專利名稱：存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種存儲卡(Memory card)半導(dǎo)體封裝技術(shù)，特別是關(guān)于一種Micro-SD或MMC-Micro卡式半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著手機(jī)與各式便攜產(chǎn)品的蓬勃發(fā)展，小型存儲卡市場快速成長，例如SD(Secure Digital)、MMC(Multi Media Card)卡等，這種存儲卡是一種高容量閃存電路模塊，該電路模塊可連接至一電子信息平臺，例如個人計算機(jī)、個人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、數(shù)碼照相機(jī)、多媒體瀏覽器，儲存各種數(shù)字多媒體數(shù)據(jù)，例如數(shù)碼相片、視頻數(shù)據(jù)或音頻數(shù)據(jù)。
有關(guān)存儲卡模塊結(jié)構(gòu)的相關(guān)技術(shù)可見美國專利第5677524號″CHIP CARD AND A METHOD FOR PRODUCING IT″、美國專利第6040622號″SEMICONDUCTOR PACKAGE USING TERMINALSFORMED ON A CONDUCTIVE LAYER OF A CIRCUIT BOARD″以及日本專利62-239554號″IC CARD TYPE EP-ROM STRUTURE″等。
中國臺灣專利公告第570294號案揭示一種存儲卡制造方法，它在具有多條基片單元的陣列基片模塊片中，對應(yīng)各該基片單元進(jìn)行芯片接置與電性連接，再在該整片基片模塊片上形成一封裝膠體，接著利用鉆石砂輪(Grinding wheel cutter)沿各該基片單元進(jìn)行切割，通過成批方式制作出多條正方形的封裝件，再將該封裝件嵌入至一外殼體中。
為配合各種輕、薄、短、小電子裝置的發(fā)展，存儲卡的設(shè)計也需更加小型化，有從MMC演變至RSMMC及MMC-Micro；以及由SD演變至mini SD及Micro-SD等發(fā)展趨勢，于是，伴隨著工序變化及產(chǎn)品的多樣化，存儲卡等卡式封裝件的樣式，已不再是上述傳統(tǒng)的由單調(diào)直線構(gòu)成的正方形，目前已轉(zhuǎn)變成具不規(guī)則的形狀。然而，上述工序中采用鉆石砂輪的切割方式，僅可形成直線切割路徑，無法應(yīng)付不規(guī)則形狀，如Micro-SD或MMC-Micro的卡式封裝件需求。
再者，上述現(xiàn)有技術(shù)中需在芯片完成封裝后，再額外封蓋一外殼，這樣導(dǎo)致成本及工序的增加，不符合經(jīng)濟(jì)效益。
另外，美國專利US 6548911號雖然揭示一種無須使用外殼的多媒體電路卡工序技術(shù)，但是僅可應(yīng)用于制造MMC外型的存儲卡，依舊無法提供制造MMC-Micro或Micro-SD等不規(guī)則外型的存儲卡。
美國專利US 2004/0259291則公開另一種無須使用外殼且可處理不規(guī)則存儲卡封裝件的工序技術(shù)，它主要是在一具有多條基片單元的基片模塊片上對應(yīng)各基片單元進(jìn)行置晶及打線作業(yè)，再全面在該基片模塊片上進(jìn)行封裝膠體工序，接著再利用水刀或激光對應(yīng)要形成存儲卡封裝件的外觀進(jìn)行切割，形成多條具有不規(guī)則形狀，如Micro-SD或MMC-Micro的存儲卡封裝件。
但是，在上述工序中，對應(yīng)切割不規(guī)則封裝件使用的水刀，是經(jīng)過超高壓增壓器，將水增壓至55000psi，然后通過一直徑僅0.004英時的噴嘴噴出，產(chǎn)生3000英呎/秒(約三倍音速)的高速水流，同時另可添加高硬度細(xì)砂，以增強(qiáng)其切割能力，可切割金屬及硬質(zhì)材料。然而，該水刀工序成本高，且在水刀的水柱內(nèi)需加入細(xì)砂研磨劑(abrasive)，該細(xì)砂產(chǎn)生的粉塵及渣料不僅會造成環(huán)境污染，同時該研磨劑是拋棄式，使用過一次后需丟棄無法重復(fù)使用，相對提高工序成本。再者，該水刀切割寬度及路徑受限于水刀壓力及研磨劑的顆粒大小，因此極易在切割不規(guī)則封裝件時，造成切割路徑不穩(wěn)定，且該水刀噴口常被研磨劑阻塞，相對增加了工序的不穩(wěn)定性；另外由于其切割面常被細(xì)砂沖刷，因而造成封裝件切割面不平整問題。
業(yè)界也曾用激光方式進(jìn)行切割，但是激光切割也會產(chǎn)生封裝膠體及基片邊緣燒焦等問題，造成切割面不平整，同時切口也會有毛邊及粉塵污染等情況；另外，受限于激光照射角度的影響，造成部分封裝件的切割面有歪斜現(xiàn)象；再者，該激光切割成本(如激光切割設(shè)備、燈管耗材成本)過高，不符合經(jīng)濟(jì)效益。另外，不論水刀或激光切割方式，由于其是利用細(xì)砂或具有能量的光束從封裝膠體上緣向下沖切，易造成封裝膠體的崩缺(chip-out)或膠體裂損(crack)等切割面不平順問題，嚴(yán)重影響存儲卡封裝件的外觀及質(zhì)量。
為此，本申請人在中國臺灣申請第94116830號案中提出一種存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法，該存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法預(yù)先提供如圖2A所示的具有多條基片單元300的基片模塊片30；接著如圖2B所示，在各該基片單元300上接置并電性連接至少一半導(dǎo)體芯片31；然后如圖2C所示，在對應(yīng)各基片單元300上形成一獨立封裝膠體32，且該封裝膠體32的外觀形狀直接對應(yīng)形成卡式電路模塊外觀，各該封裝膠體周緣形成一傾斜面320；最后如圖2D所示，利用銑刀刀具并程序化控制其切割路徑330，沿著各該封裝單元周圍的傾斜面320，切割該基片模塊片30及封裝膠體32周緣，制得一具有不規(guī)則外型的存儲卡半導(dǎo)體封裝件。
在上述本申請人提出的專利申請案中，雖然已提供無須使用外殼且可可處理不規(guī)則存儲卡如Micro-SD或MMC-Micro封裝件的工序技術(shù)，并無須使用水刀或激光切割，避免了工序成本提高及復(fù)雜度增加等問題。然而，由于必須使用銑刀分別切割包括封裝膠體32及基片模塊片30，才能一一制得個別的半導(dǎo)體封裝件，因此不僅耗時、工序步驟繁瑣，且持續(xù)沿著每一切割路徑330切割封裝膠體及基片模塊片30，也加速刀具的磨損，相對降低了切割精度，增加了更換刀具的成本與時間，導(dǎo)致整體工序成本難以降低，從而降低了產(chǎn)業(yè)競爭力。
因此，如何解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，提供一種可簡化工序、無須使用水刀或激光切割、可縮短工序時間、減緩刀具磨損、降低制造成本的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)，已成為目前業(yè)界亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的主要目的在于提供一種可簡化工序的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種降低制造成本的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的次一目的在于提供一種可減緩刀具磨損的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種可縮短工序時間的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的又一目的是在提供一種無須使用水刀或激光切割的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)。
為實現(xiàn)上述及其它目的，本發(fā)明存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法包括提供多個存儲卡形狀的基片單元的基片模塊片，各該基片單元以第一連接部連接至該基片模塊片，相鄰的基片單元以第二連接部相連；提供至少一芯片電性連接在該基片單元；在各該存儲卡形狀的基片單元上形成與存儲卡形狀相同且包覆該芯片的封裝膠體，并形成切割線；以及沿該切割線進(jìn)行切割，制成預(yù)定形狀的存儲卡半導(dǎo)體封裝件。
本發(fā)明還提供一種存儲卡半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)，該存儲卡半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)包括基片單元，呈存儲卡形狀；至少一芯片，電性連接到該基片單元；以及封裝膠體，與存儲卡形狀相同，且形成于各該存儲卡形狀的基片單元上，并包覆該芯片。
該存儲卡形狀的基片單元與預(yù)定形狀的存儲卡半導(dǎo)體封裝件形狀相同。該存儲卡半導(dǎo)體封裝件是Micro-SD或MMC-Micro封裝件。該連接部是連接桿(Connecting Bar)。該芯片以倒裝芯片或打線方式電性連接到該存儲卡形狀基片單元。該封裝膠體采用與存儲卡形狀相同的模具進(jìn)行模壓形成。該基片模塊片的多條存儲卡形狀的基片單元可呈多排的排列結(jié)構(gòu)。該模具每一邊都大于該基片單元0.5至0.8mm，其中該模具每一邊都大于該基片單元0.5mm較佳。
本發(fā)明提供的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)將存儲卡不規(guī)則外型(MMC Micro)在基片上以模壓方式直接成形，不用切割不規(guī)則形狀膠體即可制成預(yù)定形狀的存儲卡半導(dǎo)體封裝件，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明無須使用水刀或激光切割膠體形成不規(guī)則外型，可簡化制法、減緩刀具磨損、降低制造成本，從而避免采用水刀或激光切割造成膠體崩缺或膠體裂損等問題。因此，本發(fā)明提供的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)可解決現(xiàn)有技術(shù)的缺點。


圖1A至圖1E是本發(fā)明的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法流程示意圖；以及圖2A至圖2D是現(xiàn)有存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法流程示意圖。
具體實施例方式
實施例圖1A至圖1E是本發(fā)明提供的半導(dǎo)體封裝件的制法流程圖。
首先，提供多條存儲卡形狀基片單元的基片模塊片，各該基片單元以連接部相連并分別接置且電性連接至少一芯片。
如圖1A所示，提供一基片模塊片1，該基片模塊片1具有多條存儲卡形狀的基片單元11、連接相鄰基片單元11的第一連接部13、連接各該基片單元11至該基片模塊片1的第二連接部14以及設(shè)在各該存儲卡形狀基片單元11的至少一芯片15。
在本實施例中，該存儲卡形狀的基片單元11與預(yù)定形狀的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的形狀相同，該存儲卡形狀的基片單元11已完成線路布局，并在背面設(shè)置有多個電性端子(Terminals)(未標(biāo)出)，與外部裝置電性連接。該存儲卡半導(dǎo)體封裝件可以是Micro-SD或MMC-Micro封裝件。該連接部13可以是連接桿(Connecting Bar)。同時，本實施例中的存儲卡形狀的基片單元11是兩排排列結(jié)構(gòu)，但在其它實施方式中該存儲卡形狀的基片單元11也可以是單排排列結(jié)構(gòu)或其它排數(shù)的多排排列結(jié)構(gòu)。
在本實施例中的芯片15是以打線方式(未標(biāo)出)電性連接到該存儲卡形狀的基片單元11，并使該芯片15電性導(dǎo)接至該存儲卡形狀的基片單元11背面的電性端子；但是，在其它實施方式中也可利用倒裝芯片或其它方式電性將該芯片15連接至該存儲卡形狀的基片單元11，且該芯片15的設(shè)置數(shù)量與設(shè)置位置也不以本實施例為限。另外，如果該芯片15需要搭配外接被動元件，則與此同時將所需的被動元件連接到各存儲卡形狀的基片單元11上的被動元件安置區(qū)(未標(biāo)出)。
接著，在各該存儲卡形狀的基片單元11上形成與存儲卡形狀相同并包覆該芯片15的封裝膠體17。如圖1B及圖1C所示，在本實施例中采用與該存儲卡形狀相同的模具(未標(biāo)出)進(jìn)行模壓封裝膠體17的步驟；應(yīng)注意的是，該模具的每一邊略大于該基片單元11約0.5至0.8mm，其中以0.5mm為較佳。同時，在此步驟中包括形成預(yù)定切割線171，該切割線171通過該第一連接部13、該第二連接部14及該封裝膠體17。
最后，如圖1D所示，用切割刀的切削刀具2，沿該切割線171切除連接各該存儲卡形狀的基片單元11的第一連接部13及第二連接部14，制成預(yù)定形狀的存儲卡半導(dǎo)體封裝件?，F(xiàn)有技術(shù)是對應(yīng)各基片單元周圍形成的不規(guī)則切割路徑進(jìn)行不規(guī)則膠體切割工作，本發(fā)明中各該存儲卡形狀的基片單元11僅須沿該切割線171進(jìn)行水平切割，即可得到不規(guī)則形狀的Micro-SD或MMC-Micro。因此，無須使用水刀、激光等工序，使制法變得簡單、成本相對降低，且可避免使用水刀、激光造成的膠體崩缺或膠體裂損等問題。如圖1E(圖1D的平面俯視圖)所示，可獲得預(yù)定存儲卡形狀(不規(guī)則形狀)的存儲卡半導(dǎo)體封裝件100。
該存儲卡半導(dǎo)體封裝件100包括存儲卡形狀的基片單元11、電性連接該基片單元11的至少一芯片15以及在各該存儲卡形狀的基片單元11上形成形狀相同并包覆該芯片15的封裝膠體17。該基片單元11具有第一連接部13及第二連接部14。該存儲卡半導(dǎo)體封裝件100還包括通過該第一連接部13、該第二連接部14及該封裝膠體17的切割線171。
本發(fā)明提供的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法是將存儲卡不規(guī)則外型(MMC Micro)在基片上以模壓方式直接成形，不用切割不規(guī)則形狀膠體即可制成預(yù)定形狀的存儲卡半導(dǎo)體封裝件，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明無須使用水刀或激光切割膠體形成不規(guī)則外型，可簡化制法、減緩刀具磨損、降低制造成本，從而避免采用水刀或激光切割造成膠體崩缺或膠體裂損等問題。因此，本發(fā)明提供的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)解決了現(xiàn)有技術(shù)的缺點。
權(quán)利要求
1.一種存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法包括提供多個存儲卡形狀的基片單元的基片模塊片，各該基片單元以第一連接部連接至該基片模塊片，相鄰的基片單元以第二連接部相連；提供至少一芯片電性連接在該基片單元；在各該存儲卡形狀的基片單元上形成與存儲卡形狀相同且包覆該芯片的封裝膠體，并形成切割線；以及沿該切割線進(jìn)行切割，制成預(yù)定形狀的存儲卡半導(dǎo)體封裝件。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該封裝膠體形狀略大于該基片單元尺寸，能夠包覆該基片單元。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該存儲卡形狀的基片單元與預(yù)定形狀的存儲卡半導(dǎo)體封裝件形狀相同。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該存儲卡半導(dǎo)體封裝件是Micro-SD或MMC-Micro封裝件。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一連接部及該第二連接部是連接桿。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法包括采用與存儲卡形狀的基片單元斷面形狀相同的模具進(jìn)行模壓封裝膠體的步驟。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該模具的每一邊大于該基片單元0.5至0.8mm。
8.如權(quán)利要求6所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該模具的每一邊大于該基片單元0.5mm。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該切割線通過該第一連接部、該第二連接部及該封裝膠體。
10.一種存儲卡半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該存儲卡半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)包括基片單元，呈存儲卡形狀；至少一芯片，電性連接到該基片單元；以及封裝膠體，與存儲卡形狀相同，且形成于各該存儲卡形狀的基片單元上，并包覆該芯片。
11.如權(quán)利要求10所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基片單元具有第一連接部及第二連接部.
12.如權(quán)利要求11所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一連接部及該第二連接部是連接桿。
13.如權(quán)利要求10所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，存儲卡形狀的基片單元具有與預(yù)定形狀的存儲卡半導(dǎo)體封裝件相同的形狀。
14.如權(quán)利要求10所述的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該存儲卡半導(dǎo)體封裝件是Micro-SD或MMC-Micro封裝件。
全文摘要
本發(fā)明公開一種存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)，該存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法首先提供多個存儲卡形狀的基片單元的基片模塊片，各該基片單元以連接部相連并分別接置，且電性連接至少一芯片；然后，在各該呈存儲卡形狀的基片單元上，形成相同形狀并包覆該芯片的封裝膠體；最后，切除連接各該存儲卡形狀基片單元的連接部，制成預(yù)定形狀的半導(dǎo)體封裝件，本發(fā)明的存儲卡半導(dǎo)體封裝件的制法及結(jié)構(gòu)簡化工序步驟、減緩刀具磨損，并且無須使用水刀或激光切割，從而克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點。
文檔編號G06K19/077GK101079116SQ20061008265
公開日2007年11月28日 申請日期2006年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月24日
發(fā)明者陳建志, 王忠寶, 顧永川 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司