專利名稱：一種磁通變換器的驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路，尤其涉及一種磁通變換器的驅(qū)動電路。
技術(shù)背景 隨著嵌入式微處理器技術(shù)的發(fā)展，越來越多的數(shù)字化控制器引入到了傳統(tǒng)的低壓電器中。在新型的低壓電器中，一般通過電流互感器來感應(yīng)信號，通過微處理器來分析判斷，最后通過磁通變換器來驅(qū)動低壓電器的觸頭或機構(gòu)，實現(xiàn)低壓電器的斷開或跳閘。因此，磁通變換器起著傳統(tǒng)低壓電器機構(gòu)與新型的數(shù)字化控制器的信號傳遞作用。對于磁通變換器的驅(qū)動電路，其用于接受來自微處理器的信號(高電平5V/3. 3V,低電平0V)，然后通過對電容的充放電，實現(xiàn)對磁通變換器的控制。如圖I所示，為磁通變換器驅(qū)動電路在低壓電器中的位置。驅(qū)動電路的穩(wěn)定性和可靠性，關(guān)系整個磁通變換器，甚至整個低壓電器的性能。對于磁通變換器的驅(qū)動電流，要求其抗干擾，電路穩(wěn)定性高；動作可靠性高；動作迅速；磁通變換器不長時間通電；控制方法簡單，不獨立占用MCU的資源?，F(xiàn)有的磁通變換器驅(qū)動電路大多通過繼電器來實現(xiàn)，成本較高，體積較大，且容易誤動作。因此，設(shè)計一種可靠的磁通變換器驅(qū)動電路，防止各種干擾信號下的誤動作，對于新型低壓電器的可靠運行將具有重要意義。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有磁通變換器驅(qū)動電路設(shè)計不合理使磁通變換器長時間通電導(dǎo)致的脫扣器燒壞，磁通變換器在干擾信號下誤動作的問題，進(jìn)而提供一種結(jié)構(gòu)簡單、性能可靠的磁通變換器驅(qū)動電路。為解決上述問題，本實用新型提供一種磁通變換器的驅(qū)動電路，其包括連接于微處理器和磁通變換器(KM)之間的復(fù)位芯片(ICl )、M0SFET管(Ql )、第二電容(C2)以及調(diào)節(jié)電阻(Rl);其中，所述復(fù)位芯片(ICl)的電源腳，與微處理器的I/O 口相連，所述復(fù)位芯片(ICl)的地腳與直流電源的地相連，所述復(fù)位芯片(ICl)的復(fù)位腳與MOSFET管(Ql)的柵極相連；所述MOSFET管(Ql)的源極與直流電源的地相連，MOSFET管(Ql)的漏極與磁通變換器(KM)的負(fù)極相連；所述第二電容(C2)的正極與磁通變換器(KM)的正極相連，并與所述調(diào)節(jié)電阻(Rl)串聯(lián)于直流電源的正極上，所述第二電容(C2)的負(fù)極與直流電源的地相連。所述MOSFET管(Ql)的柵極與源極之間連接有第一電容(Cl)。所述磁通變換器(KM)的兩端并聯(lián)有續(xù)流二極管(D1)，所述續(xù)流二極管(Dl)的陽極與MOSFET管(Ql)的漏極連接，所述續(xù)流二極管(Dl)的陰極與所述第二電容(C2)的正極連接。所述第二電容(C2)為電解電容。本實用新型的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(I)本實用新型的驅(qū)動電路采用復(fù)位芯片以及MOSFET管，相比于繼電器的驅(qū)動電路來講，結(jié)構(gòu)簡單，體積小巧。并且，復(fù)位芯片可以將微處理器的高電平，變成了高電平的一個脈沖，解決磁通變換器長時間通電導(dǎo)致的脫扣器燒壞問題，同時該復(fù)位芯片能解決I/o口的快速瞬變弓I起的電流干擾問題。(2)進(jìn)一步的，本實用新型的驅(qū)動電路在復(fù)位芯片后設(shè)有第一電容，其可以緩沖經(jīng)過復(fù)位芯片之后的I/o 口干擾。(3)在磁通變換器的兩端并聯(lián)有二極管，當(dāng)流過磁通變換器中的電流消失時，磁通變換器產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢通過該續(xù)流二極管和磁通變換器構(gòu)成的回路做功而消耗掉。從而保護(hù)了電路中的其它元件的安全。

為了使本實用新型的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本實用新型的具體實施例并結(jié)合附圖，對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中圖I是磁通變換器驅(qū)動電路在系統(tǒng)中的位置示意圖；圖2是本實用新型的磁通變換器驅(qū)動電路的原理圖。
具體實施方式
以下將結(jié)合附圖，使用以下實施例對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步闡述。圖2所示為本實用新型的驅(qū)動電路的電路圖。其包括連接于微處理器和磁通變換器KM之間的復(fù)位芯片ICl、MOSFET管Ql、第二電容C2以及調(diào)節(jié)電阻Rl ;其中，所述復(fù)位芯片ICl的電源腳，與微處理器的I/O 口相連，所述復(fù)位芯片ICl的地腳與直流電源的地相連，所述復(fù)位芯片ICl的復(fù)位腳與MOSFET管Ql的柵極相連；所述MOSFET管Ql的源極與直流電源的地相連，MOSFET管Ql的漏極與磁通變換器KM的負(fù)極、續(xù)流二極管Dl的陽極相連；所述第二電容C2的正極與磁通變換器KM的正極、續(xù)流二極管Dl的陰極相連，并與所述調(diào)節(jié)電阻Rl串聯(lián)于直流電源的正極上，所述第二電容C2的負(fù)極與直流電源的地相連。所述調(diào)節(jié)電阻Rl其可調(diào)整充電時間；所述第二電容C2為電解電容，所述調(diào)節(jié)電阻Rl以及所述第二電容C2的參數(shù)根據(jù)磁通變換器參數(shù)選取。所述MOSFET管Ql的柵極與源極之間連接有第一電容Cl。用于緩沖復(fù)位芯片后的I/O 口干擾。本實施例中，所述的MOSFET管Ql型號為IRF7493 ;所述的復(fù)位芯片ICl的型號為IMP810o該磁通變換器的驅(qū)動電路工作過程如下正常工作時，I/O 口輸出低電平，復(fù)位芯片ICl輸出為低電平，MOSFET管Ql不導(dǎo)通，直流電源對電容進(jìn)行充電。當(dāng)發(fā)生故障時候，I/O 口輸出高電平5V，復(fù)位芯片ICl輸出240mS的高電平5V脈寬，MOSFET管Ql檢測到>3. 5V的電壓即導(dǎo)通，從而使電解電容C2對磁通變換器進(jìn)行供電，磁通變換器動作。所述復(fù)位芯片ICl將微處理器的高電平，變成了高電平的一個脈沖，解決磁通變換器長時間通電的問題，同時，解決I/o 口的快速瞬變問題。所述續(xù)流二極管Dl并聯(lián)在所述磁通變換器KM的兩端，所述磁通變換器KM在通過電流時，會在其兩端產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。當(dāng)電流消失時，其感應(yīng)電動勢會對電路中的元件產(chǎn)生反向電壓。續(xù)流二極管Dl和磁通變換器KM構(gòu)成的回路做功而消耗掉，從而保護(hù)了電路中的其它元件的安全，防止不安裝所述續(xù)流二極管Dl時，反向電壓高于元件的反向擊穿電壓時，把其他電氣兀件損壞。顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或 變動仍處于本實用新型創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求1.ー種磁通變換器的驅(qū)動電路，其特征在干其包括 連接于微處理器和磁通變換器(KM)之間的復(fù)位芯片(ICl )、MOSFET管(Ql)、第二電容(C2)以及調(diào)節(jié)電阻(Rl)； 其中，所述復(fù)位芯片(ICl)的電源腳，與微處理器的I/O ロ相連，所述復(fù)位芯片(ICl)的地腳與直流電源的地相連，所述復(fù)位芯片(ICl)的復(fù)位腳與MOSFET管(Ql)的柵極相連；所述MOSFET管(Ql)的源極與直流電源的地相連，MOSFET管(Ql)的漏極與磁通變換器(KM)的負(fù)極相連； 所述第二電容(C2)的正極與磁通變換器(KM)的正極相連，并與所述調(diào)節(jié)電阻串聯(lián)(Rl)于直流電源的正極上，所述第二電容(C2)的負(fù)極與直流電源的地相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁通變換器驅(qū)動電路，其特征在于 所述MOSFET管(Ql)的柵極與源極之間連接有第一電容(Cl)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的磁通變換器驅(qū)動電路，其特征在于 所述磁通變換器(KM)的兩端并聯(lián)有續(xù)流ニ極管(D1)，所述續(xù)流ニ極管(Dl)的陽極與MOSFET管(Ql)的漏極連接，所述續(xù)流ニ極管(Dl)的陰極與所述第二電容(C2)的正極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁通變換器驅(qū)動電路，其特征在于 所述第二電容(C2)為電解電容。
專利摘要本實用新型公開了一種磁通變換器的驅(qū)動電路，包括連接于微處理器和磁通變換器之間的復(fù)位芯片、MOSFET管、第二電容以及調(diào)節(jié)電阻(R1)；其中，所述復(fù)位芯片的電源腳，與微處理器的I/O口相連，所述復(fù)位芯片的地腳與直流電源的地相連，所述復(fù)位芯片的復(fù)位腳與MOSFET管的柵極相連；所述MOSFET管的源極與直流電源的地相連，MOSFET管的漏極與磁通變換器的負(fù)極相連；所述第二電容的正極與磁通變換器的正極相連，并與所述調(diào)節(jié)電阻串聯(lián)于直流電源的正極上，所述第二電容的負(fù)極與直流電源的地相連。該驅(qū)動電路解決了磁通變換器長時間通電導(dǎo)致的脫扣器燒壞問題，同時該復(fù)位芯片能解決I/O口的快速瞬變引起的電流干擾問題。
文檔編號G05B19/042GK202563303SQ201220243008
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月28日
發(fā)明者黃世澤, 朱諒, 楊陽, 楊佰傳, 屠瑜權(quán) 申請人:浙江中凱科技股份有限公司