專利名稱：存儲載體及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及以無線方式收發(fā)信號的存儲栽體。
技術(shù)背景以無線方式發(fā)送/接收信號來識別個體的技術(shù)(RFID:射頻識別， Radio frequency identification )在各種領(lǐng)域中正在被實用化，并且預(yù) 料作為新信息通訊的方式進一步擴大其市場。在RFID中，主要在稱 為讀取器、讀取寫入器或詢問應(yīng)答機的詢問器和RF標簽之間以無線 方式發(fā)送/接收信號。RF標簽儲存有識別信息，并且通過在與詢問器 之間以無線方式發(fā)送/接收信號，可以以非接觸的方式讀出RF標簽所 儲存的識別信息來進行對象物的個體識別。在很多情況下，RF標簽 的形狀是卡片狀或比卡片更小的芯片狀，然而根據(jù)用途可以采用各種 各樣的形狀?？梢詫⒆R別信息儲存在RF標簽所具有的存儲器中，并且根據(jù)其 存儲器的種類RF標簽被分為如下兩類不能重寫識別信息的類型； 可以重寫識別信息的類型。在不能重寫信息的RF標簽中，基本上一 直原樣保持寫入了的識別信息。對于可以重寫的RF標簽來說，在進 行一系列的利用之際一般也不重寫識別信息。但是，可以重寫的RF 標簽和不能重寫的RF標簽之間的不同之處在于可以通過在一系列 的利用結(jié)束之后重寫識別信息來再度利用可以重寫的RF標簽。可是，從現(xiàn)狀來說，當讀取識別信息等數(shù)據(jù)時，與條碼相比， RF標簽的可靠性沒有高到適合實用化的程度。 一般地說，所讀出的 數(shù)據(jù)不對或者不能讀出數(shù)據(jù)那樣的RF標簽的錯誤動作以1%左右的 比例發(fā)生，因此未到達實現(xiàn)實用化的水平。于是，有如下動機通過 并用RF標簽和條碼而防備當讀取RF標簽時發(fā)生錯誤動作，來實現(xiàn)RF標簽的實用化。下面的專利文件1記載有具有RFID功能的條碼 用封緘(seal)。[專利文件1日本特開2001-5931號^>才艮條碼需要以極近距離進行讀取，所以不得不縮短通訊距離，因此不方便；但是與RF標簽不同，具有當進行讀取時幾乎不發(fā)生錯誤動作的優(yōu)點。因此，即使當讀取RF標簽時發(fā)生錯誤動作，也可以通過 并用條碼基本上準確地讀取數(shù)據(jù)。于是，預(yù)先準備用來結(jié)合條碼所具 有的數(shù)據(jù)和RF標簽所具有的識別信息的數(shù)據(jù)庫，并且通過利用該數(shù) 據(jù)庫從條碼所具有的數(shù)據(jù)提取RF標簽所具有的識別信息，即使當讀 取RF標簽時發(fā)生錯誤動作，也可以識別個體。然而，當并用條碼和RF標簽時，需要分別利用不同工序來制造 條碼和RF標簽。此外，由于可以簡單地視覺讀取條碼所具有的數(shù)據(jù)， 因此當想要極其保密地處理識別信息時使用可以容易認識與識別信 息有關(guān)系的該數(shù)據(jù)的條碼是在安全上不是優(yōu)選的。再者，對可以重寫數(shù)據(jù)的RF標簽來說，當再度利用RF標簽時 需要重寫所儲存的識別號碼。在此情況下，不能重寫條碼所具有的數(shù) 據(jù)，而需要更換RF標簽所安裝有的條碼，因此工作很麻煩。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種不需要分別利用不同 工序來制造條碼和RF標簽的存儲栽體。本發(fā)明的目的還在于提供一 種能夠選擇是否顯示條碼的存儲載體。本發(fā)明的目的還在于提供一種 當重寫數(shù)據(jù)時可以避免更換條碼的麻煩工作的存儲載體。本發(fā)明的存儲載體能夠接收以無線方式從稱為讀取器、讀取寫入 器或詢問應(yīng)答機的詢問器發(fā)送來的信號，根據(jù)該信號以無線方式將包 含存儲器所儲存的數(shù)據(jù)的信號發(fā)送給詢問器，并且具有顯示用于利用 光學(xué)標記識別(OMR: Optical Mark Recognition )來讀取存儲器所 儲存的數(shù)據(jù)的代碼的顯示裝置。通過具有該顯示裝置，當存儲載體發(fā) 生任何故障而詢問器不能識別存儲器所儲存的數(shù)據(jù)時，可以從顯示裝置所顯示的代碼光學(xué)地讀出數(shù)據(jù)。具體地說，本發(fā)明的存儲載體包括用來儲存數(shù)據(jù)的存儲器；根 據(jù)以無線方式從詢問器發(fā)送來的信號，從所述存儲器讀取所述數(shù)據(jù)的 控制電路；根據(jù)算法(algorithm)轉(zhuǎn)換所讀出的所述數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換器； 利用被所述轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換的所述數(shù)據(jù)來產(chǎn)生圖像信號的圖像信號產(chǎn)生 電路；利用所述圖像信號來顯示代碼的顯示裝置。注意，代碼可以是一維代碼(條碼)或二維代碼。只要可以光學(xué) 性地讀出數(shù)據(jù)，就可以使用具有各種各樣的形式的代碼。此外，本發(fā) 明的存儲載體也可以具有用來在與詢問器之間以無線方式發(fā)送/接收 信號的天線電路。此外，在本發(fā)明的存儲載體中，也可以在一個襯底上形成存儲器、 控制電路、調(diào)制電路、轉(zhuǎn)換器、圖像信號產(chǎn)生電路等的集成電路和顯 示裝置。此外，在本發(fā)明中，也可以將根據(jù)算法轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)儲存在存儲器 中。在此情況下，也可以在存儲栽體中不設(shè)置用來根據(jù)算法進行轉(zhuǎn)換 的轉(zhuǎn)換器。既可以在一個存儲器內(nèi)的不同區(qū)域中儲存轉(zhuǎn)換之前的數(shù)據(jù) 和轉(zhuǎn)換之后的數(shù)據(jù)，又可以在不同存儲器中儲存轉(zhuǎn)換之前的數(shù)據(jù)和轉(zhuǎn) 換之后的數(shù)據(jù)。此外，顯示裝置包括具有多個像素的像素部；根據(jù)圖像信號來 控制該像素部的驅(qū)動的驅(qū)動電路。各像素包括顯示元件，該顯示元件 可以根據(jù)圖像信號來至少顯示二值灰度。作為顯示元件，可以使用例 如用于稱為電子紙或數(shù)字紙(Digital Paper)的顯示裝置那樣的利用電 壓的施加可以控制灰度并且具有存儲器特性的元件。具體地說，可以將如下顯示元件使用于顯示裝置非水類電泳型 顯示元件；在兩個電極之間的高分子材料中分散有液晶的小滴 (droplet)的PDLC (聚合物分散液晶；polymer dispersed liquid crystal )方式的顯示元件；在兩個電極之間具有旋光向列液晶(chiral nematie liquid crystal)或者膽齒醇液晶(cholesteric liquid crystal) 的顯示元件；在兩個電極之間具有帶電的微粒子且利用電場使該微粒子在粉體中移動的粉體移動型顯示元件；等等。此外，非水類電泳型 顯示元件包括將分散有帶電的微粒子的分散液夾在兩個電極之間的 顯示元件；在將絕緣膜夾在中間的兩個電極上具有分散有帶電的微粒 子的分散液的顯示元件；在兩個電極之間將具有分別帶著不同電荷的 兩種顏色的半球的扭轉(zhuǎn)球分散于溶劑中的顯示元件；在兩個電極之間 具有微囊的顯示元件，在該微囊中多個帶電的微粒子分散于溶液中； 等等。此外，作為可以使用于顯示裝置的顯示元件，還可以使用以有機 發(fā)光元件(OLED)為代表的發(fā)光元件、液晶元件等。對本發(fā)明的存儲栽體來說，通過在與集成電路相同的襯底上形成 顯示裝置且使該顯示裝置顯示代碼，就沒必要如傳統(tǒng)那樣另外形成代 碼和集成電路。此外，本發(fā)明的存儲載體可以選擇是否使顯示裝置顯示代碼。因 此，跟現(xiàn)有的帶條碼的RF標簽相比，可以期待各種各樣的用途諸如 當想要提高安全水平時不使顯示裝置顯示代碼等等。此夕卜，本發(fā)明的存儲載體即使當在存儲器中重寫數(shù)據(jù)時也可以根 據(jù)該數(shù)據(jù)改變所顯示的代碼，因此可以避免更換代碼的麻煩工作。


圖1A和1B是表示本發(fā)明的存儲栽體的結(jié)構(gòu)的方框圖； 圖2是表示本發(fā)明的存儲載體的結(jié)構(gòu)的方框圖； 圖3是表示本發(fā)明的存儲載體的結(jié)構(gòu)的方框圖； 圖4是表示本發(fā)明的存儲載體的結(jié)構(gòu)的方框圖； 圖5是表示本發(fā)明的存儲載體的結(jié)構(gòu)的方框圖； 圖6是表示本發(fā)明的存儲載體的結(jié)構(gòu)的方框圖； 圖7是表示本發(fā)明的存儲栽體的結(jié)構(gòu)的方框圖； 圖8A和8B是表示本發(fā)明的存儲載體的結(jié)構(gòu)的立體圖； 圖9A和9B是表示本發(fā)明的存儲載體所具有的像素部的結(jié)構(gòu)的 俯視圖以及截面圖；圖10A和10B是表示本發(fā)明的存儲栽體所具有的像素部的結(jié)構(gòu) 的俯視圖以及截面圖；圖11A和11B是表示本發(fā)明的存儲栽體所具有的像素部的結(jié)構(gòu) 的俯視圖；圖12A和12B是表示本發(fā)明的存儲載體所具有的像素部的結(jié)構(gòu) 的俯視圖；圖13A至13C是表示本發(fā)明的存儲載體的制造方法的圖； 圖14A至14C是表示本發(fā)明的存儲載體的制造方法的圖； 圖15A至15C是表示本發(fā)明的存儲載體的制造方法的圖； 圖16A和16B是表示本發(fā)明的存儲載體的制造方法的圖； 圖17A和17B是表示本發(fā)明的存儲栽體的制造方法的圖。
具體實施方式
以下參照附圖來說明本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明可以以多 種不同方式而實施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通人員可以很容易地理解一個 事實，就是其方式及詳細內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離 本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本實 施方式所記載的內(nèi)容中。實施方式1參照圖1A說明本發(fā)明的存儲栽體的結(jié)構(gòu)。圖1A是粗略表示本 發(fā)明的存儲載體的一個形式的方框圖。在圖1A中，存儲載體100包 括用來儲存數(shù)據(jù)的存儲器109、根據(jù)從詢問器以無線方式發(fā)送來的信 號從存儲器109讀出數(shù)據(jù)的控制電路108、根據(jù)算法轉(zhuǎn)換所讀出的數(shù) 據(jù)的轉(zhuǎn)換器113、利用被轉(zhuǎn)換器113轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生圖像信號的圖 像信號產(chǎn)生電路112、利用圖像信號來顯示代碼的顯示裝置104。圖2表示圖1A所表示的存儲栽體100的更具體結(jié)構(gòu)的一個例子。 圖2是表示本發(fā)明的存儲載體的一個形式的方框圖。在圖2中，存儲 載體100包括天線電路101、集成電路102、蓄電池103、顯示裝置 104。集成電路102包括電源電路105、解調(diào)電路106、調(diào)制電路107、控制電路108、存儲器109、充電電路IIO、圖像信號產(chǎn)生電路112、 轉(zhuǎn)換器113。此外，顯示裝置104包括驅(qū)動電路114、像素部115。當信號從詢問器120以無線方式發(fā)送來時，天線電路101接收該 信號而產(chǎn)生包含來自詢問器120的指令的信號。解調(diào)電路106解調(diào)天 線電路IOI所產(chǎn)生的信號，并向后級的控制電路108輸出?？刂齐娐?108分析從解調(diào)電路106輸入的信號，并且根據(jù)從詢問器120發(fā)送來 的指令內(nèi)容來讀出存儲器109所儲存的數(shù)據(jù)。注意，控制電路108也 可以根據(jù)從解調(diào)電路106輸入的信號進行運算處理。當進行上述運算 處理時，可以使用存儲器109的區(qū)域的一部分或者另外設(shè)置的存儲器 作為一次高速緩沖存儲器或者二次高速緩沖存儲器。在控制電路108中，包含從存儲器109讀出來的數(shù)據(jù)的輸出用信 號被編碼化且被發(fā)送到調(diào)制電路107。調(diào)制電路107根據(jù)該信號調(diào)制 天線電路IOI所接收的無線信號。被調(diào)制的無線信號被詢問器120接 收。通過上述一系列工作，可以以無線方式將存儲栽體100所具有的 存儲器109中的數(shù)據(jù)發(fā)送到詢問器120。因此，可以識別存儲栽體100 的識別信息等數(shù)據(jù)。另一方面，電源電路105通過將天線電路IOI所接收的信號的電 壓整流并平滑，來產(chǎn)生電源用電壓。電源電路105所產(chǎn)生的電源用電 壓被供給到控制電路108和充電電路110。注意，也可以在將由天線 電路101所接收的信號整流并平滑后，利用調(diào)整器(regulator)等恒 壓電路使電壓穩(wěn)定化后供給到控制電路108和充電電路110作為電源 用電壓。充電電路IIO調(diào)整來自電源電路105的電源用電壓的大小， 并且利用該所調(diào)整的電壓對蓄電池103進行充電。此外，電源電路105 所產(chǎn)生的電源用電壓被供給到集成電路102中的解調(diào)電路106、調(diào)制 電路107、控制電路108、存儲器109、圖像信號產(chǎn)生電路112、轉(zhuǎn)換 器113等各種電路、以及顯示裝置104。注意，也可以在集成電路102中設(shè)置用來控制電源電路105的充 電控制電路，以便防止對蓄電池103進行過度的充電。此外，電源電 路105可以由整流電路、平滑用電容器、調(diào)整器、開關(guān)電路等構(gòu)成。通過將二極管使用于上述開關(guān)電路，即使不使用充電控制電路也可以抑制對蓄電池103進行過度的充電。此外，在本發(fā)明的存儲載體100中，根據(jù)來自解調(diào)電路106的信 號，利用控制電路108讀出存儲器109所儲存的數(shù)據(jù)，并且該數(shù)據(jù)被 發(fā)送到轉(zhuǎn)換器113,轉(zhuǎn)換器113根據(jù)由所規(guī)定的算法轉(zhuǎn)換所輸入的數(shù) 據(jù)，來產(chǎn)生用來顯示代碼的圖像信號，并且將該圖像信號輸出于圖像 信號產(chǎn)生電路112。該算法既可以由存儲器109儲存，又可以由另外 準備的存儲器儲存。轉(zhuǎn)換器113通過利用控制電路108從存儲器讀出 來的算法，進行數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換。圖像信號產(chǎn)生電路112對根據(jù)顯示裝置 104的規(guī)格而輸入的圖像信號施行信號處理，并且將該圖像信號輸入 于顯示裝置104。在顯示裝置104中，通過使驅(qū)動電路114根據(jù)所輸入的圖像信號 控制像素部115的動作，來使像素部115顯示對應(yīng)于存儲器109所儲 存的數(shù)據(jù)的代碼?？梢酝ㄟ^利用掃描器(scanner)等從像素部115 所顯示的代碼中光學(xué)地讀取數(shù)據(jù)。注意，所顯示的代碼的種類可以是一維代碼(條碼)或二維代碼， 只要可以光學(xué)地讀出數(shù)據(jù)，就還可以使用具有上述以外的形式的代 碼。此外，也可以通過設(shè)置用于轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的算法彼此不同的多個轉(zhuǎn)換 器113，來切換顯示于顯示裝置的代碼的種類。注意，雖然在圖2中說明使用蓄電池103的存儲栽體的結(jié)構(gòu)，但 是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以使用一次電池而代替蓄電池。圖3 是表示使用一次電池的本發(fā)明的存儲載體的一個形式的方框圖。在圖 3中也利用相同附圖標記來表示在圖2中已經(jīng)表示的部分。圖3所表示的存儲載體100包括天線電路101、集成電路102、 一次電池lll、顯示裝置104。集成電路102包括解調(diào)電路106、調(diào)制 電路107、控制電路108、存儲器109、圖像信號產(chǎn)生電路112、轉(zhuǎn)換 器113。此外，顯示裝置104包括驅(qū)動電路114、像素部115。在圖3 所表示的存儲載體IOO中，從一次電池lll將電源用電壓供給到集成 電路102中的解調(diào)電路106、調(diào)制電路107、控制電路108、存儲器109、圖像信號產(chǎn)生電路112、轉(zhuǎn)換器113等各種電路、以及顯示裝置 104。此外，在圖2和圖3所表示的本發(fā)明的存儲載體100中，既可以 始終使顯示裝置104顯示代碼，又可以根據(jù)來自詢問器120的指令切 換代碼的顯示/不顯示。當存儲器109是能夠重寫的類型時，也可以根 據(jù)重寫的數(shù)據(jù)改變顯示裝置104所顯示的代碼。再者，在圖2和圖3所表示的本發(fā)明的存儲載體100中，當在像 素部115中將具有存儲器特性的顯示元件使用于像素時，除了重寫時 以外，幾乎不消耗電力，而可以長期間維持代碼的顯示。因此，即使 產(chǎn)生如下問題，也只要使顯示裝置104至少一次顯示代碼后，就可以 利用掃描器等從所顯示的代碼中光學(xué)地讀出數(shù)據(jù)存儲器109損壞而 不能讀出數(shù)據(jù)；不能將電源用電壓供給到顯示裝置104;集成電路102 所具有的各種電路產(chǎn)生問題而在存儲栽體100和詢問器120之間不能 進行通訊；等等。通過調(diào)制用作載波的信號，來實現(xiàn)圖2和圖3所表示的存儲栽體 100和詢問器之間以無線方式進行的信號的發(fā)送/接收。根據(jù)規(guī)格有各 種各樣的載波諸如125kHz、 13.56MHz、 950MHz、 2.45GHz等。此 外，根據(jù)規(guī)格有各種各樣的調(diào)制方式諸如幅度調(diào)制、頻率調(diào)制、相位 調(diào)制等，但是只要是適應(yīng)規(guī)格的調(diào)制方式就可以使用任一種調(diào)制方 式。再者，根據(jù)載波的波長可以將詢問器120和存儲栽體100之間的 信號傳輸方式分類為各種種類諸如電磁耦合方式、電磁感應(yīng)方式、微 波方式等。此外，在圖2和圖3所表示的存儲載體100中，存儲器109優(yōu)選 為非易失性存儲器。但是，只要可以通過始終將電源用電壓供給到存 儲器109來保存數(shù)據(jù)，就可以使用易失性存儲器。例如可以使用 SRAM、 DRAM、快閃存儲器、EEPROM、 FeRAM等作為存儲器109。雖然在圖2和圖3中說明具有天線電路IOI的存儲載體100的結(jié) 構(gòu)，但是本發(fā)明的存儲載體不一定要具有天線電路101。注意，雖然 設(shè)想天線電路101具有天線和與該天線并聯(lián)的電容器，但是根據(jù)天線的種類不一定要在天線電路101中設(shè)置電容器。對天線的形狀來說，只要是能夠以無線方式接收信號的，就可以。例如，可以使用偶極天 線、平板天線、環(huán)形天線、八木天線等。根據(jù)載波的波長、傳輸方式 適當?shù)剡x擇天線的形狀，即可。此外，雖然在圖2和圖3中說明僅僅具有一個天線電路101的存 儲載體100的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。存儲栽體100也可 以具有兩個天線電路即用來接收電力的天線電路和用來接收信號的 天線電路。當存儲栽體100僅僅具有一個天線電路時，例如在以 950MHz的電波進行電力的供給和信號的傳輸?shù)那闆r下，有可能大電 力被傳輸?shù)竭h方，從而妨礙其他無線設(shè)備的接收。因此，優(yōu)選的是， 降低電波的頻率且以近距離進行電力的供給，但是在此情況下通訊距 離必然變短。但是，當存儲栽體100具有兩個天線電路時，可以分別 使用用來供給電力的電波的頻率和用來發(fā)送信號的電波的頻率。例 如，當發(fā)送電力時，以電波的頻率為13.56MHz并使用電磁感應(yīng)方式； 并且當發(fā)送信號時，以電波的頻率為950MHz并^f吏用電波方式。如此， 通過根據(jù)功能分別使用天線電路，可以以近距離進行電力的供給并且 以遠距離進行信號的傳輸。此外，雖然在圖2和圖3中說明具有電池的有源型存儲栽體的結(jié) 構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的存儲栽體也可以是無源型 存儲載體，其中沒有電池而僅僅使用從詢問器以無線方式發(fā)送來的電力進行工作。但是，當存儲器109是易失性的時，更優(yōu)選使用有源型 存儲栽體，這是因為可以繼續(xù)對存儲器109供給電力的緣故。 實施方式2參照圖1B說明本發(fā)明的存儲載體的結(jié)構(gòu)。圖1B是粗略表示本 發(fā)明的存儲栽體的一個形式的方框圖。在圖1B中，存儲載體200包 括用來儲存數(shù)據(jù)的存儲器209、儲存有通過根據(jù)算法轉(zhuǎn)換存儲器209 所儲存的數(shù)據(jù)而得到的數(shù)據(jù)的圖像信號用存儲器216、根據(jù)從詢問器 以無線方式發(fā)送來的信號而從圖像信號用存儲器216讀出數(shù)據(jù)的控制 電路208、利用所讀出的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生圖像信號的圖像信號產(chǎn)生電路212、利用圖像信號來顯示代碼的顯示裝置204。圖4表示圖IB所表示的存儲栽體200的更具體結(jié)構(gòu)的一個例子。 圖4是表示本發(fā)明的存儲載體的一個形式的方框圖。在圖4中，存儲 載體200包括天線電路201、集成電路202、蓄電池203、顯示裝置 204。集成電路202包括電源電路205、解調(diào)電路206、調(diào)制電路207、 控制電路208、存儲器209、充電電路210、圖像信號產(chǎn)生電路212、 圖像信號用存儲器216。此外，顯示裝置204包括驅(qū)動電路214、像 素部215。當信號從詢問器220以無線方式發(fā)送來時，與實施方式1同樣， 天線電路201接收該信號而產(chǎn)生包含來自詢問器220的指令的信號。 解調(diào)電路206解調(diào)天線電路201所產(chǎn)生的信號并向后級的控制電路 208輸出?？刂齐娐?08分析從解調(diào)電路206輸入的信號，并且根據(jù) 從詢問器220發(fā)送來的指令內(nèi)容來讀出存儲器209所儲存的數(shù)據(jù)。注 意，控制電路208也可以根據(jù)從解調(diào)電路206輸入的信號進行運算處 理。當進行上述運算處理時，可以使用存儲器209的區(qū)域的一部分或 者另外設(shè)置的存儲器作為一次高速緩沖存儲器或者二次高速緩沖存 儲器。在控制電路208中，包含從存儲器209讀出來的數(shù)據(jù)的輸出用信 號被編碼化且被發(fā)送到調(diào)制電路207。調(diào)制電路207根據(jù)該信號調(diào)制 由天線電路201所接收的無線信號。被調(diào)制的無線信號被詢問器220 接收。通過上述一系列工作，可以以無線方式將存儲載體200所具有 的存儲器209中的數(shù)據(jù)發(fā)送到詢問器220。據(jù)此，可以識別存儲栽體 200的識別信息等數(shù)據(jù)。另一方面，電源電路205通過將由天線電路201所接收的信號的 電壓整流并平滑，來產(chǎn)生電源用電壓。電源電路205所產(chǎn)生的電源用 電壓被供給到控制電路208和充電電路210。注意，也可以在將由天 線電路201所接收的信號整流并平滑后，利用調(diào)整器(regulator)等 恒壓電路使電壓穩(wěn)定化然后供給到控制電路208和充電電路210作為 電源用電壓。充電電路210調(diào)整來自電源電路205的電源用電壓的大小，并且利用該調(diào)整后的電壓對蓄電池203進行充電。此外，電源電 路205所產(chǎn)生的電源用電壓被供給到集成電路202中的解調(diào)電路206 、 調(diào)制電路207、控制電路208、存儲器209、圖像信號產(chǎn)生電路212、 圖像信號用存儲器216等各種電路、以及顯示裝置204。注意，也可以在集成電路202中設(shè)置用來控制電源電路205的充 電控制電路，以便防止對蓄電池203進行過度充電。此外，電源電路 205可以由整流電路、平滑用電容器、調(diào)整器、開關(guān)電路等構(gòu)成。通 過將二極管使用于上述開關(guān)電路，即使不使用充電控制電路也可以抑 制對蓄電池203進行過分充電。此外，在本發(fā)明的存儲載體200中，圖像信號用存儲器216儲存 有通過根據(jù)所規(guī)定的算法來轉(zhuǎn)換存儲器209所儲存的數(shù)據(jù)而得到的圖 像信號的數(shù)據(jù)。根據(jù)來自詢問器220的指令由控制電路208讀出圖像 信號用存儲器216所儲存的該數(shù)據(jù)，并且該數(shù)據(jù)作為圖像信號被輸出 到圖像信號產(chǎn)生電路212。圖像信號產(chǎn)生電路212對根據(jù)顯示裝置204 的規(guī)格而輸入的圖像信號施行信號處理，并且將該圖像信號輸入于顯 示裝置204。在顯示裝置204中，通過使驅(qū)動電路214根據(jù)所輸入的圖像信號 來控制像素部215的動作，來使像素部215顯示對應(yīng)于存儲器209所 儲存的數(shù)據(jù)的代碼?？梢酝ㄟ^利用掃描器(scanner)等從像素部215 所顯示的代碼中光學(xué)地讀取數(shù)據(jù)。注意，所顯示的代碼的種類可以是一維代碼(條碼)或二維代碼， 只要可以光學(xué)地讀出數(shù)據(jù)，就還可以使用具有上述以外的形式的代 碼。此外，也可以通過使圖像信號用存儲器216儲存用于轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的 算法彼此不同的多個圖像信號的數(shù)據(jù)，來切換顯示于顯示裝置的代碼 的種類。在此情況下，既可以使一個圖像信號用存儲器216中的不同 區(qū)域儲存上述多個數(shù)據(jù)，又可以利用多個圖像信號用存儲器216來儲 存上述多個數(shù)據(jù)。此外，雖然在圖4中說明具有存儲器209和圖像信號用存儲器 216的存儲載體200的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以使存儲器209儲存圖像信號用存儲器216應(yīng)該儲存的數(shù)據(jù)而不設(shè)置圖像 信號用存儲器216。注意，雖然在圖4中說明使用蓄電池203的存儲栽體的結(jié)構(gòu)，但 是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以使用一次電池而代替蓄電池。圖5 是表示使用 一次電池的本發(fā)明的存儲載體的一個形式的方框圖。在圖 5中也利用相同附圖標記來表示在圖4中已經(jīng)表示的部分。圖5所表示的存儲栽體200包括天線電路201、集成電路202、 一次電池211、顯示裝置204。集成電路202包括解調(diào)電路206、調(diào)制 電路207、控制電路208、存儲器209、圖像信號產(chǎn)生電路212、圖像 信號用存儲器216。此外，顯示裝置204包括驅(qū)動電路214、像素部 215。在圖5所表示的存儲栽體200中，從一次電池211將電源用電 壓供給到集成電路202中的解調(diào)電路206、調(diào)制電路207、控制電路 208、存儲器209、圖像信號產(chǎn)生電路212、圖像信號用存儲器216等 各種電路、以及顯示裝置204。此外，在圖4和圖5所表示的本發(fā)明的存儲栽體200中，既可以 始終使顯示裝置204顯示代碼，又可以根據(jù)來自詢問器220的指令切 換代碼的顯示/不顯示。并且，當存儲器209以及圖4象信號用存儲器 216是能夠重寫的類型時，也可以根據(jù)重寫的數(shù)據(jù)改變顯示裝置204 所顯示的代碼。再者，在圖4和圖5所表示的本發(fā)明的存儲栽體200中，當在像 素部215中將具有存儲器特性的顯示元件使用于像素時，除了重寫時 以外，幾乎不消耗電力，而可以長期間維持代碼的顯示。因此，即使 產(chǎn)生如下問題，也只要使顯示裝置204至少一次顯示代碼后，就可以 利用掃描器等從所顯示的代碼中光學(xué)地讀出數(shù)據(jù)存儲器209或者圖 像信號用存儲器216損壞而不能讀出數(shù)據(jù)；不能將電源用電壓供給到 顯示裝置204;集成電路202所具有的各種電路產(chǎn)生問題而在存儲載 體200和詢問器220之間不能進行通訊；等等。通過調(diào)制作為載波的信號，來實現(xiàn)圖4和圖5所表示的存儲載體 200和詢問器之間以無線方式進行的信號的發(fā)送/接收。根據(jù)規(guī)格有各種各樣的栽波諸如125kHz、 13.56MHz、 950MHz、 2.45GHz等。此外，根據(jù)規(guī)格有各種各樣的調(diào)制方式諸如幅度調(diào)制、頻率調(diào)制、相位 調(diào)制等，但是只要是適應(yīng)規(guī)格的調(diào)制方式就可以使用任一種調(diào)制方 式。此外，根據(jù)載波的波長可以將詢問器220和存儲栽體200之間的 信號傳輸方式分類為各種種類諸如電磁耦合方式、電磁感應(yīng)方式、微 波方式等。此外，在圖4和圖5所表示的存儲載體200中，存儲器209或者 圖像信號用存儲器216優(yōu)選為非易失性存儲器。但是，只要可以通過 經(jīng)常將電源用電壓供給到存儲器209或者圖像信號用存儲器216來保 存數(shù)據(jù)，就可以使用易失性存儲器。例如可以使用SRAM、 DRAM、 快閃存儲器、EEPROM、 FeRAM等作為存儲器209或者圖像信號用 存儲器216。雖然在圖4和圖5中說明具有天線電路201的存儲栽體200的結(jié) 構(gòu)，但是本發(fā)明的存儲載體不一定要具有天線電路201。注意，雖然 設(shè)想天線電路201具有天線和與該天線并聯(lián)的電容器，但是根據(jù)天線 的種類不一定要在天線電路201中設(shè)置電容器。對天線的形狀來說， 只要是能夠以無線方式接收信號的，就可以。例如，可以使用偶極天 線、平板天線、環(huán)形天線、八木天線等。根據(jù)栽波的波長、傳輸方式 適當?shù)剡x擇天線的形狀即可。此外，雖然在圖4和圖5中說明僅僅具有一個天線電路201的存 儲載體200的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。存儲載體200也可 以具有兩個天線電路即用來接收電力的天線電路和用來接收信號的 天線電路。當存儲載體200僅僅具有一個天線電路時，例如在以 950MHz的電波進行電力的供給和信號的傳輸?shù)那闆r下，有可能大電 力被傳輸?shù)竭h方，從而妨礙其他無線設(shè)備的接收。因此，優(yōu)選的是， 降低電波的頻率且以近距離進行電力的供給，但是在此情況下通訊距 離必然變短。但是，當存儲載體200具有兩個天線電路時，可以分別 使用用來供給電力的電波的頻率和用來發(fā)送信號的電波的頻率。例 如，當發(fā)送電力時，以電波的頻率為13.56MHz并使用電磁感應(yīng)方式；并且當發(fā)送信號時，以電波的頻率為950MHz并使用電波方式。如此， 通過根據(jù)功能分別使用天線電路，可以以近距離進行電力的供給并且 以遠距離進行信號的傳輸。此外，雖然在圖4和圖5中說明具有電池的有源型存儲載體的結(jié) 構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的存儲栽體也可以是無源型 存儲載體，其中沒有電池且僅僅使用從詢問器以無線方式發(fā)送來的電力進行工作。但是，當存儲器209是易失性的時，更優(yōu)選使用有源型 存儲載體，這是因為可以持續(xù)對存儲器209供給電力的緣故。 可以將本實施方式與上述實施方式組合而實施。實施方式3參照圖6說明本發(fā)明的存儲栽體的結(jié)構(gòu)。圖6是表示本發(fā)明的存 儲栽體的一個形式的方框圖。在圖6中，存儲栽體300包括天線電路 301、集成電路302、蓄電池303、顯示裝置304、端子317。集成電 路302包括電源電路305、解調(diào)電路306、調(diào)制電路307、控制電路 308、存儲器309、充電電路310、圖像信號產(chǎn)生電路312、轉(zhuǎn)換器313、 接口 318。此外，顯示裝置304包括驅(qū)動電路314、 # 素部315。當信號從詢問器以無線方式發(fā)送來時，與實施方式l同樣，天線 電路301接收該信號而產(chǎn)生包含來自詢問器的指令的信號 解調(diào)電路 306解調(diào)天線電路301所產(chǎn)生的信號并向后級的控制電路308輸出。 控制電路308分析從解調(diào)電路306輸入的信號，并且根據(jù)從詢問器發(fā) 送來的指令內(nèi)容來讀出存儲器309所儲存的數(shù)據(jù)。注意，控制電路308 也可以根據(jù)從解調(diào)電路306輸入的信號進行運算處理。當進行上述運 算處理時，可以使用存儲器309的區(qū)域的一部分或者另外設(shè)置的存儲 器作為一次高速緩沖存儲器或者二次高速緩沖存儲器。在控制電路308中包含從存儲器309讀出來的數(shù)據(jù)的輸出用信號 被編碼化且被發(fā)送到調(diào)制電路307。調(diào)制電路307根據(jù)該信號來調(diào)制 天線電路301所接收的無線信號。被調(diào)制的無線信號被詢問器接收。 通過上述一系列動作，可以以無線方式將存儲器309中的數(shù)據(jù)從存儲 載體300發(fā)送到詢問器。因此，可以識別存儲栽體300的識別信息等數(shù)據(jù)。此外，也可以利用端子317將本實施方式的存儲載體300直接連 接到詢問器。當從端子317輸入信號時，在接口 318中對該信號施行 諸如電壓幅度的調(diào)整、波形的整形等信號處理并輸入到集成電路302 中的各種電路以及顯示裝置304等。此外，也可以從集成電路302經(jīng) 過接口 318以及端子317將輸出用信號發(fā)送到詢問器。通過設(shè)置端子 317和接口 318，即使在不能以無線方式進行信號的發(fā)送/接收的情況 下，也可以進行與詢問器之間的通訊。另一方面，電源電路305通過將由天線電路301所接收的信號的 電壓整流并平滑，來產(chǎn)生電源用電壓。電源電路305所產(chǎn)生的電源用 電壓被供給到控制電路308和充電電路310。注意，也可以在將天線 電路301所接收的信號整流并平滑后，利用調(diào)整器(regulator)等恒 壓電路使電壓穩(wěn)定化然后供給到控制電路308和充電電路310作為電 源用電壓。充電電路310調(diào)整來自電源電路305的電源用電壓的大小， 并且利用該所調(diào)整的電壓對蓄電池303進行充電。此外，電源電路305 所產(chǎn)生的電源用電壓被供給到集成電路302中的解調(diào)電路306、調(diào)制 電路307、控制電路308、存儲器309、圖像信號產(chǎn)生電路312、轉(zhuǎn)換 器313、接口318等各種電路、以及顯示裝置304。注意，也可以在集成電路302中設(shè)置用來控制電源電路305的充 電控制電路，以便防止對蓄電池303進行過度充電。此外，電源電路 305可以由整流電路、平滑用電容器、調(diào)整器、開關(guān)電路等構(gòu)成。通 過將二極管使用于上述開關(guān)電路，即使不使用充電控制電路也可以抑 制對蓄電池303進行過度充電。注意，在本實施方式中，可以經(jīng)過端子317以及接口 318將電源 用電壓直接供給到電源電路305和顯示裝置304。因此，即使在不能 以無線方式供給電力的情況下，也可以進行對存儲栽體300的電力供 給。此外，在本發(fā)明的存儲栽體300中，根據(jù)來自解調(diào)電路306的信 號，利用控制電路308讀出存儲器309所儲存的數(shù)據(jù)并且發(fā)送到轉(zhuǎn)換器313。轉(zhuǎn)換器313通過根據(jù)規(guī)定的算法轉(zhuǎn)換所輸入的數(shù)據(jù)，來產(chǎn)生 用來顯示代碼的圖像信號，并且將該圖像信號輸出于圖像信號產(chǎn)生電 路312。該算法既可以由存儲器309儲存，又可以由另外準備的存儲 器儲存。轉(zhuǎn)換器313利用由控制電路308從存儲器309讀出來的算法， 進行數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換。此外，也可以將算法從端子317輸入到存儲栽體300。 圖像信號產(chǎn)生電路312對根據(jù)顯示裝置304的規(guī)格而輸入的圖像信號 施行信號處理，并且將該圖像信號輸入于顯示裝置304。在顯示裝置304中，通過使驅(qū)動電路314根據(jù)所輸入的圖4象信號 來控制像素部315的動作，來使像素部315顯示對應(yīng)于存儲器309所 儲存的數(shù)據(jù)的代碼。可以通過利用掃描器(scanner)等從像素部315 所顯示的代碼中光學(xué)地讀取數(shù)據(jù)。注意，所顯示的代碼的種類可以是一維代碼(條碼)或二維代碼， 只要可以光學(xué)地讀出數(shù)據(jù)，就還可以使用具有上述以外的形式的代 碼。此外，也可以通過設(shè)置用于轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的算法彼此不同的多個轉(zhuǎn)換 器313，來改換顯示于顯示裝置304的代碼的種類。注意，雖然在圖6中說明使用蓄電池303的存儲栽體的結(jié)構(gòu)，但 是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以使用一次電池而代替蓄電池303。 圖7是表示使用一次電池的本發(fā)明的存儲栽體的一個形式的方框圖。 在圖7中也利用相同附圖標記來表示在圖6中已經(jīng)表示的部分。圖7所表示的存儲載體300包括天線電路301、集成電路302、 一次電池311、顯示裝置304以及端子317。集成電路302包括解調(diào) 電路306、調(diào)制電路307、控制電路308、存儲器309、圖像信號產(chǎn)生 電路312、轉(zhuǎn)換器313、接口318。此外，顯示裝置304包括驅(qū)動電路 314、像素部315。在圖7所表示的存儲載體300中，從一次電池311 將電源用電壓供給到集成電路302中的解調(diào)電路306、調(diào)制電路307、 控制電路308、存儲器309、圖像信號產(chǎn)生電路312、轉(zhuǎn)換器313、接 口318等各種電路、以及顯示裝置304。此外，在圖6和圖7所表示的本發(fā)明的存儲載體300中，既可以 始終使顯示裝置304顯示代碼，又可以根據(jù)來自詢問器的指令切換代碼的顯示/不顯示。并且，當存儲器309是能夠重寫的類型時，也可以 根據(jù)重寫的數(shù)據(jù)改變顯示裝置304所顯示的代碼。再者，在圖6和圖7所表示的本發(fā)明的存儲載體300中，當在像 素部315中將具有存儲器特性的顯示元件使用于像素時，除了重寫時 以外，幾乎不消耗電力，而可以長期間維持代碼的顯示。因此，即使 產(chǎn)生如下問題，也只要使顯示裝置304至少一次顯示代碼后，就可以 利用掃描器等從所顯示的代碼中光學(xué)性地讀出數(shù)據(jù)存儲器309損壞 而不能讀出數(shù)據(jù)；不能將電源用電壓供給到顯示裝置304;集成電路 302所具有的各種電路產(chǎn)生問題而在存儲栽體300和詢問器之間不能 進行通訊；等等。通過調(diào)制用作載波的信號，來實現(xiàn)圖6和圖7所表示的存儲栽體 300和詢問器之間以無線方式進行的信號的發(fā)送/接收。根據(jù)規(guī)格有各 種各樣的栽波諸如125kHz、 13.56MHz、 950MHz、 2.45GHz等。此 外，根據(jù)規(guī)格有各種各樣的調(diào)制方式諸如幅度調(diào)制、頻率調(diào)制、相位 調(diào)制等，但是只要是適應(yīng)規(guī)格的調(diào)制方式就可以使用哪一種調(diào)制方 式。此外，根據(jù)栽波的波長可以將詢問器和存儲載體300之間的信號 傳輸方式分類為各種種類諸如電磁耦合方式、電磁感應(yīng)方式、微波方 式等。此外，在圖6和圖7所表示的存儲載體300中，存儲器309優(yōu)選 為非易失性存儲器。但是，只要可以通過始終將電源用電壓供給到存 儲器309來保存數(shù)據(jù)，就可以使用易失性存儲器。例如可以使用 SRAM、 DRAM、快閃存儲器、EEPROM、 FeRAM等作為存儲器309。雖然在圖6和圖7中說明具有天線電路301的存儲載體300的結(jié) 構(gòu)，但是本發(fā)明的存儲載體不一定要具有天線電路301。注意，雖然 設(shè)想天線電路301具有天線和與該天線并聯(lián)的電容器，但是根據(jù)天線 的種類不一定要在天線電路301中設(shè)置電容器。對天線的形狀來說， 只要是能夠以無線方式接收信號的，就可以。例如，可以使用偶極天 線、平板天線、環(huán)形天線、八木天線等。根據(jù)載波的波長、傳輸方式 適當?shù)剡x擇天線的形狀，即可。此外，雖然在圖6和圖7中說明僅僅具有一個天線電路301的存 儲載體300的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。存儲載體300也可 以具有兩個天線電路即用來接收電力的天線電路和用來接收信號的 天線電路。當存儲載體300僅僅具有一個天線電路時，例如在以 950MHz的電波進行電力的供給和信號的傳輸?shù)那闆r下，有可能大電 力被傳輸?shù)竭h方，從而妨礙其他無線設(shè)備的接收。因此，優(yōu)選的是， 降低電波的頻率且以近距離進行電力的供給，但是在此情況下通訊距 離必然變短。但是，當存儲載體300具有兩個天線電路時，可以分別 使用用來供給電力的電波的頻率和用來發(fā)送信號的電波的頻率。例 如，當發(fā)送電力時，以電波的頻率為13.56MHz并使用電磁感應(yīng)方式； 并且當發(fā)送信號時，以電波的頻率為950MHz并使用電波方式。如此， 通過根據(jù)功能分別使用天線電路，可以以近距離進行電力的供給并且 以遠距離進行信號的傳輸。此外，雖然在圖6和圖7中說明具有電池的有源型存儲載體的結(jié) 構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的存儲載體也可以是無源型 存儲栽體，其中沒有電池且僅僅使用從詢問器以無線方式發(fā)送來的電力進行工作。但是，當存儲器309是易失性的時，更優(yōu)選使用有源型 存儲栽體，這是因為可以繼續(xù)對存儲器309供給電力的緣故。本實施方式可以與上述的實施方式組合實施。實施例1在本實施例中說明本發(fā)明的存儲載體的外觀以及其內(nèi)部的具體結(jié)構(gòu)。圖8A表示本發(fā)明的存儲載體的立體圖作為一個例子。圖8A所 表示的存儲載體包括天線電路401、集成電路402、顯示裝置403。圖 8A表示顯示裝置403的像素部顯示一維代碼404的例子。此外，圖8B表示在圖8A所表示的存儲栽體中從襯底405卸下 覆蓋材料406的情況。在襯底405上設(shè)置有天線電路401以及集成電 路402，并且天線電路401以及集成電路402夾在襯底405和覆蓋材 料406之間。此外，將顯示裝置403與天線電路401以及集成電路402一起設(shè)置在襯底405上。在存儲載體中，既可以在襯底405上形成有天線電路401和集成 電路402,又可以將另外準備的天線電路401與形成在襯底405上的 集成電路402連接。此外，可以將顯示裝置403與集成電路402 —起 形成在襯底405上。注意，在圖8A和8B所示的存儲栽體中，覆蓋材料406在與顯 示裝置403重疊的區(qū)域中具有開口部407。通過使顯示裝置403在開 口部407中露出，可以利用掃描器讀取顯示裝置403所顯示的代碼。 注意，覆蓋材料406并不一定需要具有開口部407。例如，當覆蓋材 料406在至少與顯示裝置403重疊的區(qū)域中具有透光性時，即使整個 顯示裝置403被覆蓋材料406覆蓋，也可以利用掃描器讀取顯示裝置 403所顯示的代碼。注意，天線電路401所具有的天線的形狀不局限于本實施例所示 的偶極天線。對天線的形狀來說，只要是能夠以無線方式接收信號的， 就可以。例如，除了偶極天線以外，還可以使用平板天線、環(huán)形天線、 八木天線等。根據(jù)載波的波長、傳輸方式適當?shù)剡x擇天線的形狀，即 可?？梢詫⒈緦嵤├c上述實施方式組合而實施。 實施例2在本實施例中，舉出一個例子而說明本發(fā)明的存儲栽體所具有的 無源矩陣型顯示裝置的更具體結(jié)構(gòu)。圖9A表示本發(fā)明的存儲栽體所具有的顯示裝置的像素部500、 第一電極驅(qū)動電路501、第二電極驅(qū)動電路502的俯視圖。在圖9A 中，在像素部500的周邊設(shè)置有第一電極驅(qū)動電路501、第二電極驅(qū) 動電路502。像素部500具有多個像素503，并且各個像素503設(shè)置 有顯示元件。此外，圖9B表示各像素503所設(shè)置的顯示元件的截面 圖。顯示元件507包括由第一電極驅(qū)動電路501供給圖像信號的電 壓的第一電極504;由第二電極驅(qū)動電路502選擇的第二電極505;由第一電極504以及第二電極505施加電壓的顯示材料506。注意，在本實施例中示出在第一電極504以及笫二電極505之間 具有顯示材料506的顯示元件507的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié) 構(gòu)。也可以采用在將絕緣膜夾在中間的第一電極和第二電極上具有顯 示材料的顯示元件。但是，在此情況下，按第二電極、絕緣膜、第一 電極、反射光的絕緣膜、顯示材料的順序進行層疊。并且，以形成顯 示材料僅僅與第一電極和第二電極中的第二電極重疊的區(qū)域和顯示 材料與第一電極和第二電極雙方重疊的區(qū)域的方式部分地形成第一 電極，并且使用在溶劑中分散有帶電的微粒子的顯示材料。此外，在圖9B中，使用溶劑508、分散在溶劑508中的扭轉(zhuǎn)球 509作為顯示材料506。通過根據(jù)施加到第一電極的圖像信號的電壓 使具有分別帶著不同電荷的兩種顏色的半球的扭轉(zhuǎn)球509在溶劑508 中旋轉(zhuǎn)，可以顯示兩值灰度。注意，在本實施例中可以使用的顯示材 料不局限于此。注意，在本實施例中舉出使用具有存儲器特性的顯示材料的顯示 元件作為例子來進行說明，但是本發(fā)明所使用的顯示元件不局限于該 結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的存儲栽體也可以使用以有機發(fā)光元件(OLED)為典 型的發(fā)光元件、以及液晶元件等。可以將本實施例與上述實施方式或者上述實施例組合而實施。實施例3在本實施例中，舉出一個例子來說明本發(fā)明的存儲栽體所具有的 有源矩陣型顯示裝置的更具體結(jié)構(gòu)。圖IOA表示本發(fā)明的存儲載體所具有的顯示裝置的像素部600、 信號線驅(qū)動電路601、掃描線驅(qū)動電路602的俯視圖。在圖10A中， 在像素部600的周邊設(shè)置有信號線驅(qū)動電路601、掃描線驅(qū)動電路 602。像素部600具有多個像素603。像素603包括晶體管610、顯示元件607、保持電容器611。圖 IOB表示各像素603所設(shè)置的顯示元件607的截面圖。顯示元件607 包括第一電極604、第二電極605、由第一電極604以及第二電極605施加電壓的顯示材料606。晶體管610的柵電極與由掃描線驅(qū)動電路 602選擇的掃描線612連接。此外，晶體管610的源區(qū)和漏區(qū)中的一 個與由信號線驅(qū)動電路601供給圖像信號的電壓的信號線613直接連 接或者電連接，晶體管610的源區(qū)和漏區(qū)中的另一個與顯示元件607 的第 一 電極604直接連接或者電連接。注意，在圖10A中，為了保持施加到顯示元件607的第一電極 604和第二電極605之間的電壓，使保持電容器611與顯示元件607 并聯(lián)連接，但是當顯示材料606的存儲器特性高到足以維持顯示時， 并不一定要設(shè)置保持電容器611。注意，在實施例中示出在第一電極604以及第二電極605之間具 有顯示材料606的顯示元件607的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。 也可以采用在將絕緣膜夾在中間的第一電極和第二電極上具有顯示 材料的顯示元件。但是，在此情況下，按第二電極、絕緣膜、第一電 極、反射光的絕緣膜、顯示材料的順序進行層疊。并且，以形成顯示 材料僅僅與第一電極和第二電極中的第二電極重疊的區(qū)域和顯示材 料與第一電極和第二電極雙方重疊的區(qū)域的方式部分地形成第一電 極，并且使用在溶劑中分散有帶電的微粒子的顯示材料。此外，在圖10B中，使用溶劑608、分散在溶劑608中的扭轉(zhuǎn)球 609作為顯示材料606。通過根據(jù)施加到第一電極604的圖像信號的608中旋轉(zhuǎn)，可以顯示兩值灰度。注意，在本實施例中可以使用的顯 示材料不局限于此。此外，晶體管610的形狀不局限于圖10B所示的形式。例如， 也可以使用將柵電極設(shè)置在襯底和有源層之間的底柵型晶體管作為 晶體管610。注意，在本實施例中說明在各像素中設(shè)置一個晶體管用作開關(guān)元 件的有源矩陣型像素部的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。設(shè)置在 像素中的晶體管的數(shù)目可以為多個，或者除了晶體管以外還可以電連 接電容器、電阻、線圍等元件。注意，在本實施例中舉出使用具有存儲器特性的顯示材料的顯示 元件作為例子來進行說明，但是本發(fā)明所使用的顯示元件不局限于該結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的存儲載體也可以使用以有機發(fā)光元件(OLED)為典 型的發(fā)光元件、以及液晶元件等?？梢詫⒈緦嵤├c上述實施方式或者上述實施例組合而實施。實施例4在本實施例中，將說明像素部所顯示的符號的種類和像素部的結(jié)構(gòu)。圖IIA表示顯示一維代碼的像素部1801的情況。 一維代碼包括 用來顯示信息的符號1802、設(shè)置在符號1802的左右的空白區(qū)1803。 雖然根據(jù)一維代碼所具有的信息或者一維代碼的規(guī)格而不同，但是符 號1802基本上具有多個條和空依次排列的結(jié)構(gòu)。此外，如圖11A所 示，也可以在條和空排列的區(qū)域下顯示數(shù)字?？瞻讌^(qū)1803是為了讀取一維代碼而設(shè)置的空白區(qū)域。根據(jù)規(guī)格 而不同，但是，優(yōu)選的是，以符號1802所具有的條中的最細條的寬 度的十倍以上的寬度將空白區(qū)1803分別設(shè)置在符號1802的左右。在 像素部1801所顯示的一維代碼的空白區(qū)1803的寬度被固定的情況 下，也可以預(yù)先在像素部1801中的用作空白區(qū)1803的區(qū)域中不配置 像素。圖IIB表示在顯示空白區(qū)1803的寬度預(yù)先被固定的一維代碼的 情況下的像素部1801中的像素被配置的區(qū)域(像素配置區(qū)域)1804。 可以使像素配置區(qū)域1804顯示符號1802。并且，像素配置區(qū)域1804 ^L配置在一對空白區(qū)1803之間。注意，在圖11B中示出在用作空白區(qū)1803的區(qū)域中不配置像素 而僅僅在顯示符號1802的區(qū)域中配置像素的例子，但是本發(fā)明不局 限于該結(jié)構(gòu)。也可以在用作空白區(qū)1803的區(qū)域中也配置像素，并且 利用圖像信號形成用作空白區(qū)1803的區(qū)域。下面，圖12A表示顯示二維代碼的像素部901的情況。二維代 碼包括用來顯示信息的符號902、設(shè)置在符號902的上下左右的空白區(qū)卯3。雖然根據(jù)二維代碼所具有的信息或者二維代碼的規(guī)格而不同， 但是符號902基本上具有配置有多個單元(cell)和空的結(jié)構(gòu)。此外， 如圖12A所示，也可以在符號902中顯示圖案(cut-out)符號905， 以便實現(xiàn)如下情況無論符號902的配置方向如何，也可以讀出數(shù)據(jù)?？瞻讌^(qū)903是為了讀取二維代碼而設(shè)置的空白區(qū)域。根據(jù)規(guī)格而 不同，但是，優(yōu)選的是，以符號902所具有的單元的寬度的四倍以上 的寬度將空白區(qū)903分別設(shè)置在符號902的上下左右。在像素部901 所顯示的二維代碼的空白區(qū)卯3的寬度被固定的情況下，也可以預(yù)先 在像素部901中的用作空白區(qū)903的區(qū)域中不配置像素。圖12B表示在顯示空白區(qū)903的寬度預(yù)先被固定的二維代碼的 情況下的像素部901中的像素被配置的區(qū)域(像素配置區(qū)域)904。 可以使像素配置區(qū)域904顯示符號902。并且，像素配置區(qū)域904的 上下左右被空白區(qū)903圍繞。注意，在圖12B中示出在用作空白區(qū)903的區(qū)域中不配置像素 而僅僅在顯示符號902的區(qū)域中配置像素的例子，但是本發(fā)明不局限 于該結(jié)構(gòu)。也可以在用作空白區(qū)903的區(qū)域中也配置像素，并且利用 圖像信號形成用作空白區(qū)903的區(qū)域?？梢詫⒈緦嵤├c上述實施方式或者上述實施例組合而實施。實施例5接著，詳細說明本發(fā)明的存儲栽體的制造方法。注意，雖然在本 實施例中示出以薄膜晶體管(TFT)作為半導(dǎo)體元件的一例，但用于 本發(fā)明的存儲栽體的半導(dǎo)體元件不局限于此。例如，除了TFT以外， 還可以使用存儲元件、二極管、電阻、電容器、電感器等。首先，如圖13A所示，在具有耐熱性的襯底700上按順序形成 絕緣膜701、剝離層702、絕緣膜703、以及半導(dǎo)體膜704。絕緣膜701、 剝離層702、絕緣膜703、以及半導(dǎo)體膜704可以連續(xù)地形成。作為襯底700,例如可以使用如鋇硼硅酸鹽玻璃或硼硅酸鋁玻璃 等玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底等。此外，也可以使用包括不銹鋼 襯底的金屬襯底、或者如硅襯底等半導(dǎo)體襯底。雖然由具有撓性的合的耐熱溫度通常低于上述襯底，但只要能 夠耐受制造工序中的處理溫度，就可以使用。作為塑料襯底，可以舉出以聚對苯二曱酸乙二醇酯(PET)為典 型的聚酯、聚醚砜(PES)、聚萘二曱酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸 酯(PC)、尼龍、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亞胺 (PEI)、聚芳酯(PAR)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚酰 亞胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙酸乙烯、 丙烯酸樹脂等。注意，雖然在本實施例中在襯底700的整個表面上設(shè)置剝離層 702，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以使用光刻法等在襯 底700上部分地形成剝離層702。絕緣膜701和絕緣膜703通過使用CVD法或濺射法等并且使用 氧化硅、氮化硅(SiNx、 SbN4等)、氧氮化硅(SiOxNy) (x>y>0)、 氮氧化硅(SiNxOy) (x>y>0)等的具有絕緣性的材料形成。設(shè)置絕緣膜701和絕緣膜703，以便防止包含在襯底700中的 Na等的堿金屬或堿土金屬在半導(dǎo)體膜704中擴散而對TFT等半導(dǎo)體 元件的特性造成不良影響。另外，絕緣膜703還具有如下作用防止 包含在剝離層702中的雜質(zhì)元素在半導(dǎo)體膜704中擴散，并且在之后的剝離半導(dǎo)體元件的工序中保護半導(dǎo)體元件。絕緣膜701、絕緣膜703可以是使用一個絕緣膜而成的，也可以 是層疊多個絕緣膜而成的。在本實施例中，按順序?qū)盈B100nm厚的氧 氮化硅膜、50nm厚的氮氧化硅膜、100nm厚的氧氮化硅膜來形成絕 緣膜703，但各個膜的材質(zhì)、膜厚度、層疊數(shù)目不局限于此。例如， 也可以通過旋轉(zhuǎn)涂敷法、狹縫式涂布法(slit coating method )、液滴 噴射法、印刷法等形成0.5nm至3jim厚的硅氧烷系樹脂來代替下層的氧氮化硅膜。另外，也可以使用氮化硅膜(SiNx、 Si3N4等)來代替中層的氮氧化硅膜。另外，也可以使用氧化硅膜來代替上層的氧氮化 硅膜。另外，它們的膜厚度分別優(yōu)選為0.05fun至3pm，從該范圍內(nèi) 可以任意選擇?；蛘撸部梢允褂醚醯枘せ蜓趸枘ば纬膳c剝離層702最接 近的絕緣膜703的下層，使用硅氧烷系樹脂形成中層，并且使用氧化 硅膜形成上層。注意，硅氧烷樹脂相當于以硅氧烷系材料為起始材料而形成的包 含Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧烷系樹脂除了氫以外，還可以具有氟、烷 基或芳烴中的至少一種作為取代基。氧化硅膜可以使用硅烷和氧、TEOS (四乙氧基硅烷)和氧等的 混合氣體并且通過熱CVD、等離子體CVD、常壓CVD、偏置ECRCVD 等方法來形成。另外，氮化硅膜可以典型地使用硅烷和氨的混合氣體 并且通過等離子體CVD來形成。另外，氧氮化硅膜、氮氧化硅膜可 以典型地使用硅烷和一氧化二氮的混合氣體并且通過等離子體CVD 來形成。剝離層702可以使用金屬膜、金屬氧化膜、以及層疊金屬膜和金 屬氧化膜而形成的膜。金屬膜和金屬氧化膜可以是單層，也可以是層 疊有多個層的層疊結(jié)構(gòu)。另外，除了金屬膜或金屬氧化膜以外，還可 以使用金屬氮化物或金屬氧氮化物。剝離層702可以通過濺射法或等 離子體CVD法等的各種CVD法等來形成。作為用于剝離層702的金屬，可以舉出鎢(W)、鉬(Mo)、 鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co )、鋯(Zr)、 鋅(Zn)、釘(Ru)、銠(Rh)、鉈(Pd)、鋨(Os)或銥(Ir) 等。剝離層702除了由上述金屬形成的膜以外，還可以使用由以上述 金屬為主要成分的合金形成的膜、或使用包含上述金屬的化合物來形 成的膜。另外，剝離層702既可以使用由硅(Si)單體形成的膜，又可以 使用由以硅(Si)為主要成分的化合物形成的膜?；蛘撸部梢允褂?由包含硅(Si)和上述金屬的合金形成的膜。包含硅的膜可以具有非 晶、微晶、多晶結(jié)構(gòu)中的任一種結(jié)構(gòu)。剝離層702可以使用單層的上述膜，也可以使用上述多個膜的層 疊。層疊了金屬膜和金屬氧化膜的剝離層702可以通過在形成成為基本的金屬膜之后使該金屬膜的表面氧化或氮化來形成。具體而言，在 氧氣氣氛中或一氧化二氮氣氣氛中對成為基礎(chǔ)的金屬膜進行等離子 體處理，或者在氧氣氣氛中或一氧化二氮氣氣氛中對金屬膜進行加熱 處理即可。另外，也可以通過在成為基礎(chǔ)的金屬膜上接觸地形成氧化 硅膜或氧氮化硅膜來進行金屬膜的氧化。另外，可以通過在成為基本 的金屬膜上接觸地形成氮氧化硅膜或氮化硅膜來進行氮化。作為進行金屬膜的氧化或氮化的等離子體處理，可以進行如下高密度等離子體處理等離子體密度為lxl()Uciir3以上、優(yōu)選為 lxl0"cm-3至9xl015cm-3以下，并且使用微波(例如，頻率為2.45GHz) 等的高頻。注意，可以通過使成為基礎(chǔ)的金屬膜的表面氧化來形成層疊有金 屬膜和金屬氧化膜的剝離層702，但是也可以在形成金屬膜之后另行 形成金屬氧化膜。例如，在使用鎢作為金屬的情況下，在通過濺射法 或CVD法等形成鵠膜作為成為基礎(chǔ)的金屬膜之后，對該鎢膜進行等 離子體處理。通過該工序，可以形成相當于金屬膜的鎢膜、以及與該 金屬膜接觸且由鎢的氧化物形成的金屬氧化膜。另外，鎢的氧化物由WOx表示。X在2以上3以下的范圍內(nèi)， 有如下情況X為2 (W02) 、 X為2.5 (W205) 、 X為2.75 (W4Ou )、 以及X為3(W03)。當形成鎢的氧化物時，對X值沒有特別的限制， 而根據(jù)蝕刻速度等來設(shè)定X值即可。半導(dǎo)體膜704優(yōu)選在形成絕緣膜703之后，以不暴露于大氣的方 式形成。半導(dǎo)體膜704的厚度為20nm至200nm (優(yōu)選為40nm至 170nm、更優(yōu)選為50nm至150nm )。注意，半導(dǎo)體膜704既可以是 非晶半導(dǎo)體，又可以是多晶半導(dǎo)體。此外，作為半導(dǎo)體，除了硅以外， 還可以使用硅鍺。在使用硅鍺的情況下，鍺的濃度優(yōu)選為0.01atomic% 至4.5atomic。/n左右。另外，半導(dǎo)體膜704也可以通過眾所周知的技術(shù)來晶化。作為眾 所周知的晶化方法，有利用激光束的激光晶化法、使用催化元素的晶 化法?；蛘?，也可以采用組合了使用催化元素的晶化法和激光晶化法的方法。另外，在使用石英等具有優(yōu)越的耐熱性的襯底作為襯底700 的情況下，也可以采用組合至少兩個以上的如下晶化法而成的晶化 法使用電熱爐的熱晶化法、利用紅外光的燈退火晶化法、使用催化 元素的晶化法、使用950。C左右的高溫退火的晶化法。例如，在采用激光晶化法的情況下，在進行激光晶化之前對該半 導(dǎo)體膜704以550'C進行4個小時的加熱處理，以便提高半導(dǎo)體膜704 對激光的耐性。通過使用能夠連續(xù)振蕩的固體激光器照射基波的二次 至四次諧波的激光束，可以獲得大粒徑的結(jié)晶。例如，典型地，最好 使用Nd:YV04激光器(基波1064nm )的二次諧波(532nm )或三 次諧波(355nm)。具體而言，由連續(xù)振蕩型YV04激光器發(fā)射的激 光束由非線性光學(xué)元件轉(zhuǎn)換為高次諧波以獲得輸出功率為10W的激 光束。優(yōu)選地，通過使用光學(xué)系統(tǒng)使其照射表面成為矩形或橢圃形地 成形激光束，并且將它照射到半導(dǎo)體膜704。在這種情況下，需要 0.01MW/cm2至100MW/cm2左右(優(yōu)選為0.1MW/cm2至10MW/cm2) 的功率密度。將掃描速度設(shè)定為10cm/sec至2000cm/sec左右來照射。作為連續(xù)振蕩的氣體激光器，可以使用Ar激光器、Kr激光器 等。另夕卜，作為連續(xù)振蕩的固體激光器，可以使用YAG激光器、YV04 激光器、YLF激光器、YA103激光器、鎂橄欖石(Mg2Si04)激光器、 GdV04激光器、Y203激光器、玻璃激光器、紅寶石激光器、變石激 光器、Ti:藍寶石激光器等。另外，作為脈沖振蕩的激光器，例如可以使用Ar激光器、Kr 激光器、受激準分子激光器、C02激光器、YAG激光器、Y203激光 器、YV04激光器、YLF激光器、YAK)3激光器、玻璃激光器、紅寶 石激光器、變石激光器、Ti:藍寶石激光器、銅蒸汽激光器、或者金蒸 汽激光器。另外，也可以通過使脈沖振蕩的激光束的振蕩頻率為10MHz以 上并且使用比通常使用的幾十Hz至幾百Hz的頻帶高得多的頻帶， 來進行激光晶化。 一般認為從以脈沖振蕩方式將激光束照射到半導(dǎo) 體膜704而使半導(dǎo)體膜704熔化到半導(dǎo)體膜704完全固化的時間是幾十nsec至幾百nsec。因此，通過使用上述頻帶，可以在半導(dǎo)體膜704 因為激光束而熔融到固化的期間照射下一個脈沖激光束。因此，由于 可以在半導(dǎo)體膜704中連續(xù)移動固液界面，所以形成具有向掃描方向 連續(xù)生長的晶粒的半導(dǎo)體膜704。具體而言，可以形成晶粒的集合， 其中所包含的晶粒在掃描方向上的寬度為10nm至30nm并且其在垂 直于掃描方向的方向上的寬度為ljim至5fim左右。通過形成沿著該 掃描方向連續(xù)生長的單晶晶粒，可以形成至少在TFT的溝道方向上 幾乎不存在晶界的半導(dǎo)體膜704。另外，激光晶化既可以并行照射連續(xù)振蕩的基波的激光束和連續(xù) 振蕩的諧波的激光束，又可以并行照射連續(xù)振蕩的基波的激光束和脈 沖振蕩的諧波的激光束。另外，也可以在稀有氣體、氮等惰性氣體氣氛中照射激光束。以 這種方式，可以抑制由于激光束照射而導(dǎo)致的半導(dǎo)體表面的粗糙度， 并且可以抑制由于界面態(tài)密度的不均勻性而產(chǎn)生的閾值的不均勻性。通過上述的激光束照射來形成進一步提高結(jié)晶性的半導(dǎo)體膜 704。注意，也可以使用通過濺射法、等離子體CVD法、熱CVD法 等預(yù)先形成的多晶半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體膜704。另外，雖然在本實施例中使半導(dǎo)體膜704晶化，但也可以不使它 晶化而以非晶半導(dǎo)體膜或微晶半導(dǎo)體膜的狀態(tài)來進入后續(xù)的步驟。因 為使用非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體的TFT的制造工序少于使用多晶半 導(dǎo)體的TFT的制造工序，所以其具有可以抑制成本而提高成品率的 優(yōu)點?？梢詫Π璧臍怏w進行輝光放電分解來獲得非晶半導(dǎo)體。作為 包含硅的氣體，可以舉出SiH4、 Si2H6。也可以使用氫、或氫及氦稀 釋該包含硅的氣體來使用。接著，對半導(dǎo)體膜704進行以低濃度添加賦予p型的雜質(zhì)元素或 賦予n型的雜質(zhì)元素的溝道摻雜。既可以對半導(dǎo)體膜704整體進行溝 道摻雜，又可以對半導(dǎo)體膜704的一部分選擇性地進行溝道摻雜。作 為賦予p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)等。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，可以使用礴(P)、砷(As)等。在此， 使用硼(B)作為雜質(zhì)元素，以lxl0"至5xl0"/cn^的濃度添加硼。接著，如圖13B所示，將半導(dǎo)體膜704加工(構(gòu)圖)成預(yù)定的 形狀，以形成島狀半導(dǎo)體膜705至708。另外，覆蓋島狀半導(dǎo)體膜705 至708地形成柵絕緣膜709 。柵絕緣膜709可以通過使用等離子體CVD 法或濺射法等以單層或疊層形成包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧 氮化硅的膜來形成。在層疊它們的情況下，例如，優(yōu)選采用從襯底700 一側(cè)層疊氧化硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜的三層結(jié)構(gòu)。柵絕緣膜709也可以通過進行高密度等離子體處理使島狀半導(dǎo) 體膜705至708的表面氧化或氮化來形成。高密度等離子體處理例如 使用He、 Ar、 Kr、 Xe等的稀有氣體與氧、氧化氮、氨、氮、氫等的 混合氣體來進行。在此情況下，可以通過導(dǎo)入微波來進行等離子體的 激發(fā)，而產(chǎn)生低電子溫度且高密度的等離子體。通過由這種高密度的 等離子體產(chǎn)生的氧基(也有包括OH基的情況)或氮基(也有包括 NH基的情況)來使半導(dǎo)體膜的表面氧化或氮化，與半導(dǎo)體膜接觸地 形成lnm至20nm、典型為5nm至10nm的絕緣膜。該5nm至10nm上述利用高密度等離子體處理的半導(dǎo)體膜的氧化或氮化以固相 反應(yīng)進行，從而可以使柵絕緣膜和半導(dǎo)體膜之間的界面態(tài)密度極低。 通過利用高密度等離子體處理來直接使半導(dǎo)體膜氧化或氮化，可以抑 制所形成的絕緣膜的厚JL的不均勻性。另外，在半導(dǎo)體膜具有結(jié)晶性 的情況下，通過利用高密度等離子體處理以固相反應(yīng)使半導(dǎo)體膜的表 面氧化，可以抑制僅在晶界迅速進行氧化，并且形成均勻性好且界面 態(tài)密度低的柵絕緣膜。在柵絕緣膜的一部分或整體包括利用高密度等 離子體處理來形成的絕緣膜而成的晶體管可以抑制特性的不均勻性。接著，如圖13C所示，通過在將導(dǎo)電膜形成在柵絕緣膜709上 之后將該導(dǎo)電膜加工(構(gòu)圖)成預(yù)定的形狀，在島狀半導(dǎo)體膜705至 708的上方形成電極710。在本實施例中，通過對層疊了的兩個導(dǎo)電 膜進行構(gòu)圖來形成電極710。導(dǎo)電膜可以使用鉭(Ta)、鴒(W)、鈥(Ti)、鉬(Mo )、鋁(Al)、銅(Cu )、鉻(Cr )、鈮(Nb ) 等。另外，也可以使用以上述金屬為主要成分的合金，也可以使用包 含上述金屬的化合物。或者，也可以使用對半導(dǎo)體膜摻雜了賦予導(dǎo)電 性的雜質(zhì)元素如磷等而成的多晶硅等半導(dǎo)體來形成。在本實施例中，使用氮化鉭膜或鉭(Ta)膜作為第一層導(dǎo)電膜， 并且使用鴒(W)膜作為第二層導(dǎo)電膜。作為兩個導(dǎo)電膜的組合，除 了本實施例中所示的實例以外，還可以舉出氮化鵠膜和鴒膜、氮化鉬 膜和鉬膜、鋁膜和鉭膜、以及鋁膜和鈦膜等。由于鎢和氮化鉭具有高 耐熱性，所以在形成兩層導(dǎo)電膜之后的工序中可以進行以熱激活為目 的的加熱處理。另外，作為兩個導(dǎo)電膜的組合，例如可以使用摻雜了 賦予n型的雜質(zhì)的硅和鎳硅化物、摻雜了賦予n型的雜質(zhì)的硅和WSix等。另外，雖然在本實施例中由層疊的兩個導(dǎo)電膜形成電極710，但 本實施例不局限于該結(jié)構(gòu)。電極710既可以由單層的導(dǎo)電膜形成，又 可以通過層疊三個以上的導(dǎo)電膜來形成。在釆用層疊三個以上的導(dǎo)電 膜的三層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選采用鉬膜、鋁膜和鉬膜的層疊結(jié)構(gòu)。作為形成導(dǎo)電膜的方法，可以使用CVD法、濺射法等。在本實 施例中，以20nm至100nm的厚度形成第一層導(dǎo)電膜，并且以100nm 至400nm的厚度形成第二層導(dǎo)電膜。另外，作為當形成電極710之際使用的掩模，也可以使用氧化硅、 氧氮化硅等作為掩模來代替抗蝕劑。在此情況下，雖然還添加有進行 構(gòu)圖來形成氧化硅、氧氮化硅等的掩模的工序，但由于當蝕刻時的掩 模的膜厚度的減少比抗蝕劑少，所以可以形成具有所希望的寬度的電 極710。另外，也可以通過使用液滴噴射法選擇性地形成電極710， 而不使用掩模。注意，液滴噴射法意味著從細孔噴出或噴射包含預(yù)定組分物的液 滴來形成預(yù)定圖案的方法，并且噴墨法等被包括在其范疇內(nèi)。接著，將電極710作為掩模對島狀半導(dǎo)體膜705至708以低濃度 摻雜賦予n型的雜質(zhì)元素(典型為P (磷)或As (砷))(第一摻雜工序)。笫一摻雜工序的條件為劑量是lxl0"/cm3至lxl019/cm3、 加速電壓是50keV至70keV，但不局限于此。借助于該第一摻雜工序， 隔著柵絕緣膜709進行摻雜，在島狀半導(dǎo)體膜705至708中分別形成 低濃度雜質(zhì)區(qū)711。另外，也可以使用掩模覆蓋成為p溝道型TFT的 島狀半導(dǎo)體膜706來進行第一摻雜工序。
接著，如圖14A所示，覆蓋成為n溝道型TFT的島狀半導(dǎo)體膜 705、 707、 708地形成掩模712。另外，不僅使用掩模712，還使用電 極710作為掩模，對島狀半導(dǎo)體膜706以高濃度摻雜賦予p型的雜質(zhì) 元素(典型為硼(B))(第二摻雜工序)。第二摻雜工序的條件為 劑量是lxl0"/cm3至lxl02。/cm3、加速電壓是20keV至40keV。借助 于該第二摻雜工序，隔著柵絕緣膜709進行摻雜，在烏狀半導(dǎo)體膜706 中形成p型高濃度雜質(zhì)區(qū)713。
接著，如圖14B所示，在通過灰化等去除掩模712之后，覆蓋 柵絕緣膜709及電極710地形成絕緣膜。該絕緣膜通過等離子體CVD 法或賊射法等以單層或?qū)盈B結(jié)構(gòu)形成包括硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅 膜、氮氧化硅膜、或含有有機樹脂等有機材料的膜。在本實施例中， 通過等離子體CVD法形成100nm厚的氧化珪膜。
之后，通過以垂直方向為主的各向異性蝕刻部分地蝕刻柵絕緣膜 709及該絕緣膜。通過上述各向異性蝕刻，柵絕緣膜709部分地被蝕 刻，以在島狀半導(dǎo)體膜705至708上部分地形成柵絕緣膜714。另外， 通過上述各向異性蝕刻部分地蝕刻覆蓋柵絕緣膜709及電極710地形 成的絕緣膜，而形成與電極710的側(cè)面接觸的側(cè)壁715。側(cè)壁715用 作當形成LDD (輕摻雜漏)區(qū)時的摻雜用掩模。在本實施例中，使用 CHF3和He的混合氣體作為蝕刻氣體。注意，形成側(cè)壁715的工序不 局限于這些。
接著，如圖14C所示，覆蓋成為p溝道型TFT的島狀半導(dǎo)體膜 706地形成掩模716。之后，不僅使用形成的掩模716，還使用電極 710及側(cè)壁715作為掩模，對島狀半導(dǎo)體膜705、 707、 708以高濃度 摻雜賦予n型的雜質(zhì)元素(典型為P或As)(第三摻雜工序)。第三摻雜工序的條件為劑量是lxl0"/ci^至lxl0,cm3、加速電壓是 60 keV至100keV。借助于該第三摻雜工序，在島狀半導(dǎo)體膜705、 707、 708中分別形成n型高濃度雜質(zhì)區(qū)717。
注意，側(cè)壁715用作在之后以高濃度摻雜賦予n型的雜質(zhì)且在側(cè) 壁715的下部形成低濃度雜質(zhì)區(qū)或無摻雜的偏移區(qū)時的掩模。因此， 為了控制低濃度雜質(zhì)區(qū)或偏移區(qū)的寬度，適當?shù)馗淖儺斝纬蓚?cè)壁715 時的各向異性蝕刻的條件或用于形成側(cè)壁715的絕緣膜的膜厚度來調(diào) 節(jié)側(cè)壁715的大小即可。注意，也可以在半導(dǎo)體膜706中，在側(cè)壁715 的下部形成低濃度雜質(zhì)區(qū)或無摻雜的偏移區(qū)。
接著，也可以在通過灰化等去除掩模716之后，進行加熱處理使 雜質(zhì)區(qū)激活。例如，在形成50nm厚的氧氮化硅膜之后，在氮氣氣氛 中以55(TC進行4個小時的加熱處理即可。
另外，也可以在將包含氫的氮化硅膜形成為100nm之后進行如 下工序，即在氮氣氣氛中以410。C進行1個小時的加熱處理，來使烏 狀半導(dǎo)體膜705至708氫化?；蛘?，也可以進行在包含氫的氣氛中以 300'C至450。C進行1至12個小時的加熱處理，來使島狀半導(dǎo)體膜705 至708氫化的工序。作為加熱處理，可以使用熱退火、激光退火法或 RTA法等。借助于加熱處理，不僅進行氫化，而且也可以進行添加到 半導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)元素的激活。另外，作為氫化的其他方法，也可以 進行等離子體氫化(使用由等離子體激發(fā)的氫)。借助于該氫化工序， 可以使用熱激發(fā)的氬來使懸空鍵終結(jié)。
借助于上述一系列的工序，形成n溝道型TFT718和721、電容 器720、以及p溝道型TFT 719。注意，電容器720由用作電極的島 狀半導(dǎo)體膜707、柵絕緣膜714、電極710構(gòu)成。
接著，如圖15A所示，形成用于保護TFT 718、 719、 721以及 電容器720的絕緣膜722。雖然不需要一定設(shè)置絕緣膜722，但通過 形成絕緣膜722來防止堿金屬或堿土金屬等雜質(zhì)侵入到TFT 718、 719、 721以及電容器720中。具體地，作為絕緣膜722，優(yōu)選使用氮 化硅、氮氧化硅、氮化鋁、氧化鋁、氧化硅等。在本實施例中，使用600nm厚左右的氧氮化硅膜作為絕緣膜722。在此情況下，也可以在 形成該氧氮化硅膜之后進行上述氫化工序。
接著，覆蓋TFT718、 719、 721以及電容器720地在絕緣膜722 上形成絕緣膜723。絕緣膜723可以使用具有耐熱性的有機材料如丙 烯酸、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯、聚酰胺、環(huán)氧等。另外，除了上述有 機材料之外，還可以使用低介電常數(shù)材料(low-k材料)、硅氧烷類 樹脂、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、PSG (磷硅玻璃)、 BPSG(硼磷硅玻璃)、礬土等。除了氫之外，硅氧烷類樹脂還可以 具有氟、烷基、或芳香烴中的至少一種作為取代基。注意，也可以通 過層疊多個由上述材料形成的絕緣膜，來形成絕緣膜723。
絕緣膜723可以根據(jù)其材料而使用CVD法、濺射法、SOG法、 旋轉(zhuǎn)涂敷、浸漬、噴涂、液滴噴射法(噴墨法、絲網(wǎng)印刷、膠版印刷 等)、刮刀(doctor knife)、輥式涂布、幕涂、刮刀涂布等來形成。
接著，使島狀半導(dǎo)體膜705至708的一部分分別露出地在絕緣膜 722及絕緣膜723中形成接觸孔。之后，形成導(dǎo)電膜724和通過該接 觸孔與島狀半導(dǎo)體膜705至708接觸的導(dǎo)電膜725至732。雖然使用 CHF3和He的混合氣體作為用于當形成接觸孔時的蝕刻工序的氣體， 但不局限于此。
導(dǎo)電膜724至732可以通過CVD法或濺射法等來形成。具體而 言，作為導(dǎo)電膜724至732，可以使用鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、 鉭(Ta )、鉬(Mo )、鎳(Ni)、賴(Pt)、銅(Cu )、金(Au )、 銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、硅(Si)等。另外， 既可以使用以上述金屬為主要成分的合金，又可以使用包含上述金屬 的化合物。導(dǎo)電膜724至732可以單獨采用使用上述金屬的膜或者層 疊多個使用上述金屬的膜來形成。
作為以鋁為主要成分的合金的實例，可以舉出以鋁為主要成分且
包含鎳的合金。另外，也可以舉出以鋁為主要成分且包含鎳以及碳和 硅中的一方或雙方的合金作為實例。鋁和鋁硅的電阻值低且其價格低 廉，所以作為形成導(dǎo)電膜724至732的材料最合適。尤其是，與鋁膜相比，鋁硅膜當對導(dǎo)電膜724至732進行構(gòu)圖時，可以防止在抗蝕劑 烘焙(resist baking)中產(chǎn)生小丘。另外，也可以在鋁膜中混入0.5% 左右的Cu而代替硅(Si)。
導(dǎo)電膜724至732例如優(yōu)選采用阻擋膜、鋁硅膜和阻擋膜的疊 合結(jié)構(gòu)；阻擋膜、鋁硅膜、氮化鈦膜和阻擋膜的疊合結(jié)構(gòu)。注意，阻 擋膜就是使用鈦、鈦的氮化物、鉬、或鉬的氮化物來形成的膜。當中 間夾著鋁硅膜地形成阻擋膜時，可以進一步防止產(chǎn)生鋁或鋁硅的小 丘。另外，當使用高還原性的元素的鈦來形成阻擋膜時，即使在島狀 半導(dǎo)體膜705至708上形成有薄的氧化膜，包含在阻擋膜中的鈦也會 還原該氧化膜，而導(dǎo)電膜725至732與島狀半導(dǎo)體膜705至708可以 良好地接觸。另外，也可以層疊多個阻擋膜來使用。在此情況下，例 如，可以使導(dǎo)電膜724至732具有從下層按順序?qū)盈B有鈦、氮化鈦、 鋁硅、鈦、氮化鈦的五層結(jié)構(gòu)。
注意，導(dǎo)電膜725、 726連接到n溝道型TFT718的高濃度雜質(zhì) 區(qū)717。導(dǎo)電膜727、 728連接到p溝道型TFT 719的高濃度雜質(zhì)區(qū) 713。導(dǎo)電膜731、 732連接到n溝道型TFT 721的高濃度雜質(zhì)區(qū)717。 導(dǎo)電膜729、 730連接到電容器720的高濃度雜質(zhì)區(qū)717。
接著，如圖15B所示，覆蓋導(dǎo)電膜724至732地形成絕緣膜733， 然后，使導(dǎo)電膜724、 732的一部分露出地在該絕緣膜733中形成接 觸孔。在該接觸孔中與導(dǎo)電膜724接觸地形成導(dǎo)電膜734，并且與導(dǎo) 電膜732接觸地形成導(dǎo)電膜735。只要是可以用于導(dǎo)電膜724至732 的材料，就可以用作導(dǎo)電膜734、 735的材料。
絕緣膜733可以使用有機樹脂膜、無機絕緣膜、或硅氧烷類絕緣 膜來形成。當采用有機樹脂膜時，例如可以使用丙烯酸、環(huán)氧、聚酰 亞胺、聚酰胺、聚乙烯基苯酚、苯并環(huán)丁烯等。當采用無機絕緣膜時， 可以使用包含氧化硅、氧氮化硅、氮氧化珪、或以DLC(類金剛石碳) 為代表的碳的膜等。注意，可以通過液滴噴射法或印刷法形成用于通 過光刻法形成開口部的掩模。另外，絕緣膜733可以根據(jù)其材料通過 利用CVD法、濺射法、液滴噴射法或印刷法等來形成。接著，如圖15C所示，在絕緣膜733上覆蓋導(dǎo)電膜734、 735地 形成保護層736。保護層736由在之后以剝離層702為界線剝離襯底 700時能夠保護絕緣膜733、導(dǎo)電膜734、 735的材料形成。例如，可 以通過整體涂敷可溶于水或醇類的環(huán)氧類、丙烯酸酯類、硅類樹脂來 形成保護層736。
在本實施例中，在通過旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷膜厚度為30nm的水溶性 樹脂(日本東亞合成林式會社(TOAGOSEI Co.，Ltd.)制造 VL-WSHL10)，并且進行為了實現(xiàn)臨時固化的兩分鐘的啄光之后， 使紫外線從背面曝光2.5分鐘且從表面啄光10分鐘(總計為12.5分 鐘)而實現(xiàn)真正固化，來形成保護層736。注意，在層疊多個有機樹 脂的情況下，有如下?lián)鷳n根據(jù)使用的溶劑當涂敷或者烘焙時多個有 機樹脂的一部分溶化，或者多個有機樹脂之間的緊密性過高；等等。 因此，當將在溶劑中可溶的有機樹脂使用于絕緣膜733和保護層736 時，優(yōu)選的是，覆蓋絕緣膜733地形成無機絕緣膜(氮化硅膜、氮氧 化硅膜、AlNx膜、或者AlNxOy膜)，以便在后面的工序中順利去除 保護層736。
接著，如圖15C所示，從襯底700剝離從絕緣膜703到形成在 絕緣膜733上的導(dǎo)電膜734、 735的包含以TFT為典型的半導(dǎo)體元件 或各種導(dǎo)電膜的層(以下記為"元件形成層738")、以及保護層736。 在本實施例中，將第一薄片材料737和保護層736貼在一起，并且利 用物理力從襯底700剝離元件形成層738、保護層736。也可以部分 地留下剝離層702而不全部去除。
此外，也可以通過利用蝕刻剝離層702而實現(xiàn)剝離的方法進行上 述剝離。在此情況下，使剝離層702的一部分露出地形成槽。通過利 用切割、劃片、使用包含UV光的激光束的加工、光刻法等形成槽。 槽優(yōu)選具有剝離層702露出程度的深度，即可。然后，使用氟化卣素 作為蝕刻氣體，并且從槽引入該氣體。在本實施例中，例如使用C1F3 (三氟化氯)且在溫度為350。C、流量為300sccm、氣壓為800Pa、 時間為3h的條件下進行剝離。此外，也可以使用在C1F3氣體中混有氮的氣體。通過使用C1F3等氟化卣素，選擇性地蝕刻剝離層702，而 可以從元件形成層738剝離襯底700。注意，氟化卣素可以是氣體或 液體。
接著，如圖16A所示，將第二薄片材料744與元件形成層738 中的通過上述剝離而露出的表面貼在一起。然后，在從第一薄片材料 737剝離元件形成層738以及保護層736之后，去除保護層736。
作為第二薄片材料744，例如可以使用由鋇硼硅酸鹽玻璃或硼硅 酸鋁玻璃等構(gòu)成的玻璃襯底、有機材料諸如具有柔性的紙或者塑料 等?；蛘撸鳛榈诙∑牧?44,也可使用柔性無機材料。作為塑 料襯底，可以使用由具有極性基的聚降冰片烯(polynorbornene )構(gòu) 成的ARTON (由JSR制造)。此外，可以舉出以聚對苯二甲酸乙二 醇酯(PET)為典型的聚酯、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯 (PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龍、聚醚瞇酮(PEEK)、聚砜(PSF)、 聚醚跣亞胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、 聚酰亞胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙酸 乙烯、丙烯酸樹脂等。
注意，當在襯底700上形成對應(yīng)于多個存儲栽體的半導(dǎo)體元件 時，根據(jù)每個存儲栽體而分割元件形成層738。當進行分割時，可以 使用激光照射裝置、切割裝置、劃線裝置等。
接著，如圖16B所示，利用具有存儲器特性的顯示材料形成像 素部。在本實施例中示出使用包含微嚢739的顯示材料745的實例。 例如，可以通過利用印刷法，在用作電極的導(dǎo)電膜735上選擇性地涂 敷顯示材料745。然后，以將顯示材料745夾在導(dǎo)電膜735和導(dǎo)電膜 740之間的方式將形成有導(dǎo)電膜740的襯底741與第二薄膜材料744 貼在一起。只要是可以用于導(dǎo)電膜735的材料，就可以使用于導(dǎo)電膜 740的材料。
在本實施例中使用多個包含Ti的白色微粒子分散于藍色溶液中 的類型的微囊作為微囊739。通過對該微嚢739施加電壓，白色微粒 子在微嚢739中電泳，而可以根據(jù)電壓的極性進行白色或藍色顯示。注意，在本發(fā)明中可以使用的微囊不局限于該類型。例如，在本發(fā)明中，也可以使用如下球狀微嚢其一個半球是白色而另一半球是 黑色，并且各半球帶著不同電荷。在使用這種類型的微嚢的情況下， 在顯示材料中設(shè)置用來使微嚢浮動的溶劑，以便使微囊通過施加電壓 能夠自由旋轉(zhuǎn)。接著，如圖16B所示，使形成在支架746上的天線742與導(dǎo)電 膜734電連接。通過利用各向異性導(dǎo)電膜(ACF: Anisotropic Conductive Film ) 743將天線742和導(dǎo)電膜734壓合，可以實現(xiàn)天線 742和導(dǎo)電膜734的電連接。除了各向異性導(dǎo)電膜以外，也可以利用 各向異性導(dǎo)電骨(ACP: Anisotropic Conductive Paste )等來實現(xiàn)壓 合。此外，也可以利用銀骨、銅骨或者碳骨等導(dǎo)電粘合劑或者焊接來 實現(xiàn)連接。注意，在本實施例中說明在形成半導(dǎo)體元件之后使另行準備的天 線742電連接到半導(dǎo)體元件的實例，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也 可以將天線形成在與半導(dǎo)體元件相同的襯底上。在此情況下，形成用 作天線的導(dǎo)電膜以使其一部分與導(dǎo)電膜734接觸，即可。可以通過利 用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、釔(Pd)、鉻(Cr)、柏(Pt)、 鉬(Mo )、鈥(Ti)、鉭(Ta )、鴒(Wu )、鋁(AI)、鐵(Fe)、 鈷(Co)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鎳(Ni)等金屬來形成用作天線 的導(dǎo)電膜。作為用作天線的導(dǎo)電膜，除了使用由上述金屬形成的膜以 外，還可以使用由以上述金屬為主要成分的合金形成的膜、或者使用 包含上述金屬的化合物而形成的膜。用作天線的導(dǎo)電膜既可以是由上 述膜形成的單層膜，又可以是由上述多個膜形成的層疊膜?？梢酝ㄟ^CVD法、濺射法、諸如絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等印刷法、 液滴噴射法、分配器法、鍍敷法、光刻法、蒸鍍法等形成用作天線的 導(dǎo)電膜。例如，在采用絲網(wǎng)印刷法的情況下，通過在絕緣膜733上選擇性 地印刷導(dǎo)電骨，可以形成用作天線的導(dǎo)電膜，所述導(dǎo)電骨是通過將粒 徑為幾nm至幾十nm的具有導(dǎo)電性的粒子(導(dǎo)電體粒子)分散在有機樹脂中而成的。導(dǎo)電體粒子可以使用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、 鎳(Ni)、柏(Pt)、把(Pd )、鉭(Ta )、鉬(Mo )、錫(Sn )、 鉛(Pb)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、或鈦(Ti)等來形成。導(dǎo)電體粒 子除了由上述金屬形成以外，還可以由以上述金屬為主要成分的合金 形成或使用包含上述金屬的化合物來形成。另外，也可以使用卣化銀 的微粒子或分散性納米粒子。另外，可以使用聚酰亞胺、硅氧烷類樹脂、環(huán)氧樹脂、硅樹脂等作為包含在導(dǎo)電骨中的有機樹脂。作為上述金屬的合金的一例，可以舉出以下組合銀(Ag)和 把(Pd )、銀(Ag )和粕(Pt)、金(Au )和拍(Pt)、金(Au ) 和鈀(Pd)、銀(Ag)和銅(Cu)。另外，例如也可以使用通過利 用銀(Ag)涂敷銅(Cii)而獲得的導(dǎo)電體粒子等。注意，當形成用作天線的導(dǎo)電膜時，優(yōu)選在通過印刷法或液滴噴 射法設(shè)置導(dǎo)電骨之后進行焙燒。例如，在采用以銀為主要成分的導(dǎo)電 體粒子(例如粒徑為lnm以上且100nm以下)作為導(dǎo)電骨的情況下， 可以通過以150'C至300。C的溫度范圍進行焙燒而形成用作天線的導(dǎo) 電膜。焙燒可以通過使用紅外燈、氙燈、卣燈等的燈退火來進行，也 可以通過使用電爐的爐內(nèi)退火來進行。另外，也可以通過使用受激準 分子激光器、Nd:YAG激光器的激光退火法來進行。另外，也可以使 用以焊料或無鉛焊料為主要成分的微粒子，在此情況下，優(yōu)選使用粒 徑為20fim以下的微粒子。焊料和無鉛焊料具有低成本的優(yōu)點。通過使用印刷法、液滴噴射法，可以形成用作天線的導(dǎo)電膜，而 不使用用于曝光的掩模。另外，液滴噴射法、印刷法與光刻法不同， 不會造成例如通過蝕刻去除等的材料浪費。另外，由于不需要使用昂 貴的用于曝光的掩模，所以可以抑制制造存儲載體的成本。注意，在本實施例中示出從襯底700剝離元件形成層738而利用 的實例，但是也可以在襯底700上制造上述元件形成層738而利用為 存儲栽體，而不設(shè)置剝離層702。此外，在本實施例中，在所有的TFT 718、 719、 721和電容器 720中柵絕緣膜714的膜厚度都相同，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以使電容器720所具有的柵絕緣膜714的膜厚度和TFT 718、 719、 721所具有的柵絕緣膜714的膜厚度不同?；蛘?，也可以 在需要更高速驅(qū)動的電路中，使TFT所具有的柵絕緣膜的膜厚度薄 于其他電路。注意，在本實施例中舉出薄膜晶體管為實例而說明，但是本發(fā)明 不局限于該結(jié)構(gòu)。除了薄膜晶體管以外，還可以使用利用單晶硅而形 成的晶體管、利用SOI而形成的晶體管等。此外，也可以使用利用有 機半導(dǎo)體的晶體管或者利用碳納米管的晶體管?？梢詫⒈緦嵤├c上述實施方式、實施例適當?shù)亟M合而實施。實施例6在本實施例中，將說明在形成在單晶襯底上的半導(dǎo)體元件上形成 絕緣膜的本發(fā)明的制造方法。注意，在本實施例中舉出使用晶體管作 為半導(dǎo)體元件的情況為實例而說明，但是形成在單晶襯底上的半導(dǎo)體 元件不局限于晶體管。首先，如圖17A所示，形成絕緣膜803以覆蓋形成在半導(dǎo)體元 件800上的晶體管801以及晶體管802。作為半導(dǎo)體襯底800，例如可以使用具有n型或者p型導(dǎo)電型的 單晶硅襯底、化合物半導(dǎo)體襯底(GaAs襯底、InP襯底、GaN襯底、 SiC襯底、藍寶石襯底、ZnSe村底等)、通過粘合法或者SIMOX (注 入氧隔離)法制造的SOI (絕緣體上硅)襯底等。晶體管801和晶體管802通過元件分離用絕緣膜804彼此電分 離。當形成元件分離用絕緣膜804時，可以使用選擇氧化法(LOCOS (硅局部氧化)法)或者溝槽分離法等。此外，在半導(dǎo)體襯底800中形成有p阱805,并且在該p阱805 中形成有晶體管802。注意，在本實施例中示出如下實例使用具有 n型的導(dǎo)電型的單晶硅襯底作為半導(dǎo)體襯底800，并且在該半導(dǎo)體襯 底800中形成p阱805。形成在半導(dǎo)體襯底800中的p阱805可以通 過對半導(dǎo)體襯底800選擇性地引入賦予p型的導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素來形 成。作為賦予p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(A1)、鎵(Ga)等。注意，由于在本實施例中使用具有n型的導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底作 為半導(dǎo)體襯底800，所以在形成晶體管801的區(qū)域中不形成n阱。但 是，也可以通過引入賦予n型的雜質(zhì)元素，在形成晶體管801的區(qū)域 中形成n阱。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)、砷(As) 等。此外，在使用具有p型的導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底作為半導(dǎo)體襯底 800的情況下，通過對該半導(dǎo)體襯底選擇性地引入賦予n型的雜質(zhì)元 素來形成n阱，即可。然后，可以在該n阱中形成晶體管801。晶體管801以及晶體管802具有柵絕緣膜806。在本實施例中， 使用通過使半導(dǎo)體襯底800熱氧化而形成的氧化硅膜作為柵絕緣膜806。 此外，也可以使用層疊氧化硅膜和氧氮化硅膜而成的膜作為柵 絕緣膜806，所述層疊氧化硅膜和氧氮化硅膜而成的膜是這樣形成的 通過進行熱氧化形成氧化硅膜之后，進行氮化處理使氧化硅膜的表面 氮化形成氧氮化硅膜。此外，也可以利用等離子體處理形成柵絕緣膜 806，而不使用熱氧化。例如，通過利用高密度等離子體處理使半導(dǎo) 體襯底800的表面氧化或氮化，可以形成用作柵絕緣膜806的氧化硅(SiOx)膜或者氮化硅(SiNx)膜。此外，晶體管801以及晶體管802在柵絕緣膜806上具有導(dǎo)電膜807。 在本實施例中示出導(dǎo)電膜807由順序?qū)盈B的兩個導(dǎo)電膜形成的 實例。導(dǎo)電膜807既可以是單層導(dǎo)電膜，又可以是層疊三個以上的導(dǎo) 電膜而成的導(dǎo)電膜。作為導(dǎo)電膜807，可以使用鉭(Ta)、鴒(W)、鈥(Ti)、鉬 (Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈮(Nb)等。另外，作 為導(dǎo)電膜807，除了使用由上述金屬形成的膜以外，還可以使用由以 上述金屬為主要成分的合金形成的膜、或者使用包含上述金屬的化合 物來形成的膜。或者，也可以使用對半導(dǎo)體膜摻雜賦予導(dǎo)電性的雜質(zhì) 元素如磷等而成的多晶硅等半導(dǎo)體來形成。在本實施例中，導(dǎo)電膜807具有如下結(jié)構(gòu)層疊使用氮化鉭而成的導(dǎo)電膜和使用鎢而成的導(dǎo)電膜。此外，晶體管801在半導(dǎo)體襯底800中具有用作源區(qū)或漏區(qū)的一 對雜質(zhì)區(qū)809。 一對雜質(zhì)區(qū)809之間相當于晶體管801的溝道形成區(qū)。 作為雜質(zhì)元素，使用賦予n型的雜質(zhì)元素或者賦予p型的雜質(zhì)元素。 作為賦予n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。作為賦 予p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)等。在 本實施例中，使用硼(B)作為雜質(zhì)元素。此外，晶體管802在半導(dǎo)體襯底800的p阱805中具有用作源區(qū) 或漏區(qū)的一對雜質(zhì)區(qū)808。 一對雜質(zhì)區(qū)808之間相當于晶體管802的 溝道形成區(qū)。作為雜質(zhì)元素，使用賦予n型的雜質(zhì)元素或者賦予p型 的雜質(zhì)元素。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)或砷(As) 等。作為賦予p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(A1)、鎵(Ga) 等。在本實施例中，使用磷(P)作為雜質(zhì)元素。接著，在絕緣膜803中形成接觸孔，使雜質(zhì)區(qū)808、 809的一部 分露出。接著，形成通過接觸孔與雜質(zhì)區(qū)808、 809連接的導(dǎo)電膜810 至813。導(dǎo)電膜810至813可以通過CVD法或濺射法等形成。絕緣膜803可以使用無機絕緣膜、有機樹脂膜或硅氧烷類絕緣膜 來形成。當采用無機絕緣膜時，可以使用包含氧化硅、氧氮化硅、氮 氧化硅、以DLC(類金剛石碳)為代表的碳的膜等。當采用有機樹脂 膜時，例如可以使用丙烯酸、環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯基苯 酚、苯并環(huán)丁烯等。另外，絕緣膜803可以根據(jù)其材料而通過CVD 法、濺射法、液滴噴射法或印刷法等形成。注意，用于本發(fā)明的存儲載體的晶體管不局限于在本實施例中示 出于附圖上的結(jié)構(gòu)。例如，也可以釆用反交錯結(jié)構(gòu)。接著，如圖17B所示，形成絕緣膜815。然后蝕刻絕緣膜815來 形成接觸孔，以使導(dǎo)電膜810、 813的一部分露出。絕緣膜815不局 限于樹脂，也可以為CVD氧化膜等的其他膜，但是，從平坦性的觀 點來看，優(yōu)選為樹脂。此外，也可以使用感光樹脂而不使用蝕刻來形 成接觸孔。然后，在絕緣膜815上形成通過接觸孔與導(dǎo)電膜810接觸的導(dǎo)電膜816、與導(dǎo)電膜813接觸的導(dǎo)電膜817。然后，與導(dǎo)電膜816接觸地在絕緣膜815上形成電極818。雖然 在圖17B中示出利用容易反射光的導(dǎo)電膜形成電極818來制造反射型 液晶元件的實例，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。通過利用透明導(dǎo)電膜 形成像素電極，可以形成透過型液晶元件。注意，在采用反射型液晶 元件的情況下，也可以使用導(dǎo)電膜816的一部分作為電極，而不必設(shè) 置電極818。此外，不局限于液晶元件，也可以使用利用具有存儲器 特性的顯示材料的顯示元件、以有機發(fā)光元件(OLED)為代表的發(fā) 光元件等。覆蓋導(dǎo)電膜816、電極818地形成取向膜819，對此施行研磨。 在成為顯示裝置的區(qū)域中通過構(gòu)圖等選擇性地形成取向膜819。接著，形成用來密封液晶的密封材料820。另一方面，準備形成 有使用透明導(dǎo)電膜而成的電極821、被施行了研磨處理的取向膜822 的襯底823。然后，在由密封材料820圍繞的區(qū)域中滴下液晶824， 并且利用密封材料820將另行準備的襯底823與半導(dǎo)體襯底800粘在 一起，以使電極821和電極818相對置地重合。注意，也可以在密封 材料820中混入有填料。注意，也可以形成顏色濾光片、用來防止向錯(disclination)的 屏蔽膜(黑底)等。此外，將偏振片825粘合到襯底823的與形成有 電極821的表面相反的表面。作為用于電極818或電極821的透明導(dǎo)電膜，例如，可以使用包 含氧化硅的氧化銦錫(ITSO )、氧化銦錫(ITO )、氧化鋅(ZnO )、 氧化銦鋅(IZO)、添加有鎵的氧化鋅(GZO)等。通過使電極818、 液晶824和電極821重疊，來形成液晶元件826。當注入上述液晶時，使用分配器方式(滴落方式)；但是本發(fā)明 不局限于此。也可以使用在將襯底823與半導(dǎo)體襯底800粘在一起之 后注入液晶的浸漬方式(汲上方式)。接著，使形成在支架830上的天線831與導(dǎo)電膜817電連接。通 過利用各向異性導(dǎo)電膜(ACF: Anisotropic Conductive Film ) 832將47天線831和導(dǎo)電膜817壓合，可以實現(xiàn)天線831和導(dǎo)電膜817的電連 接。除了各向異性導(dǎo)電膜以外，也可以利用各向異性導(dǎo)電貪(ACP: Anisotropic Conductive Paste)等來實現(xiàn)壓合。此外，也可以利用銀 骨、銅骨或者碳骨等導(dǎo)電粘合劑或者焊接來實現(xiàn)連接。注意，在本實施例中說明在形成半導(dǎo)體元件之后使另行準備的天線831電連接到半導(dǎo)體元件的實例，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也 可以將天線形成在與半導(dǎo)體元件相同的襯底上。在此情況下，形成用 作天線的導(dǎo)電膜以使其一部分與導(dǎo)電膜817接觸，即可?？梢酝ㄟ^利 用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鉭(Pd)、鉻(Cr)、柏(Pt)、 鉬(Mo )、鈥(Ti)、鉭(Ta )、鵠(Wu )、鋁(Al)、鐵(Fe)、 鈷(Co)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鎳(Ni)等金屬來形成用作天線 的導(dǎo)電膜。作為用作天線的導(dǎo)電膜，除了使用由上述金屬形成的膜以 外，還可以使用由以上述金屬為主要成分的合金形成的膜、或者使用 包含上述金屬的化合物而形成的膜。用作天線的導(dǎo)電膜既可以是由上 述膜形成的單層膜，又可以是由上述多個膜形成的層疊膜?？梢酝ㄟ^CVD法、濺射法、印刷法諸如絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等、 液滴噴射法、分配器法、鍍敷法、光刻法、蒸鍍法等形成用作天線的 導(dǎo)電膜。例如，在采用絲網(wǎng)印刷法的情況下，通過在絕緣膜733上選擇性 地印刷導(dǎo)電骨，可以形成用作天線的導(dǎo)電膜，所述導(dǎo)電骨是通過將粒 徑為幾nm至幾十nm的具有導(dǎo)電性的粒子(導(dǎo)電體粒子)分散在有 機樹脂中而成的。導(dǎo)電體粒子可以使用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、 鎳(Ni)、鈿(Pt)、把(Pd )、鉭(Ta )、鉬(Mo )、錫(Sn )、 鉛(Pb)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、或鈦(Ti)等來形成。導(dǎo)電體粒 子除了由上述金屬形成以外，還可以由以上述金屬為主要成分的合金 形成或使用包含上述金屬的化合物來形成。另外，也可以使用卣化銀 的微粒子或分散性納米粒子。另外，可以使用聚酰亞胺、硅氧烷類樹 脂、環(huán)氧樹脂、硅樹脂等作為包含在導(dǎo)電骨中的有機樹脂。作為上述金屬的合金的一例，可以舉出以下組合銀(Ag)和鉈(Pd )、銀(Ag )和賴(Pt)、金(Au )和鈿(Pt)、金(Au ) 和鈀(Pd)、銀(Ag)和銅(Cu)。另外，例如也可以使用通過利 用銀(Ag)涂敷銅(Cu)而獲得的導(dǎo)電體粒子等。注意，當形成用作天線的導(dǎo)電膜時，優(yōu)選在通過印刷法或液滴噴 射法設(shè)置導(dǎo)電骨之后進行焙燒。例如，在采用以銀為主要成分的導(dǎo)電 體粒子(例如粒徑為lnm以上且100nm以下)作為導(dǎo)電骨的情況下， 可以通過以150。C至300。C的溫度范圍進行焙燒而形成用作天線的導(dǎo) 電膜。焙燒可以通過使用紅外燈、氙燈、卣燈等的燈退火來進行，也 可以通過使用電爐的爐內(nèi)退火來進行。另外，也可以通過使用受激準 分子激光器、Nd:YAG激光器的激光退火法來進行。另外，也可以使 用以焊料或無鉛焊料為主要成分的微粒子，在此情況下，優(yōu)選使用粒 徑為2(Onm以下的微粒子。焊料和無鉛焊料具有低成本的優(yōu)點。通過使用印刷法、液滴噴射法，可以形成用作天線的導(dǎo)電膜，而 不使用用于曝光的掩模。另外，液滴噴射法、印刷法與光刻法不同， 不會造成例如通過蝕刻去除等的材料浪費。另外，由于不需要使用昂 貴的用于膝光的掩模，所以可以抑制制造存儲載體的成本。注意，可以將本實施例與上述實施方式或者上述實施例適當?shù)亟M 合而實施。本說明書根據(jù)2007年2月23日在日本專利局受理的日本專利申 請編號2007-043066而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1.一種存儲載體，包括儲存數(shù)據(jù)的存儲器；根據(jù)從詢問器以無線方式發(fā)送來的信號從所述存儲器讀出所述數(shù)據(jù)的控制電路；根據(jù)算法轉(zhuǎn)換所述數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換器；利用被轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生圖像信號的圖像信號產(chǎn)生電路；以及利用所述圖像信號來顯示圖像的顯示裝置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲栽體，其中所述顯示裝置包括顯示 元件，該顯示元件包括具有存儲器特性的顯示材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲栽體，其中所述存儲器是可以重寫 的非易失性存儲器。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲載體，還包括從所述詢問器接收電 波且產(chǎn)生所述信號的天線電路。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲栽體，其中所述顯示裝置包括顯示 元件，該顯示元件包括具有帶電的微粒子的顯示材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲栽體，其中所述顯示裝置顯示一維代碼。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲載體，其中所述顯示裝置顯示二維代碼。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲載體，其中所述存儲載體是卡片。
9. 一種存儲載體，包括 儲存數(shù)據(jù)的存儲器；根據(jù)從詢問器以無線方式發(fā)送來的信號從所述存儲器讀出所述 數(shù)據(jù)的控制電路；利用所述數(shù)據(jù)來產(chǎn)生圖像信號的圖像信號產(chǎn)生電路；以及 利用所述圖像信號來顯示代碼的顯示裝置。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲栽體，其中所述顯示裝置包括顯示元件，該顯示元件包括具有存儲器特性的顯示材料。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲載體，其中所述存儲器是可以重 寫的非易失性存儲器。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲載體，還包括從所述詢問器接收 電波且產(chǎn)生所述信號的天線電路。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲載體，其中所迷顯示裝置包括顯 示元件，該顯示元件包括具有帶電的微粒子的顯示材料。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲載體，其中所述顯示裝置顯示一 維代碼。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲栽體，其中所述顯示裝置顯示二 維代碼。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲栽體，其中所述存儲載體是卡片。
17. —種存儲栽體，包括 儲存第一數(shù)據(jù)的第一存儲器；儲存第二數(shù)據(jù)的第二存儲器，所述第二數(shù)據(jù)通過根據(jù)算法轉(zhuǎn)換所 述第一數(shù)據(jù)而得到；根據(jù)從詢問器以無線方式發(fā)送來的第一信號從所述第二存儲器 讀出所述第二數(shù)據(jù)的控制電路；利用所述第二數(shù)據(jù)來產(chǎn)生圖像信號的圖l象信號產(chǎn)生電路；以及利用所述圖像信號來顯示圖像的顯示裝置。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲載體，其中所述顯示裝置包括顯 示元件，該顯示元件包括具有存儲器特性的顯示材料。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲載體，其中所述第一存儲器是可 以重寫的非易失性存儲器。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲載體，還包括從所述詢問器接收 電波且產(chǎn)生所述信號的天線電路。
21. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲載體，其中所述顯示裝置包括顯 示元件，該顯示元件包括具有帶電的微粒子的顯示材料。
22. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲栽體，其中所述顯示裝置顯示一維代碼。
23. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲載體，其中所述顯示裝置顯示二 維代碼。
24. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲載體，其中所述存儲栽體是卡片。
25. —種包括存儲器和顯示裝置的存儲栽體的驅(qū)動方法，包括如 下步驟根據(jù)從詢問器以無線方式發(fā)送來的第一信號從所述存儲器讀出數(shù)據(jù)；利用所述數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第二信號；以無線方式將所述笫二信號發(fā)送到所述詢問器； 根據(jù)算法轉(zhuǎn)換所述數(shù)據(jù)；利用所述被轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生圖像信號；以及 利用所述圖像信號來在所述顯示裝置上顯示圖像。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲栽體的驅(qū)動方法，其中所述顯示 裝置包括顯示元件，該顯示元件包括具有存儲器特性的顯示材料。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲載體的驅(qū)動方法，其中所述存儲 器是可以重寫的非易失性存儲器。
28. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲載體的驅(qū)動方法，還包括從所述 詢問器接收電波且產(chǎn)生所述信號的天線電路。
29. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲載體的驅(qū)動方法，其中所述顯示 裝置顯示一維代碼。
30. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲栽體的驅(qū)動方法，其中所述顯示 裝置顯示二維代碼。
31. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲載體的驅(qū)動方法，其中僅當以無 線方式將所述第二信號發(fā)送到所述詢問器的步驟未能完成時，才執(zhí)行 根據(jù)所述算法轉(zhuǎn)換所述數(shù)據(jù)的步驟。
32. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲載體的驅(qū)動方法，其中所述存儲 載體是卡片。
33. —種包括第一存儲器、第二存儲器和顯示裝置的存儲栽體的驅(qū)動方法，包括如下步驟根據(jù)從詢問器以無線方式發(fā)送來的第一信號從所述第一存儲器讀出第一數(shù)據(jù)；利用所述第 一數(shù)據(jù)來產(chǎn)生第二信號；以無線方式將所述第二信號發(fā)送到所述詢問器；從所述第二存儲器讀出第二數(shù)據(jù)，所述第二數(shù)據(jù)通過根據(jù)算法轉(zhuǎn)換所述第一數(shù)據(jù)而得到；利用所述第二數(shù)據(jù)來產(chǎn)生圖像信號；以及 利用所述圖像信號來在所述顯示裝置上顯示圖像。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的存儲載體的驅(qū)動方法，其中所述顯示 裝置包括顯示元件，該顯示元件包括具有存儲器特性的顯示材料。
35. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的存儲載體的驅(qū)動方法，其中所述第一 存儲器是可以重寫的非易失性存儲器。
36. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的存儲載體的驅(qū)動方法，還包括從所述 詢問器接收電波且產(chǎn)生所述信號的天線電路。
37. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的存儲栽體的驅(qū)動方法，其中所述顯示 裝置顯示一維代碼。
38. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的存儲栽體的驅(qū)動方法，其中所述顯示 裝置顯示二維代碼。
39. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的存儲栽體的驅(qū)動方法，其中僅當以無 線方式將所述第二信號發(fā)送到所述詢問器的步驟未能完成時，才執(zhí)行 從所述第二存儲器讀出所述第二數(shù)據(jù)的步驟。
40. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的存儲載體的驅(qū)動方法，其中所述存儲 載體是卡片。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種不需要利用單獨的工序制造條碼和標簽的非接觸型存儲載體。本發(fā)明的存儲載體包括儲存數(shù)據(jù)的存儲器；根據(jù)從詢問器以非接觸的方式發(fā)送來的信號從存儲器讀出數(shù)據(jù)的控制電路；根據(jù)算法轉(zhuǎn)換所讀出的數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換器；利用被轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生圖像信號的圖像信號產(chǎn)生電路；以及利用圖像信號來表示代碼的顯示裝置。也可以預(yù)先將根據(jù)算法轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)儲存在存儲器中。在此情況下，也可以不設(shè)置用來根據(jù)算法進行轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換器。
文檔編號G06K19/06GK101281606SQ200810081438
公開日2008年10月8日 申請日期2008年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月23日
發(fā)明者鹽野入豐 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所