調(diào)壓電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種調(diào)壓電路。該電路包括NMOS晶體管、NPN雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻、可調(diào)電阻和肖特基勢壘二極管；所述NMOS晶體管的柵極通過第一電阻連接至電壓源并通過可調(diào)電阻連接至地，源極接地，漏極連接至肖特基勢壘二極管的負極端、NPN雙極型晶體管的基極以及通過第二電阻連接至電壓源；肖特基勢壘二極管的正極端接地；NPN雙極型晶體管的源極接地，集電極作為輸出端的負極。體積較小、功耗小、速度高、適用于集成，電路結(jié)構(gòu)簡單。
【專利說明】調(diào)壓電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種調(diào)壓電路。
【背景技術(shù)】
[0002]調(diào)壓是電路中經(jīng)常用到的電路模塊，用于調(diào)整電路功能電壓?，F(xiàn)有電路中一般采用晶閘管作為調(diào)壓的件，但是晶閘管的面積較大，發(fā)熱較大，消耗的功率也較大，根本不適用于集成電路，一般是在芯片外接調(diào)壓電路。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的發(fā)明目的在于:針對上述存在的問題，提供一種M0S結(jié)構(gòu)的調(diào)壓電路。
[0004]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是這樣的:本發(fā)明的一種調(diào)壓電路，該電路包括NM0S晶體管、NPN雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻、可調(diào)電阻和肖特基勢壘二極管；所述NM0S晶體管的柵極通過第一電阻連接至電壓源并通過可調(diào)電阻連接至地，源極接地，漏極連接至肖特基勢壘二極管的負極端、NPN雙極型晶體管的基極以及通過第二電阻連接至電壓源；肖特基勢壘二極管的正極端接地；NPN雙極型晶體管的源極接地，集電極作為輸出端的負極。
[0005]在上述的電路中，所述第一電阻和第二電阻為參數(shù)相同的電阻。
[0006]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是:該電路體較小、功耗小、速度高、適用于集成，且電路結(jié)構(gòu)簡單。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明調(diào)壓電路的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0008]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明作詳細的說明。
[0009]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0010]如圖1所示，是本發(fā)明調(diào)壓電路的電路原理圖。
[0011]下面結(jié)合圖1對本發(fā)明上述各電子元器件間的連接關(guān)系做詳細說明:一種調(diào)壓電路，該電路包括NM0S晶體管Q1、NPN雙極型晶體管T1、第一電阻R1、第二電阻R2、可調(diào)電阻RW1和肖特基勢壘二極管Z1 ;所述NM0S晶體管Q1的柵極通過第一電阻R1連接至電壓源VDD并通過可調(diào)電阻RW1連接至地GND，源極接地GND，漏極連接至肖特基勢壘二極管Z1的負極端、NPN雙極型晶體管T1的基極以及通過第二電阻R2連接至電壓源VDD ;肖特基勢壘二極管Z1的正極端接地；NPN雙極型晶體管T1的源極接地GND，集電極作為輸出端Vout的負極。
[0012]在本發(fā)明上述的電路中，所述第一電阻R1和第二電阻R2為參數(shù)相同的電阻。[0013]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種調(diào)壓電路，其特征在于，包括NMOS晶體管(Q1)、NPN雙極型晶體管(T1)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2 )、可調(diào)電阻(RW1)和肖特基勢壘二極管(Z1);所述NM0S晶體管(Q1)的柵極通過第一電阻(R1)連接至電壓源(VDD)并通過可調(diào)電阻(RW1)連接至地(GND)，源極接地(GND )，漏極連接至肖特基勢壘二極管(Z1)的負極端、NPN雙極型晶體管(T1)的基極以及通過第二電阻(R2)連接至電壓源(VDD);肖特基勢壘二極管(Z1)的正極端接地；NPN雙極型晶體管(T1)的源極接地(GND)，集電極作為輸出端(Vout)的負極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)壓電路，其特征在于，所述第一電阻(R1)和第二電阻(R2)為參數(shù)相同的電阻。
【文檔編號】G05F1/56GK103677039SQ201210354244
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月21日
【發(fā)明者】周曉東, 王曉娟, 王紀(jì)云 申請人:鄭州單點科技軟件有限公司