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包括觸控面板的顯示裝置的制作方法

文檔序號:6455871閱讀:142來源:國知局
專利名稱:包括觸控面板的顯示裝置的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種包括觸控面板(touch panel)的顯示裝置。
背景技術
迄今為止,人們對安裝在液晶顯示元件等顯示元件上的觸控面 板進行研發(fā),并以這種觸控面板作為一種液晶顯示裝置等的輸入機構。這 種觸控面板通常包括形成在玻璃基板等絕緣性基板上的平板狀電極,以便 根據受到當接觸物接觸到面板面上時發(fā)生的電容變化的影響的電信號檢測 該接觸物的接觸位置。 因為人們要求用于上述觸控面板的、面板面內的電極具有電阻 高、透光率高這些性能,所以例如專利文獻l和專利文獻2等所公開,主 要采用氧化銦錫(ITO: Indium Tin Oxide)膜等薄膜透明導電膜(膜厚 為100埃(angstrom)左右)。
專利文獻1:日本公開專利公報特開2003-099192號公報 專利文獻2:日本公開專利公報特開2002-014772號公報
在此,為了將由檢測裝置對電極的接觸位置進行檢測的精度設 為良好的精度,設置在觸控面板中的電極須要為下述電極,即電阻高, 并且產生在該電極與和該電極層疊在一起的顯示面板的電極及布線等之間 的寄生電容小的電極。 然而,若采用電極表面平滑的觸控面板,就難以實現高電阻性, 此外,寄生電容也很大。因此,接觸位置檢測精度不好。這是一個問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明,正是為解決所述問題而研究開發(fā)出來的。其目的在于 提供一種包括接觸位置檢測精度良好的觸控面板的顯示裝置。
5
本發(fā)明所涉及的包括觸控面扳的顯示裝置,是包括使接觸物與 面板的接觸面接觸而檢測出該接觸面上的接觸位置的觸控面板的顯示裝 置,該觸控面板具有在顯示區(qū)域內形成有多個開口部的面板面內電極。
根據所述結構,因為在面板面內電極的顯示區(qū)域內形成有多個 開口部,所以能夠設面板面內電極的電阻值為很大的值。此外,由于開口
部的存在,面板面內電極的面積已減小,因而能夠將寄生電容抑制到很小 的值,并提高透光率。因此,觸控面板的接觸位置檢測精度很良好。
此外,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣 的,即面板面內電極形成為隨著靠近顯示區(qū)域的中央,該面板面內電極 的開口率變高。 根據所述結構,因為面板面內電極形成為隨著靠近顯示區(qū)域的 中央,面板面內電極的開口率變高,所以能夠對由觸控面板檢測出的、面 板面內電極中的電壓與檢測位置之間的差異進行補正,能夠將用來補正面 板檢測位置的運算處理筒化。 再說,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣 的,即面板面內電極形成為隨著靠近顯示區(qū)域的中央,該面板面內電極 的開口率以二次函數變高。 根據所述結構,面板面內電極形成為隨著靠近顯示區(qū)域的中央, 該面板面內電極的開口率以二次函數變高。因此,能夠以更為良好的精度 對由觸控面板檢測出的面板面內電極中的電壓與檢測位置之間的差異進行 補正,能夠將用來補正面板檢測位置的運算處理進一步筒化。
本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣的,即 多個開口部規(guī)則性地形成在面板面內電極的表面。 根據所述結構,因為多個開口部規(guī)則性地形成在面板面內電極 的表面,所以能夠在面板面的整個顯示區(qū)域內均勻地形成開口部,觸控面 板的接觸位置檢測精度更為良好。
再說,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣 的,即面板面內電極形成為具有多個開口部,大致呈格子狀。
此外,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣 的,即在該包括觸控面板的顯示裝置中,以與觸控面板層疊在一起的方式還設置有具有濾色片的液晶顯示面^1。 根據所述結構,能夠得到包括接觸位置檢測精度良好的觸控面 板的液晶顯示裝置。
再說,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣
的,即面板面內電極形成在形成有構成液晶顯示面板的濾色片的基沖反上。
此外,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣
的,即面板面內電極形成在形成有濾色片的基板的液晶層一側。
再說,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣
的,即濾色片具有配置為以矩陣狀排列的多個像素。
此外,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣
的,即濾色片的像素設置在與面板面內電極的開口部相向的區(qū)域。
根據所述結構,濾色片的像素設置在與面板面內電極的開口部
相向的區(qū)域,因而能夠抑制顯示面板的亮度或反射率下降,實現良好的顯
示質量。 再說,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣 的,即濾色片的像素形成為該濾色片的像素的面積小于面板面內電極的 開口部的面積。 根據所述結構,濾色片的像素形成為該濾色片的像素的面積小 于面板面內電極的開口部的面積,因而能夠更為正確地抑制顯示面4反的亮 度或反射率下降,實現良好的顯示質量。 此外,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣 的,即濾色片具有以包圍像素的方式設置為線狀的遮光部,遮光部形成 為該遮光部的線寬度大于形成為格子狀的面板面內電極的各條格子線的線 寬度。 根據所述結構,因為遮光部形成為該遮光部的線寬度大于面板 面內電極的各條格子線的線寬度,所以即使是在當通過掩蔽法(masking) 等將濾色片的遮光部形成在基板上時造成了掩模的偏差的情況下,也能夠 抑制面板面內電極覆蓋濾色片的像素,實現良好的顯示質量。
再說,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣 的,即在面板面內電極上,在包圍顯示區(qū)域的框區(qū)域內也形成有多個開
7口部。 此外,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣的,即面板面內電極的框區(qū)域形成為隨著靠近顯示區(qū)域,該框區(qū)域的開口率變高。 再說,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣的,即框區(qū)域形成為隨著靠近顯示區(qū)域,該框區(qū)域的開口率以二次函數變高。 此外,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣的,即框區(qū)域形成為該框區(qū)域的開口率低于顯示區(qū)域的開口率。
根據所述結構,將顯示區(qū)域設為電阻高的電極部分,而與此形成對照,將框區(qū)域設為電阻低的電極部分。因此,面板面的位置檢測精度進一步提高。此外,不需要在顯示區(qū)域的外側另外形成電阻低的電極,裝置的制造效率也很良好。 再說,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣的,即框區(qū)域形成為在該框區(qū)域的各條邊上,隨著靠近該邊的中央,該框區(qū)域的開口率變低。 此外,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣的,即框區(qū)域形成為在該框區(qū)域的各條邊上,隨著靠近該邊的中央,該框區(qū)域的開口率以二次函數變低。 再說,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣的,即面板面內電極由透明導電材料形成。 根據所述結構,因為面板面內電極由透明導電材料形成,所以透光率很高,面板面的顯示性能很良好。 此外,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣的,即透明導電材料由氧化銦錫、氧化銦鋅(IZO: Indium ZincOxide)、ZnO及Sn02中的至少之一構成。 根據所述結構,因為透明導電材料由氧化銦錫、氧化銦鋅、ZnO及Sn02中的至少之一構成,所以透光率很高,面板面的顯示性能很良好。
再說,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣的,即面板面內電極形成為矩形,形成為矩形的面沖反面內電極的四個角分別電連接有電流檢測機構,該電流檢測機構檢測流過該面板面內電極的電流。 根據所述結構,能夠將包括形成為矩形且四個角電連接有電流檢測機構的面板面內電極的觸控面板的接觸位置檢測精度設為良好的精度。 此外,本發(fā)明所涉及的包括觸控面板的顯示裝置也可以是這樣的,即該包括觸控面板的顯示裝置還包括電致發(fā)光(EL:electroluminescence)顯示面沖反,該電致發(fā)光顯示面4反包括形成有電極的第一基板和與該第一基板相向配置的第二基板、以及設置在第一基板與第二基板之間的電致發(fā)光元件,所迷觸控面板設置為層疊在電致發(fā)光顯示面板的第二基板上。
根據所述結構,能夠得到包括接觸位置檢測精度良好的觸控面板的電致發(fā)光顯示裝置。一發(fā)明的效杲一 根據本發(fā)明,能夠提供一種包括接觸位置檢測精度良好的觸控面板的顯示裝置。


圖1是本發(fā)明的實施方式所涉及的包括觸控面板10的液晶顯
示裝置50的剖面圖。
圖2是本發(fā)明的實施方式所涉及的觸控面板10的平面圖。
圖3是沿圖2的III —III線的、觸控面板10的剖面圖。
圖4是從上方看時得到的圖,顯示本發(fā)明的實施方式所涉及的觸控面
板10的面板面內電極12的開口部17、與CF基板65的各個像素70及
遮光部71之間的位置關系。
圖5是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的濾色片63的遮光部71的線寬
度a的大小、和面板面內電極12的格子線的線寬度b的大小的圖。圖6是本發(fā)明的實施方式所涉及的液晶顯示裝置80的剖面圖。圖7是本發(fā)明的實施方式所涉及的電致發(fā)光顯示裝置90的剖面圖。圖8是在本發(fā)明的實施方式所涉及的面板面內電極12的框狀布線13
9中的各條邊上顯示開口率下降的方向的圖。符號說明 10、 82 —觸控面板;12—面板面內電極;17—開口部;13 —框狀布線(框區(qū)域);50、 80 —液晶顯示裝置;60、 81 —液晶顯示面板;61、92、 99一玻璃基板;62 — TFT (thin film transistor:薄膜晶體管)基板;63 —濾色片;64 —玻璃基板;65 — CF (color filter:濾色片)基板;67—像素電極;68 —相向電極;70 —像素;71 —遮光部;90—電致發(fā)光顯示裝置;91—電致發(fā)光顯示面板;93 —第一電極;98—第二電極。
具體實施例方式
以液晶顯示裝置為例,用附圖對本實施方式所涉及的包括觸控面板的顯示裝置加以詳細的說明。
(包括觸控面板10的液晶顯示裝置50的結構)
圖1顯示本發(fā)明的實施方式所涉及的包括觸控面板10的液晶顯示裝置50的剖面圖。 液晶顯示裝置50包括觸控面板10、配置在觸控面板10的背面上的液晶顯示面板60、以及配置在液晶顯示面板60的背面上的未示的背光源(back light)。 首先,對觸控面板10加以說明。圖2顯示觸控面板10的平面圖,圖3顯示沿圖2的111 —III線的、觸控面板10的剖面圖。
觸控面板10由絕緣性基板11、面板面內電極12、框狀布線(框區(qū)域)13、外側布線14 (電流檢測機構)及保護膜15構成。該面板面內電極12形成在絕緣性基板11上;該框狀布線(框區(qū)域)13配置為在面板面內電極12上的四條邊上構成框子;該外側布線14 (電流檢測機構)形成在絕緣性基板ll上,并與面板面內電極12的四個角電連接;該保護膜15在絕緣性基板11上形成為覆蓋面板面內電極12、框狀布線13及外側布線14。
絕緣性基板11由玻璃或樹脂等絕緣性材料形成,形成為矩形。
面板面內電極12由鉑、金、白金、銀、銅、鋁或鈀等金屬,或者,氧化銦錫(ITO: Indium Tin Oxide)、氧化銦鋅(IZO: Indium ZincOxide)、 ZnO或Sn02等透明導電材料形成。因此,透光率很高,面板面的顯示性能很良好。面板面內電極12形成為覆蓋觸控面板10的接觸面,就是說形成在接觸面對應區(qū)域16內,形成為矩形。面板面內電極12形成為厚度例如為100埃(angstrom)左右。 面板面內電極12形成為具有多個矩形開口部17的格子狀。因為面板面內電極12如此具有多個開口部17,所以能夠設該面板面內電極12的電極電阻值為很大的值。此外,由于開口部17的存在,電極的面積已減小,因而能夠由此將寄生電容抑制到很小的值,提高透光率。而且,因為多個開口部17如此規(guī)則性地形成在面板面內電極12的表面,所以能夠在面板面的整個顯示區(qū)域內均勾地形成開口部17,能夠將觸控面板10的接觸位置檢測精度設成更為良好的精度。 此外,通過對多個開口部17的大小進行調整,將面板面內電極12形成為隨著靠近顯示區(qū)域的中央,該面板面內電極12的開口率以二次函數變高。具體而言,開口部17形成為隨著靠近顯示區(qū)域的中央,該開口部17逐漸變大;隨著走向最近的開口部17 (更靠近顯示區(qū)域的開口部17),開口部17的面積以二次函數增大。因此,能夠以更高的精度對
行補正,能夠將用來補正面板檢測位置的運算處理進一步筒化。
框狀布線13配置為在形成為矩形的面板面內電極12上,沿面板面內電極12的四條邊構成框子??驙畈季€13由導電層20和形成在導電層20上的保護層21構成。
框狀布線13的導電層20由鉑、金、白金、銀、銅、鋁或鈀等金屬,氧化銦錫、氧化銦鋅、ZnO或Sn02等透明導電材料,或者高分子導電材料等形成。框狀布線13的導電層20形成為厚度例如有2000埃(angstrom)左右。 只要是保護而不使導電層20進行腐蝕等的材料,就采用什么材料作為框狀布線13的保護層21的材料都可以,例如由氮化鈦等形成保護層21??驙畈季€13的保護層21形成為厚度例如有1000埃(angstrom)左右。
外側布線14由四條布線構成,該四條布線分別在絕緣性基板11上與面板面內電極12的四個角電連接。外側布線14的一端與面板面 內電極12的四個角中的一個角電連接,所迷外側布線14的另一端分別走 向同一方向,并與后述的驅動電路19電連接。與框狀布線13—樣,外側 布線14由導電層20和形成在導電層20上的保護層21構成。外側布線 14的導電層20及保護層21,分別由與構成框狀布線13的導電層20及 保護層21相同的構成材料形成,并分別形成為與構成框狀布線13的導電 層20及保護層21相同的厚度。 保護膜15在絕緣性基板11上形成為覆蓋面板面內電極12、框 狀布線13及外側布線14。保護膜15例如由氮化硅膜、氧化硅膜等無機 絕緣膜,有機SOG (spin on glass:旋轉涂布玻璃)膜,或者感光性有機 樹脂膜等形成。 接著,對液晶顯示面板60加以說明。如圖l所示,液晶顯示 面板60具有TFT基板62和CF基板65,該TFT基板62具有玻璃基板 61,在該CF基板65中形成有濾色片63,該CF基板65具有玻璃基板 64。在TFT基板62與CF基板65之間形成有液晶層66和未示的隔離片 (spacer)。 在TFT基板62的靠近液晶層66 —側的部分形成有矩陣狀像 素區(qū)域,并對應于像素區(qū)域形成有像素電極67和薄膜晶體管等。在TFT 基板62的基板端部設置有驅動IC (integrated circuit:集成電路)(未 示)。在TFT基板62的基板端部設置有軟式(flexible)印刷電路板(未 示),在該軟式印刷電路板中形成有控制器(未示)。
驅動IC和觸控面板10的驅動電路19分別與該控制器電連接。
補充說明一下,在哪里設置驅動IC和控制器等都可以,驅動 IC和控制器等的位置不被限于上述位置。 CF基板65在玻璃基板64上的靠近液晶層66 —側形成有濾色 片63和相向電極68等顯示元件,在該濾色片63由配置為以矩陣狀排列 的紅色、綠色及藍色的各種像素70和配置在所述像素70相亙之間的遮光 部71構成。
在TFT基板62和CF基板65的外側表面上分別形成有偏光板 (未示)和保護薄膜(未示)。而且,在TFT基板62和CF基板65的電極67、 68上分別形成有取向膜(未示)。 在此,圖4是從上方看時得到的圖,顯示液晶顯示裝置50中 的觸控面板10的面板面內電極12的開口部17、與CF基板65的各個像 素70及遮光部71之間的位置關系。
CF基板65的各個像素70設置在與面板面內電極12的開口部 17相向的區(qū)域。因此,能夠抑制液晶顯示面板60的亮度或反射率下降, 實現良好的顯示質量。 此外,CF基板65的各個像素70形成為該各個像素70的面 積小于面板面內電極12的開口部17的面積。因此,能夠更為正確地抑制 顯示面板的亮度或反射率下降,實現良好的顯示質量。
而且,在CF基板65的各個像素70與面板面內電極12的開 口部17之間的縫隙中,配置有以包圍各個像素70的方式設置為線狀的遮 光部71。此外,如圖5所示,遮光部71形成為該遮光部71的線寬度a 大于形成為格子狀的面板面內電極12的各條格子線的線寬度b。因此,即 使是在當通過掩蔽法等將濾色片63的遮光部形成在基板上時造成了掩模 的偏差的情況下,也能夠抑制面板面內電極12覆蓋濾色片63的各個像素 70,實現良好的顯示質量。 此外,觸控面板的面板面內電極的位置不被限于上迷位置,例 如也可以構成為圖6所示的結構。在此,在圖6中,以相同的符號表示形 態(tài)與上述液晶顯示裝置50的結構因素的形態(tài)相同的部件,來省略關于這 種部件的說明。
圖6顯示液晶顯示裝置80的剖面圖。在液晶顯示裝置80的形 成有濾色片63的CF基板65中,在玻璃基板64的液晶層66 —側形成有 面板面內電極12。就是說,液晶顯示裝置80具有下迷結構,即觸控面 板82組裝于具有疊層結構的液晶顯示面板81中的結構。
(包括觸控面板10的液晶顯示裝置50的功能)
接著,對包括觸控面板10的液晶顯示裝置50的功能加以說明。
首先,根據由控制器發(fā)送來的信號,TFT基板62的驅動IC使 由薄膜晶體管構成的開關元件工作,來使液晶的取向狀態(tài)變化。
液晶的取向狀態(tài)一變化,文字或圖像就顯示在液晶顯示面板60
13的表面。 向驅動IC發(fā)送信號的控制器,在進行該發(fā)送的同時向觸控面 板10的驅動電路19也發(fā)送信號,通過外側布線14使電流流向面板面內 電極12的四個角。
框狀布線13,向整個面板面內電極12均勻地施加電壓。
在這種情況下,根據顯示在液晶顯示畫面上的文字或圖像,用
手指或觸筆等接觸物接觸到觸控面板10的接觸面中應該選出的項目所存
在的部位。
在接觸物接觸到了觸控面板10的接觸面上的情況下,在面板
面內電極12中與接觸部分對應的位置上產生電容耦合,電容變化。
電容一變化,就在與面板面內電極12的四個角連接的外側布
線14中,與從接觸物離開多少的距離成比例的電流信號流動。
在與面板面內電極12的四個角連接的外側布線14中流動的電
流信號流過驅動電路19而被送向控制器,根據各自的電流值被計算出接
觸物的位置坐標。
根據計算出的位置坐標,控制器再次向TFT基板62的驅動IC 發(fā)送信號,來使液晶顯示畫面的文字或圖像變成所希望的文字或圖像。
(包括觸控面板10的液晶顯示裝置50的制造方法)
接著,對包括觸控面板10的液晶顯示裝置50的制造方法加以說明。
(面板面內電極形成工序)
首先,利用濺射法在絕緣性基板11上形成IZO膜(厚度為300埃 (angstrom)左右)。
接著,將由感光性樹脂構成的抗蝕劑涂在IZO膜上來形成抗蝕 膜,然后對該抗蝕膜進行曝光和顯影,來形成規(guī)定的抗蝕圖案。
接著,以上述抗蝕圖案作為掩模,通過濕蝕刻將IZO膜蝕刻成 格子狀,來形成面板面內電極12。
(布線形成工序)
接著,利用濺射法,在絕緣性基板11及面板面內電極12上例如分別 形成鋁膜(厚度為2000埃(angstrom)左右)和氮化鈦膜(厚度為1000埃(angstrom)左右),作為金屬導電膜。
接著,將由感光性樹脂構成的抗蝕劑涂在氮化鈦膜上來形成抗 蝕膜,然后對該抗蝕膜進行曝光和顯影,來形成規(guī)定的抗蝕圖案。
接著,以抗蝕圖案作為掩模,分別對鋁膜及氮化鈦膜進行千蝕 刻,來分別形成框狀布線13和外側布線14。
(保護膜形成工序)
接著,例如利用CVD (Chemical Vapor Deposition:化學氣相沉積) 法,以分別覆蓋絕緣性基板11、面板面內電極12、框狀布線13及外側布 線14的方式形成氮化硅膜(厚度為1500埃(angstrom)左右)。
接著,將由感光性樹脂構成的抗蝕劑涂在氮化硅膜上來形成抗 蝕膜,然后對該抗蝕膜進行曝光和顯影,來形成規(guī)定的抗蝕圖案。
接著,以抗蝕圖案作為掩模,對氮化硅膜進行千蝕刻或濕蝕刻, 來形成保護膜15。
通過上述工序形成觸控面板10。
(液晶顯示裝置的制造工序)
接著,對包括觸控面板10的液晶顯示裝置50的制造工序加以說明。
(CF基板形成工序)
首先,準備玻璃基板64。然后,利用濺射法等,將寬度為5xzm到 50Mm左右的黑矩陣形成在玻璃基板64上的像素70相互之間(10mm 以下),作為遮光部71。接著,將分散有紅顏料的樹脂薄膜(千薄膜)層 壓(laminate)在玻璃基板64上的整個顯示區(qū)域上,再進行曝光、顯影 及烘烤(bake)(熱處理),從而形成第一顏色層(紅)。接著,通過層壓 將分散有綠顏料的樹脂薄膜重疊在第一顏色層上,再進行曝光、顯影及烘 烤(熱處理),從而形成第二顏色層(綠)。同樣,形成第三顏色層(藍)。 接著,通過將氧化銦錫氣相沉積在顏色層上來形成相向電極68,接著形成 取向膜。
通過上述工序制作CF基板65。
(TFT基板形成工序)
接著,準備玻璃基板61,形成柵極電極和柵極絕緣膜。接著,形成蝕 刻保護膜,形成圖案。接著,形成接觸孔、漏極電極及源極電極。接著,通過同一工序或別的工序將驅動IC設置在基板端部,形成薄膜晶體管,
而且還形成控制器。接著,通過用氧化銦錫進行真空蒸鍍(vacuum evaporation)來形成圖案,形成j象素電極67。接著,經過光刻工序形成 多個用來規(guī)定單元厚度的隔離片。補充說明一下,也可以將隔離片形成在 CF基板65 —側。
通過上述工序制作TFT基板62。
(液晶顯示面板形成工序)
接著,以連續(xù)不斷的方式將密封材料涂在TFT基板62的遮光部上。
接著,用分配器(dispenser)等將一次注射量例如為2mg的 液晶材料向TFT基板62滴下。此時,將液晶材料向比以框狀涂在TFT 基板62的遮光部的外側周圍的密封材料靠內側的部位滴下。
接著,將CF基板65在調整好位置的狀態(tài)下貼在滴下了液晶材 料的TFT基板62上。此時,液晶顯示單元形成在貼上的CF基板65及 TFT基板62中由密封材料包圍的區(qū)域內。在真空中進行該工序。接著, 一回到大氣中,位于貼在一起的TFT基板62與CF基板65之間的液晶 材料就由于大氣壓力而擴散。
這樣通過將液晶材料密封在兩張基板之間而形成貼合基板,再 在該貼合基板的兩個表面上設置保護膜,來制作液晶顯示面板60。
接著,將觸控面板10設置在液晶顯示面板60的靠CF基板65 一側的表面上,并將觸控面板10的驅動電路19及液晶顯示面板60的控 制器電連接起來。 而且,將背光源等設置在靠TFT基板62—側的表面上,來制 作出液晶顯示裝置50。 補充說明一下,本實施方式所涉及的觸控面板10也可以是這 樣的,即在面板面內電極12上,在包圍顯示區(qū)域的框狀布線13中也形 成有多個開口部。 此外,本實施方式所涉及的觸控面板10也可以是這樣的,即 面板面內電極12的框狀布線13形成為隨著靠近顯示區(qū)域,該框狀布線 13的開口率變高。具體而言,隨著走向最近的開口部(更靠近顯示區(qū)域的 開口部),開口部的面積增大。
再說,本實施方式所涉及的觸控面^! 10也可以是這樣的,即 框狀布線13形成為隨著靠近顯示區(qū)域,該框狀布線13的開口率以二次函 數變高。具體而言,開口部形成為隨著靠近顯示區(qū)域,開口部逐漸變大; 隨著走向最近的開口部(更靠近顯示區(qū)域的開口部),該開口部的面積以二 次函數增大。 此外,本實施方式所涉及的觸控面;t反10也可以是這樣的,即 框狀布線13形成為該框狀布線13的開口率低于顯示區(qū)域的開口率。具體 而言,也可以是這樣的,即框狀布線13的開口部形成為每單位面積的 開口率低于顯示區(qū)域的該單位面積的開口率,比如說,框狀布線13的開
口部形成得小于顯示區(qū)域的開口部等等。 根據所述結構,顯示區(qū)域就成為電阻高的電極部分,而與此形 成對照,框狀布線13成為電阻低的電極部分。因此,面板面的位置檢測 精度進一步提高。此外,不需要在顯示區(qū)域的外側另外設置電阻低的電極, 裝置的制造效率也很良好。 再說,本實施方式所涉及的觸控面板10也可以是這樣的,即 框狀布線13形成為在該框狀布線13的各條邊上,隨著靠近該邊的中央, 該框狀布線13的開口率變低。具體而言,如圖8的箭形符號所示,隨著 走向最近的開口部(在各條邊上更靠近中央的開口部),開口部的面積變小。
此外,本實施方式所涉及的觸控面^f反10也可以是這樣的,即 框狀布線13形成為在該框狀布線13的各條邊上,隨著靠近該邊的中央, 該框狀布線13的開口率以二次函數變低。具體而言,如在圖8中記載的 方向D所示,隨著走向最近的開口部(在各條邊上更靠近中央的開口部), 開口部的面積以二次函數變小。 再說,若形成有框狀布線13的區(qū)域(框區(qū)域)的電阻值低于接 觸面對應區(qū)域的電阻值,位置檢測精度就進一步提高。因此,也可以采用 不設置由導電層20和保護層21形成的框狀布線13的結構作為觸控面板 10的結構。 再說,舉出了液晶顯示裝置作為顯示裝置的例子,不過顯示裝 置不被限于此。也能夠對PDP (plasma display panel:等離子顯示面板)、 EL (electroluminescence: 電致發(fā)光)、電泳(electrophoresis)顯示器
17或者SED (surface-conduction electron-emitter display:表面?zhèn)鲗щ娮?發(fā)射顯示器)等其他顯示裝置采用本發(fā)明。 下面,對在上列顯示裝置中的電致發(fā)光顯示裝置中采用本發(fā)明 的觸控面板時的、顯示裝置的結構加以說明。 圖7是包括所迷觸控面板10的電致發(fā)光顯示裝置90的剖面圖。 電致發(fā)光顯示裝置90由電致發(fā)光顯示面板91和層疊在該電致發(fā)光顯示面 板91上的觸控面板IO構成。
電致發(fā)光顯示面板91是玻璃基板92、第一電極93、第一介電 體層94、半導體膜95、電致發(fā)光結晶化發(fā)光膜(電致發(fā)光元件)96、第 二介電體層97、第二電極98及玻璃基板99從下方依次層疊而構成的。
因為具有所述結構的電致發(fā)光顯示裝置90包括上述觸控面板 10,所以接觸位置檢測精度很良好。
(作用和效果)
接著,對作用及效果加以說明。
根據本發(fā)明的實施方式所涉及的包括觸控面板10的液晶顯示 裝置50,因為在面板面內電極12的顯示區(qū)域內形成有多個開口部17,所 以能夠由此將面板面內電極12的電阻值設為很大的值。此外,由于開口 部17的存在,面板面內電極12的面積已減小,因而能夠由此設寄生電容 為很小的值,能夠提高透光率。因此,觸控面板10的接觸位置檢測精度 很良好。
一工業(yè)實用性一 如上所述,本發(fā)明對包括觸控面板的顯示裝置很有用。
權利要求
1. 一種包括觸控面板的顯示裝置,是包括使接觸物與面板的接觸面接觸而檢測出該接觸面上的接觸位置的觸控面板的顯示裝置,其特征在于該觸控面板具有在顯示區(qū)域內形成有多個開口部的面板面內電極。
2. 根據權利要求1所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述面板面內電極形成為隨著靠近所述顯示區(qū)域的中央,該面板面內電極的開口率變高。
3. 根據權利要求2所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述面板面內電極形成為隨著靠近所述顯示區(qū)域的中央,該面板面內電極的開口率以二次函數變高。
4. 根據權利要求1所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述多個開口部規(guī)則性地形成在所述面板面內電極的表面。
5. 根據權利要求4所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述面板面內電極形成為具有所述多個開口部,大致呈格子狀。
6. 根據權利要求1所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 在所述包括觸控面板的顯示裝置中,以與所述觸控面板層疊在一起的方式還設置有具有濾色片的液晶顯示面板。
7. 根據權利要求6所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述面板面內電極形成在形成有構成所述液晶顯示面板的所述濾色片的基板上。
8. 根據權利要求7所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述面板面內電極形成在形成有所述濾色片的所述基板的液晶層一側。
9. 根據權利要求6所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述濾色片具有配置為以矩陣狀排列的多個像素。
10. 根據權利要求5或9所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于所述濾色片的像素設置在與所述面板面內電極的開口部相向的區(qū)域。
11. 根據權利要求IO所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述濾色片的像素形成為該濾色片的像素的面積小于所述面板面內電極的開口部的面積。
12. 根據權利要求11所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述濾色片具有以包圍所述像素的方式設置為線狀的遮光部, 所述遮光部形成為該遮光部的線寬度大于形成為格子狀的所述面板面內電極的各條格子線的線寬度。
13. 根據權利要求1所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 在所述面沖反面內電極上,在包圍所述顯示區(qū)域的框區(qū)域內也形成有多個開口部。
14. 根據權利要求13所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述面板面內電極的框區(qū)域形成為隨著靠近所述顯示區(qū)域,該框區(qū)域的開口率變高。
15. 根據權利要求14所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述框區(qū)域形成為隨著靠近所述顯示區(qū)域,該框區(qū)域的開口率以二次函數變高。
16. 根據權利要求13所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述框區(qū)域的開口率低于所述顯示區(qū)域的開口率。
17. 根據權利要求13所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述框區(qū)域形成為在該框區(qū)域的各條邊上,隨著靠近該邊的中央,所述框區(qū)域的開口率變低。
18. 根據權利要求17所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述框區(qū)域形成為在該框區(qū)域的各條邊上,隨著靠近該邊的中央,所述框區(qū)域的開口率以二次函數變低。
19. 根據權利要求1所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述面板面內電極由透明導電材料形成。
20. 根據權利要求1所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 所述透明導電材料由氧化銦錫、氧化銦鋅、ZnO及Sn02中的至少之一構成。
21. 根據權利要求1所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于所述面板面內電極形成為矩形,形成為矩形的所述面板面內電極的四個角分別電連接有電流檢測機 構,該電流檢測機構檢測流過該面板面內電極的電流。
22.根據權利要求l所述的包括觸控面板的顯示裝置,其特征在于 該包括觸控面板的顯示裝置還包括電致發(fā)光顯示面板,該電致發(fā)光顯 示面板包括形成有電極的第一基板和與該第一基板相向配置的第二基板、 以及設置在所述第一基板與所述第二基板之間的電致發(fā)光元件,所述觸控面板設置為層疊在所述電致發(fā)光顯示面板的第二基板上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種包括觸控面板的顯示裝置。該包括觸控面板的顯示裝置是包括使接觸物與面板的接觸面接觸而檢測出該接觸面上的接觸位置的觸控面板的顯示裝置。該觸控面板具有在顯示區(qū)域內形成有多個開口部的面板面內電極。
文檔編號G06F3/041GK101512469SQ20078003366
公開日2009年8月19日 申請日期2007年5月28日 優(yōu)先權日2006年9月11日
發(fā)明者中田淳, 大和朝日, 高橋和樹 申請人:夏普株式會社
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