膜片間矩形波導電長度^;根據(jù)矩形波導
低通濾波器電性能指標和電路變換得到只含有電容元件的低通原型電路，進而得到廣義 阻抗變換系數(shù)K，確定并聯(lián)電容的容抗X通過査取矩形波導電容加載的等效電納圖， 初步確定矩形波導內(nèi)電容膜片的窗口,寬度c/、膜片厚度w和加工傾角a ;
膜片參數(shù)優(yōu)化步驟根據(jù)廣義阻抗變換系數(shù)K，確定矩形波導單節(jié)電容膜片的S矩 陣；對由初步確定矩形波導內(nèi)電容膜片的窗口寬度c/、膜片厚度w和加工傾角a及波導 高度b所形成的膜片截面多角形進行施瓦茨一克里斯托弗反變換，并,解電容膜片的歸 —化等效電納否；根據(jù)等效電納否確定電容膜片的S'矩陣S;,-^;^，《2=-' 2 -
2 + _/》 12 2 + ^ '
利用遺傳算法優(yōu)化使得S'矩陣近似等于S矩陣，最終確定單節(jié)電容膜片的窗口寬度d'、
膜片厚度w'和加工傾角a';
重復所述的膜片參數(shù)優(yōu)化步驟，確定矩形波導低通濾波器的其余電容膜片參數(shù)； 修正波導腔長步驟:通過電容膜片的S'矩陣，得到修正后的兩膜片間的波導長度為
丄,=^^04(arctan(2d) + arCtan(2《,+12)))，
^為波導波長，《為初始確定兩電容膜片間矩形波導電長度，
^為電容膜片等效電路的歸一化并聯(lián)電抗即/X="——
重復所述修正波導腔長步驟，確定矩形波導低通濾波器其余兩電容膜片間的波導長 度，完成整個矩形波導低通濾波器的設(shè)計。
本發(fā)明與已有技術(shù)相比較，具有以下優(yōu)點
1) 本發(fā)明考慮膜片加工過程中的尺寸公差和加工傾角，利用多邊形近似將實際的 膜片輪廓線近似為多邊形，既保留了重要信息，又提高分析速度。
2) 在解決多邊形保角變換時，采用改進的遺傳算法，既保證結(jié)果最優(yōu)，又提高了 計算速度。
3) 本發(fā)明考慮矩形波導容性膜片因加工出現(xiàn)的厚度和傾角因素，通過矩形波導電 容膜片進行施瓦茨一克里斯托弗反變換求解等效電納和S'矩陣，并利用遺傳算法優(yōu)化， 使得該S'矩陣與通過廣義阻抗變換系數(shù)《得到的S矩陣近似相等，能夠準確確定其結(jié)構(gòu)參數(shù)。
4)利用本發(fā)明能夠準確分析加工過程中出現(xiàn)的膜片公差對電性能的影響。 仿真試驗證明，用本發(fā)明的方法可以提高矩形波導低通濾波器容性膜片參數(shù)設(shè)計的
精度和提高整個濾波器的性能。


圖1是已有矩形波導低通濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖2是己有波導容性膜片結(jié)構(gòu)及等效電路示意圖3是已有矩形波導低通濾波器的等效電路圖4是本發(fā)明進行施瓦茨-克里斯托弗反變換過程示意圖5是本發(fā)明的設(shè)計步驟流程圖6是本發(fā)明對施瓦茨-克里斯托弗反變換進行優(yōu)化求解步驟流程圖； 圖7是本發(fā)明對單節(jié)電容膜片的計算結(jié)果與單節(jié)電容膜片仿真結(jié)果對比圖； 圖8是利用本發(fā)明方法設(shè)計的2Gife矩形波導低通濾波器的HFSS仿真特性圖。
具體實施例方式
參照圖5，本發(fā)明的具體步驟如下
步驟l，輸入矩形波導低通濾波器的電性能指標。
矩形波導低通濾波器的主要電性能指標包括截止頻率W、通帶內(nèi)最大衰減、阻帶 內(nèi)最小衰減和相對帶寬5,，將這些電性能指標輸入到計算機的計算程序當中。 步驟2，矩形波導低通濾波器結(jié)構(gòu)參數(shù)預確定。
第2.1步，根據(jù)矩形波導低通濾波器的頻率要求選擇矩形波導型號； 第2.2步，根據(jù)矩形波導低通濾波器電性能指標由計算程序設(shè)計低通原型電路，得 到原型電路參數(shù)g。......g +,， W為電路階數(shù)；
第2.3步，將低通原型電路變換為只含有電容元件的低通原型電路，通過公式
^H-zJ-X"，尺,,+1=^口=， /cz。、P^^，計算得到廣義阻抗變換系
數(shù)& Z。為波導特性阻抗；根據(jù)矩形波導低通濾波器的相對帶寬B『，通過公式 5『-，，計算得到兩電容膜片間矩形波導電長度《，如圖3所示；
第2.4步，根據(jù)廣義阻抗變換系數(shù)K，通過公式^-^^， f為歸一化尺，確定
歸一化并聯(lián)電容的容抗Z，通過査取矩形波導電容加載的等效電納圖，初步確定矩形
波導內(nèi)電容膜片的窗口寬度c/、膜片厚度w和加工傾角a。'
步驟3，根據(jù)廣義阻抗變換系數(shù)尺，確定單節(jié)電容膜片的A矩陣和S矩陣。 根據(jù)二端口微波網(wǎng)絡(luò)特性，確定單節(jié)電容膜片的A矩陣和S矩陣分別為<formula>formula see original document page 9</formula>
步驟4,對電容膜片截面多角形進行施瓦茨一克里斯托弗反變換。參照圖4，對由初步確定矩形波導電容膜片的窗口寬度t/、膜片厚度m和加工傾角a
及波導高度6所形成的膜片截面多角形按如下步驟進行施瓦茨一克里斯托弗反變換第4.1步,采用施瓦茨-克里斯托弗反變換將復平面z內(nèi)的多角形變換到復平面上半
平面，將多角形邊界變換為實軸，即將圖4(a)中的多角形平面ABCDZ。Z^Z,變換到圖
4(b)中的上半復平面乂5'C'D'r。2;7;7;。
由多角形的對稱性以及保角變換的性質(zhì)可得，T點在t平面內(nèi)的坐標關(guān)于y軸對稱。當T平面上鄰邊邊長的比率太大或太小，可能引起被積函數(shù)的強峰現(xiàn)象而使被積函數(shù)部
分不可積，正確的插入一些虛頂點就可以較好的解決此問題，同時可以提高精度，加速數(shù)值積分及迭代收斂的速度，如在圖4(a)中加入虛頂點Z,，；。根據(jù)多角形保角變換法則，選取 ;-0,7;-l，7;一-o0，得到變換公式為
2=《(『+ ;)-，+7^ (r+r2)_V2(r—r2)-V2(r-r3f (r—r4),"c2;
第4.2步，建立計算變換公式z中r,值的優(yōu)化模型為何r2，r3，r4,.."7;—2
附m
、2
丄l<formula>formula see original document page 9</formula>式中Z,為電容膜片截面多角形的各頂點在Z平面內(nèi)的坐標，7;為電容膜片截面多角形的各頂點在t平面內(nèi)的坐標，A+/ - Z, I是Z平面上從Z,到Z",的邊長,用表示，
川
7;+,-7;l是T平面上的對應(yīng)邊長，以r^表示，K是用頂點表示的第慮的相對邊長，
巧是用邊長表示的第負的相對邊長；
第4.3步，對模型中的目標函數(shù)AIM進行優(yōu)化，使其小于給定的精度要求，從而得到所有的7;的準確值，該優(yōu)化過程如圖6所示
首先，確定未知參數(shù)集7;,("2,3,...... -2),q,q、適應(yīng)度函數(shù)^TM和約束條件,使
優(yōu)化搜索一直在可行解空間里運行；
其次，根據(jù)遺傳算法的隨機選擇法則在可行解區(qū)域內(nèi)生成初始種群，判斷適應(yīng)度函數(shù)是否滿足終止條件，如果滿足即停止，如果不滿足則按著遺傳法則進行選擇、交叉和變異，直到滿足條件，得到最優(yōu)解，作為初始點；
最后，運用序列二次規(guī)劃法再次優(yōu)化，得到該模型最優(yōu)解，即7;，7;，7;，...，7;_2。
步驟5,求解等效電納值和S'矩陣。
第5.1步，利用公式《 = // + > = &1^111(// + jV')將t平面的上半復平面變換為w
平面的平板電容器，即將圖4(b)中上半復平面i5'C'D'r。7;7^7^變換到圖4(c)中的平板
電容器/S'C'D'E"F'G'i/丫 ；
第5.2步，將TA坐標代入上式，求出^=^ + _/、；
第5.3步，根據(jù)電容器的寬度和長度求出電容總電容C，
由圖4(c)看出，AD與AF之間平行板的單位寬度電容C,D = s&，
由于中包括了 AB段平行板電容C^ ,設(shè)A點坐標為y=—b/2,z=L/2jiJ因此，由于膜片加入所引入的電容應(yīng)為C,。-C^，故由膜片引入的總電容C應(yīng)為
相
<formula>formula see original document page 10</formula>
第5.4步，根據(jù)總電C求出等效電納5-^-2肌再以等效特性導納y。/6歸一得
<formula>formula see original document page 10</formula>第5.5步，根據(jù)歸一化等效電納得到L單節(jié)電容膜片的S'矩陣參數(shù)為
<formula>formula see original document page 10</formula>步驟6，優(yōu)化求解矩形波導電容膜片的結(jié)構(gòu)參數(shù)。第6.1步，建立優(yōu)化模型為-力wd d,/n,a
其中，；=s
2 + -,， S『
2 +艮
=
'12
一S,
々12
式中，《，m,， a,分別為第!'個電容膜片的窗口寬度、膜片厚度和加工傾角，馬為
歸一化等效電納，aS,. , as^分別為反射系數(shù)s,n和傳輸系數(shù)s,u誤差；
第6,2步，利用遺傳算法優(yōu)化使得S'矩陣近似等于S矩陣，最終確定單節(jié)電容膜片的窗口寬度J、膜片厚度w'和加工傾角a'。
步驟7,重復將矩形波導膜片的截面多角形進行施瓦茨-克里斯托弗反變換求解等效電納和S'矩陣步驟和優(yōu)化矩形波導電容膜片結(jié)構(gòu)參數(shù)步驟，確定矩形波導低通濾波器的所有電容膜片參數(shù)。
步驟8,修正波導腔長度。
第8.1步，根據(jù)電容膜片的S'參數(shù)，得到等效電路的并聯(lián)電抗
認
1.12
1 —s,，
第8.2步，根據(jù)并聯(lián)電抗得到K變換器的相角arctan(2《)；第8.3步，修正電長度為《=6>0+1,^(arctan(2^_u) + arctan(2^,+1));
1
2
第8.4步，修正波導腔長度為A-iCA+^h+^wh
2tt ' ,
步驟9，重復所述波導腔長修正步驟，確定矩形波導低通濾波器所有兩電容膜片間的波導腔長，完成整個矩形波導低通濾波器的設(shè)計。本發(fā)明的有效性可以通過仿真數(shù)據(jù)進行說明
1. 選擇主模頻率范圍為1.4-2.8GHz的單節(jié)矩形波導電容膜片，厚度為lmm,加工傾角為r，進行仿真試驗，分別得到本發(fā)明方法的S矩陣參數(shù)、傳統(tǒng)方法的S矩陣參數(shù)和通過Ansoft HFSS仿真得到的S矩陣參數(shù)，如圖7所示。
2. 按照電性能指標為截止頻率為2.0GHz;通帶內(nèi)最大衰減為0.2犯,在阻帶3.5GHz處衰減大于60dB，設(shè)計2.0GHz波導低通濾波器，并利用HFSS進行仿真驗證可以得到如圖8所示的幅頻特性曲線。
在圖7中，將傳統(tǒng)方法的S矩陣參數(shù)與通過AnsoftHFSS仿真得到的S矩陣參數(shù)進行比較，511,512平均誤差分別為-18.29%和3.04%;將本發(fā)明的S矩陣參數(shù)與通過AnsoftHFSS仿真得到的S矩陣參數(shù)進行比較，&，512平均誤差分別為2.12%和-0.1%?？梢娎?br> 用本發(fā)明方法得到的傳輸系數(shù)和反射系數(shù)吻合相對于傳統(tǒng)方法更準確，提高了設(shè)計精度。
從圖8可見，本發(fā)明方法設(shè)計的濾波器截止頻率為2.0GHz，通帶內(nèi)反射系數(shù)Su低于-20dB，阻帶內(nèi)衰減大于60dB，滿足設(shè)計性能要求。無需反復調(diào)試，提高了設(shè)計效率。
權(quán)利要求
1. 一種矩形波導低通濾波器的參數(shù)確定方法，包括如下步驟A. 參數(shù)預確定步驟根據(jù)矩形波導低通濾波器的頻率要求選擇矩形波導型號；根據(jù)矩形波導低通濾波器的相對帶寬BW，確定兩電容膜片間矩形波導電長度θ0；根據(jù)矩形波導低通濾波器電性能指標和電路變換得到只含有電容元件的低通原型電路，進而得到廣義阻抗變換系數(shù)K，確定并聯(lián)電容的容抗X，通過查取矩形波導電容加載的等效電納圖，初步確定矩形波導內(nèi)電容膜片的窗口寬度d、膜片厚度m和加工傾角αB. 膜片參數(shù)優(yōu)化步驟根據(jù)廣義阻抗變換系數(shù)K，確定矩形波導單節(jié)電容膜片的S矩陣；對由初步確定矩形波導內(nèi)電容膜片的窗口寬度d、膜片厚度m和加工傾角α及波導高度b所形成的膜片截面多角形進行施瓦茨—克里斯托弗反變換，并求解電容膜片的歸一化等效電納<overscore>B</overscore>；根據(jù)等效電納B確定電容膜片的S′矩陣利用遺傳算法優(yōu)化使得S′矩陣近似等于S矩陣，最終確定單節(jié)電容膜片的窗口寬度d′、膜片厚度m′和加工傾角α′；重復所述的膜片參數(shù)優(yōu)化步驟，確定矩形波導低通濾波器的其余電容膜片參數(shù)；C. 波導腔長修正步驟通過電容膜片的S′矩陣，得到修正后的兩膜片間的波導長度為λg為波導波長，θ0為初始確定兩電容膜片間矩形波導電長度，<overscore>X</overscore>為電容膜片等效電路的并聯(lián)電抗即重復所述波導腔長修正步驟，確定矩形波導低通濾波器其余兩電容膜片間的波導長度，完成整個矩形波導低通濾波器的設(shè)計。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩形波導低通濾波器的參數(shù)確定方法，其中膜片參 數(shù)優(yōu)化步驟中所述的對由初步確定矩形波導內(nèi)電容膜片的窗口寬度么膜片厚度/ 和加工傾角《及波導高度b所形成的膜片截面多角形進行施瓦茨一克里斯托 弗反變換，求解電容膜片的等效電納，按如下步驟進行-第一步，運用遺傳算法與序列二次規(guī)劃法相結(jié)合的混合優(yōu)化算法對施瓦茨-《"-l 一"克里斯托弗反變換z-qm(r-rf) ^+C2進行優(yōu)化求解，得到變換后的各頂點坐標t;,^;: ;,...,;2;第二步，將各頂點坐標代入施瓦茨-克里斯托弗反變換公式z中，在復平面內(nèi)，將多角形平面變換到上半復平面；第三步，將上半復平面變換為平板電容器，根據(jù)平板電容器的長度和寬度求 出膜片電容及等效電納值。
3 .根據(jù)權(quán)利要求2所述的矩形波導低通濾波器的參數(shù)確定方法，其中第一步所述的對施瓦茨-克里斯托弗反變換z-c,f 7)) 'A+C2進行優(yōu)化求解，按如下步驟進行第1步，建立優(yōu)化模型為<formula>formula see original document page 3</formula>其中-<formula>formula see original document page 3</formula>-,其中J-0,1,2,......n-3打一ln-,其中j^,1,2,......n-3式中Z,為電容膜片截面多角形的各頂點在z平面內(nèi)的坐標， ;為電容膜片截面多角形的各頂點在t平面內(nèi)的坐標， 是z平面上從&到的邊長,用Zi^表示，7;+/-7}是T平面上的對應(yīng)邊長，以r、表示，1}是用頂點表示的第,的相對邊長， g是用邊長表示的第^的相對邊長；第2步，采用改進的混合遺傳算法對該模型進行優(yōu)化求解首先，對遺傳算法進行約束條件處理，即采取縮小搜索空間的方法，使優(yōu)化搜索一直在可行解空間里運行，優(yōu)化求解出初始點；其次，運用序列二次規(guī)劃法再次優(yōu)化，得到該模型最優(yōu)解，即r2,r3，...,7;_2。
4 .根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩形波導低通濾波器的參數(shù)確定方法，其中膜片參數(shù)優(yōu)化步驟中所述的利用遺傳算法優(yōu)化使得s'矩陣近似等于s矩陣，通過如下優(yōu)化模型進行優(yōu)化求解，艮P: 力m/ c ,.，w,.,a,..<formula>formula see original document page 4</formula>式中，《，M,， ^分別為第Z'個電容膜片的窗口寬度、膜片厚度和加工傾角，g為歸一化等效電納，AS,^分別為反射系數(shù)S,u和傳輸系數(shù)S^的誤差。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種矩形波導低通濾波器的參數(shù)確定方法，它屬于電器元件技術(shù)領(lǐng)域。主要解決矩形波導低通濾波器設(shè)計精度問題。其過程是首先，根據(jù)矩形波導低通濾波器的電性能指標選擇矩形波導型號，初步確定矩形波導電長度和電容膜片的結(jié)構(gòu)參數(shù)；其次，利用施瓦茨-克里斯托弗反變換，通過改進的混合遺傳算法求解矩形波導電容膜片的S′矩陣；再次，利用遺傳算法優(yōu)化，使得該S′矩陣與通過廣義阻抗變換系數(shù)K得到的S矩陣近似相等，最終確定膜片結(jié)構(gòu)參數(shù)；最后，利用電容膜片的S′矩陣修正兩膜片間的波導長度，最終確定矩形波導的腔長。本發(fā)明具有確定參數(shù)準確，無需反復調(diào)試的優(yōu)點，可用于對高精度矩形波導低通濾波器的設(shè)計。
文檔編號G06F17/50GK101546347SQ200810150928
公開日2009年9月30日 申請日期2008年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月12日
發(fā)明者周曉輝, 剛 宛, 陳麗娜, 進 黃 申請人:西安電子科技大學