用于光傳感器的電流基準(zhǔn)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于光傳感器的內(nèi)部電流基準(zhǔn)電路，主要解決現(xiàn)有電流基準(zhǔn)中的精確度問題。該電流基準(zhǔn)包括：零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路(1)、電流鏡電路(2)和溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路(3)；零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生的零溫度系數(shù)電流輸出給電流鏡電路；電流鏡電路對零溫度系數(shù)電流進(jìn)行鏡像后輸出給溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路；溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路中的負(fù)反饋環(huán)路使零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路的輸出端A與電流鏡電路的輸出端C處的電壓相等。本發(fā)明消除了因電源電壓變化造成的電流鏡電路中的PMOS管漏源電壓變化不一致的問題，從而抑制了溝道調(diào)制效應(yīng)，使參考電流IREF不隨電源電壓的變化而變化，提高了線性調(diào)整度。
【專利說明】用于光傳感器的電流基準(zhǔn)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電子電路【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種電流基準(zhǔn)電路，可用于光傳感器中?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]光傳感器具有很高的精度，它是光電應(yīng)用領(lǐng)域不可缺少的原件。但是由于光電流非常微小，基本都為nA級別電流。因此如何設(shè)計(jì)用于數(shù)模轉(zhuǎn)換的高精度參考電流為光傳感器設(shè)計(jì)帶來了新的挑戰(zhàn)。
[0003]圖1顯示了傳統(tǒng)光傳感器芯片內(nèi)部的電流基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，參考電壓Vref加在運(yùn)算放大器OPl的正端，運(yùn)算放大器OPl通過采用負(fù)反饋連接將電壓加載到電阻Rl上來產(chǎn)生參考電流；運(yùn)算放大器的輸出端接到NMOS管Ml的柵極上，負(fù)端接到Ml的源級上，電阻Rl —端接在Ml源級一端接在地；M1的漏極上接有一個電流鏡結(jié)構(gòu)，M2與M3構(gòu)成一個電流鏡結(jié)構(gòu)，M2的柵極與漏極相接，Ml的漏極與Ml的漏極相接，M2漏極與M3的漏極相接，M2與M3源級接在電源上，參考電流Iref從M3的漏極流出。這種傳統(tǒng)的光傳感器的電流基準(zhǔn)電路中M3鏡像的電流由于溝道長度調(diào)制效應(yīng)而隨電源電壓的變化而變化，因此產(chǎn)生的電流隨電源電壓的變化很大，影響參考電流精度的提高，不能滿足高精度光傳感器對參考電流的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種用于光傳感器的電流基準(zhǔn)電路，以減小基準(zhǔn)電流隨電源電壓的變化量，滿足光傳感器的精度要求。
[0005]實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)思路:通過使引入負(fù)反饋環(huán)路使得電流鏡輸入端MOS管漏極的電壓與輸出端MOS管漏極的電壓相等，來抑制溝道調(diào)制效應(yīng)，從而產(chǎn)生高線性調(diào)整度的參考電流。
[0006]根據(jù)上述思路，本發(fā)明的電流基準(zhǔn)電路包括:
[0007]零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生零溫度系數(shù)電流；
[0008]電流鏡電路，用于產(chǎn)生鏡像電流；
[0009]其特征在于:在零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路的輸出端與電流鏡電路的輸出端之間連接有溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路，用于控制電流鏡電路的輸出端電壓與零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路的輸出端電壓相等，以抑制電流鏡結(jié)構(gòu)中溝道調(diào)制效應(yīng)帶來的誤差，降低電源電壓的變化對參考電流精度的影響。
[0010]作為優(yōu)選，所述溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路，包括運(yùn)算放大器0P2和PMOS管M4 ；
[0011]所述運(yùn)算放大器0P2，其輸出端與PMOS管M4的柵極相連，其負(fù)向輸入端與電流鏡電路的輸出端C相連，其正相輸入端與電流鏡電路輸入端B和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路的輸出端A相連，構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，使電流鏡電路輸入端B和其輸出端C電壓相等，以抑制電流鏡結(jié)構(gòu)中溝道調(diào)制效應(yīng)帶來的誤差；
[0012]所述PMOS管M4的柵極連接至運(yùn)算放大器0P2的輸出級，其源極連接至電流鏡電路的輸出端C，其漏極作為電流基準(zhǔn)電路的輸出，與運(yùn)算放大器0P2構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，并從其漏極輸出高線性調(diào)整度的參考電流。
[0013]本發(fā)明由于在電流鏡電路和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路的輸出端之間加入溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路，使電流鏡電路和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路輸出端的MOS管的漏極電壓相等，并且其源級電壓都等于電源電壓，由于這兩個MOS管的漏源電壓相等，從而抑制了溝道調(diào)制效應(yīng)，使參考電流不會隨電源電壓的變化而變化，保證了參考電流的穩(wěn)定性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是傳統(tǒng)電流基準(zhǔn)電路原理圖；
[0015]圖2是本發(fā)明的電流基準(zhǔn)原理圖；
[0016]圖3是本發(fā)明的實(shí)施例1原理圖；
[0017]圖4是本發(fā)明的實(shí)施例2原理圖；
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下結(jié)合附圖及其實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
[0019]參照圖2，本發(fā)明應(yīng)用于光傳感器的電流基準(zhǔn)電路包括:零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路1、電流鏡電路2、溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3 ；
[0020]所述零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路1，設(shè)有一個輸出端A，輸出電流信號到電流鏡電路
2；
[0021]所述電流鏡電路2,設(shè)有一個輸入端B, —個輸出端C ;其中輸入端B與零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I的輸出端A和溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3的輸入端相連；輸出端C輸出電壓信號到溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3 ；
[0022]所述溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3，包括NMOS管M4和運(yùn)算放大器0P2，其中:
[0023]所述PMOS管M4的柵極連接至運(yùn)算放大器0P2的輸出級，其源極連接至電流鏡電路2的輸出端C，其漏極為電流基準(zhǔn)電路的輸出；
[0024]所述運(yùn)算放大器0P2，其負(fù)向輸入端與電流鏡電路2的輸出端C相連，其正相輸入端與電流鏡電路2輸入端B和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I的輸出端A相連，構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，使電流鏡電路2的輸入端B和輸出端C電壓相等，消除了因?yàn)殡娫措妷鹤兓斐傻碾娏麋R電路中的PMOS管漏源電壓變化不一致的問題，從而抑制了溝道調(diào)制效應(yīng)，使參考電流不隨電源電壓變化而變化，提高了線性調(diào)整度。
[0025]針對圖2所示原理框圖，本發(fā)明給出如下兩種實(shí)施例:
[0026]實(shí)施例1
[0027]參照圖3，本發(fā)明電流基準(zhǔn)電路所包括的零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路1、電流鏡電路2和溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3，其具體電路結(jié)構(gòu)如下:
[0028]所述零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路1，其由運(yùn)算放大器0P3，NMOS管M5，正溫度系數(shù)電阻R2和負(fù)溫度系數(shù)電阻R3構(gòu)成；該正溫度系數(shù)的電阻R2與負(fù)溫度系數(shù)電阻R3相連，構(gòu)成零溫度系數(shù)電阻；零溫度系數(shù)電阻一端鏈接到的NOMS管M5的源極，一端連接到地；該運(yùn)算放大器0P3的負(fù)相輸入端連接到NMOS管M5的源極，其正相輸入端連接到電流基準(zhǔn)電路的輸入端Vref，該輸入端Vref與零溫度系數(shù)參考電壓相連，構(gòu)成零溫度系數(shù)電壓產(chǎn)生電路，其輸出端與NMOS管M5的柵極相連；該NMOS管M5的柵極與運(yùn)算放大器0P3的輸出端相連，其漏極與電流鏡電路2的輸入端相連，其源極與運(yùn)算放大器0P3的負(fù)相輸入端和零溫度系數(shù)電阻相連；該NMOS管與運(yùn)算放大器0P3構(gòu)成負(fù)反饋電路，將零溫度系數(shù)的電壓加至零溫度系數(shù)電阻上，產(chǎn)生零溫度系數(shù)電流。
[0029]所述電流鏡電路2，其由兩個PMOS管M6、M7構(gòu)成，這兩個PMOS管的柵極相連，構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，該P(yáng)MOS管M7的漏極為輸出端，該P(yáng)MOS管M6的漏極與零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I的輸出級相連，將零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I產(chǎn)生的零溫度系數(shù)電流鏡像至PMOS管M7的漏極。
[0030]所述溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3，包括運(yùn)算放大器0P2和PMOS管M4。該運(yùn)算放大器0P2，其輸出端與PMOS管M4的柵極相連，其負(fù)向輸入端與電流鏡電路2的PMOS管M7的漏極相連，其正相輸入端與電流鏡電路2的PMOS管M6的漏極相連，構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，使電流鏡電路2的PMOS管M7和PMOS管M6的漏極電壓相等，以抑制電流鏡結(jié)構(gòu)中溝道調(diào)制效應(yīng)帶來的誤差；該P(yáng)MOS管M4的柵極連接至運(yùn)算放大器0P2的輸出級，其源極連接至電流鏡電路2的PMOS管M7的漏極，其漏極作為電流基準(zhǔn)電路的輸出。該P(yáng)MOS管M4與運(yùn)算放大器0P2構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，并從其漏極輸出高線性調(diào)整度的參考電流。
[0031]本實(shí)施例1的工作原理是:
[0032]從零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I的NMOS管M5的源極將零溫度系數(shù)電流輸入到電流鏡電路2的PMOS管M6的漏極，從電流鏡電路2的PMOS管M7的漏極輸出參考電流；通過在電流鏡電路2的PMOS管M7的漏極和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I的NMOS管M5的源極之間加入溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3，使電流鏡電路2和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I的PMOS管M6和M7的漏極電壓相等，并且PMOS管M6和M7的源極電壓相等；由于這兩個PMOS管的漏源電壓相等，消除了因?yàn)殡娫措妷鹤兓斐傻碾娏麋R電路和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路的PMOS管M6和M7的漏源電壓變化不一致的問題，從而抑制了溝道調(diào)制效應(yīng)，使參考電流不隨電源電壓變化而變化，提高了線性調(diào)整度。
[0033]實(shí)施例2
[0034]參照圖4，本實(shí)施例的電流基準(zhǔn)電路所包括的零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路1、電流鏡電路2和溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3，其具體電路結(jié)構(gòu)如下:
[0035]所述零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I，包括PMOS管M10、M11、M12、M13，NMOS管M8、M9、M10,電阻 R4、R5，電容 Cl 和電流源 II。該 PMOS 管 M10、M11、M12、M13 和 NMOS 管 M8、M9，構(gòu)成共源共柵運(yùn)算放大器0P4。其中:
[0036]NMOS管M8與MlO的源極相連構(gòu)成差分對，連接到電流源II，且這兩個NMOS管的柵極分別作為運(yùn)算放大器0P4的正向輸入端和負(fù)向輸入端，該正向輸入端與負(fù)向輸入端分別與光傳感器內(nèi)部零溫度系數(shù)電壓Vref和NMOS管MlO的柵極相連接；
[0037]NMOS管M8與MlO的漏極分別與PMOS管MlO和Mll的漏極相連；
[0038]NMOS管M9的漏極作為運(yùn)算放大器0P4的輸出級；
[0039]PMOS管M12與M13的柵極相連，構(gòu)成有源電流鏡結(jié)構(gòu)；
[0040]PMOS管M12與M13的源極與光傳感器的輸入電源VIN相連，PMOS管M12和M13的漏極分別與PMOS管MlO與和Mll的漏極相連，PMOS管MlO與Ml I的柵極相連，構(gòu)成有源電流鏡的負(fù)載；該P(yáng)MOS管M10、M11、M12、M13構(gòu)成共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)；
[0041]電容Cl與運(yùn)算放大器0P4的輸出級相連，構(gòu)成運(yùn)算放大器0P4的輸出負(fù)載；[0042]NMOS管M14，其漏極與PMOS管M15相連，其源極與零溫度系數(shù)電阻R4 —端相連，其柵極與運(yùn)算放大器0P4的輸出端相連，構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，使零溫度系數(shù)電壓Vref加載在電阻R4上；該零溫度系數(shù)電阻R4 —端與NOMS管M14的源極相連，另一端連接到地。
[0043]所述電流鏡電路2，包括 PMOS 管 M15、M16、M17、M18、M19、M22、M23、M24、M25、M26，NMOS 管 M20、M21，其中:
[0044]PMOS管M18、M19、M23、M22的柵極相連，構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)；
[0045]PMOS管M19、M22的漏極分別與NMOS管M20、M21的漏極相連，PMOS管M19、M22的源極與分別與PMOS管M18、M23的漏極相連；
[0046]NMOS管M20、M21的柵極相連，構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)；
[0047]PMOS管M18、M19、M23、M22，NMOS管M20、M21構(gòu)成自偏置電路，為共源共柵電流鏡
提供直流偏置；
[0048]PMOS管M16、M17、M24、M25的柵極相連，構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，PMOS管M16和M25的漏極分別與PMOS管M15、M26的源極相連，PMOS管M15、M26的漏極分別與零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I的NMOS管M5的漏極和溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3的PMOS管M4的源極相連；其源極分別與PMOS管M16、M25源極相連，構(gòu)成共源共柵電流鏡的負(fù)載。
[0049]所述溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3，包括PMOS管M27、M29、M30、M31、M32，NMOS管M28、M33，電流源12和電容C2，其中:
[0050]PMOS 管 M29、M30、M31、M32，NMOS 管 M28、M33 構(gòu)成共源共柵運(yùn)算放大器 0P5 ；
[0051]NMOS管M28與M33的源極相連構(gòu)成差分對，連接到電流源12，且這兩個NMOS管的柵極分別作為運(yùn)算放大器0P5的正向輸入端和負(fù)向輸入端，該正向輸入端與負(fù)向輸入端分別與電流鏡電路2的PMOS管M16和M25的漏極相連；NM0S管M28與M33的漏極分別與PMOS管M29和M32的漏極相連；NM0S管M33的漏極作為運(yùn)算放大器0P5的輸出級；
[0052]PMOS管M30與M31的柵極相連，構(gòu)成有源電流鏡結(jié)構(gòu)；PM0S管M30和M31的源極與光傳感器的輸入電源VIN相連；PM0S管M30的漏極分別與PMOS管M29的漏極相連；；PM0S管M31的漏極分別與PMOS管M32的漏極相連；
[0053]PMOS管M29與M32的柵極相連，構(gòu)成有源電流鏡的負(fù)載；PM0S管M29、M30、M31、M32構(gòu)成共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)；
[0054]電容C2與運(yùn)算放大器0P5的輸出級相連,構(gòu)成運(yùn)算放大器0P5的輸出負(fù)載；
[0055]NMOS管M27的柵極與運(yùn)算放大器0P5的輸出端相連，構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，使NMOS管M28與M33的柵極電壓相等。
[0056]本實(shí)施例2的工作原理是:
[0057]從零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I的NMOS管M14的源極將零溫度系數(shù)電流輸入到電流鏡電路2的PMOS管M15的漏極，從電流鏡電路2的PMOS管M25的漏極輸出參考電流；通過在電流鏡電路2的PMOS管M25的漏極和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I的NMOS管M14的源極之間加入溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路3，使電流鏡電路2和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路I的PMOS管M16和M25的漏極電壓相等，并且PMOS管M16和M25的源極電壓相等；由于這兩個PMOS管的漏源電壓相等，消除了因?yàn)殡娫措妷鹤兓斐傻碾娏麋R電路和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路的PMOS管M16和M25的漏源電壓變化不一致的問題，從而抑制了溝道調(diào)制效應(yīng)，使參考電流不隨電源電壓變化而變化，提高了線性調(diào)整度。[0058]以上僅是本發(fā)明的兩個最佳實(shí)例，不構(gòu)成對本發(fā)明的任何限制，顯然在本發(fā)明的構(gòu)思下，可以對其電路進(jìn)行不同的變更與改進(jìn)，但這些均在本發(fā)明的保護(hù)之列。
【權(quán)利要求】
1.一種用于光傳感器的電流基準(zhǔn)電路，包括: 零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路(1)，用于產(chǎn)生零溫度系數(shù)電流； 電流鏡電路(2)，用于產(chǎn)生鏡像電流； 其特征在于:在零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路(1)的輸出端與電流鏡電路(2)的輸出端之間連接有溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路(3)，用于控制電流鏡電路(2)的輸出端電壓與零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路(1)的輸出端電壓相等，以抑制電流鏡結(jié)構(gòu)中溝道調(diào)制效應(yīng)帶來的誤差，降低電源電壓的變化對參考電流精度的影響。
2.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的用于光傳感器的電流基準(zhǔn)電路，其特征在于溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路⑶，包括運(yùn)算放大器0P2和PMOS管M4 ； 所述運(yùn)算放大器0P2，其輸出端與PMOS管M4的柵極相連，其負(fù)向輸入端與電流鏡電路(2)的輸出端C相連，其正相輸入端與電流鏡電路⑵輸入端B和零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路⑴的輸出端A相連，構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，使電流鏡電路⑵輸入端B和其輸出端C電壓相等，以抑制電流鏡結(jié)構(gòu)中溝道調(diào)制效應(yīng)帶來的誤差； 所述PMOS管M4的柵極連接至運(yùn)算放大器0P2的輸出級，其源極連接至電流鏡電路(2)的輸出端C，其漏極作為電流基準(zhǔn)電路的輸出，與運(yùn)算放大器0P2構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，并從其漏極輸出高線性調(diào)整度的參考電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的用于光傳感器的電流基準(zhǔn)電路，其特征在于:零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路(1)的結(jié)構(gòu)之一是，采用運(yùn)算放大器0P3，NMOS管M5，正溫度系數(shù)電阻R2和負(fù)溫度系數(shù)電阻R3構(gòu)成， 所述正溫度系數(shù)的電阻R2與負(fù)溫度系數(shù)電阻R3相連，構(gòu)成零溫度系數(shù)電阻；零溫度系數(shù)電阻一端鏈接到的NOMS管M5的源極，一端連接到地； 所述運(yùn)算放大器0P3的負(fù)相輸入端連接到NMOS管M5的源極，其正相輸入端連接到電流基準(zhǔn)電路的輸入端Vref，該輸入端Vref與零溫度系數(shù)參考電壓相連，構(gòu)成零溫度系數(shù)電壓產(chǎn)生電路，其輸出端與NMOS管M5的柵極相連； 所述NMOS管M5柵極與運(yùn)算放大器0P3的輸出端相連，其漏極與電流鏡電路(2)的輸入端相連，其源極與運(yùn)算放大器0P3的負(fù)相輸入端和零溫度系數(shù)電阻相連；其與運(yùn)算放大器0P3構(gòu)成負(fù)反饋電路，將零溫度系數(shù)的電壓加至零溫度系數(shù)電阻上，產(chǎn)生零溫度系數(shù)電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的用于光傳感器的電流基準(zhǔn)電路，其特征在于:零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路⑴的結(jié)構(gòu)之二是:采用？]?03管肌0、M111、M112、M113，NMOS管18、M19、M110，零溫度系數(shù)電阻R4，電容Cl和電流源Il組成； 所述PMOS管M10、M1l、Ml2、Ml3和NMOS管M8、M9，構(gòu)成共源共柵運(yùn)算放大器0P4 ； 所述NMOS管M8與MlO的源極相連構(gòu)成差分對，連接到電流源II，且這兩個NMOS管的柵極分別作為運(yùn)算放大器0P4的正向輸入端和負(fù)向輸入端，該正向輸入端與負(fù)向輸入端分別與光傳感器內(nèi)部零溫度系數(shù)電壓Vref和NMOS管MlO的柵極相連接；NM0S管M8與MlO的漏極分別與PMOS管MlO和Mll的漏極相連；NM0S管M9的漏極作為運(yùn)算放大器0P4的輸出級； 所述PMOS管M12與M13的柵極相連，構(gòu)成有源電流鏡結(jié)構(gòu)；PM0S管M12與M13的源極與光傳感器的輸入電源VIN相連；PM0S管M12和M13的漏極分別于PMOS管MlO與Mll的漏極相連；所述PMOS管MlO與Mll的柵極相連，構(gòu)成有源電流鏡的負(fù)載； 上述？1?3管肌0^11、112、113構(gòu)成共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)； 所述電容Cl與運(yùn)算放大器0P4的輸出級相連，構(gòu)成運(yùn)算放大器0P4的輸出負(fù)載； 所述NMOS管M14，其漏極與PMOS管M15相連；其源極與零溫度系數(shù)電阻R4 —端相連；其柵極與運(yùn)算放大器0P4的輸出端相連，構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，使零溫度系數(shù)電壓Vref加載在電阻R4上； 所述零溫度系數(shù)電阻R4 —端與NOMS管M14的源極相連，另一端連接到地。
5.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的用于光傳感器的電流基準(zhǔn)電路，其特征在于:電流鏡電路(2)的結(jié)構(gòu)之一是:采用兩個PMOS管M6、M7組成，這兩個PMOS管的柵極相連，構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，該P(yáng)MOS管M7的漏極為輸出端，該P(yáng)MOS管M6的漏極與零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路(I)的輸出級相連，將零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路(I)產(chǎn)生的零溫度系數(shù)電流鏡像至PMOS管M7的漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于光傳感器的電流基準(zhǔn)電路，其特征在于:電流鏡電路(2)的結(jié)構(gòu)之二是:采用 PMOS 管 M15、M16、M17、M18、M19、M22、M23、M24、M25、M26，及 NMOS 管M20、M21 組成； 所述PMOS管M18、M19、M23、M22的柵極相連，構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)；PM0S管M19、M22的漏極分別與NMOS管M20、M21的漏極相連；PM0S管M19、M22的源極與分別與PMOS管M18、M23的漏極相連； 所述NMOS管M20、M21的柵極相連，構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)； 上述PMOS管M18、M19、M23、M22，NMOS管M20、M21構(gòu)成自偏置電路，為共源共柵電流鏡提供直流偏置； 所述PMOS管M16、M17、M24、M25的柵極相連，構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)；PM0S管M16和M25的漏極分別與PMOS管M15、M26的源極相連； 所述PMOS管M15、M26，其漏極分別與零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路⑴的輸出端、溝道調(diào)制效應(yīng)抑制電路(3)的輸入端相連；其源極分別與PMOS管M16、M25源極相連，構(gòu)成共源共柵電流鏡的負(fù)載。
【文檔編號】G05F3/16GK103926971SQ201410163920
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月22日
【發(fā)明者】來新泉, 王瑋, 李佳佳, 邵麗麗 申請人:西安電子科技大學(xué)