專利名稱：微型安全數(shù)字記憶卡及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微型安全數(shù)字記憶卡及其制造方法，特別是 一種可增加基板設(shè)計(jì)彈性的微型安全數(shù)字記憶卡及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，可攜式電子裝置的體積不斷縮小，因此外插式記憶 卡亦隨之縮小，以符合可攜式電子裝置輕薄短小的需求。請(qǐng)參照
圖la，微型安全數(shù)字(micro secure digital, microSD)記憶卡1為了 讓使用者易于施力以取出記憶卡，因此在microSD記憶卡1的施 力側(cè)設(shè)有一突出的指扣區(qū)11。
請(qǐng)參照?qǐng)Dlb，現(xiàn)有的microSD記憶卡包含一基板21、 一控 制單元24、 一記憶芯片25以及被動(dòng)元件27?；?1的表面布設(shè) 所需的預(yù)定電路211，另設(shè)置一阻焊層22于基板21的表面，使 部份的預(yù)定電路211顯露出來以作為導(dǎo)電接點(diǎn)。較佳者，可于導(dǎo) 電接點(diǎn)的表面形成金屬層23以增加導(dǎo)電接點(diǎn)的可焊性及耐磨性 等性質(zhì)?？刂茊卧?4、記憶芯片25以及被動(dòng)元件27則設(shè)置于基 板21上，并以引線26或焊材28等導(dǎo)電元件與預(yù)定電路211電性 連接，以實(shí)現(xiàn)microSD記憶卡的相關(guān)功能。
然而，有些被動(dòng)元件27的高度較高，因此，此類被動(dòng)元件 27設(shè)置于基板21的位置被限制在對(duì)應(yīng)于指扣區(qū)11的區(qū)域內(nèi)。如 此，不僅限制配置各式元件位置的選擇性，亦增加被動(dòng)元件與控 制單元以及記憶芯片間的距離以及基板的面積。
綜上所述，如何改善microSD記憶卡的結(jié)構(gòu)，而可任意配置高度較高的被動(dòng)元件的位置便是目前極需努力的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問題，本發(fā)明目的之一是提出一種微型安全數(shù)字記 憶卡及其制造方法，其是將高度較高的被動(dòng)元件設(shè)置于基板的凹 槽，以使被動(dòng)元件的配置位置不受被動(dòng)元件的高度所限制而可任 意配置。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種微型安全數(shù)字記憶 卡，包含一基板、 一控制單元、 一記憶芯片以及至少一被動(dòng)元件。 基板具有一第一表面以及一第二表面，其中第一表面及/或第二表
面設(shè)有一預(yù)定電路以及一凹槽。控制單元以及記憶芯片與預(yù)定電 路電性連接。被動(dòng)元件則設(shè)置于基板的凹槽中，并與預(yù)定電路電 性連接。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明另一實(shí)施例還提供一種微型安全數(shù)字 記憶卡的制造方法，包含提供一基板，其具有一第一表面以及 一第二表面，其中第一表面及/或第二表面設(shè)有一預(yù)定電路以及一 凹槽；提供一控制單元以及一記憶芯片，并電性連接控制單元以 及預(yù)定電路；以及設(shè)置至少一被動(dòng)元件于基板的凹槽中，并電性 連接被動(dòng)元件以及預(yù)定電路。
以下通過具體實(shí)施例配合所附的圖式詳加說明，當(dāng)更容易了 解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。


圖la為一俯視圖，顯示一microSD記憶卡的外觀； 圖lb為一剖面圖，顯示一現(xiàn)有的microSD記憶卡的結(jié)構(gòu)； 圖2為一剖面圖，顯示本發(fā)明一較佳實(shí)施例的microSD記憶 卡的結(jié)構(gòu)；圖3為一流程圖，顯示本發(fā)明一較佳實(shí)施例的microSD記憶 卡的制造流程。
圖中符號(hào)說明
1微型安全數(shù)字記憶卡
11指扣區(qū)
21基板
211預(yù)定電路
22阻焊層
23金屬層
24控制單元
25記憶芯片
26引線
27被動(dòng)元件
28焊材
31基板
311第一表面
312第二表面
313預(yù)定電路
314凹槽
32阻焊層
33a、 33b金屬層
34控制單元
35記憶芯片
36引線
37被動(dòng)元件
38焊材
S31 S34microSD記憶卡的制造流程
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參照?qǐng)D2，本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的微型安全數(shù)字(microsecure digital, microSD)記憶卡，包含一基板31、一控制單元34、 一記憶芯片35、以及至少一被動(dòng)元件37?；?1具有一第一表 面311以及一第二表面312，且第一表面311及/或第二表面312 設(shè)有一預(yù)定電路313。于一實(shí)施例中，第一表面311與第二表面 312上的預(yù)定電路313可經(jīng)由一通孔(未圖標(biāo))而彼此電性連接。此 外，基板31的第一表面311設(shè)有一凹槽314，但不限于此，若有 設(shè)計(jì)上的需求，亦可于基板31的第二表面312，或分別于第一表 面311以及第二表面312設(shè)置至少一個(gè)凹槽314。
接續(xù)上述說明，控制單元34以及記憶芯片35設(shè)置于基板31 上，并以引線36與預(yù)定電路313電性連接。被動(dòng)元件37則設(shè)置 于基板31的凹槽314中，并以焊材38與預(yù)定電路313電性連接。 控制單元34、記憶芯片35以及被動(dòng)元件37經(jīng)由基板31上的預(yù) 定電路313彼此電性連接，即可實(shí)現(xiàn)microSD記憶卡的相關(guān)功能。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2，于一較佳實(shí)施例中，基板31可設(shè)置一阻焊層 32以覆蓋基板31上的預(yù)定電路313，并使部份的預(yù)定電路313顯 露出來，以作為導(dǎo)電接點(diǎn)。此外，亦可于導(dǎo)電接點(diǎn)的表面形成一 金屬層33a、 33b，以增加導(dǎo)電接點(diǎn)的可焊性及/或耐磨性等特性。 舉例而言，圖2中的金屬層33a作為內(nèi)部導(dǎo)電接點(diǎn)，以供控制單 元34、記憶芯片35以及被動(dòng)元件37經(jīng)由內(nèi)部導(dǎo)電接點(diǎn)與預(yù)定電 性313電性連接；圖2中金屬層33b則作為外部導(dǎo)電接點(diǎn)，以供 外部電子裝置經(jīng)由外部導(dǎo)電接點(diǎn)存取micn)SD記憶卡。
本發(fā)明的microSD記憶卡可更包含封裝體(未圖標(biāo))，其可包 覆基板31、控制單元34、記憶芯片35以及被動(dòng)元件37，并顯露 出外部導(dǎo)電接點(diǎn)。
需注意的是，圖2所示實(shí)施例的控制單元34以及記憶芯片 35設(shè)置于同一平面，亦即二者皆設(shè)置于基板31的第一表面311。然而，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者亦可將控制單元34 以及記憶芯片35以堆疊的方式設(shè)置于基板31的第一表面311， 例如記憶芯片35設(shè)置于基板31的第一表面311，控制單元34則 堆疊于記憶芯片35的表面；或者二者堆疊的位置互換。
請(qǐng)參照?qǐng)D2以及圖3，本發(fā)明一較佳實(shí)施例的微型安全數(shù)字 記憶卡的制造方法包含提供一基板31，其具有一第一表面311 以及一第二表面312，其中第一表面311及/或第二表面312設(shè)有 一預(yù)定電路313，且第一表面311及/或第二表面312設(shè)有一凹槽 314，舉例而言，凹槽314是以激光法、機(jī)械法或至少二層基板材 料壓合而形成(步驟S31);提供一控制單元34，并電性連接控制單 元34以及預(yù)定電路313(步驟S32);提供一記憶芯片37，并電性 連接記憶芯片37以及預(yù)定電路313(步驟S33);以及設(shè)置至少一被 動(dòng)元件37于基板31的凹槽314中，并電性連接被動(dòng)元件37以及 預(yù)定電路313(步驟34)。
較佳者，本發(fā)明一較佳實(shí)施例的微型安全數(shù)字記憶卡的制造 方法更包含以一封裝體(未圖標(biāo))包覆基板31、控制單元34、記憶 芯片35以及被動(dòng)元件37，并顯露出外部導(dǎo)電接點(diǎn)，以供外部電 子裝置存取microSD記憶卡。
綜合上述，本發(fā)明的微型安全數(shù)字記憶卡及其制造方法，其 將高度較高的被動(dòng)元件設(shè)置于基板的凹槽中，使被動(dòng)元件的配置 位置不受被動(dòng)元件的高度所限制而可任意配置，如此即可增加基 板的設(shè)計(jì)彈性并縮短元件間的距離。
以上所述的實(shí)施例僅是為說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其 目的在使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng) 不能以之限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，即大凡依本發(fā)明所揭示的精神 所作的均等變化或修飾，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種微型安全數(shù)字記憶卡，其特征在于，包含一基板，其具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面及/或該第二表面設(shè)有一預(yù)定電路，且該第一表面及/或該第二表面設(shè)有一凹槽；一控制單元，其與該預(yù)定電路電性連接；一記憶芯片，其與該預(yù)定電路電性連接；以及至少一被動(dòng)元件，其設(shè)置于該凹槽中，并與該預(yù)定電路電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的微型安全數(shù)字記憶卡，其中，更包含 一阻焊層，其覆蓋部份該預(yù)定電路，其中未被覆蓋的該預(yù)定電路作為一內(nèi)部導(dǎo)電接點(diǎn)以及一外部導(dǎo)電接點(diǎn)。
3. 如權(quán)利要求2所述的微型安全數(shù)字記憶卡，其中，更包含 一金屬層，其設(shè)置于該內(nèi)部導(dǎo)電接點(diǎn)以及該外部導(dǎo)電接點(diǎn)的
4. 如權(quán)利要求2所述的微型安全數(shù)字記憶卡，其中，更包含一封裝體，其包覆該基板、該控制單元、該記憶芯片以及該 被動(dòng)元件，并顯露出該外部導(dǎo)電接點(diǎn)。
5. 如權(quán)利要求2所述的微型安全數(shù)字記憶卡，其中，該控制 單元、該記憶芯片以及該被動(dòng)元件經(jīng)由該內(nèi)部導(dǎo)電接點(diǎn)與該預(yù)定 電路電性連接。
6. 如權(quán)利要求l所述的微型安全數(shù)字記憶卡，其中，該控制 單元以及該記憶芯片以堆疊的方式設(shè)置于該第一表面。
7. 如權(quán)利要求l所述的微型安全數(shù)字記憶卡，其中，該控制 單元以及該記憶芯片設(shè)置于該第一表面。
8. 如權(quán)利要求l所述的微型安全數(shù)字記憶卡，其中，該凹槽 是以激光法、機(jī)械法或至少二層基板材料壓合而形成。
9. 一種微型安全數(shù)字記憶卡的制造方法，其特征在于，包含-提供一基板，其具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面及/或該第二表面設(shè)有一預(yù)定電路，且該第一表面及/或該第二表面設(shè)有一凹槽；提供一控制單元，并電性連接該控制單元以及該預(yù)定電路； 提供一記憶芯片，并電性連接該記憶芯片以及該預(yù)定電路；以及設(shè)置至少一被動(dòng)元件于該凹槽中，并電性連接該被動(dòng)元件以 及該預(yù)定電路。
10. 如權(quán)利要求9所述的微型安全數(shù)字記憶卡的制造方法， 其中，該基板更包含一阻焊層，其覆蓋部份該預(yù)定電路，其中未 被覆蓋的該預(yù)定電路作為一內(nèi)部導(dǎo)電接點(diǎn)以及一外部導(dǎo)電接點(diǎn)。
11. 如權(quán)利要求IO所述的微型安全數(shù)字記憶卡的制造方法， 其中，該基板更包含一金屬層，其設(shè)置于該內(nèi)部導(dǎo)電接點(diǎn)以及該 外部導(dǎo)電接點(diǎn)的表面。
12. 如權(quán)利要求IO所述的微型安全數(shù)字記憶卡的制造方法， 其中，更包含以一封裝體包覆該基板、該控制單元、該記憶芯片以及該被 動(dòng)元件，并顯露出該外部導(dǎo)電接點(diǎn)。
13. 如權(quán)利要求IO所述的微型安全數(shù)字記憶卡的制造方法，其中，該控制單元、該記憶芯片以及該被動(dòng)元件經(jīng)由該內(nèi)部導(dǎo)電 接點(diǎn)與該預(yù)定電路電性連接。
14. 如權(quán)利要求9所述的微型安全數(shù)字記憶卡的制造方法， 其中，該控制單元以及該記憶芯片彼此堆疊地設(shè)置于該第一表面。
15. 如權(quán)利要求9所述的微型安全數(shù)字記憶卡的制造方法，其中，該控制單元以及該記憶芯片設(shè)置于該第一表面。
16. 如權(quán)利要求9所述的微型安全數(shù)字記憶卡的制造方法， 其中，該凹槽是以激光法、機(jī)械法或至少二層基板材料壓合而形 成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微型安全數(shù)字記憶卡，包含一基板、一控制單元、一記憶芯片以及至少一被動(dòng)元件。基板具有一第一表面以及一第二表面，其中第一表面及/或第二表面設(shè)有一預(yù)定電路以及一凹槽?？刂茊卧约坝洃浶酒c預(yù)定電路電性連接。被動(dòng)元件則設(shè)置于基板的凹槽中，并與預(yù)定電路電性連接。依據(jù)上述結(jié)構(gòu)，被動(dòng)元件的配置位置可不受被動(dòng)元件的高度所限制而可任意配置。同時(shí)亦揭露一種微型安全數(shù)字記憶卡的制造方法。
文檔編號(hào)G06K19/077GK101625728SQ20081013047
公開日2010年1月13日 申請(qǐng)日期2008年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月10日
發(fā)明者張嘉慧, 楊羽婷, 陳暉長 申請(qǐng)人:力成科技股份有限公司