一種新型合成實驗溫控裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種新型合成實驗溫控裝置，其由外設(shè)氣源、包含有半導體制冷片的溫控裝置、以及反應(yīng)容器構(gòu)成，其相互之間通過氣相管道進行連接；所述溫控裝置包含有電源，以及半導體制冷片；采用上述技術(shù)方案的新型合成實驗溫控裝置，其將氣相介質(zhì)作為熱傳遞介質(zhì)，并通過半導體制冷片對其進行溫度控制，從而在實現(xiàn)精確的溫度控制的同時，可使得熱傳遞介質(zhì)直接與反應(yīng)介質(zhì)接觸，從而降低了熱量損失。
【專利說明】一種新型合成實驗溫控裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種實驗裝置，尤其是一種新型合成實驗溫控裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]化學合成實驗是教學、科研以及生產(chǎn)過程中不可或缺的實驗之一，多數(shù)化學合成實驗需要在一定的環(huán)境溫度下進行。目前，提供化學合成實驗的環(huán)境溫度的方式通常包括I)水浴式溫控，即將合成實驗反應(yīng)容器置于恒溫水槽中，通過設(shè)置在水槽中的溫控器控制水槽中水或其它介質(zhì)的溫度，以確保合成實驗的環(huán)境溫度；2)反應(yīng)容器內(nèi)部溫控，即在反應(yīng)容器內(nèi)壁設(shè)置夾套層，或在反應(yīng)容器內(nèi)部設(shè)置盤管，通過外設(shè)的恒溫循環(huán)機將水或其它介質(zhì)的溫度調(diào)節(jié)好，通過泵將其輸送至夾套層或盤管內(nèi)，讓熱量通過夾套層或者盤管傳遞給反應(yīng)介質(zhì)，從而達到反應(yīng)溫度的控制。上述兩種傳統(tǒng)控制溫度的方式，都需要通過反應(yīng)容器或其它設(shè)備的內(nèi)外壁進行反應(yīng)介質(zhì)與熱傳遞介質(zhì)的熱量傳遞，不僅熱量傳遞慢，而且熱量損失比較大，其溫控效果不佳；同時，在實驗過程中需要改變環(huán)境溫度時，其需要一定的溫度改變時間，從而導致溫控效率降低。尤其在微波合成過程中，采用上述兩種方式，熱傳遞介質(zhì)對微波的吸收，直接影響到合成反應(yīng)的效果。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種合成實驗溫控裝置，其可以實現(xiàn)熱傳遞介質(zhì)與反應(yīng)介質(zhì)之間的直接接觸，從而實現(xiàn)高效而低損的熱量傳遞，同時可實現(xiàn)實時的溫度控制。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型涉及一種新型合成實驗溫控裝置，其由外設(shè)氣源、包含有半導體制冷片的溫控裝置、以及反應(yīng)容器構(gòu)成，其相互之間通過氣相管道進行連接；所述溫控裝置包含有電源，以及半導體制冷片；所述半導體制冷片由兩片彼此相對的陶瓷片，設(shè)置在陶瓷片之間的多個N型半導體材料與P型半導體材料，以及設(shè)置在N型半導體材料及P型半導體材料與陶瓷片之間的多片金屬導體構(gòu)成；所述N型半導體材料與P型半導體材料彼此間隔設(shè)立；所述金屬導體與N型半導體材料及P型半導體材料之間采用串聯(lián)連接，位于半導體制冷片兩側(cè)的金屬導體與電源連接；所述半導體制冷片中的兩片陶瓷片分別設(shè)置于兩個氣相管道內(nèi)，該氣相管道內(nèi)設(shè)置有電磁閥，其位于半導體制冷片與反應(yīng)容器之間。
[0005]作為本實用新型的另一種改進，所述外設(shè)氣源由內(nèi)設(shè)有惰性氣體的儲氣裝置，以及設(shè)置在儲氣裝置與溫控裝置之間的微型氣泵構(gòu)成。采用上述設(shè)計，由于惰性氣體不發(fā)生反應(yīng)，故而其不會對反應(yīng)容器內(nèi)反應(yīng)介質(zhì)造成影響。
[0006]作為本實用新型的一種改進，所述反應(yīng)容器內(nèi)部靠近反應(yīng)容器端面位置設(shè)置有氣體擴散網(wǎng)，其包含有多個彼此獨立的網(wǎng)格，所述氣體擴散網(wǎng)邊部均連接至反應(yīng)容器的端部；由溫控裝置延伸至反應(yīng)容器內(nèi)部的氣相管道，其端部位于氣體擴散網(wǎng)與反應(yīng)容器的對應(yīng)端部之間。采用上述設(shè)計，氣體擴散網(wǎng)可使得氣相熱傳導介質(zhì)經(jīng)由氣體擴散網(wǎng)內(nèi)的網(wǎng)格而向反應(yīng)容器內(nèi)四處擴散，避免氣相熱傳導介質(zhì)輸入反應(yīng)容器時形成氣團，從而無法實現(xiàn)與反應(yīng)介質(zhì)的充分接觸。
[0007]作為本實用新型的一種改進，所述氣體擴散網(wǎng)設(shè)置于反應(yīng)容器內(nèi)部靠近反應(yīng)容器底端的位置，且其處于水平面；由溫控裝置延伸至反應(yīng)容器內(nèi)部的氣相管道，其沿豎直方向延伸至氣體擴散網(wǎng)與反應(yīng)容器底部之間；氣相管道于反應(yīng)容器內(nèi)部的直徑，由管身向管道端部逐漸增加。采用上述設(shè)計，可確保氣相熱傳遞介質(zhì)在輸送過程中通過反應(yīng)容器內(nèi)的各個空間，避免其因自身密度導致氣相熱傳遞介質(zhì)進入反應(yīng)容器后未能與反應(yīng)介質(zhì)充分接觸，從而確保了溫控效率；同時，氣相管道端部的設(shè)計使得氣相熱傳遞介質(zhì)在自管道輸出過程中即可實現(xiàn)其擴散，從而確保了氣相熱傳遞介質(zhì)的擴散角度。
[0008]作為本實用新型的一種改進，所述氣體擴散網(wǎng)中，通過氣體擴散網(wǎng)軸線的軸向截面內(nèi)，與氣體擴散網(wǎng)軸線之間的距離小于該軸向截面長度的1/6的網(wǎng)格，其延伸方向均為豎直方向；與氣體擴散網(wǎng)軸線之間的距離為該軸向截面長度的1/6至1/2的網(wǎng)格，其軸線均與豎直方向存在一定夾角；所述網(wǎng)格軸線與豎直方向所成夾角角度由氣體擴散網(wǎng)軸線向軸向截面?zhèn)冗叢恐饾u增加，且其至多為30°。采用上述設(shè)計，其通過在過濾網(wǎng)內(nèi)設(shè)置多個方向的網(wǎng)格，以使得氣相熱傳導介質(zhì)通過氣體擴散網(wǎng)后會向反應(yīng)容器內(nèi)各個方向擴散，從而進一步確保其與反應(yīng)介質(zhì)的充分接觸；對網(wǎng)格斜度進行限制，則避免其夾角過大時，氣相熱傳導介質(zhì)直接與反應(yīng)容器內(nèi)壁碰撞，而可能形成的死角位置。
[0009]作為本實用新型的另一種改進，所述反應(yīng)容器包含有在豎直方向延伸的進料口，進料口內(nèi)設(shè)置有抽氣裝置；所述抽氣裝置包含有第一管道與第二管道，第一管道與第二管道之間設(shè)置有電磁閥；所述第一管道延伸至反應(yīng)容器進料口內(nèi)，且其端部所處高度高于進料口與反應(yīng)容器的相交面；所述第二管道延伸至外設(shè)氣源中的儲氣裝置，第二管道中設(shè)置有過濾網(wǎng)。采用上述設(shè)計，其可通過抽氣裝置將與反應(yīng)介質(zhì)充分接觸后，以達到溫控效果的惰性氣體抽取，并將其輸送至儲氣裝置中加以回收利用；同時，第二管道內(nèi)的過濾網(wǎng)能夠濾去惰性氣體中可能含有的部分反應(yīng)介質(zhì)，以避免其對后續(xù)合成反應(yīng)造成影響。
[0010]上述新型合成實驗溫控裝置，其將外設(shè)氣源內(nèi)的氣相熱傳遞介質(zhì)輸送至溫控裝置中，經(jīng)由半導體制冷片內(nèi)的不同陶瓷片與金屬導體對氣相熱傳遞介質(zhì)進行加熱或制冷，并可根據(jù)合成反應(yīng)需要的環(huán)境溫度控制各個溫控支路的電磁閥開閉，使得各支路的氣相熱傳遞介質(zhì)混合，以獲得合成反應(yīng)所需的環(huán)境溫度。完成溫控的氣相熱傳遞介質(zhì)輸送至反應(yīng)容器內(nèi)，經(jīng)過氣體擴散網(wǎng)向反應(yīng)容器內(nèi)各個方向擴散，并與反應(yīng)介質(zhì)充分接觸，以實現(xiàn)對反應(yīng)介質(zhì)的溫度控制。完成上述工作的氣相熱傳遞介質(zhì)由抽氣裝置將其抽取回收，以待后續(xù)使用。
[0011]溫度控制過程中，半導體制冷片通過直流電流進行工作運作，并可通過改變直流電流的極性來決定在同一半導體制冷片上實現(xiàn)制冷或加熱效果。半導體制冷片中，電流由N型半導體材料流向P型半導體材料時吸收熱量，從而實現(xiàn)制冷效果；電流由P型半導體材料流向N型半導體材料時釋放熱量，從而實現(xiàn)加熱效果。半導體制冷片吸熱和放熱的大小與電流大小有關(guān)，故在合成實驗過程中，可通過控制電流大小，以配合電磁閥的開閉實時改變氣相熱傳遞介質(zhì)溫度的實時控制。半導體制冷片作為冷熱源，無需制冷劑與滑動原件，從而避免污染源的產(chǎn)生以及工作過程中可能出現(xiàn)的震動或噪音；同時，半導體制冷片通過電流控制，故而可實現(xiàn)精確的溫控效果。
[0012]采用上述技術(shù)方案的新型合成實驗溫控裝置，其將氣相介質(zhì)作為熱傳遞介質(zhì)，并通過半導體制冷片對其進行溫度控制，從而在實現(xiàn)精確的溫度控制的同時，可使得熱傳遞介質(zhì)直接與反應(yīng)介質(zhì)接觸，從而降低了熱量損失；同時，實驗過程中可通過對電流實現(xiàn)溫控裝置的溫度實時變化，從而進一步提高了溫控效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型示意圖；
[0014]圖2為本實用新型中半導體制冷片內(nèi)部示意圖；
[0015]圖3為本實用新型中氣體擴散網(wǎng)示意圖；
[0016]附圖標記列表:
[0017]I 一外設(shè)氣源、2—半導體制冷片、3—反應(yīng)容器、4 一電源、5—陶瓷片、6—電磁閥、7—氣體擴散網(wǎng)、8—進料口、9一第一管道、10—第二管道、11 一抽氣裝置內(nèi)電磁閥、12—N型半導體材料、13一P型半導體材料、14一金屬導體、15一網(wǎng)格、16—氣體混合器。

【具體實施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】，進一步闡明本實用新型，應(yīng)理解下述【具體實施方式】僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內(nèi)”和“外”分別指的是朝向或遠離特定部件幾何中心的方向。
[0019]如圖1所示的一種新型合成實驗溫控裝置，其由外設(shè)氣源1、包含有半導體制冷片2的溫控裝置、以及反應(yīng)容器3構(gòu)成，其相互之間通過氣相管道進行連接；所述溫控裝置包含有電源4，以及半導體制冷片；所述半導體制冷片由兩片彼此相對的陶瓷片5，設(shè)置在陶瓷片5之間的多個N型半導體材料12與P型半導體材料13，以及設(shè)置在N型半導體材料12及P型半導體材料13與陶瓷片5之間的多片金屬導體14構(gòu)成；如圖2所示，所述N型半導體材料12與P型半導體材料13彼此間隔設(shè)立；所述金屬導體14與N型半導體材料12及P型半導體材料13之間采用串聯(lián)連接，位于半導體制冷片兩側(cè)的金屬導體14與電源4連接；所述半導體制冷片中的兩片陶瓷片2分別設(shè)置于兩個氣相管道內(nèi)，該氣相管道內(nèi)設(shè)置有電磁閥，其位于半導體制冷片與反應(yīng)容器之間；上述氣相管道的相交處設(shè)置有氣體混合器16，經(jīng)由溫控處理后的惰性氣體通過電磁閥后在氣體混合器16內(nèi)混合，從而達到合成反應(yīng)所需的溫度。
[0020]如圖2所示，按照由左至右的順序，設(shè)定N型半導體材料依次為N1、N2、N3、N4, P型半導體材料依次為P1、P2、P3、P4，金屬導體為Al、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8、A9 ;則其連接關(guān)系為，兩片相對的陶瓷片之間，N型半導體材料12與P型半導體材料13彼此間隔設(shè)立，即按照N1、P1、N2、P2、N3、P3、N4、P4的順序依次設(shè)立，金屬導體14設(shè)置在N型半導體材料12及P型半導體材料13與陶瓷片5之間，其中，Al、A3、A5、A7、A9設(shè)置于半導體制冷片中下部陶瓷片內(nèi)，A2、A4、A6、A8設(shè)置于半導體制冷片中上部陶瓷片內(nèi)；每個半導體材料在任意一片陶瓷片上，均連接有一片金屬導體。
[0021]為使得半導體制冷片中上部陶瓷片與下部陶瓷片各自實現(xiàn)制冷與加熱的功能，則需使得連接在兩片陶瓷片上的半導體材料分別按照一定順序設(shè)置。故而如圖2所示，金屬導體中，Al、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8、A9按照上下間隔，且由左至右的順序依次設(shè)立，Al與NI單獨連接，A9與P4單獨連接，并分別連接至電源的正負極構(gòu)成回路。上述排列方式使得半導體材料在上部陶瓷片內(nèi)，其電流均由N型半導體材料流向P型半導體材料，從而形成制冷端；半導體材料在下部陶瓷片內(nèi)，其電流均由P型半導體材料流向N型半導體材料，從而形成加熱端。
[0022]作為本實用新型的另一種改進，所述外設(shè)氣源I由內(nèi)設(shè)有惰性氣體的儲氣裝置，以及設(shè)置在儲氣裝置與溫控裝置之間的微型氣泵構(gòu)成，所述微型氣泵設(shè)置于儲氣裝置與溫控裝置之間的氣相管道內(nèi)，靠近儲氣裝置的一端。采用上述設(shè)計，由于惰性氣體不發(fā)生反應(yīng)，故而其不會對反應(yīng)容器內(nèi)反應(yīng)介質(zhì)造成影響。
[0023]作為本實用新型的一種改進，所述反應(yīng)容器3內(nèi)部靠近反應(yīng)容器底端的位置設(shè)置有氣體擴散網(wǎng)7，其包含有多個彼此獨立的網(wǎng)格14，氣體擴散網(wǎng)7其處于水平面，氣體擴散網(wǎng)7邊部均連接至反應(yīng)容器3的端部；由溫控裝置延伸至反應(yīng)容器內(nèi)部的氣相管道，其沿豎直方向延伸至氣體擴散網(wǎng)7與反應(yīng)容器3底部之間；氣相管道于反應(yīng)容器內(nèi)部的直徑，由管身向管道端部逐漸增加，氣相管道端部設(shè)置有單向閥。
[0024]采用上述設(shè)計，氣體擴散網(wǎng)可使得氣相熱傳導介質(zhì)經(jīng)由氣體擴散網(wǎng)內(nèi)的網(wǎng)格而向反應(yīng)容器內(nèi)四處擴散，避免氣相熱傳導介質(zhì)輸入反應(yīng)容器時形成氣團，從而無法實現(xiàn)與反應(yīng)介質(zhì)的充分接觸；同時，其可確保氣相熱傳遞介質(zhì)在輸送過程中通過反應(yīng)容器內(nèi)的各個空間，避免其因自身密度導致氣相熱傳遞介質(zhì)進入反應(yīng)容器后未能與反應(yīng)介質(zhì)充分接觸，從而確保了溫控效率；此外，氣相管道端部的設(shè)計使得氣相熱傳遞介質(zhì)在自管道輸出過程中即可實現(xiàn)其擴散，從而確保了氣相熱傳遞介質(zhì)的擴散角度；同時，氣相管道端部的單向閥可避免反應(yīng)介質(zhì)倒流入氣相管道內(nèi)部。
[0025]作為本實用新型的一種改進，如圖3所示，所述氣體擴散網(wǎng)7中，通過氣體擴散網(wǎng)軸線的軸向截面內(nèi)，與氣體擴散網(wǎng)軸線之間的距離小于該軸向截面長度的1/6的網(wǎng)格15，其延伸方向均為豎直方向；與氣體擴散網(wǎng)軸線之間的距離為該軸向截面長度的1/6至1/2的網(wǎng)格15，其軸線均與豎直方向存在一定夾角；所述網(wǎng)格軸線與豎直方向所成夾角角度由氣體擴散網(wǎng)軸線向軸向截面?zhèn)冗叢恐饾u增加，且其至多為30°。采用上述設(shè)計，其通過在過濾網(wǎng)內(nèi)設(shè)置多個方向的網(wǎng)格，以使得氣相熱傳導介質(zhì)通過氣體擴散網(wǎng)后會向反應(yīng)容器內(nèi)各個方向擴散，從而進一步確保其與反應(yīng)介質(zhì)的充分接觸；對網(wǎng)格斜度進行限制，則避免其夾角過大時，氣相熱傳導介質(zhì)直接與反應(yīng)容器內(nèi)壁碰撞，而可能形成的死角位置。
[0026]作為本實用新型的另一種改進，所述反應(yīng)容器3包含有在豎直方向延伸的進料口8，進料口內(nèi)設(shè)置有抽氣裝置；所述抽氣裝置包含有第一管道9與第二管道10，第一管道與第二管道之間設(shè)置有電磁閥11 ;所述第一管道9延伸至反應(yīng)容器進料口 8內(nèi)，且其端部所處高度高于進料口與反應(yīng)容器的相交面；所述第二管道10延伸至外設(shè)氣源中的儲氣裝置1，第二管道10中設(shè)置有過濾網(wǎng)。采用上述設(shè)計，其可通過抽氣裝置將與反應(yīng)介質(zhì)充分接觸后，以達到溫控效果的惰性氣體抽取，并將其輸送至儲氣裝置中加以回收利用；同時，第二管道內(nèi)的過濾網(wǎng)能夠濾去惰性氣體中可能含有的部分反應(yīng)介質(zhì)，以避免其對后續(xù)合成反應(yīng)造成影響。
[0027]上述新型合成實驗溫控裝置，其將外設(shè)氣源內(nèi)的氣相熱傳遞介質(zhì)輸送至溫控裝置中，經(jīng)由各個溫控支路內(nèi)的半導體制冷片對氣相熱傳遞介質(zhì)進行加熱或制冷，并可根據(jù)合成反應(yīng)需要的環(huán)境溫度控制各個溫控支路的電磁閥開閉，使得各支路的氣相熱傳遞介質(zhì)混合，以獲得合成反應(yīng)所需的環(huán)境溫度。完成溫控的氣相熱傳遞介質(zhì)輸送至反應(yīng)容器內(nèi)，經(jīng)過氣體擴散網(wǎng)向反應(yīng)容器內(nèi)各個方向擴散，并與反應(yīng)介質(zhì)充分接觸，以實現(xiàn)對反應(yīng)介質(zhì)的溫度控制。完成上述工作的氣相熱傳遞介質(zhì)由抽氣裝置將其抽取回收，以待后續(xù)使用。
[0028]溫度控制過程中，半導體制冷片通過直流電流進行工作運作，并可通過改變直流電流的極性來決定在同一半導體制冷片上實現(xiàn)制冷或加熱效果。半導體制冷片中，電流由N型半導體材料流向P型半導體材料時吸收熱量，從而實現(xiàn)制冷效果；電流由P型半導體材料流向N型半導體材料時釋放熱量，從而實現(xiàn)加熱效果。半導體制冷片吸熱和放熱的大小與電流大小有關(guān)，故在合成實驗過程中，可通過控制電流大小，以配合電磁閥的開閉實時改變氣相熱傳遞介質(zhì)溫度的實時控制。半導體制冷片作為冷源，無需制冷劑與滑動原件，從而避免污染源的產(chǎn)生以及工作過程中可能出現(xiàn)的震動或噪音；同時，半導體制冷片通過電流控制，故而可實現(xiàn)精確的溫控效果。
[0029]在工作過程中，由于反應(yīng)容器內(nèi)，氣體擴散網(wǎng)與反應(yīng)器底端面之間始終填充有用于溫控的惰性氣體，在氣壓影響下，反應(yīng)介質(zhì)不會滲入氣體擴散網(wǎng)，而致使反應(yīng)容器底部被反應(yīng)介質(zhì)填充，導致氣相管道難以向反應(yīng)容器內(nèi)輸送惰性氣體。
[0030]采用上述技術(shù)方案的新型合成實驗溫控裝置，其將氣相介質(zhì)作為熱傳遞介質(zhì)，并通過半導體制冷片對其進行溫度控制，從而在實現(xiàn)精確的溫度控制的同時，可使得熱傳遞介質(zhì)直接與反應(yīng)介質(zhì)接觸，從而降低了熱量損失；同時，實驗過程中可通過電氣元件時間實現(xiàn)溫控裝置的溫度實時變化，從而進一步提高了溫控效率。
【權(quán)利要求】
1.一種新型合成實驗溫控裝置，其特征在于，所述新型合成實驗溫控裝置由外設(shè)氣源、包含有半導體制冷片的溫控裝置、以及反應(yīng)容器構(gòu)成，其相互之間通過氣相管道進行連接；所述溫控裝置包含有電源，以及半導體制冷片；所述半導體制冷片由兩片彼此相對的陶瓷片，設(shè)置在陶瓷片之間的多個N型半導體材料與P型半導體材料，以及設(shè)置在N型半導體材料以及P型半導體材料與陶瓷片之間的多片金屬導體構(gòu)成；所述N型半導體材料與P型半導體材料彼此間隔設(shè)立；所述金屬導體與N型半導體材料及P型半導體材料之間采用串聯(lián)連接，位于半導體制冷片兩側(cè)的金屬導體與電源連接；所述半導體制冷片中的兩片陶瓷片分別設(shè)置于兩個氣相管道內(nèi)，該氣相管道內(nèi)設(shè)置有電磁閥，其位于半導體制冷片與反應(yīng)容器之間。
2.按照權(quán)利要求1所述的新型合成實驗溫控裝置，其特征在于，所述外設(shè)氣源由內(nèi)設(shè)有惰性氣體的儲氣裝置，以及設(shè)置在儲氣裝置與溫控裝置之間的微型氣泵構(gòu)成。
3.按照權(quán)利要求2所述的新型合成實驗溫控裝置，其特征在于，所述反應(yīng)容器內(nèi)部靠近反應(yīng)容器端面位置設(shè)置有氣體擴散網(wǎng)，其包含有多個彼此獨立的網(wǎng)格，所述氣體擴散網(wǎng)邊部均連接至反應(yīng)容器的端部；由溫控裝置延伸至反應(yīng)容器內(nèi)部的氣相管道，其端部位于氣體擴散網(wǎng)與反應(yīng)容器的對應(yīng)端部之間。
4.按照權(quán)利要求3所述的新型合成實驗溫控裝置，其特征在于，所述氣體擴散網(wǎng)設(shè)置于反應(yīng)容器內(nèi)部靠近反應(yīng)容器底端的位置，且其處于水平面；由溫控裝置延伸至反應(yīng)容器內(nèi)部的氣相管道，其沿豎直方向延伸至氣體擴散網(wǎng)與反應(yīng)容器底部之間；氣相管道于反應(yīng)容器內(nèi)部的直徑，由管身向管道端部逐漸增加。
5.按照權(quán)利要求4所述的新型合成實驗溫控裝置，其特征在于，所述氣體擴散網(wǎng)中，通過氣體擴散網(wǎng)軸線的軸向截面內(nèi)，與氣體擴散網(wǎng)軸線之間的距離小于該軸向截面長度的1/6的網(wǎng)格,其延伸方向均為豎直方向；與氣體擴散網(wǎng)軸線之間的距離為該軸向截面長度的1/6至1/2的網(wǎng)格，其軸線均與豎直方向存在一定夾角；所述網(wǎng)格軸線與豎直方向所成夾角角度由氣體擴散網(wǎng)軸線向軸向截面?zhèn)冗叢恐饾u增加，且其至多為30°。
6.按照權(quán)利要求5所述的新型合成實驗溫控裝置，其特征在于，所述反應(yīng)容器包含有在豎直方向延伸的進料口，進料口內(nèi)設(shè)置有抽氣裝置；所述抽氣裝置包含有第一管道與第二管道，第一管道與第二管道之間設(shè)置有電磁閥；所述第一管道延伸至反應(yīng)容器進料口內(nèi)，且其端部所處高度高于進料口與反應(yīng)容器的相交面；所述第二管道延伸至外設(shè)氣源中的儲氣裝置，第二管道中設(shè)置有過濾網(wǎng)。
【文檔編號】G05D23/20GK204009610SQ201420203263
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月24日
【發(fā)明者】盧兵, 高文華 申請人:盧兵