專利名稱:電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)以及電容式觸控面板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)以及電容式觸控面板，其中，電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括玻璃基板、附著于玻璃基板一板面的二氧化硅膜層以及附著于二氧化硅膜層并用于與ITO薄膜導(dǎo)體層電連接的金屬引線，金屬引線包括依次附著層疊的連接過渡層、用于與ITO薄膜導(dǎo)體層電連接的導(dǎo)電層以及用于防止導(dǎo)電層氧化的氧化保護(hù)層，連接過渡層連接附著于二氧化硅膜層，其中，導(dǎo)電層為由銅制成的導(dǎo)電層，連接過渡層是由鉬或鉬鎳合金制成的連接過渡層。本實(shí)用新型通過銅材制成的導(dǎo)電層降低了金屬引線的線阻，再通過二氧化硅膜層與連接過渡層較好地附著在一起，從而避免金屬引線從二氧化硅膜層脫落。
【專利說明】
電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)以及電容式觸控面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型屬于觸控領(lǐng)域，尤其涉及一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)以及電容式觸控面 板。
【背景技術(shù)】
[0002] 電容式觸摸面板的實(shí)現(xiàn)原理主要是利用了玻璃基板上的IT0(氧化銦錫)薄膜導(dǎo)體 層，其中，IT0薄膜導(dǎo)體層具有IT0圖案區(qū)，而IT0圖案區(qū)包括X軸和Y軸的電極矩陣，X軸和Y軸 電極矩陣之間互相耦合形成互電容，驅(qū)動(dòng)控制器TX和信號(hào)接收器RX分別通過金屬引線與電 極矩陣的X軸和Y軸連接，驅(qū)動(dòng)控制器TX發(fā)出激勵(lì)信號(hào)通過金屬引線傳輸?shù)絀T0圖案區(qū)。
[0003] 電容式觸摸面板的容值感應(yīng)部件是sensor向電極與Y軸縱向電極，用來感應(yīng)觸摸 點(diǎn)。金屬引線一端與X軸橫向電極、Y軸縱向電極，另一端與驅(qū)動(dòng)控制器、接收器相連，負(fù)責(zé)傳 導(dǎo)電信號(hào)。目前金屬引線主要是玻璃基材的M0ALM0(鉬鋁鉬）引線，該M0ALM0膜層的總厚度 在3500 A膜層較厚，隨著近幾年觸摸屏的發(fā)展以及行業(yè)內(nèi)競爭壓力的加劇，觸摸屏產(chǎn)品 都在朝著大尺寸、超窄邊框、低成本的方向發(fā)展，采用M0ALM0做引線的產(chǎn)品，一般線寬都在 30-20um，當(dāng)我們將M0ALM0做引線做的更長，線寬低于15um時(shí)，此時(shí)的M0ALM0線阻就會(huì)大于 2K Q，這時(shí)觸控反饋的信號(hào)，經(jīng)由引線傳輸?shù)浇邮掌鲿r(shí)就會(huì)變得十分微弱，就會(huì)影響到觸控 產(chǎn)品的靈敏度?？紤]到這種問題，要想將引線寬度控制在15um以內(nèi)，線阻還必須小于2KQ， 那就務(wù)必選擇一種電阻率盡量低的材料作為導(dǎo)電引線，自然界金屬中除銀(Ag)外銅的電阻 率最低，所以選擇銅為引線必然會(huì)更加有利問題的解決。目前采用單層銅作導(dǎo)電引線的產(chǎn) 品主要有ITO film或metal mesh film，他們主要都是以film為基底。但是單層銅膜不能直 接鍍在玻璃上，主要是因?yàn)橐环矫鍯u高溫下容易與硅反應(yīng)生成很高接觸電阻的CuSi3化合 物，另一方面Si02與金屬銅熱膨脹系數(shù)相差數(shù)倍，在材料膨脹或收縮時(shí)極易引起應(yīng)力集中， 容易脫落引起不良，所以一直以來銅并不能用在以玻璃為基底的產(chǎn)品中。因此，亟需提供一 種既能夠降低金屬引線的線阻，以及確保金屬引線與玻璃基板之間的吸附力的并適用于電 容式觸摸面板的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)，其旨在解決基于現(xiàn)有的金屬引線的線阻過大，以及金屬引線與玻璃基板之間的吸附力 不足的問題。
[0005] 本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的：
[0006] -種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板、附著于所述玻璃基板一板面的二氧化 硅膜層以及附著于所述二氧化硅膜層并用于與IT0薄膜導(dǎo)體層電連接的金屬引線，所述金 屬引線包括依次附著層疊的連接過渡層、用于與所述IT0薄膜導(dǎo)體層電連接的導(dǎo)電層以及 用于防止所述導(dǎo)電層氧化的氧化保護(hù)層，所述連接過渡層連接附著于所述二氧化硅膜層， 其中，所述導(dǎo)電層由銅制成的導(dǎo)電層，所述連接過渡層是由鉬或鉬鎳合金制成的連接過渡 層。
[0007] 可選地，所述連接過渡層是由70 % -80 %鉬和20 % -30 %鎳制成的連接過渡層。
[0008] 可選地，所述玻璃基板中附著所述二氧化硅膜層的板面的表面粗糙度為0.16~ 0?32nm〇
[0009] 可選地，所述二氧化硅膜層的厚度為600-800A。
[0010]可選地，所述連接過渡層的厚度為350-450人。
[0011] 可選地，所述導(dǎo)電層的厚度為900-1100A。
[0012] 可選地，所述氧化保護(hù)層是由70 % -80 %鉬和20 % -30 %鎳制成的氧化保護(hù)層。
[0013] 可選地，所述氧化保護(hù)層的厚度為150-250A。
[0014] 可選地，所述二氧化硅膜層為通過磁控濺射的方法形成的二氧化硅膜層。
[0015] 可選地，所述連接過渡層為通過磁控濺射的方法形成的連接過渡層，所述導(dǎo)電層 為通過磁控濺射的方法形成的導(dǎo)電層，所述氧化保護(hù)層為通過磁控濺射的方法形成的氧化 保護(hù)層。
[0016] 本實(shí)用新型還提供一種電容式觸控面板，包括上述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
[0017] 基于此結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層為由銅制成的導(dǎo)電層，銅比鋁的電阻率小，因此，利用銅制作 導(dǎo)電層，有利于降低金屬引線的線阻。而由于銅在高溫環(huán)境下容易與硅反應(yīng)生成具有高接 觸電阻的CuSi3化合物，且二氧化硅與銅的熱膨脹系數(shù)相差數(shù)倍，因此，如果由銅制成的導(dǎo) 電層直接沉積附著到二氧化硅膜層，當(dāng)出現(xiàn)膨脹或收縮時(shí)，二氧化硅膜層與導(dǎo)電層之間容 易出現(xiàn)位移差，也即是二氧化硅膜層與導(dǎo)電層的位移量不一致，再基于此位移差會(huì)導(dǎo)致二 氧化硅膜層與導(dǎo)電層引起應(yīng)力集中等，并使得二氧化硅膜層與導(dǎo)電層之間發(fā)生脫落的現(xiàn) 象，進(jìn)而導(dǎo)致金屬引線從二氧化硅膜層脫落，所以導(dǎo)電層并不能直接沉積附著到二氧化硅 膜層上。而鉬與二氧化硅之間具有較一致的熱膨脹系數(shù)，因此，二氧化硅膜層與連接過渡層 之間具有較好的附著力，能夠保二氧化硅膜層與連接過渡層較好地附著在一起，從而避免 金屬引線從二氧化硅膜層脫落。因此，基于本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，通過銅材制成的導(dǎo)電 層降低了金屬引線的線阻，再通過二氧化硅膜層與連接過渡層較好地附著在一起，從而避 免金屬引線從二氧化硅膜層脫落，從而解決基于現(xiàn)有的金屬引線的線阻過大，且金屬引線 與玻璃基板之間的吸附力不足的問題。
【附圖說明】

[0018] 為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使 用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例， 對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得 其他的附圖。
[0019] 圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；
[0020]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法；
[0021] 圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式觸控面板的剖視圖；
[0022] 圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式觸控面板的俯視圖。
[0023] 附圖標(biāo)號(hào)說明： 「00241

【具體實(shí)施方式】
[0025]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始 至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參 考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型 的限制。
[0026]在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語"長度"、"寬度"、"上"、"下"、"前"、 "后"、"左"、"右"、"豎直"、"水平"、"頂"、"底""內(nèi)'"外"等指示的方位或位置關(guān)系為基于附 圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示 所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本 實(shí)用新型的限制。
[0027]此外，術(shù)語"第一"、"第二"僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性 或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有"第一"、"第二"的特征可以明示或者 隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本實(shí)用新型的描述中，"多個(gè)"的含義是兩個(gè)或兩個(gè) 以上，除非另有明確具體的限定。
[0028] 在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語"安裝"、"相連"、"連接"、"固 定"等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體;可以是 機(jī)械連接，也可以是電連接;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè) 元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù) 具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。
[0029] 本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
[0030] 如圖1所示，該電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包括玻璃基板10、附著于玻璃基板10-板面的 二氧化硅膜層20以及附著于二氧化硅膜層20并用于與IT0薄膜導(dǎo)體層40(參見圖3和圖4)電 連接的金屬引線30,其中，金屬引線30的寬度以及走線設(shè)置可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置即可。金屬 引線30包括依次附著層疊的連接過渡層31、用于與IT0薄膜導(dǎo)體層40電連接的導(dǎo)電層32以 及用于防止導(dǎo)電層32氧化的氧化保護(hù)層33,連接過渡層31連接附著于二氧化硅膜層20,其 中，導(dǎo)電層32為由銅制成的導(dǎo)電層32,連接過渡層31是由鉬或鉬鎳合金制成的連接過渡層 31〇
[0031] 基于此結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層32為由銅制成的導(dǎo)電層32,銅比鋁的電阻率小，因此，利用銅 制作導(dǎo)電層32,有利于降低金屬引線30的線阻。而由于銅在高溫環(huán)境下容易與硅反應(yīng)生成 具有高接觸電阻的CuSi3化合物，且二氧化硅與銅的熱膨脹系數(shù)相差數(shù)倍，因此，如果由銅 制成的導(dǎo)電層32直接沉積附著到二氧化硅膜層20,當(dāng)出現(xiàn)膨脹或收縮時(shí)，二氧化硅膜層20 與導(dǎo)電層32之間容易出現(xiàn)位移差，也即是二氧化硅膜層20與導(dǎo)電層32的位移量不一致，再 基于此位移差會(huì)導(dǎo)致二氧化硅膜層20與導(dǎo)電層32引起應(yīng)力集中等，并使得二氧化硅膜層20 與導(dǎo)電層32之間發(fā)生脫落的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致金屬引線30從二氧化硅膜層20脫落，所以導(dǎo)電 層32并不能直接沉積附著到二氧化硅膜層20上。而鉬與二氧化硅之間具有較一致的熱膨脹 系數(shù)，因此，二氧化硅膜層20與連接過渡層31之間具有較好的附著力，能夠保二氧化硅膜層 20與連接過渡層31較好地附著在一起，從而避免金屬引線30從二氧化硅膜層20脫落。因此， 基于本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，通過銅材制成的導(dǎo)電層降低了金屬引線30的線阻，再通過 二氧化硅膜層20與連接過渡層31較好地附著在一起，從而避免金屬引線30從二氧化硅膜層 20脫落，從而解決基于現(xiàn)有的金屬引線的線阻過大，以及金屬引線與玻璃基板之間的吸附 力不足的問題。
[0032]上述中，在玻璃基板10與金屬引線30設(shè)有二氧化硅膜層20,由于二氧化硅膜層20 是由純二氧化硅制成的二氧化硅膜層20,而玻璃基板10主要由二氧化硅制成并包含有雜 質(zhì)，因此，二氧化硅膜層20與玻璃基板10在分子結(jié)構(gòu)上具有較類似的結(jié)構(gòu)，二氧化硅膜層20 沉積附著到玻璃基板10后，二氧化硅膜層20與玻璃基板10之間會(huì)有較好的附著力，從而提 高了玻璃基板10與金屬引線30的連接穩(wěn)定性。
[0033] 在本實(shí)用新型實(shí)施例中，連接過渡層31是由70%-80%鉬和20%-30%鎳制成的連 接過渡層31。結(jié)合后續(xù)電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)在成型后的刻蝕工藝，可利用常規(guī)的刻蝕液刻 蝕出所需的金屬引線30的整體布局，其中，刻蝕液銅的刻蝕速率相對(duì)較快，鉬在刻蝕液中刻 蝕相對(duì)較慢，如果直接刻蝕很容易出現(xiàn)刻蝕不凈的情況，因此，氧化保護(hù)層33采用鉬鎳合金 的形式進(jìn)行制作，通過鎳來提高連接過渡層31的刻蝕速度，而氧化保護(hù)層33是由70%-80% 鉬和20 %-30%鎳制成的氧化保護(hù)層33,可使氧化保護(hù)層33與導(dǎo)電層32的刻蝕速率基本相 一致。
[0034]在本實(shí)用新型實(shí)施中，玻璃基板10中附著二氧化硅膜層20的板面的表面粗糙度可 為0.16~0.32nm，優(yōu)選為0.25nm，也即是玻璃基板10中附著二氧化硅膜層20的板面具有一 定的凹凸結(jié)構(gòu)。基于此結(jié)構(gòu)，在利用真空磁控連續(xù)鍍膜機(jī)通過磁控濺射的方法將二氧化硅 逐漸地濺射到玻璃基板10的過程中，二氧化硅膜層20會(huì)有部分嵌入到玻璃基板10的下凹部 分，這增加二氧化硅膜層20與玻璃基板10的接觸面積，增加了二氧化硅膜層20與玻璃基板 10之間的附著力，同時(shí)，當(dāng)二氧化硅膜層20和玻璃基板10受到使兩者產(chǎn)生錯(cuò)位的外力時(shí)，可 以將兩者間的相互作用力均布到各凹凸結(jié)構(gòu)中，而不會(huì)集中在一個(gè)位置。此外，由于二氧化 硅膜層20磁采用控濺射的方法沉積形成，任意一處的膜層厚度大致相同，而二氧化硅膜層 20中朝向玻璃基板10的膜面需與玻璃基板10的板面相契合，相應(yīng)地，二氧化硅膜層20中背 離玻璃基板10的膜面粗糙度與玻璃基板10的粗糙度相對(duì)應(yīng)?；诖?，二氧化硅膜層20與連 接過渡層31的連接結(jié)構(gòu)、連接過渡層31與導(dǎo)電層32的連接結(jié)構(gòu)、以及氧化保護(hù)層33與導(dǎo)電 層32的連接結(jié)構(gòu)均與玻璃基板10與二氧化硅膜層20的連接結(jié)構(gòu)相類似，并具有相同的技術(shù) 效果，在此不再展開細(xì)述。
[0035] 在本實(shí)用新型實(shí)施例中，二氧化硅膜層20的厚度為600-800人（A為長度單位， 1A=丨0e-丨-m)，基于該厚度使得二氧化硅膜層20可以阻止玻璃基板10中鈉離子向金屬引 線30擴(kuò)散。
[0036] 在本實(shí)用新型實(shí)施例中，連接過渡層31的厚度為350-450A,在該厚度范圍內(nèi)，連 接過渡層31形成一個(gè)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)層，便于提高連接過渡層31與導(dǎo)電層32之間的連接穩(wěn)定 性，也便于提高連接過渡層31與二氧化硅膜層20之間的連接穩(wěn)定性。
[0037] 在本實(shí)用新型實(shí)施例中，導(dǎo)電層32的厚度為900-丨丨00//。基于此厚度，可將金屬 引線30的方阻控制在0.1 Q左右，適用于目前通用的觸控屏尺寸；具體地，在本實(shí)用新型實(shí) 施例中，導(dǎo)電層32的厚度為1 〇〇〇 A。
[0038] 如圖2所示，該電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備可優(yōu)選通過下述步驟S1至S5的方法制 備：
[0039] 在步驟S1中，準(zhǔn)備玻璃基板10;在該S1步驟中，選擇好所需尺寸的玻璃基板10,在 本實(shí)用新型實(shí)施例中，所選的玻璃基板10的尺寸為400*500*0.4mm，并將玻璃基板10清洗干 凈。
[0040] 在步驟S2中，利用真空磁控連續(xù)鍍膜機(jī)通過磁控濺射的方法在玻璃基板10-板面 上沉積出一層二氧化硅作，即沉積出附著于玻璃基板10的二氧化硅膜層20。由于二氧化硅 膜層20是由純二氧化硅制成的二氧化硅膜層20,而玻璃基板10主要由二氧化硅制成并包含 有雜質(zhì)，因此，二氧化硅膜層20與玻璃基板10在分子結(jié)構(gòu)上具有較類似的結(jié)構(gòu)，二氧化硅膜 層20沉積附著到玻璃基板10后，二氧化硅膜層20與玻璃基板10之間會(huì)有較好的附著力。此 外，在步驟S2的沉積過程中，將二氧化硅膜層20的厚度控制在5〇.〇-8〇〇A(A為長度單位， lA=10e-1-tn)，這樣就形成了玻璃基板1〇加上二氧化娃膜層20的支撐結(jié)構(gòu)。其中，由于玻 璃基板10并非純二氧化硅，同時(shí)，基于該厚度使得二氧化硅膜層20可以阻止玻璃基板10中 鈉離子向金屬引線30擴(kuò)散。
[0041 ]在步驟S3中，利用真空磁控連續(xù)鍍膜機(jī)通過磁控濺射的方法在二氧化硅膜層20上 沉積出連接過渡層31。
[0042] 由于銅在高溫環(huán)境下容易與硅反應(yīng)生成具有高接觸電阻的CuSi3化合物，且二氧 化硅與銅的熱膨脹系數(shù)相差數(shù)倍，因此，如果由銅制成的導(dǎo)電層32直接沉積附著到二氧化 硅膜層20,當(dāng)出現(xiàn)膨脹或收縮時(shí)，二氧化硅膜層20與導(dǎo)電層32之間容易出現(xiàn)位移差，也即是 二氧化硅膜層20與導(dǎo)電層32的位移量不一致，再基于此位移差會(huì)導(dǎo)致二氧化硅膜層20與導(dǎo) 電層32引起應(yīng)力集中等，并使得二氧化硅膜層20與導(dǎo)電層32之間發(fā)生脫落的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo) 致金屬引線30從二氧化硅膜層20脫落，所以導(dǎo)電層32并不能直接沉積附著到二氧化硅膜層 20上。而鉬與二氧化硅之間具有較一致的熱膨脹系數(shù)，因此，二氧化硅膜層20與連接過渡層 31之間具有較好的附著力，能夠保二氧化硅膜層20與連接過渡層31較好地附著在一起，從 而避免金屬引線30從二氧化硅膜層20脫落。在步驟S3的沉積過程中，可將連接過渡層31的 厚度控制在350-450A，在該厚度范圍內(nèi)，連接過渡層31形成一個(gè)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)層，便于提高 連接過渡層31與導(dǎo)電層32之間的連接穩(wěn)定性，也便于提高連接過渡層31與二氧化硅膜層20 之間的連接穩(wěn)定性;具體地，連接過渡層31的厚度為400 A電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
[0043] 此外，連接過渡層31是由鉬或鉬鎳合金制成的連接過渡層31。在連接過渡層31成 型后，由于電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)后續(xù)還有刻蝕工藝，可采用常規(guī)的刻蝕液刻蝕出所需的金 屬引線30的整體布局，其中，刻蝕液對(duì)銅的刻蝕速率相對(duì)較快，而鉬的刻蝕速率相對(duì)較慢， 因此，如果直接利用刻蝕液進(jìn)行刻蝕很容易出現(xiàn)連接過渡層31刻蝕不凈的情況。而刻蝕液 對(duì)鎳的刻蝕速率相對(duì)較慢，因此，可控制鉬鎳合金中鉬和鎳的比例，從而控制刻蝕液鉬鎳合 金的刻蝕速率，因此，連接過渡層31為由70 % -80 %鉬和20 % -30 %鎳制作的連接過渡層31， 而鉬鎳合金可使連接過渡層31與導(dǎo)電層32的刻蝕速率基本一致;在本實(shí)用新型實(shí)施例中， 連接過渡層31為由80%鉬和20%鎳制作的連接過渡層31。
[0044] 在步驟S4中，利用真空磁控連續(xù)鍍膜機(jī)通過磁控濺射的方法在所述連接過渡層31 上沉積出用于與IT0薄膜導(dǎo)體層40電連接的導(dǎo)電層32,所述導(dǎo)電層32為由銅制成的導(dǎo)電層 32〇
[0045] 其中，本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的是，銅比鋁的電阻率小，因此，利用銅制作導(dǎo)電層32， 有利于降低金屬引線30的線阻，在線阻值相同的情況下，可使本實(shí)用新型的金屬引線30的 厚度值、寬度值更小，以及長度值更大，便于將電容式觸摸面板的尺寸做大、邊框做窄。
[0046] 在該沉積過程中，可將導(dǎo)電層32的厚度控制在900-丨丨〇〇A?；诖撕穸?，可將金 屬引線30的方阻控制在0.1 Q左右，適用于目前通用的觸控屏尺寸;具體地，在本實(shí)用新型 實(shí)施例中，導(dǎo)電層32的厚度為丨〇〇〇//。
[0047] 此外，不同金屬原子通過化學(xué)作用形成化學(xué)鍵，并且最終能夠達(dá)到原子尺寸的結(jié) 合形成金屬鍵，而大多數(shù)金屬物化性質(zhì)相近，不同金屬的結(jié)合也具有較高的結(jié)合強(qiáng)度，而將 導(dǎo)電層32附著到連接過渡層31，其中，連接過渡層31包含70 % -80 %鉬和20 % -30 %鎳，而 鉬、鎳和銅均為金屬，可確保導(dǎo)電層32與連接過渡層31之間具有良好的附著力。
[0048] 在步驟S5中，在所述導(dǎo)電層32上渡用于防止所述導(dǎo)電層32氧化的氧化保護(hù)層33， 這樣，可以使金屬引線30經(jīng)受住后續(xù)的高溫。
[0049]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，氧化保護(hù)層33是由70%-80%鉬和20%-30%鎳制成的氧 化保護(hù)層33;具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，氧化保護(hù)層33是由80%鉬和20%鎳制成的氧 化保護(hù)層33。結(jié)合后續(xù)電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)在成型后的刻蝕工藝，可利用常規(guī)的刻蝕液刻 蝕出所需的金屬引線30的整體布局，其中，刻蝕液銅的刻蝕速率相對(duì)較快，鉬在刻蝕液中刻 蝕相對(duì)較慢，如果直接刻蝕很容易出現(xiàn)刻蝕不凈的情況，因此，氧化保護(hù)層33采用鉬鎳合金 的形式進(jìn)行制作，通過鎳來提高連接過渡層31的刻蝕速度，而由70 % -80 %鉬和20 % -30 % 鎳制成的氧化保護(hù)層33,可使氧化保護(hù)層33與導(dǎo)電層32的刻蝕速率基本相一致。
[0050] 此外，在步驟S5的沉積過程中，可將氧化保護(hù)層33的厚度控制在150-250A,基于 此，在將氧化保護(hù)層33的厚度控制在比較小的范圍的同時(shí)，還可防止所述導(dǎo)電層32氧化，有 利于降低生產(chǎn)成本;在本實(shí)用新型實(shí)施中，氧化保護(hù)層33的厚度優(yōu)選為200人。
[0051] 由于連接過渡層31是由鉬或鉬鎳合金制成的連接過渡層31、導(dǎo)電層32由銅制成的 導(dǎo)電層32以及氧化保護(hù)層33是由70%-80%鉬和20%-30%鎳制成的氧化保護(hù)層33,后續(xù)用 于成型金屬引線30布局的刻蝕工藝中的刻蝕液可采用FeCL3刻蝕液，其中，F(xiàn)eCL3刻蝕液成 本較低，因此，基于本本實(shí)用新型實(shí)施例的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)有利于降低生產(chǎn)成本。 [0052]在此需要說明的是，將上述電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)應(yīng)用于電容式觸控面板時(shí)，在生 產(chǎn)過程中，可在步驟S2至S5之前，可利用真空磁控連續(xù)鍍膜機(jī)通過磁控濺射的方法在二氧 化硅膜層20上沉積出IT0膜層，再通過黃光工藝形成具有所需IT0圖案的IT0薄膜導(dǎo)體層40， 如圖3和圖4所示的。如圖3和圖4所示，驅(qū)動(dòng)控制器TX和信號(hào)接收器RX均通過金屬引線30連 接到IT0薄膜導(dǎo)體層40的IT0圖案。
[0053]本實(shí)用新型還提出一種電容式觸控面板，該電容式觸控面板包括電容式觸控導(dǎo)線 結(jié)構(gòu)，該電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的具體結(jié)構(gòu)參照上述實(shí)施例，由于本電容式觸控面板采用了 上述所有實(shí)施例的全部技術(shù)方案，因此同樣具有上述實(shí)施例的技術(shù)方案所帶來的所有有益 效果，在此不再一一贅述。
[0054]以上僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用 新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換或改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保 護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括玻璃基板、附著于所述玻璃基板一表面 的二氧化硅膜層、以及附著于所述二氧化硅膜層上并用于與ITO薄膜導(dǎo)體層電連接的金屬 引線，所述金屬引線包括依次附著層疊的連接過渡層、用于與所述ITO薄膜導(dǎo)體層電連接的 導(dǎo)電層、以及用于防止所述導(dǎo)電層氧化的氧化保護(hù)層，所述連接過渡層連接附著于所述二 氧化硅膜層，其中，所述導(dǎo)電層為由銅制成的導(dǎo)電層，所述連接過渡層是由鉬或鉬鎳合金制 成的連接過渡層。2. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述玻璃基板中附著所述二 氧化硅膜層的板面的表面粗糙度為0.16~0.32nm。3. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述二氧化硅膜層的厚度為 600-800A。4. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接過渡層的厚度為 350-450人。5. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度為 900-1 lOOAo6. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述二氧化硅膜層為通過磁 控濺射的方法形成的二氧化硅膜層。7. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接過渡層為通過磁控 濺射的方法形成的連接過渡層，所述導(dǎo)電層為通過磁控濺射的方法形成的導(dǎo)電層，所述氧 化保護(hù)層為通過磁控濺射的方法形成的氧化保護(hù)層。8. -種電容式觸控面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的電容式 觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK205721721SQ201620367869
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年4月27日
【發(fā)明人】黃亮, 蔣蔚, 陳凱, 黃受林, 劉錫剛, 許東東, 黃海東
【申請(qǐng)人】深圳力合光電傳感股份有限公司