專利名稱：一種不受nmos和pmos閾值電壓差異的影響的電阻對(duì)電容充放電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種充放電電路，尤其是電阻對(duì)電容充放電以控制時(shí)間(特別是相對(duì)時(shí)間)的電路，具體地說是一種不受NMOS和PMOS閾值電壓差異的影響的電阻對(duì)電容充放電電路。
背景技術(shù)：
用電阻對(duì)電容充放電以控制時(shí)間為集成電路中常見電路，但這種電路有一致性不好的特點(diǎn)，造成一致性不好有很多原因，如電阻的誤差、電容的誤差、電流鏡中Vds (M0S管的漏端電壓與源端電壓之差)，目前大多數(shù)電路也都集中在這幾個(gè)方面進(jìn)行優(yōu)化以減小誤 差，提聞一致性。目前用電阻對(duì)電容充放電以控制時(shí)間的電路中，用于充電的電流鏡和用于放電的電流鏡如果一個(gè)是電阻接地則另一個(gè)就是電阻接電源，這樣與接地電阻連接的電流鏡為PMOS管組成，而與接電源電阻連接的電流鏡為NMOS管組成，從而NMOS和PMOS閾值電壓差異的影響到充放電電流的一致性。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)充放電電路中，NMOS和PMOS閾值電壓差異影響到充放電電流的一致性的問題，提出一種不受NMOS和PMOS閾值電壓差異的影響的電阻對(duì)電容充放電電路。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種不受NMOS和PMOS閾值電壓差異的影響的電阻對(duì)電容充放電電路，它包括電容C3、電阻R5、電阻R4、充電電流鏡和放電電流鏡，電容C3、電阻R5和電阻R4的一端并聯(lián)接電源，充電電流鏡與電阻R5并聯(lián)，放電電流鏡與電阻R4串聯(lián)，所述的充電電流鏡和放電電流鏡中的控制MOS管均為NMOS管。本實(shí)用新型的放電電流鏡包括MOS管N21、N22和控制MOS管N23，所述的MOS管N21與電阻R4串聯(lián)后接地，MOS管N21的漏極接電阻R4，MOS管N21的柵極與N21的漏極、N22的柵極、控制MOS管N23的漏極相連，MOS管N21、N22和N23的源極均接地。本實(shí)用新型的充電電流鏡包括MOS管Nil、N12、P11、P12和控制MOS管NI3，所述的MOS管Nll與電阻R5串聯(lián)后接地，MOS管Nll的漏極接電阻R5，MOS管Nll的柵極與Nll的漏極、N12的柵極、控制MOS管N13的漏極相連，MOS管N11、N12和N13的源極均接地，MOS管N12的漏極與Pll的漏極以及P11、P12柵極的連接點(diǎn)相連，MOS管P11、P12的源極接電容的充電端。本實(shí)用新型的充放電電路還包括電壓檢測(cè)電路，所述的電壓檢測(cè)電路與電容C3的非電源端相連。本實(shí)用新型的有益效果[0011]本實(shí)用新型應(yīng)用于電阻對(duì)電容充放電以控制時(shí)間的電路中，用于充電的與電流鏡連接的電阻和用于放電的與電流鏡連接的電阻都連接到電源，這樣直接與充電用的電阻相連的電流鏡和直接與放電用的電阻相連的電流鏡都由NMOS管組成，從而充電用的電流鏡中的電流和放電用的電流鏡中的電流只與NMOS管閾值電壓有關(guān)，與PMOS管閾值電壓無(wú)關(guān)，消除了 NMOS和PMOS閾值電壓差異影響充放電電流一致性的問題。

圖I是本實(shí)用新型的電路圖之一。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。如圖I所示，一種不受NMOS和PMOS閾值電壓差異的影響的電阻對(duì)電容充放電電路，它包括電容C3、電阻R5、電阻R4、充電電流鏡I和放電電流鏡2，電容C3、電阻R5和電阻·R4的一端并聯(lián)接電源，充電電流鏡I與電阻R5并聯(lián)，放電電流鏡2與電阻R4串聯(lián)，所述的充電電流鏡I和放電電流鏡2中的控制MOS管均為NMOS管。電路工作原理為充電過程打開N23關(guān)斷電流鏡2，關(guān)斷N13打開電流鏡1，通過電流鏡I給電容3充電，由檢測(cè)電壓電路判斷是否充電充到要求值，如到達(dá)要求值，則打開N13關(guān)斷電流鏡1，充電過程結(jié)束。放電過程打開N13關(guān)斷電流鏡1，關(guān)斷N23打開電流鏡2，通過電流鏡2給電容3放電，由檢測(cè)電壓電路判斷是否放電放到要求值，如到達(dá)要求值，則打開N23關(guān)斷電流鏡2，放電過程結(jié)束。假設(shè)電阻4阻值為R4，電阻5阻值為R5，NMOS管閾值電壓為Vnt，電源電壓為VDD，電流鏡I的電流放大倍數(shù)為1，電流鏡2的電流放大倍數(shù)為1，則充電電流為(VDD — Vnt)/R5，放電電流為(VDD — Vnt)/ R4，顯然與PMOS管閾值電壓無(wú)關(guān)。本實(shí)用新型未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求1.一種不受NMOS和PMOS閾值電壓差異的影響的電阻對(duì)電容充放電電路，它包括電容C3、電阻R5、電阻R4、充電電流鏡(I)和放電電流鏡(2)，電容C3、電阻R5和電阻R4的一端并聯(lián)接電源，充電電流鏡(I)與電阻R5并聯(lián)，放電電流鏡(2)與電阻R4串聯(lián)，其特征是所述的充電電流鏡(I)和放電電流鏡(2 )中的控制MOS管均為NMOS管。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的不受NMOS和PMOS閾值電壓差異的影響的電阻對(duì)電容充放電電路，其特征是所述的放電電流鏡(2)包括MOS管N21、N22和控制MOS管N23，所述的MOS管N21與電阻R4串聯(lián)后接地，MOS管N21的漏極接電阻R4，MOS管N21的柵極與N21的漏極、N22的柵極、控制MOS管N23的漏極相連，MOS管N21、N22和N23的源極均接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的不受NMOS和PMOS閾值電壓差異的影響的電阻對(duì)電容充放電電路，其特征是所述的充電電流鏡(I)包括MOS管N11、N12、P11、P12和控制MOS管NI3，所述的MOS管Nll與電阻R5串聯(lián)后接地，MOS管Nll的漏極接電阻R5，MOS管Nll的柵極與Nll的漏極、N12的柵極、控制MOS管N13的漏極相連，MOS管Nil、N12和N13的源極均 接地，MOS管N12的漏極與Pll的漏極以及Pll、P12柵極的連接點(diǎn)相連，MOS管Pll、P12的源極接電容的充電端。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的不受NMOS和PMOS閾值電壓差異的影響的電阻對(duì)電容充放電電路，其特征是所述的充放電電路還包括電壓檢測(cè)電路(6)，所述的電壓檢測(cè)電路(6)與電容C3的非電源端相連。
專利摘要一種不受NMOS和PMOS閾值電壓差異的影響的電阻對(duì)電容充放電電路，它包括電容C3、電阻R5、電阻R4、充電電流鏡(1)和放電電流鏡(2)，電容C3、電阻R5和電阻R4的一端并聯(lián)接電源，充電電流鏡(1)與電阻R5并聯(lián)，放電電流鏡(2)與電阻R4串聯(lián)，所述的充電電流鏡(1)和放電電流鏡(2)中的控制MOS管均為NMOS管。本實(shí)用新型中，用于充電的與電流鏡連接的電阻和用于放電的與電流鏡連接的電阻都連接到電源，這樣直接與充電用的電阻相連的電流鏡和直接與放電用的電阻相連的電流鏡都由NMOS管組成，從而充電用的電流鏡中的電流和放電用的電流鏡中的電流只與NMOS管閾值電壓有關(guān)，與PMOS管閾值電壓無(wú)關(guān)。
文檔編號(hào)G05F3/26GK202758266SQ20122010369
公開日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月19日
發(fā)明者黃勝明 申請(qǐng)人:常州博拓電子科技有限公司