專利名稱：非線性閃存的壞塊管理方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)空間的壞塊管理技術(shù)，尤其涉及 一 種一 'f線性閃存
(NandFlash)的壞塊管理方法及裝置。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展，手機(jī)等終端設(shè)備逐漸成為人們工作、生活 中必不可少的通信工具。隨著終端對(duì)信息的存儲(chǔ)要求越來越高，非線性閃存 (NandFlash)以大容量、低成本等優(yōu)勢(shì)，在終端中的應(yīng)用越來越廣泛，NandFlash 可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，也可以存儲(chǔ)代碼。由于NandFlash在出廠時(shí)，就會(huì)有一定的壞 塊存在，這些出廠時(shí)就存在的壞塊被稱之為出廠壞塊，而NandFlash在使用的 過程中，也容易產(chǎn)生壞塊。 一旦產(chǎn)生壞塊，就會(huì)對(duì)NandFlash的讀寫等操作造 成影響，因此，對(duì)NandFlash的壞塊管理就顯得非常必要。
現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)NandFlash進(jìn)行壞塊管理，是采用遇到壞塊就跳過的方式來 處理的。但是這種管理方法，在用于終端的固件升級(jí)過程中，由于無法對(duì)產(chǎn)生 的壞塊進(jìn)行正常的數(shù)據(jù)或代碼更新操作，從而也就無法避免壞塊的產(chǎn)生對(duì)固件 升級(jí)所造成的影響，導(dǎo)致終端的固件升級(jí)效率較低，甚至容易造成終端的固件 升級(jí)失敗。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種非線性閃存的壞塊管理方法及 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的
本發(fā)明提供了一種非線性閃存的壞塊管理方法，將非線性閃存的存儲(chǔ)空間 劃分為數(shù)據(jù)區(qū)和預(yù)留區(qū)，該方法包括對(duì)所述非線性閃存的數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭霌?作時(shí)，獲取所產(chǎn)生的壞
塊信息；
根據(jù)所述壞塊信息，在所述非線性閃存的預(yù)留區(qū)中選取與所述壞塊相對(duì)應(yīng)
的可用的替代塊；
對(duì)所選取的替代塊進(jìn)行所述數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鳌?br> 所述獲取數(shù)據(jù)區(qū)中的壞塊信息，具體包括在進(jìn)行所述數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩?作時(shí)，如果所述操作至少兩次失敗，則確定所操作的數(shù)據(jù)塊為壞塊。
所述獲取數(shù)據(jù)區(qū)中的壞塊信息，進(jìn)一步包括在所述壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中 設(shè)置壞塊標(biāo)識(shí)。
所述在非線性閃存的預(yù)留區(qū)中選取與壞塊相對(duì)應(yīng)的可用的替代塊，具體包
括
在所述預(yù)留區(qū)中選取當(dāng)前狀態(tài)為可用的替代塊； 將所選取的替代塊的物理地址記錄在所述壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中。 所述對(duì)所選取的替代塊進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮?，進(jìn)一步包括在所述替
代塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中將所述替代塊的當(dāng)前狀態(tài)更新為已使用。
所述對(duì)所選取的替代塊進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮髦?，該方法還包括在
對(duì)所述壞塊進(jìn)行讀取操作時(shí)，根據(jù)所述壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中所記錄的物理地址，
從所述物理地址對(duì)應(yīng)的替代塊中讀取數(shù)據(jù)。
本發(fā)明還提供了一種非線性閃存的壞塊管理裝置，包括區(qū)域劃分模塊、
壞塊信息獲取模塊、替代塊選取模塊和替代塊操作模塊；其中，
所述區(qū)域劃分模塊，用于將非線性閃存的存儲(chǔ)空間劃分為數(shù)據(jù)區(qū)和預(yù)留區(qū)； 所述壞塊信息獲取模塊，用于在對(duì)非線性閃存的數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)?br> 入操作時(shí)，獲取所產(chǎn)生的壞塊信息；
所述替代塊選取^t塊，用于根據(jù)所述壞塊信息，在所述非線性閃存的預(yù)留
區(qū)中選取與所述壞塊相對(duì)應(yīng)的可用的替代塊；
所述替代塊操作模塊，用于對(duì)所選取的替代塊進(jìn)行所述數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩?br> 作所述替代塊選取模塊還包括
替代塊選取子才莫塊，用于在所述預(yù)留區(qū)中選^^當(dāng)前狀態(tài)為可用的替代塊； 物理地址記錄子模塊，用于將所選取的替代塊的物理地址記錄在所述壞塊 對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中。 所述裝置還包括
數(shù)據(jù)讀取模塊，用于在對(duì)所述壞塊進(jìn)行讀取操作時(shí)，根據(jù)所述壞塊對(duì)應(yīng)的 冗余區(qū)中所記錄的物理地址，從所述物理地址對(duì)應(yīng)的替代塊中讀耳又?jǐn)?shù)據(jù)。
本發(fā)明所提供的非線性閃存的壞塊管理方法及裝置，對(duì)擦除和寫入操作造 成的壞塊進(jìn)行替代，并在壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)記錄替代塊的物理地址，由替代塊 實(shí)現(xiàn)壞塊的^^除和寫入等操作。本發(fā)明中只需建立壞塊和替代塊的映射關(guān)系， 對(duì)替代塊的查找速度快；本發(fā)明的替代操作不會(huì)影響其他正常塊；且本發(fā)明應(yīng) 用于終端的固件升級(jí)中，避免了壞塊的產(chǎn)生對(duì)固件升級(jí)所造成的影響，提高了 固件升級(jí)的效率。


圖1為本發(fā)明一種非線性閃存的壞塊管理方法的流程圖2為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)NandFlash進(jìn)行壞塊4企測(cè)的流程圖3為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)NandFlash進(jìn)刊3察除操:作的流程圖4為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)NandFlash進(jìn)行寫操作的流程圖5為本發(fā)明一種非線性閃存的壞塊管理裝置的組成結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)一步詳細(xì)闡述。 本發(fā)明一種NandFlash的壞塊管理方法，將NandFlash的存儲(chǔ)空間劃分為 數(shù)據(jù)區(qū)和預(yù)留區(qū)，數(shù)據(jù)區(qū)用來存放數(shù)據(jù)，而預(yù)留區(qū)用來作為數(shù)據(jù)區(qū)中壞塊的替 代區(qū)域，代替數(shù)據(jù)區(qū)中的壞塊進(jìn)行數(shù)據(jù)的存放。如圖l所示，該方法主要包括 以下步驟步驟IOI,終端對(duì)NandFlash的數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鲿r(shí)，獲取所 產(chǎn)生的壞塊信息。
終端在對(duì)NandFlash的數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鲿r(shí)，對(duì)于出廠壞塊 是采取直接跳過的方式，不對(duì)出廠壞塊進(jìn)行數(shù)據(jù)的擦除和寫入操作。而在終端 對(duì)NandFlash的數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鲿r(shí)，容易產(chǎn)生壞塊，通常在對(duì) 數(shù)據(jù)區(qū)中的某個(gè)數(shù)據(jù)塊進(jìn)行至少兩次擦除操作失敗時(shí)，判定該數(shù)據(jù)塊為壞塊； 在對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)中的某個(gè)數(shù)據(jù)塊進(jìn)行至少兩次寫入才喿作失敗時(shí)，判定該數(shù)據(jù)塊為壞 塊。發(fā)現(xiàn)壞塊時(shí)，終端在壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中設(shè)置壞塊標(biāo)識(shí)，以標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)的數(shù) 據(jù)塊為壞塊。
步驟102，終端根據(jù)所產(chǎn)生的壞塊信息，在NandFlash的預(yù)留區(qū)中選取與壞 塊相對(duì)應(yīng)的可用的替代塊。
終端發(fā)現(xiàn)壞塊時(shí)，根據(jù)步驟101所獲取的壞塊信息，在NandFlash的預(yù)留 區(qū)中選取當(dāng)前狀態(tài)為可用的替代塊，并將所選取的替代塊的物理地址記錄在壞 塊的冗余區(qū)中，從而形成了一個(gè)壞塊與對(duì)應(yīng)替代塊的映射關(guān)系，此后對(duì)該壞塊 的數(shù)據(jù)擦除、寫入和讀取等操作都可以在壞塊對(duì)應(yīng)的替代塊中實(shí)現(xiàn)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，數(shù)據(jù)區(qū)中塊與預(yù)留區(qū)中的塊存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)相同，所 選用替代塊的存儲(chǔ)容量不小于其所替代的壞塊。
另外，終端在所選取的替代塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中，將替代塊的當(dāng)前狀態(tài)更新 為已使用，從而在此后進(jìn)行選取替代塊的操作時(shí)，不會(huì)再選取到這個(gè)當(dāng)前狀態(tài) 為已使用的替代塊。
步驟103，終端對(duì)所選取的替代塊進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鳌?br> 在選取了與數(shù)據(jù)區(qū)中的壞塊所對(duì)應(yīng)的替代塊后，終端可以對(duì)所選的替代塊 進(jìn)行數(shù)據(jù)的擦除或?qū)懭氩僮鳌?br> 另外，在對(duì)替代塊進(jìn)行數(shù)據(jù)的擦除或?qū)懭氩僮髦?，如果需要?duì)壞塊進(jìn)行 數(shù)據(jù)讀取操作，則終端可以根據(jù)壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中所記錄的物理地址，查找 到與記錄的物理地址所對(duì)應(yīng)的替代塊，并從對(duì)應(yīng)的替代塊中讀取所需數(shù)據(jù)。
本發(fā)明中NandFlash的數(shù)據(jù)區(qū)在實(shí)際應(yīng)用中也可以用來存放代碼，本發(fā)明中將用于存放代碼的數(shù)據(jù)區(qū)稱為代碼區(qū)。實(shí)際應(yīng)用中，終端在進(jìn)行固件升級(jí)的 過程中，要求對(duì)代碼區(qū)中所存儲(chǔ)的代碼進(jìn)行更新，也就需要對(duì)代碼區(qū)進(jìn)行塊的 擦除或?qū)懭氩僮?，操作過程容易產(chǎn)生壞塊，而將上述圖1所示的壞塊管理方法 應(yīng)用于終端的固件升級(jí)過程中時(shí)，可以優(yōu)化終端的固件升級(jí)過程，消除壞塊對(duì) 代碼區(qū)所造成的影響，提高固件升級(jí)的效率。下面對(duì)本發(fā)明終端固件升級(jí)的實(shí) 施例中的壞塊管理方法進(jìn)行詳細(xì)闡述。
終端在固件升級(jí)的過程中，首先需要對(duì)NandFlash進(jìn)行校驗(yàn)，確定需要升 級(jí)的塊，并對(duì)需要升級(jí)的塊進(jìn)行壞塊檢測(cè)。本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)NandFlash進(jìn)行 壞塊檢測(cè)的流程圖，如圖2所示，主要包括以下步驟
步驟201,對(duì)NandFlash的代碼區(qū)通過應(yīng)用軟件進(jìn)行塊的比較和校驗(yàn)，確定 需要升級(jí)的代碼塊。
步驟202，對(duì)需要升級(jí)的代碼塊進(jìn)行壞塊檢測(cè)，通過讀取代碼塊所對(duì)應(yīng)冗 余區(qū)中的壞塊標(biāo)識(shí)，判斷需要升級(jí)的代碼塊中是否存在壞塊，如果存在，則轉(zhuǎn) 到步驟203;否則，轉(zhuǎn)到步驟204。
步驟203,檢測(cè)并判斷壞塊是出廠壞塊還是非出廠壞塊，具體是根據(jù)壞塊 所對(duì)應(yīng)冗余區(qū)中是否記錄有替代塊的物理地址來判定壞塊是否為出廠壞塊的。 如果冗余區(qū)中記錄有替代塊的物理地址，則判定壞塊不是出廠壞塊；如果冗余 區(qū)中沒有記錄替代塊的物理地址，則判定壞塊為出廠壞塊。
步驟204,將需要升級(jí)的代碼塊是否為壞塊、是否為出廠壞塊的檢測(cè)結(jié)果 上報(bào)給終端。對(duì)于出廠壞塊，終端在后續(xù)的升級(jí)過程中采取直接跳過的方式進(jìn) 行處理；對(duì)于正常塊，終端在后續(xù)的升級(jí)過程中直接對(duì)代碼塊進(jìn)行代碼擦除或 寫入操作；對(duì)于非出廠壞塊的壞塊，終端在后續(xù)的升級(jí)過程中對(duì)壞塊所對(duì)應(yīng)的 替代塊進(jìn)行代碼擦除或?qū)懭氩僮鳌?br> 在終端固件升級(jí)過程中，進(jìn)行NandFlash的擦除或?qū)懭氩僮鲿r(shí)容易產(chǎn)生壞 塊，因此可以通過上述圖1所示的壞塊管理方法實(shí)現(xiàn)升級(jí)過程中的壞塊管理。 NandFlash擦除過程中的壞塊管理操作，如圖3所示，主要包括以下步驟
步驟301,在進(jìn)行擦除操作時(shí)，通常在對(duì)某個(gè)代碼塊的擦除操作至少兩次失敗時(shí)，認(rèn)定該代碼塊為壞塊；并在在壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中設(shè)置壞塊標(biāo)識(shí)，標(biāo) 志為壞塊。
步驟302，在預(yù)留區(qū)中選取當(dāng)前狀態(tài)為可用的替代塊。
終端讀取預(yù)留區(qū)中的替代塊狀態(tài)信息，從中選取當(dāng)前狀態(tài)為可用的替代塊，
并將所選替代塊的物理地址記錄在壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中。 步驟303，對(duì)所選替代塊進(jìn)行擦除操作。
步驟304，在所選替代塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中將替代塊的當(dāng)前狀態(tài)更新為已使用。
NandFlash寫入過程中的壞塊管理操作，如圖4所示，主要包括以下步驟 步驟401,在進(jìn)行寫入操作時(shí)，通常在對(duì)某個(gè)代碼塊的寫入操作至少兩次
失敗時(shí)，認(rèn)定該代碼塊為壞塊；并在在壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中設(shè)置壞塊標(biāo)識(shí)，標(biāo)
志為壞塊。
步驟402，在預(yù)留區(qū)中選取當(dāng)前狀態(tài)為可用的替代塊。 終端讀取預(yù)留區(qū)中的替代塊狀態(tài)信息，從中選取當(dāng)前狀態(tài)為可用的替代塊， 并將所選替代塊的物理地址記錄在壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中。 步驟403，將更新后的代碼寫入替代塊中。
步驟404，在所選替代塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中將替代塊的當(dāng)前狀態(tài)更新為已使用。
由于實(shí)際應(yīng)用中，NandFlash不具備片上執(zhí)行(XIP, Execute In Place )能 力，因此在終端開機(jī)或者其他需要執(zhí)行代碼的情況下，需要將NandFlash存放 的代碼搬移到RAM上執(zhí)行。在代碼搬移的過程中，對(duì)代碼塊進(jìn)行壞塊檢測(cè)， 遇到正常塊時(shí)，直接將代碼讀取到RAM中；遇到壞塊時(shí)，根據(jù)壞塊所對(duì)應(yīng)冗 余區(qū)中是否記錄有替代塊的物理地址，判定壞塊是否為出廠壞塊，對(duì)于出廠壞 塊，直接跳過；對(duì)于非出廠壞塊的壞塊，則根據(jù)壞塊對(duì)應(yīng)冗余區(qū)中所記錄的物 理地址，查找到與記錄的物理地址所對(duì)應(yīng)的替代塊，并將替代塊中的代碼讀取 到RAM中。
為實(shí)現(xiàn)上述NandFlash的壞塊管理方法，本發(fā)明還提供了一種NandFlash
9的壞塊管理裝置，如圖5所示，該裝置包括區(qū)域劃分模塊IO、壞塊信息獲取 模塊20、替代塊選取模塊30和替代塊操作模塊40。其中，用于對(duì)NandFlash 的存儲(chǔ)空間進(jìn)行數(shù)據(jù)區(qū)和預(yù)留區(qū)的劃分。壞塊信息獲取模塊20，連接區(qū)域劃分 模塊IO，用于在對(duì)NandFlash的數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鲿r(shí)，獲取所產(chǎn) 生的壞塊信息。替代塊選取模塊30，連接區(qū)域劃分模塊10和壞塊信息獲耳^莫 塊20,用于根據(jù)壞塊信息，在NandFlash的預(yù)留區(qū)中選取與壞塊相對(duì)應(yīng)的可用 的替代塊。替代塊操作模塊40,連接區(qū)域劃分模塊10和替代塊選取模塊30， 用于對(duì)所選取的替代塊進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鳌?br> 其中，替代塊選取模塊30包括相互連接的替代塊選取子模塊31和物理 地址記錄子模塊32。替代塊選取子模塊31，用于在預(yù)留區(qū)中選取當(dāng)前狀態(tài)為可 用的替代塊。物理地址記錄子模塊32，用于將所選取的替代塊的物理地址記錄 在壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中。
本發(fā)明的另一實(shí)施例所提供的NandFlash的壞塊管理裝置，在上述模塊的 基礎(chǔ)上還包括數(shù)據(jù)獲取模塊50,連接替代塊選取模塊30和替代塊操作模塊40， 用于在對(duì)壞塊進(jìn)行讀取操作時(shí)，根據(jù)替代塊選取模塊30在壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中 所記錄的物理地址，從物理地址所對(duì)應(yīng)的替代塊中讀取替代塊操作模塊40所寫 入的數(shù)據(jù)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，圖5所示壞塊管理裝置是實(shí)現(xiàn)前述壞塊管理方 法的虛擬裝置，上述各^^莫塊的功能可參照?qǐng)D1、圖2、圖3及圖4的相關(guān)描述來 理解，各模塊可通過相應(yīng)的軟件及電路來實(shí)現(xiàn)。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種非線性閃存的壞塊管理方法，其特征在于，將非線性閃存的存儲(chǔ)空間劃分為數(shù)據(jù)區(qū)和預(yù)留區(qū)，該方法包括對(duì)所述非線性閃存的數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鲿r(shí)，獲取所產(chǎn)生的壞塊信息；根據(jù)所述壞塊信息，在所述非線性閃存的預(yù)留區(qū)中選取與所述壞塊相對(duì)應(yīng)的可用的替代塊；對(duì)所選取的替代塊進(jìn)行所述數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鳌?br> 2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述非線性閃存的壞塊管理方法，其特征在于，所述獲 取數(shù)據(jù)區(qū)中的壞塊信息，具體包括在進(jìn)行所述數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鲿r(shí)，如果 所述操作至少兩次失敗，則確定所操作的數(shù)據(jù)塊為壞塊。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述非線性閃存的壞塊管理方法，其特征在于，所 述獲耳又?jǐn)?shù)據(jù)區(qū)中的壞塊信息，進(jìn)一步包括在所述壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中設(shè)置壞 塊標(biāo)識(shí)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述非線性閃存的壞塊管理方法，其特征在于，所述在 非線性閃存的預(yù)留區(qū)中選取與壞塊相對(duì)應(yīng)的可用的替代塊，具體包括在所述預(yù)留區(qū)中選取當(dāng)前狀態(tài)為可用的替代塊； 將所選取的替代塊的物理地址記錄在所述壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述非線性閃存的壞塊管理方法，其特征在于，所述對(duì) 所選取的替代塊進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮?，進(jìn)一步包括在所述替代塊對(duì)應(yīng)的 冗余區(qū)中將所述替代塊的當(dāng)前狀態(tài)更新為已使用。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1或5所述非線性閃存的壞塊管理方法，其特征在于，所 述對(duì)所選取的替代塊進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮髦?，該方法還包括在對(duì)所述 壞塊進(jìn)行讀取操作時(shí)，根據(jù)所述壞塊對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中所記錄的物理地址，從所 述物理地址對(duì)應(yīng)的替代塊中讀:f又?jǐn)?shù)據(jù)。
7、 一種非線性閃存的壞塊管理裝置，其特征在于，包括區(qū)域劃分模塊、壞塊信息獲取模塊、替代塊選取模塊和替代塊操作模塊；其中，所述區(qū)域劃分模塊，用于將非線性閃存的存儲(chǔ)空間劃分為數(shù)據(jù)區(qū)和預(yù)留區(qū)； 所述壞塊信息獲取才莫塊，用于在對(duì)非線性閃存的數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鲿r(shí)，獲取所產(chǎn)生的壞塊信息；所述替代塊選取模塊，用于根據(jù)所述壞塊信息，在所述非線性閃存的預(yù)留區(qū)中選取與所述壞塊相對(duì)應(yīng)的可用的替代塊；所述替代塊操作模塊，用于對(duì)所選取的替代塊進(jìn)行所述數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鳌?br> 8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述非線性閃存的壞塊管理裝置，其特征在于，所述替 代塊選取模塊還包括替代塊選取子模塊，用于在所述預(yù)留區(qū)中選取當(dāng)前狀態(tài)為可用的替代塊； 物理地址記錄子模塊，用于將所選取的替代塊的物理地址記錄在所述壞塊 對(duì)應(yīng)的冗余區(qū)中。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述非線性閃存的壞塊管理裝置，其特征在于，所 述裝置還包括數(shù)據(jù)讀取模塊，用于在對(duì)所述壞塊進(jìn)行讀取操作時(shí)，根據(jù)所述壞塊對(duì)應(yīng)的 冗余區(qū)中所記錄的物理地址，從所述物理地址對(duì)應(yīng)的替代塊中讀取數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種非線性閃存(NandFlash)的壞塊管理方法，將非線性閃存的存儲(chǔ)空間劃分為數(shù)據(jù)區(qū)和預(yù)留區(qū)，該方法包括對(duì)NandFlash的數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鲿r(shí)，獲取所產(chǎn)生的壞塊信息；在NandFlash的預(yù)留區(qū)中選取與壞塊相對(duì)應(yīng)的可用的替代塊；對(duì)所選取的替代塊進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鳌１景l(fā)明還公開了一種NandFlash的壞塊管理裝置，由替代塊實(shí)現(xiàn)壞塊的擦除和寫入等操作，只需建立壞塊和替代塊的映射關(guān)系，對(duì)替代塊的查找速度快；替代操作不會(huì)影響其他正常塊；且本發(fā)明應(yīng)用于終端的固件升級(jí)中，避免了壞塊的產(chǎn)生對(duì)固件升級(jí)所造成的影響，提高了固件升級(jí)的效率。
文檔編號(hào)G06F12/06GK101593157SQ200810111330
公開日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2008年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月27日
發(fā)明者徐金祿, 段紅樂, 王志慧, 謝仁艿 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司