專利名稱：一種基于密集采樣成像算法的光刻制造模擬方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基于密集采樣成像算法的光刻制造模擬方法，屬于集成電路計算機輔助設(shè)計領(lǐng)域，適用于集成電路光刻模擬和可制造性檢查。
背景技術(shù)：
當(dāng)集成電路的特征尺寸接近光刻機曝光系統(tǒng)的分辨極限時，在硅圓片表面制造出來的圖形相對于電路版圖會有明顯的畸變，這種現(xiàn)象通常被稱為光學(xué)鄰近效應(yīng)(Optical Proximity Effect，OPE)。光學(xué)鄰近效應(yīng)的存在嚴(yán)重影響了集成電路制造的成品率。為了減少光學(xué)鄰近效應(yīng)對集成電路技術(shù)發(fā)展的影響，工業(yè)界提出了光刻分辨率增強技術(shù)(Resolution Enhancement Technology，RET)，主要包括光學(xué)鄰近校正(Optical Proximity Correction，OPC)，移相掩模(PhaseShifting Masks，PSM)和嵌入散射條(Scattering Bars Insertion，SBI)等方法，以減小光學(xué)鄰近效應(yīng)對集成電路制造的成品率的影響，并使現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)設(shè)備在相同的生產(chǎn)條件下能制造出具有更小特征尺寸的集成電路。然而RET的使用也大大增加了版形的復(fù)雜性從而增加了掩模版的制造成本。不適當(dāng)?shù)腞ET也可能影響電路性能或者引起電路錯誤，這種情況下掩模版必須重新制備，這導(dǎo)致制造成本和時間的增加。因此在版圖經(jīng)過RET之后掩模版制造之前，很有必要加入一個驗證的步驟，來確保Post-RET版圖的正確性。通常稱這一步驟為可制造性檢查(manufacturability verification)。
在這些可制造性檢查技術(shù)中，某些問題只能通過密集采樣成像算法(DenseSilicon Imaging，DSI)才被能檢查出來。例如工藝參數(shù)發(fā)生一定的改變，那么在預(yù)想所需圖形附近的小塊圖形也可能會留在最終的電路中。這些殘留的圖形可能會引起電路性能變化，甚或?qū)е码娐烦鲥e。另外在經(jīng)過RET之后一些圖形邊緣的光強反差度仍然比較小，這使得工藝參數(shù)很小的變化會導(dǎo)致硅表面圖形比較大的變化。這樣由制造過程中工藝參數(shù)的隨機變化引起的芯片與芯片之間性能離散度也會比較大。隨著集成電路制造過程的日趨復(fù)雜，這些問題對成品率的影響越來越大。在掩模制造之前使用DSI算法對已經(jīng)過RET校正(Post-RET)的版圖作可制造性驗證也日益顯現(xiàn)出其重要性。
一般來說，為了能夠精確地對版圖作預(yù)矯正，需要了解芯片制造流程的詳細(xì)信息，它可以表現(xiàn)為一組規(guī)則(Rule Based)也可以表現(xiàn)為一個經(jīng)過實際生產(chǎn)數(shù)據(jù)校正的物理模型(Model Based)。一個有足夠精度并且足夠快速的模擬從版形到硅表面圖形轉(zhuǎn)換過程的模型是應(yīng)用基于模型的RET和Post-RET驗證的基礎(chǔ)。從掩模版制造到蝕刻，許許多多的制造步驟包括了一系列的物理化學(xué)過程，使建立模型成為一個艱難的任務(wù)。光刻成像作為對硅表面成形影響最大的一種過程，已經(jīng)得到了廣泛深入的研究，在實踐中它通常用空間域和頻域的霍普金斯公式來描述。這是一個雙線性模型，能夠保證一定的計算速度。由于光刻過程中的其它一些制造過程比如顯影，烘烤和蝕刻通常都可以用線性模型來描述。在實際的模型中，一般會將這些線性模型合并到霍普金斯公式描述雙線性模型中，這樣不但降低整個光刻模型的復(fù)雜度也減少了計算量。通過這種模型計算所得的光強實際并不是單純的光強，而是描述了大部分的光學(xué)鄰近效應(yīng)的偽光強。硅表面的圖形通過判斷各點的偽光強是否超過光刻膠感光的閾值來確定。這種過程被稱為硅表面成像(Silicon Imaging)。
下面的公式列出了霍普金斯公式空間域和頻域的表述形式，其中I(x，y)和I(f，g)是偽光強，F(xiàn)(x，y)和F(f，g)是掩模透射函數(shù)，TCC(x1，yl；x2，y2)和TCC(f1，g1；f2，g2)是透射交叉相干函數(shù)，它描述了除了掩模以外的整個光學(xué)系統(tǒng)。光強分布通過掩模透射函數(shù)與TCC函數(shù)卷積得到。
I(x，y)＝∫∫∫∫F(x1，y1)×F(x2，y2)H×TCC(x-x1，y-y1；x-x2，y-y2)dx1dy1dx2dy2(1)I(f，g)＝∫∫F(f1，g1)×F(f1+f，g1+g)H×TCC(f1，g1；f1+f，g1+g)df1dg1(2)(x,y)=Σi(F(x,y)⊗K0i(x,y))2----(3)]]>作為雙線性系統(tǒng)的基本特性之一，用霍普金斯公式描述的光學(xué)系統(tǒng)可以分解成為一系列線性系統(tǒng)的疊加，即四維的TCC函數(shù)可以分解為一系列的二維函數(shù)的疊加。這種方法被稱為“主波分解”(principle wave decomposition)，這一系列二維函數(shù)被成為“卷積核”(convolution kernel)。實際運用中可以取一組有限個數(shù)的卷積核{K0i}作為雙線性系統(tǒng)四維傳輸函數(shù)的一個近似。一般來說，取6～8個權(quán)重最大的卷積核即可達到足夠的精度?？臻g點光強通過公式(3)計算，與公式1相比所需的計算量大大減少。這種建模和光強計算的方法在OPC工具得到廣泛應(yīng)用。它也可以同樣用于Post-RET的驗證。實用的Post-RET驗證流程通常首先使用基于DRC的幾何圖形匹配辨認(rèn)問題可能存在的區(qū)域，比如MOSFET溝道過短只可能出現(xiàn)在溝道所在的區(qū)域。然后在版形邊緣附近稀疏地選取采樣點并計算點光強，以確定實際硅表面圖形的邊緣位置，這種方法被稱為稀疏采樣成像算法，它極大程度的減少了計算點光強的實際次數(shù)，從而能夠?qū)Π鎴D作快速的檢查。采用這種方法檢查諸如溝道變形，通孔包含等電路問題的工具已經(jīng)在實際生產(chǎn)中得到應(yīng)用。
另一方面以稀疏采樣成像算法為中心的驗證也有它的局限性。由于稀疏采樣成像算法只在版形邊緣計算點光強，所以它只能確定版圖原有圖形經(jīng)過光刻后硅表面圖形的變化，而不能預(yù)測版圖中沒有而經(jīng)過光刻后在硅表面出現(xiàn)的圖形。而在當(dāng)今復(fù)雜的制造流程中，一些小塊的圖形可能在版形以外的區(qū)域出現(xiàn)，這些圖形不能通過稀疏采樣成像算法檢查出來。因此，即使大部分的采樣點與可制造性問題無關(guān)，基于密集采樣成像算法的全芯片的檢查也是必要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種基于密集采樣成像算法的光刻制造模擬方法，以便能夠快速計算和預(yù)測在集成電路光刻制造過程中硅表面密集格點上光強的分布。
為達上述目的，本發(fā)明的基于密集采樣成像算法的光刻制造模擬方法，包括重建傳輸交叉系數(shù)TCC，頻域擴展和利用特性加速計算，步驟如下1)初始化設(shè)一個表征光刻制造流程的卷積核組{K01，K02，...K0i}，卷積核的空間范圍為R0×R0，光刻掩模圖形，GDSII輸入，光刻機的基本參數(shù)，λ，NA，σ，其中，λ是光源的波長，NA是光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，σ是照明的相干系數(shù)；2)將卷積核組在空間域上擴展把卷積核組{K01，K02，...K0i}的每一個卷積核的空間范圍擴展為原來的兩倍，得到新的卷積核組{K11，K12，...K1i}，每個新卷積核的中間區(qū)域是原卷積核，周圍是零；3)建立頻域形式的傳輸交叉系數(shù)TCC通過式(1)，從擴展后的卷積核組{K11，K12，...K1i}得到頻域形式的傳輸交叉系數(shù)TCCTCC(f1,g1;f2,g2)=Σi(FT[K1i(x,y)])×(FT[K1i(x,y)])T---(1)]]>首先利用快速傅立葉變換FFT算法計算每個卷積核的傅立葉變換，然后通過計算各卷積核的傅立葉變換及其傅立葉變換的共軛轉(zhuǎn)置的Kronecker積構(gòu)建一個四維矩陣，最后將每個卷積核對應(yīng)的四維矩陣對應(yīng)點相加得到四維的TCC矩陣；4)讀入掩模圖形并將掩模圖形分割為R0xR0的區(qū)域，每個R0xR0的區(qū)域都作為一個“基本塊”；5)對4R0×4R0區(qū)域作二維傅立葉變換一個4R0×4R0區(qū)域包括16個基本塊，首先檢查這些基本塊中哪些已經(jīng)計算過，對于未計算過的基本塊，利用快速傅立葉變換FFT算法計算其它基本塊全為0時的頻譜函數(shù)；對于已計算過的區(qū)域，根據(jù)基本塊的相對位置對計算值作kπ/2或-kπ/2的相移，將所有基本塊的計算值相加，得到4R0×4R0區(qū)域的頻譜函數(shù)，并記錄所有基本塊的計算值；6)通過式(2)計算每個4R0×4R0區(qū)域的光強頻譜值，I(f，g)＝∫∫F(f1，g1)×F(f1+f，g1+g)H×TCC(f1，g1；f1+f，g1+g)df1dg1----------------------(2)7)計算光強值的空間分布通過式(3)構(gòu)造復(fù)合頻譜函數(shù)G(f，g)＝F1(f，g)+jF2(f，g)----------------------(3)對復(fù)合頻譜函數(shù)G(f，g)作傅立葉反變換IDFT得到4R0x4R0區(qū)域復(fù)光強的空間分布，它的實部和虛部分別代表了構(gòu)成頻譜函數(shù)G(f，g)的兩塊區(qū)域的光強分布；上述式(1)、(2)、(3)中的f，g，f1，g1，f2，g2均代表二維函數(shù)經(jīng)過傅立葉變換后的頻譜分量。
為了減少傅立葉反變換的計算量，本發(fā)明中的步驟7)所述復(fù)合頻譜函數(shù)G(f，g)作傅立葉反變換可以通過如下算法計算先在水平方向作M次N點一維傅立葉變換，然后在豎直方向?qū)τ嬎憬Y(jié)果作N/2次N點一維傅立葉變換，并按每兩次一組利用如下的步驟計算設(shè)X(m)和Y(m)是其中的一組一維傅立葉變換的輸入，其中m＝0，...，M-1，首先計算X(m)和Y(m)的M點輸入、M點輸出的一維傅立葉變換形式x(k)和y(k)，其中k＝0，...，M-1；將x(k)與由M階有限單位沖擊響應(yīng)FIR濾波器構(gòu)成的低通濾波器相乘，并且將y(k)作大小為π的相移后與由M階有限單位沖擊響應(yīng)FIR濾波器構(gòu)成的高通濾波器相乘，將兩者結(jié)果合并構(gòu)成一個新的信號{z(k)，k＝0，...，2M-1}，對z(k)作2M點輸入、2N點輸出的一維傅立葉變換，其中在FIR濾波器通帶邊緣的點直接從X(m)或Y(m)計算傅立葉變換值，計算結(jié)果的半個周期是X(m)的傅立葉變換值x(n)，另外半個周期是Y(m)的傅立葉變換值y(n)，其中n＝0，...，N-1。
本發(fā)明的基于密集采樣成像算法的光刻制造模擬方法提出了全新的加速算法，能有效提高光刻制造模擬計算的速度。使以往由于計算量太大而被認(rèn)為不實用的基于密集采樣成像可制造性檢查在新算法的幫助之下可以得到實際應(yīng)用。應(yīng)用本發(fā)明能夠檢查一些不能通過基于稀疏采樣成像算法模型檢查出來的制造缺陷，如可以用于檢查在圖形邊緣光強反差度低的區(qū)域由于制造過程中工藝參數(shù)的隨機變化而引起硅表面上產(chǎn)生的掩模上不存在的圖形，如“突起”(side-lobes)和“浮渣”(scum)等。


圖1是卷積核在空間域上擴展示意圖；圖2是相鄰計算區(qū)域的重疊部分示意圖；圖3是對復(fù)合頻譜函數(shù)作M×M點輸入N×N點輸出的二維傅立葉反變換示意圖；圖4是M×M點輸入N×N點輸出的二維傅立葉反變換計算過程示意圖；圖5是從X(m)和Y(m)構(gòu)造新信號Z(k)流程圖；圖6是FIR濾波器的頻域響應(yīng)圖。
具體實施例方式
以下結(jié)合附圖進一步說明本發(fā)明。
基于密集采樣成像算法的光刻制造模擬方法，包括重建傳輸交叉系數(shù)TCC，頻域擴展和利用特性加速計算，步驟如下1)初始化設(shè)光刻機的基本參數(shù)，λ，NA，σ，其中NA是光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，σ是照明的相干系數(shù)而λ是光源的波長。
某一表征光刻制造流程的卷積核組{K01，K02，...K06}，可由工業(yè)界流行的光學(xué)仿真工具產(chǎn)生。每個卷積核都是一個M×M的矩陣，它們的空間范圍為R0×R0，可以從光學(xué)系統(tǒng)的帶寬計算公式M＝4R0×NA×(1+σ)/λ中計算得到。
2)將卷積核組在空間域上擴展把卷積核組{K01，K02，...K06}的每一個卷積核的空間范圍(用R0表示)擴展為原來的兩倍，即將M×M的矩陣擴展為2M×2M的矩陣。以K11為例，具體操作如圖1所示，K11中心大小為M×M的子矩陣與K01相等，而周圍位置上的值均為0。依次操作得到新的卷積核組{K11，K12，...K16}。
3)建立頻域形式的傳輸交叉系數(shù)TCC通過式(1)，從擴展后的卷積核組{K11，K12，...K1i}得到頻域形式的傳輸交叉系數(shù)TCCTCC(f1,g1;f2,g2)=Σi(FT[K1i(x,y)])×(FT[K1i(x,y)])T---(1)]]>具體步驟如下首先利用快速傅立葉變換FFT算法計算每個卷積核的傅立葉變換，然后通過計算每個卷積核的傅立葉變換及其傅立葉變換的共軛轉(zhuǎn)置的Kronecker積構(gòu)建一個四維矩陣，最后將每個卷積核對應(yīng)的四維矩陣對應(yīng)點相加得到四維的TCC矩陣。
4)讀入掩模圖形并將掩模圖形分割為R0xR0的區(qū)域R0的值在步驟1)中計算，使用標(biāo)準(zhǔn)的剪切算法(Clipping Algorithm)即可將輸入圖形分割為大小為R0xR0的區(qū)域，每塊區(qū)域都是一個基本塊(ElementBlock)。
5)對4R0×4R0區(qū)域作二維傅立葉變換每次光強計算將產(chǎn)生2R0×2R0區(qū)域上的光強分布，由于鄰近區(qū)域會對最終的光強分布產(chǎn)生影響，因此每次運算都是在4R0×4R0區(qū)域上進行的，計算所得的光強分布在中間2R0×2R0區(qū)域是精確的，而周圍區(qū)域的光強分布是不精確的，需要重新計算。
一個4R0×4R0區(qū)域包括16個基本塊，相鄰的計算區(qū)域有相互重疊，如圖2所示，相鄰的兩塊區(qū)域B1和B2有8個基本塊即b3，b4，b7，b8，b11，b12，b15和b16，是重疊的。
為減少重復(fù)計算首先檢查這些基本塊中哪些已經(jīng)計算過，對于未計算過的基本塊，利用快速傅立葉變換FFT算法計算其它基本塊全為0(即基本塊上沒有圖形)時的頻譜函數(shù)，對于已計算過的區(qū)域不需要重復(fù)的計算，根據(jù)基本塊的相對位置對計算值作kπ/2或-kπ/2的相移，將所有基本塊的計算值相加，得到4R0x4R0區(qū)域的頻譜函數(shù)。重疊基本塊的計算值在計算相鄰區(qū)域傅立葉變換時用到，如圖2中b3，b4，b7，b8，b11，b12，b15和b16這8個基本塊的計算值在計算B2的傅立葉變換的時候用到。
6)通過式(2)計算每個4R0×4R0區(qū)域的光強頻譜值，I(f，g)＝∫∫F(f1，g1)×F(f1+f，g1+g)H×TCC(f1，g1；f1+f，g1+g)df1dg1----------------------(2)每個4R0x4R0區(qū)域的中間2R0x2R0區(qū)域會產(chǎn)生正確的光強，它的值由光強頻譜函數(shù)的IDFT得到。
下面的步驟將計算光強值的空間分布。
(1)構(gòu)造復(fù)合頻譜函數(shù)每次選取兩個4R0×4R0區(qū)域偽光強的頻譜函數(shù)F1(f，g)和F2(f，g)，通過式(3)構(gòu)造復(fù)合頻譜函數(shù)G(f，g)＝F1(f，g)+jF2(f，g)----------------------(3)(2)計算復(fù)光強的空間分布對頻譜函數(shù)G(f，g)作傅立葉反變換IDFT得到4R0x4R0區(qū)域復(fù)光強的空間分布，它的實部和虛部分別代表了構(gòu)成頻譜函數(shù)G(f，g)的兩塊區(qū)域的光強分布。每塊區(qū)域中間2R0×2R0區(qū)域的光強分布是精確的，而周圍區(qū)域的光強分布由于鄰近區(qū)域的影響是不精確的，需要重新計算。
(3)復(fù)合頻譜函數(shù)的的計算過程為求得光強的空間分布函數(shù)需對復(fù)合頻譜函數(shù)G(f，g)作M×M點輸入N×N點輸出的二維傅立葉反變換，如圖3所示。
反變換可通過(M+N/2)次N點的一維傅立葉變換計算的到，如圖4所示，先在水平方向作M次N點一維傅立葉變換，然后在豎直方向?qū)τ嬎憬Y(jié)果作N/2次N點一維傅立葉變換，并且按每兩次一組利用如下的步驟計算過程如圖5所示，設(shè)X(m)和Y(m)是其中的一組一維傅立葉變換的輸入，其中m＝0，...，M-1，首先計算X(m)和Y(m)的M點輸入、M點輸出的一維傅立葉變換形式x(k)和y(k)，其中k＝0，...，M-1；將x(k)與由M階有限單位沖擊響應(yīng)FIR濾波器構(gòu)成的低通濾波器相乘，并且將y(k)作大小為π的相移后與由M階有限單位沖擊響應(yīng)FIR濾波器構(gòu)成的高通濾波器相乘，將兩者結(jié)果合并構(gòu)成一個新的信號{z(k)，k＝0，...，2M-1}，對z(k)作2M點輸入、2N點輸出的一維傅立葉變換，由于FIR濾波器通帶邊緣的點的增益會遠小于1，如圖6所標(biāo)示的P區(qū)域中的點須直接從X(m)或Y(m)計算傅立葉變換值，計算結(jié)果的半個周期是X(m)的傅立葉變換值x(n)，另外半個周期是Y(m)的傅立葉變換值y(n)，其中n＝0，...，N-1。
權(quán)利要求
1.一種基于密集采樣成像算法的光刻制造模擬方法，其特征在于包括重建傳輸交叉系數(shù)TCC，頻域擴展和利用特性加速計算，步驟如下1)初始化設(shè)一個表征光刻制造流程的卷積核組{K01，K02，...K0i}，卷積核的空間范圍為R0×R0，光刻掩模圖形，GDSII輸入，光刻機的基本參數(shù)，λ，NA，σ，其中，λ是光源的波長，NA是光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，σ是照明的相干系數(shù)；2)將卷積核組在空間域上擴展把卷積核組{K01，K02，...K0i}的每一個卷積核的空間范圍擴展為原來的兩倍，得到新的卷積核組{K11，K12，...K1i}，每個新卷積核的中間區(qū)域是原卷積核，周圍是零；3)建立頻域形式的傳輸交叉系數(shù)TCC通過式(1)，從擴展后的卷積核組{K11，K12，...K1i}得到頻域形式的傳輸交叉系數(shù)TCCTCC(f1,g1;f2,g2)=Σi(FT[K1i(x,y)])×(FT[K1i(x,y)])T----(1)]]>首先利用快速傅立葉變換FFT算法計算每個卷積核的傅立葉變換，然后通過計算各卷積核的傅立葉變換及其傅立葉變換的共軛轉(zhuǎn)置的Kronecker積構(gòu)建一個四維矩陣，最后將每個卷積核對應(yīng)的四維矩陣對應(yīng)點相加得到四維的TCC矩陣；4)讀入掩模圖形并將掩模圖形分割為R0×R0的區(qū)域，每個R0×R0的區(qū)域都作為一個“基本塊”；5)對4R0×4R0區(qū)域作二維傅立葉變換一個4R0×4R0區(qū)域包括16個基本塊，首先檢查這些基本塊中哪些已經(jīng)計算過，對于未計算過的基本塊，利用快速傅立葉變換FFT算法計算其它基本塊全為0時的頻譜函數(shù)；對于已計算過的區(qū)域，根據(jù)基本塊的相對位置對計算值作kπ/2或-kπ/2的相移，將所有基本塊的計算值相加，得到4R0×4R0區(qū)域的頻譜函數(shù)，并記錄所有基本塊的計算值；6)通過式(2)計算每個4R0×4R0區(qū)域的光強頻譜值，I(f，g)＝∫∫F(f1，g1)×F(f1+f，g1+g)H×TCC(f1，g1；f1+f，g1+g)df1dg1----------------------(2)7)計算光強值的空間分布通過式(3)構(gòu)造復(fù)合頻譜函數(shù)G(f，g)＝F1(f，g)+jF2(f，g)----------------------(3)對復(fù)合頻譜函數(shù)G(f，g)作傅立葉反變換IDFT得到4R0×4R0區(qū)域復(fù)光強的空間分布，它的實部和虛部分別代表了構(gòu)成頻譜函數(shù)G(f，g)的兩塊區(qū)域的光強分布；上述式(1)、(2)、(3)中的f，g，f1，g1，f2，g2均代表二維函數(shù)經(jīng)過傅立葉變換后的頻譜分量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于密集采樣成像算法的光刻制造模擬方法，其特征在于步驟7)所述復(fù)合頻譜函數(shù)G(f，g)作傅立葉反變換通過如下算法計算先在水平方向作M次N點一維傅立葉變換，然后在豎直方向?qū)τ嬎憬Y(jié)果作N/2次N點一維傅立葉變換，并按每兩次一組利用如下的步驟計算設(shè)X(m)和Y(m)是其中的一組一維傅立葉變換的輸入，其中m＝0，...，M-1，首先計算X(m)和Y(m)的M點輸入、M點輸出的一維傅立葉變換形式x(k)和y(k)，其中k＝0，...，M-1；將x(k)與由M階有限單位沖擊響應(yīng)FIR濾波器構(gòu)成的低通濾波器相乘，并且將y(k)作大小為π的相移后與由M階有限單位沖擊響應(yīng)FIR濾波器構(gòu)成的高通濾波器相乘，將兩者結(jié)果合并構(gòu)成一個新的信號{z(k)，k＝0，...，2M-1}，對z(k)作2M點輸入、2N點輸出的一維傅立葉變換，其中在FIR濾波器通帶邊緣的點直接從X(m)或Y(m)計算傅立葉變換值，計算結(jié)果的半個周期是X(m)的傅立葉變換值x(n)，另外半個周期是Y(m)的傅立葉變換值y(n)，其中n＝0，...，N-1。
全文摘要
本發(fā)明公開的基于密集采樣成像算法的光刻制造模擬方法，包括重建TCC，頻域擴展和利用特性加速計算的步驟，提出了基于密集采樣成像算法的光刻制造模擬的計算流程，并采用了全新的加速算法，能夠快速計算和預(yù)測在集成電路光刻制造過程中硅表面密集格點上光強的分布，從而可以用于檢查在圖形邊緣光強反差度低的區(qū)域由于制造過程中工藝參數(shù)的隨機變化而引起硅表面上產(chǎn)生的掩模上不存在的圖形，如“突起”(side－lobes)和“浮渣”(scum)等。
文檔編號G06F17/50GK1741021SQ200510060759
公開日2006年3月1日 申請日期2005年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月14日
發(fā)明者嚴(yán)曉浪, 史崢, 王國雄, 陳曄 申請人:浙江大學(xué)