電壓調整電路的制作方法
【專利摘要】一種電壓調整電路，包括具有同步降壓控制器的電壓轉換單元、第一分壓電阻單元及第二分壓電阻單元，同步降壓控制器包括通過電感連接電壓輸出端的電壓輸出反饋端及輸出電流反饋端，電壓輸出端通過第一分壓電阻單元連接輸出電流反饋端，輸出電流反饋端通過第二分壓電阻單元接地，第二分壓電阻單元包括用于感應電感的溫度變化而改變自身的電阻值的負溫度系數熱敏電阻，電壓轉換單元用于調整電壓輸出反饋端的電壓而調整電壓輸出端的電壓從而維持電壓輸出反饋端的電壓穩(wěn)定。電壓調整電路用于調整電壓輸出端的電壓。
【專利說明】電壓調整電路

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電壓控制系統(tǒng)，特別是一種電壓調整電路。

【背景技術】
[0002] 目前，一種應用于電腦的主板的電壓電路包括一控制模塊、連接所述控制模塊的 一電源調整模塊及一負載模塊，所述電源調整模塊通過所述控制模塊輸出一穩(wěn)定電壓至所 述負載模塊，在所述電壓電路中，當負載模塊是處于輕載狀態(tài)只需要一小于所述穩(wěn)定電壓 的電壓即可滿足用電需求，而當時浪費功耗，在所述負載模塊處于負載狀態(tài)時需要一大于 所述穩(wěn)定電壓另一電壓以滿足系統(tǒng)穩(wěn)定需求，而所述電路電壓中，所述電源調整模塊輸出 的所述穩(wěn)定電壓使所述負載模塊在輕載時浪費電資源在負載時無法滿足系統(tǒng)穩(wěn)定性需求。


【發(fā)明內容】

[0003] 鑒于以上內容，有必要提供一種輕載時節(jié)能及負載時滿足供電需求而穩(wěn)定系統(tǒng)的 電壓調整電路。
[0004] 一種電壓調整電路，包括一電壓轉換單元，所述電壓轉換單元包括一同步降壓控 制器，所述同步降壓控制器包括一電壓輸出反饋端及一輸出電流反饋端，所述電壓輸出反 饋端通過一電感連接一電壓輸出端，所述電壓調整電路還包括一連接所述電壓輸出端的第 一分壓電阻單元及一第二分壓電阻單元，所述電壓輸出端通過所述第一分壓電阻單元連接 所述輸出電流反饋端，所述輸出電流反饋端通過所述第二分壓電阻單元接地，所述第二分 壓電阻單元包括一負溫度系數熱敏電阻，所述負溫度系數熱敏電阻能夠根據感應到的所述 電感的溫度而改變自身的電阻值，所述電壓轉換單元用于調整所述電壓輸出反饋端的電壓 而調整所述電壓輸出端的電壓從而維持所述電壓輸出反饋端的電壓穩(wěn)定。
[0005] -實施例中，所述電源調整模塊還包括連接所述同步降壓控制器的一第一晶體管 及一第二晶體管，所述第一晶體管及所述第二晶體管均包括一導通端、一第一連接端及一 第二連接端，所述第一晶體管的第一連接端連接一電源，所述第二晶體管的第二連接端接 地，所述電壓輸出反饋端、所述第一晶體管的第二連接端及所述第二晶體管的第一連接端 均連接一第一節(jié)點，所述電感連接于所述第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間，所述第二節(jié)點連接 所述電壓輸出端，所述第二節(jié)點連接所述第一分壓單元，所述同步降壓控制器的一高端門 場效應管驅動信號輸出端連接所述第一晶體管的導通端，所述同步降壓控制器的一低端門 場效應管驅動信號輸出端連接所述第二晶體管的導通端，所述同步降壓控制器的電壓輸出 反饋端連接所述第一節(jié)點，所述同步降壓控制器的輸出電流反饋端連接一第三節(jié)點。
[0006] -實施例中，所述第一分壓電阻單元為一第一電阻，一第二電阻與一可變分壓電 阻組并聯(lián)，所述可變分壓電阻組包括一第三電阻及一可變電阻組，所述第一電阻連接于所 述第二節(jié)點與所述第三節(jié)點之間，所述第二電阻連接于所述第三節(jié)點與地之間，所述可變 電阻組連接于一公共端與地之間，所述第三電阻連接于所述第三節(jié)點與所述公共端之間。
[0007] -實施例中，所述可變電阻組還包括一與所述負溫度系數熱敏電阻并聯(lián)的第四電 阻，所述負溫度系數熱敏電阻及所述第四電阻均連接于所述公共端及地之間，所述負溫度 系數熱敏電阻用于感應所述電感的溫度的升高時而減小電阻值從而減小所述輸出電流反 饋端的電壓，所述電壓轉換單元用于減小所述電壓輸出反饋端的電壓而減小所述電壓輸出 端的電壓從而維持所述輸出電流反饋端的電壓穩(wěn)定，所述負溫度系數熱敏電阻還用于感應 所述電感的溫度的降低時而增大電阻值從而增大所述輸出電流反饋端的電壓，所述電壓轉 換單元還用于增大所述電壓輸出反饋端的電壓而增大所述電壓輸出端的電壓從而維持所 述輸出電流反饋端的電壓穩(wěn)定。
[0008] -實施例中，所述同步降壓控制器的輸出電壓端連接所述第二節(jié)點。
[0009] -實施例中，所述第一晶體管及所述第二晶體管為N溝道增強型MOSFET晶體管， 所述第一晶體管及所述第二晶體管的導通端、第一連接端及所述第二連接端分別對應于所 述N溝道增強型MOSFET晶體管的柵極、漏極及源極。
[0010] 一實施例中，所述同步降壓控制器的接地端接地。
[0011] 一實施例中，所述同步降壓控制器的型號為TPS51117。
[0012] 與現有技術相比，所述電壓調整電路中，所述負溫度系數熱敏電阻感應所述電感 的溫度變化而改變自身的電阻值，所述電壓轉換單元調整所述電壓輸出反饋端的電壓而調 整所述電壓輸出端的電壓從而維持所述電壓輸出反饋端的電壓穩(wěn)定，所述電壓調整電路用 于調整所述電壓輸出端的電壓。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1是本發(fā)明電壓調整電路的一較佳實施方式的原理圖。
[0014] 圖2是本發(fā)明電壓調整電路的一較佳實施方式的電路連接圖。
[0015] 主要元件符號說明

【權利要求】
1. 一種電壓調整電路，包括一電壓轉換單元，所述電壓轉換單元包括一同步降壓控制 器，其特征在于：所述同步降壓控制器包括一電壓輸出反饋端及一輸出電流反饋端，所述電 壓輸出反饋端通過一電感連接一電壓輸出端，所述電壓調整電路還包括一連接所述電壓輸 出端的第一分壓電阻單元及一第二分壓電阻單元，所述電壓輸出端通過所述第一分壓電阻 單元連接所述輸出電流反饋端，所述輸出電流反饋端通過所述第二分壓電阻單元接地，所 述第二分壓電阻單元包括一負溫度系數熱敏電阻，所述負溫度系數熱敏電阻能夠根據感應 到的所述電感的溫度變化而改變自身的電阻值，所述電壓轉換單元用于調整所述電壓輸出 反饋端的電壓而調整所述電壓輸出端的電壓從而維持所述電壓輸出反饋端的電壓穩(wěn)定。
2. 如權利要求1所述的電壓調整電路，其特征在于：所述電源調整模塊還包括連接所 述同步降壓控制器的一第一晶體管及一第二晶體管，所述第一晶體管及所述第二晶體管均 包括一導通端、一第一連接端及一第二連接端，所述第一晶體管的第一連接端連接一電源， 所述第二晶體管的第二連接端接地，所述電壓輸出反饋端、所述第一晶體管的第二連接端 及所述第二晶體管的第一連接端均連接一第一節(jié)點，所述電感連接于所述第一節(jié)點與一第 二節(jié)點之間，所述第二節(jié)點連接所述電壓輸出端，所述第二節(jié)點連接所述第一分壓單元，所 述同步降壓控制器的一高端門場效應管驅動信號輸出端連接所述第一晶體管的導通端，所 述同步降壓控制器的一低端門場效應管驅動信號輸出端連接所述第二晶體管的導通端，所 述同步降壓控制器的電壓輸出反饋端連接所述第一節(jié)點，所述同步降壓控制器的輸出電流 反饋端連接一第三節(jié)點。
3. 如權利要求2所述的電壓調整電路，其特征在于：所述第一分壓電阻單元為一第一 電阻，一第二電阻與一可變分壓電阻組并聯(lián)，所述可變分壓電阻組包括一第三電阻及一可 變電阻組，所述第一電阻連接于所述第二節(jié)點與所述第三節(jié)點之間，所述第二電阻連接于 所述第三節(jié)點與地之間，所述可變電阻組連接于一公共端與地之間，所述第三電阻連接于 所述第三節(jié)點與所述公共端之間。
4. 如權利要求3所述的電壓調整電路，其特征在于：所述可變電阻組還包括一與所述 負溫度系數熱敏電阻并聯(lián)的第四電阻，所述負溫度系數熱敏電阻及所述第四電阻均連接于 所述公共端及地之間，所述負溫度系數熱敏電阻用于感應所述電感的溫度的升高時而減小 電阻值從而減小所述輸出電流反饋端的電壓，所述電壓轉換單元用于減小所述電壓輸出反 饋端的電壓而減小所述電壓輸出端的電壓從而維持所述輸出電流反饋端的電壓穩(wěn)定，所述 負溫度系數熱敏電阻還用于感應所述電感的溫度的降低時而增大電阻值從而增大所述輸 出電流反饋端的電壓，所述電壓轉換單元還用于增大所述電壓輸出反饋端的電壓而增大所 述電壓輸出端的電壓從而維持所述輸出電流反饋端的電壓穩(wěn)定。
5. 如權利要求2所述的電壓調整電路，其特征在于：所述同步降壓控制器的輸出電壓 端連接所述第二節(jié)點。
6. 如權利要求2所述的電壓調整電路，其特征在于：所述第一晶體管及所述第二晶體 管為N溝道增強型MOSFET晶體管，所述第一晶體管及所述第二晶體管的導通端、第一連接 端及所述第二連接端分別對應于所述N溝道增強型MOSFET晶體管的柵極、漏極及源極。
7. 如權利要求1所述的電壓調整電路，其特征在于：所述同步降壓控制器的接地端接 地。
8. 如權利要求1所述的電壓調整電路，其特征在于：所述同步降壓控制器的型號為 TPS51117。
【文檔編號】G05F1/56GK104238609SQ201310233686
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月14日 優(yōu)先權日:2013年6月14日
【發(fā)明者】曾祥賓, 李民偉 申請人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司