專利名稱:無線芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及能夠無線地通信數(shù)據(jù)的無線芯片。
背景技術(shù):
近年來,隨著互聯(lián)網(wǎng)的普及,IT(信息技術(shù))已經(jīng)在全世界普及并使社會發(fā)生變革。特別是近來,已經(jīng)發(fā)展可以隨時(shí)隨地訪問網(wǎng)絡(luò)的環(huán)境,稱之為無處不在的信息社會。在這種環(huán)境中,個(gè)體識別系統(tǒng)引起人們注意,其中ID(識別號碼)賦予各個(gè)對象,使得其歷史被揭示并用于生產(chǎn)、管理等。具體而言,例如無線芯片(也稱為ID標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、IC芯片、RF(射頻)標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、和電子標(biāo)簽)的RFID(射頻識別)開始被試驗(yàn)性地引入公司、市場等。
一般而言,無線芯片100如圖8A所示由天線101和IC芯片102組成。天線101和IC芯片102經(jīng)常分開形成且隨后附著成相互電連接。
IC芯片102主要包括電源發(fā)生裝置103、控制裝置104、存儲器裝置105、以及諧振電容器部分106(圖8B)。電源發(fā)生裝置103整流并平滑由天線接收到的交流信號,以便產(chǎn)生直流電壓。電源發(fā)生裝置103包括稱為存儲電容器部分107的電容器,用于在整流和平滑直流信號之后保持電荷??刂蒲b置104從由天線接收的交流信號提取數(shù)據(jù)信號、時(shí)鐘信號等,并從天線發(fā)送修正的交流信號。存儲器裝置105存儲半導(dǎo)體裝置專用的ID數(shù)據(jù)。提供諧振電容器部分106,使得最有效地接收具有預(yù)定頻率的交流信號。
圖9A和9B為電容器110的示意性視圖。電容器110具有第一電極111和第二電極112,且絕緣膜插置于該兩個(gè)電極之間(圖9A)。在一般電容器中,使用布線或者配置電源發(fā)生裝置、控制裝置、存儲器裝置等的集成電路的半導(dǎo)體導(dǎo)電膜形成一個(gè)電極(例如第一電極111),而使用另一個(gè)布線或者半導(dǎo)體導(dǎo)電膜形成另一個(gè)電極(例如第二電極112)。絕緣膜113夾置于該兩個(gè)電極之間(圖9B)。
發(fā)明內(nèi)容
通常在無線芯片中,天線和IC芯片置成不相互交疊,因?yàn)閾?dān)心如果天線和IC芯片置成相互交疊則IC芯片內(nèi)包含的集成電路可能失效。然而,如果天線和IC芯片置成不相互交疊,則天線和IC芯片占據(jù)無線芯片的大的面積。因此即使例如當(dāng)提供線圈天線時(shí),由于電磁感應(yīng)產(chǎn)生的磁通量也不容易通過。此外,當(dāng)存儲電容器部分、諧振電容器部分等中的電容器占據(jù)大的面積時(shí),IC芯片的尺寸增大,導(dǎo)致無線芯片本身的尺寸增大。
此外,在無線芯片或IC芯片具有大的尺寸的前述情形中,電路工作所需的電流量增大。結(jié)果為,電流消耗增大,且電源電壓下降,導(dǎo)致通信距離縮短和無法通信。
鑒于前述問題,本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種能夠無線地通信數(shù)據(jù)的無線芯片,該芯片的尺寸減小。本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是減小無線芯片中IC芯片的尺寸,有效地利用芯片的有限面積,降低電流消耗,并防止通信距離縮短。
為了解決前述問題,本發(fā)明提供了一種具有下述配置的無線芯片。
本發(fā)明的無線芯片包括設(shè)有電容器的IC芯片,以及形成于該IC芯片上以至少部分交疊該IC芯片的天線,其中絕緣膜夾置于其間。該天線用作該電容器的兩個(gè)電極之一。在本發(fā)明中,該IC芯片中包含的電容器置于該IC芯片和該天線的交疊區(qū)域內(nèi)。該電容器可選擇性地設(shè)于該IC芯片和該天線的交疊區(qū)域內(nèi)。
本發(fā)明的具有另一種配置的無線芯片包括具有集成電路、諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片,以及形成于該IC芯片上以至少部分交疊該IC芯片的天線,其中絕緣膜夾置于其間。該集成電路至少包括具有雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜、形成于該半導(dǎo)體膜上的柵電極,柵極絕緣膜夾置于其間、形成為覆蓋該柵電極的層間絕緣膜、以及形成于該層間絕緣膜上的源電極或者漏電極。該諧振電容器部分和該存儲電容器部分之一或二者的電容由形成于該層間絕緣膜上的布線、形成為覆蓋該布線的絕緣膜、以及該天線的堆疊結(jié)構(gòu)形成。該布線由與該源電極或者漏電極相同的材料形成,且可以電學(xué)連接到該源電極或者漏電極。在本發(fā)明中,該IC芯片中包含的該諧振電容器部分和該存儲電容器部分優(yōu)選地置于該IC芯片和該天線的交疊區(qū)域內(nèi),且該集成電路置于不交疊區(qū)域內(nèi)。注意,該諧振電容器部分的電容保持通過將該天線和該諧振電容器部分的電容并聯(lián)連接并使其相互諧振而產(chǎn)生的電荷。
根據(jù)本發(fā)明的前述配置,布線形成于該柵極絕緣膜上,且該諧振電容器部分和該存儲電容器部分之一或二者的電容由形成于該柵極絕緣膜上的布線、該層間絕緣膜、該絕緣膜和該天線的堆疊結(jié)構(gòu)形成。這種情況下,該布線可以由與該柵電極相同的材料形成,并可以電學(xué)連接到該柵電極。
此外,根據(jù)本發(fā)明的前述配置,布線形成于絕緣表面上,且該諧振電容器部分和該存儲電容器部分之一或二者的電容由形成于該絕緣表面上的布線、該柵極絕緣膜、該層間絕緣膜、該絕緣膜和該天線的堆疊結(jié)構(gòu)形成。這種情況下,該布線(也稱為半導(dǎo)體導(dǎo)電膜)可以由與該半導(dǎo)體膜的雜質(zhì)區(qū)域相同的材料形成。
本發(fā)明的具有另一種配置的無線芯片包括具有諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片,以及形成于該IC芯片上以至少部分交疊該IC芯片的天線,其中絕緣膜夾置于其間。該諧振電容器部分和該存儲電容器部分置成相互交疊。該天線用作設(shè)于該諧振電容器部分內(nèi)的電容器的兩個(gè)電極之一,而另一個(gè)電極用作設(shè)于該存儲電容器部分內(nèi)的電容器的一個(gè)電極。注意,該諧振電容器部分和該存儲電容器部分只需要部分相互交疊。
本發(fā)明的具有另一種配置的無線芯片包括具有集成電路、諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片,以及形成于該IC芯片上以至少部分交疊該IC芯片的天線,其中絕緣膜夾置于其間。該集成電路至少包括具有雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜、形成于該半導(dǎo)體膜上的柵電極,柵極絕緣膜夾置于其間、形成為覆蓋該柵電極的層間絕緣膜、形成于該層間絕緣膜上的源電極或者漏電極、以及形成為覆蓋該源電極或者漏電極的絕緣膜。該諧振電容器部分和該存儲電容器部分置成相互交疊。該存儲電容器部分的電容由設(shè)于該柵極絕緣膜上的第一布線、該層間絕緣膜、和設(shè)于該層間絕緣膜上的第二布線的堆疊結(jié)構(gòu)形成,而該諧振電容器部分的電容由該第二布線、該絕緣膜和該天線的堆疊結(jié)構(gòu)形成。該第一布線可以由與該柵電極相同的材料形成,并可以電學(xué)連接到該柵電極。該第二布線可以由與該源電極或者漏電極相同的材料形成,并可以電學(xué)連接到該源電極或者漏電極。
本發(fā)明的具有另一種配置的無線芯片包括具有集成電路、諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片,以及形成于該IC芯片上以至少部分交疊該IC芯片的天線,其中絕緣膜夾置于其間。該集成電路至少包括具有形成于絕緣表面上的雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜、形成于該半導(dǎo)體膜上的柵電極,柵極絕緣膜夾置于其間、形成為覆蓋該柵電極的層間絕緣膜、以及形成于該層間絕緣膜上的源電極或者漏電極。該諧振電容器部分和該存儲電容器部分置成相互交疊。該存儲電容器部分的電容由形成于該絕緣表面上的第一布線、該柵極絕緣膜、該層間絕緣膜、和設(shè)于該層間絕緣膜上的第二布線的堆疊結(jié)構(gòu)形成,而該諧振電容器部分的電容由該第二布線、該絕緣膜和該天線的堆疊結(jié)構(gòu)形成。該第一布線可以由與該半導(dǎo)體膜的雜質(zhì)區(qū)域相同的材料形成。該第二布線可以由與該源電極或者漏電極相同的材料形成,并可以電學(xué)連接到該源電極或者漏電極。
根據(jù)本發(fā)明的無線芯片包括能夠無線地通信數(shù)據(jù)的所有裝置,例如IC標(biāo)簽、RF標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、和電子標(biāo)簽。
根據(jù)本發(fā)明,天線和IC芯片整合為相互交疊,且該天線用作該IC芯片內(nèi)包含的存儲電容器、諧振電容器等的兩個(gè)電極之一。因此,無線芯片以及該IC芯片的尺寸可以減小,導(dǎo)致有效地利用該芯片的有限面積,降低電流消耗,并防止通信距離縮短。
圖1A至1C為分別示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
圖2A和2B為分別示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
圖3A至3C為分別示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
圖4A至4C為分別示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
圖5A至5C為分別示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
圖6A和6B為分別示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
圖7A和7B為分別示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
圖8A和8B為分別示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的無線芯片的配置的圖示。
圖9A和9B為分別示出了電容器的配置的圖示。
圖10為示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
圖11A和11B為分別示出了結(jié)合了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的對象的圖示。
圖12A至12E為分別示出了結(jié)合了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的對象的圖示。
圖13為示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
圖14A和14B為分別示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
圖15A和15B為分別示出了根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置的圖示。
具體實(shí)施例方式
雖然下面將參照附圖解釋本發(fā)明的實(shí)施例模式,但應(yīng)該理解,各種變化和修正對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此,除非這些變化和修正背離了本發(fā)明的范圍,否則應(yīng)該認(rèn)為這些變化和修正應(yīng)該被包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。注意,在本發(fā)明的下述說明中,在不同附圖中使用相同的參考數(shù)字表示相同的部分。
在本實(shí)施例模式中,將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的無線芯片的配置示例。
如圖1A所示,本實(shí)施例模式中所示的無線芯片200包括堆疊于相同基板210上的天線201和IC芯片202。天線201和IC芯片202置成至少部分相互交疊,其中絕緣膜夾置于其間。IC芯片202包括諧振電容器部分204以及具有電源發(fā)生裝置、控制組織、存儲器裝置等的邏輯部分205。邏輯部分205還具有存儲電容器部分203。注意,諧振電容器部分204和存儲電容器部分203選擇性地置于天線201和IC芯片202的交疊區(qū)域。天線201的兩個(gè)端子電學(xué)連接到邏輯部分205的集成電路。
設(shè)于存儲電容器部分203、諧振電容器部分204等內(nèi)的各個(gè)電容器具有兩個(gè)電極,絕緣膜夾置于其間。在本實(shí)施例模式中,天線201設(shè)為存儲電容器部分203或者諧振電容器部分204內(nèi)各個(gè)電容器的一個(gè)電極。換而言之,設(shè)于設(shè)有存儲電容器部分203或者諧振電容器部分204內(nèi)的電容器的區(qū)域內(nèi)的天線201用作該電容器的一個(gè)電極。下面參照附圖詳細(xì)描述天線用作諧振電容器部分204內(nèi)電容器的一個(gè)電極的情形,以及天線用作存儲電容器部分203內(nèi)電容器的一個(gè)電極的情形。
圖1B為諧振電容器部分204的剖面視圖,其中配置邏輯部分205的集成電路211、諧振電容器部分204、以及天線201設(shè)于基板210上。注意,圖1B對應(yīng)于圖1A所示無線芯片200沿線A1-A2截取的剖面圖。
集成電路211包括分別具有雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜901a和901b、形成于半導(dǎo)體膜901a和901b上的柵電極903,柵極絕緣膜902夾置于其間、形成為覆蓋柵電極903的第一層間絕緣膜904、以及形成于第一層間絕緣膜904上并電學(xué)連接到半導(dǎo)體膜901a和901b的雜質(zhì)區(qū)域的源電極或者漏電極905。
諧振電容器部分204包括布線212以及天線201,第二層間絕緣膜213夾置于其間。按照該方式,諧振電容器部分204內(nèi)的電容器214的電容由布線212、第二層間絕緣膜213和天線201的堆疊結(jié)構(gòu)形成。也就是說,在本實(shí)施例模式中,天線201用作電容器214的兩個(gè)電極之一,而布線212用作另一個(gè)電極。這種情況下,第二層間絕緣膜213優(yōu)選形成薄厚度以增大電容。
下面簡要描述前述配置的制造方法。
首先準(zhǔn)備基板210?;?10例如可以使用諸如鋇硼硅酸鹽玻璃和鋁硼硅酸鹽玻璃的玻璃基板、石英基板、陶瓷基板等。備選地,還可以采用表面設(shè)有絕緣膜的包括不銹鋼的金屬基板或者半導(dǎo)體基板。由柔性合成樹脂例如塑料形成的基板與前述基板相比通常具有更低的電阻溫度,但是可以被采用,只要其能夠耐受制造步驟其間的工藝溫度。注意,可以使用例如CMP方法進(jìn)行拋光而平整化基板210的表面。
接著,配置邏輯部分205的集成電路211通過已知方法形成于基板210上。集成電路211至少具有半導(dǎo)體膜901a和901b、形成于該半導(dǎo)體膜901a和901b上的柵電極903,柵極絕緣膜902夾置于其間、形成為覆蓋柵電極903的第一層間絕緣膜904、以及形成于該第一層間絕緣膜904上的源電極或者漏電極905。
半導(dǎo)體膜901a和901b可具有選自非晶半導(dǎo)體、非晶狀態(tài)與結(jié)晶狀態(tài)混合的SAS、其中可以觀察到晶體晶粒尺寸為0.5至20nm的微晶半導(dǎo)體、以及結(jié)晶半導(dǎo)體的任一狀態(tài)。在本實(shí)施例模式中,通過熱處理形成并晶化非晶半導(dǎo)體而獲得結(jié)晶半導(dǎo)體膜。可以采用加熱爐、激光輻射、或由燈發(fā)射的光而非激光的輻射(燈退火)、或這些方法的組合來執(zhí)行該熱處理。
隨后,形成柵極絕緣膜902以覆蓋半導(dǎo)體膜901a和901b??梢允褂美缪趸?、氮化硅、氧氮化硅等的單層或者疊層形成柵極絕緣膜902。可以使用等離子體CVD方法、濺射方法等執(zhí)行該沉積。
接著,在半導(dǎo)體膜901a和901b上分別形成柵電極903,柵極絕緣膜902夾置于其間。可以由單層或者通過堆疊多種金屬膜形成柵電極903。使用選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、和鈮(Nd)的一種元素,或者主要包含這些元素的合金材料或者化合物材料,通過CVD方法或者濺射方法形成柵電極903。在本實(shí)施例模式中,分別使用氮化鉭(TaN)和鎢(W)依次堆疊第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。
接著,以柵極903或者圖案化的抗蝕劑為掩模,將傳遞N型或P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)選擇性地添加到半導(dǎo)體膜901a和901b。半導(dǎo)體膜901a和901b分別具有溝道形成區(qū)域和雜質(zhì)區(qū)域(包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域和LDD區(qū)域),且根據(jù)所添加的雜質(zhì)元素的導(dǎo)電性可以獲得N溝道TFT或者P溝道TFT。
在圖1B中,在柵電極903的各側(cè)形成側(cè)壁。N溝道TFT的半導(dǎo)體膜901b選擇性地添加了傳遞N型導(dǎo)電性的雜質(zhì),以形成源極區(qū)域、漏極區(qū)域和LDD區(qū)域。同時(shí),P溝道TFT的半導(dǎo)體膜901a選擇性地添加了傳遞P型導(dǎo)電性的雜質(zhì),以形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域。在本實(shí)施例模式中,側(cè)壁形成于柵電極903的各側(cè),且LDD區(qū)域選擇性地形成于N溝道TFT內(nèi),盡管本發(fā)明不限于該結(jié)構(gòu)。LDD區(qū)域還可以形成于P溝道TFT,側(cè)壁不一定形成于P溝道TFT內(nèi)。備選地,還可以采用CMOS結(jié)構(gòu),其中以互補(bǔ)的方式使用N溝道TFT和P溝道TFT。
隨后,形成第一層間絕緣膜904以覆蓋柵電極903。第一層間絕緣膜904可以由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)(x>y)和氧氮化硅(SiNxOy)(x>y)(x,y=1,2,...)的包含氧或氮的絕緣膜的單層或者疊層形成。還可以使用樹脂材料,例如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、苯酚樹脂、酚醛樹脂、密胺樹脂、聚氨酯樹脂、和硅酮樹脂。備選地,可以使用例如苯并環(huán)丁烯、聚對二甲苯、flare和聚酰亞胺的有機(jī)材料,通過聚合例如硅酮基聚合物而得到的化合物材料,包含水溶性均聚物和水溶性共聚物的組合物材料等,形成第一層間絕緣膜904。
源電極或者漏電極905形成于第一層間絕緣膜904上。源電極或者漏電極905電學(xué)連接到半導(dǎo)體膜901a和901b的雜質(zhì)區(qū)域。在圖1B中,使用與源電極或者漏電極905相同的材料形成布線212。使用選自鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、鈮(Nd)、碳(C)、和硅(Si)的元素,或者主要包含這些元素的合金材料或化合物材料,通過CVD方法或者濺射方法由單層或者疊層形成源電極或者漏電極905和布線212。主要包含鋁的合金材料例如為包含鋁為主要成分并包含鎳的材料,或者包含鉛為主要成分并包含鎳和碳與硅的一個(gè)或二者兼有的合金材料。例如可以使用阻擋膜、鋁硅(Al-Si)膜和阻擋膜的疊層或者阻擋膜、鋁硅(Al-Si)膜、氮化鈦(TiN)膜和阻擋膜的疊層形成源電極或者漏電極905和布線212。注意,該阻擋膜為包含鈦、鈦的氮化物、鉬、或者鉬的氮化物的薄膜。鋁和鋁硅具有低電阻值且不昂貴;因此其適用于源電極或者漏電極905和布線212。當(dāng)阻擋膜形成于頂層和底層上時(shí),可以防止鋁和鋁硅中形成小丘(hillock)。如果阻擋膜由為強(qiáng)還原性元素的鈦形成,即使當(dāng)薄的天然氧化物膜形成于結(jié)晶半導(dǎo)體膜上時(shí),該天然氧化物膜可以被氧化,而且與結(jié)晶半導(dǎo)體膜的接觸可以得到改善。
隨后,形成第二層間絕緣膜213以覆蓋源電極或者漏電極905和布線212??梢允褂糜糜诘谝粚娱g絕緣膜的前述材料的任何一種形成第二層間絕緣膜213。
接著,在第二層間絕緣膜213上形成天線201,并在天線201上形成保護(hù)膜215;由此完成該無線芯片。通過CVD方法、濺射方法、絲網(wǎng)印刷方法、小滴釋放方法等,使用導(dǎo)電材料形成單層或疊層的無線芯片。該導(dǎo)電材料為選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)和鎳(Ni),或者主要包含這些元素的合金材料或者化合物材料。可以使用用于第一層間絕緣膜的前述材料的任何一種形成保護(hù)膜215。注意在圖1B中,纏繞兩次的線圈天線201用作諧振電容器部分204內(nèi)電容器214的一個(gè)電極,但是本發(fā)明不限于此,纏繞一次或者多次的天線可以用作電容器214的一個(gè)電極。
接著描述該天線用作存儲電容器部分203內(nèi)電容器的兩個(gè)電極之一的情形。
圖1C為存儲電容器部分203的剖面視圖,其中配置邏輯部分205的集成電路211、存儲電容器部分203、以及天線201設(shè)于基板210上。注意,圖1C對應(yīng)于圖1A所示無線芯片200沿線B1-B2截取的剖面圖。
如前所述,集成電路211包括分別具有雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜901a和901b、形成于半導(dǎo)體膜901a和901b上的柵電極903,柵極絕緣膜902夾置于其間、形成為覆蓋柵電極903的第一層間絕緣膜904、以及形成于第一層間絕緣膜904上并電學(xué)連接到半導(dǎo)體膜901a和901b的雜質(zhì)區(qū)域的源電極或者漏電極905。
在存儲電容器部分203內(nèi),使用與配置集成電路的源電極或者漏電極905相同的材料形成天線201和布線216,第二層間絕緣膜213夾置于其間。存儲電容器部分203內(nèi)的電容器217的電容由布線216、第二層間絕緣膜213和天線201的堆疊結(jié)構(gòu)形成。也就是說,在本實(shí)施例模式中,天線201用作電容器217的兩個(gè)電極之一,而布線216用作另一個(gè)電極。
可以按照與前述諧振電容器部分204相同的方式形成存儲電容器部分203。注意,在圖1C中,纏繞一次的線圈天線201用作存儲電容器部分203內(nèi)電容器217的一個(gè)電極,但是本發(fā)明不限于此,纏繞多次的天線可以用作電容器217的一個(gè)電極。
在本實(shí)施例模式中,天線用作IC芯片202所包含的存儲電容器部分203、諧振電容器部分204等內(nèi)的各個(gè)電容器的兩個(gè)電極之一。這種情況下,存儲電容器部分203和諧振電容器部分204中的電容器的一個(gè)或者二者都可以采用前述配置。圖2A和2B示出了存儲電容器部分203和諧振電容器部分204中的電容器二者都采用前述配置的情形。
圖2B為存儲電容器部分203和諧振電容器部分204的剖面視圖,其中配置邏輯部分205的集成電路211、存儲電容器部分203、諧振電容器部分204、以及天線201設(shè)于基板210上。注意,圖2B對應(yīng)于圖2A所示無線芯片200沿線C1-C2截取的剖面圖。
在圖2A和2B中,天線201設(shè)為諧振電容器部分204和存儲電容器部分203內(nèi)的各個(gè)電容器的一個(gè)公共電極。布線212設(shè)為諧振電容器部分204內(nèi)電容器214的另一個(gè)電極,布線216設(shè)為存儲電容器部分203內(nèi)電容器217的另一個(gè)電極。
按照該方式,可以通過堆疊布線212和216、第二層間絕緣膜213和天線201,來形成電容器214和217的電容。可以使用與配置集成電路211的源電極或者漏電極905相同的材料形成布線212和布線216。注意,線圈天線用作存儲電容器部分203內(nèi)的電容器217和諧振電容器部分204內(nèi)的電容器214中每一個(gè)的一個(gè)電極,該天線可以纏繞一次或者多次。
盡管在本實(shí)施例模式中,該天線用作電容器的一個(gè)電極而該布線用作另一個(gè)電極,本發(fā)明不限于此。添加了雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜或者使用與柵電極相同的材料形成的布線可以用作該電容器的另一個(gè)電極。
前述配置實(shí)現(xiàn)了減小無線芯片和IC芯片的尺寸,有效地利用芯片的有限面積,降低電流消耗,并防止通信距離縮短。
在本實(shí)施例模式中,將參照附圖描述具有不同于前述實(shí)施例模式的配置的無線芯片。具體而言,本實(shí)施例模式所示配置中,天線用作電容器的兩個(gè)電極之一,而半導(dǎo)體膜或者柵極布線用作另一個(gè)電極。注意,在本實(shí)施例模式中,使用相同的參考數(shù)字表示與前述實(shí)施例模式相同的部分。
圖3B為諧振電容器部分204的剖面視圖,其中配置邏輯部分205的集成電路211、諧振電容器部分204、以及天線201設(shè)于基板210上。注意,圖3B對應(yīng)于圖3A所示無線芯片200沿線A1-A2截取的剖面圖。
在圖3B所示諧振電容器部分204中,柵極絕緣膜902、第一層間絕緣膜904和第二層間絕緣膜213夾置于天線201和半導(dǎo)體導(dǎo)電膜252之間,該半導(dǎo)體導(dǎo)電膜252由與配置集成電路211的半導(dǎo)體膜901a和901b的雜質(zhì)區(qū)域相同的材料形成。按照該方式,電容器254的電容由半導(dǎo)體導(dǎo)電膜252、柵極絕緣膜902、第一層間絕緣膜904、第二層間絕緣膜213、以及天線201的堆疊結(jié)構(gòu)形成。也就是說,天線201用作電容器254的兩個(gè)電極之一,半導(dǎo)體導(dǎo)電膜252用作另一個(gè)電極。注意,圖3B示出的配置中,使用半導(dǎo)體導(dǎo)電膜252替代圖1B所示的布線212,并另外提供了電容器254。
如前所述,半導(dǎo)體導(dǎo)電膜252可以用作電容器254的一個(gè)電極??梢允褂门c半導(dǎo)體膜901a和901b的雜質(zhì)區(qū)域相同的材料形成半導(dǎo)體導(dǎo)電膜252。也就是說,在將雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體膜901a和901b以形成源極區(qū)域或者漏極區(qū)域和LDD區(qū)域的同時(shí),通過將雜質(zhì)添加到諧振電容器部分204內(nèi)半導(dǎo)體膜的整個(gè)表面來形成半導(dǎo)體導(dǎo)電膜252。
與諧振電容器部分204相似地,在存儲電容器部分203中,天線201用作電容器的兩個(gè)電極之一,半導(dǎo)體導(dǎo)電膜256用作另一個(gè)電極,由此可以形成電容器257的電容(圖3C)。按照該方式,電容器257的電容由半導(dǎo)體導(dǎo)電膜256、柵極絕緣膜902、第一層間絕緣膜904、第二層間絕緣膜213、以及天線201的堆疊結(jié)構(gòu)形成。注意,圖3C示出的配置中,使用半導(dǎo)體導(dǎo)電膜256替代圖1C所示的布線216,并另外提供了電容器257。
圖4A至4C示出了如下情形,天線用作諧振電容器部分204和存儲電容器部分203內(nèi)各個(gè)電容器的兩個(gè)電極之一,且與柵電極同時(shí)形成的布線用作另一個(gè)電極。
圖4B示出的配置中,使用布線262替代圖3B所示半導(dǎo)體導(dǎo)電膜252,其為電容器254的一個(gè)電極。類似地,圖4C示出的配置中,使用布線266替代圖3C所示半導(dǎo)體導(dǎo)電膜256,其為電容器257的一個(gè)電極。也就是說,在圖4B中,諧振電容器部分204內(nèi)電容器264的電容由使用與配置集成電路的柵電極903相同材料形成的布線262、第一層間絕緣膜904、第二層間絕緣膜213、以及天線201的堆疊結(jié)構(gòu)形成。此外,在圖4C中,存儲電容器部分203內(nèi)電容器267的電容由使用與配置集成電路的柵電極903相同材料形成的布線266、第一層間絕緣膜904、第二層間絕緣膜213、以及天線201的堆疊結(jié)構(gòu)形成。注意,圖4B和4C分別對應(yīng)于圖4A所示的無線芯片200沿線A1-A2和B1-B2截取的剖面視圖。
如前所述,布線262和布線266可以分別用作電容器264和電容器267的電極。注意,布線262和266可以與柵電極903相似地由單層形成,或者通過堆疊多個(gè)金屬膜而形成。即使對于通過堆疊多個(gè)金屬膜形成柵電極903的情形,布線262和266可以由單層形成或者與柵電極903相似地通過堆疊多個(gè)金屬膜而形成。
在本實(shí)施例模式中,可以通過組合前述配置而形成電容器。也就是說,天線201可以用作存儲電容器部分203和諧振電容器部分204內(nèi)各個(gè)電容器的兩個(gè)電極之一,另一個(gè)電極可以通過組合實(shí)施例模式1和2所述布線和半導(dǎo)體導(dǎo)電膜的任何一種而形成。
具體而言,天線201可以用作存儲電容器部分203和諧振電容器部分204內(nèi)各個(gè)電容器的兩個(gè)電極之一,布線262和266可以用作另一個(gè)電極(圖5A)。備選地,天線201可以用作存儲電容器部分203和諧振電容器部分204內(nèi)各個(gè)電容器的兩個(gè)電極之一,布線262和半導(dǎo)體導(dǎo)電膜256(圖5B)、或者布線212和266(圖5C)可以用作另一個(gè)電極。前述配置可以自由地組合,并由實(shí)踐者任意選擇。注意,圖5A至5C對應(yīng)于圖2A所示的無線芯片200沿線C1-C2截取的剖面視圖。
盡管在圖3A至3C、圖4A至4C以及圖5A至5C中天線201設(shè)于第二層間絕緣膜213上,但是本發(fā)明不限于此,天線201可以形成于第一層間絕緣膜904上(圖15A和15B)。根據(jù)這種配置,電容器294的兩個(gè)電極之間的絕緣膜的厚度可以減??;因此電容可以增大。注意,圖15A示出的配置中,圖3B所示的天線201設(shè)于第一層間絕緣膜904上。天線201可以形成于第一層間絕緣膜904上,絕緣膜907夾置于其間(圖15B)。另外在圖4B所示配置中,天線可設(shè)于第一層間絕緣膜904上。
可以與前述實(shí)施例模式組合實(shí)施本實(shí)施例模式。
在本實(shí)施例模式中描述了如下配置,其中天線201用作IC芯片202包含的諧振電容器部分334內(nèi)的電容器的兩個(gè)電極之一,另一個(gè)電極用作存儲電容器部分333內(nèi)的電容器的兩個(gè)電極之一,即在該配置中,存儲電容器部分和諧振電容器部分相互交疊(圖6A)。
圖6B為存儲電容器部分333和諧振電容器部分334的堆疊結(jié)構(gòu)的剖面視圖,其中配置邏輯部分205的集成電路211、存儲電容器部分333、諧振電容器部分334、以及天線201設(shè)于基板210上。注意,圖6B對應(yīng)于圖6A所示無線芯片200沿線D1-D2截取的剖面圖。
在圖6B中,第一層間絕緣膜904夾置于布線316和布線312之間,且存儲電容器部分333內(nèi)電容器317的電容由布線316、第一層間絕緣膜904、以及布線312的堆疊結(jié)構(gòu)形成。此外,在本實(shí)施例模式中,第二層間絕緣膜213夾置于布線312和天線201之間,且諧振電容器部分334內(nèi)電容器314的電容由布線312、第二層間絕緣膜213、以及天線201的堆疊結(jié)構(gòu)形成。
可以使用分別與組成集成電路211的柵電極以及源電極或者漏電極相同的材料形成布線316和布線312。
本實(shí)施例模式不限于前述配置,可以使用其他元件替代布線316作為存儲部分333內(nèi)的電容器的一個(gè)電極。這種情形示于圖7A和7B。
圖7A示出的配置中,形成半導(dǎo)體導(dǎo)電膜326替代圖6B中的布線316。在圖7A中,存儲電容器部分333中電容器327的電容由半導(dǎo)體導(dǎo)電膜326、第一層間絕緣膜904、以及布線312的堆疊結(jié)構(gòu)形成。可以使用與組成集成電路211的半導(dǎo)體膜的雜質(zhì)區(qū)域相同的材料形成半導(dǎo)體導(dǎo)電膜326。
圖7B示出的配置中,布線336形成于第一層間絕緣膜904上,布線332形成于第二層間絕緣膜213上,且第三層間絕緣膜213形成于第二層間絕緣膜213上以覆蓋布線332。在圖7B中,第二層間絕緣膜213夾置于布線336和布線332之間,且存儲電容器部分333內(nèi)電容器337的電容由布線336、第二層間絕緣膜213、以及布線332的堆疊結(jié)構(gòu)形成。此外,第三層間絕緣膜318夾置于布線332和天線201之間,且諧振電容器部分334內(nèi)電容器344的電容由布線332、第三層間絕緣膜318、以及天線201的堆疊結(jié)構(gòu)形成??梢允褂门c組成集成電路211的源電極或者漏電極相同的材料形成布線336。
前述配置實(shí)現(xiàn)了減小無線芯片和IC芯片的尺寸,有效地利用芯片的有限面積,降低電流消耗,并防止通信距離縮短。
可以與任一前述實(shí)施例模式組合實(shí)施本實(shí)施例模式。
在本實(shí)施例模式中,參照圖14A和14B描述了一種無線芯片的配置,其中天線和IC芯片的布置方式不同于前述實(shí)施例模式中所示。
無線芯片200內(nèi)天線201和IC芯片202的布置方式與前述實(shí)施例模式(圖1A至1C、圖2A和2B、圖3A至3C、圖4A至4C、圖5A至5C、圖6A和6B、以及圖7A和7B)相同,但是本發(fā)明不限于此,天線201和IC芯片202可以按照任意方式布置。
如前所述,天線201和IC芯片202在本發(fā)明中設(shè)為相互交疊。這種情況下,如果配置IC芯片202的集成電路置成交疊天線201,該集成電路可能失效;因此選擇性地提供電容器以交疊天線201,且該集成電路設(shè)為不交疊天線201。換而言之,無線芯片可以按照任意方式形成,只要天線和IC芯片相互交疊即可,例如可以形成為如圖14A和14B所示。
具體而言,諧振電容器部分204、存儲電容器部分203等設(shè)于無線芯片200的天線201的端部,且該集成電路設(shè)于其中未形成天線201的無線芯片200的中心。然而,在這種情況下,需要提供該集成電路,使得由于電磁感應(yīng)產(chǎn)生的磁通量可以容易地通過。
按照前述方式提供天線和IC芯片的無線芯片的配置實(shí)現(xiàn)了減小無線芯片和IC芯片的尺寸,有效地利用芯片的有限面積,降低電流消耗,并防止通信距離縮短。
在本實(shí)施例模式中,參照圖13描述了與前述實(shí)施例模式中所示不同的無線芯片內(nèi)集成電路的配置。
圖13示出的配置中,除了圖1B所示的集成電路211的配置之外,還提供了底部電極。也就是說,在圖13中,半導(dǎo)體膜901a和901b的溝道區(qū)域設(shè)于底部電極513a和513b和柵電極903之間,絕緣膜514和515以及絕緣膜902分別夾置于其間。
可以由金屬或者添加了具有一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的多晶半導(dǎo)體形成底部電極513a和513b。該金屬可以采用W、Mo、Ti、Ta、Al等。提供氮化硅膜514和氮氧化硅膜515作為基底絕緣膜,但是該材料以及這些膜的堆疊順序不限于此。
包括底部電極的這種配置可以應(yīng)用于集成電路211。一般而言,隨著TFT尺寸減小以及電路工作的時(shí)鐘頻率增大,集成電路的功耗增大。因此,優(yōu)選地將偏置電壓施加于底部電極以防止功耗增大。通過改變偏置電壓,可以改變TFT的閾值電壓。
當(dāng)負(fù)偏置電壓施加于N溝道TFT的底部電極時(shí),閾值電壓增大且漏電流減小。另一方面,當(dāng)正偏置電壓施加于N溝道TFT的底部電極時(shí),閾值電壓減小,電流容易流到溝道區(qū)域,且TFT工作于更高的速度或者更低電壓。當(dāng)偏置電壓施加于P溝道TFT的底部電極時(shí),可以得到相反的效應(yīng)。因此,通過控制施加于底部電極的偏置電壓,可以顯著地改善集成電路的特性。
通過使用這種偏置電壓控制N溝道TFT和P溝道TFT的閾值電壓,可以改善集成電路的特性。此時(shí),電源電壓和施加于底部電極的該偏置電壓都可以受控以減小功耗。當(dāng)電路處于待機(jī)模式時(shí),可以施加高的反向偏置電壓,當(dāng)電路處于工作模式且負(fù)載小時(shí),可以施加小的反向偏置電壓,當(dāng)電路處于工作模式且負(fù)載大時(shí),可以施加小的正向偏置電壓??梢杂煽刂齐娐坊谠撾娐返墓ぷ鳡顟B(tài)或者負(fù)載的狀態(tài)而執(zhí)行偏置電壓的切換??梢园凑赵摲绞娇刂芓FT的功耗和特性,得到電路的最佳性能。
可以與任一前述實(shí)施例模式組合實(shí)施本實(shí)施例模式。
下文簡要地描述使用本發(fā)明的無線芯片306的通信步驟(圖10)。在圖10中,為了方便,天線305并不交疊IC芯片304,盡管如本發(fā)明所述在實(shí)踐中其相互交疊。首先,無線芯片306內(nèi)包含的天線305從讀寫器307接收無線電波。接著,由于諧振效應(yīng)而在電源發(fā)生裝置303內(nèi)產(chǎn)生電動勢。無線芯片306內(nèi)包含的IC芯片304被激活,使得存儲器裝置301內(nèi)的數(shù)據(jù)被控制裝置302轉(zhuǎn)換成信號。接著,從無線芯片306內(nèi)包含的天線305發(fā)送信號,所發(fā)送的信號被讀寫器307接收。接收信號通過讀寫器307內(nèi)包含的控制器而發(fā)送到數(shù)據(jù)處理裝置,并被軟件處理。注意,前述通信步驟采用電磁感應(yīng)方法,其利用了在無線芯片的線圈天線和讀寫器的線圈天線之間產(chǎn)生的磁通量,但是本發(fā)明還可以采用微波方法。
無線芯片306的優(yōu)點(diǎn)在于,無線地通信數(shù)據(jù),可以讀取多個(gè)信號,可以寫入數(shù)據(jù),可以形成為各種形狀,根據(jù)選定的頻率具有寬的方向性和識別范圍等。無線芯片306可以應(yīng)用于能夠無線通信地識別有關(guān)個(gè)體或者對象的數(shù)據(jù)的IC標(biāo)簽、形成為附著到對象的標(biāo)簽、用于事件或游樂園的腕帶等。可以使用樹脂材料成型無線芯片306,或者無線芯片306直接附著到阻擋無線電通信的金屬。此外,無線芯片306可應(yīng)用于例如用于房間進(jìn)出管理系統(tǒng)和帳戶系統(tǒng)的系統(tǒng)的工作。
接著描述無線芯片306的實(shí)際使用的示例。讀寫器320設(shè)于具有顯示部分321的便攜終端側(cè)上,無線芯片323設(shè)于對象322側(cè)上(圖11A)。當(dāng)讀寫器320靠近包含于對象322內(nèi)的無線芯片323時(shí),例如成分、原產(chǎn)地、各個(gè)產(chǎn)生步驟中的測試結(jié)果、銷售過程的歷史、以及對該對象的解釋的有關(guān)該對象的數(shù)據(jù)被顯示于顯示部分321上。此外,當(dāng)對象328沿傳送帶傳輸時(shí),可以使用對象328內(nèi)包含的讀寫器324和無線芯片325測試對象328(圖11B)。按照該方式將無線芯片應(yīng)用于該系統(tǒng),可以容易地獲取信息,并可以實(shí)現(xiàn)高的性能及高的附加值。
可以與任一前述實(shí)施例模式組合實(shí)施本實(shí)施例模式。
本實(shí)施例模式中描述上述實(shí)施例模式中所示無線芯片的應(yīng)用。無線芯片250可以結(jié)合于例如紙幣、硬幣、有價(jià)證券、無記名債券、證書(駕駛執(zhí)照、居住證等,圖12A)、對象包裝容器(包裝紙、瓶等,圖12B)、例如DVD,CD,錄像帶的記錄介質(zhì)(圖12C)、例如汽車、摩托車和自行車的車輛(圖12D)、例如袋子、眼鏡等的個(gè)人用品(圖12E)、食物、衣服、生活用品、電子設(shè)備等。電子設(shè)備包括液晶顯示裝置、電致發(fā)光顯示裝置、電視機(jī)(也簡稱為電視或者電視接收器)、移動電話等。
注意,無線芯片可以附著到對象的表面或者結(jié)合到待固定的對象內(nèi)。例如,無線芯片可以結(jié)合到書的紙張內(nèi)或者包裝的有機(jī)樹脂內(nèi)。當(dāng)無線芯片結(jié)合到紙幣、硬幣、有價(jià)證券、無記名債券、證書等時(shí),可以防止對其的仿冒。將該無線芯片結(jié)合到對象包裝容器、記錄介質(zhì)、個(gè)人用品、食物、衣服、生活用品、電子設(shè)備等時(shí),測試系統(tǒng)、租賃系統(tǒng)等可以更有效地工作。該無線芯片還可以防止車輛被仿冒或偷竊。此外,當(dāng)無線芯片植入到諸如動物的生物中時(shí),可以容易地識別各種生物。例如,當(dāng)無線芯片植入到諸如家畜的生物中時(shí),可以容易地識別它們的出生年份、性別、品種等。
如前所述,本發(fā)明的無線芯片可以結(jié)合到任何對象(包括生物)??梢耘c任一前述實(shí)施例模式組合實(shí)施本實(shí)施例模式。
本申請是基于2004年9月9日于日本專利局提交的日本在先申請No.2004-263111,其全部內(nèi)容于此引入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種無線芯片,包括具有集成電路的IC芯片;形成于該IC芯片上的第一絕緣膜;以及形成于該第一絕緣膜上以交疊該IC芯片的天線,其中該集成電路包括具有雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜、形成于該半導(dǎo)體膜上的柵電極,柵極絕緣膜夾置于其間、形成于該柵電極上的第二絕緣膜、以及形成于該第二絕緣膜上的源電極和漏電極的至少一個(gè),以及其中用于保持通過接收信號產(chǎn)生的電荷的電容由形成于該第二絕緣膜上的布線、該第一絕緣膜和該天線形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的無線芯片,其中該布線由與該源電極和該漏電極之一相同的材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的無線芯片,其中由該天線接收該信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的無線芯片,還包括該第二絕緣膜上的第二布線,其中用于保持通過諧振產(chǎn)生的電荷的電容由該第二布線、該第一絕緣膜和該天線形成。
5.一種無線芯片,包括具有集成電路、諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片;以及形成于該IC芯片上以交疊該IC芯片的天線,其中第一絕緣膜夾置于其間,其中該集成電路包括具有雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜、形成于該半導(dǎo)體膜上的柵電極,柵極絕緣膜夾置于其間、形成于該柵電極上的第二絕緣膜、以及形成于該第二絕緣膜上的源電極和漏電極的至少一個(gè),以及其中該存儲電容器部分的電容由該第二絕緣膜上的布線、該第一絕緣膜和該天線形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的無線芯片,其中該布線由與該源電極和該漏電極之一相同的材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的無線芯片,其中該諧振電容器部分的電容由該布線、該第一絕緣膜和該天線形成。
8.一種無線芯片,包括具有集成電路、諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片;以及形成于該IC芯片上以交疊該IC芯片的天線,其中第一絕緣膜夾置于其間,其中該集成電路包括具有雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜、形成于該半導(dǎo)體膜上的柵電極,柵極絕緣膜夾置于其間、形成于該柵電極上的第二絕緣膜、以及形成于該第二絕緣膜上的源電極和漏電極的至少一個(gè),以及其中該存儲電容器部分的電容由該柵極絕緣膜上的布線、該第二絕緣膜、該第一絕緣膜和該天線形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的無線芯片,其中該布線由與該柵電極相同的材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的無線芯片,其中該諧振電容器部分的電容由該布線、該第二絕緣膜、該第一絕緣膜和該天線形成。
11.一種無線芯片,包括基板上具有集成電路、諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片;以及形成于該IC芯片上以交疊該IC芯片的天線,其中第一絕緣膜夾置于其間,其中該集成電路包括具有雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜、形成于該半導(dǎo)體膜上的柵電極,柵極絕緣膜夾置于其間、形成于該柵電極上的第二絕緣膜、以及形成于該第二絕緣膜上的源電極和漏電極的至少一個(gè),以及其中該存儲電容器部分的電容由該基板上的布線、該柵極絕緣膜、該第二絕緣膜、該第一絕緣膜和該天線形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的無線芯片,其中該布線由與該半導(dǎo)體膜相同的材料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的無線芯片,其中該諧振電容器部分的電容由該布線、該柵極絕緣膜、該第二絕緣膜、該第一絕緣膜和該天線形成。
14.一種無線芯片,包括具有諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片;以及形成于該IC芯片上以交疊該IC芯片的天線,其中絕緣膜夾置于其間,其中該諧振電容器部分和該存儲電容器部分相互交疊,以及其中該天線用作該諧振電容器部分內(nèi)第一電容器的兩個(gè)電極之一,該第一電容器的另一個(gè)電極用作該存儲電容器部分內(nèi)第二電容器的一個(gè)電極。
15.一種無線芯片,包括具有集成電路、諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片;以及形成于該IC芯片上以交疊該IC芯片的天線,其中第一絕緣膜夾置于其間,其中該集成電路包括具有雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜、形成于該半導(dǎo)體膜上的柵電極,柵極絕緣膜夾置于其間、形成于該柵電極上的第二絕緣膜、形成于該第二絕緣膜上的源電極和漏電極的至少一個(gè)、以及形成于該源電極和該漏電極之一上的該第一絕緣膜,其中該諧振電容器部分和該存儲電容器部分相互交疊,以及其中該存儲電容器部分的電容由該柵極絕緣膜上的第一布線、該第二絕緣膜、該第二絕緣膜上的第二布線形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的無線芯片,其中該第一布線由與該柵電極相同的材料形成,該第二布線由與該源電極和該漏電極之一相同的材料形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的無線芯片,其中該諧振電容器部分的電容器由該第二布線、該第一絕緣膜、該第二絕緣膜和該天線形成。
18.一種無線芯片,包括基板上具有集成電路、諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片;以及形成于該IC芯片上以交疊該IC芯片的天線,其中第一絕緣膜夾置于其間,其中該集成電路包括具有雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜、形成于該半導(dǎo)體膜上的柵電極,柵極絕緣膜夾置于其間、形成于該柵電極上的第二絕緣膜、以及形成于該第二絕緣膜上的源電極和漏電極的至少一個(gè),其中該諧振電容器部分和該存儲電容器部分相互交疊,以及其中該存儲電容器部分的電容由該基板上的第一布線、該柵極絕緣膜、該第二絕緣膜、該第二絕緣膜上的第二布線形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的無線芯片,其中該第一布線由與該半導(dǎo)體膜相同的材料形成,該第二布線由與該源電極和該漏電極之一相同的材料形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的無線芯片,其中該諧振電容器部分的電容器由該第二布線、該第一絕緣膜、該第一絕緣膜和該天線形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種能夠無線地通信數(shù)據(jù)的ID標(biāo)簽,其尺寸減小;且其中IC芯片的尺寸減小,有效地利用芯片的有限面積,降低電流消耗,并防止通信距離縮短。本發(fā)明的ID標(biāo)簽包括具有集成電路、諧振電容器部分和存儲電容器部分的IC芯片,以及形成于該IC芯片上以至少部分交疊該IC芯片的天線,其中絕緣膜夾置于其間。該天線、絕緣膜、以及形成該集成電路的布線或者半導(dǎo)體膜被堆疊,且諧振電容器部分和諧振電容器部分內(nèi)的電容器之一或兩個(gè)由該堆疊結(jié)構(gòu)形成。
文檔編號G06K19/07GK101015051SQ200580030370
公開日2007年8月8日 申請日期2005年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月9日
發(fā)明者鹽野入豐 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所