專利名稱：一種外接mos的電流模式電流感應(yīng)部分電路及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及功率開關(guān)控制領(lǐng)域，具體涉及一種外接MOS的電流模式電流感應(yīng)部分 電路。
背景技術(shù)：
PWM開關(guān)穩(wěn)壓或穩(wěn)流電路的基本工作原理就是在輸入電壓變化、內(nèi)部參數(shù)變化、外 接負載變化的情況下，控制電路通過被控制信號與基準信號的差值進行閉環(huán)反饋，調(diào)節(jié)主 電路開關(guān)的導通脈沖寬度，使得開關(guān)電源的輸出電壓或電流等被控制信號穩(wěn)定。而對于定 頻調(diào)寬的PWM閉環(huán)反饋控制系統(tǒng)，主要有五種PWM反饋控制模式、分別為電壓模式控制、峰 值電流控制模式(也稱電流模式)、平均電流模式控制、滯環(huán)電流模式控制以及相加模式控 制。以BUCK電路(降壓式變換電路)為例，電流模式的整體控制原理如圖1所示。電 路中存在電壓反饋環(huán)和電流反饋環(huán)兩個反饋環(huán)路。其中，電壓反饋環(huán)的控制原理是輸出電 壓v。ut經(jīng)過反饋電阻分壓產(chǎn)生反饋信號ra，反饋信號ra與基準信號Vref的差值經(jīng)運放Eamp 放大產(chǎn)生誤差放大信號EAO。EAO信號再與電流環(huán)路反饋信號(電流感應(yīng)信號與斜坡補償 信號的和)經(jīng)PWM比較器比較產(chǎn)生具有一定占空比的PWM信號，PWM信號經(jīng)過邏輯控制電 路生成功率開關(guān)管的控制信號DH與DL，從而控制功率開關(guān)管的開啟與關(guān)閉，也就控制了輸 出電壓的高低。電流反饋環(huán)的控制原理是采樣電阻Rsmse與功率管串聯(lián)，功率管中的電流流過采 樣電阻產(chǎn)生采樣電壓，采樣電壓經(jīng)過電流采樣放大器后就得到具有一定斜坡的電壓，該電 壓與斜坡補償電流產(chǎn)生的斜坡補償電壓相加后，經(jīng)過PWM比較器與誤差放大器的輸出(即 EAO信號)相比較，當相加后的電壓大于EAO時，PWM比較器輸出低電平關(guān)閉功率開關(guān)管，電 路停止充電。所以電流模式控制是通過調(diào)節(jié)功率管電流斜坡(等同電感電流斜坡)的峰值 來控制開關(guān)管的。但是，在實際的電路中我們很少直接采用電流感應(yīng)電阻，因為加入電阻會影響系 統(tǒng)的效率，并且高精度的小電阻也很難實現(xiàn)。作為替代的傳統(tǒng)電流模式電流感應(yīng)部分電路 如圖2所示，其中M1為功率MOS管，I為流過功率管的電流，I1為斜坡補償?shù)碾娏鳎琯m為跨 導系數(shù)、Rds為開關(guān)管內(nèi)阻。從圖中可以看出V1 = R1=KI3 = R1* (IJI2) =R1=KlAgnpKI*!^) =R1=KlARdgnpKI*!^ (1)在此替代電路中通過運放將功率管電流I轉(zhuǎn)化為電流12，之后通過電阻R1實現(xiàn)電 流I2與I1的線性疊加，產(chǎn)生電壓V1，在用V1與電壓負反饋環(huán)形成的誤差電壓EAO進行比較 得到所需要的PWM信號。下面以降壓補償電路為例進行說明，從公式(1)中可以看出，外部電流I斜率經(jīng)過 (Rjgn^Rlis)轉(zhuǎn)化為內(nèi)部比較所需要的電壓斜率，為消除次諧波不穩(wěn)定，該電壓斜率與斜坡 補償電壓斜率O^dll/dt)存在比例關(guān)系，即R1=KdIlZdt > 0. S^KR^gnpKR^dldown/dt(2)
設(shè)傳遞電阻Rmap = R^gm*!^。在實際應(yīng)用中，如果輸出電流比較小，我們可以將MOS管集成到芯片內(nèi)部，這時的 MOS管導通電阻Rds的變化范圍不是很大，一般可以根據(jù)Rds的典型值設(shè)置R1^dI 1/dt ^ 0. TS^R^gm^R^dldown/dt(3)來滿足設(shè)計要求。斜坡補償斜率不宜設(shè)置過大，過大會導致峰值電流受限制，而峰值電流會影響變 換器的輸出容量。如果輸出電流較大，我們不宜將MOS管集成到芯片內(nèi)部，因為較大的電流會產(chǎn)生 較多的熱量，使芯片的溫度迅速升高影響芯片的性能，同時較大的電流會使芯片內(nèi)部的接 地信號GND受到很強的干擾，嚴重時會使芯片失效。因此，在較大的電流下我們會選擇外接MOS管，這樣即不會有較大的溫升，同時也 不存在對芯片內(nèi)部GND的干擾。同時我們還可以根據(jù)不同的需要來選擇不同的MOS管類型， 例如普通MOS管，耐壓MOS管或縱向MOS管等。我們在設(shè)計外接MOS管時，往往會根據(jù)帶電流能力和效率等不同的需要選擇MOS 管及其Rds值，如果利用傳統(tǒng)的電流模式電流感應(yīng)部分電路，根據(jù)公式(2)和公式(3)可以 看出Rds的值已經(jīng)受到限制，這也就限制了電流模式在外接MOS管的電路設(shè)計中的靈活應(yīng) 用。在以往的外接MOS管的設(shè)計中，人們往往會采用電壓模式，然而電壓模式輸出端存在雙 極點，使得環(huán)路補償比較復雜，同時電壓模式與電流模式相比對輸出的變化調(diào)節(jié)較慢，對輸 入變化的抑制能力較差。因此，電流模式只要克服對&值變化的影響，電流模式仍然有較 大的應(yīng)用空間。如何克服Rds值的變化，設(shè)計一種適用于電流模式的外接MOS電路，是為業(yè)界需要 解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種適合外接MOS的電流模式電流感應(yīng)電路，以解決傳統(tǒng)的 外接MOS管設(shè)計受限于MOS管內(nèi)阻變化而采用電壓控制模式，而電壓控制模式對輸出變化 調(diào)節(jié)反應(yīng)不靈敏，并且對輸入變化抑制能力較差的技術(shù)問題。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了以下的技術(shù)方案 一種外接MOS的電流模式電流感應(yīng)部分電路，包括電壓反饋電路以及電流反饋電 路，所述電壓反饋電路將負載輸出電壓經(jīng)反饋電阻分壓后的反饋電壓與基準電壓比較后的 輸出值與所述電流反饋電路的輸出值經(jīng)PWM比較器，生成一 PWM信號，該PWM信號經(jīng)PWM邏 輯控制電路生成控制信號，進而控制功率開關(guān)管的開啟與關(guān)閉，所述電流反饋電路進一步 包括一可調(diào)的外接補償電阻；一包含有外接功率MOS管的采樣電路，用以將流過功率MOS管的電流轉(zhuǎn)化為所述 外接電阻上的電壓值；以及一疊加電路，用以將外接電阻的電壓值與斜坡補償電壓值疊加，其進一步包括一 內(nèi)置電阻，一斜坡補償電流源，與該斜坡補償電流源并聯(lián)的鏡像電源，以及一疊加電流產(chǎn)生 電路，該疊加電流產(chǎn)生電路的輸入端電性連接于所述外接補償電阻，輸出一穩(wěn)定的電流，所述鏡像電源產(chǎn)生一與該電流成比例的疊加電流與所述斜坡補償電流源產(chǎn)生的電流疊加后 流入所述內(nèi)置電阻。依照本發(fā)明較佳實施例所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，所述外接補償電阻的 阻抗與所述外接MOS管的導通電阻對應(yīng)成比例。依照本發(fā)明較佳實施例所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，所述疊加電路通過一 鏡像電源與所述斜坡電流產(chǎn)生電路連接，該鏡像電源產(chǎn)生一與所述疊加電流產(chǎn)生電路的輸 出電流等同的電流。依照本發(fā)明較佳實施例所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，所述采樣電路進一步 包括一運算放大電路，其輸出端與一串聯(lián)在所述外接補償電阻的PMOS管的柵極；一功率MOS管，其源極和漏極分別通過一電阻電性連接于所述運算放大電路兩輸 入端；所述PMOS管漏極串聯(lián)于所述外接補償電阻，源極跨接在所述MOS管漏極與功率放 大器負輸入端之間。依照本發(fā)明較佳實施例所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，所述疊加電流產(chǎn)生電 路進一步包括一運算放大電路，其輸出端與一串聯(lián)在所述鏡像電源的NMOS管的柵極，其正、負 輸入端分別通過一電阻連接在所述外置補償電阻的兩端；所述NMOS管漏極串聯(lián)于所述鏡像電源，源極跨接在所述外接補償電阻輸出端與 功率放大電路負輸入端之間。依照本發(fā)明較佳實施例所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，所述鏡像電源的比例 系數(shù)為1 1。依照本發(fā)明較佳實施例所述的電流模式電流疊加部分電路，所述運算放大電路兩 輸入端連接的電阻與所述內(nèi)置電阻阻抗相同。依照本發(fā)明較佳實施例所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，所述鏡像電源用以產(chǎn) 生與所述疊加電路生成的電流對應(yīng)的電流。依照本發(fā)明較佳實施例所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，所述疊加電路疊加后 產(chǎn)生的電壓信號輸出至所述PWM比較器，與所述誤差放大器的輸出信號進行比較。本發(fā)明另提供一種外接MOS管的電流模式實現(xiàn)方法，包括依據(jù)比例選取阻值與 外接MOS管導通電阻對應(yīng)的外接補償電阻；提供一采樣電路，將通過外接MOS管的電流轉(zhuǎn)化 為外接補償電阻電壓值；提供一疊加電路，將外接電阻電壓與斜坡補償電壓值疊加；將疊 加后電壓與電壓反饋環(huán)電壓比較；產(chǎn)生PWM控制信號。由于采用了以上的技術(shù)特征，使得本發(fā)明相比于現(xiàn)有技術(shù)具有以下的優(yōu)點和積極 效果首先，依據(jù)本發(fā)明提供的電路和方法，可以在電流模式下實現(xiàn)外接MOS管實現(xiàn)對 輸出電流的采樣，而無需考慮輸出電流的大小對芯片性能的影響；其次，可以在電流模式下實現(xiàn)對外接MOS管輸出電流的采樣，并通過可調(diào)的外接 補償電阻將傳遞電阻的大小設(shè)計為固定值，從而可以設(shè)計固定的電流補償斜率來消除次諧 波不穩(wěn)定性，克服了本領(lǐng)域的技術(shù)人員以往在外接MOS管時只能采用電壓制模式的技術(shù)難點，減少環(huán)路補償?shù)膹碗s程度，調(diào)節(jié)更加靈活。 當然，實施本發(fā)明內(nèi)容的任何幾個具體實施例，并不一定同時達到以上全部的技 術(shù)效果。


圖1是開關(guān)電源電流模式控制的整體原理圖2是傳統(tǒng)的電流模式中電流反饋環(huán)的應(yīng)用原理圖
圖3是本發(fā)明提供的控制方法的流程圖4是本發(fā)明的原理框圖5是圖4中的采樣電路的原理圖6是圖5中的運算放大電路的原理圖7為圖4中的疊加電路的原理圖8為圖7中的運算放大電路的原理圖9為本發(fā)明的電流反饋環(huán)路的整體圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的幾個優(yōu)選實施例進行詳細描述，但本發(fā)明并不僅僅限于 這些實施例。本發(fā)明涵蓋任何在本發(fā)明的精髓和范圍上做的替代、修改、等效方法以及方 案。為了使公眾對本發(fā)明有徹底的了解，在以下本發(fā)明優(yōu)選實施例中詳細說明了具體的細 節(jié)，而對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說沒有這些細節(jié)的描述也可以完全理解本發(fā)明。另外，為了避免 對本發(fā)明的實質(zhì)造成不必要的混淆，并沒有詳細說明眾所周知的方法、過程、流程、元件和 電路等。本發(fā)明的核心思想在于，通過外接電阻來補償外接MOS管導通電阻值的變化，從 而實現(xiàn)傳遞電阻Rmap的值基本不變，這樣我們就可以設(shè)置固定的斜坡補償斜率來滿足公式 (2)和公式(3)的要求，消除次諧波不穩(wěn)定。并且，觀察公式⑵和公式(3)，我們可以看到傳遞電阻Rmap = R^gm*!^，其中Rds 的值是變量，gm為內(nèi)部運放的跨導不宜改變，那么只有改變R1,用外接R1的方法來補償Rds 的變化，從而維持傳遞電阻Rmap的值不變。不過斜坡補償?shù)男甭屎投Y、dll/dt有關(guān)，要想保 證斜坡補償?shù)男甭什蛔?，只有將R1 —分為二，將公式(2)和公式(3)變化如下R11=KdIΙ/dt > 0. 5*R12*gm*RDS*dIdown/dt(4)R11^dI 1/dt ^ 0. 75*R12*gm*RDS*dIdown/dt(5)R11為芯片的內(nèi)置電阻(大小固定)，R12為外置補償電阻用來補償Rds的值的變化。請參考圖3，其為實現(xiàn)本發(fā)明思想的一種實現(xiàn)方法的流程圖，主要包括以下步驟S301 依據(jù)比例選取阻值與外接MOS管導通電阻對應(yīng)的外接補償電阻，MOS管的導 通電阻Rds根據(jù)不同的MOS管性能不同也有差別，而轉(zhuǎn)移電阻RMAP與R12和Rds有關(guān)，兩者呈 比例關(guān)系，因此需要根據(jù)Rds選取R12的阻抗。S302 提供一采樣電路，將通過外接MOS管的電流轉(zhuǎn)化為外接補償電阻電壓值。S303 提供一疊加電路，將外接電阻電壓與斜坡補償電壓值疊加；S304 將疊加后電壓與電壓反饋環(huán)電壓比較；
S305 產(chǎn)生PWM控制信號，此PWM信號具有一定的占空比，再經(jīng)過邏輯控制電路運 算產(chǎn)生功率開關(guān)管的控制信號，控制功率開關(guān)管的導通或關(guān)閉。請參考圖4，其為實現(xiàn)本發(fā)明內(nèi)容的一種具體電路框圖；一種外接MOS的電流模式電流感應(yīng)部分電路，包括電壓反饋電路以及電流反饋電 路，所述電壓反饋電路將負載輸出電壓經(jīng)反饋電阻分壓后的反饋電壓與基準電壓比較后的 輸出值與所述電流反饋電路的輸出值經(jīng)PWM比較器，生成PWM信號，PWM信號經(jīng)PWM邏輯控 制電路生成控制信號，進而控制功率開關(guān)管的開啟與關(guān)閉，所述電流反饋電路進一步包括 可調(diào)的外接補償電阻R12，包含有外接MOS管的采樣電路和用以將外接電阻的電壓值與斜坡 補償電壓值疊加的疊加電路。請參考圖5，其為圖4中的采樣電路的原理圖，其包括運算放大電路501和MOS管 503，運算放大電路501的輸出端與一串聯(lián)在外接補償電阻R12的PMOS管502的柵極；MOS 管503的源極和漏極分別通過一電阻民電性連接于運算放大電路501的兩輸入端；PMOS管 502漏極串聯(lián)于外接補償電阻R12，源極跨接于MOS管503漏極與運算放大電路501的負輸 入端之間。根據(jù)圖5我們可以得出I*Rds+R3*I4 = R3*(I4+I5)整理得I5= I*Rds/R3V12 = I5*R12 = R12*I*Rds/R3(6)即傳遞電阻Rmap = R12*Rds/R3(7)R3為固定阻值的內(nèi)置電阻，Rds為外接MOS管503的導通電阻，R12為外接補償電阻。 根據(jù)不同的Rds，我們選擇不同的R12，這樣可以保證傳遞電阻Rmap為常數(shù)。將公式(7)代入公式⑷、(5)得Rn*dll/dt > 0. 5*(R12*RDS/R3)*dIdown/dt (8)Rn*dll/dt 0. 75*(R12*RDS/R3)*dIdown/dt (9)在保證傳遞電阻Rmap為常數(shù)的前提下，我們可以方便的設(shè)置Rn*dll/dt的參數(shù)來 滿足公式⑶和公式(9)，保證了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。請參考圖6，其為圖5中的運算放大電路的原理圖，該電路可保證較高的3dB增益 帶寬。請參考圖7，其為圖4中的疊加電路的原理圖，可見，其進一步包括一內(nèi)置電阻R11, 一產(chǎn)生斜坡補償電流I1的斜坡補償電流源70，與該斜坡補償電流源并聯(lián)的鏡像電源71，以 及一疊加電流產(chǎn)生電路72。疊加電流產(chǎn)生電路72輸入端電性連接于所述外接補償電阻R12，輸出一穩(wěn)定的電 流，鏡像電源71將該鏡像電源產(chǎn)生的電流I8成比例的斜坡電源與斜坡補償電流源70產(chǎn)生 的電流I1疊加后流入內(nèi)置電阻R11,優(yōu)選的鏡像電源71的比例系數(shù)為1 1。疊加電流產(chǎn)生電路進一步包括運算放大電路722和NMOS管721，運算放大電路 722輸出端接在NMOS管721的柵極，其正、負輸入端分別通過一電阻R4連接在外置補償電 阻R12的兩端。NMOS管721的漏極串聯(lián)于鏡像電源71，源極跨接在外接補償電阻R12輸出端與功 率放大器722的負輸入端之間。
根據(jù)圖7我們可以得出(I8+I6) *R4 = I6*R4+V12 推導得到 I8 = V12/R4。鏡像電源71的比例系數(shù)為1 1，所以，V11 = I8*Rn+Ii*Rn若設(shè)置R4 = R11,則V11 = V^+I^Rn(10)這樣就實現(xiàn)了外接電阻R12上的電壓值與斜坡補償電壓值(斜坡補償?shù)碾娏鱅1在 內(nèi)置電阻R11上形成的電壓值)的疊加，該部分的運算放大電路如圖8所示。請參考圖9，圖9為整個外接MOS管電流反饋電路的原理圖，整體電流感應(yīng)部分電 路如圖9所示，根據(jù)公式(6)和公式(10) (R4 = R11)可知輸出電壓V11:V11 = I^Rn+Ria^I^Rns/Rs(11)其中斜坡補償電流產(chǎn)生的電壓VSQ = I1^R11 ；對功率管電流的感應(yīng)電壓VSE = R12*I*Rds/R3斜坡補償電壓斜率dvs。/dt= R11^dI 1/dt (12)感應(yīng)電壓斜率dVSE/dt= (R12*RDS/R3)*dI/dt (13)其中傳遞電阻Rmap = R12*Rds/R3。(14)所以只要根據(jù)功率管導通電阻Rds的大小合理的設(shè)置外接電阻R12的電阻值，來實 現(xiàn)傳遞電阻Rmap的大小不變。這樣就可以通過設(shè)置固定的斜坡補償電流來保證公式(8)和 公式(9)的成立，也就保證了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。綜上所述，由于采用了以上的技術(shù)特征，使得本發(fā)明相比于現(xiàn)有技術(shù)具有以下的 優(yōu)點和積極效果首先，依據(jù)本發(fā)明提供的電路和方法，可以在電流模式下實現(xiàn)外接MOS管實現(xiàn)對 輸出電流的采樣，而無需考慮輸出電流的大小對芯片性能的影響；其次，可以在電流模式下實現(xiàn)對外接MOS管輸出電流的采樣，并通過可調(diào)的外接 補償電阻將傳遞電阻的大小設(shè)計為固定值，從而可以設(shè)計固定的電流補償斜率來消除次諧 波不穩(wěn)定性，克服了本領(lǐng)域的技術(shù)人員以往在外接MOS管時只能采用電壓制模式的技術(shù)難 點，減少環(huán)路補償?shù)膹碗s程度，調(diào)節(jié)更加靈活。本發(fā)明優(yōu)選實施例只是用于幫助闡述本發(fā)明。優(yōu)選實施例并沒有詳盡敘述所有的 細節(jié)，也不限制該發(fā)明僅為所述的具體實施方式
。顯然，根據(jù)本說明書的內(nèi)容，可作很多的 修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實施例，是為了更好地解釋本發(fā)明的原理和實 際應(yīng)用，從而使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能很好地利用本發(fā)明。本發(fā)明僅受權(quán)利要求書及其 全部范圍和等效物的限制。
權(quán)利要求
1.一種外接MOS的電流模式電流感應(yīng)部分電路，包括電壓反饋電路以及電流反饋電 路，所述電壓反饋電路將負載輸出電壓經(jīng)反饋電阻分壓后的反饋電壓與基準電壓比較后的 輸出值與所述電流反饋電路的輸出值經(jīng)PWM比較器，生成一 PWM信號，該PWM信號經(jīng)PWM邏 輯控制電路生成控制信號，進而控制功率開關(guān)管的開啟與關(guān)閉，其特征在于，所述電流反饋 電路進一步包括一可調(diào)的外接補償電阻；一包含有外接功率MOS管的電流采樣電路，用以將流過功率MOS管的電流轉(zhuǎn)化為所述 外接電阻上的電壓值；以及一疊加電路，用以將外接電阻的電壓值與斜坡補償電壓值疊加，其進一步包括一內(nèi)置 電阻，一斜坡補償電流源，與該斜坡補償電流源并聯(lián)的鏡像電源，以及一疊加電流產(chǎn)生電 路，該疊加電流產(chǎn)生電路的輸入端電性連接于所述外接補償電阻，輸出一穩(wěn)定的電流，所述 鏡像電源產(chǎn)生一與該電流成比例的疊加電流與所述斜坡補償電流源產(chǎn)生的電流疊加后流 入所述內(nèi)置電阻。
2.如權(quán)利要求1所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，其特征在于，所述外接補償電阻 的阻抗與所述外接功率MOS管的導通電阻對應(yīng)成比例。
3.如權(quán)利要求1所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，其特征在于，所述疊加電路通過 一鏡像電源與所述斜坡補償電流產(chǎn)生電路連接，該鏡像電源產(chǎn)生一與所述疊加電流產(chǎn)生電 路的輸出電流等同的電流。
4.如權(quán)利要求1所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，其特征在于，所述采樣電路進一 步包括一運算放大電路，其輸出端與一串聯(lián)在所述外接補償電阻的PMOS管的柵極；一功率MOS管，其源極和漏極分別通過一電阻電性連接于所述運算放大電路的兩輸入端；所述PMOS管漏極串聯(lián)于所述外接補償電阻，源極跨接在所述功率MOS管源極與功率放 大電路的負輸入端之間。
5.如權(quán)利要求1所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，其特征在于，所述疊加電流產(chǎn)生 電路進一步包括一運算放大電路，其輸出端連接在一串聯(lián)在所述鏡像電源的NMOS管的柵極，其正、負 輸入端分別通過一電阻電性連接在所述外置補償電阻的兩端；所述NMOS管漏極串聯(lián)于所述鏡像電源，源極跨接在放大器負輸入端。
6.如權(quán)利要求1所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，其特征在于，所述鏡像電源的比 例系數(shù)為1 1。
7.如權(quán)利要求5所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，其特征在于，所述運算放大電路 兩輸入端連接的電阻與所述內(nèi)置電阻阻抗相同。
8.如權(quán)利要求1所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，其特征在于，所述鏡像電流源用 以產(chǎn)生與所述疊加電路生成的電流對應(yīng)的電流。
9.如權(quán)利要求1所述的電流模式電流感應(yīng)部分電路，其特征在于，所述疊加電路疊加 后產(chǎn)生的電壓信號輸出至所述PWM比較器，與所述誤差放大器的輸出信號進行比較。
10.一種外接MOS管的電流模式實現(xiàn)方法，其特征在于，包括依據(jù)比例選取阻值與外接MOS管導通電阻對應(yīng)的外接補償電阻；提供一電流采樣電路，將通過外接MOS管的電流轉(zhuǎn)化為外接補償電阻電壓值；提供一疊加電路，將外接電阻電壓與斜坡補償電壓值疊加；將疊加后電壓與電壓反饋環(huán)電壓比較；產(chǎn)生PWM控制信號。
全文摘要
本發(fā)明提供一種外接功率MOS管的電流模式電流感應(yīng)部分電路及其實現(xiàn)方法，所述電流感應(yīng)電路進一步包括電流采樣電路、可調(diào)的外接補償電阻和疊加電路，分別用以將流過MOS管的電流轉(zhuǎn)化為所述外接電阻上的電壓值和將外接電阻的電壓值與斜坡補償電壓值疊加，外接補償電阻的阻值根據(jù)外接MOS管的導通電阻進行設(shè)定。本發(fā)明提供的電路和方法，可以在電流模式下實現(xiàn)對外接MOS管輸出電流的采樣，并通過可調(diào)的外接補償電阻將傳遞電阻的大小設(shè)計為固定值，從而可以設(shè)計固定的電流補償斜率來消除次諧波不穩(wěn)定性，克服了本領(lǐng)域的技術(shù)人員以往在外接MOS管時只能采用電壓制模式的技術(shù)難點，減少環(huán)路補償?shù)膹碗s程度，調(diào)節(jié)更加靈活。
文檔編號G05F1/56GK102141816SQ201010512350
公開日2011年8月3日 申請日期2010年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月19日
發(fā)明者劉賀, 吳珂, 白建雄 申請人:啟攀微電子(上海)有限公司