專利名稱：集成電路元件及其制造方法和承載集成電路元件的信息載體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在芯片上一體形成線圈的IC元件、該IC元件的制造方法、裝載該IC元件的信息載體、以及該信息載體的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，已知在規(guī)定形狀的基體內(nèi)包括IC元件和與該IC元件的端子部電連接的天線線圈，用電磁波非接觸地進行與來自讀寫器的電力的賦予和讀寫器之間的信號的發(fā)送接收的非接觸式的信息載體。作為這種信息載體，根據(jù)其外形，有卡片形、硬幣形或紐扣形。
以往，作為這種信息載體，將天線線圈構(gòu)圖形成在基體上，或者將繞組構(gòu)成的天線線圈安裝在基體上，但近年來，由于不需要進行天線線圈與IC元件之間的連接點的保護處理和防潮對策，以及在基體彎曲或扭曲等壓力作用的情況下也具有不產(chǎn)生線圈斷線的良好耐久性，所以提出將在IC元件本身上一體形成天線線圈的IC元件搭載在基體上。
作為在IC元件中形成天線線圈的方法，可使用濺射法，在IC元件中一體形成的天線線圈的導(dǎo)體由濺射鋁膜來構(gòu)成。
但是，在將天線線圈一體形成在IC元件上時，將天線線圈構(gòu)圖形成在基體上，與將繞組構(gòu)成的天線線圈安裝在基體上的情況相比，線圈的圈徑和導(dǎo)體寬度減小，由于在匝數(shù)上自然存在限制，所以難以增大讀寫器之間的通信距離，并不能確保通信距離。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是用于解決這樣的現(xiàn)有技術(shù)問題的發(fā)明，作為搭載將天線線圈一體形成的IC元件的信息載體，以提供通信距離更大的信息載體及其制造方法、以及在這種信息載體上一體形成合適的天線線圈的IC元件結(jié)構(gòu)及其制造方法作為技術(shù)課題。
<IC元件>
為了完成上述課題，本發(fā)明在IC元件中，在將線圈一體形成的IC元件中，將構(gòu)成所述線圈的導(dǎo)體形成具有金屬濺射層或金屬鍍敷層和金屬電鍍層的多層構(gòu)造。
由于與金屬濺射層和金屬鍍敷層相比，金屬電鍍層的電阻值小，所以將線圈的導(dǎo)體形成具有金屬濺射層或金屬鍍敷層和金屬電鍍層的多層構(gòu)造時，與僅簡單地由金屬濺射層或金屬鍍敷層構(gòu)成的情況相比，可以減小電磁能量的損失，可以增大讀寫器之間的通信距離。
<IC元件的制造方法>
為了完成上述課題，在本發(fā)明的IC元件的制造方法中，在經(jīng)過規(guī)定的處理制作的完成晶片的表面保護膜上均勻地形成金屬濺射層和金屬鍍敷層的步驟；在該金屬濺射層或金屬鍍敷層上均勻地形成光致抗蝕劑層的步驟；通過對所述光致抗蝕劑層進行包括用于非接觸進行與外部的數(shù)據(jù)通信的線圈所需的圖形的曝光、顯像來以所述規(guī)定的圖形露出所述金屬濺射層或金屬鍍敷層的步驟；在所述金屬濺射層或金屬鍍敷層的露出部分上用無電解電鍍法或電鍍法或精密電鑄法來層積金屬電鍍層的步驟；除去在所述完成晶片上附著的光致抗蝕劑層的步驟；有選擇地腐蝕從所述金屬電鍍層露出的所述金屬濺射層或金屬鍍敷層，形成與所述規(guī)定的圖形相當(dāng)?shù)囊?guī)定導(dǎo)電圖形的步驟；以及對所述完成晶片進行劃線來獲得將線圈一體形成所需的IC元件的步驟。
第二，包括在經(jīng)過規(guī)定的處理制作的完成晶片的表面保護膜上均勻地形成光致抗蝕劑層的步驟；通過對所述光致抗蝕劑層進行包括用于非接觸進行與外部的數(shù)據(jù)通信的線圈所需的圖形的曝光、顯像來以所述規(guī)定的圖形露出所述表面保護膜的步驟；將顯像處理后的完成晶片裝入濺射裝置或真空鍍敷裝置，在所述表面保護膜的露出部分上形成金屬濺射層或金屬鍍敷層的步驟；除去在所述完成晶片上附著的光致抗蝕劑層的步驟；在所述金屬濺射層或金屬鍍敷層上用無電解電鍍法或電鍍法來層積金屬電鍍層的步驟；以及對所述完成晶片進行劃線來獲得將線圈一體形成所需的IC元件的步驟。
這樣，在完成晶片上形成包括線圈所需的導(dǎo)電圖形，然后對完成晶片進行劃線來獲得所需的IC元件，與在各個IC元件上形成線圈的情況相比，可以高效率地制造將線圈一體形成的IC元件，可以降低其制造成本。此外，相對于晶片上形成的所有IC元件，可以高精度形成均勻厚度的線圈，可以減少通信特性的偏差。
此外，對于各個IC元件用濺射法或真空鍍敷法及電鍍法來形成線圈時，在IC元件的外周附著不需要的導(dǎo)體而存在IC元件的絕緣性問題，但在完成晶片上形成包含線圈所需的導(dǎo)電圖形的情況下，即使在濺射時完成晶片的外周上附著不需要的導(dǎo)體，由于該部分是作為不需要部分本來應(yīng)該處理的部分，所以各個IC元件的絕緣性沒有問題。
<信息載體>
為了完成上述課題，本發(fā)明的信息載體如下構(gòu)成在將天線線圈一體形成的IC元件搭載在基體上的信息載體中，將所述IC元件配置在所述基體的平面方向的中心部。
這樣，在將IC元件配置在基體的平面方向的中心部時，由于容易使IC元件上一體形成的線圈和讀寫器所配置的天線線圈的中心一致，所以可以增大兩線圈間的電磁耦合系數(shù)，可以可靠地進行從讀寫器向信息載體的電力供給和讀寫器與信息載體之間的信號的發(fā)送接收。特別是在將構(gòu)成信息載體的基體形狀形成為圓形、正方形以及正多角形等相對于讀寫器沒有方向性或相對于讀寫器方向性小的形狀的情況下，由于更容易使IC元件上一體形成的線圈和讀寫器所配置的天線線圈的中心一致，所以可以形成使用更容易的信息載體。
<信息載體的制造方法>
為了完成上述課題，本發(fā)明的信息載體的制造方法包括將有規(guī)則開設(shè)的可插入IC元件的多個通孔的第1帶狀基材和沒有通孔的第2帶狀基材粘結(jié)的步驟；將線圈一體形成的IC元件裝入固定在所述通孔內(nèi)的步驟；將所述第1帶狀基材和沒有通孔的第3帶狀基材粘結(jié)(bonding)的步驟；以及將粘結(jié)的所述第1至第3帶狀基材一體地沖切來獲得具有所述IC元件的所需的信息載體的步驟。
第二，包括在有規(guī)則地開設(shè)可插入IC元件的多個通孔，并且對應(yīng)的各通孔周圍以同心圓狀形成環(huán)狀的凹部的第1帶狀基材的所述凹部內(nèi)裝入固定與所述IC元件獨立的另一體上形成的線圈的步驟；將沒有通孔的第2帶狀基材粘結(jié)在所述第1帶狀基材的單面上的步驟；將線圈一體形成的IC元件裝入固定在所述通孔內(nèi)的步驟；將所述第1帶狀基材和沒有通孔的第3帶狀基材粘結(jié)的步驟；以及將粘結(jié)的所述第1至第3帶狀基材一體地沖切來獲得具有所述IC元件和與該IC元件獨立的另一體上形成的線圈的所需信息載體的步驟。
這樣，由于制作在帶狀基材上搭載所需的IC元件(或IC元件和線圈)，然后從該帶狀基材沖切形成所需的信息載體時，可以高效率地制造同一信息載體，所以可以降低所需的信息載體的制造成本。
在上述第1和第2制造方法中，由第3部件(第1至第3帶狀基材)形成信息載體的基體，但通過在第1帶狀基材上形成用于裝入IC元件的凹部來代替開設(shè)用于在第1帶狀基材上裝入IC元件的通孔，所以也可以用兩個部件來形成信息載體的基體。
此外，在上述第1和第2制造方法中，將IC元件(或IC元件和線圈)完全埋置在帶狀基材內(nèi)，但在帶狀基材中開設(shè)的通孔或在帶狀基材上形成的凹部內(nèi)裝入IC元件(或IC元件和線圈)后，通過對所述通孔或凹部進行樹脂密封，也可以使IC元件(或IC元件和線圈)在帶狀基材的單面露出。
而且，使IC元件(或IC元件和線圈)在帶狀基材的單面上露出的情況下，通過在帶狀基材中形成用于裝入IC元件(或IC元件和線圈)的凹部，也可以用一個部件形成信息載體的基體。


圖1A、1B、1C是實施例的IC元件的平面圖。
圖2A、2B是實施例的IC元件的主要部分剖面圖。
圖3是完成晶片的平面圖。
圖4A、4B、4C、4D、4E、4F是表示本發(fā)明的IC元件制造方法的第1例的工序圖。
圖5A、5B、5C、5D、5E是表示本發(fā)明的IC元件制造方法的第2例的工序圖。
圖6是形成包括天線線圈的所需的導(dǎo)電圖形的完成晶片的平面圖。
圖7是第1實施例的信息載體的部分剖切的平面圖。
圖8是第1實施例的信息載體的分解斜視圖。
圖9是第1實施例的信息載體的剖面圖。
圖10是第1實施例的信息載體的使用狀態(tài)的說明圖。
圖11是第2實施例的信息載體的剖面圖。
圖12是第3實施例的信息載體的剖面圖。
圖13是第4實施例的信息載體的剖面圖。
圖14是第5實施例的信息載體的剖面圖。
圖15是第6實施例的信息載體的剖面圖。
圖16是第7實施例的信息載體的剖面圖。
圖17是第8實施例的信息載體的剖面圖。
圖18是表示帶狀基材的第1例的部分斜視圖。
圖19是表示帶狀基材的第2例的部分斜視圖。
圖20是表示帶狀基材的第3例的部分斜視圖。
圖21是表示帶狀基材的第4例的部分斜視圖。
圖22是表示帶狀基材的第5例的部分斜視圖。
具體實施例方式
<IC元件>
以下，根據(jù)圖1A、1B、1C和圖2A、2B來說明本發(fā)明的IC元件的實施例。圖1A、1B、1C是實施例的IC元件的平面圖，圖2A、2B是實施例的IC元件的主要部分剖面圖。
本實施例的IC元件如圖1A、1B、1C和圖2A、2B所示，在IC元件1的輸入輸出端子1a的形成面?zhèn)?，通過氧化硅膜和樹脂膜等絕緣性的表面保護膜2，一體地形成矩形螺旋形狀的天線線圈3。
圖1A的IC元件1僅在除了電路形成部4的外周部上形成天線線圈3，可以防止在IC元件1上形成的電路和天線線圈3之間產(chǎn)生寄生電容，可以提高來自讀寫器的電力供給效率和讀寫器之間的信號的發(fā)送接收效率。
圖1B的IC元件1將天線線圈3形成到直至與電路形成部4對置的部分，由于可以使線圈的匝數(shù)增多，所以可以提高來自讀寫器的電力供給效率和讀寫器之間的信號的發(fā)送接收效率。
在圖1B的實施例中，在電路形成部4的一部分上重疊天線線圈，但為了小型、低成本地形成IC元件，也可以在電路形成部4上形成所有的天線線圈。
圖1C的IC元件1將矩形螺旋狀形成的天線線圈3的角部分傾斜地倒角，可以防止角部中的電流集中，降低天線線圈3的電阻值，可以提高來自讀寫器的電力供給效率和讀寫器之間的信號的發(fā)送接收效率。將倒角的形狀形成圓弧狀，也可以獲得同樣的效果。此外，倒角最好在各線的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)雙方來實施，但僅在外周側(cè)實施也有效果。
無論哪種情況，為了實用上接受充分的電力，并且確保讀寫器之間的通信特性，最好所述天線線圈3的線寬度在7μm以上，線間距離在5μm以下，匝數(shù)在20匝以上。
IC元件1的輸入輸出端子1a和天線線圈3的連接通過開設(shè)通孔5來進行。該情況下，即使天線線圈3的形成位置有些偏差的情況下，如圖2A、2B所示，最好通孔5的直徑或?qū)挾缺忍炀€線圈3的線寬小，以便可靠地進行輸入輸出端子1a和天線線圈3的連接。
如圖2A、2B所示，構(gòu)成天線線圈3的導(dǎo)體具有包括金屬濺射層或金屬鍍敷層6和金屬電鍍層7的多層構(gòu)造。圖2A是僅在金屬濺射層或金屬鍍敷層6的上面形成金屬電鍍層7的例子，圖2B表示在金屬濺射層或金屬鍍敷層6的整個周圍表面上形成金屬電鍍層7的例子。所述金屬濺射層或金屬鍍敷層6及金屬電鍍層7可以用任意的導(dǎo)電性金屬來形成，但從價格低導(dǎo)電率高來說，金屬濺射層或金屬鍍敷層6最好用鋁或鎳或銅或鉻來形成，如圖2A、圖2B所示，可以單層形成，也可以形成多個組合構(gòu)成的疊層。所述金屬電鍍層7最好用銅來形成，可以通過無電解電鍍法或電鍍法或精密電鑄法來形成。
<IC元件的制造方法>
下面，基于圖3至圖6來說明本發(fā)明的IC元件制造方法的實施例。圖3是經(jīng)過規(guī)定的處理完成的所謂完成晶片的平面圖，圖4A、4B、4C、4D、4E、4F表示本發(fā)明的IC元件制造方法的第1例的工序圖，圖5A、5B、5C、5D、5E表示本發(fā)明的IC元件制造方法的第2例的工序圖，圖6是形成包括天線線圈所需的導(dǎo)電圖形的完成晶片的平面圖。
如圖3所示，在完成晶片111上，在除了最外周部分以外的內(nèi)周部分上等間隔地形成多個用于IC元件的電路12，在該電路形成面?zhèn)刃纬伤璧谋砻姹Ｗo膜2(參照圖4和圖5)。
在圖4A、4B、4C、4D、4E、4F所示的第1實施例的IC元件制造方法中，首先如圖4A所示，在完成晶片11的電路形成面的表面保護膜2上，用鋁或鋁合金或銅或銅合金來均勻地形成金屬濺射層或金屬鍍敷層6。接著，如圖4B所示，在該金屬濺射層或金屬鍍敷層6上均勻地形成光致抗蝕劑層12，在形成的光致抗蝕劑層12上覆蓋形成包括線圈所需圖形的掩模13，從掩模13的外側(cè)照射規(guī)定波長的光14來曝光光致抗蝕劑層12。然后進行曝光的光致抗蝕劑層12的顯像處理，如圖4C所示，除去光致抗蝕劑層12的曝光部分，使所述金屬濺射層或金屬鍍敷層6的所述曝光圖形所對應(yīng)的部分露出。在金屬濺射層或金屬鍍敷層6的露出圖形上，如圖6所示，包括環(huán)狀電極部15、在與所述各電路12對置的部分上形成的天線線圈3、連接這些電極部15和各天線線圈3的引線部16。接著，以所述電極部15作為一個電極，對金屬濺射層或金屬鍍敷層6的露出部分實施電鍍或精密電鑄，如圖4D所示，在金屬濺射層或金屬鍍敷層6的露出部分上層積金屬電鍍層7。接著，通過研磨處理等來除去在完成晶片11的表面上附著的光致抗蝕劑層12，如圖4E所示，在均勻的金屬濺射層或金屬鍍敷層6上得到形成了具有電極部15、天線線圈3和引線部16的金屬電鍍層7的完成晶片11。接著，有選擇地腐蝕從金屬電鍍層7露出的金屬濺射層或金屬鍍敷層6，如圖4F所示，除去從金屬電鍍層7露出的金屬濺射層或金屬鍍敷層6。由此，金屬濺射層或金屬鍍敷層6和金屬電鍍層7一起獲得圖6所示的所需導(dǎo)電圖形上形成完成晶片11。最后，對所述完成晶片進行劃線，獲得圖1所示的所需IC元件1。
在上述實施例中，作為金屬電鍍層7的形成部件使用電鍍法或精密電鑄法，但也可以使用無電解電鍍法形成所述金屬電鍍層7來代替這樣的結(jié)構(gòu)。這種情況下，由于在金屬電鍍層7的形成中需要電極，所以在曝光光致抗蝕劑層12時，不需要形成電極部15和引線部16。
無電解電鍍稱為化學(xué)電鍍，將電鍍質(zhì)地金屬浸漬在金屬鹽溶液中，使金屬離子析出質(zhì)地表面，具有用比較簡單的設(shè)備可獲得粘著力強、具有均勻充分厚度的電鍍層的特征。所述金屬鹽是要電鍍的金屬離子的供給源，在電鍍銅的情況下，可用硫酸銅、氯化二銅、硝酸銅等溶液作為電鍍液。銅等金屬離子僅在作為質(zhì)地的金屬濺射層或金屬鍍敷層6上析出，而在絕緣性的表面保護膜2上不析出。質(zhì)地材料需要對電鍍金屬離子的離子化傾向小，并且對電鍍金屬離子的析出具有催化劑作用。因此，在鋁構(gòu)成的金屬濺射層或金屬鍍敷層6上電鍍銅的情況下，最好實施在鋁層的表面上形成幾μm以下厚度的鎳，在硝酸鋅液中浸漬幾秒鐘來置換成鋅的預(yù)處理。
另一方面，電鍍法和精密電鑄法是在包含電鍍金屬的電鍍液中浸漬形成了金屬濺射層或金屬鍍敷層6的完成晶片11和電鍍金屬組成的電極，以完成晶片11上形成的金屬濺射層或金屬鍍敷層6為負(fù)極、以電鍍液中浸漬的電極為正極來施加電壓，使電鍍液中的金屬離子析出在金屬濺射層或金屬鍍敷層6的表面上。電鍍法和精密電鑄法在電鍍銅的情況下，都使用硫酸銅、氯化二銅、硝酸銅等溶液作為電鍍液。
本例的IC元件制造方法在完成晶片11上形成包括線圈所需的導(dǎo)電圖形，然后對完成晶片11進行劃線來獲得所需的IC元件1，所以與在各個IC元件上形成線圈的情況相比，可以高效率地制造將線圈一體形成的IC元件，可以降低其制造成本。此外，對于晶片上形成的所有IC元件，可以用高精度形成均勻厚度的線圈，可以減少通信特性的偏差。此外，如果各個IC元件1用濺射法或真空鍍敷法及電鍍法來形成線圈，那么在IC元件的外周部附著不需要的導(dǎo)體而存在IC元件的絕緣性問題，但在完成晶片11上形成包含線圈所需的導(dǎo)電圖形的情況下，即使在濺射時等中在完成晶片11的外周部上附著不需要的導(dǎo)體，但由于該部分是不需要部分、是本來就要處理的部分，所以對各個IC元件的絕緣性不產(chǎn)生不良影響。而且，本例的IC元件制造方法在有光致抗蝕劑層12的狀態(tài)下進行金屬電鍍層7的形成，然后，通過腐蝕來除去未層積金屬濺射層或金屬鍍敷層6的金屬電鍍層7的部分，所以如圖2A所示，金屬電鍍層7僅層積在金屬濺射層或金屬鍍敷層6的上面，由于在寬度方向上不寬，所以可以形成精密的天線線圈3，可以在窄的面積內(nèi)形成匝數(shù)多的天線線圈3。
另一方面，在圖5所示的第2實施例的IC元件制造方法中，如圖5A所示，在完成晶片11上形成的表面保護膜2上均勻地形成光致抗蝕劑層12，在形成的光致抗蝕劑層12上覆蓋形成包含線圈所需圖形的掩模13，從掩模13的外側(cè)照射規(guī)定波長的光14來曝光光致抗蝕劑層12。然后進行曝光的光致抗蝕劑層12的顯像處理，如圖5B所示，除去光致抗蝕劑層12的曝光部分，使表面保護膜2的所述曝光圖形所對應(yīng)的部分露出。光致抗蝕劑層12的曝光圖形如圖6所示，以包括電極部15、天線線圈3和引線部16的形狀來形成。接著，將顯像處理后的完成晶片11安裝在濺射裝置或真空鍍敷裝置上，如圖5C所示，在所述表面保護膜2的露出部分上形成金屬濺射層或金屬鍍敷層6。接著，如圖5D所示，在通過研磨處理等除去完成晶片11上附著的光致抗蝕劑層12后，以電極部15作為一個電極，對金屬濺射層或金屬鍍敷層6實施電鍍，如圖5E所示，在金屬濺射層或金屬鍍敷層6的露出部分上層積金屬電鍍層7。最后，將所述完成晶片11進行劃線，獲得圖1所示的所需的IC元件1。
在上述實施例中，作為金屬電鍍層7的形成手段采用電鍍法，但也可以用無電解電鍍法形成所述金屬電鍍層7來代替這樣的構(gòu)成。這種情況下，由于在金屬電鍍層7的形成中不需要電極，所以在曝光光致抗蝕劑層12時，不需要形成電極部15和形成引線部16。
本例的IC元件制造方法除了具有與上述第1實施例的IC元件制造方法相同的效果以外，由于可以減少在完成晶片11上用于形成導(dǎo)電圖形的工序數(shù)，所以可以更高效率地制造將天線線圈一體形成的IC元件。
<信息載體>
以下，基于圖7至圖17來說明本發(fā)明的信息載體的實施例。圖7是第1實施例的信息載體的部分剖切的平面圖，圖8是第1實施例的信息載體的分解斜視圖，圖9是第1實施例的信息載體的剖面圖，圖10是第1實施例的信息載體的使用狀態(tài)的說明圖，圖11是第2實施例的信息載體的剖面圖，圖12是第3實施例的信息載體的剖面圖，圖13是第4實施例的信息載體的剖面圖，圖14是第5實施例的信息載體的剖面圖，圖15是第6實施例的信息載體的剖面圖，圖16是第7實施例的信息載體的剖面圖，圖17是第8實施例的信息載體的剖面圖。
第1實施例的信息載體20a如圖7至圖9所示，由以圓形形成平面形狀的線圈形的基體21、以及在該基體21的平面方向和厚度方向的中心部上設(shè)定的IC元件1構(gòu)成。作為IC元件1，如圖1和圖2所示，使用將天線線圈一體形成的IC元件。
基體21如圖8和圖9所示，由上部件22、中間部件23和下部件24構(gòu)成，通過通過粘結(jié)劑層25粘結(jié)成一體。構(gòu)成基體21的各部件22、23、24可以以紙材或塑料片來形成，但從廢棄后進行自然分解，即使燒掉有害氣體發(fā)生量也少，價格便宜來說，最好以紙材來制作。此外，當(dāng)然也可以將上述各部件22、23、24的一個或兩個用紙材形成，而另一個或兩個用塑料片形成。
在所述中間部件23的中央部上，開設(shè)可內(nèi)插IC元件1的通孔27，在通過粘結(jié)所述各部件22、24形成的空間內(nèi)裝入IC元件1。IC元件1最好粘結(jié)在下部件24上，以便防止裝卸時的搖動。該情況下，在下部件24的單面上均勻地形成粘結(jié)劑層25，利用該粘結(jié)劑層25來進行中間部件23和下部件24的粘結(jié)、以及下部件24和IC元件1的粘結(jié)，有利于成本。通孔27的平面形狀可以形成任意的形狀，但在通過粘結(jié)中間部件23和下部件24形成的凹部中裝入IC元件1時，由于不必使該凹部和IC元件1的旋轉(zhuǎn)方向嚴(yán)密一致，所以如圖7和圖8所示，形成圓形的通孔27在制造上有利。
本例的信息載體20a配置在以圓形形成IC元件1的基體21的平面方向的中心部，所以如圖10所示，通過在大致半圓形的槽101和該槽101中的圓弧部的中心配置的具有用于非接觸通信的天線線圈102的讀寫器100的所述槽101內(nèi)插入信息載體20，可以自動地進行IC元件1上一體形成的天線線圈3和讀寫器100上配置的天線線圈102的定心，可以增大兩線圈3、10之間的電磁耦合系數(shù)，所以可以可靠地進行從讀寫器100向信息載體20的電力供給以及讀寫器100和信息載體20之間的信號的發(fā)送接收。此外，由于以圓形來形成信息載體20a的平面形狀，所以相對于大致半圓形形成的槽101沒有方向性，使用的容易性優(yōu)良。而且，由于將IC元件1完全裝入基體21，所以IC元件1的保護效果好、耐久性優(yōu)良，并且由于從該部分看不到IC元件1，所以也美觀。
第2實施例的信息載體20b如圖11所示，具有由上部件22、中間部件23和下部件24這3個部件來構(gòu)成基體21，并且在IC元件1的周圍同心圓狀地配置升壓線圈28的特征。圖中的標(biāo)號29表示用于裝入升壓線圈28的凹部，該凹部29在中間部件23的通孔27的周圍形成環(huán)狀。由于其他結(jié)構(gòu)與上述實施例1的信息載體20a相同，所以省略說明以便避免重復(fù)。本例的信息載體20b除了具有與第1實施例的信息載體20a同樣的效果以外，由于在IC元件1的周圍同心圓狀地配置升壓線圈28，所以通過升壓線圈28可以使IC元件1上一體形成的天線線圈3和讀寫器100上配置的天線線圈102之間的電磁耦合更強，可以進一步實現(xiàn)電力供給的穩(wěn)定和信號發(fā)送接收的穩(wěn)定或增加通信距離。
第3實施例的信息載體20c如圖12所示，具有由上部件22和下部件24這兩個部件來構(gòu)成基體21，在下部件24上形成用于裝入IC元件1的凹部30的特征。由于其他結(jié)構(gòu)與上述實施例1的信息載體20a相同，所以省略說明以便避免重復(fù)。本例的信息載體20c除了具有與第1實施例的信息載體20a同樣的效果以外，由于部件數(shù)目少，所以可以實現(xiàn)信息載體的進一步低成本。
第4實施例的信息載體20d如圖13所示，具有由上部件22和下部件24這兩個部件來構(gòu)成基體21，在下部件24上形成用于裝入IC元件1的第1凹部30和用于裝入升壓線圈28的第2凹部29的特征。由于其他結(jié)構(gòu)與上述實施例3的信息載體20c相同，所以省略說明以便避免重復(fù)。本例的信息載體20d除了具有與第2實施例的信息載體20b同樣的效果以外，由于部件數(shù)目少，所以可以實現(xiàn)信息載體的進一步低成本。
第5實施例的信息載體20e如圖14所示，具有由開設(shè)IC元件裝入用通孔27的上部件22和沒有該通孔27的下部件24這兩個部件來構(gòu)成基體21，通過在粘結(jié)上部件22和下部件24所形成的凹部內(nèi)裝入IC元件1，用鑄封樹脂31來密封該凹部內(nèi)部的特征。由于其他結(jié)構(gòu)與上述實施例1的信息載體20a相同，所以省略說明以便避免重復(fù)。本例的信息載體20e除了IC元件1未被基體覆蓋以外，具有與第1實施例的信息載體20a同樣的效果。
第6實施例的信息載體20f如圖15所示，具有由開設(shè)IC元件裝入用通孔27同時在該通孔27的周圍同心地形成用于裝入升壓線圈的凹部29的上部件22、和沒有上述通孔27和凹部29的下部件24這兩個部件來構(gòu)成基體21，在所述凹部29內(nèi)裝入升壓線圈28，將該凹部29內(nèi)部用鑄封樹脂31密封，并且通過在粘結(jié)上部件22和下部件24所形成的凹部內(nèi)裝入IC元件1，并用鑄封樹脂31來密封該凹部內(nèi)部的特征。由于其他結(jié)構(gòu)與上述實施例5的信息載體20e相同，所以省略說明以便避免重復(fù)。本例的信息載體20f除了IC元件1未被基體覆蓋以外，具有與第1實施例的信息載體20a同樣的效果。
第7實施例的信息載體20g如圖16所示，具有由在單面上形成用于裝入IC元件1的凹部30的一個部件來構(gòu)成基體21，在所述凹部30內(nèi)裝入IC元件1并將該凹部30內(nèi)部用鑄封樹脂31密封的特征。由于其他結(jié)構(gòu)與上述實施例5的信息載體20e相同，所以省略說明以便避免重復(fù)。本例的信息載體20g除了具有與第5實施例的信息載體20e同樣的效果以外，由于部件數(shù)目少，所以可以實現(xiàn)信息載體的進一步低成本。
第8實施例的信息載體20h如圖17所示，具有由在單面上形成用于裝入IC元件1的第1凹部30和用于裝入升壓線圈28的第2凹部29的一個部件來構(gòu)成基體21，在所述第1凹部30內(nèi)裝入IC元件1并將該凹部30內(nèi)部用鑄封樹脂31密封，同時在所述第2凹部29內(nèi)裝入升壓線圈28并將該凹部29內(nèi)部用鑄封樹脂31密封的特征。由于其他結(jié)構(gòu)與上述實施例7的信息載體20g相同，所以省略說明以便避免重復(fù)。本例的信息載體20h除了具有與第6實施例的信息載體20f同樣的效果以外，由于部件數(shù)目少，所以可以實現(xiàn)信息載體的進一步低成本。
在上述各實施例中，以圓形來形成基體21的平面形狀，此外，也可以用正方形、長方形、三角形或多邊形等任意的形狀來形成。
在上述第2、第4、第6、第8實施例的信息載體中，將獨立的升壓線圈28設(shè)置在基體21的通孔部和凹部，但也可以在構(gòu)成基體21的部件上通過印刷、電鍍、濺射等而直接形成升壓線圈28。
此外，通過將與IC元件進行非接觸通信的第1線圈和與外部讀寫器進行通信的比第1線圈大的第2線圈串聯(lián)連接來構(gòu)成升壓線圈28，可以延長通信距離。
<信息載體的制造方法>
下面，基于圖18至圖22來說明本發(fā)明的信息載體制造方法的實施例。圖18是表示本發(fā)明的信息載體制造中使用的帶狀基材的第1例的局部斜視圖，圖19是表示帶狀基材的第2例的局部斜視圖，圖20是表示帶狀基材的第3例的局部斜視圖，圖21是表示帶狀基材的第4例的局部斜視圖，圖22是表示帶狀基材的第5例的局部斜視圖。
本發(fā)明的信息載體制造方法的特征在于，在帶狀形成的一個基體構(gòu)成用基材(帶狀基材)上設(shè)定包括IC元件1所需的搭載部件，接著，根據(jù)需要，在該帶狀基材的單面或雙面上粘結(jié)其他的帶狀基材或進行搭載部件的鑄封，然后，從單體或粘結(jié)的帶狀基材中沖切形成所需的信息載體。在實施本發(fā)明的信息載體制造方法時，同心地形成將如圖18所示的用于裝入IC元件1的通孔27以一定間隔開設(shè)的帶狀基材41、如圖19所示的以一定間隔開設(shè)用于裝入IC元件1的通孔27和在各通孔27的周圍用于裝入升壓線圈28的環(huán)狀凹部29，以一定間隔開設(shè)在該環(huán)狀的凹部29的底面上涂敷粘結(jié)劑層32的帶狀基材42、如圖20所示的用于裝入IC元件1的凹部30，同心地形成在該凹部30的底面上涂敷了粘結(jié)劑層32的帶狀基材43、如圖20所示的以一定間隔開設(shè)用于裝入IC元件1的第1凹部30和在各第1凹部30的周圍用于裝入升壓線圈28的環(huán)狀的第2凹部29，有選擇地使用在這些各凹部29、30的底面上涂敷了粘結(jié)劑層32的帶狀基材44、如圖22所示的在沒有通孔或凹部的單面上均勻涂敷粘結(jié)劑層25的帶狀基材45。
本發(fā)明的信息載體制造方法的第1例用于制造第1實施例的信息載體20a，使用圖18所示的一片帶狀基材41和圖22所示的兩片帶狀基材45。然后，首先在帶狀基材41的單面上通過粘結(jié)劑層25來粘結(jié)帶狀基材45，獲得可裝入IC元件1的具有空間的帶狀部件41、45的接合體。接著，在所述空間內(nèi)決定IC元件1的位置并裝入，通過粘結(jié)劑層25粘結(jié)在帶狀基材45上。接著，在帶狀基材41的另一面?zhèn)韧ㄟ^粘結(jié)劑層25來粘結(jié)一片帶狀基材45，獲得在內(nèi)部空間裝入IC元件1的帶狀部件41、45的接合體。最后，以規(guī)定的形狀來切斷該接合體，獲得第1實施例的信息載體20a。由于本例的信息載體制造方法將多個IC元件1鑄造在帶狀基材41、45上，然后從該帶狀基材41、45中沖切形成所需的信息載體，所以可以高效率地制造相同的信息載體，可以降低信息載體的制造成本。
本發(fā)明的信息載體制造方法的第2例用于制造第2實施例的信息載體20b，使用圖19所示的一片帶狀基材42和圖22所示的兩片帶狀基材45。然后，首先在帶狀基材42上形成的環(huán)狀凹部29內(nèi)裝入升壓線圈28，通過粘結(jié)劑層32粘結(jié)在該凹部29的底面上。接著，在帶狀基材42的單面上通過粘結(jié)劑層25與帶狀基材45接合，獲得可裝入IC元件1的具有空間的帶狀部件42、45的接合體。接著，在所述空間內(nèi)決定IC元件1的位置并裝入，通過粘結(jié)劑層25粘結(jié)在帶狀基材45上。接著，還在帶狀基材41的另一側(cè)通過粘結(jié)劑層25來接合1片帶狀基材45，獲得在內(nèi)部空間裝入了IC元件1的帶狀部件42、45。最后，以規(guī)定的形狀來切斷該接合體，獲得第2實施例的信息載體20b。本例的信息載體制造方法具有與第1實施例的信息載體制造方法相同的效果。
本發(fā)明的信息載體制造方法的第3例用于制造第3實施例的信息載體20c，使用圖20所示的一片帶狀基材43和圖22所示的一片帶狀基材45。然后，首先在帶狀基材43中形成的凹部30內(nèi)確定IC元件1的位置并裝入，通過粘結(jié)劑層32粘結(jié)在該凹部30的底面上。接著，通過粘結(jié)劑層25在帶狀基材43的凹部形成面?zhèn)冉雍蠋罨?5，獲得在內(nèi)部空間裝入了IC元件1的帶狀部件43、45的接合體。最后，以規(guī)定的形狀來切斷該接合體，獲得第3實施例的信息載體20c。本例的信息載體制造方法具有與第1實施例的信息載體制造方法相同的效果。
本發(fā)明的信息載體制造方法的第4例用于制造第4實施例的信息載體20d，使用圖21所示的一片帶狀基材44和圖22所示的一片帶狀基材45。然后，首先在帶狀基材44中形成的第1凹部30內(nèi)確定IC元件1的位置并裝入，通過粘結(jié)劑層32粘結(jié)在該凹部30的底面上，并且在該帶狀基材44中形成的環(huán)狀的第2凹部29內(nèi)裝入升壓線圈28，通過粘結(jié)劑層25粘結(jié)在該凹部29的底面上。接著，通過粘結(jié)劑層25在帶狀基材44的凹部形成面?zhèn)冉雍蠋罨?5，獲得在內(nèi)部空間裝入了IC元件1的帶狀部件44、45的接合體。最后，以規(guī)定的形狀來切斷該接合體，獲得第4實施例的信息載體20d。本例的信息載體制造方法也具有與第1實施例的信息載體制造方法相同的效果。
本發(fā)明的信息載體制造方法的第5例用于制造第5實施例的信息載體20e，使用圖18所示的一片帶狀基材41和圖22所示的一片帶狀基材45。然后，首先在帶狀基材41的單面上通過粘結(jié)劑層25來接合帶狀基材45，獲得可裝入IC元件1的具有空間的帶狀部件41、45的接合體。接著，在所述空間內(nèi)決定IC元件1的位置并裝入，通過粘結(jié)劑層25來粘結(jié)在帶狀基材45上。接著，在裝入了所述IC元件1的空間內(nèi)填充鑄封樹脂31，獲得設(shè)定了IC元件1的帶狀部件41、45。最后，以規(guī)定的形狀來切斷該接合體，獲得第5實施例的信息載體20e。本例的信息載體制造方法也具有與第1實施例的信息載體制造方法相同的效果。
本發(fā)明的信息載體制造方法的第6例用于制造第6實施例的信息載體20f，使用圖19所示的一片帶狀基材42和圖22所示的一片帶狀基材45。然后，首先在帶狀基材42上形成的環(huán)狀凹部29內(nèi)裝入升壓線圈28，通過粘結(jié)劑層32粘結(jié)在該凹部29的底面上。接著，在帶狀基材42的單面上通過粘結(jié)劑層25來接合帶狀基材45，獲得可裝入IC元件1的具有空間的帶狀部件42、45的接合體。接著，在所述空間內(nèi)確定IC元件1的位置并裝入，通過粘結(jié)劑層25粘結(jié)在帶狀基材45上。接著，在裝入了所述升壓線圈28和裝入了所述IC元件1的空間內(nèi)填充鑄封樹脂31，獲得設(shè)定了IC元件1和升壓線圈28的帶狀部件42、45。最后，以規(guī)定的形狀來切斷該接合體，獲得第6實施例的信息載體20f。本例的信息載體制造方法也具有與第1實施例的信息載體制造方法相同的效果。
本發(fā)明的信息載體制造方法的第7例用于制造第7實施例的信息載體20g，使用圖20所示的一片帶狀基材43。然后，首先在帶狀基材43上形成的凹部30內(nèi)決定IC元件的位置并裝入，通過粘結(jié)劑層32粘結(jié)在該凹部30的底面上。接著，在裝入了所述IC元件1的凹部30內(nèi)填充鑄封樹脂31，獲得設(shè)定了IC元件1的帶狀部件43。最后，以規(guī)定的形狀來切斷該帶狀部件43，獲得第7實施例的信息載體20g。本例的信息載體制造方法也具有與第1實施例的信息載體制造方法相同的效果。
本發(fā)明的信息載體制造方法的第8例用于制造第8實施例的信息載體20h，使用圖21所示的一片帶狀基材44。然后，首先在帶狀基材44上形成的第1凹部30內(nèi)決定IC元件的位置并裝入，通過粘結(jié)劑層32粘結(jié)在該凹部30的底面上，并且在該帶狀基材44上形成的環(huán)狀的第2凹部29內(nèi)裝入升壓線圈28，通過粘結(jié)劑層32粘結(jié)在該凹部29的底面上。接著，在裝入了所述IC元件1的第1凹部30內(nèi)和裝入了所述升壓線圈28的第2凹部內(nèi)填充鑄封樹脂31，獲得設(shè)定了IC元件1和升壓線圈28的帶狀部件44。最后，以規(guī)定的形狀來切斷該接合體，獲得第8實施例的信息載體20h。本例的信息載體制造方法也具有與第1實施例的信息載體制造方法相同的效果。
在上述第2、第4、第6、第8實施例中，將升壓線圈28形成與基體21獨立的另一基體上，但也可以印刷形成在構(gòu)成基體21的某個帶狀部件上。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性如以上說明，由于本發(fā)明的IC元件將與IC元件一體形成的線圈的導(dǎo)體形成具有金屬濺射層或金屬鍍敷層和金屬電鍍層的多層構(gòu)造，所以與僅簡單地用金屬濺射層或金屬鍍敷層來構(gòu)成該導(dǎo)體的情況相比，可以減小電磁能量的損失，可以實現(xiàn)來自讀寫器的供給電力穩(wěn)定、與讀寫器之間的通信穩(wěn)定、以及與讀寫器之間的通信距離擴大。
由于本發(fā)明的IC元件制造方法不是在各個IC元件上形成線圈，而是在完成晶片上同時形成與各個IC元件對應(yīng)的多個線圈，所以可以高效率制造將線圈一體形成的IC元件，可以思想這種IC元件的低成本。
由于本發(fā)明的信息載體將線圈一體形成的IC元件配置在基體平面方向的中心部，可以容易地使在IC元件上一體形成的線圈和讀寫器上配置的天線線圈的中心一致，可以增大兩線圈間的電磁耦合系數(shù)，所以可以穩(wěn)定從讀寫器向信息載體的電力供給和讀寫器與信息載體之間的信號的發(fā)送接收。
由于本發(fā)明的信息載體制造方法在帶狀基材上搭載包括IC元件所需的搭載部件，然后從該帶狀基材中沖切形成所需的信息載體，所以可以高效率地制造相同的信息載體，可以降低包括IC元件的信息載體的制造成本。
權(quán)利要求
1.一種IC元件，用于非接觸地進行與外部的數(shù)據(jù)通信的線圈被形成為一體，其特征在于，將構(gòu)成所述線圈的導(dǎo)體形成為具有金屬濺射層或金屬鍍敷層及金屬電鍍層的多層構(gòu)造。
2.如權(quán)利要求1所述的IC元件，其特征在于，所述金屬濺射層或金屬鍍敷層是用包含鋁、鎳、銅、鉻中的至少一種金屬或包含它們的合金來形成的，在所述金屬濺射層或金屬鍍敷層上的所述金屬電鍍層是用銅形成的。
3.如權(quán)利要求1所述的IC元件，其特征在于，通過絕緣性的表面保護膜在所述IC元件的輸入輸出端子形成面上形成所述線圈，通過所述表面保護膜上開設(shè)的其直徑比所述線圈的線寬度小的通孔來電連接所述IC元件的輸入輸出端子和所述線圈。
4.如權(quán)利要求1所述的IC元件，其特征在于，使所述線圈的平面形狀為矩形螺旋形狀，對角部的全部或一部分實施倒角。
5.如權(quán)利要求1所述的IC元件，其特征在于，依照無電解電鍍法或電鍍法或精密電鑄法來形成所述金屬電鍍層。
6.如權(quán)利要求1所述的IC元件，其特征在于，所述線圈的線寬度為7μm以上，線間距離為5μm以下，匝數(shù)為20匝以上。
7.一種IC元件的制造方法，其特征在于包括在經(jīng)過規(guī)定的處理制作的完成晶片的表面保護膜上均勻地形成金屬濺射層和金屬鍍敷層的步驟；在該金屬濺射層或金屬鍍敷層上均勻地形成光致抗蝕劑層的步驟；通過對所述光致抗蝕劑層進行包括用于非接觸地進行與外部的數(shù)據(jù)通信的線圈所需的圖形的曝光、顯像來以所述規(guī)定的圖形露出所述金屬濺射層或金屬鍍敷層的步驟；在所述金屬濺射層或金屬鍍敷層的露出部分上用無電解電鍍法或電鍍法或精密電鑄法來層積金屬電鍍層的步驟；除去在所述完成晶片上附著的光致抗蝕劑層的步驟；有選擇地腐蝕從所述金屬電鍍層露出的所述金屬濺射層或金屬鍍敷層，形成與所述規(guī)定的圖形相當(dāng)?shù)囊?guī)定導(dǎo)電圖形的步驟；以及對所述完成晶片進行劃線來獲得將線圈一體形成所需的IC元件的步驟。
8.一種IC元件的制造方法，其特征在于包括在經(jīng)過規(guī)定的處理制作的完成晶片的表面保護膜上均勻地形成光致抗蝕劑層的步驟；通過對所述光致抗蝕劑層進行包括用于非接觸進行與外部的數(shù)據(jù)通信的線圈所需的圖形的曝光、顯像來以所述規(guī)定的圖形露出所述表面保護膜的步驟；將顯像處理后的完成晶片裝入濺射裝置或真空鍍敷裝置，在所述表面保護膜的露出部分上形成金屬濺射層或金屬鍍敷層的步驟；除去在所述完成晶片上附著的光致抗蝕劑層的步驟；在所述金屬濺射層或金屬鍍敷層上用無電解電鍍法或電鍍法來層積金屬電鍍層的步驟；以及對所述完成晶片進行劃線來獲得將線圈一體形成所需的IC元件的步驟。
9.一種信息載體，將與用于非接觸地進行與外部的數(shù)據(jù)通信的天線線圈一體形成的IC元件搭載在基體上，其特征在于，將所述IC元件配置在所述基體的平面方向的中心部。
10.如權(quán)利要求9所述的信息載體，其特征在于，用所述基體覆蓋所述IC元件的內(nèi)外表面。
11.如權(quán)利要求9所述的信息載體，其特征在于，用所述基體僅覆蓋所述IC元件的單面。
12.如權(quán)利要求9所述的信息載體，其特征在于，以圓形或正方形形成所述基體的平面形狀。
13.如權(quán)利要求9所述的信息載體，其特征在于，用紙形成所述基體的全部或一部分。
14.如權(quán)利要求9所述的信息載體，其特征在于，將所述基體形成由上部件、下部件和中間部件組成的3層粘結(jié)的構(gòu)造，在所述中間部件的中央部開設(shè)的通孔內(nèi)裝入所述IC元件。
15.如權(quán)利要求14所述的信息載體，其特征在于，所述通孔的平面形狀為圓形。
16.如權(quán)利要求9所述的信息載體，其特征在于，將所述基體形成由上部件和下部件組成的2層粘結(jié)構(gòu)造，在所述上部件或下部件的中央部形成的凹部內(nèi)裝入所述IC元件。
17.如權(quán)利要求9所述的信息載體，將所述基體形成為單層構(gòu)造，在所述基體的中央部形成的凹部內(nèi)部裝入所述IC元件。
18.如權(quán)利要求16或權(quán)利要求17所述的IC元件，其特征在于，所述凹部的平面形狀為圓形。
19.如權(quán)利要求9所述的信息載體，其特征在于，所述基體內(nèi)包括在與所述IC元件獨立的另一體上形成的另一線圈。
20.一種信息載體的制造方法，其特征在于，包括將有規(guī)則開設(shè)的可插入IC元件的多個通孔的第1帶狀基材和沒有通孔的第2帶狀基材粘結(jié)的步驟；將線圈一體形成的IC元件裝入固定在所述通孔內(nèi)的步驟；將所述第1帶狀基材和沒有通孔的第3帶狀基材粘結(jié)的步驟；以及將粘結(jié)的所述第1至第3帶狀基材一體地沖切來獲得具有所述IC元件的所需的信息載體的步驟。
21.一種信息載體的制造方法，其特征在于，包括在有規(guī)則地開設(shè)可插入IC元件的多個通孔，并且對應(yīng)的各通孔周圍以同心圓狀形成環(huán)狀的凹部的第1帶狀基材的所述凹部內(nèi)裝入固定與所述IC元件獨立的另一體上形成的線圈的步驟；將沒有通孔的第2帶狀基材粘結(jié)在所述第1帶狀基材的單面上的步驟；將線圈一體形成的IC元件裝入固定在所述通孔內(nèi)的步驟；將所述第1帶狀基材和沒有通孔的第3帶狀基材粘結(jié)的步驟；以及將粘結(jié)的所述第1至第3帶狀基材一體地沖切來獲得具有所述IC元件和與該IC元件獨立的另一體上形成的線圈的所需信息載體的步驟。
22.一種信息載體的制造方法，其特征在于，包括在有規(guī)則地形成可插入IC元件的多個通孔的第1帶狀基材的所述凹部內(nèi)裝入固定將線圈一體形成的IC元件的步驟；將沒有通孔的第2帶狀基材粘結(jié)在所述第1帶狀基材的凹部形成面上的步驟；以及將粘結(jié)的所述第1和第2帶狀基材一體地沖切來獲得具有所述IC元件的所需信息載體的步驟。
23.一種信息載體的制造方法，其特征在于，包括在有規(guī)則地形成可插入IC元件的多個通孔，并且對應(yīng)的各第1凹部周圍以同心圓狀形成環(huán)狀的凹部的第2凹部的第1帶狀基材的所述凹部內(nèi)裝入固定將線圈一體形成的IC元件的步驟；在所述第1帶狀基材的第2凹部內(nèi)裝入固定與所述IC元件獨立的另一體上形成的線圈的步驟；將沒有通孔的第2帶狀基材粘結(jié)在所述第1帶狀基材的凹部形成面上的步驟；以及將粘結(jié)的所述第1和第2帶狀基材一體地沖切來獲得具有所述IC元件和與該IC元件獨立的另一體上形成的線圈的所需信息載體的步驟。
24.一種信息載體的制造方法，其特征在于，包括將有規(guī)則開設(shè)的可插入IC元件的多個通孔的第1帶狀基材和沒有通孔的第2帶狀基材粘結(jié)的步驟；將線圈一體形成的IC元件裝入固定在所述通孔內(nèi)的步驟；對裝入所述IC元件的所述通孔進行樹脂密封的步驟；以及將粘結(jié)的所述第1和第2帶狀基材一體地沖切來獲得具有所述IC元件的所需信息載體的步驟。
25.一種信息載體的制造方法，其特征在于，包括在有規(guī)則開設(shè)的可插入IC元件的多個通孔，并且在對應(yīng)各通孔周圍以同心狀形成環(huán)狀凹部的第1帶狀基材的所述凹部內(nèi)裝入固定與所述IC元件獨立的另一體上形成的線圈的步驟；將所述第1帶狀基材和沒有通孔的第2帶狀基材粘結(jié)的步驟；對裝入所述線圈的所述通孔進行樹脂密封的步驟；以及將粘結(jié)的所述第1和第2帶狀基材一體地沖切來獲得具有所述IC元件和與該IC元件獨立的另一體上形成的線圈的所需信息載體的步驟。
26.一種信息載體的制造方法，其特征在于，包括在有規(guī)則地形成可插入IC元件的多個凹部的帶狀基材的所述凹部內(nèi)裝入固定將線圈一體形成的IC元件的步驟；對裝入所述IC元件的所述凹部進行樹脂密封的步驟；以及沖切所述帶狀基材來獲得具有所述IC元件的所需信息載體的步驟。
27.一種信息載體的制造方法，其特征在于，包括在有規(guī)則地形成可插入IC元件的多個第1凹部，并且在對應(yīng)各第1凹部周圍以同心狀形成環(huán)狀的第2凹部的帶狀基材的所述第1凹部內(nèi)裝入固定將線圈一體形成的IC元件的步驟；在所述帶狀基材的第2凹部內(nèi)裝入固定與所述IC元件獨立的另一體上形成的線圈的步驟；所述第1和第2凹部進行樹脂密封的步驟；以及將帶狀基材一體地沖切來獲得具有所述IC元件和與該IC元件獨立的另一體上形成的線圈的所需信息載體的步驟。
全文摘要
一種搭載將線圈一體形成的IC元件的通信距離更大的信息載體和其制造方法，以及適合這種信息載體的IC元件的結(jié)構(gòu)和其制造方法。IC元件中，形成使構(gòu)成線圈3的導(dǎo)體具有金屬濺射層或金屬鍍敷層6及金屬電鍍層7的多層構(gòu)造。作為金屬電鍍層7的形成方法的IC元件的制造方法使用精密電鑄法。信息載體具有將IC元件1配置在基體21的平面方向的中心部的結(jié)構(gòu)。信息載體的制造方法包括在帶狀基材41～45的某一個上制作包括IC元件所需的搭載部件，接著從該帶狀基材中沖切形成所需的信息載體20a～20h。
文檔編號G06K19/077GK1520612SQ0080525
公開日2004年8月11日 申請日期2000年2月23日 優(yōu)先權(quán)日1999年2月24日
發(fā)明者川村哲士, 清水伸 申請人:日立馬庫塞魯株式會社