專利名稱：參考電流產生電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及互補型金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide kmiconductor，簡稱“CMOS”)技術，特別涉及利用CMOS技術的參考電流產生電路。
背景技術：
現有方案一

圖1所示的參考電流產生電路，MPl和MP2兩個PMOS (P溝道MOS管)形成線性電流源，麗1和麗2兩個NMOS (N溝道MOS管)以及電阻Rs形成一個非線性電流源，由于線性電流源和非線性電流源的共同作用，使得電流源能夠自偏。MNl和MN2工作在亞閾值區(qū)域(Sub-Threshold)，處于弱導通的狀態(tài)，其電流電壓特性(I-V 特性)類似于三極管(Bipolar Junction Transistor，簡稱 “BJT”)
權利要求
1.一種參考電流產生電路，其特征在于，包含金屬氧化物半導體MOS管MP1、MP2、麗1、 MN2、MN4以及電阻Rs ；MPl的柵極與MP2的柵極連接，MPl的源極與電源連接，MPl的漏極與麗1的漏極連接； MP2的源極與電源連接，MP2的漏極與麗2的漏極連接；麗1的柵極與麗2的柵極連接，麗1的源極通過電阻Rs與MN4的漏極連接，麗1的漏極與麗1的柵極連接； 麗2的源極接地； MN4的源極接地；在MPl的柵極和MN4的柵極之間連接一偏置回路。
2.根據權利要求1所述的參考電流產生電路，其特征在于，在MPl的柵極和麗2的漏極之間連接一負反饋回路。
3.根據權利要求2所述的參考電流產生電路，其特征在于，MOS管MP1、MP2為P溝道 MOS 管 PMOS ；MOS 管 MNl、MN2、MN4 為 N 溝道 MOS 管 NMOS。
4.根據權利要求3所述的參考電流產生電路，其特征在于，所述偏置回路中含有MOS管 MP3、MN5 禾口 MN3 ；MP3的柵極與MPl的柵極連接，MP3的源極與電源連接，MP3的漏極與麗5的漏極連接； 麗5的柵極與MN4的柵極連接，麗5的柵極與麗5的漏極連接，麗5的源極與麗3的漏極連接；麗3的柵極與麗3的漏極連接，麗3的源極接地； MP3 為 PMOS ；MN5 禾口 MN3 為 NMOS0
5.根據權利要求3所述的參考電流產生電路，其特征在于，所述偏置回路中含有MOS管 MP3、MN5 和電阻 R2 ；MP3的柵極與MPl的柵極連接，MP3的源極與電源連接，MP3的漏極與麗5的漏極連接； 麗5的柵極與MN4的柵極連接，麗5的柵極與麗5的漏極連接，麗5的源極通過電阻R2 接地；MP3 為 PMOS ；MN5 為 NMOS。
6.根據權利要求3所述的參考電流產生電路，其特征在于，所述偏置回路中含有MOS管 MP3、MN5、MN7 禾口 MN3 ；MP3的柵極與MPl的柵極連接，MP3的源極與電源連接，MP3的漏極與麗5的漏極連接； 麗5的柵極與MN4的柵極連接，麗5的柵極與麗5的漏極連接，麗5的源極與麗7的漏極連接；麗7的柵極與麗3的柵極連接，麗7的柵極與麗7的漏極連接，麗7的源極與麗3的漏極連接；麗3的源極接地；MP3 為 PMOS ；MN5、MN7 禾口 MN3 為 NMOS0
7.根據權利要求4至6中任一項所述的參考電流產生電路，其特征在于，所述負反饋回路中含有MOS管MP4和MN6 ；MP4的柵極與MPl的柵極連接，MP4的源極與電源連接，MP4的漏極與MN6的漏極連接， MP4的柵極與MP4的漏極連接；MN6的柵極與麗2的漏極連接，MN6的源極接地； MP4 為 PMOS ；MN6 為匪OS。
8.根據權利要求4至6中任一項所述的參考電流產生電路，其特征在于，所述負反饋回路中含有MOS管MP4、MN6和電阻Rl ；MP4的柵極與MPl的柵極連接，MP4的源極與電源連接，MP4的漏極與MN6的漏極連接， MP4的柵極與MP4的漏極連接；MN6的柵極與麗2的漏極連接，MN6的源極通過電阻Rl接地； MP4 為 PMOS ；MN6 為匪OS。
9.根據權利要求4至6中任一項所述的參考電流產生電路，其特征在于，所述負反饋回路中含有MOS管MP4、MP5和MN6 ；MP4的柵極與MPl的柵極連接，MP4的源極與電源連接，MP4的漏極與MP5的源極連接， MP4的柵極與MP4的漏極連接；MP5的柵極與MP5的漏極連接，MP5的漏極與MN6的漏極連接； MN6的柵極與麗2的漏極連接，MN6的源極接地； MP4 禾口 MP5 為 PMOS ；MN6 為 NMOS0
全文摘要
本發(fā)明涉及CMOS技術，公開了一種參考電流產生電路。本發(fā)明中，通過在電路中引入電阻Rs和工作在線性區(qū)的的MOS管MN4，可以減弱參考電流對工藝的敏感度，改善參考電流的初始精度和離散度。通過合理調整Rs和MN4等效電阻Ron的比例，可以調整溫度系數，實現一階溫度系數補償。在電路中引入負反饋，可以大幅度提高電源抑制比。該參考電流產生電路提供了一種利用CMOS工藝實現參考電流的途徑，電路結構簡單，易于實施，成本很低。
文檔編號G05F1/567GK102385411SQ20111028464
公開日2012年3月21日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權日2011年9月22日
發(fā)明者劉飛, 馬俠 申請人:鉅泉光電科技(上海)股份有限公司