專(zhuān)利名稱：半導(dǎo)體晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有保護(hù)秘密信息的保護(hù)性功能，其中的秘密信息存儲(chǔ)在該半導(dǎo)體器件中，以避免被一種非法的方式分析或竄改。
背景技術(shù)：
最近，類(lèi)似一種用于減小半導(dǎo)體面積以及提供反竄改屬性的技術(shù)已經(jīng)被普遍的使用，如檢查用焊點(diǎn)(pad)在劃片上安置并在切塊的時(shí)候被切斷。根據(jù)上述技術(shù)，當(dāng)通過(guò)檢查切斷焊點(diǎn)而減小半導(dǎo)體面積，以及進(jìn)一步在物理上切斷從半導(dǎo)體外部到內(nèi)部的配線通路時(shí)，可以保護(hù)存儲(chǔ)在半導(dǎo)體器件內(nèi)的秘密信息，以避免通過(guò)利用檢查用焊點(diǎn)而非法分析所述秘密信息，并且進(jìn)一步，當(dāng)切斷檢查用焊點(diǎn)時(shí)，保證了在工作時(shí)間時(shí)的可靠性。
圖12是一個(gè)視圖，它示出了傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶片結(jié)構(gòu)的一部分。如圖12所示，在劃片區(qū)域2內(nèi)安置的用于檢查的焊點(diǎn)50通過(guò)MOS晶體管81而連接到檢查目標(biāo)電路52，并且在劃片區(qū)域2內(nèi)安置的用于控制的焊點(diǎn)83連接到MOS晶體管81的柵極。
在上述構(gòu)成中，用于檢查的焊點(diǎn)50在劃片區(qū)域2中安置，并從檢查用焊點(diǎn)50設(shè)置一條金屬配線到芯片區(qū)域1，越過(guò)經(jīng)過(guò)密封圈3，并通過(guò)MOS晶體管81連接到檢查目標(biāo)電路52。在檢查晶片的時(shí)候，一個(gè)始終用于導(dǎo)通MOS晶體管81的信號(hào)，從用于控制的焊點(diǎn)83輸入到MOS晶體管81，從而開(kāi)啟了從檢查用焊點(diǎn)50到檢查目標(biāo)電路52的輸入和輸出通路，以致可以進(jìn)行檢查。在晶片檢查完成之后，沿著切塊線4將半導(dǎo)體器件切斷。之后，為了防止由于切塊過(guò)程中產(chǎn)生的碎屑導(dǎo)致發(fā)送短路，以及進(jìn)一步為了防止發(fā)生腐蝕和為了保護(hù)半導(dǎo)體器件免受利用從檢查用焊點(diǎn)50引入配線而進(jìn)行的非法分析，而通過(guò)下面兩種方法，從物理上切斷金屬配線82的通路。
一個(gè)方法是，假設(shè)金屬配線82是一個(gè)保險(xiǎn)絲，并且完成了切塊之后，用激光束照射金屬配線82，以使金屬配線82熔斷。根據(jù)這個(gè)方法，切斷了來(lái)自檢查用焊點(diǎn)50的引入配線以及到半導(dǎo)體器件內(nèi)部的通路。另外一個(gè)方法是，在切塊處理之前，通過(guò)控制焊點(diǎn)83，將一個(gè)高電場(chǎng)加在MOS晶體管81上，以斷開(kāi)MOS晶體管81，然后進(jìn)行切塊處理。當(dāng)然，兩種方法可以一起使用。在每一種方法中，都切斷來(lái)自檢查用焊點(diǎn)50的引入配線和到半導(dǎo)體器件內(nèi)部的通路，以保護(hù)半導(dǎo)體器件以避免被非法分析裝置分析。
(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)JP-A-2001-135597即使在應(yīng)用上述現(xiàn)有技術(shù)的時(shí)候，從焊點(diǎn)引出的已經(jīng)切斷的配線通路，也可以通過(guò)FIB(聚焦離子束)技術(shù)而輕易的從物理上恢復(fù)。例如，為了照射激光束并熔斷配線，在芯片區(qū)域安置了保險(xiǎn)絲窗口。因此，當(dāng)觀察布線時(shí)，能輕易的發(fā)現(xiàn)熔斷的部分，并且可以確定連接到焊點(diǎn)的配線。因此，采用微探針和FIB技術(shù)，可以制成一個(gè)輸入和輸出通路，因此可以連接內(nèi)部和外部。通過(guò)利用輸入和輸出通路，可以進(jìn)行非法分析并且可以修改存儲(chǔ)信息。甚至當(dāng)運(yùn)用斷開(kāi)MOS晶體管的方法時(shí)，在觀察布線時(shí)可以在視覺(jué)上辨認(rèn)出斷開(kāi)的痕跡。因此，當(dāng)通過(guò)FIB技術(shù)而使MOS晶體管的源極和漏極的連接節(jié)點(diǎn)短路，以及通過(guò)微探針技術(shù)而制成來(lái)自外部的輸入和輸出通路，就能操作非法分析并且能通過(guò)利用因此所形成的通路而修改所存儲(chǔ)的信息，更確切的說(shuō)，上述方法的保護(hù)功能是很脆弱的。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，為了執(zhí)行上述的方法，不僅需要提供使用照射激光束的切塊處理，也要提供通過(guò)斷開(kāi)MOS晶體管81的斷開(kāi)處理而進(jìn)行的切割處理。因此，制造過(guò)程就變的很復(fù)雜，這提高了制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一半導(dǎo)體晶片，其中進(jìn)一步增強(qiáng)了保護(hù)半導(dǎo)體晶片免受非法分析的保護(hù)能力。
本發(fā)明提供了一半導(dǎo)體晶片，其中包含一個(gè)檢查目標(biāo)電路的多個(gè)半導(dǎo)體器件通過(guò)一個(gè)劃片區(qū)域進(jìn)行安置，包括一檢測(cè)裝置，用來(lái)檢測(cè)劃片區(qū)域已經(jīng)切斷；一轉(zhuǎn)換裝置，用來(lái)將在檢查目標(biāo)電路和用于檢測(cè)目標(biāo)電路的檢查用焊點(diǎn)之間的電位轉(zhuǎn)換成一固定的電位；以及一模式轉(zhuǎn)換裝置，用來(lái)在轉(zhuǎn)換裝置和檢查目標(biāo)電路之間檢測(cè)到一個(gè)異常的電位時(shí)，將檢查目標(biāo)電路的模式轉(zhuǎn)換成一安全模式。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，在切斷劃片區(qū)域后，檢測(cè)到在轉(zhuǎn)換裝置和檢查目標(biāo)電路之間的電位異常，接著檢測(cè)目標(biāo)電路的模式就轉(zhuǎn)變到安全模式。(在這個(gè)情況下，該安全模式是一種在固定狀態(tài)下的模式，在該固定狀態(tài)下，除非關(guān)斷半導(dǎo)體器件的電源，否則檢查目標(biāo)模式無(wú)法恢復(fù)，例如，該安全模式是這樣一種模式，在該模式下在重置狀態(tài)下的操作是固定的，或者已從存儲(chǔ)器中抹除秘密信息。)如上所述，在劃片區(qū)域被切斷后，就可以防止通過(guò)利用一引自焊點(diǎn)的引入線而進(jìn)行非法分析操作。
在本實(shí)施例中，最好是模式改變裝置具有拒絕檢查命令輸入到檢查目標(biāo)電路的功能。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，當(dāng)?shù)綑z查目標(biāo)電路的檢查命令的輸入被拒絕后，就可以防止檢查目標(biāo)電路被非法的裝置轉(zhuǎn)換成檢查模式。
在本發(fā)明中，檢測(cè)裝置包括一連接到半導(dǎo)體器件提供的電源上的電位的電阻器；一連接到該電阻器的監(jiān)控配線，該監(jiān)控配線同樣連接到在半導(dǎo)體器件內(nèi)接地端的電位，同時(shí)與與劃片區(qū)域的切割線交叉；以及一檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)監(jiān)控配線的電位的改變。由于上述的構(gòu)成，當(dāng)提供了監(jiān)控配線時(shí)，其中該監(jiān)控配線連接到半導(dǎo)體器件內(nèi)的接地端電位，同時(shí)該監(jiān)控配線與劃片區(qū)域的切割線交叉，這就可以將監(jiān)控線的兩個(gè)末端彼此隔離。因此，恢復(fù)監(jiān)控配線就變的可能。
在本發(fā)明中，最好是監(jiān)控配線圍繞安置在劃片區(qū)域內(nèi)的檢查用焊點(diǎn)安置，或是圍繞處于半導(dǎo)體器件內(nèi)劃片區(qū)域內(nèi)的仿真線安置。根據(jù)以上構(gòu)成，當(dāng)監(jiān)控配線圍繞檢查用焊點(diǎn)安置或是仿真線安置時(shí)，可以進(jìn)一步將監(jiān)控配線的兩個(gè)末端彼此隔離。因此，就不可能輕易的恢復(fù)監(jiān)控配線，并且可以增強(qiáng)防修改屬性。
在本發(fā)明中，檢測(cè)裝置包括一焊點(diǎn)，用來(lái)輸入一安置在劃片區(qū)域的監(jiān)控信號(hào)，用于給監(jiān)控配線一任意特性的信號(hào)；以及一特性改變檢測(cè)裝置，用來(lái)檢測(cè)監(jiān)控配線特性內(nèi)的改變。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，除非監(jiān)控配線的信號(hào)自身被檢測(cè)到，否則不可以使檢測(cè)裝置無(wú)效。
在本發(fā)明中，檢測(cè)裝置包括一安置在劃片區(qū)域內(nèi)的信號(hào)發(fā)生裝置，用于給監(jiān)控配線一任意特性的信號(hào)；以及一特性改變檢測(cè)裝置，用來(lái)檢測(cè)監(jiān)控配線特性內(nèi)的改變。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成除非監(jiān)控配線的信號(hào)自身被檢測(cè)到，否則不可以使檢測(cè)裝置無(wú)效。因此，可以顯著的增強(qiáng)防修改的屬性。進(jìn)一步，既然不需要從外部提供信號(hào)，就可以抑制晶片檢查的成本上升。
在本發(fā)明中，檢測(cè)裝置包括一安置在半導(dǎo)體器件內(nèi)的信號(hào)發(fā)生裝置，用于給監(jiān)控配線一任意特性的信號(hào)；以及一特性異常檢測(cè)裝置，用來(lái)檢測(cè)監(jiān)控配線對(duì)應(yīng)一參考信號(hào)的特性異常以檢測(cè)劃片區(qū)域的切割。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，不能檢測(cè)到一具有固定信號(hào)特性的信號(hào)，但是可以通過(guò)與參考信號(hào)進(jìn)行響應(yīng)的比較而檢測(cè)到一信號(hào)。因此，從信號(hào)發(fā)生裝置可以生成多個(gè)信號(hào)圖像。從而，可以顯著增強(qiáng)防修改的屬性。
在本發(fā)明中，檢測(cè)裝置包括一安置在半導(dǎo)體器件內(nèi)的信號(hào)發(fā)生裝置，用于給監(jiān)控配線一任意特性的信號(hào)；以及一特性異常檢測(cè)裝置，用來(lái)檢測(cè)監(jiān)控配線對(duì)應(yīng)一參考信號(hào)的特性異常，以檢測(cè)劃片區(qū)域的切割。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，由于信號(hào)發(fā)生裝置被切割切線區(qū)域所切斷，這就使將一通過(guò)放置探針來(lái)從外部觀察信號(hào)的方法無(wú)效成為可能。從而，可以顯著增強(qiáng)防修改的屬性。
在本發(fā)明中，最好是信號(hào)發(fā)生裝置生成隨機(jī)的號(hào)碼。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，可以每一次改變一個(gè)監(jiān)控信號(hào)。因此，可以進(jìn)一步增強(qiáng)防修改的屬性。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片進(jìn)一步包括一判斷裝置，用來(lái)根據(jù)從多個(gè)檢測(cè)裝置發(fā)送來(lái)的檢測(cè)信號(hào)，而判斷劃片區(qū)域的切割。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，劃片區(qū)域的切割基于多個(gè)檢測(cè)裝置生成的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行判斷。因此，當(dāng)它是以這樣一種方式組成時(shí)，即除非使所有的檢測(cè)裝置都無(wú)效，否則不能解除保護(hù)功能，這樣防修改的屬性能顯著的增強(qiáng)。進(jìn)一步，當(dāng)不同方式的檢測(cè)裝置互相結(jié)合時(shí)，要使所有的切割檢測(cè)裝置都無(wú)效就變的更困難了。因此，可以增強(qiáng)防修改裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片進(jìn)一步包括一故障診斷裝置，用來(lái)根據(jù)對(duì)應(yīng)一個(gè)提供給檢測(cè)裝置的測(cè)試信號(hào)的該檢測(cè)裝置的檢測(cè)輸出和預(yù)期值的比較結(jié)果，而診斷檢測(cè)裝置的故障。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，進(jìn)一步提供了用于檢測(cè)檢測(cè)裝置故障的故障檢測(cè)裝置。因此，甚至當(dāng)檢測(cè)裝置無(wú)效時(shí)，半導(dǎo)體器件都能由故障診斷裝置設(shè)定在安全模式。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片進(jìn)一步包括一存儲(chǔ)器，用于容納顯示劃片區(qū)域是否已經(jīng)切斷的信息；以及一判斷裝置，用于通過(guò)比較檢測(cè)裝置的輸出和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的信息，判斷劃片區(qū)域的切割。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，進(jìn)一步提供了判斷裝置，通過(guò)比較檢測(cè)裝置的輸出和顯示在劃片區(qū)域內(nèi)切割狀態(tài)的信息，來(lái)判斷劃片區(qū)域的切割。因此，除非在檢測(cè)裝置內(nèi)的兩部分信息以及存儲(chǔ)器無(wú)效，否則要解除檢查目標(biāo)電路內(nèi)的保護(hù)功能是不可能的。從而，進(jìn)一步增強(qiáng)了防修改的屬性。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)在劃片區(qū)域已經(jīng)切斷后，檢測(cè)到在轉(zhuǎn)換裝置和檢查目標(biāo)電路之間的異常電位并且檢查目標(biāo)電路的模式改變?yōu)榘踩Ｊ綍r(shí)，就可能防止在劃片區(qū)域被切斷后利用從焊點(diǎn)導(dǎo)入的的引入配線而進(jìn)行的人為非法分析。


圖1是顯示第一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片部分的放大原理平面圖。
圖2是顯示圖1所示的切割檢測(cè)器的一個(gè)實(shí)施例的原理平面圖。
圖3是顯示圖2所示的切割檢測(cè)器的變體的原理平面圖。
圖4是顯示圖1所示的切割檢測(cè)器的另一個(gè)實(shí)施例的原理平面圖。
圖5是顯示圖4所示的切割檢測(cè)器的變體的原理平面圖。
圖6是顯示圖1所示的切割檢測(cè)器的另一個(gè)實(shí)施例的原理平面圖。
圖7是顯示圖6所示的切割檢測(cè)器的變體的原理平面圖。
圖8是顯示圖6所示的切割檢測(cè)器的另一個(gè)變體的原理平面圖。
圖9是具有圖2到圖8所示的切割檢測(cè)器的半導(dǎo)體晶片的局部平面圖。
圖10是顯示第二個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片部分的放大原理平面圖。
圖11是顯示第三個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片部分的放大原理平面圖。
圖12是顯示傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶片部分的放大原理平面圖。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D例，下面詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。在這個(gè)電路中，在圖例中同樣的部分由相同的數(shù)字和符號(hào)指示，并且這里不重復(fù)解釋。
(第一個(gè)實(shí)施例)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的構(gòu)成如圖1所示。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，組成的半導(dǎo)體晶片使存儲(chǔ)在半導(dǎo)體器件中的秘密信息能免受非法裝置利用來(lái)自焊點(diǎn)的配線通路進(jìn)行分析。如圖1所示，在半導(dǎo)體晶片中，多個(gè)芯片區(qū)域1(半導(dǎo)體器件)包括通過(guò)劃片區(qū)域2安置的檢查目標(biāo)電路52。該半導(dǎo)體晶片包括一個(gè)或多個(gè)用于檢查的焊點(diǎn)50，它們安置在劃片區(qū)域2中或是芯片區(qū)域1中；一個(gè)轉(zhuǎn)換電路51，用于電關(guān)斷輸入以及輸出通路54，以使之轉(zhuǎn)換到固定電位；一個(gè)檢測(cè)器55，用于監(jiān)控輸入和輸出通路54的電位；以及一個(gè)切割檢測(cè)器53，用于檢測(cè)當(dāng)劃片區(qū)域切斷時(shí)，半導(dǎo)體器件是否已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切斷。在檢查用焊點(diǎn)50安置在劃片區(qū)域2中的情況下，來(lái)自檢查用焊點(diǎn)50的配線越過(guò)密封圈3被引入到芯片區(qū)域1。
來(lái)自檢查用焊點(diǎn)50的配線通過(guò)轉(zhuǎn)換電路51而連接到檢查目標(biāo)電路52，并且由檢測(cè)器55發(fā)送的非法檢測(cè)信號(hào)E也連接到檢查目標(biāo)電路52。將用于控制切割檢測(cè)器的控制信號(hào)D從檢測(cè)目標(biāo)電路52輸入到切割檢測(cè)器53。將切割檢測(cè)器53的檢測(cè)信號(hào)A輸入到轉(zhuǎn)換電路51和檢查目標(biāo)電路52。
下面將解釋其組成為如上所述的保護(hù)電路的動(dòng)作。在工廠內(nèi)檢查晶片的時(shí)候，由于劃片區(qū)域沒(méi)有切斷，所以切割檢測(cè)器53發(fā)送檢測(cè)信號(hào)A到轉(zhuǎn)換電路51，其中檢測(cè)信號(hào)A處于半導(dǎo)體器件沒(méi)有從半導(dǎo)體晶片上切除的狀態(tài)。在檢查用焊點(diǎn)50和檢查目標(biāo)電路52之間的輸入輸出通路54是電連接的，檢測(cè)器5 5是無(wú)效的，并且用于傳送輸入和輸出信息的輸入輸出通路54是打開(kāi)的，其中輸入和輸出信息從檢查用焊點(diǎn)50被發(fā)送到檢查目標(biāo)電路52。檢測(cè)信號(hào)A也傳送到檢查目標(biāo)電路52，因此可以將發(fā)送自檢查用焊點(diǎn)50的信號(hào)進(jìn)行輸入和輸出。允許接收發(fā)送自外部的測(cè)試模式的命令。通過(guò)這個(gè)方法，可以將檢查目標(biāo)電路52設(shè)置在可以進(jìn)行檢查的狀態(tài)。
在完成檢查之后，劃片區(qū)域2沿著切割線4而切斷，同時(shí)切斷安置在劃片區(qū)域2內(nèi)的檢查用焊點(diǎn)50，以及生成在劃片區(qū)域2內(nèi)的切割檢測(cè)器53的一部分。當(dāng)切斷劃片區(qū)域時(shí)，切割檢測(cè)器53被組成，從而可以改變所監(jiān)控的信號(hào)的電氣特性，并且獲取電氣特性的改變。檢測(cè)信號(hào)A被發(fā)送到轉(zhuǎn)換電路51，其中檢測(cè)信號(hào)A處于半導(dǎo)體器件從半導(dǎo)體晶片上切斷的狀態(tài)。在檢查用焊點(diǎn)50和檢查目標(biāo)電路52之間的輸入輸出通路54被電關(guān)斷。從轉(zhuǎn)換電路51到檢查目標(biāo)電路52的輸入和輸出通路54被設(shè)置在一個(gè)固定的電位。接著，啟動(dòng)檢測(cè)器55，并監(jiān)控輸入輸出通路54的電位。
檢查目標(biāo)電路52由檢測(cè)信號(hào)A控制，并且拒絕檢查模式命令的接收(實(shí)施控制，以使檢查模式的允許/不允許控制被設(shè)置在不允許。)。在發(fā)現(xiàn)輸入輸出通路54的固定電位異常的情況下，非法檢查信號(hào)E就從檢測(cè)器55發(fā)出。通過(guò)所涉及的信號(hào)，模式改變?yōu)楣潭顟B(tài)，除非關(guān)斷半導(dǎo)體器件的電源，否則半導(dǎo)體器件不會(huì)返回到該狀態(tài)，例如，該動(dòng)作被固定到重置狀態(tài)。另外，模式轉(zhuǎn)換到了安全模式，在該模式下，存儲(chǔ)在半導(dǎo)體器件中的秘密信息被抹除了。根據(jù)上述的解釋?zhuān)梢苑乐狗欠ǚ治觥?br> 在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，保護(hù)功能通過(guò)切割檢測(cè)器53呈現(xiàn)。因此，切割檢測(cè)器的防修改級(jí)別決定了保護(hù)能力。下面解釋切割檢測(cè)器的一個(gè)實(shí)施例。
(切割檢測(cè)器的第一個(gè)實(shí)施例)圖2是第一個(gè)實(shí)施例的切割檢測(cè)器71的一個(gè)簡(jiǎn)單的裝置圖。切割檢測(cè)器71的組成如下。該切割檢測(cè)器71包括一個(gè)監(jiān)控配線7，通過(guò)以下方式提供，電阻器72通過(guò)上拉連接而連接在監(jiān)控配線7和Vdd固定電位(電源電位)之間，監(jiān)控配線7配置在從芯片區(qū)域1越過(guò)密封圈3到劃片區(qū)域2，監(jiān)控配線7再次越過(guò)密封圈3并被引入芯片區(qū)域1的長(zhǎng)度范圍內(nèi)；以及一個(gè)檢測(cè)器70，用于監(jiān)控安置在芯片區(qū)域1內(nèi)的監(jiān)控配線7的固定電位。
接著，下面解釋第一個(gè)切割檢測(cè)器71的動(dòng)作。在半導(dǎo)體器件從半導(dǎo)體晶片上切割下之前，監(jiān)控配線7的固定電平是Vss，監(jiān)控配線7經(jīng)過(guò)從Vdd到電阻器72并在密封圈3之前的位置分支，被輸入到檢測(cè)器70。檢測(cè)器70執(zhí)行檢測(cè)動(dòng)作，該動(dòng)作由控制信號(hào)D控制。在Vss被檢測(cè)的同時(shí)，檢測(cè)器70輸出表示在切割之前的狀態(tài)的檢測(cè)信號(hào)A。
另一方面，當(dāng)劃片區(qū)域沿著切割線4切斷的時(shí)候，監(jiān)控配線7的劃片區(qū)域部分被切斷。在這個(gè)時(shí)候，輸入進(jìn)檢測(cè)器70的監(jiān)控配線7的一部分，留在了芯片區(qū)域1內(nèi)并從Vss切斷，其中Vdd通過(guò)電阻器72而連接到檢測(cè)器70，接著輸入到檢測(cè)器70的電位變成了Vdd。檢測(cè)器70通過(guò)控制信號(hào)D變?yōu)橛行?，并獲取從Vss到Vdd的監(jiān)控配線7的電位改變，并在半導(dǎo)體器件從半導(dǎo)體晶片上切割下的狀態(tài)下輸出檢測(cè)信號(hào)A。從芯片區(qū)域1并越過(guò)密封圈3引出到劃片區(qū)域2的Vss的部分，和從電阻器72并越過(guò)密封圈3引出到劃片區(qū)域2的Vss的部分，可以通過(guò)監(jiān)控配線7的金屬線而連接，這樣各個(gè)部分可以彼此分離開(kāi)一個(gè)長(zhǎng)距離。從而，要通過(guò)FIB處理裝置簡(jiǎn)單地恢復(fù)切斷的配線通路就變得很困難。
(切割檢測(cè)器71的應(yīng)用)圖3是顯示切割檢測(cè)器71應(yīng)用的視圖。切割檢測(cè)器71A的組成如下。從芯片區(qū)域1并越過(guò)密封圈3引出到劃片區(qū)域2的Vss的部分，和從電阻器72并越過(guò)密封圈3引出到劃片區(qū)域2的Vss的部分，彼此分離開(kāi)一個(gè)長(zhǎng)距離，并且多個(gè)檢查用焊點(diǎn)50安置在劃片區(qū)域2內(nèi)。從劃片區(qū)域1并越過(guò)密封圈3引到芯片區(qū)域的一條線，以及越過(guò)密封圈3連接劃片區(qū)域2和芯片區(qū)域1的仿真(dummy)線73，被插入到切割檢測(cè)器71A中。根據(jù)切割檢測(cè)器81，要確定通路就變得更困難。因此，增強(qiáng)了防非法分析的防修改屬性。在切割檢測(cè)器71和71A的實(shí)施例中，可以采用這樣一種構(gòu)成，即省略了控制信號(hào)D，并在任何時(shí)候都使檢測(cè)器70有效。
(切割檢測(cè)器的第二個(gè)實(shí)施例)參考圖4的裝置圖，下面說(shuō)明本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的切割檢測(cè)器25。第二個(gè)切割檢測(cè)器25包括一個(gè)焊點(diǎn)20，用于輸入安置在劃片區(qū)域2內(nèi)的一個(gè)監(jiān)控信號(hào)；以及一個(gè)安置在芯片區(qū)域內(nèi)的檢測(cè)器21，其中，信號(hào)從用于輸入監(jiān)控信號(hào)的焊點(diǎn)20輸入到該芯片區(qū)域。
下面將說(shuō)明切割檢測(cè)器25的動(dòng)作。在半導(dǎo)體器件從半導(dǎo)體晶片上切下之前，在檢查晶片的時(shí)候，從用于輸入監(jiān)控信號(hào)到檢測(cè)器21的焊點(diǎn)20，輸入一個(gè)具有任意電氣特性的監(jiān)控信號(hào)。通過(guò)控制信號(hào)D，檢測(cè)器21的檢測(cè)定時(shí)是受控的。從用于輸入監(jiān)控信號(hào)的焊點(diǎn)20輸入的任意信號(hào)的電氣特性是受監(jiān)控的。如果沒(méi)有引起任何問(wèn)題，就輸出處于沒(méi)有執(zhí)行切割狀態(tài)的檢測(cè)信號(hào)A。
另一方面，如果晶片的檢查已經(jīng)完成并且劃片區(qū)域2已經(jīng)沿著切割線4而切割，則用于輸入監(jiān)控信號(hào)的焊點(diǎn)20也隨著劃片區(qū)域2而一同被切斷。因此，就從物理上關(guān)斷了輸入到檢測(cè)器21的監(jiān)控信號(hào)。檢測(cè)器21獲取一個(gè)受監(jiān)控的信號(hào)的電氣特性的一個(gè)改變，并輸出處于半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下?tīng)顟B(tài)的檢測(cè)信號(hào)A。只要從外部提供給檢測(cè)器21的信號(hào)不會(huì)偶然的與監(jiān)控輸入信號(hào)相同，就不可能使保護(hù)效果無(wú)效。由于上述原因，如果監(jiān)控輸入信號(hào)不是簡(jiǎn)單的設(shè)置，即，如果監(jiān)控輸入信號(hào)并不是一個(gè)固定的電位，而是一個(gè)高電壓，一個(gè)負(fù)電壓或是一個(gè)具有脈沖相位差的信號(hào)，就不能容易地從外部偶然的給入相同的電氣特性。由于上述原因，能增強(qiáng)防修改的屬性。
(切割檢測(cè)器25的應(yīng)用)作為切割檢測(cè)器25的一個(gè)應(yīng)用，如圖5所示，在切割檢測(cè)器25A中，信號(hào)發(fā)生器30而不是輸入焊點(diǎn)20被安置以用作監(jiān)控。信號(hào)發(fā)生器30和檢測(cè)器21通過(guò)控制信號(hào)D而受控。在檢查晶片的時(shí)候，可以從信號(hào)發(fā)生器30給出信號(hào)到檢測(cè)器21。因此，與切割檢測(cè)器25相比，在檢查晶片時(shí)的焊點(diǎn)數(shù)目減少了。從而，可以降低晶片檢查的成本。
(切割檢測(cè)器的第三個(gè)實(shí)施例)
圖6是本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的切割檢測(cè)器11的原理視圖。該切割檢測(cè)器11包括一個(gè)安置在芯片區(qū)域1內(nèi)的信號(hào)發(fā)生器5；一個(gè)從信號(hào)發(fā)生器5并越過(guò)密封圈3引入劃片區(qū)域2的監(jiān)控配線7，監(jiān)控配線7經(jīng)過(guò)劃片區(qū)域2并再次越過(guò)密封圈3并導(dǎo)入芯片區(qū)域1；一個(gè)檢測(cè)器8，用于監(jiān)控監(jiān)控配線7的電氣特性；以及一個(gè)控制電路6，用于控制信號(hào)發(fā)生器5和檢測(cè)器8。
接著，說(shuō)明定時(shí)檢測(cè)器11的動(dòng)作。控制電路6通過(guò)控制信號(hào)D啟動(dòng)。當(dāng)接收到來(lái)自控制電路6的控制信號(hào)時(shí)，信號(hào)發(fā)生器5在一個(gè)任意時(shí)刻生成一個(gè)預(yù)定的電氣特性的信號(hào)。這個(gè)信號(hào)通過(guò)監(jiān)控配線7和參考信號(hào)配線B而傳送到檢測(cè)器8，并且監(jiān)控配線7的電氣特性和參考信號(hào)B的電氣特性被對(duì)比并相互檢驗(yàn)。在判斷電氣特性是相同的情況下，輸出處于半導(dǎo)體器件還沒(méi)有從半導(dǎo)體晶片上切下?tīng)顟B(tài)的檢測(cè)信號(hào)A。當(dāng)在判斷電氣特性是不同的情況下，輸出處于半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下?tīng)顟B(tài)的檢測(cè)信號(hào)A。當(dāng)從信號(hào)發(fā)生器生成的信號(hào)形成時(shí)，可以進(jìn)一步增強(qiáng)切割檢測(cè)器11的防修改的屬性。例如，監(jiān)控配線7的信號(hào)圖像和參考信號(hào)B的信號(hào)圖像的比較，電氣特性的比較以及監(jiān)控配線7的配線物理特性和參考信號(hào)B的配線物理特性的比較，是有效的。當(dāng)通過(guò)結(jié)合它們進(jìn)行判斷時(shí)，通過(guò)利用切割完成后留在半導(dǎo)體器件中的監(jiān)控配線7以及從外部給入信號(hào)而進(jìn)行的非法分析就變得更加困難。因此，通過(guò)它們的組合所作出的判斷是有效的。
(切割檢測(cè)器11的應(yīng)用1)圖7是顯示切割檢測(cè)器11A的原理視圖，它是切割檢測(cè)器11的第一個(gè)應(yīng)用。在切割檢測(cè)器11A的情況下，當(dāng)信號(hào)發(fā)生器5被隨機(jī)數(shù)生成器10所取代，就能增強(qiáng)防修改的屬性。抵抗非法攻擊，該攻擊通過(guò)觀察切割檢測(cè)器11和11A而發(fā)現(xiàn)參考信號(hào)B的配線，以及通過(guò)外部建立的探針而觀察到參考信號(hào)B，從而追蹤到信號(hào)，以及在參考信號(hào)B的配線被切割之后，通過(guò)FIB處理技術(shù)，用一條旁路線來(lái)連接留在半導(dǎo)體器件中的監(jiān)控配線7。在這個(gè)情況下，采用一個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)，其中監(jiān)控配線7和參考信號(hào)B的配線物理特性彼此監(jiān)控并進(jìn)行比較，是有效的。然而，在其它的檢測(cè)系統(tǒng)中，參考信號(hào)B的配線被安置在較下的布線層上，并且多條其它配線被制作成通過(guò)上層。一個(gè)原始信號(hào)從信號(hào)發(fā)生器5發(fā)送到監(jiān)控配線7。關(guān)于參考信號(hào)B，發(fā)送經(jīng)過(guò)解碼的信號(hào)。在這之后，檢測(cè)器8將參考信號(hào)B解碼并將之與從監(jiān)控配線7發(fā)送的信號(hào)進(jìn)行比較。另外，信號(hào)通過(guò)信號(hào)發(fā)生器5進(jìn)行加密，然后作為參考信號(hào)B輸出，接著通過(guò)檢測(cè)器8解密。另外，信號(hào)并行的發(fā)送到監(jiān)控配線7，而參考信號(hào)B是串行的發(fā)送。通過(guò)這個(gè)方法，當(dāng)監(jiān)控配線7和參考信號(hào)B的信號(hào)格式改變，并且配線的物理形態(tài)進(jìn)一步發(fā)生改變，這就進(jìn)一步增強(qiáng)了防修改的屬性。
(切割檢測(cè)器11的應(yīng)用2)圖8是顯示切割檢測(cè)器11的第二個(gè)應(yīng)用格式的切割檢測(cè)器11B的原理視圖。根據(jù)這個(gè)構(gòu)成，可以更加容易地增強(qiáng)防修改的屬性。在切割檢測(cè)器11中，信號(hào)發(fā)生器5安置在劃片區(qū)域2中。從控制電路6到信號(hào)發(fā)生器5的控制信號(hào)越過(guò)了密封圈3，并連接到在劃片區(qū)域2內(nèi)的信號(hào)發(fā)生器5。參考信號(hào)B引自一個(gè)與劃片區(qū)域2內(nèi)的檢測(cè)器8有較遠(yuǎn)距離的位置，并越過(guò)密封圈3到芯片區(qū)域1，然后與檢測(cè)器8連接。當(dāng)切割沿著切割線4進(jìn)行時(shí)，信號(hào)發(fā)生器5和參考信號(hào)B的配線就被切斷。因此，要觀察參考信號(hào)B就變得不可能了。進(jìn)一步，可以這樣考慮一個(gè)非法分析攻擊，其中通過(guò)FIB處理或其它導(dǎo)線以及從外部輸入相同的信號(hào)，將留在半導(dǎo)體器件的監(jiān)控配線7和參考信號(hào)B的配線短路。然而，當(dāng)將監(jiān)控配線7引入芯片區(qū)域1的位置和參考信號(hào)B的配線引入芯片區(qū)域1的位置之間的距離延長(zhǎng)，以及當(dāng)改變監(jiān)控配線7和參考配線B的信號(hào)格式，或者當(dāng)改變配線的物理形狀時(shí)，可以容易地增加難度。因此，可以增強(qiáng)防修改的屬性。
(切割檢測(cè)器的第四個(gè)實(shí)施例)參考圖9的原理視圖，下面說(shuō)明本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的具有切割檢測(cè)器的半導(dǎo)體器件。這個(gè)半導(dǎo)體器件包括第一個(gè)到第三個(gè)實(shí)施例的切割檢測(cè)器的一切割檢測(cè)器90；以及一個(gè)檢測(cè)判斷裝置91，用來(lái)判斷根據(jù)發(fā)送自每一個(gè)切割檢測(cè)器90的檢測(cè)信號(hào)A1的內(nèi)容的檢測(cè)。下面說(shuō)明具有第四個(gè)切割檢測(cè)器90的半導(dǎo)體器件的動(dòng)作。
關(guān)于從多個(gè)切割檢測(cè)器90輸出的檢測(cè)信號(hào)A1，只有在所有的檢測(cè)信號(hào)A1都在檢測(cè)判斷裝置91中顯示半導(dǎo)體器件還沒(méi)有從半導(dǎo)體晶片上切下的狀態(tài)，檢測(cè)信號(hào)A才作為一個(gè)信號(hào)輸出，該信號(hào)顯示半導(dǎo)體器件還沒(méi)有從半導(dǎo)體晶片上切下的狀態(tài)。從而，即使是一個(gè)切割檢測(cè)器90輸出顯示半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下?tīng)顟B(tài)的檢測(cè)信號(hào)A1時(shí)，顯示半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下?tīng)顟B(tài)的檢測(cè)信號(hào)A就會(huì)被輸出。
因此，除非實(shí)施非法操作的個(gè)人通過(guò)非法裝置同時(shí)攻擊多個(gè)切割檢測(cè)器90，并且成功完成其非法操作，否則對(duì)他來(lái)說(shuō)，要使保護(hù)作用無(wú)效是不可能的，這就是說(shuō)，修改會(huì)變的非常困難。進(jìn)一步，在第一個(gè)到第三個(gè)實(shí)施例中使用的多個(gè)切割檢測(cè)器90的各種不同類(lèi)型，分別地被多個(gè)的切割檢測(cè)器90采用，就使得對(duì)個(gè)人而言，要執(zhí)行非法操作會(huì)變的更加困難，并且能顯著增強(qiáng)防修改的屬性。此外，從切割處理的可靠性的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，多個(gè)切割檢測(cè)器90中的任意一個(gè)檢測(cè)到半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下的狀態(tài)，就足夠了。因此，可以提供使用可靠性的非常高的成品率。
(第二個(gè)實(shí)施例)接著，參考圖10，下面說(shuō)明本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例。如圖10所示，除了第一個(gè)實(shí)施例外，半導(dǎo)體晶片進(jìn)一步包括故障診斷裝置40，用來(lái)判斷切割檢測(cè)器53是否正常工作，從檢查目標(biāo)電路52輸入控制信號(hào)D1來(lái)控制切割檢測(cè)器53和控制故障診斷裝置40，切割檢測(cè)器53的檢測(cè)信號(hào)A連接到故障診斷器件40并且進(jìn)一步該故障檢測(cè)信號(hào)B2從故障診斷器件40輸入到檢查目標(biāo)電路52。
下面將說(shuō)明如上述所組成的保護(hù)電路的動(dòng)作。在啟動(dòng)半導(dǎo)體器件的電源時(shí)，為了檢查該檢測(cè)功能，關(guān)于切割之前的狀態(tài)以及切割之后的狀態(tài)的信息作為一個(gè)檢查圖案(測(cè)試信號(hào))，通過(guò)控制信號(hào)D1，被多次從故障診斷器件40到切割檢測(cè)器53發(fā)送，以激活切割檢測(cè)器53并生成檢測(cè)信號(hào)A。由此而生成的檢測(cè)信號(hào)A，通過(guò)故障診斷器件40，與預(yù)期值進(jìn)行比較。根據(jù)比較的結(jié)果，故障檢測(cè)信號(hào)B2即被輸出。在檢測(cè)信號(hào)A和預(yù)期值互相符合的情況下，故障檢測(cè)信號(hào)B2通知檢查目標(biāo)電路52切割檢測(cè)器53處于正常狀態(tài)的事實(shí)，并且執(zhí)行與第一個(gè)實(shí)施例中相同方式的動(dòng)作。
另一方面，在檢測(cè)信號(hào)A和預(yù)期值彼此不一致的情況下，故障檢測(cè)信號(hào)B2就成為一個(gè)顯示定時(shí)檢測(cè)器53處于故障狀態(tài)的信號(hào)。不考慮檢測(cè)信號(hào)A的狀態(tài)，故障檢測(cè)信號(hào)B2將半導(dǎo)體器件改變到安全模式，其中故障檢測(cè)信號(hào)B2已經(jīng)傳送到檢查目標(biāo)電路52。根據(jù)上述實(shí)施例，即使在執(zhí)行非法操作的個(gè)人發(fā)現(xiàn)檢測(cè)信號(hào)A的配線并且以下述方式攻擊，即通過(guò)合適的非法裝置，從外部給入一個(gè)顯示半導(dǎo)體器件沒(méi)有從半導(dǎo)體晶片上切下的狀態(tài)的信號(hào)，該保護(hù)效果仍能有效。因此，可以提供一個(gè)半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體晶片，它們的防修改屬性能顯著的增強(qiáng)。
(第三個(gè)實(shí)施例)最后，參考圖11，說(shuō)明本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例。如圖11所示，除了第一個(gè)實(shí)施例外，半導(dǎo)體晶片包括一個(gè)序列發(fā)生器60，它根據(jù)非易失性存儲(chǔ)器61的信息和發(fā)送自切割檢測(cè)器53的檢測(cè)信號(hào)A的狀態(tài)，執(zhí)行非易失性存儲(chǔ)器61的信息的讀/寫(xiě)同時(shí)輸出非法檢測(cè)信號(hào)B1，和從檢查目標(biāo)電路52中輸入的控制信號(hào)D2分別控制切割檢測(cè)器53、序列發(fā)生器60和非易失性存儲(chǔ)器61。進(jìn)一步，序列發(fā)生器60的非法檢測(cè)信號(hào)B1被輸入到檢查目標(biāo)電路52。
下面將說(shuō)明如上述所組成的保護(hù)電路的動(dòng)作。切割檢測(cè)器53由控制信號(hào)D2所操作，并且檢測(cè)信號(hào)A被發(fā)送到序列發(fā)生器60。以同樣的方式，序列發(fā)生器60以及非易失性存儲(chǔ)器61由控制信號(hào)D2啟動(dòng)，然后信息從非易失性存儲(chǔ)器61讀出到序列發(fā)生器60。當(dāng)從非易失性存儲(chǔ)器61讀出的信息指示晶片處于被檢查過(guò)的狀態(tài)(例如，所有都是零)以及發(fā)送自切割檢測(cè)器53的檢測(cè)信號(hào)A指示半導(dǎo)體器件處于沒(méi)有從半導(dǎo)體晶片上切下的狀態(tài)時(shí)，序列發(fā)生器60就以在第一個(gè)實(shí)施例中半導(dǎo)體器件處于沒(méi)有從半導(dǎo)體晶片上切下的狀態(tài)時(shí)的相同方式運(yùn)作。
另一方面，在從切割檢測(cè)器53發(fā)送的檢測(cè)信號(hào)A的狀態(tài)指示半導(dǎo)體器件處于已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下的狀態(tài)的情況下，不考慮從非易失性存儲(chǔ)器61讀出的信息，半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下的信息被寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器61。之后，執(zhí)行如同第一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下的狀態(tài)時(shí)的相同操作。
接著，在從非易失性存儲(chǔ)器61讀出的信息指示半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下的情況下，不考慮發(fā)送自切割檢測(cè)器53的檢測(cè)信號(hào)A的狀態(tài)，該信息沒(méi)有被寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器61。在這個(gè)時(shí)候，當(dāng)從切割檢測(cè)器53發(fā)送的檢測(cè)信號(hào)A的狀態(tài)指示半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下，執(zhí)行如同第一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下的狀態(tài)時(shí)的相同操作。然而，當(dāng)從切割檢測(cè)器53發(fā)送的檢測(cè)信號(hào)A的狀態(tài)并不是處于半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下的狀態(tài)時(shí)，非法檢測(cè)信號(hào)B1就從序列發(fā)生器60輸出，接著半導(dǎo)體器件轉(zhuǎn)換到安全模式。
根據(jù)如前所述，可以做出如下結(jié)論。在檢查晶片的時(shí)候，根據(jù)切割檢測(cè)器而執(zhí)行保護(hù)。然而，當(dāng)在晶片檢查完成之后，半導(dǎo)體器件已經(jīng)從半導(dǎo)體晶片上切下時(shí)，以及半導(dǎo)體器件在裝運(yùn)狀態(tài)中的信息被寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器的情況下裝運(yùn)之前，半導(dǎo)體器件一旦被激活的時(shí)候，只要沒(méi)有在非易失性存儲(chǔ)器中寫(xiě)入信息，即使是在任意非法裝置使切割檢測(cè)器無(wú)效的時(shí)候，都可以完美的保護(hù)防修改的屬性，即可以顯著增強(qiáng)防修改的屬性。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，即使是在使用利用來(lái)自焊點(diǎn)的引線的任意非法分析裝置的時(shí)候，都能展示其保護(hù)效果，并且可以輕易的提供本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，而無(wú)需為切割過(guò)程之前及之后增加特定的制造過(guò)程。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片包括一個(gè)檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)劃片區(qū)域被切斷后的切斷狀態(tài)；以及一個(gè)轉(zhuǎn)換裝置，用于轉(zhuǎn)換引入線的電位，該引入線引自檢查用焊點(diǎn)，以及檢測(cè)一個(gè)在轉(zhuǎn)換裝置和檢查目標(biāo)電路之間的異常電位并且將檢查目標(biāo)電路轉(zhuǎn)換到安全模式。由于以上的構(gòu)成，可以防止個(gè)人執(zhí)行非法分析，其中非法分析利用來(lái)自劃片區(qū)域被切斷后的焊點(diǎn)的引入線。因此，本發(fā)明可以非常有效地應(yīng)用于具有保護(hù)秘密信息的保護(hù)功能的半導(dǎo)體晶片，其中的秘密信息存儲(chǔ)在半導(dǎo)體器件中，以免受非法分析及修改。
權(quán)利要求
1.一半導(dǎo)體晶片，其中通過(guò)一劃片區(qū)域，安置包括一檢查目標(biāo)電路的多個(gè)半導(dǎo)體器件，包括一檢測(cè)裝置，用來(lái)檢測(cè)劃片區(qū)域已經(jīng)切斷；一轉(zhuǎn)換裝置，用來(lái)將在檢查目標(biāo)電路和用于檢測(cè)目標(biāo)電路的檢查用焊點(diǎn)之間的電位改變成一固定的電位；以及一模式轉(zhuǎn)換裝置，用來(lái)當(dāng)在轉(zhuǎn)換裝置和檢查目標(biāo)電路之間檢測(cè)到一非正常的電位時(shí)，將檢查目標(biāo)電路的模式改變成一安全模式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，其中模式改變裝置具有拒絕將檢查命令輸入到檢查目標(biāo)電路的功能
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，該檢測(cè)裝置包括一連接到由半導(dǎo)體器件提供的電源的電位的電阻器；一連接到該電阻器的監(jiān)控配線，并且當(dāng)橫穿劃片區(qū)域中的分割線時(shí)，該監(jiān)控配線還連接到在半導(dǎo)體器件內(nèi)接地端的電位；以及一檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)監(jiān)控配線的電位的改變。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體晶片，其中該監(jiān)控配線圍繞安置在劃片區(qū)域內(nèi)的檢查用焊點(diǎn)安置，或是圍繞處于半導(dǎo)體器件內(nèi)劃片區(qū)域內(nèi)的仿真線安置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，其中檢測(cè)裝置包括一焊點(diǎn)，用來(lái)輸入一安置在劃片區(qū)域的監(jiān)控信號(hào)，用于給監(jiān)控配線一任意特性的信號(hào)；以及一特性改變檢測(cè)裝置，用來(lái)檢測(cè)監(jiān)控配線特性內(nèi)的改變。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，其中檢測(cè)裝置包括一安置在劃片區(qū)域內(nèi)的信號(hào)發(fā)生裝置，用于給監(jiān)控配線一任意特性的信號(hào)；以及一特性改變檢測(cè)裝置，用來(lái)檢測(cè)監(jiān)控配線特性內(nèi)的改變。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，其中檢測(cè)裝置包括一安置在半導(dǎo)體器件內(nèi)的信號(hào)發(fā)生裝置，用于給監(jiān)控配線一任意特性的信號(hào)；以及一特性異常檢測(cè)裝置，用來(lái)根據(jù)一參考信號(hào)檢測(cè)監(jiān)控配線的特性異常，以檢測(cè)劃片區(qū)域的切割。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，其中檢測(cè)裝置包括一安置在劃片區(qū)域內(nèi)的信號(hào)發(fā)生裝置，用于給監(jiān)控配線一個(gè)任意特性的信號(hào)；以及一特性異常檢測(cè)裝置，用來(lái)根據(jù)一參考信號(hào)檢測(cè)監(jiān)控配線的特性異常，以檢測(cè)劃片區(qū)域的切割。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8的半導(dǎo)體晶片，其中信號(hào)發(fā)生裝置生成隨機(jī)數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中的任一權(quán)利要求的半導(dǎo)體晶片，進(jìn)一步包括一判斷裝置，用來(lái)根據(jù)從多個(gè)檢測(cè)裝置發(fā)送來(lái)的檢測(cè)信號(hào)，而判斷劃片區(qū)域的切割。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，進(jìn)一步包括一故障診斷裝置，用來(lái)根據(jù)就測(cè)試信號(hào)而言的檢測(cè)裝置的檢測(cè)輸出和預(yù)期值的比較結(jié)果，而診斷檢測(cè)裝置的故障，其中的測(cè)試信號(hào)是給予檢測(cè)裝置的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，進(jìn)一步包括一存儲(chǔ)器，用于容納顯示劃片區(qū)域是否已經(jīng)切斷的信息；以及一判斷裝置，用于通過(guò)比較檢測(cè)裝置的輸出和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的信息，判斷劃片區(qū)域的切割。
全文摘要
當(dāng)劃片區(qū)域2切斷的時(shí)候，切割檢測(cè)器53發(fā)送檢測(cè)信號(hào)A給轉(zhuǎn)換電路51并電關(guān)斷焊點(diǎn)50以及檢查目標(biāo)電路52，然后由檢測(cè)器55監(jiān)控從轉(zhuǎn)換電路51到檢查目標(biāo)電路52的輸入和輸出通路54的固定電位。在同一時(shí)間，檢查目標(biāo)電路52被轉(zhuǎn)變到一種模式，其中檢測(cè)信號(hào)A拒絕了檢查模式的命令接收。在獲取了輸入和輸出通路54的固定電位的異常的情況下，檢查目標(biāo)電路52就轉(zhuǎn)變進(jìn)入該安全模式。
文檔編號(hào)G06F12/14GK1627505SQ200410010478
公開(kāi)日2005年6月15日 申請(qǐng)日期2004年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月18日
發(fā)明者松野則昭 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社