專利名稱：電路仿真方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用在半導(dǎo)體集成電路器件的設(shè)計的電路仿真方法。
背景技術(shù)：
例如，近年來，在MIS型半導(dǎo)體集成電路等的LSI領(lǐng)域，隨著半導(dǎo)體元件圖案的精細化，高集成化及半導(dǎo)體元件動作的高速化的發(fā)展，集成電路所要求的設(shè)計式樣也就多樣而且復(fù)雜起來。
為了滿足各種集成電路的設(shè)計式樣，在設(shè)計的各要素電路機能的驗證，或者是集成電路整體動作的驗證中進行仿真。這種情況下，抽出表示MIS晶體管特性的參數(shù)，利用這些參數(shù)預(yù)測MIS晶體管的動作。
通常，為了得到使用于上述參數(shù)抽出的MIS晶體管特性的實測數(shù)據(jù)，使用尺寸(柵極長L及柵極寬W)不同的數(shù)種以上的MIS晶體管所制成的半導(dǎo)體晶片。具體地講，測定這個晶片上的MIS晶體管的主要特性，基于其電特性抽出MIS晶體管的特性。
有關(guān)以前用于電路仿真的參數(shù)，參照圖進行詳細的敘述。
圖12，是表示在特定的MIS晶體管上施加漏極電壓(Vd；或者是源極-漏極之間的電壓)和柵極電壓Vg，測定的漏極電壓的結(jié)果的圖。從同圖所示的觀測結(jié)果可知，對應(yīng)于各柵極電壓Vg(Vg1、Vg2、Vg3)各可以描出一條漏極電流(Id)-漏極電壓(Vd)曲線。
在此，將在適當?shù)牟襟E改變Id、Vd、Vg所得的實測值置換為添加參數(shù)(Spice Parameter)，導(dǎo)入電路仿真器。還有，這些測定點之間的值用添加參數(shù)來添補，導(dǎo)入仿真器。
圖13，是將漏極電壓Vd和柵極電壓Vg取為定值時，表示晶體管的柵極長和漏極電流Id的關(guān)系的圖。在圖中，OD＝0.3μm及OD＝5.0μm是柵極長方向中從柵極電極端部到元件隔離區(qū)域為止的單側(cè)源極-漏極區(qū)域(活性區(qū)域)的寬度。
如從同圖所示的Id＝Id1及Id＝Id2時的特性曲線可知那樣，由晶體管柵極的長度改變這個晶體管的特性。為此，在改變晶體管的尺寸(柵極長L及柵極寬W)的條件下進行實測，有必要作成基于此的對應(yīng)于各晶體管尺寸的參數(shù)。
然而，因為針對每個晶體管作成參數(shù)太費事，所以針對晶體管尺寸的區(qū)域的不同作成參數(shù)，用于電路仿真。
圖14，是表示區(qū)分了區(qū)域的各參數(shù)的可適用的晶體管尺寸范圍的圖。同圖中，作成4個參數(shù)，將各參數(shù)可適用的晶體管尺寸的區(qū)域區(qū)分為4個的例的圖。例如，在柵極幅寬為W1～W2、且柵極長為L2～L3的晶體管尺寸(區(qū)域1)中使用參數(shù)1進行電路仿真，在柵極幅寬為W2～W3、且柵極長為L1～L2的晶體管尺寸(區(qū)域4)中使用參數(shù)4進行電路仿真。
圖15，是表示以前的電路仿真裝置的構(gòu)成的方塊圖。如同圖所示，在通常的電路仿真器中，輸入從光罩平面布置圖抽出的網(wǎng)表和從器件特性實測值抽出的參數(shù)。
首先，從具有要解析的電路的設(shè)計信息的光罩平面布置圖數(shù)據(jù)101抽出晶體管的尺寸數(shù)據(jù)102，這個晶體管尺寸數(shù)據(jù)102做為網(wǎng)表103輸入到電路仿真器100。且，實際上并不只是晶體管的尺寸，電容、電阻等也包含在網(wǎng)表中。且，在圖15中做為從光罩平面布置圖數(shù)據(jù)101抽出的數(shù)據(jù)表示了晶體管數(shù)據(jù)，但是，實際上也抽出了電容、電阻或者是構(gòu)成電路元件的數(shù)據(jù)。
另一方面，從器件的實測值數(shù)據(jù)(器件測定數(shù)據(jù))104進行仿真必要的參數(shù)抽出105，做為參數(shù)106輸入電路仿真器100。且，在這個參數(shù)抽出105的階段，進行將所得到的實測數(shù)據(jù)104置換為參數(shù)106的操作。在此，在以前的方法中，除晶體管的尺寸以外，源極及漏極區(qū)域的雜質(zhì)濃度或者是柵極絕緣膜的膜厚等也已考慮了。
接下來，所輸入的參數(shù)106，由電路仿真器100與網(wǎng)表103進行對照。并且，在電路仿真器100內(nèi)，從所輸入的參數(shù)106中選擇最適合于晶體管尺寸103a的模型參數(shù)106a，電路操作被仿真。
而且，如給解析電路中提供所定的輸入信號時，輸出終端能夠得到什么樣的輸出信號的仿真結(jié)果，做為輸出結(jié)果107被得到。還有，也能夠進行考慮了種種電阻或者是電容的電路滯后的算出。且，做為電路仿真，“SPICE”或者是改良了它的工具(tool)等被做為一般的情況使用。
通常，參考電路仿真器的仿真結(jié)果，進行電路平面圖的修正，對修正后的平面圖用同樣的順序再次實行仿真。通過上述手段的反復(fù)，可進行最優(yōu)化的電路設(shè)計。
(發(fā)明所要解決的課題)在上述電路仿真中，基于晶體管尺寸的設(shè)計數(shù)據(jù)和所輸入的實測數(shù)據(jù)，將最接近各晶體管的設(shè)計尺寸的晶體管尺寸的實測數(shù)據(jù)的電特性適用。為此，要消除電路仿真的算出值和用于實際電路的實測值之間的誤差，從本質(zhì)上來講是做不到的。為此就要求電路仿真的算出值和實測值之間的誤差達到在電路設(shè)計上沒有問題的水平。
當集成電路的設(shè)計尺寸(design rule)大的情況下，即便是只采用晶體管的尺寸做為參數(shù)的以前的方法，也用柵極電極的形狀，源極及漏極區(qū)域的深度、雜質(zhì)濃度等加以補正，使輸出誤差控制在實用上不產(chǎn)生問題的值以下。
然而，隨著集成電路的精細化的發(fā)展，由以前的方法的電路仿真，與實際電路動作的差距變得明顯起來。特別是在電子元件中，MIS晶體管或者是雙極晶體管的動作的誤差變大。
可以考慮到集成電路的精細化今后還會發(fā)展，特別是在0.13μm以下的設(shè)計尺寸中，對具有更高精度和正確性的電路仿真提出更強的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是，提供一種可用于精細化集成電路的設(shè)計，謀求到可信度及精確度的電路仿真方法。
(解決課題的方法)本發(fā)明的電路仿真方法，包括從集成電路的光罩平面布置圖數(shù)據(jù)進行包括上述集成電路的電子元件的形狀認識取得上述電子元件的尺寸數(shù)據(jù)的步驟(a)；進行實際測量用電子元件的電特性的測量和包括在上述電子元件上增加應(yīng)力指標的事項的上述實際測量用電子元件各部分的尺寸測定的步驟(b)；從上述步驟(b)所測量的實際測量用電子元件的電特性數(shù)據(jù)中，抽出至少基于上述實際測量用電子元件各部分的尺寸的參數(shù)的步驟(c)；使用電路仿真，從上述參數(shù)中選擇適合于包含在上述集成電路中的上述各個電子元件的參數(shù)，實行在上述電子元件中考慮了應(yīng)力的電路仿真的步驟(d)。
根據(jù)這種作法，因為在根據(jù)尺寸的不同所提供的電子元件的參數(shù)上疊加了以前沒有考慮的應(yīng)力影響，所以可以進行考慮了在晶體管上增加了由于應(yīng)力的特性變動的正確且高精度的電路仿真。
在上述步驟(b)中，至少從元件隔離用絕緣膜測定在上述電子元件上疊加的應(yīng)力指標的事項，在上述步驟(d)中，通過實行考慮了從元件隔離用絕緣膜向上述電子元件施加應(yīng)力的電路仿真，因為可以將加在電子元件上的所有應(yīng)力近似為來自元件隔離用絕緣膜的應(yīng)力，所以，可能實行較簡便地考慮了應(yīng)力的正確且高精度的電路仿真。
在上述步驟(c)中，基于在上述電子元件上增加了應(yīng)力指標的事項，通過抽出對于相同尺寸的上述各電子元件的復(fù)數(shù)個參數(shù)，可以在各電子元件上適用更接近實際特性的參數(shù)，所以，與從前相比，可以進行精度，正確性及信賴性高的電路仿真。
在上述步驟(d)之前，還包含將基于由上述步驟(b)得到的應(yīng)力指標構(gòu)成的測定數(shù)據(jù)作成的追加模型輸入上述電路仿真的步驟；在上述步驟(d)中，在選擇適合于包含在上述集成電路中的上述各電子元件的參數(shù)的時候，通過疊加由上述追加模型的補正，即便是在步驟(c)抽出的參數(shù)中沒有考慮應(yīng)力的情況下，也會進行考慮了應(yīng)力的精度高的電路仿真。還有，在步驟(c)中，在進行疊加了應(yīng)力的參數(shù)抽出時，通過使用追加模型可以進一步提高電路仿真的精度集成電路正確性。
在上述步驟(d)之前，還包括作成包含基于在上述電子元件上施加應(yīng)力指標所構(gòu)成的事項，對照包含在上述集成電路中的各電子元件和應(yīng)適用于上述各電子元件的參數(shù)的對照表的步驟；將上述對照表輸入上述電路仿真的步驟；上述步驟(d)中，選擇適用于包含在上述集成電路中的上述各電子元件的參數(shù)的操作，通過使用上述對照表自動進行，所以可以縮短仿真所要的時間。因此特別對解析電子元件數(shù)多的情況有效。
上述對照表，將包含在上述集成電路中的上述各電子元件，通過和疊加了加權(quán)值的復(fù)數(shù)個參數(shù)對照，可以作成組合復(fù)數(shù)個參數(shù)的新參數(shù)，所以，使用這個就可以進行精度更高的電路仿真。
上述電子元件及上述實際測量用電子元件，最好的是MIS晶體管或者是雙極晶體管。因為電子元件中MIS晶體管或者雙極晶體管因應(yīng)力容易引起電特性的變化，所以，只要使用在MIS晶體管或者雙極晶體管上考慮了應(yīng)力的參數(shù)，與對所有的電子元件適用考慮了應(yīng)力的參數(shù)的情況相比，能過簡單地進行精度高的電路仿真。
上述電子元件及上述實際測量用電子元件，為具有柵極電極、柵極絕緣膜、活性區(qū)域及包圍上述活性區(qū)域的元件隔離膜的MIS晶體管，成為在上述電子元件上加上應(yīng)力指標的事項，由于至少含有上述活性區(qū)域中的上述柵電極位置、上述活性區(qū)域的尺寸及上述元件隔離用絕緣膜的寬度中的一個，抽出疊加了應(yīng)力影響的參數(shù)就成為可能，而且，疊加了應(yīng)力影響的電路仿真就成為可能。
上述電子元件及上述實際測量用電子元件，由于至少含有上述活性區(qū)域的深度、上述元件隔離用絕緣膜的制造方法、上述元件隔離用絕緣膜的深度、上述元件隔離用絕緣膜的材料、上述柵極絕緣膜的尺寸及上述柵極絕緣膜的材料中的一個事項，所以能夠更詳細地在電路仿真上反應(yīng)在電子元件上疊加了應(yīng)力的影響，就可以得到仿真精度的提高。
在上述步驟(d)中，通過實行考慮了從上述柵極絕緣膜向上述電子元件施加應(yīng)力的電路仿真，就可以更詳細地在電路仿真上反應(yīng)在電子元件上施加了應(yīng)力的影響，所以能過得到仿真精度的提高。
還有，由于上述步驟(b)中至少測定了由層間絕緣膜向上述電子元件施加應(yīng)力的指標而成的事項，即使上述步驟(d)中實行了考慮了由層間絕緣膜向上述電子元件施加應(yīng)力的電路仿真，也能更詳細地在電路仿真上反應(yīng)在電子元件上施加應(yīng)力的影響，所以能過得到仿真精度的提高。


圖1，表示本發(fā)明的第1實施方式所涉及的電路仿真方法的方塊圖。
圖2，表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的電路仿真方法的方塊圖。
圖3，表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的電路仿真方法的變形例的方塊圖。
圖4，表示本發(fā)明的第3實施方式所涉及的電路仿真方法的方塊圖。
圖5，表示本發(fā)明的第4實施方式所涉及的電路仿真方法的方塊圖。
圖6(a)和圖6(b)，表示尺寸相同而活性區(qū)域中的柵電極的位置不同的MIS晶體管的平面圖。
圖7(a)～圖7(c)，表示使活性區(qū)域的尺寸或者是活性區(qū)域中的柵電極位置發(fā)生變化的MIS晶體管的例的平面圖。
圖8(a)～圖8(c)，表示元件隔離用絕緣膜的尺寸不同的MIS晶體管的一例的平面圖。
圖9(a)～圖9(c)，表示元件隔離用絕緣膜的尺寸不同的MIS晶體管的一例的平面圖。
圖10，MIS晶體管的平面圖中，為得到疊加了應(yīng)力影響的參數(shù)所應(yīng)測定的主要項目的一例的圖。
圖11(a)和圖11(b)，表示總結(jié)了圖10所示應(yīng)力指標的標格的圖。
圖12，表示桌一尺寸的MIS晶體管施加了不同的柵極電壓Vg時的電特性的圖。
圖13，表示使漏極電壓Vd和柵極電壓Vg一定的情況下的晶體管柵長與漏極電流的關(guān)系的圖。
圖14，表示做為電路仿真用參數(shù)之一的使用區(qū)域區(qū)分的例的圖。
圖15，表示以前的電路仿真裝置的構(gòu)成的方塊圖。
(符號說明)1 光罩平面布置圖數(shù)據(jù)2、6 晶體管部分的形狀認識3 數(shù)據(jù)取得3a晶體管尺寸數(shù)據(jù)
3b 晶體管識別數(shù)據(jù)4網(wǎng)表4a 晶體管尺寸5器件測定數(shù)據(jù)7、7a、7b、7c 參數(shù)抽出7A、7A1、7A2、7A3 參數(shù)抽出8參數(shù)8a、8b、8c 模型參數(shù)組8d 追加模型8f、8g、8h 模型參數(shù)組8e 以前的模型參數(shù)8A 復(fù)合模型參數(shù)組9輸出結(jié)果10 電路仿真11、13 晶體管對照表12 對照表14 復(fù)合對照表60、62、68 柵電極61、64、65、66、67 活性區(qū)域63 假柵電極69、69a、70、70a、71、71a 元件隔離用絕緣膜72、72a、73、73a、74、74a 半導(dǎo)體區(qū)域75 活性區(qū)域76 柵電極77 元件隔離用絕緣膜78 半導(dǎo)體區(qū)域具體實施方式
為了提高電路仿真的精度，在影響電子元件動作的因素中，調(diào)查了以前的電路仿真中沒有考慮的因素。并且，在所調(diào)查的種種因素的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)了周圍的應(yīng)力對晶體管動作的影響。
在加在晶體管上的應(yīng)力中，包圍這個晶體管的元件隔離用絕緣膜的應(yīng)力影響最大。從由淺溝槽型元件隔離區(qū)域(STIShallow Trench Isolation)形成的元件隔離用絕緣膜壓迫或者是壓縮晶體管活性區(qū)域的應(yīng)力在起作用。
圖13所示的Id＝Id1和Id＝Id2的特性曲線，是各自接受不同的應(yīng)力的MIS晶體管的特性曲線。兩晶體管中，活性區(qū)域的尺寸不同，Id1為OD＝0.3μm(從柵極電極端部到元件隔離區(qū)域的單側(cè)源極-漏極區(qū)域的寬度以下稱之為單側(cè)OD寬度)，Id2為OD＝5.0μm。
由同圖，如柵極長為0.3μm時，OD＝0.3μm中的漏極電流Id1約為150μA/μm、OD＝5.0μm時、漏極電流Id2約為1250μA/μm，由OD的尺寸生成漏極電流的差。由此，就知道了晶體管的特性受來自元件隔離用絕緣膜的應(yīng)力的影響大。在此只表示了一個例子，由晶體管的導(dǎo)電型等引起電特性的變化，但是，應(yīng)力給晶體管的特性以很大影響是確實的。
來自元件隔離用絕緣膜的應(yīng)力，由于晶體管活性區(qū)域的尺寸或者是從柵極電極的元件隔離用絕緣膜的距離等發(fā)生變化。為此，本申請的發(fā)明者們將作用在晶體管上的應(yīng)力做為電路仿真的新參數(shù)，加上了做為實測數(shù)據(jù)的活性區(qū)域的尺寸或者是自柵極電極的元件隔離用絕緣膜的距離。
以下，說明本發(fā)明的電路仿真方法實施方式。
(第1個實施例)圖1，是表示本發(fā)明的第1個實施例所涉及的電路仿真方法的方框圖。和以前一樣，在本實施例的電路仿真方法中，使用的是“SPICE”及將它進行了改良后的SPICE來作為模擬器而使用的。這是一種考慮了加在晶體管上的應(yīng)力也被作為參數(shù)來進行模擬的方法。
如圖1所示，在本實施例的電路仿真方法中，電路仿真器中輸入了網(wǎng)表(netlist)和參數(shù)數(shù)據(jù)。是由此來準備好這些數(shù)據(jù)的。
網(wǎng)表4，是從解析對象的電路光罩平面布置數(shù)據(jù)1推導(dǎo)出來的。
首先，從光罩平面布置數(shù)據(jù)1進行晶體管部形狀認識2。在這一晶體管部形狀認識2中，去認識單側(cè)OD寬度、元件隔離用絕緣膜的寬度(隔離寬度)。
接著，根據(jù)晶體管部形狀認識2的結(jié)果，進行由晶體管尺寸數(shù)據(jù)3a及晶體管模型識別數(shù)據(jù)3b組成的數(shù)據(jù)取得3。這里所得到的晶體管尺寸數(shù)據(jù)3a，有晶體管尺寸(柵極長、柵極寬)、電容、電阻及布線信息等。晶體管模型識別數(shù)據(jù)3b中含有根據(jù)晶體管部形狀認識2中的單側(cè)OD寬度、隔離寬度在手冊中作成的選擇模型名。該選擇模型名中含有成為應(yīng)力指標的數(shù)據(jù)。
接著，將這些晶體管尺寸數(shù)據(jù)3a及晶體管識別數(shù)據(jù)3b輸入到作為網(wǎng)表4的電路仿真器10中。且，實際上不僅將有關(guān)晶體管的數(shù)據(jù)輸入到電路仿真器10中，還將電阻、電容等數(shù)據(jù)輸入到電路仿真器10中。
另一方面，參數(shù)8的數(shù)據(jù)，是從成為裝置測量數(shù)據(jù)5的實測用裝置的實測值推導(dǎo)出來的。這里，實測用裝置是為測量而選擇出來的或者是作成的裝置，使用的是種類和已經(jīng)解析的裝置一樣的裝置。
首先，裝置測量數(shù)據(jù)5為，當為MIS晶體管時，由柵極長L、活性區(qū)域的寬度W來規(guī)定尺寸，測量尺寸互異的實測用MIS晶體管的電氣特性。還改變條件來測量柵極絕緣膜的膜厚、源極及漏極區(qū)域的形狀、雜質(zhì)濃度、襯底的雜質(zhì)濃度等。而且，在本實施例中，還改變條件測量和應(yīng)力有關(guān)的要素。
接著，從裝置測量數(shù)據(jù)5進行晶體管部形狀認識6。在該晶體管部形狀認識6中，對實際測得的晶體管的單側(cè)OD寬度及隔離寬度進行認識。
接著，以晶體管部形狀認識6為基礎(chǔ)，進行參數(shù)抽出7操作。在圖1中，表示根據(jù)應(yīng)力參數(shù)對接收互不相同的應(yīng)力的3種晶體管，進行參數(shù)抽出7a、7b、7c之例。這里表示有3種應(yīng)力狀態(tài)的情況，不僅如此，還可以進行對應(yīng)于多種應(yīng)力狀態(tài)的參數(shù)抽出。且，在該參數(shù)抽出7這一階段，進行將已得到的裝置測量數(shù)據(jù)5置換為具有對應(yīng)于應(yīng)力的模型參數(shù)組8a、8b、8c的參數(shù)8這一操作。
接著，將由參數(shù)抽出7變換而成的、具有表示對應(yīng)于應(yīng)力之特性的模型參數(shù)組8a、8b、8c的參數(shù)8輸入到電路仿真器10中。
輸入了網(wǎng)表4和晶體管的參數(shù)8以后，就在電路仿真器10內(nèi)，以網(wǎng)表4的數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，根據(jù)每一個晶體管尺寸4a，從將應(yīng)力考慮進去的模型參數(shù)組8a、8b、8c中選擇最佳的模型參數(shù)而進行電路仿真。這里，是以晶體管部形狀認識數(shù)據(jù)3b為基礎(chǔ)，輸入對每一個晶體管選擇哪一個模型參數(shù)這一信息。
接著，使用定給每一個晶體管的參數(shù)從電路仿真器10中輸出計算結(jié)果9。
在電路仿真器10內(nèi)，在現(xiàn)有的電路仿真方法下，不存在將應(yīng)力也考慮進去的參數(shù)，故不得不對尺寸相同、接收的應(yīng)力卻不同的晶體管定一個同樣的參數(shù)。結(jié)果是，由于應(yīng)力而造成的特性偏差就包含在誤差中了，而很難進行正確的模擬。
相對于此，在本實施例的電路仿真方法下，例如即使是同一個晶體管尺寸，也能根據(jù)應(yīng)力從模型參數(shù)組8a、8b、8c中選擇出最佳的模型參數(shù)。例如，在圖1的例子中，能夠根據(jù)所接收的應(yīng)力的不同，從“Tr尺寸1a模型”、“Tr尺寸1b模型”、“Tr尺寸1c模型”中選擇出最佳的模型參數(shù)給某一個尺寸的晶體管“Tr尺寸1”。
因此，與現(xiàn)有的方法相比，根據(jù)本實施例中的電路仿真方法，模擬的精度及正確度會大大地提高，模擬結(jié)果可在微細化的電路設(shè)計中使用。而且，通過測量更多的與應(yīng)力有關(guān)的因子，增加參數(shù)抽出時的情況，而能使模擬精度進一步提高。因此，對今后集成電路進一步微細化時的電路設(shè)計而言，本實施例中的電路仿真方法也是完全能應(yīng)付的。結(jié)果是，該電路仿真方法也能用在設(shè)計規(guī)格在0.13μm以下(包括0.13μm)時的電路設(shè)計上。當然了，本實施例中的電路仿真方法對現(xiàn)存的集成電路設(shè)計也是很有用的。利用本發(fā)明的電路仿真方法，就能在短時間內(nèi)開發(fā)出新的集成電路，非常迅速地提供適應(yīng)市場需要的產(chǎn)品。
接著，對本案發(fā)明人已經(jīng)確認好了的、為以應(yīng)力作參數(shù)而應(yīng)該測量的事項進行說明。
加在MIS晶體管的應(yīng)力，有來自元件隔離用絕緣膜的、有來自柵極絕緣膜的、還有來自層間絕緣膜，其中最大的應(yīng)力是來自元件隔離用絕緣膜的應(yīng)力。因此，至少以以下要索作用以預(yù)測應(yīng)力大小的指標。
·活性區(qū)域的大小(縱×橫)·由柵電極及元件隔離用絕緣膜所夾的活性區(qū)域的長度(活性區(qū)域的柵電極的位置)·包圍晶體管的元件隔離用絕緣膜的寬度接著，參考附圖，說明具有測量的事項。
圖6(a)及圖6(b)為表示尺寸相等、活性區(qū)域中的柵電極的位置不同MIS晶體管之例的平面圖。活性區(qū)域61由元件隔離用絕緣膜包圍著(圖7也一樣)，圖中未示。
如該圖(a)及圖(b)所示，出于制追上的原因等在同一個活性區(qū)域61上設(shè)了柵電極62和假柵電極63。在這種情況下，即使晶體管尺寸相等，其電氣特性也不同。且，假設(shè)晶體管尺寸是由柵電極長度L1和活性區(qū)域的寬度W1規(guī)定的。
在該例中，之所以晶體管的電氣特性隨柵電極62的位置的不同而不同，是因為柵電極62的位置一變，離元件隔離用絕緣膜的距離就會發(fā)生變化之故。與圖6(a)所示的柵電極62布置在活性區(qū)域61的大致中央部的晶體管相比，如圖6(b)所示的柵電極62離布置在活性區(qū)域61的單側(cè)的元件隔離用絕緣膜近的晶體管中的柵電極62更強烈地接收來自元件隔離用絕緣膜的應(yīng)力，故電氣特性發(fā)生變化。
圖7(a)～圖7(c)表示活性區(qū)域的尺寸或者是活性區(qū)域中的柵電極的位置改變了的MIS晶體管之例的平面圖。在該圖中，柵電極長度L1在0.3μm活性區(qū)域的寬度為10μm的MIS晶體管之例。且，在以下的本說明書中，當寫成“活性區(qū)域的寬度”的時候，就意味著在柵電極寬度方向上的活性區(qū)域的寬度。還有，當寫成“活性區(qū)域的長度”(單側(cè)OD寬度)的時候，就意味著在柵電極的長度方向上活性區(qū)域的從柵電極端部下到元件隔離用絕緣膜的單側(cè)活性區(qū)域的寬度。
圖7(a)所示的MIS晶體管，為在活性區(qū)域64的中央部分設(shè)置了柵電極60，位于柵電極60兩側(cè)的活性區(qū)域的長度為0.3μm之晶體管之例。
圖7(b)所示的MIS晶體管，為在活性區(qū)域65的中央部分設(shè)置了柵電極60，位于柵電極60兩側(cè)的活性區(qū)域的長度為5.0μm之晶體管之例。
圖7(c)所示的MIS晶體管，為將柵電極60布置在活性區(qū)域66中偏于左側(cè)的位置上，位于柵電極60左側(cè)的活性區(qū)域的長度為0.3μm、位于右側(cè)的活性區(qū)域的長度為10.0μm的晶體管的例子。
圖7(a)及圖7(b)所示的MIS晶體管，因為它們的活性區(qū)域的長度互不相等，所以從元件隔離用絕緣膜接收相互不同的應(yīng)力，而導(dǎo)致電氣特性相互不同。從這一點上來看，也可知活性區(qū)域的尺寸成為應(yīng)力的一個指標。
還有，圖7(b)和圖7(c)所示的MIS晶體管，柵電極長度方向上的活性區(qū)域的整個寬度基本上相等，柵電極的布置位置卻不同。因此，柵電極從元件隔離用絕緣膜接收的應(yīng)力就不同，電氣特性也就不同。
由上述可知，活性區(qū)域中位于柵電極的左右兩個側(cè)面的活性區(qū)域的長度成了應(yīng)力的指標。
例如，為將相當于圖7(a)～圖7(c)的應(yīng)力狀態(tài)考慮進去，在圖1所示的本實施例中，進行對應(yīng)于應(yīng)力狀態(tài)的參數(shù)抽出7a、7b、7c，并將該結(jié)果輸入到擁有模擬參數(shù)組8a、8b、8c的參數(shù)電路8中，從而就能進行考慮了應(yīng)力的電路仿真。
圖8(a)～圖8(c)為元件隔離用絕緣膜的尺寸不同的MIS晶體管之例的平面圖。且，這里所示的每一個MIS晶體管，其中的活性區(qū)域67及柵電極68的尺寸相等，形狀相同。柵電極68的柵電極長度為0.3μm，柵電極寬度方向上的活性區(qū)域67的寬度為10μm，柵電極長度方向上的活性區(qū)域67的寬度為0.9(0.3+0.3+0.3)μm，尺寸相等?；钚詤^(qū)域的長度及活性區(qū)域67上的柵電極68的位置也相同。
圖8(a)所示的MIS晶體管，元件隔離用絕緣膜69形成為包圍活性區(qū)域67的外側(cè)的樣子；半導(dǎo)體區(qū)域(外側(cè)活性區(qū)域)72形成為包圍那一元件隔離用絕緣膜69的樣子。元件隔離用絕緣膜69中，位于圖中的活性區(qū)域67的左右的柵電極長度方向上的隔離寬度在兩側(cè)都是4.0μm；位于圖中活性區(qū)域67上下的柵電極寬度方向上的隔離寬度在兩側(cè)都是1.0μm。
圖8(b)所示的MIS晶體管，元件隔離用絕緣膜70形成為包圍活性區(qū)域67的外側(cè)的樣子；半導(dǎo)體區(qū)域(外側(cè)活性區(qū)域)73形成為包圍那一元件隔離用絕緣膜70的樣子。元件隔離用絕緣膜70中，位于圖中的活性區(qū)域67的左右的柵電極長度方向上的隔離寬度在兩側(cè)都是4.0μm；位于圖中活性區(qū)域67上下的柵電極寬度方向上的隔離寬度在兩側(cè)都是0.3μm。
圖8(c)所示的MIS晶體管，元件隔離用絕緣膜71形成為包圍活性區(qū)域67的外側(cè)的樣子；半導(dǎo)體區(qū)域(外側(cè)活性區(qū)域)73形成為包圍那一元件隔離用絕緣膜71的樣子。元件隔離用絕緣膜71中，位于圖中的活性區(qū)域67的左右的柵電極長度方向上的隔離寬度在兩側(cè)都是0.3μm；位于圖中活性區(qū)域67上下的柵電極寬度方向上的隔離寬度在兩側(cè)都是1.0μm。
圖8(a)及圖8(b)中所示的MIS晶體管，元件隔離用絕緣膜中柵電極長度方向上的隔離寬度在兩側(cè)都是4.0μm，但在柵電極寬度方向上的隔離寬度圖8(a)在兩側(cè)都是1.0μm，而圖8(b)在兩側(cè)則都是0.3μm，相互不同。此時，這兩個MIS晶體管的電氣特性相互不同。這是由于晶體管接收的應(yīng)力隨著元件隔離用絕緣膜的隔離寬度而變化之故。
還有，圖8(a)及圖8(c)所示的MIS晶體管，元件隔離用絕緣膜中柵電極寬度方向上的隔離寬度都是1.0μm，但柵電極長度方向上的隔離寬度圖8(a)在兩側(cè)都是4.0μm，而圖8(c)在兩側(cè)則都是0.3μm，相互不同。此時，這兩個MIS晶體管的電氣特性也相互不同。
如上所述，包圍MIS晶體管的元件隔離用絕緣膜的尺寸(隔離寬度)也可作為應(yīng)力指標之一。
圖9(a)～圖9(c)為元件隔離用絕緣膜的尺寸不同的MIS晶體管的又一個例子的平面圖。圖9(a)～圖9(c)中所示的MIS晶體管，與圖8(a)～圖8(c)所示的MIS晶體管、活性區(qū)域67、柵電極68都一樣，由元件隔離用絕緣膜69a、70a、71a帶來的柵電極長度方向及柵電極寬度方向上的隔離寬度也一樣，所不同的是，位于元件隔離用絕緣膜69a、70a、71a外側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域72a、73a、74a被四分割了。在這一情況下，也是加在圖9(a)～圖9(c)所示的MIS晶體管上應(yīng)力相互不同。
將成為應(yīng)力的參數(shù)指標的事項總結(jié)一下的話，如下。
圖10為MIS晶體管的平面圖，表示為得到又加上了應(yīng)力的影響的參數(shù)而應(yīng)該測量的主要事項之一例。在該圖中，75為活性區(qū)域，76為柵電極，77為元件隔離用絕緣膜，78為半導(dǎo)體區(qū)域(外側(cè)活性區(qū)域)。
如該圖所示，在本實施例的電路仿真方法中作為應(yīng)力的指標用的主要事項，除了晶體管尺寸(柵電極長度L1、柵電極寬度W1)以外，還有內(nèi)側(cè)的活性區(qū)域75中位于柵電極76左右的區(qū)域的單側(cè)OD寬度ODFL及ODFR，包圍活性區(qū)域75的元件隔離用絕緣膜77中位于該活性區(qū)域75的柵電極長度方向的兩側(cè)的隔離寬度ODSL、ODSR及位于該活性區(qū)域75的柵電極寬度方向上的兩側(cè)的隔離寬度ODSU、ODSD等。且，在以下的說明書中，將ODFL和ODFR統(tǒng)稱為OD手指；將ODSL、ODSR、ODSU、ODSD統(tǒng)稱為OD隔離。
圖11(a)、圖11(b)為表示將圖10所示的MIS晶體管中的應(yīng)力指標總結(jié)在一起的表。且，在圖11(b)中，表示圖9(a)～圖9(c)中所示的MIS晶體管中的應(yīng)力的各個指標。
實際測量上述指標，并以其為基礎(chǔ)進行參數(shù)抽出，由此而進行將加在MIS晶體管上的應(yīng)力組合到參數(shù)中的精度很高的電路仿真。
除此以外，當活性區(qū)域、元件隔離用絕緣膜的形狀很復(fù)雜時，則可通過根據(jù)需要將影響應(yīng)力的事項加進來作指標，而進行精度更高的模擬。
還有，因為嚴格來講，元件隔離用絕緣膜、活性區(qū)域的深度，元件隔離用絕緣膜的制作方法不同的話，應(yīng)力也會不同，故若將這些數(shù)據(jù)都考慮進來的話，就能得到精度更高的模擬。
加在晶體管上的應(yīng)力會隨元件隔離用絕緣膜的材質(zhì)的不同而不同。例如，不含雜質(zhì)的SiO2和BPSG(含硼和磷的SiO2)對晶體管所加的應(yīng)力不同。
除此以外，從應(yīng)力的觀點來看，柵極絕緣膜的尺寸、膜厚、材質(zhì)等也可作為新指標來用。當為SOI襯底時，埋入氧化膜的位置等也可成為應(yīng)力的指標。若將層間絕緣膜的厚度作為指標加進來的話，就能進行將來自層間絕緣膜的應(yīng)力考慮進來的模擬。
且，在本實施例的電路仿真方法中，說明的是將應(yīng)力的參數(shù)應(yīng)用到MIS晶體管上的情況。不僅如此，該電路仿真方法也適用雙極型晶體管。此時，例如將成為基極、發(fā)射極以及集電極的區(qū)域及元件隔離用絕緣膜間的距離、元件隔離用絕緣膜的尺寸等被用作應(yīng)力的指標。該電路仿真方法還適用上述以外的晶體管、電容、電阻、二極管等。在這一點上以下各實施例也是一樣的。
(第2實施方式)圖2為表示本發(fā)明的第2個實施例所涉及的電路仿真方法的方框圖。本實施方式的電路仿真方法，是將從成為應(yīng)力的影響指標的實測數(shù)據(jù)導(dǎo)出的追加模型數(shù)據(jù)輸入到電路仿真器的方法。且，與第1實施方式相同的構(gòu)成標以相同的符號。如圖2所示那樣，在本實施方式的電路仿真方法中，在電路仿真器10上增加了網(wǎng)表4和參數(shù)8，基于應(yīng)力狀態(tài)為補正實用于各晶體管的參數(shù)輸入追加模型8d。
這個追加模型8d，進行從第1實施方式說明了的OD手指或者是OD隔離、元件隔離用絕緣膜的深度等的加在晶體管上的成為應(yīng)力指標的器件測定數(shù)據(jù)5的實測值的參數(shù)抽出7A，變換為參數(shù)作為追加模型8d輸入給電路仿真器10。
還有，網(wǎng)表4與第1實施方式同樣，從解析對象的電路光罩平面布置圖數(shù)據(jù)1導(dǎo)出。也就是，從光罩平面布置圖數(shù)據(jù)1進行晶體管部分的形狀認識2，以其結(jié)果為基礎(chǔ)，進行由晶體管尺寸數(shù)據(jù)3a及晶體管識別數(shù)據(jù)3b形成的數(shù)據(jù)取得3。在此取得的晶體管尺寸數(shù)據(jù)3a，為晶體管尺寸(刪長度、刪幅寬)、源極及漏極區(qū)域的雜質(zhì)濃度、電容、電阻及配線信息等等。并且，作為晶體管模型識別數(shù)據(jù)3b，包含在晶體管部分形狀認識2中基于單側(cè)OD寬度或者隔離寬度由手動作成選擇模型名。這個選擇模型名中，包含著由應(yīng)力指標形成的數(shù)據(jù)。
還有，在本實施方式的方法中，與以前相同基于晶體管的尺寸進行晶體管部分形狀認識6，基于器件測定數(shù)據(jù)5的實測值進行參數(shù)抽出7A。為此，基本上是對于同一尺寸的晶體管適用1個參數(shù)。
然而，本實施方式的電路仿真方法中，對于各種晶體管尺寸4a選擇模型參數(shù)8e時，由對應(yīng)于各應(yīng)力狀態(tài)增加由追加模型8e的補正，所以與以前相比進行精度和正確性高的電路仿真就成為了可能。且，適合于各晶體管的參數(shù)選擇，在晶體管模型識別數(shù)據(jù)3b的作成中由手動進行，但是，也可以如下面所要說明的實施方式那樣由電腦軟件自動進行。
根據(jù)本實施方式的方法，即便是沒有增加了電路仿真器用應(yīng)力的模型參數(shù)，通過附加為補正基于以前的模型參數(shù)8e的應(yīng)力狀態(tài)的參數(shù)的追加模型8d，就可進行考慮了應(yīng)力的高精度電路仿真，就可以得到精度高的輸出結(jié)果。還有，由作成表示更詳細的應(yīng)力狀態(tài)的追加模型，可以提高仿真精度。
圖3為表示本實施例所涉及的電路仿真方法的變形例的方框圖。與圖2不同的是，圖3所示的例中，就相同尺寸的晶體管，進行基于3種應(yīng)力狀態(tài)的參數(shù)抽出這一點。并且，在電路仿真器10中，對于1個尺寸的晶體管，準備了對應(yīng)于所接受的應(yīng)力施加3種追加模型a、b、c的模型參數(shù)組8f、8g、8h，即便是同一晶體管，對應(yīng)于應(yīng)力也可以從模型參數(shù)組8f、8g、8h中選擇最適合模型參數(shù)。
例如，第1實施方式的圖1中“Tr尺寸1a模型”上施加了應(yīng)力，但是，本實施方式的圖3中“Tr尺寸1a模型”自身上沒有施加應(yīng)力，通過由“追加模型a”增加補正可以進行施加了應(yīng)力的電路仿真。
本變形例中，在這3種模型參數(shù)組8f、8g、8h上，通過增加由追加模型為施加應(yīng)力的補正，進行更高精度的電路仿真就成為可能。但是，在追加模型a、b、c上準備比用于參數(shù)抽出7A1、7A2、7A3的數(shù)據(jù)更詳細的數(shù)據(jù)成為必要。
如上所述根據(jù)本實施方式的電路仿真方法，由追加模型增加應(yīng)力影響的補正，進一步提高精度就成為可能。為此，本實施方式的電路仿真方法，可充分使用在精細化了的電路設(shè)計上。
(第3實施方式)圖4，是表示本發(fā)明第3實施方式所涉及的電路仿真方法的方塊圖。且，與第1實施方式相同的構(gòu)成標有相同的符號。
本實施方式的電路仿真方法與第1實施方式的不同之處，是使用將各晶體管尺寸4a與晶體管參數(shù)組8a、8b、8c之中的最適合模型參數(shù)對應(yīng)的對照表12這一點。
第1實施方式中，在從網(wǎng)表4中選擇最適合各晶體管尺寸4a的參數(shù)之時，設(shè)計者用手動操作方式將各晶體管尺寸和各晶體管參數(shù)的對照信息輸入晶體管識別數(shù)據(jù)3b。對此，本實施方式的電路仿真方法，向電路仿真器10內(nèi)輸入網(wǎng)表4，參數(shù)8的數(shù)據(jù)、對照表12。這時，只在晶體管識別數(shù)據(jù)3b中取得單側(cè)OD寬度或者是隔離寬度，第1實施方式那樣的模型名的輸入就不會進行。并且，在電路仿真器10內(nèi)，基于對照表12的信息，從模型參數(shù)組8a、8b、8c中自動選擇適合于各晶體管尺寸的模型參數(shù)。
這個晶體管對照表11，在使用光罩平面布置圖數(shù)據(jù)1的晶體管部分的形狀認識2和使用器件測定數(shù)據(jù)5的晶體管部分的形狀認識6終了后，基于兩個形狀認識2、6用手動作成，在電路仿真器10中作為對照表12被輸入。這是，如對于Tr1為參數(shù)Tr1a、而對于Tr2為Tr2b對應(yīng)的對照表。
本實施方式中，在電路仿真器10中，用這個對照表12對各晶體管尺寸自動選擇最適合模型參數(shù)，所以就是晶體管數(shù)增加，解析時間也不會有什么增加。這是因為，對于即便是晶體管數(shù)增加作成對照表12的時間不會有什么變化，由電路仿真器的解析時間與手動操作相比短縮了的原故。
為此，根據(jù)本實施方式的電路仿真方法，在晶體管數(shù)多的情況下，與第1實施方式相比短縮解析時間就可以做到。且仿真精度與第1實施方式?jīng)]有什么區(qū)別。
且，本實施方式中，第1實施方式中說明了使用對照表的例子，但是，如第2實施方式那樣，使用追加模型的情況中使用對照表也是有效的。
(第4實施方式)圖5，是表示本發(fā)明第3實施方式所涉及的電路仿真方法的方塊圖。且，與第3實施方式相同的構(gòu)成標有相同的符號。與第3實施方式不同的是，付加了晶體管對照表13、復(fù)合對照表14和復(fù)合參數(shù)組8A這些點。
如圖所示那樣，本實施方式的電路仿真方法中，在電路仿真器10中，可以選擇用復(fù)合對照表14相對于1個晶體管的復(fù)數(shù)個參數(shù)。
在電路仿真器10中，輸入了網(wǎng)表4、各模型參數(shù)組8a、8b、8c和由晶體管對照表13所準備的復(fù)合參數(shù)對照表14。在此，復(fù)合對照表14，對于1個晶體管選擇復(fù)數(shù)個模型參數(shù)，對應(yīng)于各自的模型參數(shù)的加權(quán)系數(shù)用復(fù)合模型參數(shù)8A進行電路仿真所得到的輸出結(jié)果。
圖5所示的例中，由復(fù)合對照表14選擇對于晶體管Tr1的模型參數(shù)Tr1a和模型參數(shù)Tr1b，而各參數(shù)又被付以各自的加權(quán)值。例如，當Tr1正好處于Tr1a和Tr1b中間應(yīng)力狀態(tài)的情況，在Tr1上，f1(Tr1a，Tr1b)＝(Tr1a×0.5+Tr1b×0.5)的f1模型被適用。由此，加在晶體管上的應(yīng)力狀態(tài)，處在由參數(shù)抽出7a、7b、7c得到的模型參數(shù)組8a、8b、8c之間時，作成中間狀態(tài)的復(fù)合模型參數(shù)，可做到適用。其結(jié)果，第3實施方式中，由要從參數(shù)抽出7a得到的應(yīng)力狀態(tài)的模型參數(shù)組8a、8b、8c中選擇而言，本實施方式中可進行使用做為中間應(yīng)力狀態(tài)復(fù)合模型參數(shù)的電路仿真，所以能得到高精度的結(jié)果。
如以上這樣，只要根據(jù)本實施方式的方法，用復(fù)合對照表14可對1個晶體管選擇復(fù)數(shù)個參數(shù)，通過從這里生成新的復(fù)合參數(shù)，可進一步提高電路仿真的精度和正確性。且，對于一種晶體管選擇什么樣的參數(shù)，附加什么樣的加權(quán)值，只要考慮活性區(qū)域的形狀或者是柵極電極的位置等，應(yīng)力的指標來決定即可。
且，本實施方式的電路仿真方法中，對于1個晶體管所選擇的參數(shù)不限于2個，3個以上也可。
還有，本實施方式的電路仿真方法，如第2實施方式那樣，適用于利用追加模型的情況也是有效的。
(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明的電路仿真方法，通過在參數(shù)上施加加在電子元件上的應(yīng)力影響，可提高電路仿真的精度極正確性。由此，精細化就可以隨著迅速發(fā)展的集成電路設(shè)計而進展，短時間內(nèi)新產(chǎn)品投放時常就成為可能。
權(quán)利要求
1.一種電路仿真方法，其特征為包括從集成電路的光罩平面布置圖數(shù)據(jù)去認識包括在上述集成電路的電子元件的形狀，取得上述電子元件的尺寸數(shù)據(jù)的步驟(a)；測量實測用電子元件的電氣特性和測量成為包括加在上述電子元件上的應(yīng)力指標的事項的上述實測用電子元件各部分的尺寸的步驟(b)；從在上述步驟(b)所測量的實測用電子元件的電氣特性數(shù)據(jù)中，至少基于上述實測用電子元件各部分的尺寸抽出參數(shù)的步驟(c)；利用電路仿真，從上述參數(shù)中選擇適合于包括在上述集成電路中的上述各個電子元件的參數(shù)，進行將對在上述電子元件中應(yīng)力考慮進去的電路仿真的步驟(d)。
2.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的電路仿真方法，其特征為在上述步驟(b)中，至少測量成為從元件隔離用絕緣膜加在上述電子元件上的應(yīng)力的應(yīng)力指標的事項；在上述步驟(d)中，進行考慮了從元件隔離用絕緣膜加在上述電子元件的應(yīng)力的電路仿真。
3.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的電路仿真方法，其特征為在上述步驟(c)中，基于成為加在上述電子元件上的應(yīng)力指標的事項，對于相同尺寸的上述各電子元件抽出復(fù)數(shù)個參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的電路仿真方法，其特征為在上述步驟(d)之前，還包括將基于由上述步驟(b)得到的成為應(yīng)力指標的測量數(shù)據(jù)作成的追加模型輸入到上述電路仿真的步驟；在上述步驟(d)中，在選擇適合于包括在上述集成電路中的上述各電子元件的參數(shù)的時候，加上根據(jù)由上述追加模型作出的補正。
5.根據(jù)權(quán)利要求第1項～第4項中任何一項所述的電路仿真方法，其特征為在上述步驟(d)之前，還包括基于成為加在上述電子元件上的應(yīng)力指標的事項，作成包括讓上述集成電路中的上述各電子元件和應(yīng)該適用于上述各電子元件的參數(shù)對照起來的對照表的步驟；將上述對照表輸入到上述電路仿真器的步驟；在上述步驟(d)中，選擇適用于包括在上述集成電路中的上述各電子元件的參數(shù)的操作，利用上述對照表自動進行。
6.根據(jù)權(quán)利要求第5項所述的電路仿真方法，其特征為上述對照表，為一將包括在上述集成電路中的上述各電子元件和加上了加權(quán)值的復(fù)數(shù)個參數(shù)對照起來的表。
7.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的電路仿真方法，其特征為上述電子元件及上述實測用電子元件，是MIS晶體管或者是雙極晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求第7項所述的電路仿真方法，其特征為上述電子元件及上述實測用電子元件，為具有柵極電極、柵極絕緣膜、活性區(qū)域及包圍上述活性區(qū)域的元件隔離膜的MIS晶體管；成為加在上述電子元件上的應(yīng)力指標的事項，至少含有上述活性區(qū)域中的上述柵電極位置、上述活性區(qū)域的尺寸及上述元件隔離用絕緣膜的寬度中的一個事項。
9.根據(jù)權(quán)利要求第8項所述的電路仿真方法，其特征為成為加在上述電子元件上的應(yīng)力指標的事項，至少含有上述活性區(qū)域的深度、上述元件隔離用絕緣膜的制造方法、上述元件隔離用絕緣膜的深度、上述元件隔離用絕緣膜的材料，上述柵極絕緣膜的尺寸及上述柵極絕緣膜的材料中的一個事項。
10.根據(jù)權(quán)利要求第8項或者第9項所述的電路仿真方法，其特征為在上述步驟(d)中，進行考慮了從上述柵極絕緣膜向上述電子元件施加的應(yīng)力的電路仿真。
11.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的電路仿真方法，其特征為上述步驟(b)中，至少測量成為由層間絕緣膜向上述電子元件施加的應(yīng)力的指標的事項；上述步驟(d)中，進行考慮了由層間絕緣膜向上述電子元件施加的應(yīng)力的電路仿真。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電路仿真方法，它可以利用在精細化了的集成電路設(shè)計方面，并可得到信賴性和精度的提高。在本發(fā)明的電路仿真方法中，基于由電路的光罩平面圖數(shù)據(jù)作成的網(wǎng)表和由器件特性的實測數(shù)據(jù)得到的參數(shù)進行電路仿真。在晶體管尺寸以外，基于加在晶體管上的應(yīng)力，從實測數(shù)據(jù)抽出參數(shù)，再考慮了由應(yīng)力引起的晶體管特性變化，具有更高精度和正確性的電路仿真就成為可能。
文檔編號G06F17/50GK1485894SQ0315517
公開日2004年3月31日 申請日期2003年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月27日
發(fā)明者關(guān)戶真策, 大谷一弘, 佐原康之, 中田和久, 久, 之, 弘 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社