低阻抗參考電壓發(fā)生裝置和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種低阻抗參考電壓發(fā)生裝置和系統(tǒng)。該裝置包括：包含提供輸出電壓的第一晶體管的電壓控制回路；和感測流過第一晶體管的相對于參考電流的電流的電流控制回路。與傳統(tǒng)參考發(fā)生器相比具有基本上更小的功耗的低阻抗。
【專利說明】低阻抗參考電壓發(fā)生裝置和系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及低阻抗參考電壓發(fā)生裝置和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]提供低阻抗參考電壓的電路具有高功耗。例如，在IV的電源電壓下，傳統(tǒng)的低阻抗參考發(fā)生器要消耗超過5mA來提供低阻抗參考電壓。現(xiàn)今的計(jì)算機(jī)和模擬電路在低電源電壓下運(yùn)行并且優(yōu)選地具有低功耗和小尺寸，這使得傳統(tǒng)的低阻抗參考發(fā)生器的使用面臨挑戰(zhàn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]以較低功耗提供低阻抗參考電壓是公知的挑戰(zhàn)。本實(shí)用新型的實(shí)施例涉及與傳統(tǒng)參考發(fā)生器相比具有基本上更小的功耗的低阻抗參考電壓發(fā)生器的裝置和系統(tǒng)。
[0004]下文提供了本實(shí)用新型的實(shí)施例的簡略概述以便提供對實(shí)施例的一些方面的基本理解。該概述不是對本實(shí)用新型的實(shí)施例的廣泛綜述。該概述既不是要指明這些實(shí)施例的關(guān)鍵或重要特征也不是要敘述這些實(shí)施例的范圍。其唯一目的是以簡單形式提供本實(shí)用新型的實(shí)施例的一些概念，將其作為下面介紹的【具體實(shí)施方式】的開頭。
[0005]在一個(gè)實(shí)施例中，提供了 一種低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其特征在于，所述低阻抗參考電壓發(fā)生裝置包括:電壓控制回路，其包括提供輸出電壓的第一晶體管；以及電流控制回路，其感測流過所述第一晶體管的相對于參考電流的電流。
[0006]在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)，其特征在于，所述低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)包括:具有參考發(fā)生器的處理器，所述參考發(fā)生器包括:電壓控制回路，其包括提供輸出電壓的第一晶體管；以及電流控制回路，其感測流過所述第一晶體管的相對于參考電流的電流；以及將所述處理器通信鏈接到無線網(wǎng)絡(luò)的無線天線。
[0007]在一個(gè)實(shí)施例中，提供了 一種低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其特征在于，所述低阻抗參考電壓發(fā)生裝置包括:用于經(jīng)由耦合到電流控制回路的電壓控制回路提供低阻抗輸出電壓的模塊；以及用于感測流過所述電壓控制回路的第一晶體管的相對于參考電流的電流的模塊。
[0008]在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)，其特征在于，所述低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)包括:具有參考發(fā)生器的處理器，其中所述參考發(fā)生器是上述低阻抗參考電壓發(fā)生裝置；以及將所述處理器通信鏈接到無線網(wǎng)絡(luò)的無線天線。
[0009]下面的【具體實(shí)施方式】和附圖詳細(xì)闡述了本實(shí)用新型的實(shí)施例的特定示例性方面。然而，這些方面僅指示了可以采用本實(shí)用新型的實(shí)施例的原理的各種方式中的若干種方式。本實(shí)用新型的實(shí)施例旨在包含落入所附權(quán)利要求書的寬泛范圍內(nèi)的所有等價(jià)物，其形式例如為替換、修改和變型。通過下文結(jié)合附圖來考慮本實(shí)用新型的實(shí)施例的【具體實(shí)施方式】，本實(shí)用新型的其它優(yōu)點(diǎn)和新穎性特征將變得顯而易見。【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]從本公開內(nèi)容的各種實(shí)施例的下面的詳細(xì)描述和附圖中可以更全面地理解本公開內(nèi)容的實(shí)施例，但不應(yīng)將其理解為將本公開內(nèi)容限制為具體實(shí)施例，而僅用于解釋和理解。
[0011]圖1是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的低阻抗參考電壓發(fā)生器的電路。
[0012]圖2是示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的圖1的電路的細(xì)節(jié)的示意圖。
[0013]圖3是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的使用低阻抗參考電壓發(fā)生器的輸入-輸出(I/O)系統(tǒng)。
[0014]圖4是根據(jù)本公開內(nèi)容的另一個(gè)實(shí)施例的低阻抗參考電壓發(fā)生器的電路。
[0015]圖5是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的包括具有低阻抗參考電壓發(fā)生器的處理器的智能設(shè)備的系統(tǒng)級示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]這里所述的實(shí)施例利用輸出晶體管的跨導(dǎo)來實(shí)現(xiàn)低輸出阻抗。在一個(gè)實(shí)施例中，在跨導(dǎo)電流比(gm:1d)高的情況下，與傳統(tǒng)電壓發(fā)生器相比，在低阻抗參考電壓發(fā)生器的輸出晶體管中的靜態(tài)電流減小。對于η溝道或P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體(NM0S/PM0S)器件來說，高gm:1d比將約為15:1，低gm:1d比將約為6:1。雙極結(jié)型晶體管(BJT)在室溫下的gm:1d比固定在約40:1。
[0017]在這里所討論的實(shí)施例中，除了電壓-控制回路之外，還應(yīng)用電流-感測和電流-控制回路來提供低阻抗參考電壓。這里所討論的電流-控制回路通過輸出晶體管來固定靜態(tài)電流，將它們從偏置電壓的值退耦。在這里所討論的實(shí)施例中，在電流-控制回路中利用共源極(或共發(fā)射極)晶體管來避免在傳統(tǒng)推挽式源極跟隨器(或發(fā)射極跟隨器)參考電壓電路布局中所觀察到的有限的輸出范圍問題，從而產(chǎn)生了寬的輸出電壓范圍。例如，當(dāng)在IV電源電壓的過程(process)中對其進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，這里所述的電路的輸出電壓范圍約為600mV。相反，在IV電源電壓的過程中所設(shè)計(jì)的推挽級的輸出電壓范圍約為300mV。這里討論的共源極晶體管也提供控制/調(diào)整靜態(tài)電流的模塊。
[0018]在一個(gè)實(shí)施例中，裝置包括:包括用于提供一輸出電壓的第一晶體管的電壓-控制回路；和電流-控制回路，用于感測流過該第一晶體管的相對于參考電流的電流。在一個(gè)實(shí)施例中，電流-控制回路包括第二晶體管，其與第一晶體管串聯(lián)耦合，第二晶體管用于提供流過第一和第二晶體管的恒定電流。
[0019]在一個(gè)實(shí)施例中，裝置包括第一電容器，其具有耦合到電流-控制回路的第二放大器的輸出端和第二晶體管的輸入端的第一節(jié)點(diǎn)，以及耦合到第一晶體管和第二晶體管的一端子的第二節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，裝置進(jìn)一步包括:第二電容器，其具有耦合到電壓-控制回路的第一放大器的輸出端的第一節(jié)點(diǎn)，以及耦合到電源節(jié)點(diǎn)或地的第二節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管是源極跟隨器(或發(fā)射極跟隨器)，并且其中第二晶體管是共源極的(或共發(fā)射極晶體管)。
[0020]在一個(gè)實(shí)施例中，第一放大器用于經(jīng)由耦合到第一放大器的第一晶體管提供相對于參考電壓的輸出電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，第二放大器用于為與第一晶體管串聯(lián)I禹合的第二晶體管生成一輸入信號，第二晶體管用以提供流過第一和第二晶體管的相對于參考電流的恒定電流。
[0021]在一個(gè)實(shí)施例中，第一電容器的第一節(jié)點(diǎn)耦合到第二放大器的輸出端和第二晶體管的輸入端。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電容器的第二節(jié)點(diǎn)耦合到第一晶體管的一端子和第二晶體管的一端子，其中第一電容器的第二節(jié)點(diǎn)耦合到第一放大器的輸入端，第一電容器的第二節(jié)點(diǎn)提供參考電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，第二電容器的第一節(jié)點(diǎn)耦合到第一放大器的輸出端和第一晶體管的輸入端，其中第二電容器具有耦合到電源節(jié)點(diǎn)或地的第二節(jié)點(diǎn)。
[0022]在一個(gè)實(shí)施例中，裝置進(jìn)一步包括第一電阻器，其具有耦合到第二放大器的第一輸入端和第一晶體管的一端子的第一節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，裝置進(jìn)一步包括第二電阻器，其具有耦合到第二放大器的第二輸入端和提供參考電流的參考電流發(fā)生器的第一節(jié)點(diǎn)。
[0023]在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)包括:處理器，其具有根據(jù)這里所述的裝置的參考發(fā)生器；和無線天線，用于將處理器通信鏈接到無線網(wǎng)絡(luò)。在一個(gè)實(shí)施例中，參考發(fā)生器用于提供下述的至少一個(gè):用于輸入-輸出(I/O)接收器的終端電阻器的共模電壓，用于I/O發(fā)送器的參考電壓，或用于模擬電路的參考電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，I/o接收器為滿足快捷外設(shè)互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)(PCIe)基礎(chǔ)規(guī)范中所述的規(guī)范的PCIe I/O接收器，所述快捷外設(shè)互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)(PCIe)基石出規(guī)范例如為 Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) Base SpecificationRevision3.0, Version0.9, Aug.10, 2010 (快捷外設(shè)互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)(PCIe)基礎(chǔ)規(guī)范修訂 3.0,0.9版,2010年8月10日)。在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)進(jìn)一步包括顯示單元,該顯示單元為觸摸屏。
[0024]這里所討論的實(shí)施例具有很多技術(shù)效果。例如，這里討論的低阻抗參考電壓發(fā)生器的實(shí)施例能提供在零到4GHz頻率范圍的_6dB共模(CM)回?fù)p和超過4GHz頻率范圍的-3dB共模回?fù)p。這里討論的低阻抗參考發(fā)生器提供低阻抗參考電壓，其功耗小于傳統(tǒng)低阻抗參考電壓發(fā)生器的 功耗的一半。
[0025]例如，相比于傳統(tǒng)低阻抗參考電壓發(fā)生器所消耗的高于5mA，這里討論的低阻抗參考發(fā)生器消耗2mA。這里討論的低阻抗參考電壓發(fā)生器針對過程、溫度和電源電壓(PVT)的變化以及不同的輸出電壓，提供寬輸出電壓范圍和恒定的靜態(tài)功耗，這增大了其對于通用模擬電路設(shè)計(jì)的可重復(fù)使用性。可以通過這里討論的實(shí)施例預(yù)期到其他的技術(shù)效果。
[0026]在下面的說明中，所討論的許多細(xì)節(jié)用于提供對本公開內(nèi)容的實(shí)施例的更充分的解釋。但是，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯的是，本公開內(nèi)容的實(shí)施例在實(shí)施時(shí)可以不需要這些具體的細(xì)節(jié)。在其他情況下，公知的結(jié)構(gòu)和器件以框圖形式示出而非具體地示出，以避免使本公開內(nèi)容的實(shí)施例不清楚。
[0027]應(yīng)注意到在實(shí)施例的相應(yīng)附圖中，用線來代表信號。一些線可能較粗，以指示更多的構(gòu)成信號路徑，和/或在一端或多個(gè)端具有箭頭，以指示主要的信息流向。這些標(biāo)識并不意味著有限定作用。實(shí)際上，結(jié)合一個(gè)或多個(gè)示意性實(shí)施例而使用的線是為了更容易理解電路或邏輯單元。任何描繪的信號，根據(jù)設(shè)計(jì)的需要或偏好，實(shí)際上可以包括可以在兩個(gè)方向中的任一方向上傳播并利用任何合適類型的信號方案來實(shí)施的一個(gè)或多個(gè)信號。
[0028]在整個(gè)說明書中以及在權(quán)利要求中，術(shù)語“連接”的意思是被連接的物體之間的直接電連接，而沒有任何中間器件。術(shù)語“耦合”的意思是被連接的物體之間的直接電連接，或者通過一個(gè)或多個(gè)無源或有源中間元件的非直接連接。術(shù)語“電路”的意思是被設(shè)置成相互配合以提供所需要的功能的一個(gè)或多個(gè)無源和/或有源部件。術(shù)語“信號”的意思是至少一個(gè)電流信號、電壓信號或數(shù)據(jù)信號?！耙弧焙汀霸摗钡囊馑及ǘ鄠€(gè)的情況?！霸凇小钡囊馑及ā霸凇小焙汀霸凇稀薄?br> [0029]這里所使用的，除非特別指出，使用序數(shù)形容詞“第一”、“第二”和“第三”等來描述共同的物體僅表示提及的是相似的物體的不同的例子，而并不意味著暗示所述的物體必須采取給定的順序，不論是時(shí)間的、空間的、排序或任何其他方式的順序。術(shù)語“基本上”這里指的是在目標(biāo)的10%的范圍內(nèi)。
[0030]為了這里所述的實(shí)施例，晶體管為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，包括漏極、源極、柵極和體端子。源極和漏極端子是相同的端子并且在這里可互換地使用。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解也可以使用其他晶體管(雙極結(jié)型晶體管一 BJT PNP/NPN、BiCMOS、CMOS、eFET等等)而并不脫離本公開內(nèi)容的范圍。術(shù)語“麗”在這里表示η型晶體管(例如NMOS、NPNBJT等等)，而術(shù)語“ΜΡ”表示P型晶體管(例如PMOS、PNP BJT等等)。
[0031]圖1是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的低阻抗參考電壓發(fā)生器100的電路。在一個(gè)實(shí)施例中，低阻抗參考電壓發(fā)生器100包括:電壓-控制回路，其包括在節(jié)點(diǎn)V。提供輸出電壓的第一晶體管麗I。該電壓-控制回路表不為由第一放大器101、第一晶體管麗I和輸出電壓節(jié)點(diǎn)V。形成的電路回路。在一個(gè)實(shí)施例中，低阻抗參考電壓發(fā)生器100進(jìn)一步包括電流-控制回路，以感測流過第一晶體管MNl的相對于參考電流IMf的電流。在一個(gè)實(shí)施例中，電流-控制回路包括與第一晶體管麗I串聯(lián)耦合的第二晶體管麗2，第二晶體管麗2用于提供流過第一和第二晶體管(分別為MNl和ΜΝ2)的恒定電流。電流-控制回路表示為由第二放大器102、第二晶體管麗2、第一晶體管麗I和電壓節(jié)點(diǎn)V。形成的電流回路。
[0032]在一個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管MNl是源跟隨器或發(fā)射極跟隨器，而第二晶體管ΜΝ2是共源極或共發(fā)射極晶體管。第一和第二放大器101和102分別是單級或多級運(yùn)算放大器(OPAMP)0在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二放大器101和102分別最小化V。和V,ef之間的電壓差和節(jié)點(diǎn)104和106之間的電壓差。在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二放大器的晶體管被匹配以消除由過程、溫度和電壓(PVT)的變化引起的系統(tǒng)誤差。
[0033]在一個(gè)實(shí)施例中，低阻抗參考電壓發(fā)生器包括第一電容器Cc2，其具有耦合到電流控制回路的第二放大器102的輸出端的第一節(jié)點(diǎn)103。在該實(shí)施例中，第一電容器Cc2的第一節(jié)點(diǎn)103也耦合到第二晶體管麗2的輸入端。當(dāng)?shù)诙w管麗2是WOS晶體管時(shí)，第二晶體管麗2的輸入端為柵極端子。類似的，當(dāng)?shù)诙w管麗2是NPN BJT晶體管時(shí)，第二晶體管MN2的輸入端為基極端子。
[0034]在一個(gè)實(shí)施例中，第一電容器Cc2的第二節(jié)點(diǎn)V。耦合到第一晶體管MNl的一端子。在該實(shí)施例中，第一晶體管MNl的耦合到第一電容器Cc2的第二節(jié)點(diǎn)的端子為源極端子(當(dāng)麗I為NMOS晶體管時(shí))或發(fā)射極端子(當(dāng)麗I為NPN BJT晶體管時(shí))。
[0035]在一個(gè)實(shí)施例中，第一電容器Cc2的第二端子(耦合到輸出節(jié)點(diǎn)Vtl)也耦合到第二晶體管的一端子。在該實(shí)施例中，第二晶體管MN2的耦合到第一電容器Cc2的第二節(jié)點(diǎn)的端子為漏極端子(當(dāng)麗2為NMOS晶體管時(shí))或集電極端子(當(dāng)麗2為NPN BJT晶體管時(shí))。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電容器Cc2的第二節(jié)點(diǎn)(耦合到輸出節(jié)點(diǎn)V。)耦合到第一放大器101的輸入端，第二節(jié)點(diǎn)(耦合到輸出節(jié)點(diǎn)V。)提供輸出低阻抗參考電壓。在該實(shí)施例中，第一放大器101的稱合到輸出節(jié)點(diǎn)V。的輸入端是第一放大器101的負(fù)輸入端,而參考電壓Vref率禹合到第一放大器101的正端子。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電容器Cc2的電容范圍是500fF到IpF0[0036]在一個(gè)實(shí)施例中，低阻抗參考電壓發(fā)生器100進(jìn)一步包括第二電容器Cb，其具有耦合到電壓控制回路的第一放大器MNl的輸出端的第一節(jié)點(diǎn)107和耦合到電源節(jié)點(diǎn)Vcc(或圖4中的地)的第二節(jié)點(diǎn)?；貋韰⒄請D1，在一個(gè)實(shí)施例中，第二電容器Cb的第一節(jié)點(diǎn)107耦合到第一晶體管麗I的輸入端。當(dāng)?shù)谝痪w管麗I是NMOS晶體管時(shí)，第一晶體管麗I的輸入端是柵極端子。類似地，當(dāng)?shù)谝痪w管MNl是NPN BJT晶體管時(shí)，第一晶體管MNl的輸入端為基極端子。在一個(gè)實(shí)施例中，第二電容器Cb的電容為IpF左右。
[0037]在一個(gè)實(shí)施例中，第一放大器101用于經(jīng)由耦合到第一放大器101的第一晶體管MNl提供相對于參考電壓Vref的輸出電壓￥。(也可被稱為輸出節(jié)點(diǎn)V。)。在一個(gè)實(shí)施例中，參考電壓可以由任何已知的電源產(chǎn)生。例如，Vref可以由帶隙電路、分壓器等產(chǎn)生。盡管Vref的范圍取決于應(yīng)用，但是在具有IV電源的過程中，通常的Vref可以具有從50mV到650mV的范圍。
[0038]在一個(gè)實(shí)施例中，第二放大器102用于使相對于參考電流IMf的恒定電流流過第一晶體管MN1。在一個(gè)實(shí)施例中，Iref由任何已知的電流參考發(fā)生器產(chǎn)生。在一個(gè)實(shí)施例中，第二放大器102用于為與第一晶體管MNl串聯(lián)稱合的第二晶體管MN2產(chǎn)生一輸入信號103,第二晶體管麗2提供分別流過第一和第二晶體管麗I和麗2的恒定電流。
[0039]在一個(gè)實(shí)施例中，低阻抗參考電壓發(fā)生器100進(jìn)一步包括第一電阻器108，其包括率禹合到第二放大器102的第一輸入端和第一晶體管MNl的一端子的第一節(jié)點(diǎn)104。在該實(shí)施例中，耦合到第一電阻器108的第一晶體管麗I的該端子是麗I的漏極端子104 (或集電極端子，當(dāng)麗I是BJT時(shí))。在一個(gè)實(shí)施例中，耦合到第一晶體管麗I的該端子的第二放大器102的第一輸入端為第二放大器102的正端子。
[0040]在一個(gè)實(shí)施例中，低阻抗參考電壓發(fā)生器100進(jìn)一步包括第二電阻器109和提供參考電流的參考電流發(fā)生器Iref,所述第二電阻器109包括耦合到第二放大器102的第二輸入端的第一節(jié)點(diǎn)106。在該實(shí)施例中，第二放大器102的第二輸入端是第二放大器102的負(fù)端子。在一個(gè)實(shí)施例中，第二電阻器109的電阻為NRs，是(第一電阻器108的)第一電阻Rs的倍數(shù)，其中“N”為整數(shù)。在其他實(shí)施例中，“N”是分?jǐn)?shù)。
[0041]雖然這里的實(shí)施例中給出的是第一電阻器108和第二電阻器109作為分立的無源電阻器的情況，第一電阻器108和第二電阻器109可以是有源器件。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電阻器108和第二電阻器109被實(shí)施為通路門，該通路門具有與η型晶體管串聯(lián)耦合的P型晶體管。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電阻器108和第二電阻器109被實(shí)施為η型晶體管。在一個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管108和第二晶體管109被實(shí)施為P型晶體管。在一個(gè)實(shí)施例中，形成第一電阻器108和第二電阻器109的η型和P型晶體管具有可編程電阻，即η型和ρ型晶體管可以以任意組合導(dǎo)通和關(guān)斷，從而提供需要的電阻。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電阻器108和第二電阻器109具有150歐姆的電阻。
[0042]在這里討論的實(shí)施例中，第一電阻器108和第二電阻器109為匹配電阻器。術(shù)語“匹配”在這里指的是電阻器的相同布局，包括相同布局的整數(shù)倍，使得一個(gè)器件的電流-電壓特性為另一個(gè)的固定的倍數(shù)。例如，第二電阻器109的電阻是第一電阻器108的電阻的分?jǐn)?shù)或整數(shù)倍。
[0043]在一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)PCIe規(guī)范，輸出節(jié)點(diǎn)V。為圖1中所示的端阻抗105提供共?；?fù)p。在其他實(shí)施例中，輸出節(jié)點(diǎn)V?？梢杂糜跒槠渌娐诽峁﹨⒖茧妷?。例如，輸出節(jié)點(diǎn)V。可以用于為發(fā)送器電路提供參考電壓。作為另一個(gè)實(shí)施例，輸出節(jié)點(diǎn)V。也可以用于減小偏壓線上的耦合噪聲。
[0044]在一個(gè)實(shí)施例中，通過設(shè)置流過源極跟隨器(或發(fā)射極跟隨器)晶體管MNl的靜態(tài)電流和在源極跟隨器(或發(fā)射極跟隨器)晶體管MNl的柵極端子(或基極)設(shè)置合適的電壓，在輸出節(jié)點(diǎn)V。產(chǎn)生低阻抗偏置信號。在該實(shí)施例中，由負(fù)反饋的第一放大器101形成的電壓-控制回路將源極跟隨器晶體管麗I的源極(節(jié)點(diǎn)V。)的電壓與參考電壓Vref進(jìn)行比較。在該實(shí)施例中，第一放大器101放大源極(節(jié)點(diǎn)V。)的電壓和參考電壓VMf之間的差值。在一個(gè)實(shí)施例中，第一放大器101驅(qū)動源極跟隨器晶體管MNl的柵極端子以最小化(例如IOmV以內(nèi))輸出電壓V。和參考電壓Vraf之間的差值。在一個(gè)實(shí)施例中，輸出電壓V。和參考電壓Vref之間的差值最小化至零。
[0045]在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)電壓控制回路最小化節(jié)點(diǎn)Vtl上的輸出電壓和參考電壓Vref之間的差值(例如，使其在IOmV以內(nèi))時(shí)，電流控制回路同時(shí)運(yùn)行。在一個(gè)實(shí)施例中，經(jīng)由第二放大器102感測到流過源極跟隨器晶體管MNl的靜態(tài)電流流過第一電阻器108。
[0046]在這個(gè)實(shí)施例中，第二放大器102將流過第一電阻器108的電流與流過匹配的第二電阻器109的參考電流Iref進(jìn)行比較。在該實(shí)施例中，流過第一電阻器108的電流和參考電流Iief的倍數(shù)之間的差值被第二放大器102放大。在一個(gè)實(shí)施例中，第二放大器102用于驅(qū)動共源極(或共發(fā)射極)晶體管MN2的柵極(或基極)端子，以便最小化參考電流IMf的倍數(shù)和源跟隨器晶體管MNl和共源極晶體管MN2的靜態(tài)電流之間的差值。在該實(shí)施例中，電壓控制回路和電流控制回路將節(jié)點(diǎn)V。的輸出電壓和分別流過第一和第二晶體管MNl和麗2的電流都固定。如這里所解釋的，電壓控制回路和電流控制回路降低了節(jié)點(diǎn)V。處所有頻率的偏置信號的阻抗。
[0047]在一個(gè)實(shí)施例中，在低頻時(shí)，通過電壓控制反饋回路和電流控制反饋回路二者的同步運(yùn)行，在節(jié)點(diǎn)V。實(shí)現(xiàn)低阻抗。術(shù)語“低頻”在這里指的是小于100MHZ的頻率或電容器Cb和Cc2功能性電開路(open)時(shí)的頻率。
[0048]例如，當(dāng)偏置信號節(jié)點(diǎn)Vtl上的電壓下降時(shí)，通過電壓控制回路的負(fù)反饋迫使源極跟隨器(或發(fā)射極跟隨器)晶體管MNl的節(jié)點(diǎn)107處的柵極(或基極)電壓更高。隨著源極跟隨器(或發(fā)射極跟隨器)晶體管MNl的節(jié)點(diǎn)107處的柵極(或基極)電壓升高，源極跟隨器晶體管麗I獲得更多的電流，從而抵消在偏置信號節(jié)點(diǎn)Vtl上的電壓的下降。同時(shí)，流過源極跟隨器(或發(fā)射極跟隨器)晶體管MNl的電流增加被電流控制回路感測到，這導(dǎo)致共源極(或共發(fā)射極)晶體管MN2 (第二晶體管)吸收(sink)更少的電流。在該實(shí)施例中，電流控制回路也抵消了偏置信號節(jié)點(diǎn)Vtl上的電壓的下降。偏置信號節(jié)點(diǎn)Vtl上的電壓的上升在電壓控制回路和電流控制回路中產(chǎn)生相似的效果。
[0049]在中高頻，第一電容器Cc2 (也稱為旁路電容器)和第二電容器Cb (也稱為退耦電容器)被短路，導(dǎo)致通過第一和第二放大器101和102的回路增益分別降低。當(dāng)?shù)诙娙萜鰿c2短路時(shí)，向第一晶體管MNl的源極(或發(fā)射極)節(jié)點(diǎn)看過去，在節(jié)點(diǎn)Vtl提供l/gm的阻抗，并且向第二晶體管MN2的漏極看過去提供l/gm的阻抗，其中g(shù)m是第一和第二晶體管MNl和麗2的跨導(dǎo)。這導(dǎo)致向電路100看過去，阻抗與節(jié)點(diǎn)Vtl處的Vg111成正比。
[0050]術(shù)語“中高頻”在這里指的是大于100MHZ的頻率，或電容器Cb和Cc2功能性電短路時(shí)的頻率。[0051]例如，當(dāng)偏置信號節(jié)點(diǎn)Vtl上的電壓下降，源極跟隨器晶體管麗I獲得更多的電流。同時(shí)，共源極晶體管麗2的節(jié)點(diǎn)103的柵極電壓下降，從而導(dǎo)致晶體管麗2吸收更少的電流。這兩種作用抵消了在輸出節(jié)點(diǎn)Vtl處的偏置信號的下降。在偏置信號節(jié)點(diǎn)Vtl上的電壓的升高分別在第一和第二晶體管MNl和MN2上產(chǎn)生類似的效果。
[0052]圖2是展示了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的圖1的電路100的細(xì)節(jié)的示意圖200。圖2提供了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的可以分別用于第一和第二放大器101和102的放大器電路的細(xì)節(jié)。在其他實(shí)施例中，在不改變本公開內(nèi)容的實(shí)施例的實(shí)質(zhì)的情況下可以使用用于第一和第二放大器101和102的其他電路。為了使本公開內(nèi)容的實(shí)施例不至于模糊，不討論第一和第二放大器設(shè)計(jì)的操作。晶體管柵極上的斜線(例如在晶體管柵極麗3和MN4上的斜線)表示晶體管柵極連接到一合適的偏置電路。為了使本公開內(nèi)容的實(shí)施例不至于模糊，未不出偏置電路。
[0053]在一個(gè)實(shí)施例中，第一放大器101包括具有輸入晶體管MPl和MP2的ρ型差分放大器。選擇具有輸入晶體管MPl和ΜΡ2的ρ型差分放大器的一個(gè)原因是適應(yīng)第一放大器101的低輸入共模電壓，這是V。和Vref的低輸出電壓要求的結(jié)果。在一個(gè)實(shí)施例中，第一放大器101的η型晶體管ΜΝ9和MNlO與主要輸出支路的源極跟隨器(或發(fā)射極跟隨器)晶體管MNl (圖1)和共源極(或共發(fā)射極)晶體管ΜΝ2 (圖1)相匹配。第一放大器101的晶體管MP3和MP4為輸入對晶體管MPl和ΜΡ2提供電流源，而晶體管麗I和麗2為輸入對晶體管MPl和ΜΡ2提供有源負(fù)載。
[0054]晶體管ΜΝ3、ΜΝ4、ΜΝ5、ΜΝ6、ΜΡ7、ΜΡ8、ΜΡ5 和 ΜΡ6 形成了第一放大器 101 的第一級的其他部分，在該實(shí)施例中該第一級是折疊式共源共柵級。晶體管ΜΝ8、麗10和ΜΡ9形成了為放大器提供額外的增益的放大器101中的第二增益級，為主要輸出支路的第一晶體管麗I (圖1)建立正確的偏壓，并且使第一晶體管麗I (圖1)的柵極電壓從放大器101的第一級的靜態(tài)輸出電壓退耦。在一個(gè)實(shí)施例中，在放大器101的第二級中的偏置晶體管一晶體管麗10的電流密度與流過主要輸出支路的晶體管麗I (圖1)和麗2 (圖1)的電流密度相匹配。電容器Ce是第一放大器101的補(bǔ)償電容器。晶體管ΜΝ9和麗7形成了反饋源極跟隨器，以防止通過Ce的前饋-零點(diǎn)(feedforward-zero)。
[0055]在一個(gè)實(shí)施例中，第二放大器102包括具有輸入晶體管麗I和麗2的η型差分放大器。選擇具有輸入晶體管MPl和ΜΡ2的η型差分放大器的一個(gè)原因是放大器102的高輸入共模電壓，這是位于電源和第二放大器102的輸入端之間的第一電阻器108和第二電阻器109的小電壓降的結(jié)果。在一個(gè)實(shí)施例中，第二放大器102的晶體管麗5和ΜΝ6與源極跟隨器晶體管MNl (圖1中的第一晶體管)和共源極晶體管ΜΝ2 (圖1中的第二晶體管)相匹配，從而最小化過程變化的影響。第二放大器102的晶體管麗3和ΜΝ4為輸入對晶體管麗I和麗2提供電流源，而晶體管ΜΡ1、ΜΡ2、ΜΡ3和MP4為第一和第二晶體管麗I和麗2 (圖1)的漏極節(jié)點(diǎn)提供高阻抗，這迫使信號電流流過共源共柵器件ΜΡ5和ΜΡ6。晶體管ΜΡ5和ΜΡ6形成共源共柵器件，其使輸入器件麗I和麗2的漏極端子的高靜態(tài)電壓電平移位到麗5和ΜΝ6的漏極所需要的低靜態(tài)電壓。
[0056]圖3是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的使用低阻抗參考電壓發(fā)生器100的輸入-輸出(I/O)系統(tǒng)300。在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)300包括經(jīng)由差分傳輸介質(zhì)304耦合到處理器303的處理器301。在一個(gè)實(shí)施例中，傳輸介質(zhì)304是單端傳輸介質(zhì)。在一個(gè)實(shí)施例中，低阻抗參考電壓發(fā)生器100用于為I/O發(fā)送器302提供低阻抗參考電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，低阻抗參考電壓發(fā)生器100/307耦合到接收器306，以提供低阻抗共模(CM)參考電壓，該低阻抗共模(CM)參考電壓在零到4GHz的頻率范圍內(nèi)具有_6dB的CM回?fù)p且在高于4GHz的頻率時(shí)具有_3dB的CM回?fù)p。在該實(shí)施例中，如圖1所示，輸出節(jié)點(diǎn)Vtl耦合到終端電阻，其中輸出節(jié)點(diǎn)也耦合到I/O焊盤305和接收器306。在其他實(shí)施例中，低阻抗參考電壓發(fā)生器100可用于任何需要低阻抗參考電壓的電路。
[0057]圖4為根據(jù)本公開內(nèi)容的另一實(shí)施例的低阻抗參考電壓發(fā)生器400的電路。圖4的實(shí)施例與圖1的實(shí)施例類似，只是設(shè)計(jì)是反轉(zhuǎn)的。圖4是圖1的基于η型的低阻抗參考電壓發(fā)生器100的P型實(shí)施方式。
[0058]在該實(shí)施例中，圖1中的第一 η型晶體管MNl (η型源極跟隨器)被P型源極跟隨器(或發(fā)射極跟隨器)晶體管MPl替換，而圖1中的第二 η型晶體管ΜΝ2 (η型共發(fā)射極)被P型共源極(或共發(fā)射極)晶體管ΜΡ2替換。在一個(gè)實(shí)施例中，第一放大器401通過η型差分輸入對晶體管實(shí)現(xiàn)，而第二放大器402通過ρ型差分輸入對晶體管實(shí)現(xiàn)。
[0059]在該實(shí)施例中，第一電容器Cc2的稱合方式與圖1中的第一電容器Cc2類似。在該實(shí)施例中，第二電容器Cb具有耦合到第一放大器401的輸出端的第一節(jié)點(diǎn)，而第二電容器Cb的第二節(jié)點(diǎn)耦合到地或電源節(jié)點(diǎn)。該實(shí)施例中第一電阻器408和第二電阻器409耦合在接地端子和第二放大器402的輸入節(jié)點(diǎn)之間。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電阻器408和第二電阻器409實(shí)施為如圖所示的通路晶體管。在其他實(shí)施例中，可以使用其他形式的線性電阻器。圖4中的實(shí)施例提供了比圖1的實(shí)施例所能到達(dá)的參考電壓更高的參考電壓。
[0060]圖5是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的智能器件1600的系統(tǒng)級示意圖，該智能器件1600包括具有低阻抗參考電壓發(fā)生器100/400的處理器。圖5也示出了移動設(shè)備的實(shí)施例的方塊圖，在該移動設(shè)備中可以使用平面接口連接器。在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算設(shè)備1600代表移動計(jì)算設(shè)備，例如平板電腦、移動電話或智能電話、支持無線功能的電子閱讀器、或其他無線移動設(shè)備?？梢岳斫獾氖?，某些部件是一般性地展示的，并且并非所有的這樣的設(shè)備的部件都在設(shè)備1600中示出。
[0061]在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算設(shè)備1600包括根據(jù)這里討論的實(shí)施例的具有電路100/400的第一處理器1610和具有電路100/400的第二處理器1690。
[0062]本公開內(nèi)容的各種實(shí)施例也可以包括在1670中的網(wǎng)絡(luò)接口(例如無線接口)，使得系統(tǒng)實(shí)施例可以被包括在無線設(shè)備中，例如手機(jī)或個(gè)人數(shù)字助理。
[0063]在一個(gè)實(shí)施例中，處理器1610可以包括一個(gè)或多個(gè)物理設(shè)備,例如微處理器、應(yīng)用處理器、微控制器、可編程邏輯器件、或其他處理裝置。由處理器1610實(shí)施的處理操作包括對操作平臺或操作系統(tǒng)的執(zhí)行，其中應(yīng)用和/或設(shè)備功能在所述操作平臺或操作系統(tǒng)上執(zhí)行。處理操作包括:涉及人類用戶或其他設(shè)備的I/O (輸入/輸出)的操作，涉及電源管理的操作，和/或涉及將計(jì)算設(shè)備1600連接到另一設(shè)備的操作。處理操作也可以包括涉及音頻I/O和/或顯示I/O的操作。
[0064]在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算設(shè)備1600包括音頻子系統(tǒng)1620，其代表與向計(jì)算設(shè)備提供音頻功能相關(guān)聯(lián)的硬件(例如音頻硬件或音頻電路)和軟件(例如驅(qū)動器、編解碼器)部件。音頻功能可以包括揚(yáng)聲器和/或耳機(jī)輸出以及麥克風(fēng)輸入。用于這些功能的設(shè)備可以集成到設(shè)備1600中，或連接到計(jì)算設(shè)備1600。在一個(gè)實(shí)施例中，用戶通過提供由處理器1610接收和處理的語音命令而與計(jì)算設(shè)備1600進(jìn)行交互。
[0065]顯示子系統(tǒng)1630代表為用戶提供視覺和/或觸覺顯示以與計(jì)算設(shè)備進(jìn)行交互的硬件(例如顯示設(shè)備)和軟件(例如驅(qū)動器)部件。顯示子系統(tǒng)1630包括顯示界面1632，其包括用于為用戶提供顯示的特定屏幕或硬件設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中，顯示界面1632包括與處理器1610分開的邏輯，用以執(zhí)行至少一些與顯示相關(guān)的處理。在一個(gè)實(shí)施例中，顯示子系統(tǒng)1630包括為用戶提供輸入和輸出兩者的觸摸屏(或觸摸板)設(shè)備。
[0066]I/O控制器1640代表涉及與用戶的交互的硬件設(shè)備和軟件部件。I/O控制器1640用于管理作為音頻子系統(tǒng)1620和/或顯示子系統(tǒng)1630的一部分的硬件。此外，I/O控制器1640示出了用于其他設(shè)備與設(shè)備1600連接的連接點(diǎn)，其中用戶可以通過所述其他設(shè)備與系統(tǒng)進(jìn)行交互。例如，可以附接到計(jì)算設(shè)備1600的設(shè)備可以包括麥克風(fēng)設(shè)備、揚(yáng)聲器或立體聲系統(tǒng)、視頻系統(tǒng)或其他顯示設(shè)備、鍵盤或輔助鍵盤設(shè)備、或用于諸如讀卡器或其他設(shè)備之類的具體應(yīng)用的其他I/O設(shè)備。
[0067]如上所述，I/O控制器1640可以與音頻子系統(tǒng)1620和/或顯示子系統(tǒng)1630進(jìn)行交互。例如，通過麥克風(fēng)或其他音頻設(shè)備的輸入可以為計(jì)算設(shè)備1600的一個(gè)或多個(gè)應(yīng)用或功能提供輸入或命令。此外，除了顯示輸出之外可以提供音頻輸出，或者可以用音頻輸出來代替顯示輸出。在另一示例中，如果顯示子系統(tǒng)包括觸摸屏，則顯示設(shè)備也用作輸入設(shè)備，其可以至少部分由I/O控制器1640管理。在計(jì)算設(shè)備1600上也可以有額外的按鈕或開關(guān)，以提供由I/O控制器1640管理的I/O功能。
[0068]在一個(gè)實(shí)施例中，I/O控制器1640管理諸如加速計(jì)、照相機(jī)、光傳感器或其他環(huán)境傳感器、或其他硬件等可以包括在計(jì)算設(shè)備1600中的設(shè)備。輸入可以是直接用戶交互的一部分，也為系統(tǒng)提供環(huán)境輸入來影響其操作(例如濾除噪聲、調(diào)整用于亮度檢測的顯示、對照相機(jī)應(yīng)用閃光燈、或其他特征)。
[0069]在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算設(shè)備1600包括電源管理1650，其用于管理電池電源的使用、電池的充電和與節(jié)電操作相關(guān)的特征。存儲器子系統(tǒng)1660包括用于在設(shè)備1600中存儲信息的存儲設(shè)備。存儲器可以包括非易失性(若存儲器設(shè)備的電源中斷，則狀態(tài)不會改變)和/或易失性(若存儲器設(shè)備的電源中斷，則狀態(tài)不確定)的存儲設(shè)備。存儲器1660可以存儲應(yīng)用數(shù)據(jù)、用戶數(shù)據(jù)、音樂、照片、文檔、或其他數(shù)據(jù)、以及與計(jì)算設(shè)備1600的應(yīng)用和功能的執(zhí)行相關(guān)的系統(tǒng)數(shù)據(jù)(無論長期的還是暫時(shí)的)。
[0070]實(shí)施例的元件也提供為用于存儲計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令(例如用于實(shí)施這里討論的任何其他過程的指令)的機(jī)器可讀介質(zhì)(例如存儲器1660)。機(jī)器可讀介質(zhì)(例如存儲器1660)可以包括，但不限于，閃速存儲器、光盤、CD_R0M、DVD ROM、RAM、EPROM、EEPR0M、磁卡或光卡、或適合于存儲電子的或計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的其他類型的機(jī)器可讀介質(zhì)。例如本公開內(nèi)容的實(shí)施例可以作為計(jì)算機(jī)程序(例如BIOS)下載，可以通過通信鏈路(例如調(diào)制解調(diào)器或網(wǎng)絡(luò)連接)以數(shù)據(jù)信號的方式從遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)(例如服務(wù)器)傳送到請求計(jì)算機(jī)(例如客戶機(jī))。
[0071]連接1670包括硬件設(shè)備(例如，無線和/或有線連接器和通信硬件)和軟件部件(例如，驅(qū)動器、協(xié)議堆)，以使得設(shè)備1600能夠與外部設(shè)備通信。設(shè)備1600可以是諸如其它計(jì)算設(shè)備、無線接入點(diǎn)或基站之類的分離的設(shè)備，以及諸如耳機(jī)、打印機(jī)或其它設(shè)備之類的外圍設(shè)備。
[0072]連接1670可以包括多個(gè)不同類型的連接。出于概括，以蜂窩連接1672和無線連接1674例示了計(jì)算設(shè)備1600。蜂窩連接1672總體上指代由無線運(yùn)營商提供的蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接，例如，經(jīng)由GSM (全球移動通信系統(tǒng))或其變體或衍生體、CDMA (碼分多址)或其變體或衍生體、TDM (時(shí)分復(fù)用)或其變體或衍生體、或者其它蜂窩服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)提供的蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接。無線連接1674指代非蜂窩的無線連接，可以包括個(gè)人局域網(wǎng)(例如，藍(lán)牙、近場通信等)、局域網(wǎng)(例如，W1-Fi)和/或廣域網(wǎng)(例如，WiMAX)，或者其它無線通信。
[0073]外設(shè)連接1680包括硬件接口和連接器，以及軟件部件(例如，驅(qū)動器、協(xié)議棧)，以構(gòu)成外設(shè)連接。應(yīng)該理解，計(jì)算設(shè)備1600可以是到其它計(jì)算設(shè)備的外圍設(shè)備(1682的“到”)，也可以具有連接到其的外圍設(shè)備(1684的“來自”)。計(jì)算設(shè)備1600通常具有“對接”連接器，用以連接到其它計(jì)算設(shè)備，用于例如管理(例如，下載和/或上傳、改變、同步)設(shè)備1600上的內(nèi)容。另外，對接連接器可以允許設(shè)備1600連接到特定外圍設(shè)備，其允許設(shè)備1600控制例如到視聽或其它系統(tǒng)的內(nèi)容輸出。
[0074]除了專有的對接連接器或其它專有連接硬件以外，計(jì)算設(shè)備1600可以借助通常的或基于標(biāo)準(zhǔn)的連接器實(shí)現(xiàn)外圍連接1680。通常的類型可以包括通用串行總線(USB)連接器(其可以包括任意數(shù)量的不同硬件接口)、包括小型顯示端口(MDP)的顯示端口、高清晰度多媒體接口(HDMI)、火線接口或其它類型。
[0075]例如，這里討論的低阻抗參考電壓發(fā)生器100 —般可用于無線電路和模擬電路，其中噪聲就偏置線而言所關(guān)注的。在一個(gè)實(shí)施例中，這里討論的低阻抗參考電壓發(fā)生器100可以用作推挽電壓調(diào)節(jié)器。在一個(gè)實(shí)施例中，低阻抗參考電壓發(fā)生器100用在方塊1670、1680、1620、1640 和 1630 中。
[0076]說明書中提及“實(shí)施例”、“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”或“其他實(shí)施例”的意思是結(jié)合實(shí)施例說明的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在至少一些實(shí)施例中，但不必包括在全部實(shí)施例中。“實(shí)施例”、“一個(gè)實(shí)施例”或“一些實(shí)施例”的多次出現(xiàn)未必全部指代相同的實(shí)施例。如果說明書表述部件、特征、結(jié)構(gòu)、或特性“可以”、“或許”或“能夠”被包括，那么該特定部件、特征、結(jié)構(gòu)或特性不是必須被包括的。如果說明書或權(quán)利要求提及“一”或“一個(gè)”要素，其并非意味著僅存在一個(gè)要素。如果說明書或權(quán)利要求提及“另外的”要素，其并不排除存在多于一個(gè)所述另外的要素。
[0077]盡管結(jié)合其特定實(shí)施例介紹了本公開內(nèi)容，但依據(jù)前述的說明，這些實(shí)施例的許多替換、修改和變化對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。本公開內(nèi)容的實(shí)施例旨在包含落入所附權(quán)利要求書的寬泛范圍內(nèi)的所有這些替換、修改和變化。
[0078]此外，為了闡述和討論的簡便，并且不致于使公開內(nèi)容不清楚，公知的到集成電路(IC)芯片和其他部件的電源/接地連接可能或可能沒有在附圖中示出。進(jìn)一步地，布置可能以方塊圖的形式示出，以避免使公開內(nèi)容不清楚，并且也考慮到如下事實(shí):關(guān)于這些方塊圖布置的實(shí)施的細(xì)節(jié)高度依賴于實(shí)施本公開內(nèi)容的平臺，即這些細(xì)節(jié)應(yīng)當(dāng)是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能獲知的。就為了描述本公開內(nèi)容的示例性實(shí)施例而介紹具體的細(xì)節(jié)(例如電路)而言，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，無需這些具體的細(xì)節(jié)、或利用這些具體的細(xì)節(jié)的變體也可以實(shí)施本公開內(nèi)容。因此說明書應(yīng)當(dāng)視為是描述性的而非限制性的。
[0079]下面的例子與進(jìn)一步的實(shí)施例有關(guān)。這些例子的細(xì)節(jié)可以用于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的任何地方。這里介紹的裝置的所有可選特征也可以針對方法或過程實(shí)施。
[0080]在一個(gè)例子中，裝置包括:包含提供輸出電壓的第一晶體管的電壓控制回路；用于感測流過第一晶體管的相對于參考電流的電流的電路控制回路。在一個(gè)實(shí)施例中，電流控制回路包括第二晶體管，其與第一晶體管串聯(lián)耦合，第二晶體管提供流過第一和第二晶體管的恒定電流。
[0081 ] 在一個(gè)實(shí)施例中，裝置進(jìn)一步包括第一電容器，該第一電容器包括稱合到電流控制回路的第二放大器的輸出端的第一節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電容器進(jìn)一步包括耦合到第一晶體管的一端子的第二節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電容器的第一節(jié)點(diǎn)耦合到第二晶體管的輸入端。在一個(gè)實(shí)施例中，其中第一電容器的第二節(jié)點(diǎn)耦合到第二晶體管的一端子。在一個(gè)實(shí)施例中，裝置進(jìn)一步包括:第二電容器，其具有耦合到電壓-控制回路的第一放大器的輸出端和第二晶體管的輸入端的第一節(jié)點(diǎn)，以及耦合到電源節(jié)點(diǎn)或地的第二節(jié)點(diǎn)。
[0082]在一個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管是源極或發(fā)射極跟隨器。在一個(gè)實(shí)施例中，第二晶體管是共源極或發(fā)射極晶體管。在一個(gè)實(shí)施例中，電流控制回路用于將裝置的功耗保持為基本恒定。
[0083]在另一例子中，裝置包括:用于經(jīng)由耦合到第一放大器的第一晶體管提供相對于參考電壓的輸出電壓的第一放大器；使相對于參考電流的恒定電流流過第一晶體管的第二放大器。在一個(gè)實(shí)施例中，第二放大器用于為與第一晶體管串聯(lián)耦合的第二晶體管產(chǎn)生輸入信號，第二晶體管提供流過第一和第二晶體管的恒定電流。在一個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管是源極跟隨器或發(fā)射極跟隨器，并且其中第二晶體管是共源極或共發(fā)射極晶體管。
[0084]在一個(gè)實(shí)施例中，權(quán)利要求11的裝置進(jìn)一步包括第一電容器，其包括:耦合到第二放大器的輸出端和第二晶體管的輸入端的第一節(jié)點(diǎn)；耦合到第一晶體管的一端子和第二晶體管的一端子的第二節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電容器的第二節(jié)點(diǎn)耦合到第一放大器的輸入端，第一電容器的第二節(jié)點(diǎn)提供參考電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，裝置進(jìn)一步包括第二電容器，其包括:耦合到第一放大器的輸出端和第一晶體管的輸入端的第一節(jié)點(diǎn)；和耦合到電源節(jié)點(diǎn)或地的第二節(jié)點(diǎn)。
[0085]在一個(gè)實(shí)施例中，裝置進(jìn)一步包括第一電阻器，其包括:耦合到第二放大器的第一輸入端和第一晶體管的一端子的第一節(jié)點(diǎn)，和耦合到電源節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，裝置進(jìn)一步包括一第二電阻器，其包括:耦合到第二放大器的第二輸入端和提供參考電流的參考電流發(fā)生器的第一節(jié)點(diǎn)，以及耦合到電源節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)。
[0086]在另一例子中，裝置包括:用于通過耦合到電流控制回路的電壓控制回路提供低阻抗輸出電壓的裝置，其中電流控制回路用于將裝置的功耗保持為基本恒定。
[0087]在一個(gè)例子中，系統(tǒng)包括:具有根據(jù)這里討論的裝置的參考發(fā)生器的處理器；和將處理器通信鏈接到無線網(wǎng)絡(luò)的無線天線。在一個(gè)實(shí)施例中，參考發(fā)生器用于提供以下的至少一個(gè):用于輸入-輸出(I/o)接收器的終端電阻器的共模電壓，或用于I/O發(fā)送器的參考電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，I/O接收器是PCIe I/O接收器。
[0088]提供了摘要，其允許讀者確定本技術(shù)公開內(nèi)容的性質(zhì)和要點(diǎn)?；谡⒎怯糜谙拗茩?quán)利要求的范圍或含義的理解而提交了摘要。以下的權(quán)利要求由此結(jié)合到【具體實(shí)施方式】部分中，每一個(gè)權(quán)利要求都獨(dú)立作為單獨(dú)的實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其特征在于，所述低阻抗參考電壓發(fā)生裝置包括: 電壓控制回路，其包括提供輸出電壓的第一晶體管；以及 電流控制回路，其感測流過所述第一晶體管的相對于參考電流的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其中電流控制回路包括與所述第一晶體管串聯(lián)耦合的第二晶體管，所述第二晶體管提供流過所述第一晶體管和所述第二晶體管的恒定電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，進(jìn)一步包括第一電容器，該第一電容器包括:耦合到所述電流控制回路的第二放大器的輸出端的第一節(jié)點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其中所述第一電容器進(jìn)一步包括耦合到所述第一晶體管的端子的第二節(jié)點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其中所述第一電容器的所述第一節(jié)點(diǎn)耦合到所述第二晶體管的輸入端。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其中所述第一電容器的所述第二節(jié)點(diǎn)耦合到所述第二晶體管的端子。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，進(jìn)一步包括:第二電容器，其具有耦合到所述電壓控制回路的第一放大器的輸出端的第一節(jié)點(diǎn)，和耦合到電源節(jié)點(diǎn)或地的第二節(jié)點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其中所述第一晶體管是源極跟隨器或發(fā)射極跟隨器。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其中所述第二晶體管是共源極或共發(fā)射極晶體管。`
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其中所述電流控制回路用于將所述低阻抗參考電壓發(fā)生裝置的功耗保持為基本恒定。
11.一種低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)，其特征在于，所述低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)包括: 具有參考發(fā)生器的處理器，所述參考發(fā)生器包括: 電壓控制回路，其包括提供輸出電壓的第一晶體管；以及 電流控制回路，其感測流過所述第一晶體管的相對于參考電流的電流；以及 將所述處理器通信鏈接到無線網(wǎng)絡(luò)的無線天線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)，其中所述參考發(fā)生器是根據(jù)權(quán)利要求2-10中的任一項(xiàng)所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)，其中所述參考發(fā)生器用于提供以下的至少一種: 用于輸入-輸出I/O接收器的終端電阻器的共模電壓，或 用于I/O發(fā)送器的參考電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)，其中所述I/O接收器是PCIeI/O接收器。
15.一種低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其特征在于，所述低阻抗參考電壓發(fā)生裝置包括:用于經(jīng)由耦合到電流控制回路的電壓控制回路提供低阻抗輸出電壓的模塊；以及 用于感測流過所述電壓控制回路的第一晶體管的相對于參考電流的電流的模塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置，其中所述電流控制回路用于將所述低阻抗參考電壓發(fā)生裝置的功耗保持為基本恒定。
17.—種低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)，其特征在于，所述低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)包括: 具有參考發(fā)生器的處理器，其中所述參考發(fā)生器是根據(jù)權(quán)利要求15和16中的任一項(xiàng)所述的低阻抗參考電壓發(fā)生裝置；以及 將所述處理器通信鏈接到無線網(wǎng)絡(luò)的無線天線。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)，其中所述電流控制回路用于將所述低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)的功耗保持為基本恒定。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)，其中所述參考發(fā)生器用于提供以下的至少一種: 用于輸入-輸出I/O接收器的終端電阻器的共模電壓，或 用于I/O發(fā)送器的參考電壓。
20.根據(jù)權(quán)利 要求19所述的低阻抗參考電壓發(fā)生系統(tǒng)，其中所述I/O接收器是PCIeI/O接收器。
【文檔編號】G05F1/56GK203444382SQ201320256745
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月16日
【發(fā)明者】R·Y·曾 申請人:英特爾公司