專利名稱：標(biāo)簽天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種與RFID讀出器/寫入器進(jìn)行通信的非接觸標(biāo)簽天線。
背景技術(shù)：
一種系統(tǒng)被稱作RFID系統(tǒng)，該系統(tǒng)通過使用UHF頻帶(860到960MHz)的無線電信號(hào)，從讀出器/寫入器發(fā)送大約1W的信號(hào)，在標(biāo)簽端接收這個(gè)信號(hào)并再將響應(yīng)信號(hào)返回到讀出器/寫入器，使讀出器/寫入器讀取來自標(biāo)簽的信息。雖然根據(jù)標(biāo)簽天線增益、芯片工作電壓以及周圍環(huán)境讀出器/寫入器與標(biāo)簽端之間的通信距離不同，但是通信距離大約是3米。標(biāo)簽包括厚度為10μm到30μm的天線和連接到天線饋電點(diǎn)的LSI芯片。
圖1A到圖1C是解釋傳統(tǒng)RFID系統(tǒng)中使用的標(biāo)簽天線的示意圖。圖2是示出RFID標(biāo)簽天線的等效電路的示意圖。圖3是示出根據(jù)傳統(tǒng)標(biāo)簽天線的導(dǎo)納圓圖的分析實(shí)例的示意圖。
如圖2所示，該LSI芯片可以由電阻器Rc(例如，1200Ω)和電容器Cc(例如，0.7pF)的并聯(lián)連接來等效地表示。這在圖3的導(dǎo)納圓圖中標(biāo)記為圓圈的位置示出。在另一方面，該天線可以由電阻器Rc(例如，1000Ω)和電感器(例如，40nH)的并聯(lián)連接來等效地表示。通過LSI芯片和天線的并聯(lián)連接，電容和電感諧振，并如從諧振頻率的公式f0=1/(2π(LC))]]>所見，天線和芯片能夠在期望的諧振頻率f0匹配，并且將天線的接收功率充足地供給芯片端。
作為用作標(biāo)簽天線的基本天線，考慮圖1A所示的總長(zhǎng)度是145mm的偶極天線。在這種天線中，偶極部件10與饋電部件11連接，從由偶極部件10接收的信號(hào)中提取電功率，饋電部件饋電給芯片并將信號(hào)本身也發(fā)送到芯片。然而，如圖3中由三角形所示，如果f＝953MHz，Ra＝72Ω并且虛數(shù)部分＝0。然而，由于RFID標(biāo)簽天線的輻射電阻Ra需要大約1000Ω的極高值，所以必須增加Ra。因而，如圖1B所示，眾所周知實(shí)現(xiàn)了總長(zhǎng)度大約145mm的折疊偶極天線并且根據(jù)線寬可以將Ra增加到大約300Ω到1500Ω。除了圖1A中的偶極部件10變?yōu)檎郫B偶極部件10a以外，圖1B與圖1A相同。圖3示出Ra＝1000Ω的實(shí)例。此外，如圖1C所示，通過將電感部件12并聯(lián)連接到這個(gè)折疊偶極天線，其在導(dǎo)納圓圖中向左旋轉(zhuǎn)并且虛數(shù)分量(Ba＝-1/ωLa)的絕對(duì)值與芯片虛數(shù)分量(Ba＝-ωCc)的絕對(duì)值相同。電感器長(zhǎng)度越短，La值越小并且旋轉(zhuǎn)量越大。以這種方式，芯片的虛數(shù)部分Bc和天線的虛數(shù)部分Ba值相同，相互抵消并產(chǎn)生諧振。
這種虛數(shù)分量抵消是RFID標(biāo)簽天線設(shè)計(jì)中最重要的因素。在另一方面，雖然優(yōu)選為芯片的電阻Rc和天線的輻射電阻Ra匹配，但是它們不必精確地匹配，并且如果他們的比率大約是2或更小，則將天線接收功率供給芯片沒有任何問題。
前面描述RFID標(biāo)簽天線的基本設(shè)計(jì)方法，并且需要設(shè)計(jì)這樣的基本天線以使在設(shè)計(jì)頻率f＝953MHz和虛數(shù)部分＝0的點(diǎn)處Ra＝1000Ω和電感器(Ba＝-1/ωLa；La＝40nH)并聯(lián)連接，該電感器具有與芯片的電納(Bc＝ωCc；Cc＝0.7pF)相同的絕對(duì)值。
參照關(guān)于偶極天線的非專利參考文獻(xiàn)1。
非專利參考文獻(xiàn)1電子協(xié)會(huì)，信息與通信工程師，“Antenna KougakuHandbook”(天線工程手冊(cè))。Ohmsha有限公司ISBN 4-274-02677-9然而，因?yàn)榇蠹s高15mm和大約寬145mm的天線太大并且不切實(shí)際，所以有必要微型化。例如，將天線微型化到大約卡片尺寸(86mm×54mm)的一半或四分之一更實(shí)際。然而，當(dāng)天線被微型化時(shí)，如果以前述設(shè)計(jì)方法設(shè)計(jì)天線，則由于虛數(shù)部分＝0的諧振頻率的增加與天線的微型化成反比，諧振條件與待和天線諧振的芯片不匹配。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠被微型化的標(biāo)簽天線。
本發(fā)明的標(biāo)簽天線由偶極天線和其上安裝有芯片的饋電部件構(gòu)成，該標(biāo)簽天線包括偶極部件，其長(zhǎng)度小于天線諧振波長(zhǎng)的一半；饋電部件，其設(shè)置在該偶極部件的中心；以及端部件，其設(shè)置在該偶極部件的兩端，該端部件具有的面積大于該偶極部件的線寬。
能夠形成天線長(zhǎng)度小于λ/2(λ是天線諧振波長(zhǎng))的小天線，并且能夠保持標(biāo)準(zhǔn)λ/2長(zhǎng)度折疊天線通信距離的60％到75％的通信距離。此外通過去除不必要的金屬成分能夠極大地減少天線的成本。


圖1A-圖1C是解釋在傳統(tǒng)RFID系統(tǒng)中使用的標(biāo)簽天線的示意圖；圖2是示出RFID標(biāo)簽天線的等效電路的示意圖；圖3是示出通過傳統(tǒng)標(biāo)簽天線的導(dǎo)納圓圖分析實(shí)例的示意圖；圖4是解釋本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖(1)；圖5是解釋本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖(2)；圖6是解釋本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖(3)；圖7是解釋本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖(4)；圖8是解釋本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖(5)；圖9是解釋本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖(6)；圖10是解釋本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖(7)；圖11A-圖11B是解釋本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖(8)；圖12A-圖12B是解釋本發(fā)明第二實(shí)施例的示意圖(1)；圖13是解釋本發(fā)明第二實(shí)施例的示意圖(2)；圖14是解釋本發(fā)明第二實(shí)施例的示意圖(3)；圖15是解釋本發(fā)明第三實(shí)施例的示意圖(1)；圖16是解釋本發(fā)明第三實(shí)施例的示意圖(2)；圖17是解釋本發(fā)明第三實(shí)施例的示意圖(3)；圖18是解釋本發(fā)明第三實(shí)施例的示意圖(4)；圖19是解釋本發(fā)明第三實(shí)施例的示意圖(5)；圖20是解釋本發(fā)明第三實(shí)施例的示意圖(6)；以及圖21是解釋本發(fā)明第三實(shí)施例的示意圖(7)。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明的實(shí)施例中，通過將電感器并聯(lián)連接到天線長(zhǎng)度小于λ/2的RFID標(biāo)簽天線，λ是天線諧振波長(zhǎng)，通過將低于天線諧振頻率(頻率高于期望頻率)的頻率點(diǎn)(期望頻率)向左旋轉(zhuǎn)直到與LSI芯片匹配的點(diǎn)，在導(dǎo)納圓圖上該天線諧振頻率的虛部＝0，該RFID標(biāo)簽天線能夠與LSI芯片匹配。這個(gè)天線長(zhǎng)度優(yōu)選為大約3/8λ到λ/6。此外，優(yōu)選為將天線以繞內(nèi)側(cè)折疊的這種方式進(jìn)行折疊。通過在內(nèi)部的空間中形成電感可以將天線長(zhǎng)度在有限面積內(nèi)最大化?？梢圆糠值丶訉捥炀€的線寬并且增加面積。此外，考慮到待附著物體的特定介電常數(shù)和厚度，選擇合適的電感器長(zhǎng)度。此外，可以部分地去除具有低電流密度的天線部件的部分。優(yōu)選為去除縫隙狀的形狀。此外，去除之后天線部件的形狀優(yōu)選為三角環(huán)或矩形環(huán)。優(yōu)選為在具有金屬的薄片(紙、膠片、PET)上形成天線，該金屬的主要成分是Cu、Ag或Al。
假設(shè)RFID標(biāo)簽天線將用在UHF頻帶。(如果工作頻率是2.45GHz，將失去微型化的目的)。
圖4到圖11是解釋本發(fā)明第一實(shí)施例的示意圖。
如圖6所示，在面積小于1/4卡片面積的約束下，形成15mm高×48mm寬的偶極(有效總長(zhǎng)度，大約116mm＝3/8λ)。圖3中的天線具有卷曲的偶極部件10。對(duì)這種天線配置進(jìn)行電磁場(chǎng)仿真，并且當(dāng)將f＝700MHz到3000MHz的計(jì)算結(jié)果繪制在導(dǎo)納圓圖上時(shí)，形成例如圖4細(xì)線的軌跡(沒有L(電感)的天線)。在虛部＝0處，f＝1340MHz，該頻率很大并且Ra＝16Ω，因?yàn)樵揜FID標(biāo)簽天線被微型化。通常，如果該偶極被彎曲，則輻射電阻Ra變得小于普通直偶極的電阻Ra＝72Ω。在這種情況，f＝953MKHz點(diǎn)位于由圖4中沒有L的天線所表示的三角形示出的位置。然后，如圖4所示，通過將電感部件(S2＝30mm)12并聯(lián)連接到這個(gè)偶極，總體上該導(dǎo)納圓圖的軌跡向左旋轉(zhuǎn)。這樣，頻率特性形成如圖4中的粗線(有L的天線)所示的軌跡。這時(shí)，當(dāng)進(jìn)行電磁場(chǎng)仿真時(shí)，f＝953MHz點(diǎn)變?yōu)镽a＝8100Ω和La＝40nH。雖然這個(gè)點(diǎn)與虛部(電感器)匹配，但是考慮到因?yàn)樘炀€輻射電阻Ra＝8100Ω相對(duì)于芯片的Rc＝1200Ω太大使被反射的部分很大，所以大部分天線接收功率反彈(rebound)到空氣中。
然而，當(dāng)試驗(yàn)性地生產(chǎn)這種天線(由銅形成35μm厚度的天線)并測(cè)量導(dǎo)納圓圖時(shí)，如圖5所示由于導(dǎo)體中的損耗，發(fā)現(xiàn)在導(dǎo)納圓圖上的有L的天線位置相當(dāng)靠?jī)?nèi)。這時(shí)，證實(shí)測(cè)量的Ra＝1300Ω和測(cè)量的La＝40nH。換句話，實(shí)驗(yàn)清楚證明La基本上與電磁場(chǎng)仿真器的值匹配，并且Ra成為接近芯片Rc＝1200Ω的值。以這種方式，我們得到小天線與芯片匹配并且能夠?qū)⑻炀€接收功率充分地供給該芯片。
這里，因?yàn)樵诒景l(fā)明中天線的天線長(zhǎng)度3/8λ小于輻射效率最高的λ/2天線，所示輻射效率稍微減小，并且此天線的電磁場(chǎng)模擬器計(jì)算值是λ/2長(zhǎng)折疊偶極的增益＝大約-2.7dBi到增益＝大約2dBi。由于實(shí)際生產(chǎn)試驗(yàn)性的天線并比較通信距離，得到的通信距離是λ/2長(zhǎng)折疊偶極的60％。然而，從48mm×15mm的小天線得到60％的通信距離對(duì)實(shí)用目的非常重要。
如圖8所示，如果電感長(zhǎng)度S2從S2＝24mm變化到33mm，則La值的實(shí)際測(cè)量值與仿真值匹配得很好，并且如圖9所示Ra的實(shí)際測(cè)量值實(shí)際上幾乎為常數(shù)1200Ω到1300Ω。此外，已知在仿真的增益值大約是-3dBi到-2.5dBi。因而，從這些事實(shí)中，當(dāng)所述Cc值隨芯片類型而不同時(shí)，如果根據(jù)該值適當(dāng)?shù)剡x擇S2值，則能夠得到匹配Cc的La和合適的Ra，并且能夠制造具有實(shí)際增益的天線。
在前述的總結(jié)中，通過將電感器La并聯(lián)連接到長(zhǎng)度小于λ/2的小天線并且根據(jù)該芯片的Cc值給出這個(gè)電感長(zhǎng)度S2的合適長(zhǎng)度S2以發(fā)生諧振，從而抵消虛數(shù)分量。另一方面，因?yàn)橛捎谔炀€的導(dǎo)體損耗該值很接近該芯片電阻Rc，所以天線輻射電阻Ra能夠與該芯片匹配得很好。如果只從電磁仿真結(jié)果作決定，假定該天線輻射電阻Ra太大并且與芯片不匹配，這樣，通常不能考慮本天線設(shè)計(jì)方法。然而，本制造方法是基于從大量試驗(yàn)生產(chǎn)結(jié)果得到的經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)而發(fā)明的。這里，重要的是在本制造方法中芯片的Rc很大，在1000Ω到2000Ω。因?yàn)轵?qū)動(dòng)電源也從接收的輻射場(chǎng)中提取，所以選擇在RFID標(biāo)簽中使用具有很大電阻Rc的芯片以得到該芯片的工作電壓。如果芯片的電阻Rc很小，則考慮由于只有天線的導(dǎo)體損耗，將不能假設(shè)既產(chǎn)生諧振又匹配芯片的電阻Rc的天線輻射電阻Ra值。
此外，如圖11A和11B所示，偶極形狀并不限于前述形狀并且可以考慮在高15mm和寬48mm之內(nèi)的偶極形狀。然而，在這些情況下，增益分別是-3.6dBi和-3.0dBi，并且很清楚圖7中的天線具有稍高的增益。
圖12A到圖14是解釋本發(fā)明第二實(shí)施例的示意圖。
在RFID中，可以實(shí)現(xiàn)將標(biāo)簽天線附著在目標(biāo)物體上。在這種情況下，因?yàn)橹C振波長(zhǎng)由于所附著物體的特定介電常數(shù)(εr)而變化，所以必須很認(rèn)真地選擇最合適的電感。
如圖12A所示，使用與第一實(shí)施例相同的考慮，形成高10mm和寬60mm(有效總長(zhǎng)度，大約75mm＝λ/4)的偶極并使用電磁仿真和試驗(yàn)產(chǎn)品測(cè)量進(jìn)行設(shè)計(jì)。假定該天線所附著的物體厚度為t＝1mm并且特定的介電常數(shù)為εr＝1、3或5(空氣是εr＝1，塑料是εr＝3到4，以及橡膠是εr＝4到5)。結(jié)果，該天線的電感器La與電感長(zhǎng)度S2的數(shù)值如圖13中所示。因?yàn)閺牡谝粚?shí)施例得知電感的實(shí)際測(cè)量值和仿真值幾乎匹配，所以這個(gè)仿真值是可靠的。此外，從天線的試驗(yàn)產(chǎn)品的結(jié)果中得到，不管S2值為多少，該天線的輻射電阻是Ra＝1270Ω。此外，增益的仿真值是圖14中所示的數(shù)值。這里，εr越大，增益越大，因?yàn)棣舝越大，波長(zhǎng)變得越短，并且從變短的波長(zhǎng)看天線長(zhǎng)度看起來更長(zhǎng)并更接近具有很高輻射效率的λ/2的長(zhǎng)度。然而，在介電常數(shù)的介電損耗是Tanδ＝0.001的假設(shè)下進(jìn)行計(jì)算，因而，介電常數(shù)對(duì)天線增益幾乎沒有影響。然而如果介電損耗很大，則增益可以下降。
為使天線的電感器值La變?yōu)?0nH，該值與圖13中Cc＝0.7pF芯片匹配，如果只使用天線，或者換句話說，當(dāng)天線沒有附著在任何地方時(shí)，則從εr＝1的曲線中選擇S2＝22mm。如果該天線附著在厚度1mm的物體上并且εr＝3，則應(yīng)該選擇S2＝20mm，并且如果該天線附著在厚度1mm的物體上并且εr＝5，則S2＝18mm。
由于實(shí)際試驗(yàn)性地生產(chǎn)S2＝20mm的天線，將它附著在厚度1mm的塑料物體上，并測(cè)量通信距離，便得到的通信距離是λ/2折疊偶極的65％。雖然通信距離變得更短，但是距離10mm×60mm小天線的65％的通信距離是非常實(shí)用的。
雖然在本發(fā)明中假設(shè)將天線的一個(gè)表面被附著的實(shí)例，例如，天線涂覆有樹脂等，但是介電材料存在于天線的兩個(gè)表面，因而，如果假設(shè)在天線的兩個(gè)表面都有介電材料而通過電磁仿真器得到La值與S2值的數(shù)據(jù)，則能夠使用與本實(shí)施例相同的方法設(shè)計(jì)天線。此外，雖然假設(shè)厚度是1mm，即使厚度比假設(shè)的厚，通過考慮厚度利用該電磁仿真器足以進(jìn)行計(jì)算。
此外，可以使本實(shí)施例中使用的天線形狀成形為如圖7和圖11中所示的第一實(shí)施例的天線。
圖15到圖21是解釋本發(fā)明第三實(shí)施例的示意圖。
如圖15所示，假設(shè)大小是卡片大小的一半，形成高37mm和寬48mm(有效總長(zhǎng)度，大約110mm＝3/8λ)的蝴蝶結(jié)形狀的偶極，并且使用與第一實(shí)施例相同的考慮，利用電磁仿真和試驗(yàn)產(chǎn)品測(cè)量進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)果，La值成為圖16所示的電感器長(zhǎng)度S1的函數(shù)。因?yàn)閺牡谝粚?shí)施例得知電感器的實(shí)際測(cè)量與仿真值幾乎匹配，所以這個(gè)仿真值是可靠的。此外，從天線的試驗(yàn)產(chǎn)品的結(jié)果得到，不管S1值為多少，天線輻射電阻是Ra＝1150Ω。此外，增益的仿真值是圖14所示的值。因?yàn)樵撆紭O部件的面積比第一和第二實(shí)施例所示的天線面積大，所以增益增加。
為了實(shí)現(xiàn)La＝40nH，從圖16中選擇S1＝12.7mm。
由于實(shí)際試驗(yàn)性地生產(chǎn)S1＝12.7mm的天線并測(cè)量通信距離，便得到75％的λ/2折疊偶極的通信距離。雖然通信距離減小，但是距離37mm×48mm的小天線75％的通信距離是非常實(shí)用的。
這里有一種方法用于在形成天線時(shí)將混合銀膏的導(dǎo)電墨水印制到膠片等上。在這種情況下，如果銀膏的數(shù)量很大，則天線的成本變得很高。這樣，如圖18所示，考慮通過切下幾乎無電流流過的天線部分來形成天線。在圖18中切下蝴蝶結(jié)部件13。通常，因?yàn)楦哳l電流集中在導(dǎo)體的邊緣部分，所以當(dāng)金屬面積很大時(shí)即使將接近中心的金屬切掉，對(duì)天線特性也幾乎沒有影響。特別地，對(duì)于象這種具有很大金屬面積的蝴蝶結(jié)形狀的天線非常有效。如前述，如圖19和圖20所示，確定La值和增益。因?yàn)楸Ａ袅俗銐驍?shù)量的電感的金屬部分，所以能夠得到與被切成三角形之前圖15中的天線幾乎相同的La值。增益值不是問題因?yàn)橹粶p少了大約0.2dB。通過這種三角形切割，金屬部分的面積從920[mm2]減少到540[mm2]，并且能夠保持與原來的天線特性幾乎相同的天線特性，即使導(dǎo)電墨水的量大大減少。
由于實(shí)際試驗(yàn)性地生產(chǎn)S2＝12.5mm的天線并測(cè)量通信距離，便得到75％的λ/2折疊偶極的通信距離。雖然通信距離減小，但是距離37mm×48mm的小天線75％的通信距離是非常實(shí)用的。
此外，雖然在本實(shí)施例中將金屬部分切成三角環(huán)，但是也能夠切成如圖21所示的狹縫。在圖21中，使用一種是通過將蝴蝶結(jié)部件13切成狹縫而不是完全去除那些部分來確保增益的方法。
此外，用于去除電流不集中的部分的方法對(duì)例如圖7和圖12A中所示的天線也有效。此外，除了例如本實(shí)施例中所示的那些形狀的天線，用于去除電流不集中的部分的方法非常有效。
在將導(dǎo)電墨水印制到膠片上的制造方法中，在具有金屬的薄片(紙、膠片或PET)上形成天線，該金屬的主要成分是Cu、Ag或Al。關(guān)于制造方法的細(xì)節(jié)參照美國(guó)專利No.6,259,408。
權(quán)利要求
1.一種由偶極天線和其上安裝有芯片的饋電部件構(gòu)成的標(biāo)簽天線，該標(biāo)簽天線包括偶極部件，其長(zhǎng)度小于天線諧振波長(zhǎng)的一半；饋電部件，其設(shè)置在所述偶極部件的中心；以及端部件，其設(shè)置在所述偶極部件的兩端，該端部件具有的面積大于所述偶極部件的線寬。
2.一種由偶極天線和其上安裝有芯片的饋電部件構(gòu)成的標(biāo)簽天線，該標(biāo)簽天線包括偶極部件，其長(zhǎng)度小于天線諧振波長(zhǎng)一半；饋電部件，其設(shè)置在所述偶極部件的中心；電感部件，其形成如環(huán)包所述饋電部件，與所述饋電部件一起設(shè)置在所述偶極部件的中心，并且其兩端與所述偶極部件連接；以及端部件，其設(shè)置在所述偶極部件的兩端，該端部件具有的面積大于所述偶極部件的線寬。
3.如權(quán)利要求1和2其中之一所述的標(biāo)簽天線，其中所述偶極部件的兩端被折疊。
4.如權(quán)利要求1和2其中之一所述的標(biāo)簽天線，其中所述偶極部件的兩端被折疊以使它們相互靠近。
5.如權(quán)利要求1和2其中之一所述的標(biāo)簽天線，其中使所述偶極部件成形為如同蝴蝶的翅膀。
6.一種標(biāo)簽天線，其連接到芯片并向所述芯片供給信號(hào)和功率，該標(biāo)簽天線包括偶極部件，其長(zhǎng)度小于天線諧振波長(zhǎng)的一半；以及在該偶極部件中的電感部件，其具有一定長(zhǎng)度以調(diào)節(jié)所述標(biāo)簽天線的導(dǎo)納圓圖，從而使所述標(biāo)簽天線的導(dǎo)納圓圖的虛部與所述芯片的導(dǎo)納圓圖的虛部具有相同的絕對(duì)值；其中在所述偶極部件中，所述偶極部件因損耗，其輻射電阻變得與所述芯片的電阻幾乎相同。
7.如權(quán)利要求6所述的標(biāo)簽天線，其中通過繞內(nèi)側(cè)折疊形成所述偶極部件。
8.如權(quán)利要求7所述的標(biāo)簽天線，其中所述電感部件形成在所述偶極部件的內(nèi)側(cè)空間中。
9.如權(quán)利要求8所述的標(biāo)簽天線，其中所述偶極部件的該長(zhǎng)度比該電感部件長(zhǎng)。
10.如權(quán)利要求6所述的標(biāo)簽天線，其中根據(jù)所述標(biāo)簽天線所附著的物體的特定介電常數(shù)和厚度來確定所述電感部件的長(zhǎng)度。
11.如權(quán)利要求6所述的標(biāo)簽天線，其中所述偶極部件的線寬被部分加寬。
12.如權(quán)利要求11所述的標(biāo)簽天線，其中所述偶極部件被形成為部分切掉具有低電流密度的偶極部件部分。
13.如權(quán)利要求12所述的標(biāo)簽天線，其中所述偶極部件被切成狹縫。
14.如權(quán)利要求2所述的標(biāo)簽天線，其中所述偶極部件和所述電感部件是采用如印制工藝相同的步驟制成，該印制工藝為采用其主要成分是銅、銀或鋁的金屬液體，將偶極部件和電感部件印制在由紙、膠片或PET材料構(gòu)成的薄片上。
全文摘要
放置長(zhǎng)度小于天線諧振波長(zhǎng)一半的偶極部件以使其卷曲并使饋電部件(11)饋電給芯片。設(shè)置用于調(diào)節(jié)天線電感器的電感部件(12)以使其夾在饋電部件(11)之間。利用卷曲的偶極部件內(nèi)部的空間設(shè)置電感器(12)。通過設(shè)置電感部件(12)，能夠調(diào)節(jié)該天線的電感器以使其與連接到饋電部件(11)的芯片的電容在預(yù)定的頻率諧振。這時(shí)，雖然根據(jù)計(jì)算該天線的輻射電阻變得非常大，但是由于損耗實(shí)際上與芯片的電阻幾乎相同，并且能夠?qū)⒃撎炀€接收到的功率供給該芯片。
文檔編號(hào)G06K19/06GK1835283SQ20061000494
公開日2006年9月20日 申請(qǐng)日期2006年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月17日
發(fā)明者甲斐學(xué), 馬庭透, 山城尚志 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社