專利名稱：壓電振動片的制造方法、晶片、壓電振動器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓電振動片的制造方法、晶片(wafer)、壓電振動器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。
背景技術(shù)：
近年來，在便攜電話或便攜信息終端設(shè)備使用具有利用了水晶等的壓電振動片的壓電振動器作為時刻源或控制信號的定時源、參考信號源等。作為這種壓電振動片，廣為人知的有如下的結(jié)構(gòu)具備由壓電材料構(gòu)成的壓電板、以及在施加電壓時使壓電板振動的電極部，電極部由層疊于壓電板的外表面上并且圖案互不相同的多層電極膜構(gòu)成。然而，一般利用晶片一次制造多個這樣的壓電振動片，作為制造方法的一個例子， 例如能舉出如下述專利文獻(xiàn)1所示的方法。在該方法中，在晶片形成壓電基板的外形形狀并且形成對準(zhǔn)標(biāo)記后，形成電極部。這里，在形成電極部的各電極膜時，首先，在晶片涂敷抗蝕膜后，通過在晶片配置光掩模并對抗蝕膜構(gòu)圖，形成抗蝕圖案，其后，基于抗蝕圖案形成電極膜。在此過程中，在晶片配置光掩模時，通過使用對準(zhǔn)標(biāo)記使光掩模與晶片對位，能夠高精度地形成電極部。專利文獻(xiàn)1 日本特開2007-142795號公報

發(fā)明內(nèi)容
這里，如前所述，在電極部由圖案互不相同的多層電極膜構(gòu)成時，由于形成對應(yīng)于各電極膜而形狀互不相同的抗蝕圖案，所以需要使用多種光掩模。然而，在所述現(xiàn)有壓電振動片的制造方法中，有可能配置種類與本應(yīng)配置的光掩模不同的光掩模而形成抗蝕圖案。在此情況下，不能將電極膜構(gòu)圖成期望的圖案，導(dǎo)致晶片廢棄等，從而制造成本上升。本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的，其目的在于，提供一種壓電振動片的制造方法， 能夠防止在誤配置了掩模部件的狀態(tài)下形成抗蝕圖案，從而能謀求低成本化。為了解決上述課題，本發(fā)明提出以下的方案。本發(fā)明涉及的壓電振動片的制造方法，形成具備由壓電材料構(gòu)成的壓電板，以及在施加電壓時使所述壓電板振動的電極部的壓電振動片，該電極部由層疊于所述壓電板的外表面上并且圖案互不相同的多層電極膜構(gòu)成，所述壓電振動片的制造方法的特征在于， 具有在形成有所述壓電板的外形形狀的晶片形成所述電極部的電極形成工序，該電極形成工序具有通過光刻技術(shù)在所述晶片形成所述多層電極膜的每一個的多個電極膜形成工序， 所述多個電極膜形成工序分別具有抗蝕圖案形成工序，在所述晶片涂敷抗蝕膜后，在所述晶片配置準(zhǔn)備用于各電極膜的多個掩模部件之中的、準(zhǔn)備用于在該電極膜形成工序中形成的一個電極膜的所述掩模部件，其后，隔著該掩模部件照射光，從而形成抗蝕圖案；在該抗蝕圖案形成工序中，將在準(zhǔn)備用于所述一個電極膜的所述掩模部件形成的掩模側(cè)標(biāo)記，與在所述晶片形成的多個晶片側(cè)標(biāo)記之中的與該掩模部件對應(yīng)的所述晶片側(cè)標(biāo)記對位，并且在所述晶片配置所述掩模部件；所述掩模側(cè)標(biāo)記由在所述掩模部件互相隔開間隔地形成的一對標(biāo)記部構(gòu)成，并且該一對標(biāo)記部間的間隔按所述多個掩模部件的每一個而不同；所述多個晶片側(cè)標(biāo)記分別由在所述晶片互相隔開間隔地形成的一對凹部構(gòu)成，并且該一對凹部間的間隔，以與該晶片側(cè)標(biāo)記對應(yīng)的所述掩模部件中的所述一對標(biāo)記部間的間隔相等的方式，按所述多個晶片側(cè)標(biāo)記的每一個而不同。另外，本發(fā)明涉及的晶片是所述壓電振動片的制造方法所用的晶片，其特征在于， 形成有與所述多個掩模部件分別對應(yīng)的多個晶片側(cè)標(biāo)記，該多個晶片側(cè)標(biāo)記分別由互相隔開間隔地形成的一對凹部構(gòu)成，并且該一對凹部間的間隔以與該晶片側(cè)標(biāo)記對應(yīng)的所述掩模部件中的所述一對標(biāo)記部間的間隔相等的方式，按所述多個晶片側(cè)標(biāo)記的每一個而不同。依據(jù)本發(fā)明，一對凹部間的間隔以與晶片側(cè)標(biāo)記對應(yīng)的掩模部件中的一對標(biāo)記部間的間隔相等的方式，按多個晶片側(cè)標(biāo)記的每一個而不同，因此在進(jìn)行抗蝕圖案形成工序時，即使將與準(zhǔn)備用于一個電極膜的掩模部件不同的掩模部件的標(biāo)記部，與對應(yīng)于準(zhǔn)備用于一個電極膜的掩模部件的晶片側(cè)標(biāo)記的凹部對位，一對標(biāo)記部的一個從凹部偏移。由此， 能防止在配置了不同種類的掩模部件的狀態(tài)下形成抗蝕圖案，晶片的廢棄等得以抑制，能夠?qū)崿F(xiàn)壓電振動片的低成本化。另外，在所述壓電振動片的制造方法中，也可以使所述標(biāo)記部為貫通所述掩模部件的露出開口，使所述凹部的俯視形狀與所述露出開口的俯視形狀相同，所述抗蝕圖案形成工序通過從所述露出開口露出所述凹部將所述掩模側(cè)標(biāo)記與所述晶片側(cè)標(biāo)記對位。在此情況下，在進(jìn)行抗蝕圖案形成工序時，通過從露出開口露出凹部，將掩模側(cè)標(biāo)記與晶片側(cè)標(biāo)記對位，因此能夠可靠地產(chǎn)生前述的作用效果。另外，在所述壓電振動片的制造方法中，也可以是，所述露出開口的俯視形狀在一對露出開口分離的一個方向、以及沿著該掩模部件的表面且與所述一個方向正交的另一個方向的兩個方向上非對稱。在此情況下，露出開口的俯視形狀在所述一個方向及所述另一個方向的兩個方向上非對稱，因此在進(jìn)行抗蝕圖案形成工序時，即使在讓掩模部件相對標(biāo)準(zhǔn)朝向在所述一個方向反轉(zhuǎn)、或者在所述另一個方向反轉(zhuǎn)的狀態(tài)下從露出開口露出凹部，也無法露出凹部的整體。由此，能夠防止在以不同的朝向配置掩模部件的狀態(tài)下形成抗蝕圖案。另外，在所述壓電振動片的制造方法中，也可以是，在所述抗蝕圖案形成工序中， 在所述晶片上配置覆蓋部件，通過該覆蓋部件覆蓋與準(zhǔn)備用于所述一個電極膜的所述掩模部件對應(yīng)的所述晶片側(cè)標(biāo)記中的所述凹部，并涂敷抗蝕膜。在此情況下，在進(jìn)行抗蝕圖案形成工序時，在通過覆蓋部件覆蓋所述凹部，并涂敷抗蝕膜，因此通過涂敷抗蝕膜抑制凹部的俯視形狀變得不鮮明，從而能夠?qū)?biāo)記部與凹部可靠地對位。另外，本發(fā)明的壓電振動器的特征在于，具備通過所述壓電振動片的制造方法制造的壓電振動片。依據(jù)本發(fā)明，由于具備通過所述壓電振動片的制造方法制造的壓電振動片，因此能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。
另外，本發(fā)明的振蕩器的特征在于，所述壓電振動器作為振子與集成電路電連接。另外，本發(fā)明的電子設(shè)備的特征在于，所述壓電振動器與計時部電連接。另外，本發(fā)明的電波鐘的特征在于，所述壓電振動器與濾波部電連接。依據(jù)本發(fā)明涉及的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘，由于具備所述壓電振動器，因此能夠制造低成本的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。依據(jù)本發(fā)明涉及的壓電振動片的制造方法及晶片，能夠防止在誤配置了掩模部件的狀態(tài)下形成抗蝕圖案，從而實(shí)現(xiàn)低成本化。另外，依據(jù)本發(fā)明涉及的壓電振動器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘，能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。


圖1是觀察本發(fā)明涉及的一個實(shí)施方式的壓電振動器的外殼的內(nèi)容物的圖，是俯視壓電振動片的狀態(tài)的圖。圖2是從上面觀察圖1所示的壓電振動片的平面圖。圖3是從下面觀察圖1所示的壓電振動片的平面圖。圖4是圖1所示的壓電振動片的立體圖。圖5是沿著圖2的A-A線的剖面圖。圖6是沿著圖1的B-B線的剖面圖。圖7是沿著圖2的C-C線的剖面圖。圖8是構(gòu)成本發(fā)明涉及的壓電振動片的制造方法所用的壓電振動片的制造裝置的外形掩模的平面圖。圖9是構(gòu)成本發(fā)明涉及的壓電振動片的制造方法所用的壓電振動片的制造裝置的第1掩模的平面圖。圖10是構(gòu)成本發(fā)明涉及的壓電振動片的制造方法所用的壓電振動片的制造裝置的第2掩模的平面圖。圖11是本發(fā)明涉及的壓電振動片的制造方法的流程圖。圖12是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是相當(dāng)于圖2的C-C線的剖面圖。圖13是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是晶片的平面圖。圖14是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是晶片的平面圖。圖15是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是相當(dāng)于圖2的C-C線的剖面圖。圖16是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是晶片的平面圖。圖17是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是晶片的平面圖。圖18是說明壓電振動片的制造方法的作用的圖，是示出形成抗蝕圖案形成工序時，不用覆蓋部件覆蓋貫通孔的情況下涂敷抗蝕膜的狀態(tài)的平面圖。圖19是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是相當(dāng)于圖2的C-C線的剖面圖。圖20是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是相當(dāng)于圖2的C-C線的剖面圖。圖21是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是晶片的平面圖。圖22是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是相當(dāng)于圖2的C-C線的剖面圖。圖23是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是晶片的平面圖。
圖M是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是晶片的平面圖。圖25是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是相當(dāng)于圖2的C-C線的剖面圖。圖沈是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是相當(dāng)于圖2的C-C線的剖面圖。圖27是示出壓電振動片的制造方法的工序圖，是晶片的平面圖。圖觀是說明壓電振動片的制造方法的作用的圖，是使第1掩模反轉(zhuǎn)時的平面圖。圖四是示出本發(fā)明涉及的振蕩器的一個實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖30是示出本發(fā)明涉及的電子設(shè)備的一個實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖31是示出本發(fā)明涉及的電波鐘的一個實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖32是示出本發(fā)明涉及的壓電振動片的制造方法中使用的露出開口及貫通孔的變形例的平面圖。圖33是示出本發(fā)明涉及的壓電振動片的制造方法中使用的露出開口及貫通孔的變形例的平面圖。圖34是示出本發(fā)明涉及的壓電振動片的制造方法中使用的露出開口及貫通孔的變形例的平面圖。圖35是示出本發(fā)明涉及的壓電振動片的制造方法中使用的露出開口及貫通孔的變形例的平面圖。附圖標(biāo)記說明1壓電振動器；2壓電振動片；11壓電板；18電極部；18a基底金屬層(電極膜)； 18b精裝金屬層(電極膜)；42、43電極膜用掩模(掩模部件)；42d、43d掩模側(cè)標(biāo)記；42f、 43f、45A、45B、45C、45D露出開口(標(biāo)記部)；44覆蓋部件；50抗蝕膜；S晶片；S3、S4晶片側(cè)標(biāo)記；S5、S6、Sl 1、S12、S13、S14貫通孔；100振蕩器；110便攜信息設(shè)備(電子設(shè)備)；130 電波鐘。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖，說明本發(fā)明的一個實(shí)施方式涉及的壓電振動器。如圖1所示，壓電振動器1是圓柱封裝型(cylinder package type)的壓電振動器，具備音叉型的壓電振動片2、裝配壓電振動片2的插塞(plug) 4、以及與插塞4 一起氣密密封壓電振動片2的外殼3。如圖2、圖3所示，壓電振動片2是由水晶、鉭酸鋰或鈮酸鋰等壓電材料形成的音叉型振動片，在施加既定電壓時振動。該壓電振動片2具有壓電板11，具有平行配置的一對振動臂部8、9、及將這些一對振動臂部8、9的基端側(cè)固定成一體的基部10 ；激振電極14，由在一對振動臂部8、9的外表面上形成的使一對振動臂部8、9振動的第1激振電極12和第2激振電極13構(gòu)成；以及裝配電極15、16，與第1激振電極12及第2激振電極13電連接。另外，本實(shí)施方式的壓電振動片2在一對振動臂部8、9的兩主表面上具備從振動臂部8、9的基端部向前端部形成固定長度L的槽部17。如圖4所示，該槽部17從振動臂部 8、9的基端部一直形成到大致中間附近。此外，一對振動臂部8、9的臂寬是相同的，分別為 W。另外，設(shè)基部10中與一對振動臂部8、9的基端部連結(jié)的部分為胯部10a。如圖2、圖3、圖5所示，由第1激振電極12和第2激振電極13構(gòu)成的激振電極14是使一對振動臂部8、9在相互接近或分離的方向上以既定諧振頻率振動的電極，在一對振動臂部8、9的外表面以各自電性切斷的狀態(tài)構(gòu)圖而形成。具體而言，第1激振電極12主要在一個振動臂部8的槽部17上以及另一個振動臂部9的兩側(cè)面上形成，第2激振電極13 主要在一個振動臂部8的兩側(cè)面上以及另一個振動臂部9的槽部17上形成。另外，如圖2、圖3所示，第1激振電極12及第2激振電極13在基部10的兩主表面上連續(xù)地形成，分別經(jīng)由引出電極電極19、20與裝配電極15、16電連接。該裝配電極15、 16形成于壓電板11的基端側(cè)。即，激振電極14、裝配電極15、16及引出電極19、20作為在施加既定電壓時使一對振動臂部8、9振動的電極部(層疊體)18而起作用。如圖6、圖7所示，將由鉻(Cr)構(gòu)成的基底金屬層(電極膜)18a、和由金(Au)構(gòu)成的精裝金屬層(電極膜)18b在壓電板11的外表面上依次層疊而構(gòu)成電極部18。這些金屬層18a、18b的圖案互不相同?；捉饘賹?8a用于提高精裝金屬層18b和壓電振動片2的密合性。另外，如圖4、圖5、圖7所示，對于精裝金屬層18b，至少在從振動臂部8、9的基端部到前端部的區(qū)域除去精裝金屬層18b的一部分或全部。更詳細(xì)地說，在振動臂部8、9的基端部靠近前端部側(cè)，到從基端部離開固定長度L以上的位置為止(圖4所示的區(qū)域RA) 除去精裝金屬層18b的全部。而且，在振動臂部8、9的基端部靠近基部10側(cè)，到從基端部向基部10離開振動臂部8、9的臂寬W的2倍的位置為止(圖4所示的區(qū)域RB)，除去精裝金屬層18b的全部。S卩，在包含形成有振動臂部8、9的槽部17的區(qū)域的區(qū)域RA及區(qū)域RB，包括槽部 17內(nèi)，由基底金屬層18a全面形成電極部18。然后，在區(qū)域RA及區(qū)域RB以覆蓋基底金屬層18a的方式覆蓋由氧化硅(SiO2)等構(gòu)成的絕緣膜34。由此，在振動臂部8、9的激振電極 12、13間附著了導(dǎo)電性粒子的情況下，也能夠防止電極間的短路。這里，在本實(shí)施方式中，合并區(qū)域RA及區(qū)域RB的區(qū)域即單層區(qū)域R成為激振電極12、13的形成區(qū)域，在該單層區(qū)域R中，通過以除去精裝金屬層18b的狀態(tài)在基底金屬層 18a上形成絕緣膜34，提高絕緣膜34的密合性，從而能可靠防止激振電極12、13的短路。另一方面，在壓電板11中的比單層區(qū)域R靠近基端側(cè)形成的引出電極19、20及裝配電極15、16，成為如上述那樣層疊了基底金屬層18a及精裝金屬層18b的狀態(tài)。以下，設(shè)層疊有這些基底金屬層18a及精裝金屬層18b的區(qū)域?yàn)閷盈B區(qū)域P。另外，在一對振動臂部8、9的前端，覆蓋用于以使自身的振動狀態(tài)在既定頻率的范圍內(nèi)振動的方式進(jìn)行調(diào)整(頻率調(diào)整)的重錘金屬膜21。該重錘金屬膜21分為在對頻率進(jìn)行粗糙調(diào)整時使用的粗調(diào)膜21a、以及在進(jìn)行細(xì)微調(diào)整時使用的微調(diào)膜21b。通過利用這些粗調(diào)膜21a及微調(diào)膜21b進(jìn)行頻率調(diào)整，能夠使一對振動臂部8、9的頻率落入器件的標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)。如圖1所示，外殼3形成為有底圓筒狀，以將壓電振動片2收納在內(nèi)部的狀態(tài)相對插塞4的后述心柱(stem) 30的外周壓入，并嵌合固定。此外，在真空氛圍下進(jìn)行該外殼3 的壓入，外殼3內(nèi)的包圍壓電振動片2的空間成為保持在真空的狀態(tài)。插塞4具有使外殼3密閉的心柱30，以貫通該心柱30的方式平行配置的兩個引線端子31，以及在心柱30的內(nèi)側(cè)填充而使心柱30和引線端子31固定的絕緣性填充材料32。心柱30用金屬材料形成為環(huán)狀。另外，作為填充材料32的材料，例如是硼硅酸玻璃。另外，在引線端子31的表面及心柱30的外周，分別實(shí)施相同材料的后述的鍍層35。兩個引線端子31的向外殼3內(nèi)突出的部分成為內(nèi)部引線31a、向外殼3外突出的部分成為外部引線31b。引線端子31的直徑例如約為0. 12mm,作為引線端子31的原材料的材質(zhì)，習(xí)慣用科瓦合金O^NiCo合金)。另外，如圖6所示，在引線端子31的外表面及心柱30的外周覆蓋鍍層35。作為覆蓋的鍍層的材質(zhì)，基底膜3 使用銅(Cu)鍍層等，精裝膜 3 使用熔點(diǎn)為例如300度左右的高熔點(diǎn)焊錫鍍層(錫和鉛的合金，其重量比為1 9)。另外，通過在使覆蓋于心柱30的外周的鍍層35介于中間的同時在真空中使其冷壓接至外殼3的內(nèi)周，能夠以真空狀態(tài)氣密密封外殼3的內(nèi)部。然后，如圖7所示，內(nèi)部引線31a和裝配電極15、16經(jīng)由使精裝膜(高熔點(diǎn)焊錫鍍層)3 熔解而形成的接合部E裝配在精裝金屬層18b上。即，內(nèi)部引線31a和裝配電極15、 16在經(jīng)由接合部E機(jī)械性接合的同時也被電連接。其結(jié)果是，壓電振動片2成為裝配于兩個引線端子31的狀態(tài)。此外，上述的兩個引線端子31作為一端側(cè)(外部引線31b側(cè))與外部電連接、另一端側(cè)(內(nèi)部引線31a側(cè))裝配于壓電振動片2的外部連接端子而起作用。在使這樣構(gòu)成的壓電振動器1動作的情況下，對兩個引線端子31的外部引線31b 施加既定的驅(qū)動電壓。由此，能夠經(jīng)由內(nèi)部引線31a、接合部E、裝配電極15、16及引出電極 19,20在由第1激振電極12及第2激振電極13構(gòu)成的激振電極14流動電流，能夠使一對振動臂部8、9在接近/分離的方向以既定的頻率振動。而且，能夠利用該一對振動臂部8、 9的振動，作為時刻源、控制信號的定時源或參考信號源等而利用。(壓電振動片的制造方法)接著，對使用由壓電材料構(gòu)成的晶片S(參照圖12)形成上述壓電振動片2的方法進(jìn)行說明。首先，對該制造方法所用的壓電振動片的制造裝置40進(jìn)行說明。如圖8至圖10所示，該制造裝置40具備將壓電板11的外形形狀形成在晶片S的外形掩模41，以及分別準(zhǔn)備用于基底金屬層18a及精裝金屬層18b的兩個(多個)電極膜用掩模(掩模部件)42、43。這些掩模41、42、43分別具備內(nèi)部被設(shè)為曝光區(qū)域41a、42a、43a的框狀部41b、 42b,43b,以及配置于曝光區(qū)域41a、42a、43a并經(jīng)由未圖示的連結(jié)部與框狀部41b、42b、43b 連結(jié)的多個覆蓋部41c、42c、43c。俯視時各掩模41、42、43的框狀部41b、42b、43b的外形形狀、及曝光區(qū)域41a、42a、 43a都是矩形狀，在圖示例子中俯視時成為正方形狀，框狀部41b、42b、4!3b及曝光區(qū)域41a、 42a、43a配置成與各掩模41、42、43的軸線同軸。另外，外形掩模41的覆蓋部41c形成為壓電板11的外形形狀，兩個電極膜用掩模 42,43之中的、準(zhǔn)備用于基底金屬層18a的第1掩模42的覆蓋部42c形成為基底金屬層18a 的外形形狀，準(zhǔn)備用于精裝金屬層18b的第1掩模43的覆蓋部43c形成為精裝金屬層18b 的外形形狀。此外，在圖8至圖10所示的各掩模41、42、43中，為容易觀察附圖，簡化了各覆蓋部41c,42c,43c的形狀，并省略了各覆蓋部41c,42c,43c的數(shù)目。如圖8所示，在外形掩模41的框狀部41b形成兩個標(biāo)記形成部41d、41e，其在晶片S形成與兩個電極膜用掩模42、43分別對應(yīng)的兩個晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4(參照圖13)。標(biāo)記形成部41d、41e由貫通框狀部41b的一對標(biāo)記用開口 41f、41g構(gòu)成。一對標(biāo)記用開口 41f、41g互相隔開間隔地配置，在圖示例子中，在框狀部41b之中的中間夾著該外形掩模41的軸線而相向的各部分各配置1個。在本實(shí)施方式中，一對標(biāo)記用開口 41f、41g分離的一個方向與框狀部41b的一邊平行。另外，兩個標(biāo)記形成部41d、41e之中的一方的第1標(biāo)記形成部41d中的一對標(biāo)記用開口 41f，配置成相對另一方的第2標(biāo)記形成部41e中的一對標(biāo)記用開口 41g，在沿該外形掩模41的表面且與所述一個方向正交的另一個方向偏移。而且，一對標(biāo)記用開口 41f、41g間的間隔按兩個標(biāo)記形成部41d、41e的每一個而不同。另外，標(biāo)記用開口 41f、41g的俯視形狀，在所述一個方向及所述另一個方向的兩個方向上非對稱，在圖示的例子中，成為在所述一個方向及所述另一個方向分別延伸的直線部相連結(jié)的L字狀。如圖9及圖10所示，在兩個電極膜用掩模42、43的框狀部42b、4!3b分別形成掩模側(cè)標(biāo)記42d、43d。在本實(shí)施方式中，掩模側(cè)標(biāo)記42d、43d在電極膜用掩模42、43互相隔開間隔地形成且成為貫通電極膜用掩模42、43的一對露出開口(標(biāo)記部)42f、43f。這里，掩模側(cè)標(biāo)記42d、43d按兩個電極膜用掩模42、43的每一個而不同，在本實(shí)施方式中，一對露出開口 42f、43f間的間隔按兩個電極膜用掩模42、43的每一個而不同。如圖9所示，形成于所述第1掩模42的掩模側(cè)標(biāo)記42d對應(yīng)于外形掩模41的所述第1標(biāo)記形成部41d，第1掩模42的掩模側(cè)標(biāo)記42d中的一對露出開口 42f間的間隔，與外形掩模41的第1標(biāo)記形成部41d中的一對標(biāo)記用開口 41f間的間隔相等。另外，這些露出開口 42f的俯視形狀與第1標(biāo)記形成部41d的俯視形狀相同。在本實(shí)施方式中，露出開口 42f的俯視形狀，在一對露出開口 42f分離的一個方向、以及在沿著第1掩模42的表面且與所述一個方向正交的另一個方向的兩個方向上非對稱，成為在所述一個方向及所述另一個方向分別延伸的直線部相連結(jié)的L字狀。另外如圖10所示，形成于所述第2掩模43的掩模側(cè)標(biāo)記43d與外形掩模41的所述第2標(biāo)記形成部41e對應(yīng)，第2掩模43的掩模側(cè)標(biāo)記43d中的一對露出開口 43f間的間隔，與第2標(biāo)記形成部41e中的一對標(biāo)記用開口 41g間的間隔相等。另外，這些露出開口 43f的俯視形狀與第2標(biāo)記形成部41e的俯視形狀相同。在本實(shí)施方式中，露出開口 43f的俯視形狀，在一對露出開口 43f分離的一個方向、以及在沿著第2掩模43的表面且與所述一個方向正交的另一個方向的兩個方向上非對稱，成為在所述一個方向及所述另一個方向分別延伸的直線部相連結(jié)的L字狀。接著，基于圖11所示的流程圖，對使用所述壓電振動片的制造裝置40形成壓電振動片2的壓電振動片的制造方法進(jìn)行說明。首先，如圖12所示，將水晶的朗伯(Lambert)原礦以既定角度切片成固定厚度的晶片S。接著，研磨該晶片S而粗加工后，用蝕刻去除加工變質(zhì)層，其后進(jìn)行拋光等鏡面研磨加工，得到既定厚度的晶片S(SlO)。接著，進(jìn)行在研磨后的晶片S形成多個壓電板11的外形形狀的外形形成工序 (S20)。
此時，首先，在晶片S的兩面通過例如濺射等層疊例如層疊鉻層及金層等而成的未圖示的保護(hù)膜。其后，在晶片S的兩面在所述保護(hù)膜上涂敷正型的未圖示的抗蝕膜，在該抗蝕膜上配置所述外形掩模41。然后，隔著該外形掩模41向所述抗蝕膜照射光，在該抗蝕膜曝光抗蝕圖案。取下外形掩模41后，使所述抗蝕膜顯影并除去曝光部分，其后，進(jìn)行金屬蝕刻，除去從所述曝光部分露出的所述保護(hù)膜。進(jìn)而除去所述抗蝕膜，并且進(jìn)行水晶蝕刻以蝕刻從所述保護(hù)膜的除去部分露出的晶片S，其后，通過除去所述保護(hù)膜，結(jié)束外形形成工序。通過進(jìn)行該外形形成工序，如圖13所示，在晶片S形成壓電板11的外形形狀。該晶片S的俯視形狀為矩形狀，在圖示例子中為正方形狀，在位于晶片S的外周部Sl的內(nèi)側(cè)的板形成區(qū)域S2內(nèi)，形成壓電板11的外形形狀。板形成區(qū)域S2是從外形掩模41的曝光區(qū)域41a露出的部分，在板形成區(qū)域S2中，將除了壓電板11的外形形狀、以及連結(jié)該外形形狀和所述外周部Sl的未圖示的連結(jié)部以外的部分，通過所述水晶蝕刻除去。這里，在本實(shí)施方式中，在外形掩模41形成有所述標(biāo)記形成部41d、41e，因此在進(jìn)行所述外形形成工序時，在晶片S形成壓電板11的外形形狀，同時形成與兩個電極膜用掩模42、43分別對應(yīng)的兩個晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4。在進(jìn)行所述外形形成工序之際，在抗蝕膜上配置外形掩模41時，兩個晶片側(cè)標(biāo)記 S3、S4形成于從標(biāo)記形成部41d、41e露出的部分，這些晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4分別由在晶片S 互相隔開間隔地形成的一對貫通孔(凹部)S5、S6構(gòu)成。一對貫通孔S5、S6在晶片S的外周部Sl之中的、中間夾著該晶片S的軸線而相向的各部分各配置一個。在本實(shí)施方式中，一對貫通孔S5、S6分離的一個方向與外周部Sl的
一邊平行。另外，兩個晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4之中的任意一方的一對貫通孔S5，配置成相對任意另一方的一對貫通孔S6在沿著該晶片S的表面且與所述一個方向正交的另一個方向偏移。另外，貫通孔S5、S6的俯視形狀與所述露出開口 42f、43f的俯視形狀相同。在本實(shí)施方式中，貫通孔S5、S6的俯視形狀在所述一個方向及所述另一個方向的兩個方向上非對稱，成為在所述一個方向及所述另一個方向分別延伸的直線部相連結(jié)的L 字狀。而且，一對貫通孔S5、S6間的間隔，以與晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4所對應(yīng)的電極膜用掩模42、43中的一對露出開口 42f、43f間的間隔相等的方式，按兩個晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4的每一個而不同。在本實(shí)施方式中，兩個晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4之中的、與第1掩模42對應(yīng)的第1晶片側(cè)標(biāo)記S3的一對貫通孔S5間的間隔，成為與第1掩模42的所述一對露出開口 42f間的間隔相等。另外，兩個晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4之中的、與第2掩模43對應(yīng)的第2晶片側(cè)標(biāo)記S4的一對貫通孔S6間的間隔，成為與第2掩模43的所述一對露出開口 43f間的間隔相等。進(jìn)行所述外形形成工序并進(jìn)行在一對振動臂部8、9形成槽部17的槽部形成工序(S30)后，進(jìn)行在形成有壓電板11的外形形狀的晶片S形成電極部18的電極形成工序 (S40)。在該工序中，形成電極部18 (激振電極14、引出電極19、20及裝配電極15、16)及重錘金屬膜21。首先，如圖14及圖15所示，通過蒸鍍或?yàn)R射等在壓電板11上依次成膜成為基底金屬層18a的第1金屬膜、及成為精裝金屬層18b的第2金屬膜^b，從而形成金屬層疊膜 ^(S41)。這里，在晶片S用例如水晶形成等從而是透明的情況下，難以確認(rèn)貫通孔S5、S6的形狀。因此，如本實(shí)施方式那樣在晶片S的表面形成第1金屬膜28a或第2金屬膜28b那樣的金屬膜時，易于進(jìn)行貫通孔S5、S6的形狀的確認(rèn)。接著，進(jìn)行第1電極膜形成工序(S47)，使用所述第1掩模42，通過光刻技術(shù)在晶片S形成基底金屬層18a。在該第1電極膜形成工序中，首先，進(jìn)行第1抗蝕圖案形成工序(S42)，在晶片S涂敷抗蝕膜50后，配置第1掩模42，其后隔著該第1掩模42照射光，形成第1抗蝕圖案。此時，首先如圖16所示，在晶片S上配置覆蓋部件44，由覆蓋部件44覆蓋第1晶片側(cè)標(biāo)記S3的貫通孔S5，并涂敷抗蝕膜50。由此，如圖17所示，在除了貫通孔S5及貫通孔S5的周邊部分以外的部分涂敷有抗蝕膜50，如圖18所示，通過抗蝕膜50的涂敷能夠抑制貫通孔S5的形狀變得不鮮明。由此，如圖19所示，在形成層疊了金屬層疊膜觀及抗蝕膜50的晶片S后，在晶片 S配置第1掩模42。此時，將在第1掩模42形成的掩模側(cè)標(biāo)記42d與第1晶片側(cè)標(biāo)記S3 對位，以從露出開口 42f露出貫通孔S5的方式在晶片S配置第1掩模42。這里，由于貫通孔S5的俯視形狀與露出開口 42f的俯視形狀相同，所以此時整個貫通孔S5會從露出開口 42f露出。這里，在本實(shí)施方式中，將掩模側(cè)標(biāo)記42d與第1晶片側(cè)標(biāo)記S3對位而在晶片S 配置第1掩模42時，第1掩模42的覆蓋部42c構(gòu)成為覆蓋裝配電極15、16、激振電極12、 13、引出電極19、20及重錘金屬膜21的形成區(qū)域。因此，在隔著第1掩模42照射光后，取下第1掩模42而使抗蝕膜50顯影，如圖20所示，形成覆蓋要?dú)埩艚饘賹盈B膜觀的部分、 即所述形成區(qū)域的抗蝕圖案。然后，進(jìn)行以殘留的抗蝕膜50為掩模、對第1金屬膜28a及第2金屬膜28b進(jìn)行蝕刻加工的蝕刻工序(S4!3)后，除去抗蝕膜50。通過該蝕刻工序，如圖21及圖22所示，第 1金屬膜28a成為構(gòu)成電極部18的兩個金屬層之中的基底金屬層18a。接著，進(jìn)行第2電極膜形成工序(S48)，使用所述第2掩模43，通過光刻技術(shù)在晶片S形成精裝金屬層18b。該第2電極膜形成工序通過除去存在于單層區(qū)域R(參照圖4) 的第2金屬膜2 而進(jìn)行。在該第2電極膜形成工序中，首先，進(jìn)行第2抗蝕圖案形成工序(S44)，在晶片S涂敷抗蝕膜50后，配置第2掩模43，其后，隔著該第2掩模43照射光，形成第2抗蝕圖案。此時，首先如圖23所示，在晶片S上配置覆蓋部件44，由覆蓋部件44覆蓋第2晶片側(cè)標(biāo)記S4的貫通孔S6，并涂敷抗蝕膜50。由此，如圖M所示，在除了貫通孔S6及貫通孔S6的周邊部分以外的部分涂敷有抗蝕膜50。其后，將形成于第2掩模43的掩模側(cè)標(biāo)記43d與第2晶片側(cè)標(biāo)記S4對位，以從露出開口 43f露出貫通孔S6的方式在晶片S配置第2掩模43。這里，在本實(shí)施方式中，將掩模側(cè)標(biāo)記43d與第2晶片側(cè)標(biāo)記S4對位而在晶片S 配置第2掩模43時，第2掩模43的覆蓋部43c以覆蓋所述層疊區(qū)域P的方式構(gòu)成。因此， 隔著第2掩模43照射光后，取下第2掩模43而使抗蝕膜50顯影時，如圖25所示，形成覆蓋要?dú)埩舻?金屬膜^b的部分、即所述層疊區(qū)域P的抗蝕圖案。然后，進(jìn)行以殘留的抗蝕膜50為掩模、通過蝕刻加工除去第2金屬膜^b的蝕刻工序后(S45)，除去抗蝕膜50。通過該蝕刻工序，如圖沈及圖27所示，第2金屬膜28b成為構(gòu)成電極部18的兩個金屬層之中的精裝金屬層18b，形成電極部18及重錘金屬膜21，結(jié)束電極形成工序。其后，在除去了精裝金屬層18b的單層區(qū)域R中，在基底金屬層18a上隔著未圖示的金屬掩模等，通過進(jìn)行CVD法等形成由Si02等無機(jī)絕緣材料構(gòu)成的絕緣膜34(S46)。于是，以覆蓋單層區(qū)域R的基底金屬層18a的方式形成絕緣膜34。其后，進(jìn)行粗調(diào)工序，對形成于晶片S的全部振動臂部8、9粗略調(diào)整諧振頻率。這是例如通過向重錘金屬膜21的粗調(diào)膜21a照射激光減輕加在一對振動臂部8、9的前端的重量來粗略調(diào)整頻率的工序(S51)。接著，進(jìn)行切斷工序(S52)，切斷連結(jié)晶片S和壓電振動片2的連結(jié)部，從晶片S切斷出多個壓電振動片2從而小片化。由此，能夠從晶片S —次制造多個形成了電極部18 (激振電極14、引出電極19、20及裝配電極15、16)及重錘金屬膜21的壓電振動片2。如以上說明的那樣，依據(jù)本實(shí)施方式涉及的壓電振動片的制造方法及晶片，一對貫通孔S5、S6間的間隔，以與對應(yīng)于晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4的電極膜用掩模42、43中的一對露出開口 42f、43f間的間隔相等的方式，按多個晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4的每一個而不同，因此在抗蝕圖案形成工序時，即便將與本應(yīng)使用的電極膜用掩模42、43不同的電極膜用掩模42、43 的露出開口 42f、43f，與對應(yīng)于本應(yīng)使用的電極膜用掩模42、43的晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4的貫通孔S5、S6對位，一對露出開口 42f、43f的一方也從貫通孔S5、S6偏移。由此，能防止在配置了不同種類的電極膜用掩模42、43的狀態(tài)下形成抗蝕圖案，能夠抑制晶片S的廢棄等從而實(shí)現(xiàn)壓電振動片2的低成本化。另外，在進(jìn)行抗蝕圖案形成工序時，由覆蓋部件44覆蓋所述貫通孔S5、S6，并涂敷抗蝕膜50，因此通過涂敷抗蝕膜50抑制貫通孔S5、S6的俯視形狀變得不鮮明，能夠可靠地將露出開口 42f、43f與貫通孔S5、S6對位。而且，在抗蝕圖案形成工序時，通過從露出開口 42f、43f露出貫通孔S5、S6，將掩模側(cè)標(biāo)記42d、43d與晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4對位，能夠可靠地起到前述的作用效果。另外，露出開口 42f、43f的俯視形狀在所述一個方向及所述另一個方向的兩個方向上非對稱，因此如圖觀所示，在進(jìn)行抗蝕圖案形成工序時，即使在將例如電極膜用掩模 42相對標(biāo)準(zhǔn)朝向在所述一個方向反轉(zhuǎn)、或在所述另一個方向反轉(zhuǎn)的狀態(tài)下從露出開口 42f 露出貫通孔S5，也無法露出整個貫通孔S5。由此，能夠防止在將電極膜用掩模42、43以不同的朝向配置的狀態(tài)下形成抗蝕圖案。而且，本實(shí)施方式涉及的壓電振動器1具備通過所述壓電振動片的制造方法制造的壓電振動片2，因此能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。(振蕩器)接著，參照圖四對本發(fā)明涉及的振蕩器的一個實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖四所示，本實(shí)施方式的振蕩器100將壓電振動器1構(gòu)成為與集成電路101電連接的振子。該振蕩器100具有安裝了電容器等電子部件102的基板103。振蕩器用的上述集成電路101安裝于基板103，壓電振動器1安裝在該集成電路101的附近。這些電子部件102、集成電路101及壓電振動器1通過未圖示的布線圖案分別電連接。此外，各構(gòu)成部件通過未圖示的樹脂來模制(mould)。在這樣構(gòu)成的振蕩器100中，向壓電振動器1施加電壓時，該壓電振動器1內(nèi)的壓電振動片2振動。該振動通過壓電振動片2具有的壓電特性轉(zhuǎn)換為電信號，并以電信號方式輸入至集成電路101。通過集成電路101對輸入的電信號進(jìn)行各種處理，并以頻率信號的方式輸出。由此，壓電振動器1起著振子的作用。另外，通過根據(jù)需求選擇性地將集成電路101的結(jié)構(gòu)設(shè)定為例如RTC(Real Time Clock:實(shí)時時鐘)模塊等，除了鐘表用單功能振蕩器等之外，還能附加控制該設(shè)備或外部設(shè)備的工作日期或時刻，或者提供時刻或日歷等功能。如上述那樣，依據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器100，由于具有低成本化的可靠性高的壓電振動器1，因此振蕩器100自身也能夠同樣地實(shí)現(xiàn)低成本化。而且，還能夠獲得長期穩(wěn)定的高精度頻率信號。(電子設(shè)備)接著，參照圖30說明本發(fā)明涉及的電子設(shè)備的一個實(shí)施方式。此外，作為電子設(shè)備，以具有上述的壓電振動器1的便攜信息設(shè)備110為例進(jìn)行說明。首先，本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110是例如以便攜電話為代表的設(shè)備，是發(fā)展、改良現(xiàn)有技術(shù)的手表而成的。外觀類似于手表，能在相當(dāng)于表盤的部分配置液晶顯示器，并在該畫面上顯示當(dāng)前的時刻等。 另外，在作為通信機(jī)利用的情況下，能夠從手腕摘下，并通過內(nèi)置于表帶內(nèi)側(cè)部分的揚(yáng)聲器及麥克風(fēng)進(jìn)行與現(xiàn)有技術(shù)的便攜電話同樣的通信。然而，與現(xiàn)有的便攜電話相比已被顯著地小型化及輕量化。接著，說明本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110的結(jié)構(gòu)。如圖30所示，該便攜信息設(shè)備110具備壓電振動器1以及用于供電的電源部111。電源部111由例如鋰二次電池構(gòu)成。 該電源部111并聯(lián)連接有進(jìn)行各種控制的控制部112、進(jìn)行時刻等的計數(shù)的計時部113、與外部進(jìn)行通信的通信部114、顯示各種信息的顯示部115以及檢測各功能部的電壓的電壓檢測部116。然后，通過電源部111向各功能部供電?？刂撇?12控制各功能部從而進(jìn)行聲音數(shù)據(jù)的發(fā)送及接收、當(dāng)前時刻的測量或顯示等系統(tǒng)整體的動作控制。另外，控制部112具有預(yù)先寫入有程序的ROM、讀出已寫入該ROM 中的程序并執(zhí)行的CPU以及用作該CPU的工作區(qū)的RAM等。計時部113具備內(nèi)置有振蕩電路、寄存器電路、計數(shù)器電路和接口電路等的集成電路以及壓電振動器1。向壓電振動器1施加電壓時，壓電振動片2振動，該振動通過水晶所具有的壓電特性轉(zhuǎn)換為電信號，并以電信號的方式輸入至振蕩電路。使振蕩電路的輸出二值化，并通過寄存器電路和計數(shù)器電路計數(shù)。然后，經(jīng)由接口電路與控制部112進(jìn)行信號的發(fā)送與接收，在顯示部115顯示當(dāng)前時刻、當(dāng)前日期或日歷信息等。通信部114具有與現(xiàn)有便攜電話同樣的功能，具備無線電部117、聲音處理部 118、切換部119、放大部120、聲音輸入/輸出部121、電話號碼輸入部122、來電音發(fā)生部 123及呼叫控制存儲器部124。無線電部117經(jīng)由天線125與基站進(jìn)行聲音數(shù)據(jù)等各種數(shù)據(jù)的收發(fā)的交換。聲音處理部118對從無線電部117或放大部120輸入的聲音信號進(jìn)行編碼及解碼。放大部120 將從聲音處理部118或聲音輸入/輸出部121輸入的信號放大到既定電平。聲音輸入/輸出部121由揚(yáng)聲器或麥克風(fēng)等構(gòu)成，放大來電音或受話音或?qū)β曇艏?。另外，來電音發(fā)生部123根據(jù)來自基站的呼叫生成來電音。切換部119僅在來電時，通過將連接在聲音處理部118的放大部120切換到來電音發(fā)生部123，將在來電音發(fā)生部123中生成的來電音經(jīng)由放大部120輸出至聲音輸入/輸出部121。此外，呼叫控制存儲器部1 存儲與通信的呼叫及來電控制相關(guān)的程序。此外，電話號碼輸入部122具有例如0至9的號碼鍵及其他鍵，通過按壓這些號碼鍵等，輸入通話對象的電話號碼等。在通過電源部111對控制部112等各功能部施加的電壓低于既定值的情況下，電壓檢測部116檢測該電壓下降并通知給控制部112。此時的既定電壓值是作為使通信部114 穩(wěn)定地動作所必需的最低限度的電壓而預(yù)先設(shè)定的值，例如是3V左右。從電壓檢測部116 接受了電壓下降的通知的控制部112禁止無線電部117、聲音處理部118、切換部119及來電音發(fā)生部123的動作。特別是，耗電大的無線電部117的動作停止是必須的。進(jìn)而，在顯示部115上顯示通信部114因電池余量不足而無法使用的提示。S卩，能通過電壓檢測部116與控制部112，禁止通信部114的動作并將該提示顯示在顯示部115。該顯示可以是字符消息，但作為更直觀的顯示，也可在顯示于顯示部115的顯示畫面的上部的電話圖標(biāo)上作出“ X (叉)”標(biāo)記。此外，通過具有能選擇性地截斷通信部114的功能涉及的部分的電源的電源截斷部126，能更可靠地停止通信部114的功能。如上述那樣，依據(jù)本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110，由于具備低成本化的可靠性高的壓電振動器1，因此便攜信息設(shè)備自身也能夠同樣地實(shí)現(xiàn)低成本化。而且，還能夠顯示長期穩(wěn)定的高精度的時鐘信息。(電波鐘)接著，參照圖31對本發(fā)明涉及的電波鐘的一個實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖31所示，本實(shí)施方式的電波鐘130具有與濾波部131電連接的壓電振動器1， 是具有接收包含時鐘信息的標(biāo)準(zhǔn)電波并自動修正為正確的時刻從而進(jìn)行顯示的功能的時鐘。在日本國內(nèi)，福島縣(40kHz)與佐賀縣(60kHz)有發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波的發(fā)送站(發(fā)送基站)，分別發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波。40kHz或60kHz那樣的長波兼有沿地表傳播的性質(zhì)與在電離層和地表間邊反射邊傳播的性質(zhì)，所以傳播范圍廣，用上述的兩個發(fā)送站就能全部覆蓋日本國內(nèi)。以下，詳細(xì)說明電波鐘130的功能性結(jié)構(gòu)。天線132接收40kHz或60kHz的長波的標(biāo)準(zhǔn)電波。長波的標(biāo)準(zhǔn)電波是將稱為定時碼的時刻信息AM調(diào)制到40kHz或60kHz的載波的電波。接收的長波的標(biāo)準(zhǔn)電波被放大器 133放大，通過具有多個壓電振動器1的濾波部131濾波并調(diào)諧。本實(shí)施方式中的壓電振動器1分別具有與上述載波頻率相同的40kHz及60kHz的諧振頻率的水晶振動器部138、139。而且，濾波后的既定頻率的信號通過檢波、整流電路134檢波并解調(diào)。接著，經(jīng)由波形整形電路135抽出定時碼并由CPU136計數(shù)。在CPU136中，讀取當(dāng)前的年、累積日、星期、時刻等信息。將讀取的信息反映于RTC137，從而顯示出正確的時刻信肩、ο載波為40kHz或60kHz，所以水晶振動器部138、139適于采用具有上述的音叉型結(jié)構(gòu)的振動器。此外，以上的說明是以日本國內(nèi)為例示出，但長波的標(biāo)準(zhǔn)電波的頻率在海外是不同的。例如，在德國使用77. 5KHz的標(biāo)準(zhǔn)電波。因而，在將在海外也能應(yīng)對的電波鐘130裝入便攜設(shè)備的情況下，還需要與日本的情況不同的頻率的壓電振動器1。如上述那樣，依據(jù)本實(shí)施方式的電波鐘130，由于具備低成本化的可靠性高的壓電振動器1，因此電波鐘自身也能夠同樣地實(shí)現(xiàn)低成本化。而且，還能夠長期穩(wěn)定地高精度地對時刻計數(shù)。此外，本發(fā)明的技術(shù)的范圍并不限于所述實(shí)施方式，能在不脫離本發(fā)明的思想的范圍內(nèi)添加各種變更。例如，在上述的實(shí)施方式中，作為壓電振動器的一個例子，舉出圓柱封裝型的壓電振動器1為例進(jìn)行了說明，但并不限定于此。例如，也可以是表面安裝型的壓電振動器、或陶瓷封裝型的壓電振動器，或是進(jìn)一步用模制樹脂部固定圓柱封裝型的壓電振動器1而得的表面安裝型振動器。另外，并不限于音叉型的壓電振動片2，也能在AT型的壓電振動片適用本發(fā)明。而且，只要是由在壓電板11的外表面上層疊并且圖案互不相同的多層電極膜構(gòu)成，電極部18也不限定于上述的實(shí)施方式所示的方式。例如，也可以層疊3層以上的電極膜。另外，在上述的實(shí)施方式中，使用正型的抗蝕膜50，但也可以是負(fù)型。而且，在上述的實(shí)施方式中，在晶片S形成壓電板11的外形形狀，同時形成分別與兩個電極膜用掩模42、43對應(yīng)的兩個晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4,但并不限于此。進(jìn)一步，在上述的實(shí)施方式中，設(shè)晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4由貫通孔S5、S6構(gòu)成，但晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4也可以是不貫通晶片S的凹部。另外，在上述的實(shí)施方式中，在進(jìn)行抗蝕圖案形成工序時，在晶片S上配置覆蓋部件44，由覆蓋部件44覆蓋與電極膜用掩模42、43對應(yīng)的晶片側(cè)標(biāo)記S3、S4的貫通孔S5、S6 的周邊部，并涂敷抗蝕膜50，但也可不用覆蓋部件44來覆蓋。另外，第1掩模42及第2掩模43的所述露出開口 42f、43f的俯視形狀及晶片S 的貫通孔S5、S6，只要在所述一個方向及所述另一個方向的兩個方向上非對稱，就不限于上述的實(shí)施方式所示的方式，也可以是圖32至圖35所示的俯視形狀。例如，如圖32所示，也可以是露出開口 45A (貫通孔Sll)的俯視形狀在所述一個方向及所述另一個方向的兩個方向上非對稱的五角形狀。該俯視形狀為沿著所述一個方向及所述另一個方向的兩個方向延伸的正方形(矩形)的一個角部被倒角的形狀。而且，例如如圖33至圖35所示，露出開口458、45(、450(貫通孔512、513、514)也可由互不連續(xù)的多個部分構(gòu)成。圖33及圖34所示的露出開口 45B、45C(貫通孔S12、S13)由以下兩部分構(gòu)成俯視形狀為沿所述一個方向及所述另一個方向分別延伸的直線部相連結(jié)的L字狀的第1部分45a，以及在第1部分45a的直線部的各非連結(jié)部以在所述一個方向及所述另一個方向的兩個方向相向的方式配置的第2部分45b。第2部分45b的俯視形狀為沿所述一個方向及所述另一個方向的兩個方向延伸的正方形狀(矩形狀)。此外，在圖33所示的露出開口 45B (貫通孔Si》中，第2部分4 設(shè)為位于第1部分4 的所述一個方向的內(nèi)側(cè)及所述另一個方向的內(nèi)側(cè)的大小，在圖；34所示的露出開口 45C(貫通孔S13)中，第2部分45b為比第1部分4 更向所述一個方向的外側(cè)突出且更向所述另一個方向的外側(cè)突出的大小。圖35所示的露出開口 45D(貫通孔S14)俯視時為圓形狀，并且具備大小互不相同的第1部分4 及第2部分45b。進(jìn)一步，在上述的實(shí)施方式中，露出開口(貫通孔)的俯視形狀在所述一個方向及所述另一個方向的兩個方向上非對稱，但也可以不是非對稱的。另外，在上述的實(shí)施方式中，在進(jìn)行抗蝕圖案形成工序時，以從露出開口 42f、43f 露出貫通孔S5、S6的方式，在晶片S配置電極膜用掩模42、43，但并不限于此。例如，也可取代在電極膜用掩模形成作為標(biāo)記部的露出開口，而使電極膜用掩模的寬度按多個電極膜用掩模的每一個而不同，在進(jìn)行抗蝕圖案形成工序時，將作為標(biāo)記部的電極膜用掩模的兩側(cè)端部與貫通孔對位。此外，能在不脫離本發(fā)明的思想的范圍內(nèi)適宜地將所述實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)單元替換為周知的結(jié)構(gòu)單元，另外，也可適宜地組合所述的變形例。
權(quán)利要求
1.一種壓電振動片的制造方法，形成具備由壓電材料構(gòu)成的壓電板，以及在施加電壓時使所述壓電板振動的電極部的壓電振動片，該電極部由層疊于所述壓電板的外表面上并且圖案互不相同的多層電極膜構(gòu)成，所述壓電振動片的制造方法的特征在于，具有在形成有所述壓電板的外形形狀的晶片形成所述電極部的電極形成工序，該電極形成工序具有通過光刻技術(shù)在所述晶片形成所述多層電極膜的每一個的多個電極膜形成工序，所述多個電極膜形成工序分別具有抗蝕圖案形成工序，在所述晶片涂敷抗蝕膜后，在所述晶片配置準(zhǔn)備用于各電極膜的多個掩模部件之中的、準(zhǔn)備用于在該電極膜形成工序中形成的一個電極膜的所述掩模部件，其后，隔著該掩模部件照射光，從而形成抗蝕圖案；在該抗蝕圖案形成工序中，將在準(zhǔn)備用于所述一個電極膜的所述掩模部件形成的掩模側(cè)標(biāo)記，與在所述晶片形成的多個晶片側(cè)標(biāo)記之中的與該掩模部件對應(yīng)的所述晶片側(cè)標(biāo)記對位，并且在所述晶片配置所述掩模部件；所述掩模側(cè)標(biāo)記由在所述掩模部件互相隔開間隔地形成的一對標(biāo)記部構(gòu)成，并且該一對標(biāo)記部間的間隔按所述多個掩模部件的每一個而不同；所述多個晶片側(cè)標(biāo)記分別由在所述晶片互相隔開間隔地形成的一對凹部構(gòu)成，并且該一對凹部間的間隔，以與該晶片側(cè)標(biāo)記對應(yīng)的所述掩模部件中的所述一對標(biāo)記部間的間隔相等的方式，按所述多個晶片側(cè)標(biāo)記的每一個而不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電振動片的制造方法，其特征在于，所述標(biāo)記部設(shè)為貫通所述掩模部件的露出開口，所述凹部的俯視形狀與所述露出開口的俯視形狀相同，所述抗蝕圖案形成工序通過從所述露出開口露出所述凹部，將所述掩模側(cè)標(biāo)記與所述晶片側(cè)標(biāo)記對位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓電振動片的制造方法，其特征在于，所述露出開口的俯視形狀在一對露出開口分離的一個方向、以及沿著該掩模部件的表面且與所述一個方向正交的另一個方向的兩個方向上非對稱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的壓電振動片的制造方法，其特征在于，在所述抗蝕圖案形成工序中，在所述晶片上配置覆蓋部件，通過該覆蓋部件覆蓋與準(zhǔn)備用于所述一個電極膜的所述掩模部件對應(yīng)的所述晶片側(cè)標(biāo)記中的所述凹部，并涂敷抗蝕膜。
5.一種晶片，其特征在于，所述晶片在權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的壓電振動片的制造方法中被使用，形成有與所述多個掩模部件分別對應(yīng)的多個晶片側(cè)標(biāo)記，該多個晶片側(cè)標(biāo)記分別由互相隔開間隔地形成的一對凹部構(gòu)成，并且該一對凹部間的間隔，以與該晶片側(cè)標(biāo)記對應(yīng)的所述掩模部件中的所述一對標(biāo)記部間的間隔相等的方式， 按所述多個晶片側(cè)標(biāo)記的每一個而不同。
6.一種壓電振動器，其特征在于，具備通過權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的壓電振動片的制造方法制造的壓電振動片。
7.一種振蕩器，其特征在于，權(quán)利要求6所述的壓電振動器作為振子與集成電路電連接。
8.一種電子設(shè)備，其特征在于，權(quán)利要求6所述的壓電振動器與計時部電連接。
9.一種電波鐘，其特征在于，權(quán)利要求6所述的壓電振動器與濾波部電連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種壓電振動片的制造方法，其中，在抗蝕圖案形成工序中，將在準(zhǔn)備用于一個電極膜的掩模部件形成的掩模側(cè)標(biāo)記，與形成于晶片(S)的多個晶片側(cè)標(biāo)記(S3、S4)之中的對應(yīng)于該掩模部件的晶片側(cè)標(biāo)記(S3、S4)對位的同時，在晶片(S)配置掩模部件，掩模側(cè)標(biāo)記由互相隔開間隔地形成的一對標(biāo)記部構(gòu)成，并且該一對標(biāo)記部間的間隔按多個掩模部件的每一個而不同，多個晶片側(cè)標(biāo)記(S3、S4)分別由互相隔開間隔地形成的一對凹部(S5、S6)構(gòu)成，且該一對凹部(S5、S6)間的間隔，以與該晶片側(cè)標(biāo)記(S3、S4)對應(yīng)的掩模部件中的一對標(biāo)記部間的間隔相等的方式，按多個晶片側(cè)標(biāo)記(S3、S4)的每一個而不同。從而，防止在誤配置掩模部件的狀態(tài)下形成抗蝕圖案而實(shí)現(xiàn)低成本化。
文檔編號G04C9/02GK102447449SQ20111031075
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者有松大志 申請人:精工電子有限公司