一種具有動態(tài)自適應特性的低壓電流鏡的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及集成電路【技術領域】，具體的說是涉及一種具有動態(tài)自適應特性的低壓電流鏡。本發(fā)明針對低壓應用中寬電流范圍變化情況下，常規(guī)電流鏡不能精確鏡像的問題，提出一種具有動態(tài)自適應功能的低壓電流鏡。利用動態(tài)自適應電流鏡像支路，減小寬范圍電流鏡像應用下電源消耗，避免傳統(tǒng)電流鏡電壓余度要求過高、占用面積過大等問題。本發(fā)明尤其適用于低壓電流鏡。
【專利說明】—種具有動態(tài)自適應特性的低壓電流鏡

【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于集成電路【技術領域】，具體的說是涉及一種具有動態(tài)自適應特性的低壓電流鏡。

【背景技術】
[0002]在模擬電路中，電流鏡通常作為偏置單元或者信號處理元件。常規(guī)電流鏡通常包含一個柵極-漏極或者基極-集電極短接的晶體管作為電流鏡中的鏡像管。而為了保證鏡像管工作在飽和區(qū)，通常需要消耗較大的電壓余度，這一點在大電流應用下更為明顯。隨著深亞微米集成電路技術的不斷發(fā)展，電源電壓越來越低，供電路使用的電壓余度也越來越小，因此在電流鏡實現(xiàn)精確鏡像的同時，對電流鏡消耗的電壓余度也有了更高的要求。
[0003]對于如圖1所示的普通電流鏡，MPl和MP2都工作在飽和區(qū)且忽略其溝道調制效應，假設兩者寬長比相等，其輸入和輸出電流的表達式為(I)所示

【權利要求】
1.一種具有動態(tài)自適應特性的低壓電流鏡，其特征在于，該電流鏡由第一 PMOS管MPl、第二 PMO管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第一電阻R1、第一電容Cl、第二電容C2、第一電流鏡Iin、第二電流鏡Itjut和第三電流鏡單元Ibias構成；其中，第一PMOS管MPl的源極接電源VDD，其柵極和漏極互連，其漏極接第一電流鏡Iin的正極，其柵極接第二 PMOS管MP2的柵極、第三PMOS管MP3的柵極和第四PMOS管MP4的漏極；第一電流鏡Iin的負極接地VSS ;第二 PMOS管MP2的源極接電源VDD，其漏極接第二電流鏡Iwt的正極；第二電流鏡Itjut的負極接地VSS ;第三電流鏡單元Ibias的正極接電源VDD，其負極接第三PMOS管MP3的源極；第三PMOS管MP3的漏極接地VSS ；電源VDD依次通過第一電容Cl和第二電容C2后接第四PMOS管MP4漏極與第三PMOS管MP3柵極的連接點；第一電阻Rl的一端接第三電流鏡單元Ibias負極與第三PMOS管MP3源極的連接點，其另一端接第四PMOS管MP4的柵極和第五PMOS管MP5的柵極；第一電阻Rl另一端與第四PMOS管MP4柵極的連接點和第一電容Cl與第二電容C2的連接點相連接；第四PMOS管MP4的源極接電源VDD ;第五PMOS管MP5的源極接電源VDD，其漏極接第二 PMOS管MP2漏極與第二電流鏡Iwt負極的連接點。
【文檔編號】G05F3/26GK104199508SQ201410424100
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月26日 優(yōu)先權日:2014年8月26日
【發(fā)明者】周澤坤, 張瑜, 石躍, 柯普仁, 明鑫, 王卓, 張波 申請人:電子科技大學