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重復抹寫晶片卡的制程方法

文檔序號:6571093閱讀:141來源:國知局
專利名稱:重復抹寫晶片卡的制程方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種重復抹寫(Rewr i t ab 1 e) RFID晶片卡的制程方法。
背景技術
一般的制卡技術皆通過壓制程序完成制卡的操作,然而, 一般市面上的RFID 晶片卡僅為單純的RFID晶片卡,通過晶片卡內(nèi)的晶片讀取其內(nèi)的數(shù)據(jù),現(xiàn)今有 部分從業(yè)人員研發(fā)出可重復抹寫的RFID晶片卡,主要是在晶片卡完成之前,再 將一抹寫層同時壓制于晶片卡上,然而在加入此一抹寫層的同時,雖根據(jù)上述 方式,可壓制出具有抹寫的晶片卡,但對于從業(yè)人員來說,由于制程的步驟增 加,若不研發(fā)出相對的特殊制程,控制好制程中的各項變數(shù),卡片無法達到平 整、耐高溫等特性,同時制卡的良率與效率,將大幅下降,增加許多成本。
由此可見,若延用舊有制卡方式,而不研發(fā)出相對的特殊制程,將會產(chǎn)生許 多缺失與損失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種新的可重復抹寫RFID晶片卡的制程控制程序及 條件,改變舊有壓卡制程技術的控制程序及條件,大幅降低制卡時間與成本, 并使卡片的平整度能在ISO國際標準規(guī)定范圍內(nèi),且能耐高溫而延長卡片使用 壽命。
本發(fā)明的另一目的是在于提供一種在該晶片卡最后成品壓制時,僅受到一 次高溫鋼板壓制,使得完成的晶片卡將持久性不易彎曲不平,將可有效提升制 卡高良好率的可重復抹寫晶片卡的制程方法。
可達成上述發(fā)明目的的重復抹寫晶片卡的制程方法,包括有 一心層、外 層及重復抹寫膜等所構(gòu)成;其中,該心層內(nèi)已含有RFID晶片暨天線,該RFID 晶片暨天線包入心層中時的制程溫度約攝氏130度。該心層的兩表面皆黏貼有 一外層,致使心層受到外層的包覆,再于兩外層上依需求印刷上一油墨層或不 印刷,最后,再于上、下的油墨層(若無印刷則是外層)的一面或二面黏貼一可 重復抹寫膜,再經(jīng)由高溫鋼板設定不同階段以不同壓力壓制的方式,將前述各層壓制完成一 RFID晶片卡。完成后,立即以室溫(約才聶氏25度)經(jīng)由鋼板設定 不同階段以不同壓力再一次加壓定型。根據(jù)上述制卡制程的步驟,將可降低制 作時的不良率,由于該晶片卡整體僅一次受到高溫鋼板壓制,使得完成的晶片 卡將持久性不易彎曲不平,可有效提升制卡的高良好率,從而達到一次成卡、 工時降低、晶片卡平整度好、耐高溫且低成本制作等諸多功效的目的。本發(fā)明所提供的重復抹寫晶片卡的制程方法,與其它現(xiàn)有技術相互比較時,更具有下列的優(yōu)點1. 本發(fā)明提供了 一種RFID晶片卡在最后成品壓制時,僅受到 一 次高溫鋼板 壓制,可降低制卡時間與成本,且使卡片的平整度能在ISO國際標準規(guī)定范圍 內(nèi)。2. 本發(fā)明提供了一種RFID晶片卡在最后成品壓制時,僅受到一次高溫鋼板 壓制,使得完成的晶片卡將持久性不易彎曲不平且耐高溫,將可有效提升制卡 高良好率及延長卡片的使用壽命。3. 本發(fā)明提供了一特殊制程環(huán)境控制,可大幅提高產(chǎn)品良率與使用穩(wěn)定性 等多重功效的重復抹寫晶片卡的制程方法。


圖1為本發(fā)明重復抹寫RFID晶片卡的制程方法的步驟圖;圖2A、 B為該重復抹寫RFID晶片卡的制程方法的實施示意圖;圖3為該重復抹寫RFID晶片卡的制程方法的另一實施例圖;圖4A、 B為該重復抹寫RFID晶片卡的制程方法的又一實施例圖;101、步驟一 ;102、步驟二;1、晶片卡;11、心層;12、外層;13、復抹寫膜;2、油墨層。
具體實施方式
請參閱圖1所示,本發(fā)明所提供的重復抹寫RFID晶片卡的制程方法,主要 步驟包括有步驟一 101:是將一心層11兩表面皆黏貼一外層12,致使該心層11受到 外層12的包覆(如圖2A、 B所示);該心層ll是可為一聚氯乙烯材質(zhì)(PVC)所制 成;該心層11是可包含有一 RFID晶片暨天線,使得該心層具有接收訊夸及發(fā) 送訊號的作用;該外層12是可為一聚對苯二甲酸乙二醇酯材質(zhì)(PET)所制成;根據(jù)需要,該外層12的一表面或兩表面可印刷一油墨層2 (如圖3所示);步驟二102:再將兩重復抹寫膜13黏貼于外層12表面上,并經(jīng)由高溫鋼板的壓制,即完成RFID晶片卡1的制作(如圖2B所示); 高溫鋼板的壓制過程,環(huán)境變量控制如下的比例溫度 140。C :t 5°C階段壓力時間14Mpa5m25Mpa5m36Mpa4m43. 8Mpa5m高溫鋼板壓制完成后,于室溫下再以高壓鋼板加壓定型,環(huán)境變數(shù)控制如下溫度25°C ±5°C階段壓力時間11. 5Mpa5m22. 5Mpa4m33. 5Mpa6m44. OMpa8m請參閱圖4A、 B所示,該外層12是可黏貼一重復抹寫膜13,或黏貼于印刷 有油墨層2的外層12上。根據(jù)上述圖1至4A、 B各制程的步驟,除了可降低制作時的不良率、制作 成本降低并達到晶片卡1平整度良好、耐高溫等諸多功效的目的,并可依據(jù)制 作需求的不同,將其制作成不同的雙面壓制重復抹寫膜13或單面壓制重復抹寫 膜13的晶片卡1。上列詳細說明是針對本發(fā)明之可行實施例的具體說明,該實施例并非用以 限制本發(fā)明的專利范圍,凡未脫離本發(fā)明技藝精神所為的等效實施或吏更,均 應包含于本發(fā)明的專利范圍中。
權(quán)利要求
1. 一種重復抹寫晶片卡的制程方法,其特征在于其步驟包括步驟一將一心層兩表面皆黏貼一外層;步驟二將兩重復抹寫膜黏貼于外層,并經(jīng)由高溫鋼板的壓制,即完成晶片卡的制作。
2、 如權(quán)利要求1所述的重復抹寫晶片卡的制程方法,其特征在于所述心層由 一聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride, PVC)材質(zhì)制成。
3、 如權(quán)利要求2所述的重復抹寫晶片卡的制程方法,其特征在于所述心層包 含有一 RFID晶片暨天線,使得該心層可接收訊號及發(fā)送訊號。
4、 如權(quán)利要求1所述的重復抹寫晶片卡的制程方法,其特征在于所述外層由 一聚對苯二曱酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate, PET)材質(zhì)制成。
5、 如權(quán)利要求4所述的重復抹寫晶片卡的制程方法,其特征在于所述外層可視需要于其一表面或兩表面印刷一油墨層。
6、 一種重復抹寫晶片卡的制程方法,其特征在于其步驟包括步驟一將一心層兩表面皆黏貼一外層;步驟二將一重復抹寫膜祐貼于外層,并經(jīng)由高溫鋼板的壓制,即完成晶 片卡的制作。
7、 如權(quán)利要求6所述的重復抹寫晶片卡的制程方法,其特征在于所述心層由 一聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride, PVC)材質(zhì)制成。
8、 如權(quán)利要求7所述的重復抹寫晶片卡的制程方法,其特征在于所述心層包 含有一 RFID晶片暨天線,使得該心層可接收訊號及發(fā)送訊號。
9、 如權(quán)利要求6所述的重復抹寫晶片卡的制程方法,其特征在于所述外層由 一聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate, PET)材質(zhì)制成。
10、 如權(quán)利要求9所述的重復抹寫晶片卡的制程方法,其特征在于所述外層 可視需要于其一表面或兩表面印刷一油墨層。
全文摘要
一種可重復抹寫的RFID(Radio Frequency Identification)晶片卡的制程方法,其主要是將一聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride,PVC)材質(zhì)心層(內(nèi)含RFID晶片)的兩表面各黏貼有一聚對苯二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneTerephthalate,PET)材質(zhì)的外層,需要時可于兩外層上皆印刷上圖樣,最后,再于外層上、下之一或上下皆黏貼有一重復抹寫膜(Thermal Rewrite Film,TRF),再經(jīng)由高溫高壓的特殊制程環(huán)境控制的方式,將其壓制成一可重復抹寫的RFID晶片卡;因此,根據(jù)上述制程的步驟,制造出一種品質(zhì)優(yōu)良,功能創(chuàng)新的RFID晶片卡。
文檔編號G06K19/07GK101221627SQ20071000386
公開日2008年7月16日 申請日期2007年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月10日
發(fā)明者許曙輝, 陳秀梅 申請人:奈訊控股股份有限公司
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