專(zhuān)利名稱(chēng)：多輸入低壓降穩(wěn)壓器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器，尤其是涉及一種利用具有多個(gè)第一輸入端的放大器和一個(gè)監(jiān)控襯墊監(jiān)控集成電路內(nèi)的多個(gè)內(nèi)部電壓的多輸入低壓降穩(wěn)壓器。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，設(shè)計(jì)者為了要量測(cè)集成電路內(nèi)的一內(nèi)部電壓，設(shè)計(jì)者必須利用一個(gè)運(yùn)算放大器與一個(gè)襯墊以量測(cè)集成電路內(nèi)的內(nèi)部電壓。然而，因?yàn)樵O(shè)計(jì)者可能會(huì)量測(cè)集成電路內(nèi)的多個(gè)內(nèi)部電壓，所以集成電路將包含多個(gè)相對(duì)應(yīng)的運(yùn)算放大器與多個(gè)相對(duì)應(yīng)的襯墊。如此，多個(gè)運(yùn)算放大器與多個(gè)襯墊將會(huì)大幅增加集成電路的芯片面積。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器。該多輸入低壓降穩(wěn)壓器包含一放大器、一第一金氧半晶體管以及一電阻。該放大器具有多個(gè)第一輸入端、一第二輸入端，以及一輸出端，其中該多個(gè)第一輸入端中的每一第一輸入端用以接收一內(nèi)部電壓；該第一金氧半晶體管具有一第一端，用以接收一第一電壓，一第二端，耦接該放大器的輸出端，以及一第三端，稱(chēng)接該放大器的第二輸入端；該電阻具有一第一端，稱(chēng)接于該第一金氧半晶體管的第三端，以及一第二端，用以接收一第二電壓；該第一金氧半晶體管的第三端另用以耦接于一監(jiān)控襯墊，且該監(jiān)控襯墊用以輸出該內(nèi)部電壓。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器。該多輸入低壓降穩(wěn)壓器包含一放大器、一第一金氧半晶體管以及一電阻。該放大器具有多個(gè)第一輸入端，多個(gè)第一致能輸入端，一第二輸入端，一第二致能輸入端，以及一輸出端，其中該多個(gè)第一輸入端中的每一第一輸入端用以接收一 內(nèi)部電壓；該第一金氧半晶體管具有一第一端，用以接收一第一電壓，一第二端，耦接該放大器的輸出端，以及一第三端，耦接該放大器的第二輸入端；該電阻具有一第一端，耦接于該第一金氧半晶體管的第三端，以及一第二端，用以接收一第二電壓；該第一金氧半晶體管的第三端另用以耦接于一監(jiān)控襯墊，且該監(jiān)控襯墊用以輸出該內(nèi)部電壓。本發(fā)明提供一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器。該多輸入低壓降穩(wěn)壓器利用一具有多個(gè)第一輸入端的放大器和一監(jiān)控襯墊監(jiān)控一集成電路內(nèi)的多個(gè)內(nèi)部電壓。如此，相較于現(xiàn)有技術(shù)，因?yàn)楸景l(fā)明利用該放大器和該監(jiān)控襯墊監(jiān)控該集成電路內(nèi)的多個(gè)內(nèi)部電壓，所以本發(fā)明可大幅減少該集成電路的芯片面積。


圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例說(shuō)明一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器的示意圖；圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例說(shuō)明一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器的示意圖；圖3為本發(fā)明的另一實(shí)施例說(shuō)明一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器的示意圖4為本發(fā)明的另一實(shí)施例說(shuō)明一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器的示意圖。附圖標(biāo)記100、200、300、400:多輸入低壓降穩(wěn)壓器102、202、302、402:放大器104、204、304、404:第一金氧半晶體管106:電阻 108:監(jiān)控襯墊110、210、310、410:第二金氧半晶體管112、312:或門(mén) 212、412:或非門(mén)1022、2022、3022、4022:電流源1024、20281-2028M、3024、40281-4028M:第一 P 型金氧半晶體管1026、2030、3026、4030:第二 P 型金氧半晶體管10281-1028M、2024、30281-3028M、4024:第一 N 型金氧半晶體管1030、2026、3030、4026:第二 N 型金氧半晶體管30291-3029M:第一致能N型金氧半晶體管3031:第二致能N型金氧半晶體管40291-4029M:第一致能P型金氧半晶體管4031:第二致能P型金氧半晶體管A、B:節(jié)點(diǎn) EMVINT1-EMVINTM:內(nèi)部致能信號(hào)Vl:第一電壓 V2:第二電壓VINT1-VINTM:內(nèi)部電壓
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例說(shuō)明一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器100的示意圖。多輸入低壓降穩(wěn)壓器100包含一放大器102、一第一金氧半晶體管104及一電阻106,其中第一金氧半晶體管104是一 P型金氧半晶體管。如圖1所示，放大器102包含一電流源1022、一第一 P型金氧半晶體管1024、一第二 P型金氧半晶體管1026、M個(gè)第一 N型金氧半晶體管10281-1028M及一第二 N型金氧半晶體管1030，其中M是一正整數(shù)。第一金氧半晶體管104具有一第一端，用以接收一第一電壓VI，一第二端，耦接第一 P型金氧半晶體管1024的第三端，以及一第三端，耦接第二 N型金氧半晶體管1030的第二端，其中第一電壓Vl是一高電壓。電阻106具有一第一端,稱(chēng)接于第一金氧半晶體管104的第三端，以及一第二端，用以接收一第二電壓V2,其中第二電壓V2是一低電壓。另外，第一金氧半晶體管104的第三端另用以耦接于一監(jiān)控襯墊108，且監(jiān)控襯墊108用以輸出一內(nèi)部電壓。因此，一使用者即可通過(guò)監(jiān)控襯墊108量測(cè)監(jiān)控襯墊108所輸出的內(nèi)部電壓。如圖1所示，電流源1022具有一第一端、一控制端，以及一第三端，用以接收第二電壓V2 ;第一 P型金氧半晶體管1024具有一第一端，用以接收第一電壓Vl，一第二端，以及一第三端，耦接第一金氧半晶體管104的第二端，其中第一 P型金氧半晶體管1024的第三端作為放大器102的輸出端；第二 P型金氧半晶體管1026具有一第一端，用以接收第一電壓VI，一第二端，耦接第一 P型金氧半晶體管1024的第二端，以及一第三端，耦接第二 P型金氧半晶體管1026的第 二端；第一 N型金氧半晶體管10281-1028M中的每一第一 N型金氧半晶體管具有一第一端，耦接第一 P型金氧半晶體管1024的第三端，一第二端，作為放大器102的M個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端,用以接收一內(nèi)部電壓，以及一第三端,I禹接電流源1022的第一端。例如，第一 N型金氧半晶體管10281具有一第一端，耦接第一 P型金氧半晶體管1024的第三端，一第二端，作為放大器102的M個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內(nèi)部電壓VINT1，以及一第三端，耦接電流源1022的第一端，其中內(nèi)部電壓VINTl經(jīng)過(guò)處理而介于第一電壓Vl與第二電壓V2之間。第二 N型金氧半晶體管1030具有一第一端，耦接第二 P型金氧半晶體管1026的第三端，一第二端，耦接第一金氧半晶體管104的第三端，用以作為放大器102的第二輸入端，以及一第三端，耦接電流源1022的第一端。如圖1所示，多輸入低壓降穩(wěn)壓器100另包含一第二金氧半晶體管110和一或門(mén)112，其中第二金氧半晶體管110是一 P型金氧半晶體管。第二金氧半晶體管110具有一第一端，用以接收第一電壓VI，一第二端，耦接電流源1022的控制端，以及一第三端，耦接第一金氧半晶體管104的第二端；或門(mén)112具有M個(gè)致能輸入端，以及一輸出端，耦接第二金氧半晶體管110的第二端，其中M個(gè)致能輸入端中的每一致能輸入端用以接收一相對(duì)應(yīng)的內(nèi)部致能信號(hào)。如圖1所示，當(dāng)或門(mén)112的M個(gè)致能輸入端所接收的內(nèi)部致能信號(hào)都為低電位時(shí)，或門(mén)112的輸出端的電位是一低電位，導(dǎo)致第二金氧半晶體管110開(kāi)啟，電流源1022關(guān)閉，且一節(jié)點(diǎn)A的電位等于第一電壓Vl (高電位)。因?yàn)楣?jié)點(diǎn)A的電位等于第一電壓VI，所以第一金氧半晶體管104關(guān)閉；因?yàn)殡娏髟?022關(guān)閉，所以放大器102禁能。如此，因?yàn)榈谝唤鹧醢刖w管104關(guān)閉且放大器102禁能，所以監(jiān)控襯墊108的電位是浮動(dòng)的(floating)。亦即監(jiān)控襯墊108不會(huì)輸出內(nèi)部電壓VINT1-VINTM的任何一個(gè)內(nèi)部電壓，其中內(nèi)部電壓VINT1-VINTM經(jīng)過(guò)處理而介于第一電壓Vl與第二電壓V2之間。如圖1所示，當(dāng)或門(mén)112的M個(gè)致能輸入端所接收的內(nèi)部致能信號(hào)中有一個(gè)內(nèi)部致能信號(hào)(例如EMVINT1)為高電位(此時(shí)對(duì)應(yīng)內(nèi)部致能信號(hào)EMVINT1的第一 N型金氧半晶體管10281的第二端接收內(nèi)部電壓VINT1)時(shí)，或門(mén)112的輸出端的電位是一高電位，導(dǎo)致第二金氧半晶體管110關(guān)閉， 電流源1022開(kāi)啟(放大器102致能)，且節(jié)點(diǎn)A的電位(介于第一電壓Vl與第二電壓V2之間)等于第一 P型金氧半晶體管1024的第三端的電位(亦即放大器102的輸出端的電位)。因?yàn)楣?jié)點(diǎn)A的電位等于第一 P型金氧半晶體管1024的第三端的電位，所以第一金氧半晶體管104開(kāi)啟；因?yàn)殡娏髟?022開(kāi)啟，所以放大器102致能。如此，因?yàn)榈谝唤鹧醢刖w管104開(kāi)啟且放大器102致能，所以第二 N型金氧半晶體管1030的第二端的電位等于第一 N型金氧半晶體管10281的第二端的電位(內(nèi)部電壓VINT1)，亦即監(jiān)控襯墊108的電位是等于內(nèi)部電壓VINTl。因此，監(jiān)控襯墊108可輸出內(nèi)部電壓VINTl。請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例說(shuō)明一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器200的示意圖。多輸入低壓降穩(wěn)壓器200包含一放大器202、一第一金氧半晶體管204及一電阻106,其中第一金氧半晶體管204是一 N型金氧半晶體管。如圖2所示，放大器202包含一電流源2022、一第一 N型金氧半晶體管2024、一第二 N型金氧半晶體管2026、M個(gè)第一 P型金氧半晶體管20281-2028M及一第二 P型金氧半晶體管2030，其中M是一正整數(shù)。第一金氧半晶體管204具有一第一端，用以接收一第一電壓VI，一第二端，耦接第一 N型金氧半晶體管2024的第三端，以及一第三端，耦接第二 P型金氧半晶體管2030的第二端，其中第一電壓Vl是一低電壓。電阻106具有一第一端,稱(chēng)接于第一金氧半晶體管204的第三端，以及一第二端，用以接收一第二電壓V2，其中第二電壓V2是一高電壓。另外，第一金氧半晶體管204的第三端另用以耦接于一監(jiān)控襯墊108，其中監(jiān)控襯墊108的功能，在此不再贅述。如圖2所示，電流源2022具有一第一端、一控制端，以及一第三端，用以接收第二電壓V2 ;第一 N型金氧半晶體管2024具有一第一端，用以接收第一電壓Vl，一第二端，以及一第三端，耦接第一金氧半晶體管204的第二端，其中第一 N型金氧半晶體管2024的第三端作為放大器202的輸出端；第二 N型金氧半晶體管2026具有一第一端,用以接收第一電壓VI，一第二端，耦接第一 N型金氧半晶體管2024的第二端，以及一第三端，耦接第二 N型金氧半晶體管2026的第二端；第一 P型金氧半晶體管20281-2028M中的每一第一 P型金氧半晶體管具有一第一端，耦接第一 N型金氧半晶體管2024的第三端，一第二端，作為放大器202的M個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端,用以接收一內(nèi)部電壓，以及一第三端,I禹接電流源2022的第一端。例如，第一 P型金氧半晶體管20281具有一第一端，耦接第一 N型金氧半晶體管2024的第三端,一第二端,作為放大器202的M個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端,用以接收一內(nèi)部電壓VINT1，以及一第三端，耦接電流源2022的第一端，其中內(nèi)部電壓VINTl經(jīng)過(guò)處理而介于第一電壓Vl與第二電壓V2之間。第二 P型金氧半晶體管2030具有一第一端，耦接第二 N型金氧半晶體管2026的第三端，一第二端，耦接第一金氧半晶體管204的第三端，用以作為放大器202的第二輸入端，以及一第三端，耦接電流源2022的第一端。如圖2所示 ，多輸入低壓降穩(wěn)壓器200另包含一第二金氧半晶體管210和一或非門(mén)212，其中第二金氧半晶體管210是一 N型金氧半晶體管。第二金氧半晶體管210具有一第一端，用以接收第一電壓VI，一第二端，耦接電流源2022的控制端，以及一第三端，耦接第一金氧半晶體管204的第二端；或非門(mén)212具有M個(gè)致能輸入端，以及一輸出端，耦接第二金氧半晶體管210的第二端，其中M個(gè)致能輸入端中的每一致能輸入端用以接收一相對(duì)應(yīng)的內(nèi)部致能信號(hào)。另外，多輸入低壓降穩(wěn)壓器200的放大器202、第一金氧半晶體管204、第二金氧半晶體管210和或非門(mén)212的操作原理皆和多輸入低壓降穩(wěn)壓器100的放大器102、第一金氧半晶體管104、第二金氧半晶體管110和或門(mén)112相同，在此不再贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3為本發(fā)明的另一實(shí)施例說(shuō)明一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器300的示意圖。多輸入低壓降穩(wěn)壓器300包含一放大器302、一第一金氧半晶體管304及一電阻106,其中第一金氧半晶體管304是一 P型金氧半晶體管。如圖3所示，放大器302包含一電流源3022、一第一 P型金氧半晶體管3024、一第二 P型金氧半晶體管3026、M個(gè)第一 N型金氧半晶體管30281-3028M、M個(gè)第一致能N型金氧半晶體管30291-3029M、一第二 N型金氧半晶體管3030及一第二致能N型金氧半晶體管3031，其中M是一正整數(shù)。第一金氧半晶體管304具有一第一端，用以接收一第一電壓Vl，一第二端，耦接第一 P型金氧半晶體管3024的第三端，以及一第三端，耦接第二 N型金氧半晶體管3030的第二端，其中第一電壓Vl是一高電壓。電阻106具有一第一端,稱(chēng)接于第一金氧半晶體管304的第三端，以及一第二端，用以接收一第二電壓V2,其中第二電壓V2是一低電壓。另外，第一金氧半晶體管304的第三端另用以耦接于一監(jiān)控襯墊108，其中監(jiān)控襯墊108的功能，在此不再贅述。如圖3所示，電流源3022具有一第一端、一控制端，以及一第三端，用以接收第二電壓V2 ;第一 P型金氧半晶體管3024具有一第一端，用以接收第一電壓Vl，一第二端，以及一第三端，耦接第一金氧半晶體管304的第二端，其中第一 P型金氧半晶體管3024的第三端作為放大器302的輸出端；第二 P型金氧半晶體管3026具有一第一端,用以接收第一電壓VI，一第二端，耦接第一 P型金氧半晶體管3024的第二端，以及一第三端，耦接第二 P型金氧半晶體管3026的第二端；第一 N型金氧半晶體管30281-3028M中的每一第一 N型金氧半晶體管具有一第一端，耦接第一 P型金氧半晶體管3024的第三端，一第二端，作為放大器302的M個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端,用以接收一內(nèi)部電壓，以及一第三端。第一致能N型金氧半晶體管30291-3029M中的每一第一致能N型金氧半晶體管具有一第一端，耦接一相對(duì)應(yīng)的第一 N型金氧半晶體管的第三端，一第二端，作為放大器302的M個(gè)第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一相對(duì)應(yīng)的內(nèi)部致能信號(hào)，以及一第三端，耦接電流源3022的第一端。例如，第一 N型金氧半晶體管30281具有一第一端，耦接第一 P型金氧半晶體管3024的第三端，一第二端，作為放大器302的M個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內(nèi) 部電壓VINT1，以及一第三端；第一致能N型金氧半晶體管30291具有一第一端，耦接第一 N型金氧半晶體管30281的第三端，一第二端，用以作為放大器302的M個(gè)第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一內(nèi)部致能信號(hào)EMVINT1，以及一第三端，耦接電流源3022的第一端，其中內(nèi)部電壓VINTl和內(nèi)部致能信號(hào)EMVINT1經(jīng)過(guò)處理而介于第一電壓Vl與第二電壓V2之間。第二 N型金氧半晶體管3030具有一第一端，耦接第二 P型金氧半晶體管3026的第三端，一第二端，耦接第一金氧半晶體管304的第三端，用以作為放大器302的第二輸入端，以及一第三端。第二致能N型金氧半晶體管3031具有一第一端，耦接第二 N型金氧半晶體管3030的第三端，一第二端，用以作為放大器302的第二致能輸入端，以及一第三端，耦接電流源3022的第一端。如圖3所示，多輸入低壓降穩(wěn)壓器300另包含一第二金氧半晶體管310和一或門(mén)312，其中第二金氧半晶體管310是一 P型金氧半晶體管。第二金氧半晶體管310具有一第一端，用以接收第一電壓Vl，一第二端，耦接電流源3022的控制端和第二致能N型金氧半晶體管3031的第二端，以及一第三端，耦接第一金氧半晶體管304的第二端；或門(mén)312具有M個(gè)致能輸入端，以及一輸出端，稱(chēng)接第二金氧半晶體管310的第二端,其中M個(gè)致能輸入端中的每一致能輸入端是耦接一相對(duì)應(yīng)的第一致能N型金氧半晶體管的第二端。如圖3所示，當(dāng)或門(mén)312的M個(gè)致能輸入端所接收的內(nèi)部致能信號(hào)都為低電位時(shí)，第一致能N型金氧半晶體管30291-3029M關(guān)閉且或門(mén)312的輸出端的電位是一低電位。因?yàn)榛蜷T(mén)312的輸出端的電位是低電位，所以第二金氧半晶體管310開(kāi)啟，電流源3022關(guān)閉，且一節(jié)點(diǎn)B的電位等于第一電壓Vl (高電位)。因?yàn)楣?jié)點(diǎn)B的電位等于第一電壓VI，所以第一金氧半晶體管304關(guān)閉；因?yàn)殡娏髟?022關(guān)閉，所以放大器302禁能。如此，因?yàn)榈谝唤鹧醢刖w管304關(guān)閉且放大器302禁能，所以監(jiān)控襯墊108的電位是浮動(dòng)的。亦即監(jiān)控襯墊108不會(huì)輸出內(nèi)部電壓VINT1-VINTM的任何一個(gè)內(nèi)部電壓，其中內(nèi)部電壓VINT1-VINTM經(jīng)過(guò)處理而介于第一電壓Vl與第二電壓V2之間。如圖3所示，當(dāng)或門(mén)312的M個(gè)致能輸入端所接收的內(nèi)部致能信號(hào)中有一個(gè)內(nèi)部致能信號(hào)(例如EMVINT1)為高電位(此時(shí)對(duì)應(yīng)內(nèi)部致能信號(hào)EMVINT1的第一 N型金氧半晶體管30281的第二端接收內(nèi)部電壓VINT1)時(shí)，或門(mén)312的輸出端的電位是一高電位且第一致能N型金氧半晶體管30291開(kāi)啟(其余第一致能N型金氧半晶體管30292-3029M因?yàn)橄鄬?duì)應(yīng)的內(nèi)部致能信號(hào)EMVINT2-EMVINTM仍為低電位所以維持關(guān)閉)。因?yàn)榛蜷T(mén)312的輸出端的電位是高電位，所以第二金氧半晶體管310關(guān)閉，電流源3022開(kāi)啟(放大器302致能)，且節(jié)點(diǎn)B的電位(介于第一電壓Vl與第二電壓V2之間)等于第一 P型金氧半晶體管3024的第三端的電位(亦即放大器302的輸出端的電位)。因?yàn)楣?jié)點(diǎn)B的電位等于第一 P型金氧半晶體管3024的第三端的電位，所以第一金氧半晶體管304開(kāi)啟；因?yàn)殡娏髟?022開(kāi)啟，所以放大器302致能。如此，因?yàn)榈谝唤鹧醢刖w管304開(kāi)啟且放大器302致能，所以第二N型金氧半晶體管3030的第二端的電位是等于第一 N型金氧半晶體管30281的第二端的電位(內(nèi)部電壓VINTl)，亦即監(jiān)控襯墊108的電位是等于內(nèi)部電壓VINTl。因此，監(jiān)控襯墊108可輸出內(nèi)部電壓VINT1。請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4為本發(fā)明的另一實(shí)施例說(shuō)明一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器400的示意圖。多輸入低壓降穩(wěn)壓器400包含一放大器402、一第一金氧半晶體管404及一電阻106,其中第一金氧半晶體管404是一 N型金氧半晶體管。如圖4所示，放大器402包含一電流源4022、一第一 N型金氧半晶體管4024、一第二 N型金氧半晶體管4026、M個(gè)第一 P型金氧半晶體管40281-4028M、M個(gè)第一致能P型金氧半晶體管40291-4029M、一第二 P型金氧半晶體管4030及一第二致能P型金氧半晶體管4031，其中M是一正整數(shù)。第一金氧半晶體管404具有一第一端，用以接收一第一電壓Vl，一第二端，耦接第一 N型金氧半晶體管4024的第三端，以及一第三端，耦接第二 P型金氧半晶體管4030的第二端，其中第一電壓Vl是一低電壓。電阻106具有一第一端,稱(chēng)接于第一金氧半晶體管404的第三端，以及一第二端，用以接收一第二電壓V2，其中第二電壓V2是一高電壓。另外，第一金氧半晶體管404的第三端另用以耦接于一監(jiān)控襯墊108，其中監(jiān)控襯墊108的功能，在此不再贅述。如圖4所示，電流源4022具有一第一端、一控制端，以及一第三端，用以接收第二電壓V2 ;第一 N型金氧半晶體管4024具有一第一端，用以接收第一電壓Vl，一第二端，以及一第三端，耦接第一金氧半晶體管404的第二端，其中第一 N型金氧半晶體管4024的第三端作為放大器402的輸出端；第二 N型金氧半晶體管4026具有一第一端，用以接收第一電壓VI，一第二端，耦接第一 N 型金氧半晶體管4024的第二端，以及一第三端，耦接第二 N型金氧半晶體管4026的第二端；第一 P型金氧半晶體管40281-4028M中的每一第一 P型金氧半晶體管具有一第一端，耦接第一 N型金氧半晶體管4024的第三端，一第二端，作為放大器402的M個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內(nèi)部電壓，以及一第三端。第一致能P型金氧半晶體管40291-4029M中的每一第一致能P型金氧半晶體管具有一第一端，耦接一相對(duì)應(yīng)的第一 P型金氧半晶體管的第三端，一第二端，作為放大器402的M個(gè)第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一相對(duì)應(yīng)的反相內(nèi)部致能信號(hào)，以及一第三端，耦接電流源4022的第一端。例如，第一 P型金氧半晶體管40281具有一第一端，耦接第一 N型金氧半晶體管4024的第三端,一第二端,作為放大器402的M個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內(nèi)部電壓VINT1，以及一第三端；第一致能P型金氧半晶體管40291具有一第一端，耦接第一 P型金氧半晶體管40281的第三端，一第二端，作為放大器402的M個(gè)第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一反相內(nèi)部致能信號(hào)EMVINT1B，以及一第三端，耦接電流源4022的第一端，其中內(nèi)部電壓VINTl和反相內(nèi)部致能信號(hào)EMVINT1B經(jīng)過(guò)處理而介于第一電壓Vl與第二電壓V2之間。第二 P型金氧半晶體管4030具有一第一端，耦接第二 N型金氧半晶體管4026的第三端，一第二端，耦接第一金氧半晶體管404的第三端，用以作為放大器402的第二輸入端，以及一第三端。第二致能P型金氧半晶體管4031具有一第一端，耦接第二 P型金氧半晶體管4030的第三端，一第二端，用以作為放大器402的第二致能輸入端，以及一第三端，耦接電流源4022的第一端。如圖4所示，多輸入低壓降穩(wěn)壓器400另包含一第二金氧半晶體管410和一或非門(mén)412，其中第二金氧半晶體管410是一 N型金氧半晶體管。第二金氧半晶體管410具有一第一端，用以接收第一電壓VI，一第二端，耦接電流源4022的控制端和第二致能P型金氧半晶體管4031的第二端，以及一第三端，耦接第一金氧半晶體管404的第二端；或非門(mén)412具有M個(gè)致能輸入端，以及一輸出端，耦接第二金氧半晶體管410的第二端，其中M個(gè)致能輸入端中的每一致能輸入端用以接收一相對(duì)應(yīng)的內(nèi)部致能信號(hào)。另外，多輸入低壓降穩(wěn)壓器400的放大器402、第一金氧半晶體管404、第二金氧半晶體管410和或非門(mén)412的操作原理皆和多輸入低壓降穩(wěn)壓器300的放大器302、第一金氧半晶體管304、第二金氧半晶體管310和或門(mén)312相同，在此不再贅述。綜上所述，本發(fā)明所提供的多輸入低壓降穩(wěn)壓器利用具有多個(gè)第一輸入端的放大器和一個(gè)監(jiān)控襯墊監(jiān)控一集成電路內(nèi)的多個(gè)內(nèi)部電壓。如此，相較于現(xiàn)有技術(shù)，因?yàn)楸景l(fā)明利用一個(gè)放大器和一個(gè)監(jiān)控襯墊監(jiān)控集成電路內(nèi)的多個(gè)內(nèi)部電壓，所以本發(fā)明可大幅減少集成電路的芯片面積。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋 范圍。
權(quán)利要求
1.一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器,其特征在于,包含: 一放大器，具有多個(gè)第一輸入端、一第二輸入端，以及一輸出端，其中該多個(gè)第一輸入端中的每一第一輸入端用以接收一內(nèi)部電壓； 一第一金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收一第一電壓，一第二端，稱(chēng)接該放大器的輸出端，以及一第三端，耦接該放大器的第二輸入端 '及 一電阻，具有一第一端，I禹接于該第一金氧半晶體管的第三端，以及一第二端，用以接收一第二電壓； 其中該第一金氧半晶體管的第三端另用以耦接于一監(jiān)控襯墊，且該監(jiān)控襯墊用以輸出該內(nèi)部電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，該放大器包含: 一電流源，具有一第一端、一控制端，以及一第三端，用以接收該第二電壓； 一第一 P型金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，以及一第三端，耦接該第一金氧半晶體管的第二端，用以作為該放大器的輸出端； 一第二 P型金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該第一 P型金氧半晶體管的第二端，以及一第三端，耦接該第二 P型金氧半晶體管的第二端； 多個(gè)第一 N型金氧半晶體管，其中該多個(gè)第一 N型金氧半晶體管中的每一第一 N型金氧半晶體管具有一第一端，耦接該第一 P型金氧半晶體管的第三端，一第二端，用以作為該放大器的多個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端，以及一第三端，稱(chēng)接該電流源的第一端；及一第二 N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接該第二 P型金氧半晶體管的第三端，一第二端，耦接該第一金氧半晶體管的第三端，用以作為該放大器的第二輸入端，以及一第三端，耦接該電流源的第一端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，另包含: 一第二金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，稱(chēng)接該電流源的控制端，以及一第三端，耦接該第一金氧半晶體管的第二端；及 一或門(mén)，具有多個(gè)致能輸入端，以及一輸出端，耦接該第二金氧半晶體管的第二端，其中該多個(gè)致能輸入端中的每一致能輸入端用以接收一相對(duì)應(yīng)的內(nèi)部致能信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，該第一金氧半晶體管和該第二金氧半晶體管是P型金氧半晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，該放大器包含: 一電流源，具有一第一端、一控制端，以及一第三端，用以接收該第二電壓； 一第一 N型金氧半晶體管,具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，以及一第三端，耦接該第一金氧半晶體管的第二端，用以作為該放大器的輸出端； 一第二 N型金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該第一 N型金氧半晶體管的第二端，以及一第三端，耦接該第二 N型金氧半晶體管的第二端；多個(gè)第一 P型金氧半晶體管，其中該多個(gè)第一 P型金氧半晶體管中的每一第一 P型金氧半晶體管具有一第一端，耦接該第一 N型金氧半晶體管的第三端，一第二端，用以作為該放大器的多個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端，以及一第三端，稱(chēng)接該電流源的第一端；及一第二 P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接該第二 N型金氧半晶體管的第三端，一第二端，耦接該第一金氧半晶體管的第三端，用以作為該放大器的第二輸入端，以及一第三端，耦接該電流源的第一端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，另包含: 一第二金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，稱(chēng)接該電流源的控制端，以及一第三端，耦接該第一金氧半晶體管的第二端；及 一或非門(mén)，具有多個(gè)致能輸入端，以及一輸出端，耦接該第二金氧半晶體管的第二端，其中該多個(gè)致能輸入端中的每一致能輸入端用以接收一相對(duì)應(yīng)的內(nèi)部致能電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，該第一金氧半晶體管和該第二金氧半晶體管是N型金氧半晶體管。
8.—種多輸入低壓降穩(wěn)壓器,其特征在于,包含: 一放大器，具有多個(gè)第一輸入端，多個(gè)第一致能輸入端，一第二輸入端，一第二致能輸入端，以及一輸出端，其中該多個(gè)第一輸入端中的每一第一輸入端用以接收一內(nèi)部電壓； 一第一金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收一第一電壓，一第二端，稱(chēng)接該放大器的輸出端，以及一第三端，耦接該放大器的第二輸入端；及 一電阻，具有一第一端，I禹接于該第一金氧半晶體管的第三端，以及一第二端，用以接收一第二電壓； 其中該第一金氧半晶體管的第三端另用以耦接于一監(jiān)控襯墊，且該監(jiān)控襯墊用以輸出該內(nèi)部電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，該放大器包含: 一電流源， 具有一第一端、一控制端，以及一第三端，用以接收該第二電壓； 一第一 P型金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，以及一第三端，耦接該第一金氧半晶體管的第二端，用以作為該放大器的輸出端； 一第二 P型金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該第一 P型金氧半晶體管的第二端，以及一第三端，耦接該第二 P型金氧半晶體管的第二端； 多個(gè)第一 N型金氧半晶體管，其中該多個(gè)第一 N型金氧半晶體管中的每一第一 N型金氧半晶體管具有一第一端，耦接該第一 P型金氧半晶體管的第三端，一第二端，用以作為該放大器的多個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端，以及一第三端； 多個(gè)第一致能N型金氧半晶體管，其中該多個(gè)第一致能N型金氧半晶體管中的每一第一致能N型金氧半晶體管具有一第一端，耦接該多個(gè)第一 N型金氧半晶體管中的一相對(duì)應(yīng)的第一 N型金氧半晶體管的第三端，一第二端，作為該放大器的多個(gè)第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一相對(duì)應(yīng)的內(nèi)部致能信號(hào)，以及一第三端，耦接該電流源的第一端; 一第二 N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接該第二 P型金氧半晶體管的第三端，一第二端，耦接該第一金氧半晶體管的第三端，用以作為該放大器的第二輸入端，以及一第三端；及 一第二致能N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接該第二 N型金氧半晶體管的第三端，一第二端，用以作為該放大器的第二致能輸入端，以及一第三端，耦接該電流源的第一端。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，另包含: 一第二金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，稱(chēng)接該電流源的控制端和該第二致能N型金氧半晶體管的第二端，以及一第三端，耦接該第一金氧半晶體管的第二端；及 一或門(mén)，具有多個(gè)致能輸入端，以及一輸出端，耦接該第二金氧半晶體管的第二端，其中該多個(gè)致能輸入端中的每一致能輸入端是耦接該多個(gè)第一致能N型金氧半晶體管中的一相對(duì)應(yīng)的第一致能N型金氧半晶體管的第二端。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，該第一金氧半晶體管和該第二金氧半晶體管是P型金氧半晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，該放大器包含: 一電流源，具有一第一端、一控制端，以及一第三端，用以接收該第二電壓； 一第一 N型金氧半晶體管,具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，以及一第三端，耦接該第一金氧半晶體管的第二端，用以作為該放大器的輸出端； 一第二 N型金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該第一 N型金氧半晶體管的第二端，以及一第三端，耦接該第二 N型金氧半晶體管的第二端； 多個(gè)第一 P型金氧半晶體管，其中該多個(gè)第一 P型金氧半晶體管中的每一第一 P型金氧半晶體管具有一第一端，耦接該第一 N型金氧半晶體管的第三端，一第二端，用以作為該放大器的多個(gè)第一輸入端中的一第一輸入端，以及一第三端； 多個(gè)第一致能P型金氧半晶體管，其中該多個(gè)第一致能P型金氧半晶體管中的每一第一致能P型金氧半晶體管具有一第一端，耦接該多個(gè)第一 P型金氧半晶體管中的一相對(duì)應(yīng)的第一 P型金氧半晶體管的第三端，一第二端，作為該多個(gè)第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一相對(duì)應(yīng)的反相內(nèi)部致能信號(hào)，以及一第三端，耦接該電流源的第一端; 一第二 P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接該第二 N型金氧半晶體管的第三端，一第二端，耦接該第一金氧半晶體管的第三端，用以作為該放大器的第二輸入端，以及一第三端；及 一第二致能P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接該第二 P型金氧半晶體管的第三端，一第二端，用以作為該放大器的第二致能輸入端，以及一第三端，耦接該電流源的第一端。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，另包含: 一第二金氧半晶體管，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，稱(chēng)接該電流源的控制端和第二致能P型金氧半晶體管的第二端，以及一第三端，耦接該第一金氧半晶體管的第二端；及 一或非門(mén)，具有多個(gè)致能輸入端，以及一輸出端，耦接該第二金氧半晶體管的第二端，其中該多個(gè)致能輸入端中的每一輸入端用以接收一相對(duì)應(yīng)的內(nèi)部致能信號(hào)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多輸入低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，該第一金氧半晶體管和該第二金氧半晶體管是N型金氧半晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多輸入低壓降穩(wěn)壓器，包含一放大器、一第一金氧半晶體管及一電阻。該放大器具有多個(gè)第一輸入端、一第二輸入端，以及一輸出端，其中該多個(gè)第一輸入端中的每一第一輸入端用以接收一內(nèi)部電壓；該第一金氧半晶體管具有一第一端，用以接收一第一電壓，一第二端，耦接該放大器的輸出端，以及一第三端，耦接該放大器的第二輸入端；該電阻具有一第一端，耦接于該第一金氧半晶體管的第三端，以及一第二端，用以接收一第二電壓；該第一金氧半晶體管的第三端另用以耦接于一監(jiān)控襯墊，且該監(jiān)控襯墊用以輸出該內(nèi)部電壓。
文檔編號(hào)G05F1/565GK103246308SQ20131011449
公開(kāi)日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月25日
發(fā)明者張延安, 張益豪 申請(qǐng)人:鈺創(chuàng)科技股份有限公司