專利名稱：無線通訊方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無線通訊方法。尤其是，本發(fā)明涉及外部通訊裝置和
收發(fā)信號(hào)的半導(dǎo)體裝置，所謂的RFID (射頻識(shí)別)標(biāo)簽之間進(jìn)行的 無線通iK方法。
注意，此處的半導(dǎo)體裝置是指能夠通過利用半導(dǎo)體特性工作的所 有的裝置。
背景技術(shù)：
隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展和圖像識(shí)別技術(shù)的進(jìn)步，利用諸如條形碼 的介質(zhì)的信息識(shí)別已經(jīng)廣泛普及，并且用于識(shí)別產(chǎn)品數(shù)據(jù)等。人們預(yù) 料信息識(shí)別在未來將會(huì)增加。另一方面，利用條形碼的信息識(shí)別的不 利之處在于條形碼讀出器需要與條形碼接觸；以及記錄在條形碼中 的信息量不是很大。因此，需要無接觸式信息識(shí)別以及介質(zhì)的存儲(chǔ)容 量的增加。
根據(jù)上述需要，已經(jīng)開發(fā)了利用半導(dǎo)體特性的RFID標(biāo)簽(以下 稱作半導(dǎo)體裝置，并且還稱為ID芯片、IC標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、RF標(biāo)簽、 無線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽、轉(zhuǎn)發(fā)器等)、以及具有與半導(dǎo)體裝置進(jìn)行通訊 的功能的無線通訊裝置(以下稱作通訊裝置，并且還稱為讀寫器、讀 出/寫入器、控制器、詢問器等)。半導(dǎo)體裝置在半導(dǎo)體裝置內(nèi)的存儲(chǔ) 元件中存儲(chǔ)所必要的信息，并且由通訊裝置利用無接觸方法， 一般利 用無線信號(hào)讀取半導(dǎo)體裝置內(nèi)部的信息。通過實(shí)際應(yīng)用這種讀取存儲(chǔ) 在半導(dǎo)體裝置中的信息的無線通訊系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品流通等的簡(jiǎn)便 化和低成本化，并且可以保證高安全性。
近年來，能夠無接觸地收發(fā)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)已經(jīng)普及到需要自動(dòng)識(shí)別 的各種領(lǐng)域，例如產(chǎn)品的結(jié)賬等。安裝有這種半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品通過適合于當(dāng)收發(fā)數(shù)據(jù)時(shí)使用的頻帶的天線以無接觸方式從外部器具讀 取數(shù)據(jù)且向外部器具寫入數(shù)據(jù)。
進(jìn)行無線通訊的半導(dǎo)體裝置通過通訊裝置中具備防沖突功能(也 稱為沖突避免功能，或簡(jiǎn)單地稱為防沖突)來可以讀取來自多個(gè)半導(dǎo) 體裝置的信號(hào)，而不同于條形碼等二維信息的讀取。此外，進(jìn)行無線 通訊的半導(dǎo)體裝置即使在通訊裝置和半導(dǎo)體裝置之間存在有障礙物 的情況下，也可以收發(fā)無線信號(hào)，而不同于條形碼等二維信息的讀取。 在通訊裝置和半導(dǎo)體裝置之間存在有障礙物而導(dǎo)致不能收發(fā)無線信 號(hào)的情況下，通過設(shè)置用來收發(fā)無線信號(hào)的中繼器，來確保所希望的 半導(dǎo)體裝置的識(shí)別信息(例如參照專利文獻(xiàn)1 )。
專利文獻(xiàn)ll專利申請(qǐng)公開2001-24547號(hào)〃>報(bào)
在半導(dǎo)體裝置和通訊裝置之間存在有障礙物的情況下，從通訊裝 置發(fā)送到半導(dǎo)體裝置的無線信號(hào)(也稱為第一無線信號(hào))由于通訊裝 置連接到外部電源且能增大無線信號(hào)的強(qiáng)度，所以可以由半導(dǎo)體裝置 接收。然而，在半導(dǎo)體裝置和通訊裝置之間存在有障礙物的情況下， 從半導(dǎo)體裝置發(fā)送到通訊裝置的無線信號(hào)(也稱為第二無線信號(hào))由 于半導(dǎo)體裝置不連接到外部電源且難以增大無線信號(hào)的強(qiáng)度，所以不 能由通訊裝置接收。
此外，在利用上述專利文獻(xiàn)l所公開的中繼器來在通訊裝置和半 導(dǎo)體裝置之間確保第一無線信號(hào)和第二無線信號(hào)的通訊的方法中，必 須要預(yù)先確認(rèn)是否在通訊裝置和半導(dǎo)體裝置之間有障礙物，然后設(shè)置 中繼器。因此，必須要隨著障礙物的位置改變而改變中繼器的位置。 但是，改變中繼器的位置導(dǎo)致設(shè)置成本的增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種無線通訊方法，其中在能夠確保從通 訊裝置到半導(dǎo)體裝置的無線信號(hào)的通訊的情況下，即〗吏從半導(dǎo)體裝置 到通訊裝置的無線信號(hào)的通訊因外部因素如障礙物等而難以實(shí)現(xiàn)，也 可以確保無線信號(hào)的通訊而不使用中繼器。鑒于上述問題，本發(fā)明的特征之一在于一種無線通訊方法，在該 方法中，多個(gè)半導(dǎo)體裝置接收從通訊裝置發(fā)送的第一無線信號(hào)而從多 個(gè)半導(dǎo)體裝置到通訊裝置發(fā)送第二無線信號(hào)，其中，多個(gè)半導(dǎo)體裝置 根據(jù)從通訊裝置發(fā)送的笫一無線信號(hào)選擇性地轉(zhuǎn)換接收從通訊裝置 發(fā)送的第一無線信號(hào)的笫一狀態(tài)和接收從半導(dǎo)體裝置發(fā)送的第二無 線信號(hào)的第二狀態(tài)來工作。并且，處于第二狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置從處于 第一狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置接收第二無線信號(hào)，然后將具有通知接收了該 第二無線信號(hào)的檢測(cè)數(shù)據(jù)的第二無線信號(hào)發(fā)送到通訊裝置。
此外，本發(fā)明的特征之一在于一種無線通訊方法，在該方法中， 多個(gè)半導(dǎo)體裝置接收從通訊裝置發(fā)送的第一無線信號(hào)而從多個(gè)半導(dǎo)
體裝置到通訊裝置發(fā)送第二無線信號(hào)，其中，多個(gè)半導(dǎo)體裝置根據(jù)從 通訊裝置發(fā)送的第一無線信號(hào)選擇性地轉(zhuǎn)換接收從通訊裝置發(fā)送的 第一無線信號(hào)的第一狀態(tài)和接收從半導(dǎo)體裝置發(fā)送的第二無線信號(hào) 的第二狀態(tài)來工作。并且，處于第二狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置從處于第一狀 態(tài)的半導(dǎo)體裝置接收第二無線信號(hào)，然后將該第二無線信號(hào)的數(shù)據(jù)存
儲(chǔ)在處于第二狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置所具有的存儲(chǔ)元件中。其存儲(chǔ)元件中 存儲(chǔ)有來自處于第一狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置的數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體裝置通過接 收來自通訊裝置的第一無線信號(hào)來將數(shù)據(jù)作為第二無線信號(hào)發(fā)送到 通訊裝置。
根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，在從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線信號(hào)的通 訊因外部因素如障礙物等而難以實(shí)現(xiàn)的情況下，可以經(jīng)過另一個(gè)半導(dǎo)
體裝置來確保從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線信號(hào)的通訊。從而，可 以提供一種無線通訊方法，其中在能夠確保從通訊裝置到半導(dǎo)體裝置 的無線信號(hào)的通訊的情況下，即使從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線信 號(hào)的通訊因外部因素如障礙物等而難以實(shí)現(xiàn)，也可以確保無線信號(hào)的 通訊而不^^用中繼器。


圖l是說明實(shí)施方式l的無線通訊方法的圖；圖2A和2B是說明實(shí)施方式l的無線通訊方法的圖3A和3B是說明實(shí)施方式1的無線通訊方法的圖4A至4C是^L明實(shí)施方式1的無線通訊方法的圖5是說明實(shí)施方式1的無線通訊方法的流程圖6是說明實(shí)施方式1的無線通訊方法的流程圖7A至7C是說明實(shí)施方式l的無線通訊方法的圖8是說明實(shí)施方式2的無線通訊方法的流程圖9A至9C是說明實(shí)施方式2的無線通訊方法的圖10是表示實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的框圖11是表示實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置的使用例子的圖12表示實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的框圖13A至13D是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖14A和14B是表示實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖15A至15D是表示實(shí)施方式7的天線形狀的圖16A和16B是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖17A和17B是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖18A和18B是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖19是表示實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖20A至20C是表示實(shí)施方式5的SOI襯底的制造方法的圖21A和21B是表示實(shí)施方式5的SOI村底的制造方法的圖22A至22C是表示實(shí)施方式5的SOI襯底的制造方法的圖.
本發(fā)明的選擇圖為圖6。
具體實(shí)施例方式
下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以通過 多種不同的方式來實(shí)施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地
理解一個(gè)事實(shí)就是其方式和詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范 圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解
釋為僅限定在以下的本實(shí)施方式所記栽的內(nèi)容中。注意，在說明實(shí)施方式的所有的附圖中，相同部分或具有相同功能的部分由相同的附圖 標(biāo)記表示，并且從略其重復(fù)說明。 實(shí)施方式1
在本實(shí)施方式中，說明用來實(shí)現(xiàn)無線通訊方法的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、裝置 結(jié)構(gòu)、以及流程圖等。
圖l表示用來說明本實(shí)施方式中的無線通訊方法的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
圖1表示在從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線信號(hào)的通訊因外部 因素如障礙物等而難以實(shí)現(xiàn)的情況下的本實(shí)施方式的無線通訊方法
的結(jié)構(gòu)中最簡(jiǎn)單的模式。圖l是以二維方式表示通訊裝置101、半導(dǎo) 體裝置102、半導(dǎo)體裝置103、以及障礙物104的布置圖的示意圖。
在圖1中，為了方便說明而以二維方式表示通訊裝置101、半導(dǎo) 體裝置102、半導(dǎo)體裝置103、以及障礙物104的布置，但是實(shí)際上 它們以三維方式布置。此外，在圖1中，以半導(dǎo)體裝置102、半導(dǎo)體 裝置103為例說明本實(shí)施方式的多個(gè)半導(dǎo)體裝置，但是實(shí)際上也可以 進(jìn)行經(jīng)過更多半導(dǎo)體裝置的無線通訊。此外，在多個(gè)半導(dǎo)體裝置之間 沖突無線信號(hào)的情況下，通過通訊裝置控制每個(gè)半導(dǎo)體裝置的信號(hào)的 反應(yīng)/無反應(yīng)來進(jìn)行無線通訊即可。
注意，在本說明書中，接收和發(fā)送根據(jù)主體的通訊裝置或半導(dǎo)體 裝置而適當(dāng)?shù)乇憩F(xiàn)。因此，第一無線信號(hào)從通訊裝置IOI發(fā)送且由半 導(dǎo)體裝置102及半導(dǎo)體裝置103接收。此外，第二無線信號(hào)從半導(dǎo)體 裝置102及半導(dǎo)體裝置103發(fā)送且由通訊裝置101接收。此外，在通 訊裝置101與半導(dǎo)體裝置102及半導(dǎo)體裝置103之間的笫一無線信號(hào) 或第二無線信號(hào)的發(fā)送及接收總稱為第一無線信號(hào)的收發(fā)及笫二無 線信號(hào)的收發(fā)。
接下來，參照?qǐng)D2A至4C的存在陣礙物時(shí)的第一無線信號(hào)和第 二無線信號(hào)的收發(fā)的示意圖以及圖5和圖6的流程圖來說明本實(shí)施方 式的無線通訊方法。注意，在圖5及圖6的流程圖中，將通訊裝置101、 半導(dǎo)體裝置102、以及半導(dǎo)體裝置103分別表示為"R/W"、 "A"、以首先，從通訊裝置101對(duì)位于可檢測(cè)范圍內(nèi)的半導(dǎo)體裝置102 及半導(dǎo)體裝置103發(fā)送用來要求反應(yīng)的第一無線信號(hào)(圖2A、圖5 的步驟501)。注意，通過第一無線信號(hào)傳送第一指令(也稱為指令 1)的數(shù)據(jù)，該第一指令是用來向通訊裝置101發(fā)送存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝 置102及半導(dǎo)體裝置103的識(shí)別號(hào)碼，使得通訊裝置101進(jìn)行個(gè)體識(shí) 別的。并且，從通訊裝置101發(fā)送的具有第一指令的第一無線信號(hào)由 半導(dǎo)體裝置102接收(圖2A、圖5的步驟502)。此外，從通訊裝置 101發(fā)送的具有第一指令的第一無線信號(hào)經(jīng)過障礙物104由半導(dǎo)體裝 置103接收(圖2A、圖5的步驟503 )。
注意，在本實(shí)施方式中說明的存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置102及半導(dǎo)體裝 置103中的識(shí)別號(hào)碼不局限于識(shí)別號(hào)碼的數(shù)據(jù)，有時(shí)還包括重新寫入 到半導(dǎo)體裝置102及半導(dǎo)體裝置103中的存儲(chǔ)元件的另一個(gè)半導(dǎo)體裝 置的數(shù)據(jù)、組合在半導(dǎo)體裝置中的傳感器等的數(shù)據(jù)。因此，在本實(shí)施 方式中，總稱為存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置的數(shù)據(jù)。
接下來，半導(dǎo)體裝置102及半導(dǎo)體裝置103為了反應(yīng)第一指令， 分別將具有存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置102及半導(dǎo)體裝置103中的數(shù)據(jù)的第二 無線信號(hào)發(fā)送到通訊裝置101 (圖2B、圖5的步驟504、步驟505 )。 從半導(dǎo)體裝置102發(fā)送到通訊裝置101的第二無線信號(hào)由通訊裝置接 收(圖2B、圖5的步驟506)。另一方面，從半導(dǎo)體裝置103發(fā)送到 通訊裝置101的第二無線信號(hào)因障礙物104的存在而不由通訊裝置 101接收(圖2B、圖5的步驟507)。注意，不同于第一無線信號(hào)， 從半導(dǎo)體裝置103發(fā)送到通訊裝置101的第二無線信號(hào)因障礙物104 的存在而不由通訊裝置101接收的原因?yàn)槿缦氯缟纤瞿菢?，雖然 第 一無線信號(hào)由于通訊裝置連接到外部電源所以能增大無線信號(hào)的 強(qiáng)度，但是第二無線信號(hào)由于半導(dǎo)體裝置不連接到外部電源所以難以 增大無線信號(hào)的強(qiáng)度。
接下來，通訊裝置IOI發(fā)送第一無線信號(hào)，該第一無線信號(hào)是用 來對(duì)位于可檢測(cè)范圍內(nèi)的多個(gè)半導(dǎo)體裝置中的反應(yīng)了的半導(dǎo)體裝置 102選擇性地要求反應(yīng)的(圖3A、圖6的步驟601)。注意，通過圖6的步驟601的第一無線信號(hào)傳送第二指令(也稱為指令2 )的數(shù)據(jù)， 該第二指令用來選擇性地轉(zhuǎn)換被選擇的半導(dǎo)體裝置接收從通訊裝置 101發(fā)送的第一無線信號(hào)且對(duì)通訊裝置101反應(yīng)的第一狀態(tài)和被選擇 的半導(dǎo)體裝置接收從另一個(gè)半導(dǎo)體裝置發(fā)送的第二無線信號(hào)且對(duì)通 訊裝置101反應(yīng)的第二狀態(tài)。并且，從通訊裝置101發(fā)送的具有第二 指令的第一無線信號(hào)由半導(dǎo)體裝置102接收(圖3A、圖6的步驟602 )。 此外，從通訊裝置IOI發(fā)送的具有第二指令的第一無線信號(hào)經(jīng)過障礙 物104由半導(dǎo)體裝置103接收(圖3A、圖6的步驟603 )。
接下來，半導(dǎo)體裝置102通過接收具有第二指令的第一無線信 號(hào)，從接收通訊裝置101所發(fā)送的第一無線信號(hào)的笫一狀態(tài)轉(zhuǎn)換為可 以接收另一半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置103發(fā)送的第二無線信號(hào)的第二 狀態(tài)(圖6的步驟604)。并且，轉(zhuǎn)換為第二狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置102 將表示轉(zhuǎn)換為第二狀態(tài)的信號(hào)作為第二無線信號(hào)發(fā)送到通訊裝置101 (圖3B、圖6的步驟605 )。通訊裝置101接收來自半導(dǎo)體裝置102 的第二無線信號(hào)(圖6的步驟606),來確認(rèn)半導(dǎo)體裝置102處于可 以接收從另 一個(gè)半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置103發(fā)送的笫二無線信號(hào)的 第二狀態(tài)(圖6的步驟607)。另一方面，半導(dǎo)體裝置103雖然接收 具有笫二指令的第一無線信號(hào)，但是由于第二指令是用來選擇性地轉(zhuǎn) 換半導(dǎo)體裝置102的狀態(tài)的，所以不對(duì)通訊裝置101反應(yīng)(圖3B、 圖6的步驟608)。
注意，在本實(shí)施方式中，在多個(gè)半導(dǎo)體裝置的起始狀態(tài)都是第一 狀態(tài)的前提下進(jìn)行說明。起始狀態(tài)也可以是第二狀態(tài)，在此情況下， 通過第一無線信號(hào)從第二狀態(tài)轉(zhuǎn)換為第一狀態(tài)即可。
接下來，再次從通訊裝置101對(duì)半導(dǎo)體裝置102及半導(dǎo)體裝置 103發(fā)送具有第一指令的第一無線信號(hào)(圖4A、圖6的步驟609)。 從通訊裝置101發(fā)送的具有第一指令的第一無線信號(hào)由半導(dǎo)體裝置 102接收(圖4A、圖6的步驟610)。此外，從通訊裝置101發(fā)送的 具有笫一指令的第一無線信號(hào)經(jīng)過障礙物104由半導(dǎo)體裝置103接收 (圖4A、圖6的步驟611)。由于半導(dǎo)體裝置102在步驟604處轉(zhuǎn)換為第二狀態(tài)，所以雖然接收具有第一指令的第一無線信號(hào)，但是不對(duì)
通訊裝置101反應(yīng)(圖4B、圖6的步驟612)。另一方面，半導(dǎo)體裝 置103由于處于第一狀態(tài)，所以發(fā)送具有存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置103中的 識(shí)別號(hào)碼的數(shù)據(jù)的第二無線信號(hào)。但是，從半導(dǎo)體裝置103發(fā)送到通 訊裝置101的第二無線信號(hào)如上所述那樣因障礙物104而不由通訊裝 置101接收。因此，從半導(dǎo)體裝置103發(fā)送到通訊裝置101的第二無 線信號(hào)發(fā)送到位于第二無線信號(hào)能夠到達(dá)(收發(fā))的范圍且處于第二 狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置102 (圖4B、圖6的步驟613)。并且，處于第二 狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置102可以接收從半導(dǎo)體裝置103發(fā)送到通訊裝置 101的第二無線信號(hào)而與障礙物的位置沒有關(guān)系(圖4B、圖6的步驟 614)。半導(dǎo)體裝置102在接收第二無線信號(hào)之后，對(duì)通訊裝置101 發(fā)送具有用來通知在半導(dǎo)體裝置102附近是否存在相對(duì)于來自通訊裝 置101的第一無線信號(hào)不能發(fā)送第二無線信號(hào)的半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)數(shù) 據(jù)的第二無線信號(hào)(圖4C、圖6的步驟615 )。從半導(dǎo)體裝置102發(fā) 送的具有檢測(cè)數(shù)據(jù)的第二無線信號(hào)由通訊裝置101接收(圖4C、圖6 的步驟616)。
注意，處于第二狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置可以通過利用接收來自通訊裝 置101的第一無線信號(hào)而得到的電力將接收了的數(shù)據(jù)重疊于具有檢測(cè) 數(shù)據(jù)的第二無線信號(hào)且發(fā)送到通訊裝置。因此，處于第二狀態(tài)的半導(dǎo) 體裝置可以進(jìn)一步的確地進(jìn)行第二無線信號(hào)的收發(fā)。
以上說明了存在有障礙物時(shí)的第一無線信號(hào)及第二無線信號(hào)的 收發(fā)的示意圖、以及流程圖。接著，表示本實(shí)施方式的笫一無線信號(hào) 及第二無線信號(hào)經(jīng)過通訊裝置、第一無線信號(hào)及笫二無線信號(hào)的傳播 空間、半導(dǎo)體裝置、以及障礙物時(shí)的信號(hào)強(qiáng)度的變化的例子，并且詳 細(xì)地描述本實(shí)施方式的無線通訊方法的優(yōu)點(diǎn)。
圖7A表示通訊裝置101、半導(dǎo)體裝置102、半導(dǎo)體裝置103、障 礙物104、以及傳播空間700的位置關(guān)系。此外，圖7B表示在圖7A 所示的位置關(guān)系下通訊裝置101和半導(dǎo)體裝置103之間經(jīng)過陣礙物 104的無線信號(hào)的收發(fā)。此外，圖7C表示在圖7A所示的位置關(guān)系下通訊裝置101和半導(dǎo)體裝置103之間經(jīng)過半導(dǎo)體裝置102的無線信號(hào) 的收發(fā)。
在圖7B中，從通訊裝置101發(fā)送到半導(dǎo)體裝置103的第一無線 信號(hào)經(jīng)過傳播空間700、障礙物104、以及傳播空間700由半導(dǎo)體裝 置103接收。此時(shí)的信號(hào)強(qiáng)度在傳播空間700及障礙物104中降低。 注意，信號(hào)強(qiáng)度的降低程度大多起因于障礙物104。因此，從半導(dǎo)體 裝置103發(fā)送到通訊裝置101的第二無線信號(hào)再次經(jīng)過傳播空間700、 障礙物104、以及傳播空間700由通訊裝置101接收由于信號(hào)強(qiáng)度的 降低很顯著，所以難以實(shí)現(xiàn)。
另一方面，在說明本實(shí)施方式的無線通訊方法的圖7C中，從通 訊裝置101發(fā)送到半導(dǎo)體裝置103的第一無線信號(hào)與圖7B同樣地經(jīng) 過傳播空間700、障礙物104、以及傳播空間700由半導(dǎo)體裝置103 接收。此時(shí)的信號(hào)強(qiáng)度在傳播空間700及障礙物104中降低。注意， 信號(hào)強(qiáng)度的降低程度大多起因于障礙物104。但是，通過本實(shí)施方式 所示的無線通訊方法，從半導(dǎo)體裝置103發(fā)送到通訊裝置101的第二 無線信號(hào)可以經(jīng)過傳播空間700、半導(dǎo)體裝置102、以及傳播空間700 來傳播。經(jīng)過傳播空間700的情況的信號(hào)強(qiáng)度的降低程度比經(jīng)過障礙 物104的情況低。此外，通過經(jīng)過從通訊裝置IOI供應(yīng)充分電力的半 導(dǎo)體裝置102,通訊裝置101可以接收第二無線信號(hào)。并且，通訊裝 置101可以識(shí)別因障礙物104而難以收發(fā)無線信號(hào)的半導(dǎo)體裝置的存 在。
根據(jù)如上那樣的結(jié)構(gòu)，在從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線信號(hào)的 通訊因外部因素如障礙物等而難以實(shí)現(xiàn)的情況下，可以經(jīng)過另一個(gè)半 導(dǎo)體裝置來確保從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線信號(hào)的通訊。從而， 可以提供一種無線通訊方法，其中在能夠確保從通訊裝置到半導(dǎo)體裝 置的無線信號(hào)的通訊的情況下，即使從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線 信號(hào)的通訊因外部因素如陣礙物等而難以實(shí)現(xiàn)，也可以確保無線信號(hào) 的通訊而不使用中繼器。
本實(shí)施方式可以與本說明書中的其他實(shí)施方式的技術(shù)要素組合來實(shí)現(xiàn)。
實(shí)施方式2
上述實(shí)施方式1表示如下結(jié)構(gòu)通過根據(jù)從通訊裝置發(fā)送的第一 無線信號(hào)選擇性地轉(zhuǎn)換接收從通訊裝置發(fā)送的第一無線信號(hào)且對(duì)通 訊裝置反應(yīng)的第一狀態(tài)和接收從半導(dǎo)體裝置發(fā)送的第二無線信號(hào)且 對(duì)通訊裝置反應(yīng)的第二狀態(tài)來工作，將來自因障礙物而不能發(fā)送第二 無線信號(hào)的半導(dǎo)體裝置的第二無線信號(hào)經(jīng)過另一個(gè)半導(dǎo)體裝置發(fā)送 到通訊裝置。在本實(shí)施方式中，說明如下結(jié)構(gòu)將來自因障礙物而不 能發(fā)送第二無線信號(hào)的半導(dǎo)體裝置的第二無線信號(hào)暫且存儲(chǔ)在另一 個(gè)半導(dǎo)體裝置內(nèi)的存儲(chǔ)元件中，根據(jù)來自通訊裝置的笫一無線信號(hào)， 由通訊裝置讀出存儲(chǔ)元件中的數(shù)據(jù)。在本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式l 同樣，參照第一無線信號(hào)及第二無線信號(hào)的收發(fā)的示意圖、以及流程 圖來說明。注意，在本實(shí)施方式中，第一無線信號(hào)及第二無線信號(hào)的 收發(fā)的示意圖、以及流程圖的一部分與實(shí)施方式l相同，根據(jù)需要， 參照上述實(shí)施方式1所示的附圖來說明。注意，在圖8的流程圖中， 與圖5及圖6的流程圖同樣，將通訊裝置IOI、半導(dǎo)體裝置102、以 及半導(dǎo)體裝置103分別表示為"R/W"、 "A"、以及"B"。
注意，本實(shí)施方式中的無線通訊方法的結(jié)構(gòu)可以與上述實(shí)施方式 1的步驟614(圖6、圖4B)相同，因此參照上述說明。在步驟614 中處于笫二狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置102 可以接收笫二無線信號(hào)而與障礙物 的位置沒有關(guān)系，并且將存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置103中的識(shí)別號(hào)碼的數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置102內(nèi)的存儲(chǔ)元件中(圖9A、圖8的步驟801)。 半導(dǎo)體裝置102在接收第二無線信號(hào)之后，對(duì)通訊裝置101發(fā)送具有 用來通知存儲(chǔ)相對(duì)于來自通訊裝置101的第一無線信號(hào)不能發(fā)送第二 無線信號(hào)的半導(dǎo)體裝置103的識(shí)別號(hào)碼的數(shù)據(jù)的檢測(cè)數(shù)據(jù)的笫二無線 信號(hào)(圖9A、圖8的步驟802 )。從半導(dǎo)體裝置102發(fā)送的具有檢測(cè) 數(shù)據(jù)的第二無線信號(hào)由通訊裝置IOI接收(圖9A、圖8的步驟803)。 通訊裝置101確認(rèn)半導(dǎo)體裝置102根據(jù)來自另 一個(gè)半導(dǎo)體裝置的第二 無線信號(hào)在其內(nèi)部的存儲(chǔ)元件中存儲(chǔ)識(shí)別號(hào)碼(圖8的步驟804)。注意，本實(shí)施方式的處于第二狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置102將通過第二 無線信號(hào)接收的存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置103中的識(shí)別號(hào)碼的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在半 導(dǎo)體裝置102內(nèi)的存儲(chǔ)元件中。半導(dǎo)體裝置103的識(shí)別號(hào)碼的數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置102內(nèi)的存儲(chǔ)元件中通過半導(dǎo)體裝置102接收來自通 訊裝置的第一無線信號(hào)而得到的電力來實(shí)現(xiàn)。
注意，在本實(shí)施方式中說明的存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置102及半導(dǎo)體裝 置103中的識(shí)別號(hào)碼，如上述實(shí)施方式1所示那樣，不局限于識(shí)別號(hào) 碼的數(shù)據(jù)，有時(shí)還包括重新寫入到半導(dǎo)體裝置102及半導(dǎo)體裝置103 中的存儲(chǔ)元件的另一個(gè)半導(dǎo)體裝置的數(shù)據(jù)、組合在半導(dǎo)體裝置中的傳 感器等的數(shù)據(jù)。因此，在本實(shí)施方式中，總稱為存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置的 數(shù)據(jù)。
接下來，通訊裝置101發(fā)送用來對(duì)通過來自另一個(gè)半導(dǎo)體裝置， 即本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置103的第二無線信號(hào)在其存儲(chǔ)元件中存儲(chǔ) 有識(shí)別號(hào)碼的半導(dǎo)體裝置102選擇性地要求反應(yīng)的第一無線信號(hào)(圖 9B、圖8的步驟805)。注意，圖8的步驟805的第一無線信號(hào)傳送 第三指令(也稱為指令3),該第三指令用來從在圖8的步驟801中 其存儲(chǔ)元件中存儲(chǔ)有通過來自另一個(gè)半導(dǎo)體裝置，即本實(shí)施方式的半 導(dǎo)體裝置103的第二無線信號(hào)而輸入的識(shí)別號(hào)碼的半導(dǎo)體裝置102讀 取該存儲(chǔ)有的識(shí)別號(hào)碼。并且，從通訊裝置101發(fā)送的具有第三指令 的第一無線信號(hào)由半導(dǎo)體裝置102接收(圖9B、圖8的步驟806)。 此外，從通訊裝置IOI發(fā)送的具有第三指令的第一無線信號(hào)經(jīng)過障礙 物104由半導(dǎo)體裝置103接收(圖9B、圖8的步驟807)。
接著，半導(dǎo)體裝置102通過接收具有笫三指令的笫一無線信號(hào)， 將存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置102的存儲(chǔ)元件中的另 一個(gè)半導(dǎo)體裝置的識(shí)別號(hào) 碼，即本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置103的識(shí)別號(hào)碼作為第二無線信號(hào)發(fā) 送到通訊裝置101 (圖9C、圖8的步驟808).另一方面，半導(dǎo)體裝 置103雖然接收具有第三指令的第一無線信號(hào)，但是由于笫三指令是 用來確認(rèn)半導(dǎo)體裝置102的狀態(tài)而選擇性地收發(fā)無線信號(hào)的，所以不 對(duì)通訊裝置101反應(yīng)(圖9C、圖8的步驟809 )。從半導(dǎo)體裝置102發(fā)送的具有半導(dǎo)體裝置103的識(shí)別號(hào)碼的第二無線信號(hào)由通訊裝置 101接收(圖9C、圖8的步驟810 )。
根據(jù)如上那樣的結(jié)構(gòu)，在從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線信號(hào)的 通訊因外部因素如障礙物等而難以實(shí)現(xiàn)的情況下，可以經(jīng)過另一個(gè)半 導(dǎo)體裝置來確保從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線信號(hào)的通訊。從而， 可以提供一種無線通訊方法，其中在能夠確保從通訊裝置到半導(dǎo)體裝 置的無線信號(hào)的通訊的情況下，即使從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線 信號(hào)的通訊因外部因素如障礙物等而難以實(shí)現(xiàn)，也可以確保無線信號(hào) 的通訊而不使用中繼器。尤其是，根據(jù)本實(shí)施方式所示的無線通訊方 法的結(jié)構(gòu)，因障礙物等而難以發(fā)送無線信號(hào)的半導(dǎo)體裝置的識(shí)別號(hào)碼 暫且存儲(chǔ)在可以與通訊裝置收發(fā)的半導(dǎo)體裝置，來可以與通訊裝置收 發(fā)。
本實(shí)施方式可以與本說明書中的其他實(shí)施方式的技術(shù)要素組合 來實(shí)現(xiàn)。
實(shí)施方式3
在本實(shí)施方式中，說明上述實(shí)施方式1及實(shí)施方式2所示的無線 通訊方法中的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D10說明上述實(shí)施方式1及實(shí)施方式2所示的無線通訊方 法中的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。圖10是半導(dǎo)體裝置內(nèi)的框圖。半導(dǎo)體裝 置900具有天線902和半導(dǎo)體集成電路卯1。并且，半導(dǎo)體集成電路 901包括收發(fā)電路903、電源電路卯4、控制電路905、以及存儲(chǔ)元件 906。
接下來，參照?qǐng)D10及圖12說明半導(dǎo)體裝置的工作。如圖12所 示，從通過通訊裝置920連接到控制用終端922的天線單元921發(fā)送 調(diào)制栽波的信號(hào)(笫一無線信號(hào))。在此，無線信號(hào)包含從通訊裝置 920對(duì)半導(dǎo)體裝置卯0的指令.
在圖10中，半導(dǎo)體裝置900所具有的天線卯2接收該第一無線 信號(hào)。并且，被接收的該第一無線信號(hào)通過連接到天線卯2的收發(fā)電 路903發(fā)送到每個(gè)電路塊。收發(fā)電路903與電源電路卯4、控制電路905、以及存儲(chǔ)元件906連接。
由收發(fā)電路903的整流功能生成第一高電源電位(VDD1)，而 由電源電路904生成第二高電源電位(VDD2)。在本實(shí)施方式中， 生成了的兩種高電源電位中的第二高電源電位VDD2供應(yīng)到半導(dǎo)體集 成電路901的每個(gè)電路塊。注意，在本實(shí)施方式中，低電源電位(VSS) 是共同的。在圖10中，電源電路卯4由恒壓電路構(gòu)成。
簡(jiǎn)單地說明收發(fā)電路903的整流功能和電源電路904的工作。例 如，考慮到收發(fā)電路卯3的整流功能由一個(gè)整流電路構(gòu)成且電源電路 904由恒壓電路構(gòu)成的情況。在此，作為發(fā)揮整流功能的整流電路， 可以使用二極管及電容元件。經(jīng)過天線902發(fā)送到收發(fā)電路903的無 線信號(hào)輸入到整流電路并整流。并且，該無線信號(hào)由整流電路的電容 元件平滑化，而生成第一高電源電位(VDD1)。生成了的VDD1經(jīng) 過恒壓電路來變成輸入以下的穩(wěn)定電位(第二高電源電位、VDD2)。 恒壓電路的輸出電壓的VDD2作為電源供應(yīng)到每個(gè)電路塊。注意，也 可以將生成了的VDD1作為電源供應(yīng)到每個(gè)電路塊，并且將VDD1及 VDD2的雙方供應(yīng)到每個(gè)電路塊。優(yōu)選根據(jù)每個(gè)電路塊的工作條件及 用途分別使用VDD1和VDD2的供應(yīng)。
在圖IO所示的半導(dǎo)體裝置中，恒壓電路具有將直流電壓保持為 幾乎一定的功能，只要是通過電壓、電流、或雙方將直流電壓保持為 幾乎一定的電路，就可以為任何電路。
由收發(fā)電路903的解調(diào)功能生成解調(diào)信號(hào)909。生成了的解調(diào)信 號(hào)909供應(yīng)到每個(gè)電路塊。收發(fā)電路903和控制電路905連接，并且 由收發(fā)電路903生成的解調(diào)信號(hào)卯9供應(yīng)到控制電路905。
控制電路卯5具有復(fù)位電路。在復(fù)位電路中生成復(fù)位信號(hào)。復(fù)位 信號(hào)是進(jìn)行半導(dǎo)體裝置900的起始化的信號(hào)。
此外，控制電路905具有時(shí)鐘生成電路。在時(shí)鐘生成電路中，根 據(jù)經(jīng)過收發(fā)電路903發(fā)送來的解調(diào)信號(hào)卯9生成基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)。在時(shí) 鐘生成電路中生成的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)用于控制電路內(nèi)的電路。
而且，控制電路905從經(jīng)過收發(fā)電路卯3發(fā)送來的解調(diào)信號(hào)卯9中提取從所述通訊裝置920發(fā)送到半導(dǎo)體裝置900的指令，并辨認(rèn)所 發(fā)送的是何種指令。此外，控制電路905還用于控制存儲(chǔ)元件906。
像這樣，控制電路905辨認(rèn)從通訊裝置920所發(fā)送的是何種指令， 且根據(jù)被辨認(rèn)的指令使存儲(chǔ)元件卯6工作。然后，控制電路905使存 儲(chǔ)元件906輸出包含存儲(chǔ)在存儲(chǔ)元件906中的數(shù)據(jù)的信號(hào)、或包含被 寫入的識(shí)別號(hào)碼等的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的信號(hào)。或者，控制電路905使存儲(chǔ)元 件906存儲(chǔ)從通訊裝置920發(fā)送來的信息。
在此存儲(chǔ)元件906可以使用DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、 SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、FeRAM (鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、 掩模ROM(只讀存儲(chǔ)器)、EPROM(電可編程只讀存儲(chǔ)器)、EEPROM (電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)、閃存。
再者，控制電路905還將包括存儲(chǔ)或?qū)懭氲酱鎯?chǔ)元件906中的識(shí) 別號(hào)碼等的固有數(shù)據(jù)的信號(hào)轉(zhuǎn)換為以按照ISO等的規(guī)格的編碼方式 被編碼的信號(hào)。并且，根據(jù)被編碼的信號(hào)910，收發(fā)電路903對(duì)發(fā)送 到天線902的信號(hào)進(jìn)行調(diào)制。
被調(diào)制的信號(hào)由連接到通訊裝置920的天線單元921接收。然后， 被接收的信號(hào)由通訊裝置920分析，從而可以識(shí)別半導(dǎo)體裝置900的 識(shí)別號(hào)碼等的固有數(shù)據(jù)。
在本實(shí)施方式中表示通過調(diào)制載波來進(jìn)行半導(dǎo)體裝置900和通 訊裝置920之間的通訊的例子。注意，根據(jù)規(guī)格存在有各種各樣的載 波，如125kHz、 13.56MHz、 950MHz等。此外，作為調(diào)制方式，根 據(jù)規(guī)格存在有各種各樣的方式，如振幅調(diào)制、頻率調(diào)制、相位調(diào)制等。 但是，只要是適合于規(guī)格的調(diào)制方式就可以使用任何方式。
信號(hào)的傳送方式可以根據(jù)載波的波長(zhǎng)來被分類為電磁耦合方式、 電磁感應(yīng)方式、微波方式等各種各樣的種類。注意，在長(zhǎng)距離之間進(jìn) 行半導(dǎo)體裝置和通訊裝置之間的無線信號(hào)的收發(fā)的情況下，優(yōu)選選擇 微波方式，
在本實(shí)施方式中，連接的意思與電連接相同。因此，可以在電路 之間布置有其他元件等。本實(shí)施方式可以與本說明書中的其他實(shí)施方式的技術(shù)要素組合 來實(shí)現(xiàn)。
實(shí)施方式4
在本實(shí)施方式中，說明使用形成在絕緣襯底上的半導(dǎo)體膜制作晶 體管來制造半導(dǎo)體裝置的方式。
在襯底1601的一個(gè)表面上形成剝離層1602，接著形成用作基底 的絕緣膜1603和非晶半導(dǎo)體膜(例如包含非晶硅的膜)1604(圖13A )。 剝離層1602、絕緣膜1603、以及非晶半導(dǎo)體膜1604可以連續(xù)地形成。 通過連續(xù)地形成這些膜，由于不暴露于大氣，所以可以防止雜質(zhì)的侵 入《
作為襯底1601，可以使用玻璃襯底、石英襯底、金屬襯底、不 銹鋼村底、具有能夠承受本工序的處理溫度的耐熱性的塑料襯底等， 對(duì)上述村底的面積和形狀沒有大的限制，因此，例如當(dāng)使用一個(gè)邊長(zhǎng) 為lm以上的矩形襯底時(shí)，可以格外提高生產(chǎn)率。這種優(yōu)點(diǎn)，與使用 圓形硅襯底的情況相比，是很大的優(yōu)越點(diǎn)。因此，在將集成電路部和 天線形成得比硅襯底大的情況下，也可以實(shí)現(xiàn)低成本化。
注意，在本工序中，在襯底1601的整個(gè)表面上提供剝離層1602， 然而根據(jù)需要，還可以在襯底1601的整個(gè)表面上提供剝離層之后， 通過光刻法選擇性地提供剝離層1602。此外，這里以與襯底1601接 觸的方式形成剝離層1602，然而根據(jù)需要，還可以以與襯底1601接 觸的方式形成絕緣膜如氧化硅(SiOx)膜、氧氮化硅(SiOxNy) (x>y) 膜、氮化硅(SiNx)膜、氮氧化硅(SiNxOy) (x")膜等，然后以 與該絕緣膜接觸的方式形成剝離層1602。
剝離層1602可以采用金屬膜以及金屬膜和金屬氧化膜的疊層結(jié) 構(gòu)等。作為金屬膜，可以使用由選自鴒(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、 鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn )、 釕(Ru)、銠(Rh)、鉈(Pd)、鋨(Os)、以及銥(Ir)中的元 素、以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料構(gòu)成的膜的單層 或疊層。此外，這些材料可以使用賊射法或等離子體CVD法等各種CVD法等形成。作為金屬膜和金屬氧化膜的疊層結(jié)構(gòu)，通過在形成上 述的金屬膜之后，在氧氣氣氛下或在N20氣氛下進(jìn)行等離子體處理并 且在氧氣氣氛下或在N20氣氛下進(jìn)行加熱處理，可以在金屬膜的表面 上提供該金屬膜的氧化物或氧氮化物。此外，還可以在形成金屬膜之 后，使用氧化能力強(qiáng)的溶液如臭氧水等處理其表面，來在金屬膜的表 面上提供該金屬膜的氧化物或氧氮化物。
作為絕緣膜1603，通過濺射法或等離子體CVD法等以單層或疊 層形成包含硅的氧化物或硅的氮化物的膜。在成為基底的絕緣膜具有 兩層結(jié)構(gòu)的情況下，例如可以形成氮氧化硅膜作為第一層，并且形成 氧氮化硅膜作為笫二層。在成為基底的絕緣膜具有三層結(jié)構(gòu)的情況 下，氧化硅膜、氮氧化硅膜、以及氧氮化硅膜可以分別形成為第一層 絕緣膜、第二層絕緣膜、以及第三層絕緣膜?？蛇x地，氧氮化硅膜、 氮氧化硅膜、以及氧氮化硅膜可以分別形成為第一層絕緣膜、第二層 絕緣膜、以及第三層絕緣膜。成為基底的絕緣膜用作阻擋膜，該阻擋 膜防止來自襯底1601的雜質(zhì)的侵入。
半導(dǎo)體膜1604通過濺射法、LPCVD法、等離子體CVD法等形 成為25nm至200nm (優(yōu)選為30nm至150nm )的厚度。作為半導(dǎo)體 膜1604,例如可以形成非晶硅膜。
接下來，通過使用激光束照射非晶半導(dǎo)體膜1604來進(jìn)行晶化。 注意，也可以通過組合激光束的照射與利用RTA或退火爐的熱晶化 法、或者利用促進(jìn)晶化的金屬元素的熱晶化法的方法等進(jìn)行非晶半導(dǎo) 體膜1604的晶化。然后，將得到的結(jié)晶半導(dǎo)體膜蝕刻為所希望的形 狀來形成半導(dǎo)體膜1604a至1604d，并且以覆蓋該半導(dǎo)體膜1604a至 1604d的方式形成柵極絕緣膜1605 (圖13B )。
在下文中，簡(jiǎn)單地描迷半導(dǎo)體膜1604a至1604d的制造工序的一 例。首先，通過等離子體CVD法形成50nm至60nm厚的非晶半導(dǎo)體 膜(例如非晶硅膜)。接下來，將包含作為促進(jìn)晶化的金屬元素的鎳 的溶液保持在非晶半導(dǎo)體膜上，然后對(duì)非晶半導(dǎo)體膜進(jìn)行脫氫處理 (在500。C, 一個(gè)小時(shí))和熱晶化處理(在550。C，四個(gè)小時(shí))，以形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜。之后，從激光振蕩器照射激光束，并且使用光刻
法，來形成半導(dǎo)體膜1604a至1604d。注意，也可以僅進(jìn)行激光束的 照射而不進(jìn)行利用促進(jìn)晶化的金屬元素的熱晶化法，來進(jìn)行非晶半導(dǎo) 體膜的晶化。
作為激光振蕩器，可以使用連續(xù)振蕩型的激光束(CW激光束) 或脈沖振蕩型的激光束(脈沖激光束)。在此可以使用從選自如下激 光器的一種或多種中振蕩出來的激光束氣體激光器如Ar激光器、 Kr激光器、受激準(zhǔn)分子激光器等；以將Nd、 Yb、 Cr、 Ti、 Ho、 Er、 Tm和Ta中的一種或多種作為摻雜劑添加的單晶的YAG、 YV04、鎂 橄欖石(Mg2Si04) 、 YA103、 GdV04、或者多晶(陶瓷)的YAG、 Y203、 YV04、 YA103、 GdV04作為介質(zhì)的激光器；玻璃激光器；紅 寶石激光器；變石激光器；Ti:藍(lán)寶石激光器；銅蒸汽激光器；以及金 蒸汽激光器。通過照射上述激光束的基波以及該基波的第二至第四高 次諧波的激光束，可以得到粒徑大的結(jié)晶。例如，可以使用Nd:YV04 激光器(基波為1064nm)的第二高次諧波(532nm )或第三高次諧 波(355nm)。此時(shí)，激光的功率密度必需大約為0.01 MW/cm2至 100MW/cm2 (優(yōu)選為0.1 MW/cm2i 10MW/cm2)。并且，以掃描速 度大約為10cm/sec至2000cm/sec照射。注意，以將Nd、 Yb、 Cr、 Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一種或多種作為摻雜劑添加的單晶的YAG、 YV04、鎂橄欖石(Mg2Si04) 、 YA103、 GdV04、或者多晶(陶乾) 的YAG、 Y203、 YV04、 YA103、 GdV04作為介質(zhì)的激光器；Ar離 子激光器；以及Ti:藍(lán)寶石激光器都可以使激光束連續(xù)振蕩，也可以 通過進(jìn)行Q開關(guān)工作或鎖模等來以10MHz以上的振蕩頻率使激光束 脈沖振蕩。當(dāng)以10MHz以上的振蕩頻率使激光束振蕩時(shí)，在半導(dǎo)體 膜被激光熔融直到固化的期間中，下一個(gè)脈沖被照射到半導(dǎo)體膜。因 此，與使用低振蕩頻率的脈沖激光器的情況不同，由于可以在半導(dǎo)體 膜中連續(xù)移動(dòng)固體和液體的界面，所以可以得到向掃描方向連續(xù)成長(zhǎng) 的晶粒。
接下來，形成覆蓋半導(dǎo)體膜1604a至1604d的柵極絕緣膜1605。作為柵極絕緣膜1605,通過CVD法或'減射法等以單層或疊層形成包 含硅的氧化物或硅的氮化物的膜。具體而言，以單層或疊層形成氧化 硅膜、氧氮化硅膜、或者氮氧化硅膜。
此外，柵極絕緣膜1605還可以通過對(duì)半導(dǎo)體膜1604a至1604d 進(jìn)行高密度等離子體處理，使其表面氧化或氮化來形成。例如，通過 引入了稀有氣體如He、 Ar、 Kr、 Xe等與氧、氧化氮(N02)、氨、 氮、氫等的混合氣體的等離子體處理形成。通過微波的引入進(jìn)行在此 情況下的等離子體的激發(fā)，可以生成具有低電子溫度和高密度的等離 子體。由通過該高密度等離子體生成的氧基(有時(shí)包括OH基)或氮 基(有時(shí)包括NH基)，可以使半導(dǎo)體膜的表面氧化或氮化。
通過如上所述的使用高密度等離子體的處理，lnm至20nm厚、 典型為5nm至10nm厚的絕緣膜被形成在半導(dǎo)體膜上。由于在此情況 下的反應(yīng)為固相反應(yīng)，所以可以使所述絕緣膜和半導(dǎo)體膜的界面態(tài)密 度極低。這種高密度等離子體處理由于使半導(dǎo)體膜(結(jié)晶硅或多晶硅) 直接氧化(或氮化)，所以可以使被形成的絕緣膜的厚度的不均勻性 極為小。加上，即使在結(jié)晶硅的晶粒界面也不會(huì)加強(qiáng)氧化，所以成為 很優(yōu)選的狀態(tài)。即，通過這里所示的高密度等離子體處理使半導(dǎo)體膜 的表面固相氧化，可以形成均勻性好且界面態(tài)密度低的絕緣膜，而不 導(dǎo)致在晶粒界面的異常氧化反應(yīng)。
柵極絕緣膜1605可以僅僅使用通過高密度等離子體處理形成的 絕緣膜，還可以通過利用等離子體或熱反應(yīng)的CVD法淀積氧化硅、 氧氛化硅、氮化硅等的絕緣膜來層疊。在任何情況下，其柵極絕緣膜 的一部分或所有部分包括通過高密度等離子體形成的絕緣膜而形成 的晶體管也可以減小其特性的不均勻性。
此外，通過對(duì)半導(dǎo)體膜照射連續(xù)振蕩激光束或以lOMHz以上的 頻率振蕩的激光束并使它向一個(gè)方向掃描而進(jìn)行晶化來得到的半導(dǎo) 體膜1604a至160,4d具有結(jié)晶向激光束的掃描方向成長(zhǎng)的特性。通過 將其掃描方向?qū)?yīng)于溝道長(zhǎng)度方向(當(dāng)形成溝道形成區(qū)域時(shí)載流子所 流過的方向)地布置晶體管，并且組合上述柵極絕緣膜，可以得到一種特性不均勻性小且場(chǎng)效應(yīng)遷移率大的薄膜晶體管(TFT)。
接下來，在柵極絕緣膜1605上層疊形成笫一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電 膜。這里，通過等離子體CVD法或'減射法等以20nm至100nm的厚 度形成第一導(dǎo)電膜，并且以100nm至400nm的厚度形成第二導(dǎo)電膜。 第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜由選自鉭(Ta)、鵠(W)、鈦(Ti)、鉬 (Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈮(Nb)等中的元素、 以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料形成?？蛇x擇地，第
一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜由以摻雜磷等的雜質(zhì)元素的多晶硅為典型的 半導(dǎo)體材料形成。作為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的組合的實(shí)例，可以
給出氮化鉭膜和鵠膜、氮化鴒膜和鴒膜、以及氮化鉬膜和鉬膜等。由 于鎢和氮化鉭具有高耐熱性，可以在形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜之 后進(jìn)行目的為熱激活的加熱處理。此外，在不是兩層結(jié)構(gòu)而是三層結(jié) 構(gòu)的情形中，優(yōu)選采用由鉬膜、鋁膜、以及鉬膜組成的疊層結(jié)構(gòu)。
接下來，通過光刻法形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，并且進(jìn)行用于形 成柵電極和柵極布線的蝕刻處理，來在半導(dǎo)體膜1604a至1604d上方 形成柵電極1607。
接下來，通過光刻法形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，然后，通過離子 摻雜法或離子注入法以低濃度將賦予n型的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體膜 1604a至1604d中。使用屬于元素周期表第15族的元素作為賦予n 型的雜質(zhì)元素即可，例如，使用磷(P)或砷(As)。
接下來，以覆蓋柵極絕緣膜1605和柵電極1607的方式形成絕緣 膜。作為該絕緣膜，通過等離子體CVD法或?yàn)R射法等以單層或疊層 形成含有無機(jī)材料如硅、硅的氧化物或硅的氮化物的膜、或者含有有 機(jī)材料如有機(jī)樹脂等的膜。接下來，通過主要沿著垂直方向的各向異 性蝕刻選擇性地蝕刻絕緣膜，形成與柵電極1607的側(cè)面接觸的絕緣 膜1608 (也稱為側(cè)壁)。絕緣膜1608用作當(dāng)后面形成LDD (輕摻雜 漏)區(qū)域時(shí)的摻雜用掩模。
接下來，使用通過光刻法形成的由抗蝕劑構(gòu)成的掩模、柵電極 1607、以及絕緣膜1608作為掩模，將賦予n型的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體膜1604a至1604d中來形成溝道形成區(qū)域1606a、第一雜質(zhì)區(qū)域 1606b、以及第二雜質(zhì)區(qū)域1606c (圖13C)。第一雜質(zhì)區(qū)域1606b用 作薄膜晶體管的源區(qū)或漏區(qū)，而第二雜質(zhì)區(qū)域1606c用作LDD區(qū)。 第二雜質(zhì)區(qū)域1606c所包含的雜質(zhì)元素的濃度低于第一雜質(zhì)區(qū)域 1606b所包含的雜質(zhì)元素的濃度。
接下來，以覆蓋柵電極1607和絕緣膜1608等的方式形成單層或 疊層的絕緣膜，并且在該絕緣膜上形成用作薄膜晶體管的源電極或漏 電極的導(dǎo)電膜1631。結(jié)果，可以得到薄膜晶體管1630a至1630d (圖 13D)。
絕緣膜通過CVD法、濺射法、SOG法、液滴噴射法、絲網(wǎng)印刷 法等由無機(jī)材料如硅的氧化物和硅的氮化物等；有機(jī)材料如聚酰亞 胺、聚酰胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、丙烯、環(huán)氧等；或硅氧烷材料等 以單層或疊層形成。這里表示絕緣膜為兩層結(jié)構(gòu)的例子，例如可以形 成氮氧化硅膜作為第一層絕緣膜1609，并且形成氧氮化硅膜作為第二 層絕緣膜1610。
要注意的是，在形成絕緣膜1609和1610之前或在形成絕緣膜 1609和1610中的一個(gè)或兩個(gè)之后，優(yōu)選進(jìn)行目的在于恢復(fù)半導(dǎo)體膜 1604a至1604d的結(jié)晶性、激活已加入到半導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)元素或氬 化半導(dǎo)體膜的加熱處理。對(duì)于加熱處理，優(yōu)選采用熱退火法、激光退 火法或RTA法等。
導(dǎo)電膜1631通過光刻法蝕刻絕緣膜1609和1610等，以形成露 出第一雜質(zhì)區(qū)域1606b的接觸孔，隨后，以填充接觸孔的方式形成導(dǎo) 電膜，并且選擇性地蝕刻該導(dǎo)電膜來形成。注意，也可以在形成導(dǎo)電 膜之前在接觸孔中被露出了的半導(dǎo)體膜1604a至1604d的表面上形成 硅化物。
此外，導(dǎo)電膜1631通過CVD法或?yàn)R射法等使用選自鋁(Al)、 鵠(W)、鈥(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉤(Pt)、 銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、 硅(SO中的元素、以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料以單層或疊層形成。以鋁為主要成分的合金材料，例如相當(dāng)于其主要 成分是鋁且含鎳的材料、或者主要成分是鋁且含鎳以及碳和硅中之一
或二者的合金材料。作為導(dǎo)電膜1631，例如優(yōu)選采用阻擋膜、鋁-硅 (Al-Si)膜和阻擋膜的疊層結(jié)構(gòu)、或者阻擋膜、鋁-硅(Al-Si)膜、 氮化鈦膜和阻擋膜的疊層結(jié)構(gòu)。要注意的是，阻擋膜相當(dāng)于由鈦、鈦 的氮化物、鉬、或鉬的氮化物構(gòu)成的薄膜。由于鋁和鋁硅的電阻低而 且價(jià)廉，所以是形成導(dǎo)電膜1631的最佳材料。另外，當(dāng)提供上和下 阻擋層時(shí)可以防止產(chǎn)生鋁或鋁硅的小丘。此外，當(dāng)由還原性高的元素 的鈦形成阻擋膜時(shí)，即使在結(jié)晶半導(dǎo)體膜上形成有薄的自然氧化膜， 也可以還原該自然氧化膜而獲得與結(jié)晶半導(dǎo)體膜的更好接觸。
接下來，以覆蓋導(dǎo)電膜1631的方式形成絕緣膜1611 (圖16A )。 絕緣膜1611通過CVD法、濺射法、SOG法、液滴噴射法、或絲網(wǎng) 印刷法等由無機(jī)材料或有機(jī)材料以單層或疊層形成。此外，絕緣膜 1611優(yōu)選以0.75jim至3jxm的厚度形成。
接下來，在絕緣膜1611的表面上選擇性地形成用作天線的導(dǎo)電 膜1612 (圖16B)。
導(dǎo)電膜1612通過光刻法蝕刻絕緣膜1611,以形成露出導(dǎo)電膜 1631的接觸孔，然后以填充接觸孔的方式形成導(dǎo)電膜，并且選擇性地 蝕刻該導(dǎo)電膜來形成。
此外，導(dǎo)電膜1612通過CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷 或凹版印刷等、鍍處理等由導(dǎo)電材料形成即可，作為導(dǎo)電材料，使用 選自鋁(A1)、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鉑(Pt)、 鎳(Ni)、釔(Pd)、鉭(Ta)和鉬(Mo)中的元素、以這些元素 為主要成分的合金材料或化合物材料，以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成導(dǎo) 電膜1612。
例如，在使用絲網(wǎng)印刷法形成用作天線的導(dǎo)電膜1612的情況下， 可以通過選擇性地印刷如下導(dǎo)電骨來形成用作天線的導(dǎo)電膜1612， 即，在該導(dǎo)電骨中，粒徑為幾nm至幾十nm的導(dǎo)體粒子溶解或分散 到有機(jī)樹脂中。作為導(dǎo)體粒子，可以使用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu )、鎳(M )、賴(Pt)、鈀(Pd )、鉭(Ta )、鉬(Mo )、 和鈦(Ti)等中的任何一個(gè)以上的金屬粒子、面化銀的微粒子、或者 分散性納米粒子。通過絲網(wǎng)印刷法形成，來可以實(shí)現(xiàn)過程的簡(jiǎn)單化、 以及4氐成本化。
接下來，以覆蓋用作天線的導(dǎo)電膜1612的方式形成絕緣膜1613 (圖17A)。
絕緣膜1613通過CVD法、濺射法、SOG法、液滴噴射法、絲 網(wǎng)印刷法等由無機(jī)材料如硅的氧化物和硅的氮化物等(例如，氧化硅 膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等)；有機(jī)材料如聚酰亞胺、 聚酰胺、苯并環(huán)丁烯、丙烯、環(huán)氧等；或硅氧烷材料等以單層或疊層 形成。
接下來，從襯底1601剝離包括薄膜晶體管1630a至1630d和用 作天線的導(dǎo)電膜1612的元件形成層。
首先，照射激光束來形成開口部1618 (圖17B)。接著，將元 件形成層的一個(gè)表面(這里相當(dāng)于絕緣膜1617的表面)貼附到笫一 片材1620，然后通過物理性外力從襯底1601剝離元件形成層(圖 18A)。作為第一片材1620可以采用熱熔薄膜等。此外，在后面的工 序中剝離第一片材1620時(shí)，可以使用通過加熱而粘合力降低的熱剝 離膠帶。
注意，通過使用水或臭氧水等水溶液濡濕要?jiǎng)冸x的表面的同時(shí)， 進(jìn)行剝離，可以防止薄膜晶體管1630a至1630d等元件因靜電等而破 壞。此外，通過再次利用元件形成層被剝離的襯底1601，可以實(shí)現(xiàn)低 成本化。
接下來，在元件形成層的另一個(gè)表面(從襯底1601剝離而露出 的表面)上提供第二片材1621 (圖18B ),作為笫二片材1621使用 熱熔薄膜等，并且可以通過進(jìn)行加熱處理和加壓處理中的一方或雙 方，將第二片材1621貼附到元件形成層的另一個(gè)表面上。此外，在 使用熱剝離膠帶作為第一片材1620的情況下，可以利用貼合第二片 材1621時(shí)施加的熱來剝離。接下來，通過切割方法、劃線方法、或激光切割方法等選擇性地
分割提供在第二片材1621上的元件形成層，來可以得到多個(gè)半導(dǎo)體 裝置。作為第二片材1621使用具有撓性的襯底如塑料等，可以制造 具有撓性的半導(dǎo)體裝置。
注意，在本實(shí)施方式中，示出在襯底1601上形成薄膜晶體管和 天線等元件之后，從該襯底1601剝離來制造具有撓性的半導(dǎo)體裝置 的情況，但是本發(fā)明不局限于此。例如，通過應(yīng)用圖13A、 13B、 13C、 13D、 16A、 16B、 17A的工序而不在襯底1601上提供剝離層1602, 來可以制造在襯底1601上提供有薄膜晶體管和天線等元件的半導(dǎo)體 裝置。
注意，在本實(shí)施方式中雖然說明了在與半導(dǎo)體元件相同的襯底上 形成天線的實(shí)例，但本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在形成半導(dǎo)體元 件之后，使另行形成的天線與集成電路電連接。在此情況下，可以通 過使用各向異性導(dǎo)電薄膜(ACF; Anisotropic Conductive Film)或 各向異性導(dǎo)電骨(ACP; Anisotropic Conductive Paste )等使天線和 集成電路壓合，來使它們電連接。另外，也可以使用銀骨、銅骨或碳 骨等導(dǎo)電粘結(jié)劑或焊接等來實(shí)現(xiàn)連接。
本實(shí)施方式可以與本說明書中的其他實(shí)施方式的技術(shù)要素組合 來實(shí)現(xiàn)。
實(shí)施方式5
在本實(shí)施方式中，描述在上述實(shí)施方式4中采用單晶半導(dǎo)體作為 用于制造半導(dǎo)體裝置的晶體管的絕緣襯底上的半導(dǎo)體膜的方式。
下面，在本實(shí)施方式中，說明形成有單晶半導(dǎo)體的絕緣襯底(以 下稱作SOI (絕緣體上硅片)襯底)的制造方法.
首先，準(zhǔn)備半導(dǎo)體襯底2001 (參照?qǐng)D20A、圖22A)。作為半 導(dǎo)體襯底2001使用在市場(chǎng)上出售的半導(dǎo)體襯底即可，例如可以舉出 硅襯底、鍺襯底、鎵砷和銦磷等化合物半導(dǎo)體襯底等。作為在市場(chǎng)上 出售的硅襯底，直徑為5英寸(125mm)、直徑為6英寸(150mm)、 直徑為8英寸(200mm)、直徑為12英寸(300mm)大小的襯底是典型的，并且其形狀大多是圓形。此外，其厚度直到1.5mm左右可以 適當(dāng)?shù)剡x擇。
接下來，將由電場(chǎng)加速的離子2004注入到半導(dǎo)體襯底2001的離 其表面有預(yù)定深度的位置，來形成離子摻雜層2003 (參照?qǐng)D20A、圖 22A)。離子2004的注入考慮到后面轉(zhuǎn)置到支撐襯底的SOI層的膜 厚度而進(jìn)行。SOI層的膜厚度優(yōu)選為5nm至500nm，更優(yōu)選為10nm 至200nm。注入離子時(shí)的加速電壓及離子的劑量考慮到轉(zhuǎn)置的SOI 層的膜厚度而適當(dāng)?shù)剡x擇。作為離子2004，可以使用氫、氦、或者氟 等卣素離子。注意，作為離子2004,優(yōu)選使用由等離子體激發(fā)選自氫、 氦、或者氟等卣素元素中的源氣體而生成的一個(gè)原子或多個(gè)相同原子 構(gòu)成的離子種。在注入氫離子的情況下，使離子包含H+、 H2+、 H3+ 離子的同時(shí)，提高H3+離子的比例，可以提高離子的注入效率，并且 縮短注入時(shí)間，因此是優(yōu)選的。此外，通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以容易 從半導(dǎo)體襯底分離SOI層。
注意，為了在預(yù)定深度的位置上形成離子摻雜層2003，有時(shí)需 要以高劑量條件注入離子2004。此時(shí)，根據(jù)條件，半導(dǎo)體襯底2001 的表面變粗。因此，也可以在離子被注入的半導(dǎo)體襯底的表面上以 50nm至200nm的膜厚度提供氮化硅層或氮氧化硅層等作為保護(hù)層。
接下來，在半導(dǎo)體襯底2001上形成接合層2022 (參照?qǐng)D20B、 圖22B)。在半導(dǎo)體襯底2001與支撐襯底形成接合的表面上形成接 合層2022。在此形成的接合層2022，優(yōu)選為通過如上那樣使用有機(jī) 硅烷作為原料氣體的化學(xué)氣相生長(zhǎng)法而形成的氧化硅層。另外，還可
硅層。在通過化學(xué)氣相生長(zhǎng)法的成膜中，使用不從形成在半導(dǎo)體襯底 2001中的離子摻雜層2003產(chǎn)生脫氣的溫度。例如，使用350'C以下 的成膜溫度。在用來從單晶半導(dǎo)體襯底或多晶半導(dǎo)體襯底等半導(dǎo)體襯 底分離SOI層的加熱處理中，使用比通過化學(xué)氣相生長(zhǎng)法的成膜溫度 高的加熱處理溫度。
接下來，將半導(dǎo)體村底2001加工為所希望的大小和形狀(參照?qǐng)D20C、圖22C)。具體來說，加工為所希望的尺寸。圖22C示出分 割圓形的半導(dǎo)體襯底2001來形成矩形的半導(dǎo)體襯底2002的實(shí)例。此 時(shí)，接合層2022及離子摻雜層2003也被分割。就是說，可以得到具 有所希望的尺寸、在離其表面(與支撐襯底的接合表面)有預(yù)定深度 的位置形成有離子摻雜層2003、并且其表面上形成有接合層2022的 半導(dǎo)體襯底2002。
半導(dǎo)體襯底2002優(yōu)選預(yù)先被分割來加工為所希望的半導(dǎo)體裝置 的尺寸。半導(dǎo)體襯底2001的分割可以使用切割裝置如切割器或鋼絲 鋸等、激光切割、等離子體切割、電子束切割、其他任意切割方法。
注意， 一直到在半導(dǎo)體襯底表面上形成接合層的工序順序可以適 當(dāng)?shù)靥鎿Q。圖20A至20C以及圖22A至22C示出如下一種實(shí)例，即， 在半導(dǎo)體襯底中形成離子摻雜層，在半導(dǎo)體襯底的表面上形成接合 層，然后將半導(dǎo)體襯底加工為所希望的尺寸。與此相比，也可以在將 半導(dǎo)體襯底加工為所希望的尺寸之后，在所希望的尺寸的半導(dǎo)體襯底 中形成離子摻雜層，然后在所希望的尺寸的半導(dǎo)體襯底的表面上形成 接合層。
接下來，貼合支撐襯底2010和半導(dǎo)體襯底2002。圖21A示出如 下一種實(shí)例，即，使支撐襯底2010和半導(dǎo)體襯底2002的形成有接合 層2022的表面密接接觸使得支撐襯底2010和接合層2022接合，來 貼合支撐襯底2010和半導(dǎo)體襯底2002,注意，形成接合的表面(接 合面)優(yōu)選預(yù)先充分清洗。通過使支撐襯底2010和接合層2022密接 接觸而形成接合。該接合是范德瓦耳斯力作用而實(shí)現(xiàn)的，并且通過壓 接支撐襯底2010和半導(dǎo)體襯底2002，可以形成借助于氫鍵的堅(jiān)固的 接合。
此外，為了形成支撐襯底2010和接合層2022的良好的接合，而 也可以激活接合面。例如，對(duì)要形成接合的表面的一方或雙方照射原 子束或離子束。在使用原子束或離子束的情況下，可以使用氬等的惰 性氣體中性原子束或惰性氣體離子束。另外，通過進(jìn)行等離子體照射 或基處理來可以激活接合面。通過這種表面處理，即使在400。C以下的溫度下，也可以形成異種材料之間的接合。
此外，在夾著接合層2022貼合支撐襯底2010和半導(dǎo)體襯底2002 之后，優(yōu)選進(jìn)行加熱處理或加壓處理。通過進(jìn)行加熱處理或加壓處理， 可以提高接合強(qiáng)度。加熱處理的溫度優(yōu)選為支撐襯底2010的耐熱溫 度以下。在加壓處理中，向與接合面垂直的方向施加壓力，并且考慮 到支撐襯底2010和半導(dǎo)體襯底2002的耐壓性而進(jìn)行。
接下來，進(jìn)行加熱處理，以離子摻雜層2003為劈理面從支撐襯 底2010分離半導(dǎo)體襯底2002的一部分(參照?qǐng)D21B)。加熱處理的
以下。例如，通過進(jìn)行400'C至600t:的加熱處理，而產(chǎn)生形成在離 子摻雜層2003中的微小空洞的體積變化，來可以沿著離子摻雜層2003 分離。由于接合層2022與支撐襯底2010接合，所以在支撐襯底2010 上留下與半導(dǎo)體襯底2002相同的結(jié)晶性的SOI層2030。
通過上述工序而形成在支撐襯底2010上夾著接合層2022提供有 SOI層2030的SOI結(jié)構(gòu)。注意，SOI襯底具有在一片支撐襯底上夾 著接合層提供有多個(gè)SOI層的結(jié)構(gòu)。
注意，通過分離而得到的SOI層，優(yōu)選進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨 (Chemical Mechanical Polishing: CMP),以使其表面平坦化。此 外，也可以對(duì)SOI層的表面照射激光束而不利用CMP等的物理研磨 方法，來進(jìn)行平坦化。注意，當(dāng)照射激光束時(shí)，優(yōu)選在氧氣濃度為 10ppm以下的氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行。這是因?yàn)槿绻谘鯕鈿夥障抡丈浼す?束，就有可能SOI層表面變粗的緣故。此外，也可以以得到了的SOI 層的薄膜化為目的，進(jìn)行CMP等。
在本實(shí)施方式所述的SOI襯底的制造方法中，即使使用玻璃襯 底等的耐熱溫度為60(TC以下的支撐襯底2010，也可以得到接合部的 粘合力堅(jiān)固的SOI層2030。此外，由于使用600'C以下的溫度過程即 可，作為支撐襯底2010可以使用被稱為無減玻璃的電子工業(yè)用的各 種玻璃襯底如鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃等。 當(dāng)然，也可以使用陶瓷襯底、藍(lán)寶石襯底、石英襯底等。本實(shí)施方式所示的SOI襯底由于可以在絕緣襯底如玻璃襯底等
上直接形成單晶半導(dǎo)體膜，所以不需要進(jìn)行用來提高半導(dǎo)體特性的半
導(dǎo)體膜的激光晶化等的晶化工序。因此，通過形成SOI襯底且使用上 述實(shí)施方式4所示的方法制造晶體管等，可以制造晶體管特性的不均 勻性小的元件，從而通過使用該元件構(gòu)成半導(dǎo)體裝置，而可以制造可 靠性高的半導(dǎo)體裝置。
本實(shí)施方式可以與本說明書中的其他實(shí)施方式的技術(shù)要素組合 來實(shí)現(xiàn)。
實(shí)施方式6
在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D14A和14B及圖19說明使用單晶硅制 造構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的晶體管的方式。
首先，參照?qǐng)D14A描述晶體管的制造過程。準(zhǔn)備由單晶硅形成 的硅襯底1901。接著，在賦有n型導(dǎo)電性的硅襯底的主表面(元件形 成表面或電路形成表面)上的元件形成區(qū)域中選擇性地形成p阱 1902。此外，硅襯底可以通過研磨其背面等的方法而變薄。通過預(yù)先 形成較薄的硅襯底，可以制造輕且薄的半導(dǎo)體裝置。
接著，形成場(chǎng)氧化膜1903作為用來分隔第一元件形成區(qū)域和第 二元件形成區(qū)域的元件隔離區(qū)域。場(chǎng)氧化膜1903是厚的熱氧化膜， 可以由/^知的LOCOS方法形成。注意，元件分割方法不限于LOCOS 方法，例如，可以通過溝槽隔離方法，使元件隔離區(qū)域具有溝槽結(jié)構(gòu)， 或者LOCOS結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)可以結(jié)合使用。
接著，通過例如熱氧化硅襯底的表面來形成柵極絕緣膜1904。 柵極絕緣膜1904也可以由CVD方法形成，并且可以使用氧氮化硅膜、 氣化硅膜、氮化硅膜或它們的疊層膜。
接著，在整個(gè)表面上形成多晶硅層1905a和珪化物層l卯5b的疊 層膜。通過光刻技術(shù)和千法蝕刻技術(shù)形成疊層膜，在柵極絕緣膜上形 成具有多晶硅-硅化物(polycide)結(jié)構(gòu)的柵電極1905。多晶硅層1905a 可以預(yù)先以大約1021/ 113的濃度摻雜磷(P)以便降低電阻，可選地， 可以在形成多晶硅膜之后擴(kuò)散高濃度n型雜質(zhì)。此外，硅化物層190Sb可以利用已知方法由諸如硅化鉬(MoSix)、硅化鵠(WSix)、硅化 鉭(TaSix)或硅化鈦(TiSix)等的材料形成。
注意，也可以在柵電極的側(cè)面形成側(cè)壁。例如，可以使用CVD 方法在整個(gè)表面上沉積由氧化硅形成的絕緣材料層，并且回蝕刻該絕 緣材料層以形成側(cè)壁。在回蝕刻中，可以以自對(duì)準(zhǔn)的方式選擇性地去 除柵絕緣膜。
接著，對(duì)暴露出的硅襯底進(jìn)行離子注入，以形成源區(qū)和漏區(qū)。使 用抗蝕劑材料覆蓋用來形成p溝道型FET的第一元件形成區(qū)域，并 且將作為n型雜質(zhì)的砷(As)或磷(P)注入到硅襯底中，以形成源 區(qū)1913和漏區(qū)1914。此外，使用抗蝕劑材料覆蓋用來形成n溝道型 FET的第二元件形成區(qū)域，并且將作為p型雜質(zhì)的硼(B)注入到硅 襯底中，以形成源區(qū)1915和漏區(qū)1916。
隨后，進(jìn)行激活處理，以便激活離子注入的雜質(zhì)并恢復(fù)由離子注 入在硅襯底中產(chǎn)生的晶體缺陷。
并且，在激活之后，形成層間絕緣膜、成為源電極或漏電極的金 屬布線等。通過等離子體CVD方法或低壓CVD方法形成氣化硅膜、 氧氮化硅膜等作為層間絕緣膜1917。注意，也可以在其上形成由磷硅 酸鹽玻璃(PSG)、硼硅酸鹽玻璃(BSG )或硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG ) 形成的層間絕緣膜。
金屬電極1919至1922是在層間絕緣膜1917及柵極絕緣膜1904 中形成到達(dá)各FET的源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔之后形成的，并且使用常 用作低電阻材料的鋁(Al)來形成即可。此外，金屬電極可以具有 Al和鈦(Ti)的疊層結(jié)構(gòu)。
注意，接觸孔也可以由電子束直寫技術(shù)形成。在電子束直寫技術(shù) 中，在層間絕緣膜1917的整個(gè)表面上形成正型的電子束寫用抗蝕劑， 使用顯影溶液使被電子束照射的部分溶解。接著，在將要形成接觸孔 的位置的抗蝕刑中開出孔，使用抗蝕劑作為掩模進(jìn)行干法蝕刻，這樣 層間絕緣膜1917及柵極絕緣膜1904的預(yù)定位置可以被蝕刻而形成接 觸孔。通過上述工序，可以使用單晶襯底制造p溝道型晶體管1951和n溝道型晶體管1952 (圖14A)。
接下來，如圖14B所示那樣地形成層間膜1924。然后，蝕刻層 間膜1924來形成接觸孔，使得金屬電極1922的一部分露出。層間膜 1924不局限于樹脂，也可以為其它膜如CVD氧化膜等，但是從平坦 性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選為樹脂。此外，也可以使用感光性樹脂而不使用 蝕刻來形成接觸孔。接下來，在層間膜1924上形成通過接觸孔接觸 到導(dǎo)電膜1922的布線1925。
接下來，以與布線1925接觸的方式形成用作天線的導(dǎo)電膜1926。 導(dǎo)電膜1926可以使用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鈀(Pd)、 鉻(Cr )、賴(Pt)、鉬(Mo )、鈥(Ti)、鉭(Ta )、鵠(W )、 鋁(Al)、鐵(Fe )、鈷(Co )、鋅(Zn )、錫(Sn )、鎳(Ni) 等金屬來形成。作為導(dǎo)電膜1926,除了使用由上述金屬形成的膜之夕卜， 還可以使用由以上述金屬為主要成分的合金形成的膜或使用包含上 述金屬的化合物形成的膜。導(dǎo)電膜1926可以以單層使用上述的膜， 也可以層疊使用上述多個(gè)膜。
導(dǎo)電膜1926可以通過4吏用CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印 刷或凹版印刷等、液滴噴射法、分配器法、涂鍍法、光刻法、氣相沉 積法等來形成。
注意，在本實(shí)施方式中雖然描述了在與半導(dǎo)體元件相同的襯底上 形成天線的實(shí)例，但本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在形成半導(dǎo)體元 件之后，使另行形成的天線與集成電路電連接。在此情況下，可以通 過使用各向異性導(dǎo)電薄膜(ACF; Anisotropic Conductive Film)或 各向異性導(dǎo)電骨(ACP; Anisotropic Conductive Paste )等使天線和 集成電路壓合，來使它們電連接。另外，也可以使用銀骨、銅骨或碳 骨等導(dǎo)電粘結(jié)劑或焊接等來實(shí)現(xiàn)連接。
接下來，如圖19所示，以覆蓋用作天線的導(dǎo)電膜1926的方式形 成保護(hù)膜1927。保護(hù)膜1927由氮化硅膜、氧化硅膜、或者氮氧化硅 膜形成。此外，既可使用有機(jī)樹脂膜而代替氮化硅膜等，又可在保護(hù) 膜上層疊有機(jī)樹脂膜。作為有機(jī)樹脂材料，可以使用聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯、苯并環(huán)丁烯等。使用有機(jī)樹脂膜的優(yōu)點(diǎn)在于形成膜的方 法很簡(jiǎn)單；由于相對(duì)介電常數(shù)低，所以能夠降低寄生電容；以及適于 平坦化；等。當(dāng)然，也可以使用上述以外的有機(jī)樹脂膜。并且，如圖19所示，可以通過由薄膜1928包圍而完成半導(dǎo)體裝 置。可以在薄膜1928的表面上形成保護(hù)膜，以避免水汽、氧等的滲 透。保護(hù)膜可以由含硅的氧化物或含硅的氮化物形成。此外，可以在 該薄膜上形成有將成為半導(dǎo)體裝置的增益天線(booster antenna )的 圖案。像這樣，通過使用形成在單晶襯底上的半導(dǎo)體裝置，可以提供輕 量且更小型的商品。此外，通過使用上述半導(dǎo)體裝置，可以制造小型 的半導(dǎo)體裝置，并且晶體管特性的不均勻性小，因此是優(yōu)選的。本實(shí)施方式可以與本說明書中的其他實(shí)施方式的技術(shù)要素組合 來實(shí)現(xiàn)。實(shí)施方式7在本實(shí)施方式中，描述構(gòu)成上述實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的天 線的具體例子。天線具有無線電法規(guī)確定的范圍內(nèi)的適于應(yīng)用的尺寸 和形狀即可。收發(fā)的信號(hào)具有125kHz、 13.56MHz、 915MHz、 2.45GHz 等頻率，其由ISO標(biāo)準(zhǔn)等設(shè)定。作為具體天線，使用偶極天線、貼片 天線(patch antenna)、環(huán)形天線、八木天線等即可。在本實(shí)施方式 中，描述連接到半導(dǎo)體裝置的天線的形狀。圖15A示出連接到半導(dǎo)體裝置1501的天線1502。在圖15A中， 半導(dǎo)體裝置1501提供在中央部分，并且天線1502連接到半導(dǎo)體裝置 1501的連接端子.為了確保天線的長(zhǎng)度，天線1502折疊成矩形的形 狀。在圖15B中，半導(dǎo)體裝置1501提供在一端側(cè)，天線1503連接 到半導(dǎo)體裝置1501的連接端子。為了確保天線的長(zhǎng)度，天線1503折 疊成矩形的形狀。在圖15C中，在半導(dǎo)體裝置1501的兩端提供有折疊成曲流形狀 的天線1504。在圖15D中，在半導(dǎo)體裝置1501的兩端提供有線形天線1505。 像這樣，選擇適于半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)、偏振波或用途的天線的形 狀即可。因此，折疊偶極天線可以用作偶極天線。圓形環(huán)狀天線或方 形環(huán)狀天線可以用作環(huán)狀天線。圓形貼片天線或方形貼片天線可以用 作貼片天線。在使用貼片天線的情況下，使用由介電材料如陶瓷等形成的天線 即可。通過提高用作貼片天線的襯底的介電材料的介電常數(shù)，可以實(shí) 現(xiàn)天線的小型化。此外，貼片天線由于具有高機(jī)械強(qiáng)度，所以可以重 復(fù)使用。貼片天線的介電材料可以由陶瓷、有機(jī)樹脂、陶瓷和有機(jī)樹脂的 混合物等形成。陶瓷的典型例子是氧化鋁、玻璃、鎂橄欖石等。此夕卜， 多種陶瓷可以混合使用。為了獲得高介電常數(shù)，優(yōu)選使用鐵電材料形 成介電層。鐵電材料的典型例子是鈦酸鋇(BaTi03 )、鈦酸鉛(PbTi03 )、 鈦酸鍶(SrTi03)、鋯酸鉛(PbZr03)、鈮酸鋰(LiNb03)、鋯鈦 酸鉛(PZT)等。而且，多種鐵電材料可以混合使用。本實(shí)施方式可以與本說明書中的其他實(shí)施方式的技術(shù)要素組合 來實(shí)現(xiàn)。實(shí)施方式8在本實(shí)施方式中，描述將半導(dǎo)體裝置用作存儲(chǔ)物品信息的RF標(biāo) 簽，并且從通訊裝置收發(fā)RF標(biāo)簽的信息的具體例子.例如，RF標(biāo)簽 可以提供在紙幣、硬幣、有價(jià)證券、證書、不記名債券、包裝容器、 書、存儲(chǔ)介質(zhì)、個(gè)人物品、交通工具、食品、衣服、保健用品、日用 品、藥、電子設(shè)備等中而使用。參照?qǐng)D11描述其具體例子。在本實(shí) 施方式中描述的無線通訊方法如上述實(shí)施方式所說明那樣，即使從作 為半導(dǎo)體裝置的RF標(biāo)簽到通訊裝置的無線信號(hào)的發(fā)送因障礙物而難 以實(shí)現(xiàn)，也可以經(jīng)過另一個(gè)半導(dǎo)體裝置發(fā)送。因此，如圖11所示， 可以讀取貼附到從通訊裝置來看位于陣礙物背面的物品中的RF標(biāo)簽 的信息。此外，作為半導(dǎo)體裝置的RF標(biāo)簽如上述實(shí)施方式所示，通 過使用薄膜晶體管可以實(shí)現(xiàn)薄型化，因此可以防止物品的外觀設(shè)計(jì)性的降低。圖11示出本實(shí)施方式的無線通訊方法的結(jié)構(gòu)的一個(gè)方式。圖11所示的RF標(biāo)簽1701是以無接觸方式與通訊裝置1703收發(fā)數(shù)據(jù)的無 接觸型RF標(biāo)簽。位于電波范圍1702內(nèi)的RF標(biāo)簽1701可以接收來 自通訊裝置1703的第一無線信號(hào)。在圖11中，包裝容器1705、存儲(chǔ)介質(zhì)1706、書1707位于通訊 裝置1703的電波范圍1702內(nèi)，通訊裝置1703與計(jì)算機(jī)1704電連接 且執(zhí)行產(chǎn)品的管理、產(chǎn)品信息的讀取等。注意，包裝容器1705是指 飯盒等的包裝紙、塑料瓶等。書1707是指書、冊(cè)等。存儲(chǔ)介質(zhì)1706 是指DVD軟件、錄像帶等。在圖11中，位于電波范圍1702內(nèi)的具 有RF標(biāo)簽1701的包裝容器1705、存儲(chǔ)介質(zhì)1706、書1707由通訊裝 置1703發(fā)送第一無線信號(hào)且讀取每個(gè)RF標(biāo)簽內(nèi)的信息。但是，關(guān)于 貼附到存儲(chǔ)介質(zhì)1706上的RF標(biāo)簽1701,從RF標(biāo)簽1701到通訊裝 置1703的第二無線信號(hào)的發(fā)送因?yàn)檎系K物1700有可能很困難。此時(shí)， 通過使用上述實(shí)施方式所說明的無線通訊方法，通訊裝置1703經(jīng)過 貼附到另一個(gè)產(chǎn)品，這里，包裝容器1705上的RF標(biāo)簽1701或書1707 上的RF標(biāo)簽1701來可以識(shí)別貼附到位于障礙物1700背面的存儲(chǔ)介 質(zhì)1706上的RF標(biāo)簽1701的存在。通過在包裝容器1705、存儲(chǔ)介質(zhì)1706、書1707等提供RF標(biāo)簽 1701且使用上述實(shí)施方式所描述的無線通訊方法，在檢查系統(tǒng)、租賃 商店中的系統(tǒng)等中可以防止位于無線信號(hào)的障礙物背面的RF標(biāo)簽的 個(gè)體信息的檢測(cè)漏洞。作為RF標(biāo)簽1701的提供方法，可以粘貼在物 品表面上或嵌入物品中。例如，RF標(biāo)簽1701可以嵌入書的紙中，或 嵌入由有機(jī)樹脂形成的包裝的有機(jī)樹脂中。這樣，通過在包裝容器 1705、存儲(chǔ)介質(zhì)1706、書1707等提供RF標(biāo)簽，可以提髙檢查系統(tǒng)、 租賃商店中的系統(tǒng)等的效率。如上所述，本實(shí)施方式所描述的用于無線通訊方法的半導(dǎo)體裝置 可以提供在任何物品而使用，另外還可以用于紙幣、硬幣、有價(jià)證券、 證書、不記名債券、個(gè)人物品、交通工具、食品、衣服、保健用品、日用品、藥、電子設(shè)備等。本實(shí)施方式可以與上述實(shí)施方式自由組合 實(shí)施。本實(shí)施方式可以與本說明書中的其他實(shí)施方式的技術(shù)要素組合 來實(shí)現(xiàn)。本申請(qǐng)基于2007年4月18日向日本專利局遞交的序列號(hào)為 NO.2007-109533的日本專利申請(qǐng)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用被結(jié)合 在本申請(qǐng)中。
權(quán)利要求
1.一種無線通訊方法，在該無線通訊方法中，至少具有第一半導(dǎo)體裝置和第二半導(dǎo)體裝置的多個(gè)半導(dǎo)體裝置接收從通訊裝置發(fā)送的第一無線信號(hào)，從所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置對(duì)所述通訊裝置發(fā)送第二無線信號(hào)，包括以下步驟根據(jù)從所述通訊裝置發(fā)送的所述第一無線信號(hào)選擇性地轉(zhuǎn)換具有所述第一半導(dǎo)體裝置和所述第二半導(dǎo)體裝置的所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置的第一狀態(tài)和第二狀態(tài)；以及從處于所述第二狀態(tài)的所述第二半導(dǎo)體裝置對(duì)所述通訊裝置發(fā)送具有通知從處于所述第一狀態(tài)的所述第一半導(dǎo)體裝置接收了所述第二無線信號(hào)的檢測(cè)數(shù)據(jù)的所述第二無線信號(hào)，其中所述第一狀態(tài)是從所述通訊裝置發(fā)送的所述第一無線信號(hào)被接收的狀態(tài)，并且所述第二狀態(tài)是從所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置發(fā)送的所述第二無線信號(hào)被接收的狀態(tài)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線通訊方法，其中通過從所述通訊裝 置接收所述第一無線信號(hào)來得到用來對(duì)所述通訊裝置發(fā)送具有檢測(cè) 數(shù)據(jù)的所述第二無線信號(hào)的電力。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線通訊方法，其中所述通訊裝置輸出第一指令和第二指令，所述第一指令用來對(duì)所述通訊裝置發(fā)送存儲(chǔ)在所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置中的數(shù)據(jù)，所迷笫二指令用來選擇性地轉(zhuǎn)換所 述多個(gè)半導(dǎo)體裝置的所述第一狀態(tài)和所述第二狀態(tài)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線通訊方法，其中貼附在物品上的 所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置的每一個(gè)對(duì)所述通訊裝置發(fā)送且從所述通訊裝 置接收無線信號(hào)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線通訊方法，其中所述多個(gè)半導(dǎo)體 裝置的每一個(gè)由薄膜晶體管形成且貼附在物品上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線通訊方法，其中所述通訊裝置連接到外部電源。
7. —種無線通訊方法，在該無線通訊方法中，至少具有第一半導(dǎo) 體裝置和第二半導(dǎo)體裝置的多個(gè)半導(dǎo)體裝置接收從通訊裝置發(fā)送的 第一無線信號(hào)，從所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置對(duì)所述通訊裝置發(fā)送第二無線 信號(hào)，包括以下步驟根據(jù)從所述通訊裝置發(fā)送的所述第一無線信號(hào)選擇性地轉(zhuǎn)換具 有所述第一半導(dǎo)體裝置和所述第二半導(dǎo)體裝置的所述多個(gè)半導(dǎo)體裝 置的第一狀態(tài)和第二狀態(tài)；在包括在處于所述第二狀態(tài)的所述第二半導(dǎo)體裝置中的存儲(chǔ)元 件中存儲(chǔ)來自處于所述第一狀態(tài)的所述第一半導(dǎo)體裝置的所述第二 無線信號(hào)的數(shù)據(jù)；以及當(dāng)所述第二半導(dǎo)體裝置從所述通訊裝置接收所述第一無線信號(hào) 時(shí)，對(duì)所述通訊裝置作為所述第二無線信號(hào)發(fā)送存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)元件 中的數(shù)據(jù)，其中所述第 一狀態(tài)是從所述通訊裝置發(fā)送的所述第 一無線信號(hào) 被接收的狀態(tài)，并且所述第二狀態(tài)是從所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置發(fā)送的所述第二無 線信號(hào)被接收的狀態(tài)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的無線通訊方法，其中所述通訊裝置輸 出第一指令、第二指令、以及第三指令，所述第一指令用來對(duì)所述通 訊裝置發(fā)送存儲(chǔ)在所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置中的數(shù)據(jù)，所述第二指令用來 選擇性地轉(zhuǎn)換所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置的所述第一狀態(tài)和所迷第二狀態(tài)， 所述笫三指令用來從其存儲(chǔ)元件中存儲(chǔ)有數(shù)據(jù)的所述多個(gè)半導(dǎo)體裝 置中的任何一個(gè)讀取數(shù)據(jù)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的無線通訊方法，其中貼附在物品上的 所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置的每一個(gè)對(duì)所述通訊裝置發(fā)送且從所述通訊裝 置接收無線信號(hào)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的無線通訊方法，其中所述多個(gè)半導(dǎo)體 裝置的每一個(gè)由薄膜晶體管形成且貼附在物品上。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無線通訊方法，其中所述通訊裝置連 接到外部電源。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種無線通訊方法，其中在能夠確保從通訊裝置到半導(dǎo)體裝置的無線信號(hào)的通訊的情況下，即使從半導(dǎo)體裝置到通訊裝置的無線信號(hào)的通訊因外部因素如障礙物等而難以實(shí)現(xiàn)，也可以確保無線信號(hào)的通訊而不使用中繼器。多個(gè)半導(dǎo)體裝置選擇性地轉(zhuǎn)換接收從通訊裝置發(fā)送的第一無線信號(hào)的第一狀態(tài)和接收從半導(dǎo)體裝置發(fā)送的第二無線信號(hào)的第二狀態(tài)來工作。并且，處于第二狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置從處于第一狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置接收第二無線信號(hào)，然后對(duì)通訊裝置發(fā)送具有通知接收了該第二無線信號(hào)的檢測(cè)數(shù)據(jù)的第二無線信號(hào)。
文檔編號(hào)G06K19/07GK101290653SQ200810090718
公開日2008年10月22日 申請(qǐng)日期2008年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月18日
發(fā)明者加藤清, 鹽野入豐 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所