專利名稱：有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的方法及其裝置，是利用非揮發(fā)性內(nèi)存(non-volatile memory)的信息儲(chǔ)存特性，以大幅節(jié)省“有缺陷的揮發(fā)性記憶體”(volatile memory with faulty location)于每次再啟動(dòng)時(shí)，重新格式化所耗費(fèi)的等待時(shí)間。
有關(guān)習(xí)有“非揮發(fā)性內(nèi)存”、“揮發(fā)性內(nèi)存”及“有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存”的主要特性、功能及成本比較，陳列于后，謹(jǐn)請(qǐng)參考習(xí)有的“非揮發(fā)性內(nèi)存”，是不需要能量即可保持所儲(chǔ)存的信息的記憶單元，亦即具有當(dāng)電源切斷時(shí)，所記憶的信息仍不會(huì)消滅的特征，例如EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)的電子式可抹程序化只讀內(nèi)存、Flash-Memory的快閃內(nèi)存等；但成本較高。
習(xí)有的“揮發(fā)性內(nèi)存”，是需要能量才能保持所儲(chǔ)存的信息的記憶單元，亦即當(dāng)電源切斷時(shí)，所記憶的信息亦隨之消滅，例如SDRAM(Synchronous DRAM)、SRAM(Static Random Access Memory)、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等；其成本比非揮發(fā)性記憶低。
而習(xí)有的“有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存”，則是有缺陷位置(faulty location)存在的揮發(fā)性記憶單元，當(dāng)斷電再重新啟動(dòng)時(shí)，需要查出內(nèi)存的缺陷位置，此一格式化動(dòng)作耗時(shí)甚久，例如ASDRAM的單規(guī)SDRAM(Synchronous DRAM)、ASRAM的單規(guī)SRAM(Static Random Access Memory)、ADRAM的單規(guī)DRAM(DynamicRandom Access Memory)等；然而其成本，則較一般的揮發(fā)性記憶更低。
本發(fā)明的主要目的，即為提供一種“有缺陷的揮發(fā)性記憶體重新格式化的方法及其裝置”，是利用“非揮發(fā)性記憶體”，將“有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存”的缺陷位置等信息在產(chǎn)品封裝出廠前予以記憶保存，使得“有缺陷的揮發(fā)性記憶體”在斷電后重新啟動(dòng)時(shí)，可迅速獲得該信息的方法及其裝置。
本發(fā)明為了達(dá)成上述的目的及功效，該方法及裝置所采行的技術(shù)手段至少包含以下的步驟(a)觸發(fā)格式化動(dòng)作，是在產(chǎn)品封裝出廠前開(kāi)始格式化的動(dòng)作過(guò)程；可為一按壓格式化按鈕，或其他可觸發(fā)格式化動(dòng)作的機(jī)構(gòu)動(dòng)作過(guò)程，且僅在產(chǎn)品封裝出廠前完成一次，并未授權(quán)予用戶操作者；(b)劃分有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存成區(qū)塊，是將有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存邏輯化定義成固定大小的內(nèi)存區(qū)塊；(c)測(cè)試每一區(qū)塊，是測(cè)試有缺陷內(nèi)存中的“可用區(qū)域”及“損壞區(qū)域”；(d)將缺陷位置寫(xiě)入非揮發(fā)性內(nèi)存，是生成一定義表于非揮發(fā)性內(nèi)存，將測(cè)試結(jié)果“可用區(qū)域”定義為1，而“損壞區(qū)域”定義為0的方式，保存區(qū)塊的測(cè)試結(jié)果；以及(e)斷電后再重新啟動(dòng)的步驟。
且步驟(a)至(d)，是在產(chǎn)品封裝出廠前完成，而步驟(e)則為用尸所操作。其中，斷電后再重新啟動(dòng)的步驟，又包括(f)檢查有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，是微處理器檢查“有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存”的文件配置表(File Allocation Table；、FAT)是否正確性；(g)從非揮發(fā)性內(nèi)存讀取測(cè)試結(jié)果，是當(dāng)文件配置表為不正確時(shí)，微處理器即自動(dòng)讀取儲(chǔ)存于非揮發(fā)性內(nèi)存內(nèi)的定義表；(h)將缺陷位置的訊息傳給有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，是微處理器在讀取定義表后，即將信息傳遞予有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存；(i)重建文件配置表在有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，是依定義表的對(duì)應(yīng)信息，重建正確的文件配置表于有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存；以迅速完成重新格式化的目的。
而該裝置，包含有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，是存在有缺陷位置的記憶單元，為欲使用的實(shí)際內(nèi)存；非揮發(fā)性內(nèi)存，是不需要能量即可保持所儲(chǔ)存的資訊的記憶單元，用以記憶保存“有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存”的缺陷位置等信息；微處理器，是運(yùn)算及控制的處理單元，在產(chǎn)品封裝出廠前運(yùn)行有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存邏輯化成區(qū)塊及測(cè)試，并將缺陷位置寫(xiě)入非揮發(fā)性內(nèi)存；而在每次電源開(kāi)啟時(shí)，可迅速檢查有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存或自動(dòng)將儲(chǔ)存于非揮發(fā)性記憶體內(nèi)的缺陷位置信息，傳遞給有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，來(lái)節(jié)省重新格式化的時(shí)間及步驟。
該方法及裝置明顯具備下列優(yōu)點(diǎn)、特征01、該方法所包含的觸發(fā)格式化動(dòng)作、劃分有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存成區(qū)塊、測(cè)試每一區(qū)塊、及將缺陷位置寫(xiě)入非揮發(fā)性內(nèi)存等步驟，是在產(chǎn)品封裝出廠前完成，產(chǎn)品于上市后，該裝置在用戶開(kāi)啟電源時(shí)，僅需運(yùn)行“斷電后再重新啟動(dòng)”的步驟即完成重新格式化的動(dòng)作，且此步驟非常迅速，因而大幅節(jié)省習(xí)有重新格式化所耗費(fèi)的等待時(shí)間。
02、該裝置造價(jià)較為便宜，因“有缺陷的揮發(fā)性記憶體”是本發(fā)明欲使用的實(shí)際內(nèi)存，其成本較一般的“非揮發(fā)性內(nèi)存”及“揮發(fā)性記憶”更低，所以更具經(jīng)濟(jì)效益。
本發(fā)明的其他特性及具體實(shí)施例，繼續(xù)用圖式、圖號(hào)詳細(xì)說(shuō)明如后圖式說(shuō)明如下

圖1A是本發(fā)明于產(chǎn)品封裝前的流程示意圖；圖1B是本發(fā)明于斷電后再重新啟動(dòng)的流程示意圖；圖2是本發(fā)明的方塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A是本發(fā)明一較佳實(shí)施例于產(chǎn)品封裝前的流程示意圖；圖3B是本發(fā)明一較佳實(shí)施例于斷電后再重新啟動(dòng)的流程示意圖；圖4是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的方塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明一較佳實(shí)施例于產(chǎn)品封裝前的操作流程示意圖；圖6是本發(fā)明一較佳實(shí)施例于每次啟動(dòng)的操作流程示意圖；圖7是本發(fā)明一較佳實(shí)施例是“內(nèi)存規(guī)劃”示意圖；圖8是本發(fā)明一較佳實(shí)施例運(yùn)用于MP3隨身聽(tīng)的電路結(jié)構(gòu)示意圖9是本發(fā)明一較佳實(shí)施例運(yùn)用于MP3隨身聽(tīng)的輸入面板示意圖；圖10是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的方塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖11是本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的方塊結(jié)構(gòu)示意圖。
圖號(hào)說(shuō)明如下有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1 ASDRAM11、81EEPROM12、82 Microprocessor13、23、33、83非揮發(fā)性內(nèi)存2 ASRAM21Flash-Memory22、32微處理器3ADRAM31 按壓格式化按鈕41劃分有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存成區(qū)塊42測(cè)試每一區(qū)塊43將缺陷位置寫(xiě)入非揮發(fā)性內(nèi)存44 檢查有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存51從非揮發(fā)性內(nèi)存讀取測(cè)試結(jié)果52將缺陷位置的訊息傳給有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存53重建文件配置表在有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存54按壓格式化按鈕61 劃分ASDRAM成區(qū)塊62測(cè)試每一區(qū)塊63將缺陷位置寫(xiě)入EEPROM64流程66流程661 流程67流程68回路69 指令691指令692 指令693 指令694指令695 指令696 檢查ASDRAM71從EEPROM讀取測(cè)試結(jié)果72將缺陷位置的訊息傳給ASDRAM73重建文件配置表在ASDRAM74 流程75流程76流程761 流程77回路78指令781 指令782指令783 指令784 指令786PIN821PIN822 裝置84裝置85裝置86 裝置87裝置88輸入面板90 FORMAT按鈕91定義表Ti 文件配置表FATi請(qǐng)參閱圖1A、1B所示，是本發(fā)明在產(chǎn)品封裝前的流程示意圖、在斷電后再重新啟動(dòng)的流程示意圖及本發(fā)明的方塊結(jié)構(gòu)示意圖；由圖所示，該裝置包括有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1，是存在有缺陷位非揮發(fā)性內(nèi)存2，是不需要能量即可保持所儲(chǔ)存的信息的記憶單元，用來(lái)記憶保存有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1的缺陷位置等信息；微處理器3，系為運(yùn)算及控制的處理單元，在產(chǎn)品封裝出廠前運(yùn)行有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1邏輯化成區(qū)塊及測(cè)試，并將缺陷位置寫(xiě)入非揮發(fā)性內(nèi)存2；而在每次電源開(kāi)啟時(shí)，可迅速檢查有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1或自動(dòng)將儲(chǔ)存于非揮發(fā)性內(nèi)存內(nèi)存2內(nèi)的缺陷位置信息，傳遞予有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1，以節(jié)省重新格式化所耗費(fèi)的等待時(shí)間。
該方法在產(chǎn)品封裝前，其步驟包含觸發(fā)格式化動(dòng)作41，是開(kāi)始格式化的動(dòng)作過(guò)程；可為一按壓格式化按鈕，或其他可觸發(fā)格式化動(dòng)作的機(jī)構(gòu)動(dòng)作過(guò)程，且僅在產(chǎn)品封裝出廠前完成一次，并未授權(quán)予使用者操作者；劃分有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存成區(qū)塊42，是將有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1定義成固定大小的內(nèi)存區(qū)塊的邏輯化過(guò)程；測(cè)試每一區(qū)塊43，是測(cè)試有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1中的“可用區(qū)域”及“損壞區(qū)域”的過(guò)程；將缺陷位置寫(xiě)入非揮發(fā)性內(nèi)存44，是生成一定義表于非揮發(fā)性內(nèi)存，將測(cè)試結(jié)果以“可用區(qū)域”定義為1，而“損壞區(qū)域”定義為0的方式，保存區(qū)塊的測(cè)試結(jié)果的過(guò)程；而斷電后再重新啟動(dòng)的步驟，包含檢查有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存51，是微處理器3在每次電源開(kāi)啟時(shí)，即迅速檢查有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1的“文件配置表”其正確性的過(guò)程；因?yàn)槊看坞娫聪Ш螅话谟腥毕莸膿]發(fā)性內(nèi)存1內(nèi)的訊息也會(huì)完全地被消除，因此再啟動(dòng)時(shí)，必須經(jīng)過(guò)確實(shí)的測(cè)試，以查出記憶體的損失區(qū)域，才可正常使用；從非揮發(fā)性內(nèi)存讀取測(cè)試結(jié)果52，是當(dāng)微處理器3檢查出有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1)的“文件配置表”不正確，即自動(dòng)讀取儲(chǔ)存于非揮發(fā)性內(nèi)存2內(nèi)的定義表的過(guò)程；將缺陷位置的訊息傳給有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存53，是微處理器3在讀取定義表后，即將信息傳遞予有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1的過(guò)程；重建文件配置表在有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存54，是依定義表的對(duì)應(yīng)信息，重建文件配置表于有缺陷的揮發(fā)性記憶體1的過(guò)程，有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1即可再次正常使用。
使得有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1于再次啟動(dòng)時(shí)，可迅速獲得區(qū)塊信息，而節(jié)省重新測(cè)試及格式化的等待時(shí)間及步驟。
請(qǐng)參閱圖3A、3B、4所示，是本發(fā)明一較佳實(shí)施例于產(chǎn)品封裝前的流程示意圖、一較佳實(shí)施例在斷電后再重新啟動(dòng)的流程示意圖、及本發(fā)明一較佳實(shí)施例的方塊結(jié)構(gòu)示意圖；由圖所示，本發(fā)明實(shí)施于一較佳實(shí)施例中，其裝置是由ASDRAM11、EEPROM12及Microprocessor13等所構(gòu)成，其中ASDRAM11，是單規(guī)的SDRAM Synchronous DRAM，而存在有缺陷位置faultylocation的記憶單元，是將使用的實(shí)際記憶體；EEPROM12，是電子式可抹程序化唯讀內(nèi)存Electrically Erasable ProgrammableRead-only Memory的記憶單元，不需要能量即可保持所儲(chǔ)存的信息，用以記憶保存ASDRAM11的缺陷位置等信息；Microprocessor13，是運(yùn)算及控制的處理單元，在每次電源開(kāi)啟時(shí)，可迅速檢查ASDRAM11或自動(dòng)將儲(chǔ)存于EEPROM12內(nèi)的缺陷位置信息，傳遞予ASDRAM11，以節(jié)省重新格式化的時(shí)間及步驟。
在產(chǎn)品封裝前，其步驟包含
觸發(fā)格式化動(dòng)作61，是一按壓格式化按鈕過(guò)程，或其他可觸發(fā)格式化動(dòng)作的機(jī)構(gòu)按壓格式化按鈕；劃分ASDRAM成區(qū)塊62，是將ASDRAM11邏輯化定義成固定大小內(nèi)存區(qū)塊的過(guò)程；測(cè)試每一區(qū)塊63，是測(cè)試ASDRAM11中的“可用區(qū)域”及“損壞區(qū)域”的過(guò)程；將缺陷位置寫(xiě)入EEPROM64，是將測(cè)試結(jié)果以“可用區(qū)域”定義為1，而“損壞區(qū)域”定義為0的方式所生成的定義表，寫(xiě)入于EEPROM12；在斷電后再重新啟動(dòng)時(shí)，其步驟包含檢查ASDRAM的過(guò)程71，是Microprocessor13在每次電源開(kāi)啟時(shí)，即迅速檢查ASDRAM11的文件配置表是否正確，以查出內(nèi)存的損失區(qū)域；從EEPROM讀取測(cè)試結(jié)果72，是Microprocessor13檢查出ASDRAM11的文件配置表不正確，即自動(dòng)讀取儲(chǔ)存于EEPROM12內(nèi)之定義表的過(guò)程；將缺陷位置的訊息傳給ASDRAM的過(guò)程73，是Microprocessor13在讀取定義表后，即將信息傳遞予ASDRAM11的過(guò)程；重建文件配置表在ASDRAM的過(guò)程74，是依定義表的對(duì)應(yīng)信息，重建文件配置表于ASDRAM11的過(guò)程，ASDRAM11即可再次正常使用。
請(qǐng)參閱第5圖所示，是本發(fā)明一較佳實(shí)施例于產(chǎn)品封裝前的操作流程示意圖；由圖所示，其操作開(kāi)始如后流程66，是定義ASDRAM內(nèi)存區(qū)塊，ASDRAM被邏輯化定義成固定大小的內(nèi)存區(qū)塊(例如16KBytes)，流程661定義區(qū)塊總數(shù)為n；流程67，是有n項(xiàng)定義的表“T”在EEPROM，表“T”被視為一指針或索引，以指出所對(duì)應(yīng)的ASDRAM區(qū)塊是否可用；流程68，是按壓格式化按鈕，當(dāng)啟動(dòng)格式化過(guò)程時(shí)，即運(yùn)行回路69以完成ASDRAM的測(cè)試及格式化；回路69，是數(shù)個(gè)指令所組成的回路loop，指令691設(shè)定回路運(yùn)行次數(shù)“i”第0次開(kāi)始，指令692判斷i是否小于n，當(dāng)i小于n，則運(yùn)行指令693以測(cè)試第i塊區(qū)塊，并以指令694判斷第i塊區(qū)塊是否可用，如第i塊區(qū)塊為可用，則指令695定義其對(duì)應(yīng)定義其表“T”的第i項(xiàng)為Ti)＝1；指令696將回路運(yùn)行次數(shù)“i”累進(jìn)次，以運(yùn)行下一次的指令692；如第i塊區(qū)塊為不可用，則指令697定義其對(duì)應(yīng)定義其表“T”的第i項(xiàng)為Ti＝0；指令696并將回路運(yùn)行次數(shù)“i”累進(jìn)一次，以運(yùn)行下一次的指令692，直到當(dāng)判斷i等于n時(shí)，代表所有區(qū)塊均已完成定義，則結(jié)束回路loop，即完成EEPROM的登錄及ASDRAM的格式化。
請(qǐng)參閱第6圖所示，是本發(fā)明一較佳實(shí)施例于每次啟動(dòng)的操作流程示意圖；由圖所示，其操作開(kāi)始如后流程75，是判斷當(dāng)發(fā)生斷電而再次啟動(dòng)時(shí)，即執(zhí)行流程76以定義ASDRAM內(nèi)存區(qū)塊，否則運(yùn)行流程79)以繼續(xù)其他的操作，流程761定義區(qū)塊總數(shù)為n；是生成并定義一有n個(gè)項(xiàng)目定義的文件配置表，n為ASDRAM內(nèi)的區(qū)塊總數(shù)，文件配置流程77，表被視為一指針或索引，以指出所有被儲(chǔ)存在ASDRAM的實(shí)際資料的位置，也用來(lái)指示在ASDRAM所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊是否可用；在文件配置表項(xiàng)目里面的數(shù)值EEEEh，指示對(duì)應(yīng)的區(qū)塊是不可用的，而不同的數(shù)值EEEEh則指示區(qū)塊是可用的，而且FFFFh被當(dāng)作內(nèi)定值使用。
回路78，系為數(shù)個(gè)指令所組成的回路loop，指令781設(shè)定回路運(yùn)行次數(shù)“i”從第0次開(kāi)始，指令782判斷i是否小于n，當(dāng)i小于n，則運(yùn)行指令783以從EEPROM讀取表“T”第i項(xiàng)的Ti值，并以指令784判斷Ti值是否等于0，如Ti值等于0，則指令785將FATi＝EEEEh的信息重建并定義于文件配置表的第i項(xiàng)；指令786將回路運(yùn)行次數(shù)“i”累進(jìn)一次，以運(yùn)行下一次的指令782；如Ti值不等于0，則指令787將FATi＝FFFFh的信息重建并定義于文件配置表的第i項(xiàng)；指令786將回路運(yùn)行次數(shù)“i”累進(jìn)一次，以執(zhí)行下一次的指令782，直到當(dāng)判斷i等于n時(shí)，代表所有區(qū)塊均已完成定義，則結(jié)束回路loop，即完成ASDRAM其文件配置表FAT的重建，以節(jié)省重新格式化所耗費(fèi)的時(shí)間及步驟。
請(qǐng)參閱圖7所示，是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的“記憶體規(guī)劃”示意圖；由圖所示，EEPROM11)的定義表Ti與ASDRAM12的文件配置表FATi的對(duì)應(yīng)關(guān)系，當(dāng)T0＝1則FAT0＝FFFFh；當(dāng)T1＝0則FAT1＝EEEEh；當(dāng)Tn-2＝1則FATn-2＝FFFFh；而當(dāng)Tn-1＝1則FATn-1＝FFFFh；依其定義ASDRAM12的BLOCK0為可用的區(qū)塊，BLOCK1為不可用的區(qū)塊，BLOCKn-2為可用的區(qū)塊，而B(niǎo)LOCKn-1亦為可用的區(qū)塊。
請(qǐng)參閱圖8所示，是本發(fā)明一較佳實(shí)施例運(yùn)用于MP3隨身聽(tīng)的電路結(jié)構(gòu)示意圖；由圖所示，其裝置是由ASDRAM 81、EEPROM 82及Microprocessor83等所構(gòu)成，其中EEPROM82具有PIN821及PIN822，PIN821是SDA為Serial Address/Data I/O，PIN822則是SCL為Serial Clock；裝置84為PC接口電路PC InterfaceCircuit，裝置85為輸入電路keyboard Circuit，裝置86為顯示電路Display Circuit，裝置87為音頻解碼器Audio Decoder，裝置88為音頻輸出Audio Output。
請(qǐng)參閱圖9所示，是本發(fā)明一較佳實(shí)施例運(yùn)用于MP3隨身聽(tīng)的輸入面板示意圖；由圖所示，輸入面板90上設(shè)有FORMAT按鈕91，是按壓格式化的按鈕，以觸發(fā)格式化的動(dòng)作過(guò)程，被設(shè)置在輸入面板90的下方而加以隱藏，僅供產(chǎn)品于封裝出廠前完成一次格式化的按壓動(dòng)作，一般用戶并無(wú)使用操作權(quán)。
請(qǐng)參閱圖10所示，是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的方塊結(jié)構(gòu)示意圖；由圖所示，本發(fā)明裝置，亦可實(shí)施為由ASRAM21、Flash-Memory22及Microprocessor23等所構(gòu)成，其中ASRAM21，是單規(guī)SRAM的記憶單元，為欲使用的實(shí)際內(nèi)存。
請(qǐng)參閱圖11所示，是本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的方塊結(jié)構(gòu)示意圖；由圖所示，本發(fā)明裝置，亦可實(shí)施為由ADRAM31、Flash-Memory32及Microprocessor33等所構(gòu)成，其中ADRAM31，是單規(guī)DRAM的記憶單元，為欲使用的實(shí)際內(nèi)存。
此間擬予以提出說(shuō)明，本發(fā)明裝置包括有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1、非揮發(fā)性內(nèi)存2及微處理器3等；其中，有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1可為ASDRAM11、ASRAM21ADRAM31、或其他類似；而非揮發(fā)性內(nèi)存2則可為EEPROM12或Flash-Memory22、或其他類似；而構(gòu)成間或以圖11，12所示的方式互換，或另再組合，亦當(dāng)為依本發(fā)明的較佳實(shí)施范例所推廣，并循依本發(fā)明的精神所延伸的適用，故仍應(yīng)包括在本案的專利范圍內(nèi)。
此間擬特別強(qiáng)調(diào)說(shuō)明，是本發(fā)明最主要的創(chuàng)意精神在于提供一種“有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的方法及其裝置”，利用非揮發(fā)性內(nèi)存2的信息儲(chǔ)存特性，將有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1的缺陷位置等信息予以記憶保存，且此等較耗時(shí)的步驟是在產(chǎn)品封裝出廠前完成，使有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存1于重新啟動(dòng)時(shí)，可迅速?gòu)姆菗]發(fā)性記憶體2中獲得該信息，以大幅節(jié)省重新格式所需耗費(fèi)的等待時(shí)間，達(dá)到用戶可快速啟用的目的；實(shí)為本發(fā)明創(chuàng)意的精華所在。
權(quán)利要求
1.一種有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的方法，包括(a)觸發(fā)格式化動(dòng)作，是在產(chǎn)品封裝出廠前開(kāi)始格式化的動(dòng)作過(guò)程；(b)劃分有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存成區(qū)塊，是將有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存邏輯化定義成固定大小的內(nèi)存區(qū)塊；(c)測(cè)試每一區(qū)塊，是測(cè)試有缺陷內(nèi)存中“可用區(qū)域”及“損壞區(qū)域”；(d)將缺陷位置寫(xiě)入非揮發(fā)性內(nèi)存，是生成一定義表于非揮發(fā)性內(nèi)存，將測(cè)試結(jié)果用“可用區(qū)域”定義為1，而“損壞區(qū)域”定義為0的方式，保存區(qū)塊的測(cè)試結(jié)果；以及(e)斷電后再重新啟動(dòng)的步驟。且步驟(a)至(d)，是在產(chǎn)品封裝出廠前完成，而步驟(e)則為用戶所操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的方法，其特征在于，該觸發(fā)格式化動(dòng)作，可為一按壓格式化按鈕的格式化觸發(fā)過(guò)程。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的方法，其特征在于，該觸發(fā)格式化動(dòng)作，也可為其他可觸發(fā)格式化動(dòng)作的機(jī)構(gòu)動(dòng)作過(guò)程。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的方法，其特征在于，該斷電后再重新啟動(dòng)的步驟，又包括(f)檢查有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，是微處理器檢查有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存的文件配置表(File Allocation Table；FAT)是否正確性；(g)從非揮發(fā)性內(nèi)存讀取測(cè)試結(jié)果，當(dāng)文件配置表為不正確時(shí)，微處理器即自動(dòng)讀取儲(chǔ)存于非揮發(fā)性記憶體內(nèi)的定義表；(h)將缺陷位置的訊息傳給有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，是微處理器在讀取定義表后，即將信息傳遞予有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存；(i)重建文件配置表在有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，是依定義表的對(duì)應(yīng)信息，重建正確的文件配置表于有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存；以迅速完成重新格式化的目的。
5.一種有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的裝置，包括一有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，是存在有缺陷位置的記憶單元，為欲使用的實(shí)際內(nèi)存；一非揮發(fā)性內(nèi)存，是不需要能量即可保持所儲(chǔ)存的信息的記憶單元，用以記憶保存有缺陷內(nèi)存的缺陷位置等信息；一微處理器，是運(yùn)算及控制的處理單元，在產(chǎn)品封裝出廠前運(yùn)行有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存邏輯化成區(qū)塊及測(cè)試，并將缺陷位置寫(xiě)入非揮發(fā)性內(nèi)存；而在每次電源開(kāi)啟時(shí)，可迅速檢查有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存或自動(dòng)將儲(chǔ)存于非揮發(fā)性記憶體內(nèi)的缺陷位置信息，傳遞予有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，以節(jié)省重新格式化的時(shí)間及步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的裝置，其特征在于，該有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，可為ASDRAM的單規(guī)SDRAM。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的裝置，其特征在于，該有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，可為ADRAMD的單規(guī)DRAM。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的裝置，其特征在于，該有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存，可為ASRAM的單規(guī)SRAM。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的的有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的裝置，其特征在于，該非揮發(fā)性內(nèi)存，可為EEPROM的電子式可抹程序化唯讀內(nèi)存。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的裝置，其特征在于，該非揮發(fā)性內(nèi)存，可為Flash-Memory的快閃內(nèi)存。
全文摘要
一種有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存重新格式化的方法及其裝置,是利用非揮發(fā)性內(nèi)存(non－volatile memory)的信息儲(chǔ)存特性,將有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存(volatile memorywith faultylocation)的缺陷位置等信息在產(chǎn)品封裝出廠前予以記憶保存,使得有缺陷的揮發(fā)性內(nèi)存在斷電后重新啟動(dòng)時(shí),可迅速獲得該信息的方法及其裝置。
文檔編號(hào)G06F12/00GK1336590SQ0012113
公開(kāi)日2002年2月20日 申請(qǐng)日期2000年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月27日
發(fā)明者謝星倩, 連本源 申請(qǐng)人:喬工科技股份有限公司